JP4570084B2 - Substrate bonding method - Google Patents
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Description
この発明は、接着シートを介在させて2枚の基板を貼り合わせる基板貼合せ方法に関する。
The present invention relates to an adhesive sheet interposed therebetween bonding two substrates laminating a substrate Way Method.
近年、携帯電話やパソコンなど半導体装置を組み込んだ電子機器は急速な薄型化および小型化が進んでおり、それに伴って半導体パッケージ、ひいては半導体ウエハも薄型化している。 In recent years, electronic devices incorporating a semiconductor device such as a mobile phone or a personal computer have been rapidly reduced in thickness and size, and accordingly, semiconductor packages and eventually semiconductor wafers have also been reduced in thickness.
一般に、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)はウエハ上に多数の素子を形成した後、素子面を保護するための粘着テープをウエハ表面に貼付けた状態でバックグラインド工程においてウエハ裏面を研削し、その後、ダイシング工程で各素子に切り分けられるのである。しかし、近年では、ウエハ厚さが100μm以下にまで薄くすることが要望されている。 In general, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a “wafer”) is formed by forming a large number of elements on the wafer, and then grinding the back surface of the wafer in a back grinding process with an adhesive tape for protecting the element surface being applied to the wafer surface. Then, it is divided into each element in a dicing process. However, in recent years, it has been desired to reduce the wafer thickness to 100 μm or less.
このように薄くバックグラインドされたウエハは、素子形成時の残留応力や研削に伴う残留応力などによって非常に反りやすく、また、脆い状態にあり、各種工程間での搬送などの取扱い性が極めて悪くなっている。 Such thinly back-ground wafers are very likely to warp due to residual stress at the time of device formation and residual stress due to grinding, and are in a fragile state, and handling properties such as conveyance between various processes are extremely poor. It has become.
そこで、ウエハにダミーウエハやガラス板などの基台を、粘着テープを介して貼り合せることでウエハを補強する手段が提案されている。その一例として、上面に粘着テープが予め貼付けられたウエハを保持台に載置固定し、このウエハの上方において、ガラス板などからなる基台(本発明における第2基板に相当)を基台支持部の上端に傾斜姿勢で係止保持し、プレスローラを傾斜保持された基台の表面に直接に転動移動させるとともに、その移動に応じて基台支持部を下降させることで、基台をウエハに貼り付けるように構成したものがある(例えば、特許文献1参照)。
上記した従来の基板貼合せ装置では、補強用の基台を、半導体ウエハを囲繞する円筒状の基台支持部の上端で係止保持する構造を採用しているために、補強用の基台が半導体ウエハよりも大径のものにならざるを得ず、基台を貼り合せて補強した半導体ウエハの外周に基台の外周部が少しはみ出ることになり、この基台のはみ出しが半導体ウエハの以後の処理に邪魔になるおそれがある。 The above-described conventional substrate laminating apparatus employs a structure in which the reinforcing base is locked and held at the upper end of the cylindrical base supporting portion surrounding the semiconductor wafer. However, the outer peripheral part of the base protrudes slightly from the outer periphery of the semiconductor wafer reinforced by bonding the base, and the protrusion of the base is There is a risk of hindering subsequent processing.
また、半導体ウエハの表面にプレスローラを直接に押圧しながら転動移動させるので、半導体ウエハを強制的に撓まして破損させるおそれがある。 Further, since the rolling movement is performed while directly pressing the press roller against the surface of the semiconductor wafer, there is a possibility that the semiconductor wafer is forcibly bent and damaged.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハなどの基板に、それと同径あるいはそれより小径の補強用の基板を貼り合せることができ、装置の小型化にも有効となり、かつ、半導体ウエハの破損をなくすことができる基板貼合せ方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate for reinforcement having the same diameter or smaller than that can be bonded to a substrate such as a semiconductor wafer, which is also effective for downsizing the apparatus. next, and aims to provide a substrate lamination way method can be eliminated damage to the semiconductor wafer.
この発明は、上記目的を達成するために次のような構成をとる。
第1の発明は、両面接着シートを介在させて2枚の基板を貼合せる基板貼合せ方法において、
第1基板の面上にセパレータ付きの両面接着シートを貼付ける過程と、
前記両面接着シートのセパレータ上面に第2基板を載置して位置合せをする過程と、
前記両面接着シートよりも接着力の弱い粘着面を有する支持シートの当該粘着面を第2基板に対向するよう1対のシートクランプに張設し、当該支持シートの表面に貼付せローラを転動させ、支持シートに第2基板を貼付け、間隙をもって前記第1基板と対向配置する過程と、
前記第1基板上の両面粘着シートからセパレータを剥離する過程と、
減圧状態のもとで前記支持シートの非粘着面に貼付けローラを押圧しながら第2基板を前記第1基板に貼付けた両面接着シートに貼付け、支持シートから第2基板を剥離する過程と、
を備えたことを特徴とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object.
The first invention is a substrate laminating method in which a double-sided adhesive sheet is interposed to laminate two substrates.
A process of attaching a double-sided adhesive sheet with a separator on the surface of the first substrate;
Placing and aligning the second substrate on the separator upper surface of the double-sided adhesive sheet;
The pressure-sensitive adhesive surface of a support sheet having a pressure-sensitive adhesive surface weaker than the double-sided adhesive sheet is stretched on a pair of sheet clamps so as to face the second substrate, and a sticking roller is rolled on the surface of the support sheet. Pasting the second substrate on the support sheet, and placing the second substrate opposite the first substrate with a gap;
Removing the separator from the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet on the first substrate;
The process of applying the second substrate to the double-sided adhesive sheet applied to the first substrate while pressing the application roller on the non- adhesive surface of the support sheet under reduced pressure, and peeling the second substrate from the support sheet ;
It is characterized by comprising.
(作用・効果) 上記方法によると、先ず、第1基板の面上に両面接着シートを貼り合せ、次に、第2基板を支持シートに貼り付ける。その後、減圧状態のもとで、この支持シートを第1基板の面上に位置させた状態で支持シートの表面に貼付け手段を押圧移動させることで、支持シートに貼付け支持された第2基板を第1基板に貼り付けてゆく。以上で、第1基板と第2基板の貼り合せ処理が終了する。 (Operation and Effect) According to the above method, first, the double-sided adhesive sheet is bonded onto the surface of the first substrate, and then the second substrate is bonded to the support sheet. Thereafter, the second substrate attached to and supported by the support sheet is moved by pressing the attaching means to the surface of the support sheet in a state where the support sheet is positioned on the surface of the first substrate under a reduced pressure state. Affix to the first substrate. This completes the bonding process between the first substrate and the second substrate.
この場合、第1基板に対向して配備される第2基板は、その周縁が機械的に係止支持されるのではなく、支持シートに全面的に貼付け支持されるものであるから第2基板の径によって、その外周を係止保持するための構成が必要とする領域の制約をなくすことができる。 In this case, the second substrate disposed opposite to the first substrate is not supported by mechanically locking and supporting the periphery of the second substrate. Depending on the diameter, the restriction of the area required for the structure for locking and holding the outer periphery can be eliminated.
したがって、この発明方法によると、第1基板と同径、あるいは、第1基板より小径の第2基板を貼り合せることが可能となり、第2基板を第1基板からはみ出すことなく貼り合せることができ、はみ出しのない状態で以降の処理を行うことができる。 Therefore, according to the method of the present invention, a second substrate having the same diameter as the first substrate or a smaller diameter than the first substrate can be bonded, and the second substrate can be bonded without protruding from the first substrate. The subsequent processing can be performed in a state where there is no protrusion.
