JP4562154B2 - Manufacturing method of semiconductor module - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体モジュールの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年には、ICチップの高密度実装化に対応するために、ICチップを積層した半導体モジュールを製造する技術が開発されてきている。例えば、特開平9−219490号公報、特開平10−135267号公報、及び特開平10−163414号公報には、そのような積層パッケージが開示されている。
【0003】
このような従来の技術では、TSOP(Thin Small Outline Package)、TCP(Tape Carrier Package)、BGA(Ball Grid Array)等のICパッケージを一層毎に組み立てた後に、複数のICパッケージを積層する。このとき、各層間は、予め各パッケージに設けられた外部接続用の端子を介して接続される。このように従来の工法では、多くの製造工程を経なければならないことから、加工コストが増加していた。
【0004】
ところで、図10および図11には、上記のような従来の工法により製造された積層パッケージを示した。図10に示すものは、樹脂でモールドされたパッケージを積層したものである。また、図11は、図10のパッケージを搭載したモジュール基板の側面図および平面図である。このICパッケージ100A、100Bには、IC実装部106と、その上面に実装されたICチップ102と、ICチップ102と外部部品とを接続するリード101と、ICチップ102とリード101とを樹脂内部で接続するボンディングワイヤ103とが設けられている。また、ICチップ102を含む所定の領域は、樹脂体104により被覆されている。
【0005】
このような構造のICパッケージ100Aの上側には、他のICパッケージ100Bが積層された状態とされて、基板105に実装されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のICパッケージ100A、100Bを厚さ方向に積み重ねて、基板105に実装しようとすると、樹脂体104の厚みのために総モジュール厚が厚くなってしまうという問題がある。また、ICパッケージ100A、100Bを横方向に基板105に実装する場合には、総モジュールが大きくなるという問題がある。さらに、上下のパッケージ100A、100Bは、それぞれのリード101によって基板105に接続されているので、パッケージ100A、100Bの積層時に位置ずれが生じると、リード101間が短絡してしまう可能性があった。
【0007】
今後は、例えばICカードや携帯電話等の電子機器の小型化に伴い、ICパッケージに対しても、更なる高密度化と薄型化が図られると考えられているが、従来の工法によっては、そのような高密度・薄型化を図ることは困難である。
【0008】
この問題を解決するためには、ICチップ102を樹脂体104でモールドする構成を変更し、例えばプリント基板を層間部材を介して積層しながらその層間にICチップを実装するという構成が考えられる。そのような構成を採用した場合には、プリント基板の導体回路は、その表裏に配される層間部材に形成された導電性バンプによって電気的に接続される。
【0009】
しかしながら、積層されるプリント基板が片面のみに導体回路を有する場合には、必要な導体回路数の増加に伴い、その増加分と同じ数だけ使用するプリント基板および層間部材の数が増加し、半導体モジュールが大型化してしまうという問題がある。また、積層させるプリント基板や層間部材の数が増加するほど、電気的な接続が不良になるリスクが大きくなる。
【0010】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、より高密度の積層型の半導体モジュールを製造できる方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための請求項1の発明は、所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に銅よりも低融点の金属からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経るところに特徴を有する。
【0013】
また請求項2の発明は、所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、 前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に、前記片面銅張積層板の導体層側に設けられる銅とその反対の面側に設けられる銅より低融点の金属との2層からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経るところに特徴を有する。
