JP4590866B2 - ガラスセラミックス組成物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼成して電子回路基板を作製するのに好適なガラスセラミックス組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子回路基板として、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前記アルミナ基板においては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてタングステン（融点＝３４００℃）、モリブデン（融点＝２６２０℃）等の高融点金属しか使用できなかった。そのため、比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融点＝９６２℃）等の非・高融点金属を前記電極の材料として使用できない問題があった。
【０００４】
近年、前記アルミナ粉末に代わる、９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる電子回路基板用材料が求められている。
本発明は、以上の課題を解決し、電子回路基板作製に好適なガラスセラミックス組成物の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末とガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であるガラスセラミックス組成物を提供する（第１発明）。
【０００６】
また、質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃である結晶化ガラス粉末４２〜９０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記結晶化ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ３５〜７０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１８％、ＭｇＯ ０〜４０％、ＣａＯ ０〜１９％、ＢａＯ ０〜３５％、ＺｎＯ ０〜９％、からなるガラスセラミックス組成物を提供する（第２発明）。
また、第２発明のガラスセラミックス組成物であって、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であるガラスセラミックス組成物を提供する。
また、第２発明のガラスセラミックス組成物であって、前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ９〜１８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜５％、ＢａＯ ２５〜３５％、ＺｎＯ ０〜５％、からなり、９００℃に６０分間保持して焼成したときにＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶を析出するものであるガラスセラミックス組成物を提供する。
また、前記ガラスセラミックス組成物を焼成することを特徴とする電子回路基板の製造方法を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスセラミックス組成物（以下、本発明の組成物という。）を電子回路基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使用される。すなわち、本発明の組成物はポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合される。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラリーをシート状に成形する。最後にこのシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートとする。このグリーンシートは、典型的には８００〜９００℃または９００〜９５０℃に５〜１８０分間、より典型的には８５０〜９００℃に５〜１５０分間保持する焼成工程を経て電子回路基板とされる。
【０００８】
なお、前記スラリーの作製方法はガラスセラミックス組成物を樹脂、必要に応じて可塑剤等と混合後、溶剤を添加する前記方法に限定されない。たとえば、樹脂と溶剤を混合後、これにガラスセラミックス組成物、さらに必要に応じて可塑剤等を添加して混合しスラリーとする、またはガラスセラミックス組成物と溶剤を混合後、これに樹脂、さらに必要に応じて可塑剤等を添加して混合しスラリーとすることが好ましい。
【０００９】
本発明の組成物を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率εは８．６以下であることが好ましい。より好ましくは７．８以下である。また、εは典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
【００１０】
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００３０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００１９以下である。なお、ｔａｎδは典型的には０．００１０以上である。
【００１１】
また、前記焼成体の２０℃、４０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１は０．０８ｄＢ／ｍｍ以下であることが好ましい。０．０８ｄＢ／ｍｍ超では高周波用電子回路基板として使用できなくなるおそれがある。より好ましくは０．０５ｄＢ／ｍｍ以下である。なお、アルミナ基板（９６％アルミナ）のＳ２１は０．０５ｄＢ／ｍｍである。
前記Ｓ２１は散乱行列（Ｓ行列）の要素の一つであり、回路の透過伝送損失性を表す。なお、Ｓ行列は、回路の伝送係数と反射係数からなり回路特性を規定する複素数の正方行列である。
【００１２】
Ｓ２１はたとえば、前記焼成体からなる基板に特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計されたマイクロストリップラインを形成し、これについてネットワークアナライザを用いて測定して求められる。
マイクロストリップラインは基板上面に導体線路、基板下面にグランド導体が形成されているものであり、その特性インピーダンスは、基板の厚さ、基板の比誘電率すなわち前記ε、導体線路の厚さ、導体線路の電気伝導度および導体線路の幅によって決まる。特性インピーダンスの５０Ωへの調整は最終的には導体線路の幅の調整によって行なわれる。
導体線路、グランド導体には銀等の導体が用いられる。
【００１３】
前記Ｓ２１を測定するためのマイクロストリップラインの典型的な形状または寸法は次のとおりである。すなわち、基板の長さは３０ｍｍ、幅は６ｍｍ、厚さは０．２５４ｍｍであり、導体線路の長さは２０ｍｍ、幅は２９５μｍ、厚さは７μｍである。
Ｓ２１は、アジレントテクノロジー社製ネットワーク・アナライザ８５１０等のネットワークアナライザによってマイクロストリップラインの入射波と反射波もしくは透過波との振幅比もしくは位相差を測定し、その結果を解析して求められる。
【００１４】
なお、本発明のＳ２１の測定においてはＴＲＬ校正法によりＳ行列を校正してＳ２１を得る。すなわち、検出器、ケーブルによるロス等の影響をＳ行列について周波数ごとに補正し、Ｓ２１を得る。
ＴＲＬ校正法は、校正用端子を直結させた「Ｔｈｒｕ」、校正用端子を結合させずに各端部で反射させる「Ｒｅｆｌｅｃｔ」、および適当な伝送線路を形成した標準器を端子間に結合させた「Ｌｉｎｅ」によって校正する方法であり、高周波測定に適した校正法である。
【００１５】
次に、第１発明のガラスセラミックス組成物（以下、第１発明の組成物という。）の成分について説明する。なお、含有量は質量百分率表示を用いて示す。
融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末（以下、耐火性粉末という。）は焼成体の強度を増加させる成分であり必須である。
焼成体のｔａｎδを低下させるためには、耐火性粉末は、α−アルミナ（融点＝２０５０℃）、コーディエライト（融点＝１４６０℃）、フォルステライト（融点＝１８９０℃）、エンスタタイト（融点＝１５５０℃）およびスピネル（融点＝２０５０℃）からなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。
【００１６】
耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均Ｌ_ＡＶは０．５〜１５μｍである。０．５μｍ未満では焼成体の強度が低下する。好ましくは０．７μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。１５μｍ超では混合度が低下しかえって焼成体の強度が低下する、εが大きくなる、またはグリーンシートを精密に加工することが困難になる。
εをより小さくさせたい等の場合には、Ｌ_ＡＶは９μｍ以下にすることが好ましい。より好ましくは６μｍ以下である。
第１発明の組成物をグリーンシートとしこの表面に銀等の導体を形成後焼成すると、前記グリーンシートの焼結収縮挙動と前記導体の焼成収縮挙動とが異なるために焼成体に反り等の変形が生じるおそれがある。このような変形をより抑制したい場合にはＬ_ＡＶは９μｍ以上とすることが好ましい。
【００１７】
耐火性粉末の粒子の長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均Ψ_ＡＶは１．４以下である。１．４超では、第１発明の組成物の他の成分であるガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末（以下、低融点ガラス粉末という。）が焼成時に結晶を析出するものである場合には焼成体の緻密性すなわち焼結性が低下して焼成体のｔａｎδが大きくなる。また、低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出するものではない場合には焼成体の強度が低下する。Ψ_ＡＶは好ましくは１．３以下、より好ましくは１．２５以下である。
【００１８】
前記Ｌ、Ｌ_ＡＶ、Ｗ、Ψ_ＡＶは次のようにして測定または算出される。
まず、耐火性粉末を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の試料台に撒布する。なお、粒子を固着するために無色の爪化粧材（マニキュア）等の固着剤を試料台に予め塗布しておく。試料台上の粒子が凝集している場合は柔らかいブラシを用いて分散させ、その後ゴム製ブロワ等を用いて試料台に固着していない粒子を吹き払う。
次に試料台上の粒子をＳＥＭで観察し、ＬおよびＷを測定する。すなわち、他の粒子に遮られずに観察できる粒子を選び、当該粒子の画像を２本の平行線で挟んだときにその２本の平行線間の距離が最も小さくなるときのその距離をＷ、当該２本の平行線に直交する２本の平行線で前記画像を挟んだときのその２本の平行線間の距離をＬとする。
この測定を２０個以上の粒子について行い、Ｌの平均Ｌ_ＡＶおよびＬ／Ｗの平均Ψ_ＡＶを算出する。
【００１９】
耐火性粉末の９０％粒子径Ｄ_９０と１０％粒子径Ｄ_１０の比Ｄ_９０／Ｄ_１０は５以下であることが好ましい。５超では焼成体の焼結性が低下し、その結果焼成体の強度が低下するおそれがある、または焼成体のｔａｎδが大きくなるおそれがある。より好ましくは３以下である。なお、Ｄ_９０およびＤ_１０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定器を用いて測定される。
【００２０】
耐火性粉末の含有量は、好ましくは１０〜６０％である。１０％未満では焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは１５％以上である。６０％超では焼結性が低下しかえって焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは５５％以下である。なお、低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出しないものである場合には、耐火性粉末の含有量は３０％以上であることが好ましい。
【００２１】
低融点ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。
低融点ガラス粉末の平均粒径Ｄ_５０は０．５〜１０μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満では保存安定性が低下するおそれがある。１０μｍ超では焼結性が低下するおそれがある。
【００２２】
低融点ガラス粉末のガラス転移点Ｔ_Ｇは８００℃以下であるので、第１発明の組成物を９００℃またはそれ以下の温度で焼成しても緻密な焼成体が得られる。Ｔ_Ｇは、好ましくは７６０℃以下、より好ましくは７３０℃以下である。
また、前記Ｔ_Ｇが４５０℃以上であるので、本発明の組成物を９００℃で焼成しても流動性が過多とならず所望の焼成体が得られる。Ｔ_Ｇは、好ましくは５５０℃以上である。
【００２３】
低融点ガラス粉末を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率ε_０は８以下であることが好ましい。また、ε_０は典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδ_０は０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδ_０は典型的には０．００１０以上である。
【００２４】
低融点ガラス粉末は、下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、
ＳｉＯ_２ ２０〜７２％、
Ｂ_２Ｏ_３ ０〜３０％、
Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜２０％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ ０〜６０％、
ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜４０％、
ＺｎＯ ０〜３０％、
Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１０％、
ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２ ０〜５％、
ＳｎＯ_２ ０〜５％、
からなり、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が３０％以上であることが好ましい（ガラス粉末Ａ）。なお、前記焼成体の膨張係数を小さくしたい等の場合にはＳｒＯ＋ＢａＯは０〜２０％であることが好ましい。
以下では低融点ガラス粉末の各成分の含有量はモル％表示で示す。
【００２５】
より好ましい態様においては、ＳｉＯ_２：５５超〜７２％、Ｂ_２Ｏ_３：５〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３：０〜１０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：０〜１０％である（ガラス粉末Ａ１）。ガラス粉末Ａ１は、９００℃で焼成したときに結晶が析出しない、または析出したとしてもその量が少ないことが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε_０は３〜６、ｔａｎδ_０は０．００１０〜０．００４０である。
【００２６】
他のより好ましい態様においては、ＳｉＯ_２：３５〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３：０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３：５〜１８％、ＭｇＯ：５〜４０％、ＣａＯ：７〜４０％、ＺｎＯ：０〜１０％である（ガラス粉末Ａ２）。ガラス粉末Ａ２は、９００℃で焼成したときに結晶が析出することが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε_０は５〜９、ｔａｎδ_０は０．００５０〜０．０１００である。なお、結晶析出により焼成体の強度向上が可能になる。
【００２７】
前記析出する結晶は、アノーサイト、コーディエライト、ディオプサイド、エンスタタイトおよびフォルステライトからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。
焼成体の５０〜３５０℃における平均線膨張係数α_０をたとえば８０×１０^−７／℃以下にしたい場合には、前記析出する結晶はアノーサイトまたはコーディエライトであることがより好ましい。
焼成体のｔａｎδ_０をより小さくしたい場合には、前記析出する結晶は、コーディエライト、ディオプサイド、エンスタタイトおよびフォルステライトからなる群から選ばれる１種以上であることがより好ましい。
【００２８】
他のより好ましい態様においては、ＳｉＯ_２：２０〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３：０〜２０％、Ａｌ_２Ｏ_３：２〜２０％、ＭｇＯ：１０〜５０％、ＣａＯ：０〜２０％である（ガラス粉末Ａ３）。ＳｉＯ_２は５５％以下であることが特に好ましい。
ガラス粉末Ａ３は、９００℃で焼成したときに結晶が析出することが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε_０は６〜９、ｔａｎδ_０は０．００３０〜０．０１００である。なお、結晶析出により焼成体の強度向上が可能になる。
α_０を大きくしたい場合、またはｔａｎδ_０を小さくしたい場合、前記析出する結晶は、ディオプサイド、エンスタタイト、フォルステライトおよびガーナイトからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましく、α_０をたとえば８０×１０^−７／℃以下にしたい場合、前記析出する結晶はアノーサイトまたはコーディエライトであることがより好ましい。
【００２９】
次に、前記ガラス粉末Ａの組成について説明する。
ＳｉＯ_２はネットワークフォーマであり、必須である。２０％未満では、ガラス化しにくい、ε_０が大きくなる、または化学的耐久性が低下する。好ましくは、ガラス粉末Ａ１では６０％以上、ガラス粉末Ａ２では４０％以上、ガラス粉末Ａ３では２５％以上である。７２％超ではガラス溶融温度が高くなる、またはＴ_Ｇが高くなる。ガラス粉末Ａ１では好ましくは６７％以下、ガラス粉末Ａ２では好ましくは５５％以下、より好ましくは５０％以下、特に好ましくは４５％未満である。
【００３０】
Ｂ_２Ｏ_３は必須ではないが、流動性を高めるため、またはε_０を小さくするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性が低下する、またはグリーンシート化するときにスラリーの粘性が不安定になるおそれがある。好ましくは２５％以下である。
９００℃で焼成したときに結晶が析出するものである場合にはＢ_２Ｏ_３は２０％以下であることが好ましい。２０％超ではｔａｎδ_０が大きくなるおそれがある。Ｂ_２Ｏ_３を実質的に含有しないことがより好ましい。
ＳｉＯ_２およびＢ_２Ｏ_３の合計が３０％未満ではガラスが不安定になる。
【００３１】
Ａｌ_２Ｏ_３は必須ではないが、ガラスを安定化するため、または化学的耐久性を高めるために２０％まで含有してもよい。２０％超ではＴ_Ｇが高くなる。ガラス粉末Ａ１では、好ましくは８％以下である。なお、ガラス粉末Ａ２ではＡｌ_２Ｏ_３はコーディエライトおよびアノーサイトの構成成分であって必須であり、好ましくは７％以上であり、また、ガラス粉末Ａ３ではＡｌ_２Ｏ_３はガラスを安定化するために必須である。
【００３２】
ＭｇＯおよびＣａＯはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化するため、ε_０を小さくするため、またはｔａｎδ_０を小さくするために合計で６０％まで含有してもよい。６０％超ではかえってガラスが不安定になる。なお、ガラス粉末Ａ２においてはＭｇＯおよびＣａＯはいずれも必須であり、ガラス粉末Ａ３においてはＭｇＯは必須である。
【００３３】
ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるため、Ｔ_Ｇを低くするため、またはｔａｎδ_０を小さくするために合計で２０％まで含有してもよい。２０％超では失透しやすくなる、またはε_０が大きくなる。なお、ガラス粉末Ａ３においてはＳｒＯおよびＢａＯの少なくともいずれか一方は必須である。
【００３４】
ＺｎＯは必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるため、流動性を高めるため、またはＴ_Ｇを低くするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましくは１０％以下である。
Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏはいずれも必須ではないが、流動性を高めるために、またはＴ_Ｇを低くするために合計で１０％まで含有してもよい。１０％超では、ｔａｎδ_０が大きくなる、または電気絶縁性が低下する。好ましくは６％以下である。電気絶縁性を高めたい場合、またはＳｉＯ_２が５５％以下の場合これらのいずれも含有しないことが好ましい。
【００３５】
ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２はいずれも必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼成時の結晶析出を促進するために合計で５％まで含有してもよい。５％超ではε_０が大きくなる、またはガラスが不安定になる。好ましくは合計で３％以下、より好ましくは合計で２％以下である。
ＳｎＯ_２は必須ではないが、化学的耐久性を高めるために５％まで含有してもよい。５％超ではε_０が大きくなるおそれがある。
【００３６】
ガラス粉末Ａは本質的に上記成分からなるがその他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で１０％以下であることが好ましい。１０％超では失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは合計で５％以下である。なお、鉛、カドミウムまたは砒素はいずれも含有しないことが好ましい。
前記その他の成分として以下のようなものが例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させる等のためにＢｉ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５、Ｆ等を含有してもよい。また、ガラスを着色させる等のためにＦｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３等を含有してもよい。
【００３７】
低融点ガラス粉末の含有量は、好ましくは４０〜９０％である。４０％未満では焼結性が低下するおそれがある。より好ましくは４５％以上である。９０％超では焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは８５％以下である。
【００３８】
第１発明の組成物は本質的に耐火性粉末および低融点ガラス粉末からなるがその他の成分、たとえば耐熱着色顔料等を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
【００３９】
次に、第２発明のガラスセラミックス組成物（以下、第２発明の組成物という。）の成分について、第１発明の組成物の説明に準じて説明する。なお、第１発明の組成物の説明と重複する部分については説明を省略する場合がある。
耐火性粉末は焼成体の強度を増加させる成分であり必須である。質量百分率表示で５８％超では焼結性が低下する。
低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出するものである場合、耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均Ｌ_ＡＶが０．５μｍ未満または１５μｍ超である場合、耐火性粉末の粒子の長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均Ψ_ＡＶが１．４超である場合等においては焼結性が低下しやすくなるが、このような場合においては、耐火性粉末の含有量は好ましくは５２％以下、より好ましくは４６％以下である。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当しない場合においては、耐火性粉末の含有量は３０％以上であることが好ましい。
【００４０】
耐火性粉末は、α−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。
【００４１】
耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均Ｌ_ＡＶは０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均Ψ_ＡＶは１．４以下であることが好ましい。
Ｌ_ＡＶはより好ましくは０．７μｍ以上、特に好ましくは１μｍ以上である。また、εをより小さくさせたい等の場合には、より好ましくは９μｍ以下、特に好ましくは６μｍ以下である。また、グリーンシートの焼結収縮挙動と前記導体の膨張収縮挙動とが異なるために焼成体に反り等の変形が生じるのをより抑制したい場合にはＬ_ＡＶは９μｍ以上とすることが好ましい。
Ψ_ＡＶは好ましくは１．３以下、より好ましくは１．２５以下である。
【００４２】
耐火性粉末の９０％粒子径Ｄ_９０と１０％粒子径Ｄ_１０の比Ｄ_９０／Ｄ_１０は５以下であることが好ましい。より好ましくは３以下である。
【００４３】
低融点ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。質量百分率表示で９０％超では焼成体の強度が低下する。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当する場合においては、低融点ガラス粉末の含有量は好ましくは４８％以上、より好ましくは５４％以上である。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当しない場合においては、低融点ガラス粉末の含有量は７０％以下であることが好ましい。
【００４４】
低融点ガラス粉末の平均粒径Ｄ_５０は０．５〜１０μｍであることが好ましい。
低融点ガラス粉末のガラス転移点Ｔ_Ｇは、好ましくは７６０℃以下、より好ましくは７３０℃以下である。また、Ｔ_Ｇは、好ましくは５５０℃以上である。
低融点ガラス粉末を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率ε_０は８以下であることが好ましい。より好ましくは７．５以下である。また、ε_０は典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδ_０は０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδ_０は典型的には０．００１０以上である。
【００４５】
本発明の組成物を用いて電子回路基板を作製する場合、その電子回路基板の用途によって前記焼成体の５０〜３５０℃における平均線膨張係数α_０の好ましい範囲は異なる。
電子回路基板上にシリコンを形成する場合、α_０は３０×１０^−７〜５５×１０^−７／℃であることが好ましい。
電子回路基板上にガリウムヒ素を形成する場合、α_０は５６×１０^−７〜８３×１０^−７／℃であることが好ましい。
電子回路基板を樹脂製回路基板と接合する場合、８４×１０^−７〜１３０×１０^−７／℃であることが好ましい。
【００４６】
低融点ガラス粉末は先に述べたように、ＳｉＯ_２ ３５〜７０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１８％、ＭｇＯ ０〜４０％、ＣａＯ ０〜１９％、ＢａＯ ０〜３５％、ＺｎＯ ０〜９％、から本質的になる（ガラス粉末Ｂ）。
このガラス粉末Ｂは前記ガラス粉末Ａに包含される。すなわち、ガラス粉末Ｂは、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯまたはＫ_２Ｏを合計で１０％以下、ＴｉＯ_２またはＺｒＯ_２を合計で５％以下、ＳｎＯ_２を５％以下で、いずれも必須ではないが含有してもよい。
なお、ガラス粉末Ｂは、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏはいずれも実質的に含有しないことが好ましい。また、ガラス粉末ＢがＳｎＯ_２を含有するとしてもその含有量は２％以下であることが好ましく、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２およびＳｎＯ_２のいずれかを含有する場合それらの含有量の合計は５％以下であることが好ましい。
【００４７】
ガラス粉末Ｂにおいて、α_０が３０×１０^−７〜５５×１０^−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出しない、または結晶が析出してもその量が少ないことが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ_２ ６０〜７０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２０〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜８％、ＭｇＯ ０〜１％、ＣａＯ ２〜８％、ＢａＯ ０〜２％、ＺｎＯ ０〜２％、からなり、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が８６〜９３％、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋Ａｌ_２Ｏ_３＋ＣａＯが９８％超であることが好ましい（ガラス粉末Ｂ１）。
【００４８】
ガラス粉末Ｂ１は前記ガラス粉末Ａ１に包含される。
なお、焼成時に結晶が析出しない、または結晶が析出してもその量が少ない場合には電子回路基板の寸法精度の向上が期待される。
ガラス粉末Ｂ１について、ε_０は典型的には３．８〜４．８、ｔａｎδ_０は０．００２０〜０．００３０である。
【００４９】
ガラス粉末Ｂにおいて、α_０が６６×１０^−７〜８３×１０^−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出することが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ_２ ３５〜５３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜２％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜１８％、ＭｇＯ ２０〜４０％、ＣａＯ ７超〜１９％、ＢａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ０〜９％、からなり、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３が５９％以下、Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上であることが好ましい（ガラス粉末Ｂ２）。
【００５０】
ガラス粉末Ｂ２は前記ガラス粉末Ａ２に包含される。
ガラス粉末Ｂ２は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにアノーサイトおよびディオプサイドの両者を析出するものであることが好ましい。アノーサイトはα_０を小さくする効果を有する。また、ディオプサイドはα_０を大きくし、またｔａｎδ_０を小さくする効果を有する。
なお、焼成時に結晶が析出する場合には電子回路基板の強度の向上が期待される。
ガラス粉末Ｂ２について、ε_０は典型的には６．５〜７．４、ｔａｎδ_０は０．００２０〜０．００５８である。
【００５１】
ガラス粉末Ｂにおいて、α_０が３０×１０^−７〜６６×１０^−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出することが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜１８％、ＭｇＯ １５〜４０％、ＣａＯ ０．５〜７％、ＢａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ０．５〜９％、からなることが好ましい（ガラス粉末Ｂ３）。
【００５２】
ガラス粉末Ｂ３は前記ガラス粉末Ａ３に包含される。
ガラス粉末Ｂ３について、ε_０は典型的には４．５〜７．０、ｔａｎδ_０は０．００２０〜０．００７５である。
ガラス粉末Ｂ３は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにコーディエライトを析出するものであることが好ましい。コーディエライトはα_０を小さくし、ε_０を小さくし、またｔａｎδ_０を小さくする効果を有する。
【００５３】
ガラス粉末Ｂにおいて、α_０が８４×１０^−７〜１１０×１０^−７／℃であることが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ９〜１８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜５％、ＢａＯ ２５〜３５％、ＺｎＯ ０〜５％、からなることが好ましい（ガラス粉末Ｂ４）。
【００５４】
ガラス粉末Ｂ４について、ε_０は典型的には４．８〜７．０、ｔａｎδ_０は０．００２０〜０．００５０である。
ガラス粉末Ｂ４は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶を析出するものであることが好ましい。ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶は、α_０を大きくし、ε_０を小さくし、またｔａｎδ_０を小さくする効果を有する。
【００５５】
次に、前記ガラス粉末Ｂの組成について説明する。
ＳｉＯ_２はネットワークフォーマであり、必須である。３５％未満ではε_０が大きくなる。７０％超ではガラス転移点Ｔ_Ｇが高くなる。
ガラス粉末Ｂ１ではｔａｎδ_０を小さくするために６０％以上とされる。好ましくは６３％以上である。
ガラス粉末Ｂ２ではアノーサイトおよびディオプサイドの両者を析出しやすくするために５３％以下とされる。好ましくは４６％以下である。
ガラス粉末Ｂ３およびＢ４では結晶を析出しやすくするために４８％以上とされる。好ましくは５０％以上である。また、Ｔ_Ｇを低くするために６０％以下とされる。好ましくは５７％以下である。
【００５６】
Ｂ_２Ｏ_３は必須ではないが、流動性を高めるため、またはε_０を小さくするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性、特に耐水性が低下する。
ガラス粉末Ｂ１では、Ｔ_Ｇを低くするため、またはε_０を小さくするためにＢ_２Ｏ_３は必須とされる。好ましくは２２〜２６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、ｔａｎδ_０を小さくするために２％以下とされる。好ましくは１．５％以下である。Ｂ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は０．５％以上であることが好ましい。
ガラス粉末Ｂ３では、流動性を高めるためにＢ_２Ｏ_３は必須とされる。また、ｔａｎδ_０を小さくするために１０％以下とされる。好ましくは１〜５％である。
ガラス粉末Ｂ４では、ｔａｎδ_０を小さくするために１０％以下とされる。好ましくは６％以下である。Ｂ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は０．５％以上であることが好ましい。
【００５７】
Ａｌ_２Ｏ_３はガラスを安定化する効果を有し、必須である。１８％超ではＴ_Ｇが高くなる。
ガラス粉末Ｂ１では、Ｔ_Ｇを低くするために８％以下とされる。好ましくは４〜６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、アノーサイトの析出を促進するために５％以上とされる。好ましくは７〜１２％である。
ガラス粉末Ｂ３では、結晶析出を促進するために５％以上とされる。好ましくは７〜１２％である。
ガラス粉末Ｂ４では、結晶析出を促進するために９％以上とされる。好ましくは９．５〜１２％である。
【００５８】
ＭｇＯは必須ではないが、結晶析出を促進したい場合等に４０％まで含有してもよい。４０％超ではガラスが不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１ではＭｇＯを１％までの範囲で含有してもよいが、実質的に含有しないことが好ましい。
ガラス粉末Ｂ２では、ディオプサイドの析出を促進するために２０％以上とされる。好ましくは２５〜３３％である。
ガラス粉末Ｂ３では、コーディエライトの析出を促進するために１５％以上とされる。好ましくは１８〜３６％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＭｇＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超ではＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶が析出しにくくなる。好ましくは３％以下である。
【００５９】
ＣａＯは必須ではないが、ガラスを安定化させる等のために１９％まで含有してもよい。１９％超ではガラスがかえって不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１では、ガラスを安定化させるために２％以上とされる。また、やはりガラスを安定化させるために８％以下とされる。好ましくは３〜６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、アノーサイトの析出を促進するために７％超とされる。好ましくは１２〜２０％である。
ガラス粉末Ｂ３では、ガラスを安定化させるために０．５％以上とされる。また、コーディエライトの析出を促進するために７％以下とされる。好ましくは１〜６％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＣａＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超ではＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶が析出しにくくなる。好ましくは３％以下である。
【００６０】
ＢａＯは必須ではないが、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶の析出を促進したい、Ｔ_Ｇを低くしたい、等の場合に３５％まで含有してもよい。３５％超ではガラスが不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１ではＢａＯを２％までの範囲で含有してもよい。
ガラス粉末Ｂ２、Ｂ３ではＢａＯを３％までの範囲で含有してもよい。３％超ではε_０が大きくなる。
ガラス粉末Ｂ４ではＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶析出を促進するために２５％以上とされる。好ましくは２８〜３３％である。
【００６１】
ＺｎＯは必須ではないが、流動性を高める等のために９％まで含有してもよい。９％超ではｔａｎδ_０が大きくなる。好ましくは７％以下である。
ガラス粉末Ｂ１ではＺｎＯを２％までの範囲で含有してもよい。好ましくは１％以下である。
ガラス粉末Ｂ３では流動性を高めるに０．５％以上とされる。好ましくは２〜７％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＺｎＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超では失透しやすくなる。好ましく３％以下である。
【００６２】
ガラス粉末Ｂ１においては、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が８６〜９３％、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋Ａｌ_２Ｏ_３＋ＣａＯが９８％超である。ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３が８６％未満ではε_０が大きくなる。また、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２ＯおよびＳｂ_２Ｏ_３のいずれも含有しないことが好ましい。
【００６３】
ガラス粉末Ｂ２においては、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３が５９％以下、Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上である。ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３が５９％超では結晶が析出しにくくなるおそれがある。また、Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３未満ではアノーサイトが析出しにくくなるおそれがある。
【００６４】
ガラス粉末Ｂは本質的に上記成分からなるがその他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で１０％以下であることが好ましい。１０％超では失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは合計で５％以下である。なお、鉛、カドミウムまたは砒素はいずれも含有しないことが好ましい。
前記その他の成分として先に挙げたＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２の他に以下のようなものが例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させる等のためにＢｉ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５、Ｆ等を含有してもよい。また、ガラスを着色させる等のためにＦｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３等を含有してもよい。
【００６５】
第２発明の組成物は本質的に耐火性粉末およびガラス粉末Ｂからなるがその他の成分、たとえば耐熱着色顔料等を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
【００６６】
【実施例】
表１のＳｉＯ_２〜Ｋ_２Ｏの欄にモル％表示で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合された原料を白金ルツボに入れて１５００〜１６５０℃で１２０分間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルで３０時間粉砕してガラス粉末とした（Ｇ１〜Ｇ５）。
【００６７】
ガラス粉末Ｇ１〜Ｇ５について、Ｄ_５０（単位：μｍ）、Ｔ_Ｇ（単位：℃）、結晶化温度Ｔ_Ｃ（単位：℃）、α_０（単位：１０^−７／℃）、比誘電率ε_０、誘電損失ｔａｎδ_０および析出結晶を以下のようにして測定した。結果を表１に示す。
Ｄ_５０：水を溶媒として、島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて測定した。
Ｔ_Ｇ、Ｔ_Ｃ：示差熱分析によりアルミナ粉末を標準物質として、昇温速度１０℃／分で室温から１０００℃まで測定した。なお、最初の発熱ピーク温度をＴ_Ｃとし、発熱ピークが認められないものはＴ_Ｃ＝∞とした。
α_０：ガラス粉末５ｇを加圧成形し９００℃で焼成したものを直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍに加工し、石英ガラスを標準としてマックサイエンス社製の示差熱膨張計ＤＩＬＡＴＯＭＥＴＥＲ５０００を用いて５０〜３５０℃における平均線膨張係数を測定した。
【００６８】
ε_０、ｔａｎδ_０：ガラス粉末４０ｇを６０ｍｍ×６０ｍｍの形状にプレス成形し、これを９００℃に１時間保持して焼成した。得られた焼成体を切断、研削後、上下両面を鏡面研磨して厚さ２５０μｍ、大きさ５０ｍｍ×５０ｍｍのサンプルを作製した。このサンプルについて空洞共振法により２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率および誘電損失を測定した。
析出結晶：９００℃に１時間保持する焼成によって得られた焼成体を粉砕し、Ｘ線回折によって結晶析出の有無、析出結晶の同定を行なった。「−」は結晶析出の認められなかったもの、「Ａ」はアノーサイト、「Ｂ」はＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶、「Ｃ」はコーディエライト、「Ｄ」はディオプサイド、「Ｆ」はフォルステライトを示す。
【００６９】
一方、４種類のα−アルミナ粉末、すなわち、住友化学工業社製スミコランダムＡＡ−０７（アルミナＡＬ１）、同社製スミコランダムＡＡ−２（アルミナＡＬ２）、同社製スミコランダムＡＡ−１０（アルミナＡＬ３）および昭和電工社製ＡＬ−４５Ｈ（アルミナＡＬ４）を用意した。
アルミナＡＬ１、ＡＬ２、ＡＬ３、ＡＬ４のそれぞれ２３個の粒子について先に述べたようにＳＥＭで観察しＬ、Ｗを測定した。Ｌの平均Ｌ_ＡＶ（単位：μｍ）およびＬ／Ｗの平均Ψ_ＡＶを表２に示す。なお、アルミナＡＬ１については倍率１００００倍で、アルミナＡＬ２、ＡＬ４については倍率５０００倍で、アルミナＡＬ３については倍率２０００倍で、それぞれ観察した。
また、アルミナＡＬ１〜ＡＬ４について、水を溶媒として島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて粒度分布（質量百分率表示）を測定した。結果を、９０％粒子径Ｄ_９０（単位：μｍ）、１０％粒子径Ｄ_１０（単位：μｍ）およびそれらの比Ｄ_９０／Ｄ_１０とともに表３に示す。
【００７０】
次に、表４のガラス種類、アルミナ種類の欄に示すガラス粉末、α−アルミナ粉末を同表のガラス、アルミナの欄に質量百分率表示で示す割合になるように混合した。得られた混合粉末を、有機溶剤（トルエンとイソプロピルアルコールを質量比で３：１に混合したもの）、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）および樹脂（デンカ社製ポリビニルブチラール ＰＶＫ＃３０００ｋ）と混合した。この混合物に前記有機溶剤を適宜添加して粘度を調整後、ＰＥＴフィルム上にドクターブレード法によって塗布、乾燥しグリーンシートを作製した。
得られたグリーンシートを５０ｍｍ×５０ｍｍに切断し、１２枚積層して、２０ＭＰａで１分間圧着プレスした。この圧着プレス品を５５０℃に５時間保持して樹脂成分を分解除去後、９００℃に１時間保持する焼成を行って、焼成体を作製した。
【００７１】
得られた焼成体について、以下のようにして焼結性、ε、ｔａｎδ、曲げ強度（単位：ＭＰａ）を評価または測定した。例２〜４、７は実施例、例１、５、６、８は参考例、例９は比較例である。例９については緻密な焼成体が得られず、ε、ｔａｎδ、曲げ強度は測定しなかった。
焼結性：焼成体を赤色の浸透液（マークテック社製スーパーチェックＵＰ−Ｇ３）に浸漬後水洗いし、焼成体が赤色に着色しているか否かを観察した。赤色に着色していない場合を○、赤色に着色していた場合を×とした。
ε、ｔａｎδ：ε_０、ｔａｎδ_０の測定の場合と同様にしてサンプルを作製し、測定した。
【００７２】
曲げ強度：焼成体を４ｍｍ×２０ｍｍに切断し、表面を＃１０００のＳｉ_３Ｎ_４研磨剤で仕上げ、クロスヘッドスピード０．５ｍｍ／分、スパン１５ｍｍの条件で３点曲げ強度を測定した。５回の測定結果の平均を曲げ強度とした。曲げ強度は、好ましくは１５０ＭＰａ以上、より好ましくは２００ＭＰａ以上である。
また、例２、例８については先に述べたようにして２０℃、４０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１（単位：ｄＢ／ｍｍ）を測定した。
【００７３】
【表１】

【００７４】
【表２】

【００７５】
【表３】

【００７６】
【表４】

【００７７】
【発明の効果】
本発明によれば９００℃またはそれ以下の温度での焼成によって電子回路基板に好適な焼成体が得られる。また、εおよびｔａｎδのいずれもが小さく、かつ強度の大きな焼成体が得られる。さらに、伝送損失Ｓ２１が小さな焼成体が得られる。

Claims (11)

1. 質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃である結晶化ガラス粉末４２〜９０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であり、前記結晶化ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ３５〜７０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１８％、ＭｇＯ ０〜４０％、ＣａＯ ０〜１９％、ＢａＯ ０〜３５％、ＺｎＯ ０〜９％、からなるガラスセラミックス組成物。
2. 前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ３５〜５３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜２％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜１８％、ＭｇＯ ２０〜４０％、ＣａＯ ７超〜１９％、ＢａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ０〜９％、からなり、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３が５９％以下、Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上である請求項１に記載のガラスセラミックス組成物。
3. 前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜１８％、ＭｇＯ １５〜４０％、ＣａＯ ０．５〜７％、ＢａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ０．５〜９％、からなる請求項１に記載のガラスセラミックス組成物。
4. 前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ９〜１８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜５％、ＢａＯ ２５〜３５％、ＺｎＯ ０〜５％、からなる請求項１に記載のガラスセラミックス組成物。
5. 質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末４２〜９０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ_２ ４８〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ９〜１８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜５％、ＢａＯ ２５〜３５％、ＺｎＯ ０〜５％、からなり、９００℃に６０分間保持して焼成したときにＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８結晶を析出するものであるガラスセラミックス組成物。
6. 前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下である請求項５に記載のガラスセラミックス組成物。
7. 前記無機物粉末の９０％粒子径Ｄ_９０と１０％粒子径Ｄ_１０の比Ｄ_９０／Ｄ_１０が５以下である請求項１〜６のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物。
8. 前記無機物粉末が、α−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末である請求項１〜７のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物。
9. 電子回路基板を製造する方法であって、請求項１〜８のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物を焼成することを特徴とする電子回路基板製造方法。
10. 電子回路基板の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率が８．６以下である請求項９に記載の電子回路基板製造方法。
11. 電子回路基板の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδが０．００３０以下である請求項９または１０に記載の電子回路基板製造方法。