JP4579104B2 - Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same - Google Patents
Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP4579104B2 JP4579104B2 JP2005255593A JP2005255593A JP4579104B2 JP 4579104 B2 JP4579104 B2 JP 4579104B2 JP 2005255593 A JP2005255593 A JP 2005255593A JP 2005255593 A JP2005255593 A JP 2005255593A JP 4579104 B2 JP4579104 B2 JP 4579104B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- manufacturing
- chip
- wiring board
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、樹脂でデバイスチップの機能面を中空内に封止した樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置に係り、特に例えばSAWチップ等に好適な樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated device in which a functional surface of a device chip is sealed in a hollow with a resin and an apparatus for manufacturing the resin-encapsulated device. Relates to the device.
例えばSAW(Surface acoustic wave)チップ等においては、通常の半導体装置と同様に外界の影響から素子を保護するために封止構造が用いられている。ただし、SAWチップ等はその特性から素子の機能面上方を中空状態に保持しなければならないため、中空状態を保持し得る封止構造を適用する必要がある。このような封止構造としては、従来から適用されているカンタイプのパッケージが知られているが、パッケージの大型化が避けられないことから、近年の小型化要求には到底対応することができない。 For example, in a SAW (Surface Acoustic Wave) chip or the like, a sealing structure is used to protect an element from the influence of the outside world as in a normal semiconductor device. However, since the SAW chip or the like must hold the functional surface of the element in a hollow state due to its characteristics, it is necessary to apply a sealing structure that can hold the hollow state. As such a sealing structure, a can-type package that has been conventionally used is known, but since it is unavoidable to increase the size of the package, it is difficult to meet the recent demand for downsizing. .
このような点に対して、例えば特許文献1には、デバイスチップの機能面上方が中空状態となるようにデバイスチップの周囲を感光性樹脂で中空封止した構造が記載されている。また、特許文献2には、機能面が中空内に保持されるように高粘度のNCP(Non Conductive Polymer)樹脂等で封止した構造が記載されている。
しかしながら、従来の封止構造のうち、デバイスチップの外周を感光性樹脂で中空封止した構造では、用いる感光性樹脂の流動性が高く、塗布時に樹脂が半導体チップの機能面周辺にまで侵入し素子特性を劣化させ易くするという難点を有していた。一方、高粘度のNCP樹脂等を適用した構造では、デバイスチップ上に塗布する際の樹脂が100〜200Pa・sという高粘度であるため、塗布出しに時間を要し作業性の悪化を招く傾向にあった。 However, among the conventional sealing structures, in the structure in which the outer periphery of the device chip is hollow-sealed with a photosensitive resin, the photosensitive resin used has high fluidity, and the resin penetrates to the periphery of the functional surface of the semiconductor chip during application. It had the difficulty of making it easy to degrade element characteristics. On the other hand, in a structure using a high-viscosity NCP resin or the like, since the resin when applied on the device chip has a high viscosity of 100 to 200 Pa · s, it takes time to apply and tends to deteriorate workability. It was in.
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく樹脂封止デバイスを製造可能にした樹脂封止デバイスの製造方法及び樹脂封止デバイスの製造装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to cope with such problems, and is capable of manufacturing a resin-encapsulated device that can be manufactured easily and with high yield while improving the sealing reliability. An object is to provide a method and an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated device.
本発明に係る樹脂封止デバイスの製造方法は、デバイスチップの機能面側がフリップチップ接続された配線基板を、所定温度に制御されたステージ上に前記配線基板側を支持するように載置する工程と、前記載置された配線基板上の前記デバイスチップの端面付近に前記ステージよりも高い温度を有する樹脂を適用し前記デバイスチップの機能面を中空内に封止する工程と、前記適用された樹脂を熱硬化する工程とを有することを特徴とする。 The method for producing a resin-encapsulated device according to the present invention includes a step of placing a wiring board on which a functional surface side of a device chip is flip-chip connected so as to support the wiring board side on a stage controlled to a predetermined temperature. And applying a resin having a temperature higher than that of the stage in the vicinity of the end face of the device chip on the wiring board placed above, and sealing the functional surface of the device chip in a hollow, and the applied And a step of thermosetting the resin.
すなわち、この樹脂封止デバイスの製造方法は、予め樹脂が適用されるデバイスチップの端面付近の温度を、樹脂の温度よりも低く制御することにより、機能面を中空内に封止する際に樹脂の粘度を高くして流動化し難くし、機能面周辺への樹脂の侵入を抑制することができる。したがって、封止信頼性の高い樹脂封止デバイスを提供することができる。また、製造歩留まりを低下させることなく容易に樹脂封止デバイスを作製することができる。 In other words, this method for manufacturing a resin-encapsulated device is such that the temperature in the vicinity of the end face of a device chip to which the resin is applied is controlled to be lower than the temperature of the resin so that the functional surface is sealed in the hollow. The viscosity of the resin can be increased to make it difficult to fluidize, and the penetration of the resin around the functional surface can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a resin sealing device with high sealing reliability. In addition, a resin-encapsulated device can be easily produced without reducing the manufacturing yield.
また、本発明に係る樹脂封止デバイスの製造装置は、冷却体を内蔵し、かつ、デバイスチップがフリップチップ接続された配線基板を保持可能な配線基板保持部と、前記保持された配線基板上の前記デバイスチップの端面付近に樹脂を適用する樹脂適用部とを具備することを特徴とする。 In addition, the resin-encapsulated device manufacturing apparatus according to the present invention includes a wiring board holding portion that has a built-in cooling body and can hold a wiring board to which a device chip is flip-chip connected, and the held wiring board. And a resin application part that applies resin in the vicinity of the end face of the device chip.
すなわち、この樹脂封止デバイスの製造装置は、冷却体を内蔵した配線基板保持部を用いることにより、保持された配線基板上のデバイスチップを冷却して適用された樹脂の高粘度にすることができる。これによって、機能面を中空封止する際に樹脂の流れ込みを抑制して信頼性の高い樹脂封止デバイスを収率よく提供することができる。 That is, the manufacturing apparatus of the resin-encapsulated device can cool the device chip on the held wiring board to have a high viscosity of the applied resin by using the wiring board holding part with a built-in cooling body. it can. Accordingly, it is possible to provide a highly reliable resin-encapsulated device with high yield by suppressing the inflow of the resin when the functional surface is hermetically sealed.
本発明によれば、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく樹脂封止デバイスを製造可能にした樹脂封止デバイスの製造方法及び樹脂封止デバイスの製造装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, after improving sealing reliability, the manufacturing method of the resin sealing device and the manufacturing apparatus of the resin sealing device which enabled manufacture of the resin sealing device with sufficient yield easily are provided. be able to.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る樹脂封止デバイスの製造方法を模式的な断面で示す工程図である。図2は、図1(a)に示した状態を模式的な平面で示す図である。ここでは、樹脂封止デバイスとしてSAWデバイスを例に挙げて説明する。 FIG. 1 is a process diagram schematically showing a method for manufacturing a resin-encapsulated device according to the first embodiment of the present invention in a cross section. FIG. 2 is a schematic plan view showing the state shown in FIG. Here, a SAW device will be described as an example of the resin-encapsulated device.
まず、図1(a)、図2に示すように、SAWチップ2の櫛歯状電極6(IDT)と向き合うようにSAWチップ2がフリップチップ接続された配線基板1を、配線基板1側がステージ3に接するように載置する。ここで、予め用意しておく配線基板1側の構成について説明する。SAWチップ2(例えば0.1mm角、厚さ3mm)には、櫛歯状電極6を取り囲むように電極パッド7(例えば70μm程度)が形成されており、SAWチップ2端面と電極パッド7との距離は、例えば150μm程度である。セラミックス基板等からなる配線基板1(例えば厚さ0.5〜1.0mm)には、配線パターン9が形成されており、この配線パターン9の所定位置とSAWチップ2の電極パッド7とがAuバンプ8を介して接続されている。配線パターン9の所定位置の下方には、スルーホール電極10が形成されており、配線基板1裏面に設けられた外部電極11と接続されている。ステージ3には、0〜10℃に温度制御された水などの冷却媒体5を循環させる冷却媒体循環ライン(冷却体)が内蔵されており、載置された配線基板1側を0〜10℃に冷却することができる。冷却媒体循環ラインは、ステージ3外部に設けられた例えばペルチェ素子を用いた冷却器(不図示)と連結されている。
First, as shown in FIGS. 1A and 2, a wiring board 1 in which the
次に、図1(b)に示すように、動作機構(不図示)と動作制御手段(不図示)により熱硬化性樹脂12が封入されたディスペンサヘッド4を作動させて、ステージ3上のSAWチップ2の外周端面を取り囲むようにロ字状に樹脂12を塗布する。ディスペンサヘッド4は、動作機構及び動作制御手段によってSAWチップ2上を水平及び垂直に移動制御することが可能であり、かつ、圧縮エアにより内部に封入された熱硬化性樹脂12を吐出させることができる。熱硬化性樹脂12は、ディスペンサヘッド4から吐出させ易くするため、冷凍保管(−20℃)されていたものを粘度20Pa・s(25℃)となるように、ディスペンサ内で一定時間(25℃)貯留したものである。このような熱硬化性樹脂12を配線基板1上に塗布すると、配線基板1は0〜10℃に冷却されているため熱硬化性樹脂12の温度が下がり、粘度が100Pa・sまで増加して流動化し難くなる。これによって、塗布された樹脂12がSAWチップ2と配線基板1との空隙(例えば50μm前後の空隙)に流れ込んで櫛歯状電極6に付着することを防ぐことが可能となり、確実に電極6を中空内に封止することができる。
Next, as shown in FIG. 1B, the dispenser head 4 in which the
この後、図1(c)に示すように、配線基板1ごと例えばオーブン14に投入し、150℃程度で30分程加熱し、塗布された樹脂12を熱硬化させる。加熱してから熱硬化反応が起こる100℃になるまでの間に樹脂12が低粘度になり流動化し易くなるが、櫛歯状電極6上方の封止空間の内圧が高くなるため電極6周辺に流れ込む恐れはない。なお、オーブン14の代わりにホットステージを用いてもよい。SAWチップ2が実装された配線基板1をホットステージに載置することで、配線基板1側に直に熱を供給できるため、150℃に加熱した場合5分程度で熱硬化させることができる。
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the entire wiring board 1 is put into, for example, an
以下の工程は、図示していないが、本実施形態のSAWデバイスを完成させると図3(a)(b)に示すような態様になる。図3は、図1に示す製造方法を用いて得られたSAWデバイスの最終的な構成を示す断面図及び平面図である。図3に示すように、SAWデバイス30は、SAWチップ2を被覆するようにエポキシ樹脂等のモールド樹脂13が形成されている。モールド樹脂13の形成では、熱硬化性樹脂12は固化しているため、モールド樹脂13がSAWチップ2と配線基板1との隙間に流れ込む恐れはない。熱硬化性樹脂12を形成した後、モールド樹脂13で2重に封止することで封止信頼性をさらに向上させることができる。モールド樹脂13を完全に固化させた後、モールド樹脂13の上からダイシング装置により個片に切断して、図3(a)(b)に示すSAWデバイス30を得ることができる。
Although the following steps are not shown, when the SAW device of the present embodiment is completed, the modes shown in FIGS. 3A and 3B are obtained. FIG. 3 is a cross-sectional view and a plan view showing the final configuration of the SAW device obtained by using the manufacturing method shown in FIG. As shown in FIG. 3, the
このようにして得られるSAWデバイス30では、配線基板1とSAWチップ2との空隙に櫛歯状電極6とAuバンプ8とを取り囲むように熱硬化性樹脂12が形成される。チップ2下に入り込む熱硬化性樹脂12の幅は、SAWデバイス30の小型化を図り、かつ、信頼性を向上させるため150μm以内であることが好ましい。
In the
ここで、図4と図5を用いて本実施形態に係る熱硬化性樹脂の温度と粘度との関係を説明する。図4は、図1に示した工程で用いられる熱硬化性樹脂の温度と粘度との関係を示す図である。図5は、図1に示した工程を含めた過程での熱硬化性樹脂の温度と粘度の経時的な変化を示す図である。なお、図5中に示した(a)、(b)、(c)は、図1(a)、(b)、(c)の各工程の経時的な変化にそれぞれ対応している。 Here, the relationship between the temperature and the viscosity of the thermosetting resin according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the temperature and the viscosity of the thermosetting resin used in the process shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing the change over time of the temperature and viscosity of the thermosetting resin in the process including the process shown in FIG. Note that (a), (b), and (c) shown in FIG. 5 respectively correspond to changes with time in each step of FIGS. 1 (a), (b), and (c).
図4に示すように、本実施形態で用いられる熱硬化性樹脂は100℃付近で熱硬化反応が起こる。すなわち、100℃未満であると温度上昇とともに低粘度になり流動化し易くなり、100℃を越えると熱硬化反応が起こり急激に粘度上昇して固化する。 As shown in FIG. 4, the thermosetting resin used in this embodiment undergoes a thermosetting reaction at around 100 ° C. That is, when the temperature is lower than 100 ° C., the viscosity becomes low and the fluidization easily occurs as the temperature rises, and when the temperature exceeds 100 ° C., a thermosetting reaction occurs and the viscosity rapidly increases and solidifies.
本実施形態ではこのような温度差による熱硬化性樹脂の粘度変化を利用する。すなわち、図5に示すように冷凍保管(−20℃程度)されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を予め常温(25℃)で一定時間放置しておき、粘度をディスペンサヘッドから吐出させ易い20Pa・s(25℃)に調整する。 In the present embodiment, the viscosity change of the thermosetting resin due to such a temperature difference is utilized. That is, as shown in FIG. 5, a thermosetting resin such as an epoxy resin that has been stored frozen (about −20 ° C.) is left in advance at room temperature (25 ° C.) for a certain period of time, and the viscosity is easily discharged from the dispenser head. -Adjust to s (25 ° C).
このように常温で粘度調整された樹脂を、0〜10℃に冷却されたステージ上の配線基板に塗布すると、樹脂の温度が0〜10℃まで下がりその粘度は100Pa・sまで増加して流動化し難くなる。これによって、SAWチップと配線基板との空隙への樹脂の流れ込みを防止することができる。 When the viscosity-adjusted resin is applied to the wiring board on the stage cooled to 0 to 10 ° C., the temperature of the resin decreases to 0 to 10 ° C., and the viscosity increases to 100 Pa · s to flow. It becomes difficult to convert. As a result, the resin can be prevented from flowing into the gap between the SAW chip and the wiring board.
塗布された樹脂をオーブンで熱硬化すると、100℃になるまでの間に樹脂が低粘度になり流動化し易くなるが、櫛歯状電極上方の封止空間の内圧が高くなるため電極周辺に流れ込む恐れはない。 When the applied resin is heat-cured in an oven, the resin has a low viscosity and is easy to fluidize until it reaches 100 ° C., but flows into the periphery of the electrode because the internal pressure of the sealing space above the comb-like electrode increases. There is no fear.
したがって、本実施形態によれば、温度差による樹脂の粘度変化を利用することにより、製造過程でSAWチップ2の櫛歯状電極6に樹脂12が付着することなく、電極6を確実に中空内に封止することが可能な封止信頼性の高い封止樹脂デバイスを提供することができる。小型のSAWチップ2(例えば1mm以下)の場合でも、チップ2と配線基板1との空隙内に入り込む樹脂12幅を例えば150μm以内に抑えることができるため、信頼性を高めた上で樹脂封止デバイスの小型化を図ることができる。また、樹脂12の粘度変化を用いて中空封止することで、容易に収率よく樹脂封止デバイスを得ることができる。
Therefore, according to the present embodiment, by utilizing the change in the viscosity of the resin due to the temperature difference, the
次に、第2の実施形態に係る樹脂封止デバイスの製造方法について図6を用いて説明する。図6は、第2の実施形態に係る樹脂封止デバイスの製造方法を示している。なお、第1の実施形態と同一の構成部分には、同一の符号を付してその説明を簡略または省略する。本実施形態で用いるディスペンサヘッド内には封入された樹脂を加温するヒーターが設けられている。また、ステージには冷却体が内蔵されていない。 Next, a method for manufacturing a resin-encapsulated device according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows a method for manufacturing a resin-encapsulated device according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as 1st Embodiment, and the description is simplified or abbreviate | omitted. A heater for heating the encapsulated resin is provided in the dispenser head used in the present embodiment. The stage does not have a built-in cooling body.
まず、図6(a)に示すようにSAWチップ2の櫛歯状電極6側が向き合うようにフリップチップ接続された配線基板1を、配線基板1側がステージ61上に接するように載置する。本実施形態で用いるステージ61には冷却体が内蔵されていないため、ステージ61は常温(25℃)である。したがって、ステージ61上のSAWチップ2が実装された配線基板1も常温で保持される。
First, as shown in FIG. 6A, the wiring board 1 flip-chip connected so that the comb-
次に、図6(b)に示すようにヒーター63を有するディスペンサヘッド62を作動させて、ステージ61に載置された配線基板1上のSAWチップ2の外周端面に熱硬化性樹脂12をロ字状に塗布する。熱硬化性樹脂12は、常温で100Pa・sの粘度を有する樹脂をディスペンサヘッド62内のヒーター63で50℃まで昇温させたものであり、ディスペンサヘッド62から吐出させ易い20Pa・s付近に調整されている。このように樹脂12が常温で50〜100Pa・sの粘度を有する場合、ステージ61を冷却せずに、ヒーター63等で樹脂12を常温よりも高い温度に昇温させて用いてもよい。ステージ61上の配線基板1は常温であるため、60℃まで昇温された樹脂12が配線基板1に触れると、温度降下して高粘度になる。これによって、櫛歯状電極6周辺まで樹脂12が流れ込むことなく電極6に付着することを防止することができる。
Next, as shown in FIG. 6B, the
続いて、図6(c)に示すように、熱硬化性樹脂12をオーブン14で熱硬化する。この後、モールド樹脂でSAWチップ2を封止する。
Subsequently, as shown in FIG. 6C, the
したがって、本実施形態によれば、ステージ61が常温の場合でも、ディスペンサヘッド62に封入された樹脂12を50℃程度まで昇温することにより、ステージ61上の配線基板1に塗布した時に、樹脂12を高粘度で低流動化することができる。これによって、櫛歯状電極6上方に気密性の高い封止空間を形成することが可能となり封止信頼性の高い樹脂封止デバイスを収率よく得ることができる。
Therefore, according to the present embodiment, even when the
次に、第3の実施形態に係る樹脂封止デバイスの製造方法について図7を参照して説明する。図7は、第3の実施形態に係る樹脂封止デバイスの製造方法を示している。なお、第1の実施形態と同一の構成部分には、同一の符号を付してその説明を簡略または省略する。本実施形態ではステージには第1の実施形態と同様の冷却体が内蔵されている。また、SAWチップの端面付近に樹脂を塗布する際に、スキージとスクリーン板を使用する。 Next, a method for manufacturing a resin-encapsulated device according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 shows a method for manufacturing a resin-encapsulated device according to the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as 1st Embodiment, and the description is simplified or abbreviate | omitted. In this embodiment, the same cooling body as that of the first embodiment is built in the stage. In addition, a squeegee and a screen plate are used when applying resin near the end face of the SAW chip.
まず、図7(a)に示すように、SAWチップ2がフリップチップ接続された配線基板1をステージ71に載置する。ステージ71には、0〜10℃に温度制御された水などの冷却媒体72を循環させる冷却媒体循環ライン(冷却体)が内蔵されており、載置された配線基板1側を0〜10℃に冷却することができる。
First, as shown in FIG. 7A, the wiring substrate 1 to which the
次に、図7(b)に示すように、予めSAWチップ2の所定位置に合わせて位置決めされたスクリーン板73上に、常温で20Pa・sに調整されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂12を供給し、スキージ74をスクリーン板73上の樹脂12に押し付けながら移動させてSAWチップ2の端面付近に樹脂12を塗布する。ステージ71上の配線基板1は0〜10℃に冷却されているため、樹脂12(25℃)が配線基板1に触れると、温度降下とともに100Pa・sまで粘度が上昇し低流動化する。これによって、樹脂12がSAWチップ2と配線基板1との空隙に樹脂12が侵入して、櫛歯状電極6周辺まで到達することを防ぐことができる。
Next, as shown in FIG. 7B, a
続いて、図7(c)に示すように、塗布された熱硬化性樹脂12をオーブン14で熱硬化する。この後、エポキシ樹脂等のモールド樹脂でSAWチップ2を封止する。
Subsequently, as shown in FIG. 7C, the applied
したがって、本実施形態によれば、温度差による樹脂12の粘度変化を利用することにより、櫛歯状電極6の封止信頼性を高めた上で電極6を安定して動作させることが可能な樹脂封止デバイスを提供することができる。また、予め乳剤でスクリーン板73にパターニングすることによって、SAWチップ2の外周端部に対して確実に塗布することができ塗布不良の発生を低減することができる。すなわち、樹脂12の塗布をスクリーン板73の開閉とスキージ74の移動のみで瞬時に行うことができ、樹脂封止デバイスを容易に収率よく得ることが可能となる。
Therefore, according to the present embodiment, by utilizing the change in the viscosity of the
なお、上述した実施形態では、樹脂封止デバイスとしてSAWデバイスを例に挙げて説明しているが、これに限定されるものではなく、素子の機能面上方に封止空間を必要とするMEMSデバイス、光学デバイス等であっても適用することができる。
また、0〜10℃に温度制御された冷却媒体を供給するペルチェ素子等は、ステージ内に予め設けて用いてもよい。
In the above-described embodiment, the SAW device is described as an example of the resin sealing device. However, the present invention is not limited to this, and the MEMS device that requires a sealing space above the functional surface of the element. Even an optical device or the like can be applied.
Further, a Peltier element or the like for supplying a cooling medium whose temperature is controlled at 0 to 10 ° C. may be provided in advance in the stage.
1…配線基板、2…SAWチップ、3,61,71…ステージ、4,62…ディスペンサヘッド、5,72…冷却媒体、6…櫛歯状電極、7…電極パッド、8…Auバンプ、9…配線パターン、10…スルーホール電極、11…外部電極、12…熱硬化性樹脂、13…モールド樹脂、14…オーブン、30…SAWデバイス、63…ヒーター、73…スクリーン板、74…スキージ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2 ... SAW chip | tip, 3,61,71 ... Stage, 4,62 ... Dispenser head, 5,72 ... Cooling medium, 6 ... Comb-like electrode, 7 ... Electrode pad, 8 ... Au bump, 9 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Wiring pattern, 10 ... Through-hole electrode, 11 ... External electrode, 12 ... Thermosetting resin, 13 ... Mold resin, 14 ... Oven, 30 ... SAW device, 63 ... Heater, 73 ... Screen board, 74 ... Squeegee.
Claims (6)
前記載置された配線基板上の前記デバイスチップの端面付近に前記所定温度よりも高い温度を有する樹脂を適用し前記デバイスチップの機能面を中空内に封止する工程と,
前記適用された樹脂を熱硬化する工程と
を有することを特徴とする樹脂封止デバイスの製造方法。 Placing the wiring board on which the functional surface side of the device chip is flip-chip connected to support the wiring board side on a stage controlled to a predetermined temperature lower than room temperature;
Applying a resin having a temperature higher than the predetermined temperature in the vicinity of the end face of the device chip on the wiring board placed above, and sealing the functional surface of the device chip in a hollow;
And a step of thermosetting the applied resin. A method for manufacturing a resin-encapsulated device.
ことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止デバイスの製造方法。 The method for manufacturing a resin-encapsulated device according to claim 1, wherein the predetermined temperature is 0C or higher and 10C or lower .
前記保持された配線基板上の前記デバイスチップの端面付近に前記所定温度よりも高い温度を有する樹脂を適用し前記デバイスチップの機能面を中空内に封止する樹脂適用部と
を具備することを特徴とする樹脂封止デバイスの製造装置。 A built-in cooling body is capable of holding the wiring substrate on which the device chip is flip-chip connected, and a wiring board holding portion which is controlled to a predetermined temperature below room temperature by the cooling body,
A resin application section that applies a resin having a temperature higher than the predetermined temperature near the end face of the device chip on the held wiring board and seals the functional surface of the device chip in a hollow space ; An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005255593A JP4579104B2 (en) | 2005-09-02 | 2005-09-02 | Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005255593A JP4579104B2 (en) | 2005-09-02 | 2005-09-02 | Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007073554A JP2007073554A (en) | 2007-03-22 |
| JP4579104B2 true JP4579104B2 (en) | 2010-11-10 |
Family
ID=37934784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005255593A Expired - Fee Related JP4579104B2 (en) | 2005-09-02 | 2005-09-02 | Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4579104B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5556808B2 (en) * | 2009-03-24 | 2014-07-23 | 日本電気株式会社 | Electronic device, substrate, and method of manufacturing electronic device |
| CN103814438B (en) * | 2011-09-15 | 2016-08-17 | 京瓷株式会社 | Electronic installation |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001024011A (en) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device manufacturing method and potting device used therein |
| JP2002016192A (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Ricoh Co Ltd | Electronic component mounting structure and mounting method |
| JP2002043889A (en) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Tdk Corp | Packaging and sealing structure and sealing method for bare saw chip and high-frequency circuit module |
| JP2004104087A (en) * | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | Electronic device manufacturing method |
-
2005
- 2005-09-02 JP JP2005255593A patent/JP4579104B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007073554A (en) | 2007-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100508384C (en) | Method for mounting surface acoustic wave element and surface acoustic wave device having resin-sealed surface acoustic wave element | |
| CN101529584B (en) | Semiconductor element mounting structure and semiconductor element mounting method | |
| JP5746919B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP2000323623A (en) | Semiconductor device | |
| JP2010165940A5 (en) | ||
| JP2008226876A (en) | Semiconductor device | |
| JP4335263B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4579104B2 (en) | Method for manufacturing resin-encapsulated device and apparatus for manufacturing the same | |
| JP2016213384A (en) | Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH10112478A (en) | Ball grid array semiconductor device and its mounting method | |
| JP2010050323A (en) | Electronic device, and method of manufacturing the same | |
| JP4923486B2 (en) | Electronic device and method for manufacturing electronic device | |
| US8162444B2 (en) | Printing head and manufacturing method of printing head | |
| JP4502204B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2014143316A (en) | Resin sealing method of flip chip component | |
| JP2007104458A (en) | Thin film piezoelectric resonator device and manufacturing method thereof | |
| JP2005303213A (en) | Solid-state imaging device | |
| WO2018123382A1 (en) | Circuit module | |
| JP4752717B2 (en) | Module manufacturing method | |
| JP4231881B2 (en) | Device apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP6956313B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor devices | |
| JP2004104087A (en) | Electronic device manufacturing method | |
| JP6422296B2 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
| JP2008243879A (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
| US20110233794A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100730 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100825 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |