Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4562154B2 - Manufacturing method of semiconductor module - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4562154B2 - Manufacturing method of semiconductor module - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor module Download PDF

Info

Publication number
JP4562154B2
JP4562154B2 JP2000243097A JP2000243097A JP4562154B2 JP 4562154 B2 JP4562154 B2 JP 4562154B2 JP 2000243097 A JP2000243097 A JP 2000243097A JP 2000243097 A JP2000243097 A JP 2000243097A JP 4562154 B2 JP4562154 B2 JP 4562154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
printed circuit
conductor
circuit board
semiconductor chip
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000243097A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002057277A (en
Inventor
隆 苅谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2000243097A priority Critical patent/JP4562154B2/en
Priority to TW91102404A priority patent/TW543083B/en
Publication of JP2002057277A publication Critical patent/JP2002057277A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4562154B2 publication Critical patent/JP4562154B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体モジュールの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年には、ICチップの高密度実装化に対応するために、ICチップを積層した半導体モジュールを製造する技術が開発されてきている。例えば、特開平9−219490号公報、特開平10−135267号公報、及び特開平10−163414号公報には、そのような積層パッケージが開示されている。
【0003】
このような従来の技術では、TSOP(Thin Small Outline Package)、TCP(Tape Carrier Package)、BGA(Ball Grid Array)等のICパッケージを一層毎に組み立てた後に、複数のICパッケージを積層する。このとき、各層間は、予め各パッケージに設けられた外部接続用の端子を介して接続される。このように従来の工法では、多くの製造工程を経なければならないことから、加工コストが増加していた。
【0004】
ところで、図10および図11には、上記のような従来の工法により製造された積層パッケージを示した。図10に示すものは、樹脂でモールドされたパッケージを積層したものである。また、図11は、図10のパッケージを搭載したモジュール基板の側面図および平面図である。このICパッケージ100A、100Bには、IC実装部106と、その上面に実装されたICチップ102と、ICチップ102と外部部品とを接続するリード101と、ICチップ102とリード101とを樹脂内部で接続するボンディングワイヤ103とが設けられている。また、ICチップ102を含む所定の領域は、樹脂体104により被覆されている。
【0005】
このような構造のICパッケージ100Aの上側には、他のICパッケージ100Bが積層された状態とされて、基板105に実装されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のICパッケージ100A、100Bを厚さ方向に積み重ねて、基板105に実装しようとすると、樹脂体104の厚みのために総モジュール厚が厚くなってしまうという問題がある。また、ICパッケージ100A、100Bを横方向に基板105に実装する場合には、総モジュールが大きくなるという問題がある。さらに、上下のパッケージ100A、100Bは、それぞれのリード101によって基板105に接続されているので、パッケージ100A、100Bの積層時に位置ずれが生じると、リード101間が短絡してしまう可能性があった。
【0007】
今後は、例えばICカードや携帯電話等の電子機器の小型化に伴い、ICパッケージに対しても、更なる高密度化と薄型化が図られると考えられているが、従来の工法によっては、そのような高密度・薄型化を図ることは困難である。
【0008】
この問題を解決するためには、ICチップ102を樹脂体104でモールドする構成を変更し、例えばプリント基板を層間部材を介して積層しながらその層間にICチップを実装するという構成が考えられる。そのような構成を採用した場合には、プリント基板の導体回路は、その表裏に配される層間部材に形成された導電性バンプによって電気的に接続される。
【0009】
しかしながら、積層されるプリント基板が片面のみに導体回路を有する場合には、必要な導体回路数の増加に伴い、その増加分と同じ数だけ使用するプリント基板および層間部材の数が増加し、半導体モジュールが大型化してしまうという問題がある。また、積層させるプリント基板や層間部材の数が増加するほど、電気的な接続が不良になるリスクが大きくなる。
【0010】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、より高密度の積層型の半導体モジュールを製造できる方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための請求項1の発明は、所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に銅よりも低融点の金属からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経るところに特徴を有する。
【0013】
また請求項2の発明は、所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、 前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に、前記片面銅張積層板の導体層側に設けられる銅とその反対の面側に設けられる銅より低融点の金属との2層からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経るところに特徴を有する。
【0014】
【発明の作用および効果】
請求項1の発明によれば、片面銅張積層板の絶縁層に形成されたビアホール内にメッキ導体を形成し、絶縁層側の面にも導体箔を設ける構成であるから、絶縁層の両面にエッチングにより配線回路を形成することが可能である。このように両面に配線回路が形成されたプリント基板を使用する本発明の半導体モジュールの製造方法によれば、必要な配線回路数が増加した場合でも、その配線回路数の半数のプリント基板および層間部材を使用すればよい。従って、積層型の半導体モジュールの大型化を回避することができ、薄型で高密度の半導体モジュールが得られるという優れた作用効果を奏する。
【0015】
また、上記メッキ導体を例えばはんだのような銅より低融点の金属とすると、メッキ導体と絶縁層側に貼り付ける導体箔との接着性がよくなるという作用効果を奏する。
あるいは、ビアホール内を銅で充填し、その表面に銅より低融点の金属を積層させてメッキ導体を2層構造とすることにより、絶縁層側の面に貼り付ける導体箔との接着性を高める構成としてもよい(請求項2の発明)。
【0016】
【発明の実施の形態】
<第1実施形態>