また、支持シートを介在させて第2基板を押圧するので、貼付け手段による押圧ストレスが支持シートに吸収され、第2基板を過度に撓ますことがない、その結果、第2基板の破損なども防止することができる。また、減圧状態のもとで貼合せ処理を行うので、貼り合せ面に気泡をかみ込むことなく、かつ、減圧状態から大気状態に戻されたときの粘着剤の復元力により接着面積が拡大し、第1基板と第2基板の貼り合せを強固にすることができ、不良品の発生の少ない貼り合せ処理が可能となる。 Further, since the second substrate is pressed through the support sheet, the pressing stress by the attaching means is absorbed by the support sheet, and the second substrate is not excessively bent. As a result, the second substrate is also damaged. Can be prevented. In addition, since the bonding process is performed under a reduced pressure state, the adhesive area is expanded by the pressure-sensitive adhesive's restoring force when it is returned from the reduced pressure state to the atmospheric state without causing air bubbles in the bonding surface. The bonding between the first substrate and the second substrate can be strengthened, and the bonding process can be performed with few defective products.
さらに、第1基板の外側に第2基板を支持する大掛かりな機構を配備する必要がなく、装置全体の小型化にも寄与する。 Furthermore, it is not necessary to provide a large mechanism for supporting the second substrate outside the first substrate, which contributes to the miniaturization of the entire apparatus.
第2の発明は、第1の発明の基板貼合せ方法において、前記第1基板または第2基板の少なくとも一方が半導体ウエハであることを特徴とするものである。 According to a second invention, in the substrate bonding method of the first invention, at least one of the first substrate and the second substrate is a semiconductor wafer.
(作用・効果) 上記方法を適用するのにバックグラインドにより薄型加工される半導体ウエハに適用するのに好ましい。つまり、バックグラインド前の半導体ウエハに補強用の基板を貼り合せるのに好適である。 (Operation / Effect) The above method is preferably applied to a semiconductor wafer thinly processed by back grinding. That is, it is suitable for bonding a reinforcing substrate to a semiconductor wafer before back grinding.
この発明に係る基板貼合せ方法によれば、支持シートの被粘着面を押圧しながら粘着面に貼り付けられた第2基板を第1基板に貼り付けた両面接着シートに貼り付けるようにすることで、第2基板の周縁が機械的に係止保持されない構成とすることができる。したがって、第2基板の径によって、その外周を係止保持するための構成が必要とする領域の制約をなくすことができる。 According to the substrate lamination Way Method according to the invention, so that paste the second substrate affixed to the adhesive surface while pressing the adherend surface of the supporting sheet to the double-sided adhesive sheet adhered to the first substrate Thus, the periphery of the second substrate can be configured not to be mechanically locked and held. Therefore, it is possible to eliminate the restriction of the area required for the configuration for locking and holding the outer periphery depending on the diameter of the second substrate.
また、支持シートを介在させて第2基板を押圧するので、貼付け手段による押圧ストレスが支持シートに効率的に吸収分散され、第2基板を過度に撓ますことがない、その結果、第2基板の破損なども回避することができる。また、減圧状態のもとで貼合せ処理を行うので、貼り合せ面に気泡をかみ込むことなく、かつ、減圧状態から大気状態に戻されたときの粘着剤の復元力により接着面積が拡大し、第1基板と第2基板の貼り合せを強固にすることができ、不良品の発生の少ない貼り合せ処理が可能となる。 Further, since the second substrate is pressed through the support sheet, the pressing stress by the attaching means is efficiently absorbed and dispersed in the support sheet, and the second substrate is not excessively bent. As a result, the second substrate It is also possible to avoid damage to the machine. In addition, since the bonding process is performed under a reduced pressure state, the adhesive area is expanded by the pressure-sensitive adhesive's restoring force when it is returned from the reduced pressure state to the atmospheric state without causing air bubbles in the bonding surface. The bonding between the first substrate and the second substrate can be strengthened, and the bonding process can be performed with few defective products.
さらに、第1基板の外側に第2基板を支持する大掛かりな機構を配備する必要がなく、装置全体の小型化にも寄与する。 Furthermore, it is not necessary to provide a large mechanism for supporting the second substrate outside the first substrate, which contributes to the miniaturization of the entire apparatus.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1に、本発明に係る基板貼合せ方法を実行する基板貼合せ装置の基本構造の縦断正面図が、また、図2にその平面図がそれぞれ示されている。 FIG. 1 shows a longitudinal front view of a basic structure of a substrate bonding apparatus for executing the substrate bonding method according to the present invention, and FIG. 2 shows a plan view thereof.
本実施例の基板貼合せ装置は、第1基板としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)W1の表面に、第2基板としてのガラス板からなる補強用基板W2を両面接着シートSを介して貼り合せるよう構成されたものであり、開閉自在な減圧チャンバー1の内部に貼合せ機構2が収容された構造となっている。
The substrate laminating apparatus of the present embodiment uses a double-sided adhesive sheet S to a reinforcing substrate W2 made of a glass plate as a second substrate on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W1 as a first substrate. The
減圧チャンバー1は、上方が開放された矩形箱状の主ケース1aと、これに揺動開閉可能に連結されたカバーケース1bとから構成されており、カバーケース1bを主ケース1aに密着閉止して真空ポンプ10を作動させてチャンバー内を抜気減圧することができるようになっている。
The
貼合せ機構2は主ケース側に装備されており、ウエハW1を水平に載置して保持する保持テーブル3と、この保持テーブル3の外側の前後に対向する位置に立設された一対のシートクランプ4,5と、左右水平に支架されて両シートクランプ4,5の間で前後に駆動移動される貼合せローラ6などを備えている。なお、便宜上、図の右方を前方、左方を後方とする。
The
保持テーブル3は、その上面が真空吸着面に構成されており、位置決め載置されたウエハW1を吸着保持することができる。また、保持テーブル3の内部には、後述するように、ウエハW1に貼付けられた両面接着シートSの粘着剤を加熱軟化させて接着性を高めるためのヒータ7が埋設されている。なお、ヒータ7は、本発明の加熱手段に相当する。
The holding table 3 has an upper surface configured as a vacuum suction surface, and can hold the wafer W1 positioned and placed by suction. Further, as will be described later, a
シートクランプ4,5は、図9に示すように、補強用基板W2を貼付け保持する支持シートTの前後両端を保持して保持テーブル3の上方に沿って浮上張設するためのものであって、その上部には支持シートTの前後の端部をくわえ込み支持するシート保持部4a,5aがそれぞれ備えられている。ここで、後方(図では左方)のシートクランプ5が固定配備されているのに対して、前方(図では右方)のシートクランプ4は、その下端の支点xを中心に前後揺動可能に支持され、かつ、常態では所定の起立姿勢に弾性保持されるとともに、後方への設定以上のモーメントが作用するとシートクランプ4が後方に傾動するよう、図示されないネジリバネが支点xに組付けられている。
As shown in FIG. 9, the
図1に戻り貼合せローラ6は、金属ローラの外周にシリコンゴムなどの弾性材を被覆して構成されたものであり、主ケース1aの内部に前後移動ならびに昇降可能に配備された可動台8の下部に左右水平に支承されている。また、貼合せローラ6はモータ9で回転駆動可能であり、貼合せローラ6を前方に水平移動させる貼合せ作動の際、前進移動速度と同じ周速度で前方に自転駆動されるようになっている。
Returning to FIG. 1, the
なお、詳細な構造は図示されていないが、可動台8は、パルスモータなどによって駆動昇降制御される昇降枠にガイド軸を介して前後に水平移動可能に支持されて、ベルト式あるいはネジ式の水平駆動手段によって前後水平に移動されるようになっており、この可動台8の前後移動によって貼合せローラ6が水平に前後移動され、図示されない昇降枠の昇降によって貼合せローラ6が上下移動するようになっている。
Although the detailed structure is not shown, the
また、貼合せローラ6はモータ9によって回転駆動可能であり、貼合せローラ6を前方に移動させる貼合せ作動の際、前進移動速度と同じ周速度で前方に自転駆動されるようになっている。
In addition, the
このように構成された貼合せ機構2を用いた基板貼合せ手順を、図3ないし図12を参照して以下に説明する。
The board | substrate bonding procedure using the
(1)先ず、図3に示すように、カバーケース1bを持上げて減圧チャンバー1を開放し、保持テーブル3の上面にバックグラインド処理前のウエハW1を、素子形成面である表面を上向きにした姿勢で位置合せ載置して吸着保持する。なお、この時点では貼合せローラ6は手前の原点位置に待機している。
(1) First, as shown in FIG. 3, the
(2)次に、図4に示すように、保持テーブル3に吸着保持されているウエハW1の表面に、ウエハW1と略同形状に切り抜かれたセパレータ付きの両面接着シートSを、セパレータstを上面にして貼り合せる。 (2) Next, as shown in FIG. 4, a double-sided adhesive sheet S with a separator cut out in substantially the same shape as the wafer W1 is attached to the surface of the wafer W1 sucked and held on the holding table 3 with a separator st. Paste the top side.
(3)次に、図5に示すように、ウエハW1に貼り合せた両面接着シートSのセパレータstの上面に、ウエハW1と略同形状に形成した補強用基板W2を位置合せ載置する。 (3) Next, as shown in FIG. 5, the reinforcing substrate W2 formed in substantially the same shape as the wafer W1 is positioned and mounted on the upper surface of the separator st of the double-sided adhesive sheet S bonded to the wafer W1.
(4)次に、図6に示すように、前後のシートクランプ4,5に亘って支持シートTを、その粘着面を下向きにして張設する。ここで用いられる支持シートTは、下面に補強用基板W2を貼付けて保持することができる接着力を有するとともに、両面接着シートSよりも接着力の弱いものが利用される。 (4) Next, as shown in FIG. 6, the supporting sheet T is stretched across the front and rear sheet clamps 4 and 5 with the adhesive surface facing downward. The support sheet T used here has an adhesive force capable of adhering and holding the reinforcing substrate W2 on the lower surface, and one having a weaker adhesive force than the double-sided adhesive sheet S is used.
(5)次に、図7に示すように、貼合せローラ6を支持シートTの上面に接するまで下降させた後、自転駆動しながら前進移動させ、支持シートTの下面に補強用基板W2を貼付ける。
(5) Next, as shown in FIG. 7, the
(6)支持シートTへの補強用基板W2の貼付けが終了すると、図8に示すように、貼合せローラ6を後退させるとともに、前方のシートクランプ4におけるシート保持部4aを開放し、支持シートTを前端側から上方にめくり上げて補強用基板W2を一旦上方に退避させ、露呈した両面接着シートSのセパレータstを剥離除去する。
(6) When the attachment of the reinforcing substrate W2 to the support sheet T is completed, as shown in FIG. 8, the
(7) 次に、図9に示すように、めくり上げた支持シートTを再び下ろして前方のシートクランプ4に支持させる。これによって、支持シートTの下面に貼付け保持した補強用基板W2が、ウエハW1の表面に貼付けた両面接着シートSに対して0.5〜2.0mm、好ましくは0.1〜5.0mmの小間隙をもって対向される。この状態でカバーケース1bを閉じて減圧チャンバー1から抜気するとともに、ヒータ7をONにして保持テーブル3を加熱して両面接着シートSの接着剤を軟化させる。
(7) Next, as shown in FIG. 9, the turned up support sheet T is lowered again and supported by the
チャンバー内が65kPa以下、好ましくは10kPa以下、さらに好ましくは0.1kPa以下まで減圧されると、図10に示すように、貼合せローラ6を前方に自転駆動しながら再び支持シートTの上面に沿って前進移動させ、支持シートTの下面に貼付け支持した補強用基板W2を両面接着シートSに後端から前端に向けて順次貼り合せてゆく。
When the pressure in the chamber is reduced to 65 kPa or less, preferably 10 kPa or less, more preferably 0.1 kPa or less, as shown in FIG. 10, the
この場合、自転駆動される貼合せローラ6の周速度が、ローラ前進移動速度と一致するように自転駆動速度が制御されるので、支持シートTに面方向への引きずり力が作用することが回避される。
In this case, since the rotation driving speed is controlled so that the peripheral speed of the
また、貼合せローラ6の前進移動が進むに連れて支持シートTの張力が大きくなり、この張力によって前方のシートクランプ4に働く後方へのモーメントも次第に大きくなり、図11に示すように、シート張力が設定以上に大きくなると前方のシートクランプ4がその弾性保持力に抗して後方に傾動され、支持シートTに過大な張力が作用して伸びが発生することが回避される。したがって、貼合せローラ6による押圧力によるストレスを支持シートが効率的に吸収し、補強用基板W2が撓んだりして破損するのを回避することができる。
Further, as the advancing movement of the
(8)上記処理が終了して貼合せローラ6を後退されると、図12に示すように、支持シートTは復元浮上し、補強用基板W2が貼合わされたウエハW1が保持テーブル3の上の残される。ここで、チャンバー内を大気圧まで戻した後、カバーケース1bを開放して前方のシートクランプ4によるシート保持を解除し、支持シートTを前端側から上方にめくり上げ退避させ、補強用基板W2が貼合わされたウエハW1を保持テーブル3から搬出する。
(8) When the above processing is completed and the
以上で1回の貼合せ処理が完了し、新たなウエハW1を搬入して上記処理を順次繰り返す。なお、支持シートTは1回の貼り合せ処理ごとに新たなものと交換してもよいが、接着力が低下するまで繰返し使用することもできる。 Thus, one bonding process is completed, a new wafer W1 is loaded, and the above processes are sequentially repeated. The support sheet T may be replaced with a new one for each bonding process, but can be repeatedly used until the adhesive strength is reduced.
以下に、良好な基板貼り合せを行うための好ましい実施の形態を例示する。 Hereinafter, preferred embodiments for performing good substrate bonding will be described.
(a)補強用基板としての第2基板W2は、ガラス板の他に、シリコン、石英、サファイアなどの各種無機ウエハや、ステンレス鋼板などの金属板を使用することができる。また、その厚さは、その剛性にもよるが、1500μm以下、好ましくは1000μm以下とする。また、貼合せローラを介して貼り合せ押圧された際の補強用基板の撓み量は、0.2mm以上、好ましくは0.5〜10mm、より好ましくは1〜5mmの範囲である。なお、撓み量が0.2mm以下であると、両面接着シートの塗れ性によって自着が進行するおそれがあり、また、撓み量が大き過ぎると補強用基板自体に反りが発生しやすくなり好ましくない。 (A) The 2nd board | substrate W2 as a board | substrate for reinforcement can use metal plates, such as various inorganic wafers, such as a silicon | silicone, quartz, and a sapphire other than a glass plate, and a stainless steel plate. The thickness is 1500 μm or less, preferably 1000 μm or less, although it depends on the rigidity. Further, the amount of bending of the reinforcing substrate when bonded and pressed through the bonding roller is 0.2 mm or more, preferably 0.5 to 10 mm, more preferably 1 to 5 mm. If the amount of deflection is 0.2 mm or less, self-adhesion may proceed due to the wettability of the double-sided adhesive sheet, and if the amount of deflection is too large, the reinforcing substrate itself tends to warp, which is not preferable. .
(b)両面接着シートSの粘着剤としては、感圧粘着剤、可溶性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱可塑性粘着剤、放射線硬化型粘着剤、熱剥離性粘着剤、など、周知の粘着剤を利用できるが、裏面研削加工を行った後にウエハを損傷なく剥離することが望まれる場合には、放射線硬化型粘着剤や熱剥離性粘着剤が好ましい。 (B) The pressure-sensitive adhesive, soluble pressure-sensitive adhesive, thermosetting pressure-sensitive adhesive, thermoplastic pressure-sensitive adhesive, radiation curable pressure-sensitive adhesive, heat-peelable pressure-sensitive adhesive, etc. An agent can be used, but when it is desired to peel the wafer without damage after the back surface grinding, a radiation curable pressure sensitive adhesive or a heat peelable pressure sensitive adhesive is preferred.