【0014】
【発明の作用および効果】
請求項1の発明によれば、片面銅張積層板の絶縁層に形成されたビアホール内にメッキ導体を形成し、絶縁層側の面にも導体箔を設ける構成であるから、絶縁層の両面にエッチングにより配線回路を形成することが可能である。このように両面に配線回路が形成されたプリント基板を使用する本発明の半導体モジュールの製造方法によれば、必要な配線回路数が増加した場合でも、その配線回路数の半数のプリント基板および層間部材を使用すればよい。従って、積層型の半導体モジュールの大型化を回避することができ、薄型で高密度の半導体モジュールが得られるという優れた作用効果を奏する。
【0015】
また、上記メッキ導体を例えばはんだのような銅より低融点の金属とすると、メッキ導体と絶縁層側に貼り付ける導体箔との接着性がよくなるという作用効果を奏する。
あるいは、ビアホール内を銅で充填し、その表面に銅より低融点の金属を積層させてメッキ導体を2層構造とすることにより、絶縁層側の面に貼り付ける導体箔との接着性を高める構成としてもよい(請求項2の発明)。
【0016】
【発明の実施の形態】
<第1実施形態>
以下、本発明を具体化した第1実施形態について、図1〜図5を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態の半導体モジュール1は、半導体チップ2を実装したプリント基板10と層間部材20とを交互に重ね合わせ、最下層にI/O配線基板3を重ねて熱プレスすることにより一体化された構造となっている(図1参照)。
【0017】
まず、半導体チップ2を実装したプリント基板10の製造方法について説明する。
プリント基板10の出発材料は、片面銅張積層板11である。この片面銅張積層板11は、例えば板状のガラス布エポキシ樹脂により形成される厚さ40μmの絶縁性基板12の一方の面(図2において上面)に、全面に厚さ12μmの銅箔13が貼り付けられた周知の構造である。
【0018】
この片面銅張積層板11の絶縁性基板12側(図2において下面側)から、所定の位置に例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基板12を貫通して銅箔13に達するビアホール14を形成する(図2A)。加工条件は、パルスエネルギーが0.5〜10.0mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3〜50の範囲内であることが好ましい。次いで、このビアホール14の内部に残留する樹脂を取り除くためのデスミア処理を行う。その後、銅箔13面を保護フィルム(図示せず)で保護しておき、銅箔13を一方の電極として電解メッキ法によってビアホール14内に例えばはんだ等の銅より低融点の金属からなるメッキ導体15を形成させる。なおメッキ導体15は、絶縁性基板12の面上にわずかに突出する位置まで形成する(図2B)。
【0019】
その後、絶縁性基板12の全面に接着層36を形成する(図2C)。そしてこの接着層36に厚さ12μmの銅箔13を圧着積層させて、両面に銅箔13を具備するとともにこれら銅箔13がビアホール14内のメッキ導体15により電気的に導通された積層板16とする(図2D)。
【0020】
次に、上記保護フィルムを剥離した後に、上面の銅箔13上に感光性のドライフィルム30を貼りつけ、このドライフィルム30を所定のパターンにより露光・現像処理することにより、孔部31を形成する(図2E)。そしてこの孔部31内に電解メッキを施すことにより、半導体チップ2を実装するための実装用バンプ17となるメッキ層を形成する。その後、ドライフィルム30を剥離し、実装用バンプ17を突出させる(図3F)。
【0021】
次いで、電着法により、積層板16の両面の銅箔13上全体にフォトレジスト層32を形成させる(図3G)。そして、両面のフォトレジスト層32を所定の配線回路18のパターンに合わせて露光・現像処理する。この後、フォトレジスト層32により保護されていない銅箔13部分をエッチング処理することにより、積層板16の両面に配線回路18を形成させる(図3H)。なお、配線回路18の一部は、後述する層間部材20の導電性バンプ25と接続するための接続用ランド19とされている。最後に、フォトレジスト層32を除去することにより、プリント基板10の製造が完了する(図3I)。
【0022】
このプリント基板10の上面側の中央部分には、半導体チップ2が実装される(図3J)。半導体チップ2は、プリント基板10の中央に接着層7により固着され、半導体チップ2の下面側に形成された端子部(図示せず)が実装用バンプ17に埋め込まれることにより、プリント基板10の配線回路18と電気的に接続される。
【0023】
次に、層間部材20の製造方法について説明する。
層間部材20の出発材料は、例えばガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸し、加熱半硬化状態として板状に形成されたプリプレグ21である(図4A)。このプリプレグ21の厚さは、後述のキャビティ(本発明の開口部に該当する)26内に半導体チップ2を収容する必要性から、プリント基板10の上面から半導体チップ2の上面までの高さよりもやや厚く、例えば130μmとされている。また、プリプレグ21の上面および下面の面積は対向するプリント基板10の面積と略等しくされている。
【0024】
このプリプレグ21の両面をPET製の保護フィルム22で保護しておき(図4B)、対向するプリント基板10の接続用ランド16,19に対応する位置に、例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、プリプレグ21の厚さ方向に貫通するスルーホール23を形成させる(図4C)。
【0025】
このスルーホール23内に、導電性ペースト24を充填する(図4D)。充填は、例えばスクリーン印刷機を使用して導電性ペースト24を保護フィルム22上から印刷することにより行うことができる。そして、保護フィルム22を剥離すると、導電性ペースト24は保護フィルム22の厚さ分だけプリプレグ21の表面から突出されて導電性バンプ25とされる(図4E)。
【0026】
そして、プリプレグ21の中央部分に例えばレーザ照射を行うことによりキャビティ26を貫通形成させて、層間部材20の製造が完了する(図4F)。キャビティ26の大きさは半導体チップ2の外形寸法よりやや大きくされて、その内部に半導体チップ2を収容可能とされている。
【0027】
上記のように製造されたプリント基板10と層間部材20とを交互に重ね合わせる(図5A)。このとき、最上層にはプリント基板10が、半導体チップ2が実装された面が下面側になるように配置され、その下方には層間部材20が配置される。層間部材20は、そのキャビティ26内にプリント基板10の半導体チップ2を収容し、また、導電性バンプ25がプリント基板10の接続用ランド19と接続可能なように重ね合わせられる。そして、その下方にはさらにプリント基板10および層間部材20が同様に重ね合わせられ、最下層にはI/O配線基板3が積層される。このI/O配線基板3は、絶縁性基板4の所定の位置にビアホール5が形成され、その上下に所定の配線回路(図示せず)およびランド6が形成されたものである。
【0028】
次いで、プレスにより加圧加熱を行うと、プリプレグ21はいったん溶融流動し、時間の経過に伴って硬化するとともに上下のプリント基板10およびI/O配線基板3と接着して、半導体モジュール1が形成される。このとき、各プリント基板10の接続用ランド19、およびI/O配線基板3のランド6と、隣接する層間部材20の導電性バンプ25とが接続されており、これにより上下のプリント基板10およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。また、I/O配線基板3の下面側のランド6には、外部基板との接続用のはんだボール8が形成される(図5B)。
【0029】
上述した本実施形態の半導体モジュールの製造方法によれば、プリント基板10にはその両面に配線回路18が形成されているから、薄型で高密度の半導体モジュールを製造することができるという優れた作用効果をする。
【0030】
<第2実施形態>
本実施形態の半導体モジュールは、プリント基板のメッキ導体の構成が上記第1実施形態と相違する。また、層間部材も上記第1実施形態とは異なるものを使用する。
【0031】
まず、片面銅張積層板41の絶縁性基板42側(図6において下面側)から、所定の位置に例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基板42を貫通して銅箔43に達するビアホール44を形成し(図6A)、このビアホール44の内部に残留する樹脂を取り除くためのデスミア処理を行う。その後、銅箔43面を保護フィルム(図示せず)で保護しておき、銅箔43を一方の電極として電解メッキ法によってビアホール44内に銅からなるメッキ導体45Aを形成させる(図6B)。なお、メッキ導体45Aの充填深さは、その上面が絶縁性基板42の表面と面一になる程度としておく。
そしてさらに、メッキ導体45Aよりも低融点の例えばはんだ等のメッキ導体45Bを、メッキ導体45Aの表面を覆う程度にメッキする(図6C)。
【0032】
その後は、上記第1実施形態と同様に、保護フィルムを剥離して、絶縁性基板42側の全面に接着層36を形成し(図6D)、厚さ12μm銅箔43を圧着積層させて、両面に銅箔43を具備するとともにこれら銅箔43がビアホール14内のメッキ導体45により電気的に導通された積層板46とする(図6E)。
【0033】
そして、上面の銅箔43上に半導体チップ2を実装するための実装用バンプ47を形成する(図7F)。次いで、積層板46の両面に電着法によりフォトレジスト層を形成させて両面のフォトレジスト層を所定の配線回路48のパターンに合わせて露光・現像処理し、その後、フォトレジスト層により保護されていない銅箔43部分をエッチング処理することにより、配線回路48を形成させる。なお、配線回路48の一部は接続用ランド49として形成される。その後、フォトレジスト層を除去する(図7G)。
【0034】
最後に、このプリント基板40の上面側の中央部分に半導体チップ2が実装され、プリント基板40の配線回路48と電気的に接続されて、プリント基板40の製造が終了する(図7H)。
【0035】
次に、層間部材50の製造方法について説明する。本実施形態においては、上記第1実施形態のプリプレグ21の替わりに、板状のガラス布基材エポキシ樹脂により形成される絶縁性基材51を使用する(図8A)。この絶縁性基材51の厚さは、後述のキャビティ(本発明の開口部に該当する)56内に半導体チップ2を収容する必要性から、プリント基板40の上面から半導体チップ2の上面までの高さよりもやや厚く、例えば130μmとされている。また、絶縁性基材51の上面および下面の面積は対向するプリント基板40の面積と略等しくされている。
【0036】
この絶縁性基材51の両面に接着層52を形成させておき、さらにその上面をPET製の保護フィルム53で保護しておく(図8B)。次いで、保護フィルム53の上から、対向するプリント基板40の接続用ランド46,49に対応する位置に、例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基材51の厚さ方向に貫通するスルーホール54を形成させる(図8C)。
【0037】
このスルーホール54内に、導電性ペースト55を充填する(図8D)。充填は、例えばスクリーン印刷機により導電性ペースト55を保護フィルム53上から印刷することにより行うことができる。そして、保護フィルム53を剥離すると、導電性ペースト55は保護フィルム53の厚さ分だけ接着層52の表面から突出されて導電性バンプ56とされる(図8E)。
【0038】
そして、絶縁性基材51の中央部分に、例えばレーザ照射を行うことによりキャビティ57を貫通形成させて、層間部材50の製造が完了する(図8F)。キャビティ57の大きさは半導体チップ2の外形寸法よりやや大きくされて、その内部に半導体チップ2を収容可能とされている。
【0039】
上記のように製造されたプリント基板40と層間部材50とを、上記第1実施形態と同様に交互に重ね合わせる(図9A)。このとき、層間部材50の導電性バンプ56はプリント基板40の接続用ランド49と接続可能なように重ね合わせられる。そして、最下層にはI/O配線基板3が積層される。
【0040】
次いで、加熱真空プレスすることによって、接着層52が硬化して上下のプリント基板40およびI/O配線基板3と接着し、半導体モジュール1が形成される(図9B)。そして、層間部材50に形成されたスルーホール54により、上下のプリント基板40およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。このとき、各プリント基板40の接続用ランド49、およびI/O配線基板3のランド6と、隣接する層間部材50の導電性バンプ56とが接続されており、これにより上下のプリント基板40およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。
【0041】
上述した本実施形態の半導体モジュールの製造方法によれば、上記第1実施形態と同様に、プリント基板40にはその両面に配線回路48が形成されているから、薄型で高密度の半導体モジュールを得ることができる。
【0042】
<他の実施形態>
本発明の技術的範囲は、上記した実施形態によって限定されるものではなく、例えば、次に記載するようなものも本発明の技術的範囲に含まれる。その他、本発明の技術的範囲は、均等の範囲にまで及ぶものである。
【0043】
(1)上記実施形態では、半導体モジュール1はそれぞれ2枚のプリント基板と層間部材、およびI/O配線基板5層で構成されているいるが、本発明によれば積層枚数はこれら実施形態の限りではなく、例えば1枚のプリント基板、層間部材およびI/O配線基板の3層で構成されてもよい。あるいはそれぞれ3枚のプリント基板と層間部材、およびI/O配線基板の7層で構成されてもよく、さらに多層化させてもよい。
【0044】
(2)上記実施形態では、電解メッキ法によってメッキ導体を形成させているが、本発明によればメッキ導体の形成方法はこれら実施形態の限りではなく、例えば無電解メッキによって形成させてもよい。
【0045】
(3)上記実施形態では、片面銅張積層板の銅箔側に実装用バンプを形成する構成としたが、絶縁性基板側に貼り付けた銅箔上に実装用バンプを形成し、半導体チップを実装させる構成としてもよい。
【0046】
(4)上記実施形態では、絶縁性基板に接着層を積層させて銅箔を貼り付ける構成としたが、銅箔側に接着層を形成して絶縁性基板に貼り付ける構成としてもよい。
【0047】
(5)上記実施形態で製造されるプリント基板と層間部材のそれぞれの種類の組み合わせは任意であり、限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態におけるプリント基板と層間部材とを積層させて半導体モジュールを製造する前の様子を示す斜視図
【図2】第1実施形態のプリント基板の製造方法を示す断面図−1
【図3】同じくプリント基板の製造方法を示す断面図−2
【図4】同じく層間部材の製造方法を示す断面図
【図5】同じくプリント基板と層間部材とを積層させた断面図
【図6】第2実施形態のプリント基板の製造方法を示す断面図−1
【図7】同じくプリント基板の製造方法を示す断面図−2
【図8】同じく層間部材の製造方法を示す断面図
【図9】同じくプリント基板と層間部材とを積層させた断面図
【図10】従来におけるICパッケージの側断面図
【図11】(a)従来におけるICパッケージを実装した基板の側面図
(b)従来におけるICパッケージを実装した基板の平面図
【符号の説明】
1…半導体モジュール
2…半導体チップ
3…I/O配線基板
10,40…プリント基板
11,41…片面銅張積層板
12,42…絶縁性基板(絶縁層)
13,43…銅箔(導体層)
14,44…ビアホール
15,45…メッキ導体
17,47…実装用バンプ
18,48…配線回路
19,49…接続用ランド
20,50…層間部材
25,56…導電性バンプ
26,57…キャビティ(開口部)
36…接着層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor module.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in order to cope with high-density mounting of IC chips, a technique for manufacturing a semiconductor module in which IC chips are stacked has been developed. For example, JP-A-9-219490, JP-A-10-135267, and JP-A-10-163414 disclose such a stacked package.
[0003]
In such a conventional technique, IC packages such as TSOP (Thin Small Outline Package), TCP (Tape Carrier Package), and BGA (Ball Grid Array) are assembled for each layer, and then a plurality of IC packages are stacked. At this time, the respective layers are connected via external connection terminals provided in advance in each package. Thus, in the conventional construction method, since many manufacturing steps have to be performed, the processing cost has increased.
[0004]
10 and 11 show a stacked package manufactured by the conventional method as described above. The one shown in FIG. 10 is a laminate of packages molded with resin. 11 is a side view and a plan view of a module substrate on which the package of FIG. 10 is mounted. The
[0005]
Another
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
If the
[0007]
In the future, for example, with the miniaturization of electronic devices such as IC cards and mobile phones, it is considered that further increases in density and thickness will be achieved for IC packages, but depending on the conventional construction method, It is difficult to achieve such high density and thinning.
[0008]
In order to solve this problem, a configuration in which the
[0009]
However, when the printed circuit board to be laminated has a conductor circuit only on one side, the number of printed circuit boards and interlayer members to be used is increased by the same number as the increase in the number of necessary conductor circuits. There is a problem that the module becomes large. In addition, the risk of poor electrical connection increases as the number of printed circuit boards and interlayer members to be stacked increases.
[0010]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing a higher-density stacked semiconductor module.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention for solving the above-described problem, a printed circuit board having a predetermined wiring circuit formed thereon and a semiconductor chip mounted on one side thereof, a conductive bump connectable to the wiring circuit, and the semiconductor chip are provided. A method of manufacturing a semiconductor module that is laminated via an interlayer member having an opening that can be accommodated, wherein a via hole that penetrates through an insulating layer of a single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaches a conductor layer is predetermined. Forming a plated conductor made of a metal having a melting point lower than that of copper in the via hole, and electrically connecting the plated conductor in the via hole on the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate. Attaching the continuous conductor foil; etching the conductor layer and the conductor foil to form the wiring circuit; mounting the semiconductor chip on the wiring circuit; Having said the preparative substrate and the interlayer member where undergoing a process of bonding by alternately laminating.
[0013]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side, conductive bumps that can be connected to the wiring circuit, and openings that can receive the semiconductor chip. A method of manufacturing a semiconductor module that is laminated via an interlayer member provided, the step of forming a via hole that penetrates an insulating layer of a single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaches a conductor layer at a predetermined position; Forming a plated conductor consisting of two layers of copper provided on the conductor layer side of the single-sided copper clad laminate and a metal having a melting point lower than that of copper provided on the opposite surface side in the via hole; Attaching the conductive foil electrically connected to the plated conductor in the via hole to the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate, etching the conductive layer and the conductive foil, and forming the wiring circuit; It is characterized in that it goes through a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit and a step of alternately laminating and bonding the printed circuit board and the interlayer member.
[0014]
Operation and effect of the invention
According to the first aspect of the present invention, the plated conductor is formed in the via hole formed in the insulating layer of the single-sided copper clad laminate, and the conductive foil is also provided on the surface on the insulating layer side. In addition, it is possible to form a wiring circuit by etching. Thus, according to the method of manufacturing a semiconductor module of the present invention using the printed circuit board having the wiring circuits formed on both sides, even when the required number of wiring circuits is increased, the printed circuit board and the interlayer which are half the number of the wiring circuits are increased. What is necessary is just to use a member. Therefore, an increase in the size of the stacked semiconductor module can be avoided, and an excellent effect is obtained that a thin and high-density semiconductor module can be obtained.
[0015]
Further, when the plated conductor is made of a metal having a melting point lower than that of copper, such as solder, there is an effect that adhesion between the plated conductor and the conductor foil attached to the insulating layer is improved.
Alternatively, the via hole is filled with copper, a metal having a lower melting point than copper is laminated on the surface thereof, and the plated conductor has a two-layer structure, thereby improving the adhesion to the conductor foil to be attached to the surface on the insulating layer side. It is good also as a structure (invention of Claim 2 ).
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to FIGS. The
[0017]
First, a method for manufacturing the printed
The starting material for the printed
[0018]
Laser irradiation is performed at a predetermined position from, for example, a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus from the insulating
[0019]
Thereafter, an
[0020]
Next, after peeling off the protective film, a photosensitive
[0021]
Next, a
[0022]
The
[0023]
Next, a method for manufacturing the
The starting material of the
[0024]
Both surfaces of the
[0025]
The through-
[0026]
Then, for example, laser irradiation is performed on the central portion of the
[0027]
The printed
[0028]
Next, when pressure heating is performed by a press, the
[0029]
According to the manufacturing method of the semiconductor module of the present embodiment described above, since the printed
[0030]
<Second Embodiment>
The semiconductor module of this embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the plated conductor of the printed board. Also, an interlayer member different from that in the first embodiment is used.
[0031]
First, from the insulating
Further, a
[0032]
Thereafter, as in the first embodiment, the protective film is peeled off, the
[0033]
Then, mounting
[0034]
Finally, the
[0035]
Next, a method for manufacturing the
[0036]
An
[0037]
The through-
[0038]
Then, the
[0039]
The printed
[0040]
Next, the
[0041]
According to the manufacturing method of the semiconductor module of the present embodiment described above, the
[0042]
<Other embodiments>
The technical scope of the present invention is not limited by the above-described embodiments, and, for example, those described below are also included in the technical scope of the present invention. In addition, the technical scope of the present invention extends to an equivalent range.
[0043]
(1) In the above embodiment, each of the
[0044]
(2) In the above embodiment, the plated conductor is formed by the electrolytic plating method. However, according to the present invention, the method for forming the plated conductor is not limited to these embodiments. For example, the plated conductor may be formed by electroless plating. .
[0045]
(3) In the above embodiment, the mounting bump is formed on the copper foil side of the single-sided copper-clad laminate. However, the mounting bump is formed on the copper foil attached to the insulating substrate side, and the semiconductor chip It is good also as a structure to mount.
[0046]
(4) In the said embodiment, although it was set as the structure which laminates | stacks an adhesive layer on an insulating substrate and affixes a copper foil, it is good also as a structure which forms an adhesive layer in the copper foil side and affixes on an insulating substrate.
[0047]
(5) The combination of each kind of the printed circuit board and interlayer member manufactured by the said embodiment is arbitrary, and is not restricted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a state before a semiconductor module is manufactured by laminating a printed board and an interlayer member according to an embodiment of the invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a printed board according to the first embodiment. -1
FIG. 3 is a
4 is a cross-sectional view showing the same method for producing an interlayer member. FIG. 5 is a cross-sectional view in which a printed circuit board and an interlayer member are also laminated. FIG. 1
FIG. 7 is a cross-sectional view-2 showing a method for manufacturing a printed circuit board.
8 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing an interlayer member. FIG. 9 is a cross-sectional view in which a printed circuit board and an interlayer member are laminated. FIG. 10 is a side cross-sectional view of a conventional IC package. Side view of a substrate on which a conventional IC package is mounted (b) Plan view of a substrate on which a conventional IC package is mounted
DESCRIPTION OF
13, 43 ... Copper foil (conductor layer)
14, 44 ... via
36 ... Adhesive layer
Claims (2)
前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に銅よりも低融点の金属からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経ることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。A printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side is laminated via an interlayer member provided with conductive bumps connectable to the wiring circuit and openings capable of accommodating the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor module comprising:
A step of forming a via hole penetrating the insulating layer of the single-sided copper clad laminate to be the printed circuit board to reach the conductor layer, and forming a plated conductor made of a metal having a lower melting point than copper in the via hole Forming a wiring circuit by etching the conductive layer and the conductive foil, and attaching the conductive foil electrically connected to the plated conductor in the via hole to the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate. A method of manufacturing a semiconductor module, comprising: a step, a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit, and a step of alternately laminating and bonding the printed circuit board and the interlayer member.
前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に、前記片面銅張積層板の導体層側に設けられる銅とその反対の面側に設けられる銅より低融点の金属との2層からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経ることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 A printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side is laminated via an interlayer member provided with conductive bumps connectable to the wiring circuit and openings capable of accommodating the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor module comprising:
A step of forming a via hole penetrating the insulating layer of the single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaching the conductor layer at a predetermined position; and provided in the via hole on the conductor layer side of the single-sided copper-clad laminate Forming a plating conductor composed of two layers of copper and a metal having a melting point lower than that of the copper provided on the opposite side of the copper; and the plating conductor in the via hole on the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate A step of affixing a continuous conductor foil, a step of etching the conductor layer and the conductor foil to form the wiring circuit, a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit, the printed circuit board and the interlayer member And a step of alternately laminating and adhering to each other .
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