以下、本発明を具体化した第1実施形態について、図1〜図5を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態の半導体モジュール1は、半導体チップ2を実装したプリント基板10と層間部材20とを交互に重ね合わせ、最下層にI/O配線基板3を重ねて熱プレスすることにより一体化された構造となっている(図1参照)。
【0017】
まず、半導体チップ2を実装したプリント基板10の製造方法について説明する。
プリント基板10の出発材料は、片面銅張積層板11である。この片面銅張積層板11は、例えば板状のガラス布エポキシ樹脂により形成される厚さ40μmの絶縁性基板12の一方の面(図2において上面)に、全面に厚さ12μmの銅箔13が貼り付けられた周知の構造である。
【0018】
この片面銅張積層板11の絶縁性基板12側(図2において下面側)から、所定の位置に例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基板12を貫通して銅箔13に達するビアホール14を形成する(図2A)。加工条件は、パルスエネルギーが0.5〜10.0mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3〜50の範囲内であることが好ましい。次いで、このビアホール14の内部に残留する樹脂を取り除くためのデスミア処理を行う。その後、銅箔13面を保護フィルム(図示せず)で保護しておき、銅箔13を一方の電極として電解メッキ法によってビアホール14内に例えばはんだ等の銅より低融点の金属からなるメッキ導体15を形成させる。なおメッキ導体15は、絶縁性基板12の面上にわずかに突出する位置まで形成する(図2B)。
【0019】
その後、絶縁性基板12の全面に接着層36を形成する(図2C)。そしてこの接着層36に厚さ12μmの銅箔13を圧着積層させて、両面に銅箔13を具備するとともにこれら銅箔13がビアホール14内のメッキ導体15により電気的に導通された積層板16とする(図2D)。
【0020】
次に、上記保護フィルムを剥離した後に、上面の銅箔13上に感光性のドライフィルム30を貼りつけ、このドライフィルム30を所定のパターンにより露光・現像処理することにより、孔部31を形成する(図2E)。そしてこの孔部31内に電解メッキを施すことにより、半導体チップ2を実装するための実装用バンプ17となるメッキ層を形成する。その後、ドライフィルム30を剥離し、実装用バンプ17を突出させる(図3F)。
【0021】
次いで、電着法により、積層板16の両面の銅箔13上全体にフォトレジスト層32を形成させる(図3G)。そして、両面のフォトレジスト層32を所定の配線回路18のパターンに合わせて露光・現像処理する。この後、フォトレジスト層32により保護されていない銅箔13部分をエッチング処理することにより、積層板16の両面に配線回路18を形成させる(図3H)。なお、配線回路18の一部は、後述する層間部材20の導電性バンプ25と接続するための接続用ランド19とされている。最後に、フォトレジスト層32を除去することにより、プリント基板10の製造が完了する(図3I)。
【0022】
このプリント基板10の上面側の中央部分には、半導体チップ2が実装される(図3J)。半導体チップ2は、プリント基板10の中央に接着層7により固着され、半導体チップ2の下面側に形成された端子部(図示せず)が実装用バンプ17に埋め込まれることにより、プリント基板10の配線回路18と電気的に接続される。
【0023】
次に、層間部材20の製造方法について説明する。
層間部材20の出発材料は、例えばガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸し、加熱半硬化状態として板状に形成されたプリプレグ21である(図4A)。このプリプレグ21の厚さは、後述のキャビティ(本発明の開口部に該当する)26内に半導体チップ2を収容する必要性から、プリント基板10の上面から半導体チップ2の上面までの高さよりもやや厚く、例えば130μmとされている。また、プリプレグ21の上面および下面の面積は対向するプリント基板10の面積と略等しくされている。
【0024】
このプリプレグ21の両面をPET製の保護フィルム22で保護しておき(図4B)、対向するプリント基板10の接続用ランド16,19に対応する位置に、例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、プリプレグ21の厚さ方向に貫通するスルーホール23を形成させる(図4C)。
【0025】
このスルーホール23内に、導電性ペースト24を充填する(図4D)。充填は、例えばスクリーン印刷機を使用して導電性ペースト24を保護フィルム22上から印刷することにより行うことができる。そして、保護フィルム22を剥離すると、導電性ペースト24は保護フィルム22の厚さ分だけプリプレグ21の表面から突出されて導電性バンプ25とされる(図4E)。
【0026】
そして、プリプレグ21の中央部分に例えばレーザ照射を行うことによりキャビティ26を貫通形成させて、層間部材20の製造が完了する(図4F)。キャビティ26の大きさは半導体チップ2の外形寸法よりやや大きくされて、その内部に半導体チップ2を収容可能とされている。
【0027】
上記のように製造されたプリント基板10と層間部材20とを交互に重ね合わせる(図5A)。このとき、最上層にはプリント基板10が、半導体チップ2が実装された面が下面側になるように配置され、その下方には層間部材20が配置される。層間部材20は、そのキャビティ26内にプリント基板10の半導体チップ2を収容し、また、導電性バンプ25がプリント基板10の接続用ランド19と接続可能なように重ね合わせられる。そして、その下方にはさらにプリント基板10および層間部材20が同様に重ね合わせられ、最下層にはI/O配線基板3が積層される。このI/O配線基板3は、絶縁性基板4の所定の位置にビアホール5が形成され、その上下に所定の配線回路(図示せず)およびランド6が形成されたものである。
【0028】
次いで、プレスにより加圧加熱を行うと、プリプレグ21はいったん溶融流動し、時間の経過に伴って硬化するとともに上下のプリント基板10およびI/O配線基板3と接着して、半導体モジュール1が形成される。このとき、各プリント基板10の接続用ランド19、およびI/O配線基板3のランド6と、隣接する層間部材20の導電性バンプ25とが接続されており、これにより上下のプリント基板10およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。また、I/O配線基板3の下面側のランド6には、外部基板との接続用のはんだボール8が形成される(図5B)。
【0029】
上述した本実施形態の半導体モジュールの製造方法によれば、プリント基板10にはその両面に配線回路18が形成されているから、薄型で高密度の半導体モジュールを製造することができるという優れた作用効果をする。
【0030】
<第2実施形態>
本実施形態の半導体モジュールは、プリント基板のメッキ導体の構成が上記第1実施形態と相違する。また、層間部材も上記第1実施形態とは異なるものを使用する。
【0031】
まず、片面銅張積層板41の絶縁性基板42側(図6において下面側)から、所定の位置に例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基板42を貫通して銅箔43に達するビアホール44を形成し(図6A)、このビアホール44の内部に残留する樹脂を取り除くためのデスミア処理を行う。その後、銅箔43面を保護フィルム(図示せず)で保護しておき、銅箔43を一方の電極として電解メッキ法によってビアホール44内に銅からなるメッキ導体45Aを形成させる(図6B)。なお、メッキ導体45Aの充填深さは、その上面が絶縁性基板42の表面と面一になる程度としておく。
そしてさらに、メッキ導体45Aよりも低融点の例えばはんだ等のメッキ導体45Bを、メッキ導体45Aの表面を覆う程度にメッキする(図6C)。
【0032】
その後は、上記第1実施形態と同様に、保護フィルムを剥離して、絶縁性基板42側の全面に接着層36を形成し(図6D)、厚さ12μm銅箔43を圧着積層させて、両面に銅箔43を具備するとともにこれら銅箔43がビアホール14内のメッキ導体45により電気的に導通された積層板46とする(図6E)。
【0033】
そして、上面の銅箔43上に半導体チップ2を実装するための実装用バンプ47を形成する(図7F)。次いで、積層板46の両面に電着法によりフォトレジスト層を形成させて両面のフォトレジスト層を所定の配線回路48のパターンに合わせて露光・現像処理し、その後、フォトレジスト層により保護されていない銅箔43部分をエッチング処理することにより、配線回路48を形成させる。なお、配線回路48の一部は接続用ランド49として形成される。その後、フォトレジスト層を除去する(図7G)。
【0034】
最後に、このプリント基板40の上面側の中央部分に半導体チップ2が実装され、プリント基板40の配線回路48と電気的に接続されて、プリント基板40の製造が終了する(図7H)。
【0035】
次に、層間部材50の製造方法について説明する。本実施形態においては、上記第1実施形態のプリプレグ21の替わりに、板状のガラス布基材エポキシ樹脂により形成される絶縁性基材51を使用する(図8A)。この絶縁性基材51の厚さは、後述のキャビティ(本発明の開口部に該当する)56内に半導体チップ2を収容する必要性から、プリント基板40の上面から半導体チップ2の上面までの高さよりもやや厚く、例えば130μmとされている。また、絶縁性基材51の上面および下面の面積は対向するプリント基板40の面積と略等しくされている。
【0036】
この絶縁性基材51の両面に接着層52を形成させておき、さらにその上面をPET製の保護フィルム53で保護しておく(図8B)。次いで、保護フィルム53の上から、対向するプリント基板40の接続用ランド46,49に対応する位置に、例えばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によってレーザ照射を行うことにより、絶縁性基材51の厚さ方向に貫通するスルーホール54を形成させる(図8C)。
【0037】
このスルーホール54内に、導電性ペースト55を充填する(図8D)。充填は、例えばスクリーン印刷機により導電性ペースト55を保護フィルム53上から印刷することにより行うことができる。そして、保護フィルム53を剥離すると、導電性ペースト55は保護フィルム53の厚さ分だけ接着層52の表面から突出されて導電性バンプ56とされる(図8E)。
【0038】
そして、絶縁性基材51の中央部分に、例えばレーザ照射を行うことによりキャビティ57を貫通形成させて、層間部材50の製造が完了する(図8F)。キャビティ57の大きさは半導体チップ2の外形寸法よりやや大きくされて、その内部に半導体チップ2を収容可能とされている。
【0039】
上記のように製造されたプリント基板40と層間部材50とを、上記第1実施形態と同様に交互に重ね合わせる(図9A)。このとき、層間部材50の導電性バンプ56はプリント基板40の接続用ランド49と接続可能なように重ね合わせられる。そして、最下層にはI/O配線基板3が積層される。
【0040】
次いで、加熱真空プレスすることによって、接着層52が硬化して上下のプリント基板40およびI/O配線基板3と接着し、半導体モジュール1が形成される(図9B)。そして、層間部材50に形成されたスルーホール54により、上下のプリント基板40およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。このとき、各プリント基板40の接続用ランド49、およびI/O配線基板3のランド6と、隣接する層間部材50の導電性バンプ56とが接続されており、これにより上下のプリント基板40およびI/O配線基板3の配線回路間が電気的に接続される。
【0041】
上述した本実施形態の半導体モジュールの製造方法によれば、上記第1実施形態と同様に、プリント基板40にはその両面に配線回路48が形成されているから、薄型で高密度の半導体モジュールを得ることができる。
【0042】
<他の実施形態>
本発明の技術的範囲は、上記した実施形態によって限定されるものではなく、例えば、次に記載するようなものも本発明の技術的範囲に含まれる。その他、本発明の技術的範囲は、均等の範囲にまで及ぶものである。
【0043】
(1)上記実施形態では、半導体モジュール1はそれぞれ2枚のプリント基板と層間部材、およびI/O配線基板5層で構成されているいるが、本発明によれば積層枚数はこれら実施形態の限りではなく、例えば1枚のプリント基板、層間部材およびI/O配線基板の3層で構成されてもよい。あるいはそれぞれ3枚のプリント基板と層間部材、およびI/O配線基板の7層で構成されてもよく、さらに多層化させてもよい。
【0044】
(2)上記実施形態では、電解メッキ法によってメッキ導体を形成させているが、本発明によればメッキ導体の形成方法はこれら実施形態の限りではなく、例えば無電解メッキによって形成させてもよい。
【0045】
(3)上記実施形態では、片面銅張積層板の銅箔側に実装用バンプを形成する構成としたが、絶縁性基板側に貼り付けた銅箔上に実装用バンプを形成し、半導体チップを実装させる構成としてもよい。
【0046】
(4)上記実施形態では、絶縁性基板に接着層を積層させて銅箔を貼り付ける構成としたが、銅箔側に接着層を形成して絶縁性基板に貼り付ける構成としてもよい。
【0047】
(5)上記実施形態で製造されるプリント基板と層間部材のそれぞれの種類の組み合わせは任意であり、限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態におけるプリント基板と層間部材とを積層させて半導体モジュールを製造する前の様子を示す斜視図
【図2】第1実施形態のプリント基板の製造方法を示す断面図−1
【図3】同じくプリント基板の製造方法を示す断面図−2
【図4】同じく層間部材の製造方法を示す断面図
【図5】同じくプリント基板と層間部材とを積層させた断面図
【図6】第2実施形態のプリント基板の製造方法を示す断面図−1
【図7】同じくプリント基板の製造方法を示す断面図−2
【図8】同じく層間部材の製造方法を示す断面図
【図9】同じくプリント基板と層間部材とを積層させた断面図
【図10】従来におけるICパッケージの側断面図
【図11】(a)従来におけるICパッケージを実装した基板の側面図
(b)従来におけるICパッケージを実装した基板の平面図
【符号の説明】
1…半導体モジュール
2…半導体チップ
3…I/O配線基板
10,40…プリント基板
11,41…片面銅張積層板
12,42…絶縁性基板(絶縁層)
13,43…銅箔(導体層)
14,44…ビアホール
15,45…メッキ導体
17,47…実装用バンプ
18,48…配線回路
19,49…接続用ランド
20,50…層間部材
25,56…導電性バンプ
26,57…キャビティ(開口部)
36…接着層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor module.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in order to cope with high-density mounting of IC chips, a technique for manufacturing a semiconductor module in which IC chips are stacked has been developed. For example, JP-A-9-219490, JP-A-10-135267, and JP-A-10-163414 disclose such a stacked package.
[0003]
In such a conventional technique, IC packages such as TSOP (Thin Small Outline Package), TCP (Tape Carrier Package), and BGA (Ball Grid Array) are assembled for each layer, and then a plurality of IC packages are stacked. At this time, the respective layers are connected via external connection terminals provided in advance in each package. Thus, in the conventional construction method, since many manufacturing steps have to be performed, the processing cost has increased.
[0004]
10 and 11 show a stacked package manufactured by the conventional method as described above. The one shown in FIG. 10 is a laminate of packages molded with resin. 11 is a side view and a plan view of a module substrate on which the package of FIG. 10 is mounted. The IC packages 100A and 100B include an IC mounting portion 106, an IC chip 102 mounted on the upper surface thereof, a lead 101 connecting the IC chip 102 and an external component, and the IC chip 102 and the lead 101 inside the resin. And a bonding wire 103 to be connected with each other. A predetermined region including the IC chip 102 is covered with a resin body 104.
[0005]
Another IC package 100B is stacked on the upper side of the IC package 100A having such a structure and mounted on the substrate 105.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
If the IC packages 100A and 100B are stacked in the thickness direction and mounted on the substrate 105, the total module thickness increases due to the thickness of the resin body 104. Further, when the IC packages 100A and 100B are mounted on the substrate 105 in the horizontal direction, there is a problem that the total module becomes large. Furthermore, since the upper and lower packages 100A and 100B are connected to the substrate 105 by the respective leads 101, there is a possibility that the leads 101 are short-circuited if a positional shift occurs when the packages 100A and 100B are stacked. .
[0007]
In the future, for example, with the miniaturization of electronic devices such as IC cards and mobile phones, it is considered that further increases in density and thickness will be achieved for IC packages, but depending on the conventional construction method, It is difficult to achieve such high density and thinning.
[0008]
In order to solve this problem, a configuration in which the IC chip 102 is molded with the resin body 104 is changed, and for example, a configuration in which the IC chip is mounted between the layers while a printed board is laminated via an interlayer member is conceivable. When such a configuration is adopted, the conductor circuit of the printed circuit board is electrically connected by conductive bumps formed on the interlayer members arranged on the front and back sides.
[0009]
However, when the printed circuit board to be laminated has a conductor circuit only on one side, the number of printed circuit boards and interlayer members to be used is increased by the same number as the increase in the number of necessary conductor circuits. There is a problem that the module becomes large. In addition, the risk of poor electrical connection increases as the number of printed circuit boards and interlayer members to be stacked increases.
[0010]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing a higher-density stacked semiconductor module.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention for solving the above-described problem, a printed circuit board having a predetermined wiring circuit formed thereon and a semiconductor chip mounted on one side thereof, a conductive bump connectable to the wiring circuit, and the semiconductor chip are provided. A method of manufacturing a semiconductor module that is laminated via an interlayer member having an opening that can be accommodated, wherein a via hole that penetrates through an insulating layer of a single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaches a conductor layer is predetermined. Forming a plated conductor made of a metal having a melting point lower than that of copper in the via hole, and electrically connecting the plated conductor in the via hole on the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate. Attaching the continuous conductor foil; etching the conductor layer and the conductor foil to form the wiring circuit; mounting the semiconductor chip on the wiring circuit; Having said the preparative substrate and the interlayer member where undergoing a process of bonding by alternately laminating.
[0013]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side, conductive bumps that can be connected to the wiring circuit, and openings that can receive the semiconductor chip. A method of manufacturing a semiconductor module that is laminated via an interlayer member provided, the step of forming a via hole that penetrates an insulating layer of a single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaches a conductor layer at a predetermined position; Forming a plated conductor consisting of two layers of copper provided on the conductor layer side of the single-sided copper clad laminate and a metal having a melting point lower than that of copper provided on the opposite surface side in the via hole; Attaching the conductive foil electrically connected to the plated conductor in the via hole to the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate, etching the conductive layer and the conductive foil, and forming the wiring circuit; It is characterized in that it goes through a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit and a step of alternately laminating and bonding the printed circuit board and the interlayer member.
[0014]
Operation and effect of the invention
According to the first aspect of the present invention, the plated conductor is formed in the via hole formed in the insulating layer of the single-sided copper clad laminate, and the conductive foil is also provided on the surface on the insulating layer side. In addition, it is possible to form a wiring circuit by etching. Thus, according to the method of manufacturing a semiconductor module of the present invention using the printed circuit board having the wiring circuits formed on both sides, even when the required number of wiring circuits is increased, the printed circuit board and the interlayer which are half the number of the wiring circuits are increased. What is necessary is just to use a member. Therefore, an increase in the size of the stacked semiconductor module can be avoided, and an excellent effect is obtained that a thin and high-density semiconductor module can be obtained.
[0015]
Further, when the plated conductor is made of a metal having a melting point lower than that of copper, such as solder, there is an effect that adhesion between the plated conductor and the conductor foil attached to the insulating layer is improved.
Alternatively, the via hole is filled with copper, a metal having a lower melting point than copper is laminated on the surface thereof, and the plated conductor has a two-layer structure, thereby improving the adhesion to the conductor foil to be attached to the surface on the insulating layer side. It is good also as a structure (invention of Claim 2 ).
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to FIGS. The semiconductor module 1 of the present embodiment is integrated by alternately superimposing the printed circuit boards 10 on which the semiconductor chips 2 are mounted and the interlayer member 20 and then superposing the I / O wiring board 3 on the lowermost layer and performing heat pressing. It has a structure (see FIG. 1).
[0017]
First, a method for manufacturing the printed circuit board 10 on which the semiconductor chip 2 is mounted will be described.
The starting material for the printed circuit board 10 is a single-sided copper-clad laminate 11. This single-sided copper-clad laminate 11 is, for example, on one surface (upper surface in FIG. 2) of an insulating substrate 12 having a thickness of 40 μm formed of a plate-like glass cloth epoxy resin, and a copper foil 13 having a thickness of 12 μm on the entire surface. Is a well-known structure to which is attached.
[0018]
Laser irradiation is performed at a predetermined position from, for example, a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus from the insulating substrate 12 side (the lower surface side in FIG. 2) of the single-sided copper-clad laminate 11 to penetrate the insulating substrate 12. A via hole 14 reaching the copper foil 13 is formed (FIG. 2A). The processing conditions are preferably such that the pulse energy is 0.5 to 10.0 mJ, the pulse width is 1 to 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is 3 to 50. Next, a desmear process for removing the resin remaining in the via hole 14 is performed. Thereafter, the surface of the copper foil 13 is protected with a protective film (not shown), and the plated conductor made of a metal having a melting point lower than that of copper such as solder is formed in the via hole 14 by electrolytic plating using the copper foil 13 as one electrode. 15 is formed. The plated conductor 15 is formed up to a position slightly protruding on the surface of the insulating substrate 12 (FIG. 2B).
[0019]
Thereafter, an adhesive layer 36 is formed on the entire surface of the insulating substrate 12 (FIG. 2C). Then, a 12 μm-thick copper foil 13 is pressure-bonded and laminated on the adhesive layer 36, the copper foil 13 is provided on both sides, and the copper foil 13 is electrically connected by the plated conductor 15 in the via hole 14. (FIG. 2D).
[0020]
Next, after peeling off the protective film, a photosensitive dry film 30 is attached onto the copper foil 13 on the upper surface, and the dry film 30 is exposed and developed with a predetermined pattern to form the hole 31. (FIG. 2E). Then, a plating layer to be the mounting bumps 17 for mounting the semiconductor chip 2 is formed by performing electrolytic plating in the hole 31. Thereafter, the dry film 30 is peeled off, and the mounting bumps 17 are projected (FIG. 3F).
[0021]
Next, a photoresist layer 32 is formed on the entire surface of the copper foil 13 on both surfaces of the laminate 16 by electrodeposition (FIG. 3G). Then, the photoresist layers 32 on both sides are exposed and developed in accordance with a predetermined pattern of the wiring circuit 18. Thereafter, the copper foil 13 portion not protected by the photoresist layer 32 is etched to form wiring circuits 18 on both surfaces of the laminate 16 (FIG. 3H). A part of the wiring circuit 18 serves as a connection land 19 for connection to a conductive bump 25 of an interlayer member 20 described later. Finally, by removing the photoresist layer 32, the production of the printed circuit board 10 is completed (FIG. 3I).
[0022]
The semiconductor chip 2 is mounted on the central portion on the upper surface side of the printed board 10 (FIG. 3J). The semiconductor chip 2 is fixed to the center of the printed circuit board 10 by the adhesive layer 7, and terminal portions (not shown) formed on the lower surface side of the semiconductor chip 2 are embedded in the mounting bumps 17. It is electrically connected to the wiring circuit 18.
[0023]
Next, a method for manufacturing the interlayer member 20 will be described.
The starting material of the interlayer member 20 is, for example, a prepreg 21 formed in a plate shape in a semi-heated state by impregnating a glass cloth base material with an epoxy resin (FIG. 4A). The thickness of the prepreg 21 is higher than the height from the upper surface of the printed circuit board 10 to the upper surface of the semiconductor chip 2 because the semiconductor chip 2 needs to be accommodated in a cavity 26 (corresponding to the opening of the present invention) described later. Slightly thick, for example, 130 μm. Further, the area of the upper surface and the lower surface of the prepreg 21 is substantially equal to the area of the opposing printed circuit board 10.
[0024]
Both surfaces of the prepreg 21 are protected with a protective film 22 made of PET (FIG. 4B), and a laser is applied to a position corresponding to the connection lands 16 and 19 of the opposing printed board 10 by, for example, a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus. By irradiating, a through hole 23 penetrating in the thickness direction of the prepreg 21 is formed (FIG. 4C).
[0025]
The through-hole 23 is filled with a conductive paste 24 (FIG. 4D). The filling can be performed by printing the conductive paste 24 on the protective film 22 using, for example, a screen printer. When the protective film 22 is peeled off, the conductive paste 24 is projected from the surface of the prepreg 21 by the thickness of the protective film 22 to form conductive bumps 25 (FIG. 4E).
[0026]
Then, for example, laser irradiation is performed on the central portion of the prepreg 21 so as to penetrate the cavity 26, thereby completing the manufacture of the interlayer member 20 (FIG. 4F). The size of the cavity 26 is slightly larger than the outer dimensions of the semiconductor chip 2 so that the semiconductor chip 2 can be accommodated therein.
[0027]
The printed circuit board 10 and the interlayer member 20 manufactured as described above are alternately overlapped (FIG. 5A). At this time, the printed circuit board 10 is disposed on the uppermost layer such that the surface on which the semiconductor chip 2 is mounted is on the lower surface side, and the interlayer member 20 is disposed below the printed circuit board 10. The interlayer member 20 accommodates the semiconductor chip 2 of the printed board 10 in the cavity 26 and is overlaid so that the conductive bumps 25 can be connected to the connection lands 19 of the printed board 10. Below that, the printed board 10 and the interlayer member 20 are similarly overlapped, and the I / O wiring board 3 is laminated in the lowermost layer. The I / O wiring board 3 is formed by forming a via hole 5 at a predetermined position of the insulating substrate 4 and forming a predetermined wiring circuit (not shown) and a land 6 above and below the via hole 5.
[0028]
Next, when pressure heating is performed by a press, the prepreg 21 once melts and flows, cures with time, and adheres to the upper and lower printed boards 10 and the I / O wiring board 3 to form the semiconductor module 1. Is done. At this time, the connecting lands 19 of each printed circuit board 10 and the lands 6 of the I / O wiring board 3 are connected to the conductive bumps 25 of the adjacent interlayer member 20. The wiring circuits of the I / O wiring board 3 are electrically connected. Also, solder balls 8 for connection to an external substrate are formed on the lands 6 on the lower surface side of the I / O wiring substrate 3 (FIG. 5B).
[0029]
According to the manufacturing method of the semiconductor module of the present embodiment described above, since the printed circuit 10 has the wiring circuits 18 formed on both sides thereof, an excellent effect that a thin and high-density semiconductor module can be manufactured. Make an effect.
[0030]
<Second Embodiment>
The semiconductor module of this embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the plated conductor of the printed board. Also, an interlayer member different from that in the first embodiment is used.
[0031]
First, from the insulating substrate 42 side (the lower surface side in FIG. 6) of the single-sided copper-clad laminate 41, laser irradiation is performed at a predetermined position by, for example, a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus, thereby penetrating the insulating substrate 42. A via hole 44 reaching the copper foil 43 is formed (FIG. 6A), and a desmear process for removing the resin remaining inside the via hole 44 is performed. Thereafter, the surface of the copper foil 43 is protected with a protective film (not shown), and a plated conductor 45A made of copper is formed in the via hole 44 by electrolytic plating using the copper foil 43 as one electrode (FIG. 6B). The filling depth of the plating conductor 45A is set so that the upper surface thereof is flush with the surface of the insulating substrate 42.
Further, a plating conductor 45B such as solder having a melting point lower than that of the plating conductor 45A is plated so as to cover the surface of the plating conductor 45A (FIG. 6C).
[0032]
Thereafter, as in the first embodiment, the protective film is peeled off, the adhesive layer 36 is formed on the entire surface on the insulating substrate 42 side (FIG. 6D), and a 12 μm thick copper foil 43 is laminated by pressure bonding. The copper foil 43 is provided on both surfaces, and the copper foil 43 is a laminated plate 46 electrically connected by the plated conductor 45 in the via hole 14 (FIG. 6E).
[0033]
Then, mounting bumps 47 for mounting the semiconductor chip 2 are formed on the upper copper foil 43 (FIG. 7F). Next, a photoresist layer is formed on both sides of the laminated plate 46 by electrodeposition, and the photoresist layers on both sides are exposed and developed in accordance with a pattern of a predetermined wiring circuit 48, and then protected by the photoresist layer. The wiring circuit 48 is formed by etching the portion of the copper foil 43 that is not present. A part of the wiring circuit 48 is formed as a connection land 49. Thereafter, the photoresist layer is removed (FIG. 7G).
[0034]
Finally, the semiconductor chip 2 is mounted on the central portion on the upper surface side of the printed circuit board 40, and is electrically connected to the wiring circuit 48 of the printed circuit board 40, thereby completing the production of the printed circuit board 40 (FIG. 7H).