(c)支持シートTは張力による伸びができるだけ少ないもの、つまり、高いヤング率を有するものが望ましく、200kg/mm2以上、好ましくは250kg/mm2以上、より好ましくは350kg/mm2以上のものを使用するとよい。このような性能を備えた支持シートの基材としては、プラスチックシート、紙、金属箔、などが挙げられるが、加工性、コスト、などの点でプラスチックシートが好適である。なお、プラスチックシートの素材としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニルサルフェート、などが挙げられる。また、このプラスチックシートに塗布される接着材としては、ゴム系、アクリル系、シリコーン系などの汎用のものを使用でき、1.5N/10mm、好ましくは、2.0〜8.0N/10mm程度の粘着力があれば、貼付け過程における補強用基板の保持性、および、貼付け過程の後における補強用基板からの剥離性を好適に発揮する。 (C) The supporting sheet T is desirably one having as little elongation as possible, that is, one having a high Young's modulus, and is 200 kg / mm 2 or more, preferably 250 kg / mm 2 or more, more preferably 350 kg / mm 2 or more. Should be used. Examples of the base material of the support sheet having such performance include a plastic sheet, paper, and metal foil, and the plastic sheet is preferable in terms of processability and cost. Examples of the material for the plastic sheet include polyimide, polyamide, polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyphenyl sulfate. Moreover, as an adhesive applied to the plastic sheet, a general-purpose material such as rubber, acrylic, or silicone can be used, and is approximately 1.5 N / 10 mm, preferably about 2.0 to 8.0 N / 10 mm. If the adhesive strength is, the retention property of the reinforcing substrate in the pasting process and the peelability from the reinforcing substrate after the pasting process are suitably exhibited.
(d)第2基板W2が補強用に貼り合わされる第1基板W1としては、シリコン半導体ウエハの他に、プラスチックセラミック、金属などからなる回路基板や、ガリウムーヒ素、ガリウムーリンなどの化合物ウエハが考えられ、その大きさや形状は任意である。 (D) As the first substrate W1 to which the second substrate W2 is bonded for reinforcement, a circuit substrate made of plastic ceramic, metal, or a compound wafer such as gallium arsenide or gallium phosphide is conceivable in addition to the silicon semiconductor wafer. The size and shape are arbitrary.
上述のように、支持シートTの上面に貼合せローラを転動移動させながら、その粘着面に貼り付けた補強用基板W2をウエハW1に貼り付けた両面接着シートSに貼り付けてゆくように構成することで、補強用基板W2の径の周縁を係止保持する必要がないので、装置を小型することができる。 As described above, the reinforcing substrate W2 attached to the adhesive surface is attached to the double-sided adhesive sheet S attached to the wafer W1 while rolling the attaching roller on the upper surface of the support sheet T. By configuring, it is not necessary to lock and hold the peripheral edge of the diameter of the reinforcing substrate W2, so that the apparatus can be downsized.
また、補強用基板W2の貼り付け時に、貼合せローラ6の後方に設定以上のモーメントが作用するとシートクランプ5が、その後方に向けて傾動するように構成することで、貼合せローラ6による押圧ストレスが支持シートTに効率よく吸収分散され、補強用基板W2に直接に作用しない。したがって、補強用基板W2が撓んだり、破損したりするのを回避することができる。
In addition, when the reinforcing substrate W2 is pasted, the
さらに、減圧して略真空状態で両基板W1,W2を貼り合せるので、その界面に空気のかみこみをなくすことができるとともに、貼り合せ後に大気圧状態に戻すことで粘着剤が復元して接着面積が拡大する、結果、両基板を強固に貼り合わせることができる。 Furthermore, since both substrates W1 and W2 are bonded together in a substantially vacuum state by reducing the pressure, it is possible to eliminate air entrapment at the interface, and the pressure-sensitive adhesive is restored by returning to the atmospheric pressure state after bonding, and the bonding area As a result, both substrates can be firmly bonded.
本発明は上述した実施例のものに限らず、次のように変形実施することもできる。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows.
(1)シートクランプ4,5は必ずしも前後一対設けるに限られるものではなく、例えば、支持シートTの前後左右の四隅を保持して張設することも可能であり、その個数および設置位置は支持シートTの大きさ、貼合せローラ6の長さ、などの条件によって任意に設定することができる。また、特に支持シートTが大きくて中たるみが発生しやすい場合には、中抜き矩形枠状に構成されたシートクランプで支持シートTの四周辺を支持し、この矩形枠状シートクランプの内側で貼合ローラ6を前後移動させる構造を採用するもよい。
(1) The sheet clamps 4 and 5 are not necessarily provided in a pair at the front and rear. For example, the support sheet T can be stretched while holding the front, rear, left and right corners, and the number and installation positions thereof are supported. It can be arbitrarily set according to conditions such as the size of the sheet T and the length of the
(2)各シートクランプ4,5により支持シートTの端部を保持する具体的な手段としては、上記したくわえ込み式の他に真空吸着力で保持することも可能である。 (2) As a specific means for holding the end portion of the support sheet T by the sheet clamps 4 and 5, in addition to the above-described holding type, it is also possible to hold by a vacuum suction force.
(3)貼り合せ作動によって発生した支持シートTの張力を吸収する手段としては、上記のようにシートクランプ4全体を支点x周りに傾動させる他に、シートクランプ4全体を前後スライド可能に弾性支持することもできる。また、固定されたシートクランプ基体に対してシート保持部4aのみを前後スライド可能に弾性支持して、シート張力によってシート保持部4aだけが後方に変位する構造で実施することも可能である。
(3) As means for absorbing the tension of the support sheet T generated by the bonding operation, in addition to tilting the
(4)上記実施例では、貼合せローラ6を可動台8の移動速度と同一の周動速度で駆動するように構成していたが、可動台8の移動にともなって従動するように構成してもよい。
(4) In the above embodiment, the
1 … 減圧チャンバー
3 … 保持テーブル
4 … シートクランプ
5 … シートクランプ
6 … 貼合せローラ
W1… 第1基板(ウエハ)
W2… 第2基板(補強用基板)
S … 両面接着シート
T … 支持シート
DESCRIPTION OF
W2 ... Second substrate (reinforcing substrate)
S ... Double-sided adhesive sheet T ... Support sheet
Claims (2)
第1基板の面上にセパレータ付きの両面接着シートを貼付ける過程と、
前記両面接着シートのセパレータ上面に第2基板を載置して位置合せをする過程と、
前記両面接着シートよりも接着力の弱い粘着面を有する支持シートの当該粘着面を第2基板に対向するよう1対のシートクランプに張設し、当該支持シートの表面に貼付せローラを転動させ、支持シートに第2基板を貼付け、間隙をもって前記第1基板と対向配置する過程と、
前記第1基板上の両面粘着シートからセパレータを剥離する過程と、
減圧状態のもとで前記支持シートの非粘着面に貼付けローラを押圧しながら第2基板を前記第1基板に貼付けた両面接着シートに貼付け、支持シートから第2基板を剥離する過程と、
を備えたことを特徴とする基板貼合せ方法。 In the substrate laminating method of laminating two substrates with a double-sided adhesive sheet interposed,
A process of attaching a double-sided adhesive sheet with a separator on the surface of the first substrate;
Placing and aligning the second substrate on the separator upper surface of the double-sided adhesive sheet;
The pressure-sensitive adhesive surface of a support sheet having a pressure-sensitive adhesive surface weaker than the double-sided adhesive sheet is stretched on a pair of sheet clamps so as to face the second substrate, and a sticking roller is rolled on the surface of the support sheet. Pasting the second substrate on the support sheet, and placing the second substrate opposite the first substrate with a gap;
Removing the separator from the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet on the first substrate;
The process of applying the second substrate to the double-sided adhesive sheet applied to the first substrate while pressing the application roller on the non- adhesive surface of the support sheet under reduced pressure, and peeling the second substrate from the support sheet ;
A method of laminating a substrate, comprising:
前記第1基板または第2基板の少なくとも一方が半導体ウエハであることを特徴とする基板貼合せ方法。 In the substrate bonding method according to claim 1,
A substrate bonding method, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is a semiconductor wafer.
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