[0035]
Next, a method for manufacturing the interlayer member 50 will be described. In this embodiment, instead of the prepreg 21 of the first embodiment, an insulating substrate 51 formed of a plate-like glass cloth substrate epoxy resin is used (FIG. 8A). The insulating base 51 has a thickness from the upper surface of the printed circuit board 40 to the upper surface of the semiconductor chip 2 because it is necessary to accommodate the semiconductor chip 2 in a cavity 56 (corresponding to the opening of the present invention) described later. It is slightly thicker than the height, for example, 130 μm. Further, the areas of the upper surface and the lower surface of the insulating base 51 are substantially equal to the area of the opposing printed circuit board 40.
[0036]
An adhesive layer 52 is formed on both surfaces of the insulating substrate 51, and the upper surface thereof is protected with a protective film 53 made of PET (FIG. 8B). Next, the thickness of the insulating base 51 is increased by irradiating the protective film 53 with a laser beam, for example, by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus at positions corresponding to the connection lands 46 and 49 of the opposing printed circuit board 40. A through hole 54 penetrating in the vertical direction is formed (FIG. 8C).
[0037]
The through-hole 54 is filled with a conductive paste 55 (FIG. 8D). Filling can be performed, for example, by printing the conductive paste 55 on the protective film 53 using a screen printer. When the protective film 53 is peeled off, the conductive paste 55 is projected from the surface of the adhesive layer 52 by the thickness of the protective film 53 to form conductive bumps 56 (FIG. 8E).
[0038]
Then, the cavity 57 is formed through the central portion of the insulating base 51 by, for example, laser irradiation, and the manufacture of the interlayer member 50 is completed (FIG. 8F). The size of the cavity 57 is slightly larger than the outer dimension of the semiconductor chip 2 so that the semiconductor chip 2 can be accommodated therein.
[0039]
The printed circuit board 40 and the interlayer member 50 manufactured as described above are alternately overlapped as in the first embodiment (FIG. 9A). At this time, the conductive bumps 56 of the interlayer member 50 are overlaid so that they can be connected to the connection lands 49 of the printed circuit board 40. The I / O wiring board 3 is laminated on the lowest layer.
[0040]
Next, the adhesive layer 52 is cured and bonded to the upper and lower printed boards 40 and the I / O wiring board 3 by heating and vacuum pressing, and the semiconductor module 1 is formed (FIG. 9B). The upper and lower printed circuit boards 40 and the wiring circuits of the I / O wiring board 3 are electrically connected by through holes 54 formed in the interlayer member 50. At this time, the connection lands 49 of each printed circuit board 40 and the lands 6 of the I / O wiring board 3 are connected to the conductive bumps 56 of the adjacent interlayer members 50, thereby the upper and lower printed circuit boards 40 and The wiring circuits of the I / O wiring board 3 are electrically connected.
[0041]
According to the manufacturing method of the semiconductor module of the present embodiment described above, the wiring circuit 48 is formed on both sides of the printed circuit board 40 as in the first embodiment. Obtainable.
[0042]
<Other embodiments>
The technical scope of the present invention is not limited by the above-described embodiments, and, for example, those described below are also included in the technical scope of the present invention. In addition, the technical scope of the present invention extends to an equivalent range.
[0043]
(1) In the above embodiment, each of the semiconductor modules 1 is composed of two printed boards, an interlayer member, and five I / O wiring boards. According to the present invention, the number of stacked layers is the same as that of these embodiments. For example, it may be configured by three layers of one printed board, an interlayer member, and an I / O wiring board. Alternatively, each may be composed of seven layers of three printed boards, an interlayer member, and an I / O wiring board, and may be further multilayered.
[0044]
(2) In the above embodiment, the plated conductor is formed by the electrolytic plating method. However, according to the present invention, the method for forming the plated conductor is not limited to these embodiments. For example, the plated conductor may be formed by electroless plating. .
[0045]
(3) In the above embodiment, the mounting bump is formed on the copper foil side of the single-sided copper-clad laminate. However, the mounting bump is formed on the copper foil attached to the insulating substrate side, and the semiconductor chip It is good also as a structure to mount.
[0046]
(4) In the said embodiment, although it was set as the structure which laminates | stacks an adhesive layer on an insulating substrate and affixes a copper foil, it is good also as a structure which forms an adhesive layer in the copper foil side and affixes on an insulating substrate.
[0047]
(5) The combination of each kind of the printed circuit board and interlayer member manufactured by the said embodiment is arbitrary, and is not restricted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a state before a semiconductor module is manufactured by laminating a printed board and an interlayer member according to an embodiment of the invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a printed board according to the first embodiment. -1
FIG. 3 is a cross-sectional view 2 showing a method for manufacturing a printed circuit board.
4 is a cross-sectional view showing the same method for producing an interlayer member. FIG. 5 is a cross-sectional view in which a printed circuit board and an interlayer member are also laminated. FIG. 1
FIG. 7 is a cross-sectional view-2 showing a method for manufacturing a printed circuit board.
8 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing an interlayer member. FIG. 9 is a cross-sectional view in which a printed circuit board and an interlayer member are laminated. FIG. 10 is a side cross-sectional view of a conventional IC package. Side view of a substrate on which a conventional IC package is mounted (b) Plan view of a substrate on which a conventional IC package is mounted
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor module 2 ... Semiconductor chip 3 ... I / O wiring board 10, 40 ... Printed circuit board 11, 41 ... Single-sided copper clad laminated board 12, 42 ... Insulating board (insulating layer)
13, 43 ... Copper foil (conductor layer)
14, 44 ... via holes 15, 45 ... plated conductors 17,47 ... mounting bumps 18,48 ... wiring circuits 19, 49 ... connection lands 20,50 ... interlayer members 25, 56 ... conductive bumps 26, 57 ... cavities ( Aperture)
36 ... Adhesive layer

Claims (2)

所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、
前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に銅よりも低融点の金属からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経ることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
A printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side is laminated via an interlayer member provided with conductive bumps connectable to the wiring circuit and openings capable of accommodating the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor module comprising:
A step of forming a via hole penetrating the insulating layer of the single-sided copper clad laminate to be the printed circuit board to reach the conductor layer, and forming a plated conductor made of a metal having a lower melting point than copper in the via hole Forming a wiring circuit by etching the conductive layer and the conductive foil, and attaching the conductive foil electrically connected to the plated conductor in the via hole to the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate. A method of manufacturing a semiconductor module, comprising: a step, a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit, and a step of alternately laminating and bonding the printed circuit board and the interlayer member.
所定の配線回路を形成させて一面側に半導体チップを実装したプリント基板を、前記配線回路に接続可能な導電性バンプと前記半導体チップを収容可能な開口部とを備えた層間部材を介して積層する半導体モジュールの製造方法であって、
前記プリント基板となる片面銅張積層板の絶縁層を貫通して導体層に到達するビアホールを所定の位置に形成する工程と、前記ビアホール内に、前記片面銅張積層板の導体層側に設けられる銅とその反対の面側に設けられる銅より低融点の金属との2層からなるメッキ導体を形成する工程と、前記片面銅張積層板の絶縁層側に前記ビアホール内のメッキ導体と電気的に連なる導体箔を貼り付ける工程と、前記導体層および導体箔をエッチングして前記配線回路を形成する工程と、前記配線回路に前記半導体チップを実装する工程と、前記プリント基板と前記層間部材とを交互に積層して接着する工程とを経ることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
A printed circuit board in which a predetermined wiring circuit is formed and a semiconductor chip is mounted on one side is laminated via an interlayer member provided with conductive bumps connectable to the wiring circuit and openings capable of accommodating the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor module comprising:
A step of forming a via hole penetrating the insulating layer of the single-sided copper-clad laminate to be the printed circuit board and reaching the conductor layer at a predetermined position; and provided in the via hole on the conductor layer side of the single-sided copper-clad laminate Forming a plating conductor composed of two layers of copper and a metal having a melting point lower than that of the copper provided on the opposite side of the copper; and the plating conductor in the via hole on the insulating layer side of the single-sided copper-clad laminate A step of affixing a continuous conductor foil, a step of etching the conductor layer and the conductor foil to form the wiring circuit, a step of mounting the semiconductor chip on the wiring circuit, the printed circuit board and the interlayer member And a step of alternately laminating and adhering to each other .
JP2000243097A 2000-08-10 2000-08-10 Manufacturing method of semiconductor module Expired - Fee Related JP4562154B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000243097A JP4562154B2 (en) 2000-08-10 2000-08-10 Manufacturing method of semiconductor module
TW91102404A TW543083B (en) 2000-08-10 2002-02-08 Method for manufacturing semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000243097A JP4562154B2 (en) 2000-08-10 2000-08-10 Manufacturing method of semiconductor module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002057277A JP2002057277A (en) 2002-02-22
JP4562154B2 true JP4562154B2 (en) 2010-10-13

Family

ID=18734008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000243097A Expired - Fee Related JP4562154B2 (en) 2000-08-10 2000-08-10 Manufacturing method of semiconductor module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4562154B2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6079770U (en) * 1983-11-07 1985-06-03 関西日本電気株式会社 Stacked hybrid IC
JPH0559873U (en) * 1992-01-14 1993-08-06 株式会社村田製作所 3D circuit board
JPH0917828A (en) * 1995-04-28 1997-01-17 Asahi Denka Kenkyusho:Kk Circuit board
JP2870528B1 (en) * 1997-10-01 1999-03-17 日本電気株式会社 3D memory module
JP2001177051A (en) * 1999-12-20 2001-06-29 Toshiba Corp Semiconductor device and system device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002057277A (en) 2002-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100987619B1 (en) Multilayer printed wiring board
KR20070070224A (en) Multilayer printed wiring board
WO2003067656A1 (en) Semiconductor chip mounting board, its manufacturing method, and semiconductor module
JPWO2008053833A1 (en) Multilayer printed wiring board
JP2018032657A (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP2002026187A (en) Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package
JP4592891B2 (en) Multilayer circuit board and semiconductor device
JP2017084997A (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
JP4022405B2 (en) Circuit board for mounting semiconductor chips
JP4694007B2 (en) Manufacturing method of three-dimensional mounting package
WO2004017689A1 (en) Multilayer printed wiring board and production method therefor
EP1619719B1 (en) Method of manufacturing a wiring board including electroplating
JP2004134424A (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components and wiring board with built-in components
JP4365515B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP4562153B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP2013122962A (en) Wiring board
JP2018032661A (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
JPH0614592B2 (en) Method for manufacturing multilayer printed wiring board
JP4562881B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP4562154B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP4410370B2 (en) Multilayer circuit board
JP4550239B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP4376891B2 (en) Semiconductor module
JPH1041635A (en) Single-sided circuit board for multilayer printed wiring board, its manufacture, and multilayer printed wiring board
JP3253886B2 (en) Single-sided circuit board for multilayer printed wiring board, method for manufacturing the same, and multilayer printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20061201

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070717

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090909

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100506

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100705

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100722

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100726

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4562154

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees