Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4592473B2 - 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4592473B2 - 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル - Google Patents

発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル Download PDF

Info

Publication number
JP4592473B2
JP4592473B2 JP2005101673A JP2005101673A JP4592473B2 JP 4592473 B2 JP4592473 B2 JP 4592473B2 JP 2005101673 A JP2005101673 A JP 2005101673A JP 2005101673 A JP2005101673 A JP 2005101673A JP 4592473 B2 JP4592473 B2 JP 4592473B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
display panel
support substrate
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2005101673A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006286266A (ja
Inventor
学 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2005101673A priority Critical patent/JP4592473B2/ja
Priority to US11/393,650 priority patent/US7550916B2/en
Publication of JP2006286266A publication Critical patent/JP2006286266A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4592473B2 publication Critical patent/JP4592473B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851Division of substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、一組の支持基板と封止板との間に複数の発光領域を封止し、分割することによって複数の発光パネルを製造する方法に関するものである。
また、本発明は、一組の支持基板と封止板との間に複数の表示領域を封止し、分割することによって複数の表示パネルを製造する方法に関するものである。
また、本発明は、表示パネルに関するものである。
近年、自発光型の発光素子として有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略す)素子が注目され、この有機EL素子を用いた有機ELディスプレイの開発が進められている。有機EL素子は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を有している為、有機ELディスプレイは次世代の携帯電話や携帯端末(PDA)をはじめ、次世代のディスプレイとして期待されている。
有機ELディスプレイは、画像表示の為の複数の有機EL素子からなる表示領域を有する有機EL表示パネルと、駆動回路や駆動電源等を備えている。
有機EL素子は水分と接触すると発光特性が劣化するので、水分と接触しないように有機EL素子を封止して有機EL表示パネルとする必要がある。有機EL表示パネルは、有機EL素子が形成された支持基板上に接着剤を介して封止板を貼り合わせることにより製造される。
有機EL表示パネルを製造する工程では、生産効率の向上を図るために、多面取りと呼ばれる製造方法が多く採用されている。多面取りとは、一つの有機EL表示パネルのサイズよりも特定数倍大きい一枚の大型の支持基板上に、有機EL素子からなる特定数の表示領域を同時形成し、この表示領域側の支持基板面に対して、支持基板と略同じ大きさを有する一枚の大型の封止板とを接着剤によって貼り合わせた後に、貼り合わされた両板の積層体を各々の前記表示領域ごとに平面的に分割する方法である。この方法によって、前記表示領域を有する有機EL表示パネルを特定数個同時に製造することができる。
上記の製造方法で有機EL表示パネルを製造する方法の一つとして、支持基板と封止板を光硬化性樹脂を介して封止し、分割箇所を除いて選択的に光硬化性樹脂を硬化させ、未硬化の光硬化性樹脂が残存する箇所でそれぞれの有機EL表示パネルに分割する方法がある(特許文献1参照)。
しかし、特許文献1に記載された有機EL表示パネルの製造方法では、上記のように光硬化性樹脂のうち、前記表示領域を覆う部分を選択的に硬化させるためには、分断する箇所に光が照射されないように遮光部を形成した露光マスクを用い、この露光マスクを位置合わせした後に、露光マスクの透光部を通して光照射を行う必要がある。このため、有機EL表示パネルの製造工程が増加するという不都合がある。
さらに、前記表示領域を分割した際に、未硬化の光硬化性樹脂が有機EL表示パネルに付着するという不都合がある。かかる未硬化の光硬化性樹脂は、その後の作業工程において様々な場所に付着する可能性があるので、洗浄により除去される。洗浄の方法としては、例えば、アルコール等の有機溶媒等を用いて拭き取る、有機溶媒等の中に浸す等の方法がある。しかしこの場合、洗浄中に、有機溶媒等が有機EL表示パネルに浸透するので、前記表示領域に存在する有機材料が劣化する等によって、有機EL素子の発光特性及び信頼性が低下する惧れがある。また、このような洗浄作業は、前記表示領域を分割した後、個々の有機EL表示パネルごとに行う必要があり、有機EL表示パネルの製造工程が増えるため、製造歩留まりが低下するものであった。
このように、特許文献1に記載された有機EL表示パネルの製造方法では、製造歩留まりが低下するため、製造コスト高を招く原因となっていた。
特開2001−126866号公報
本発明の目的は、製造歩留まりの低下を抑制しながら、有機EL素子の発光特性及び信頼性を確保できる有機EL表示パネルの製造方法を提供することである。また、発光特性が良好で信頼性の高い有機EL表示パネルを提供することを目的とする。
本発明の第1の局面は、発光パネルの製造方法であって、支持基板の主面上に複数の発光領域を併設し、各発光領域上に接着剤からなる封止層を介して封止板を積層した積層体を形成した後、隣接する発光領域間の位置で前記積層体を分割することによって、発光領域を有する発光パネルを得る発光パネルの製造方法において、前記支持基板の主面上に各発光領域を覆うように接着剤を塗布して封止層を形成する封止層形成工程と、該封止層形成工程の前に、各発光領域間を含む前記支持基板の主面上に、前記接着剤との接着を阻止する接着阻止層を形成する接着阻止層形成工程とを備えることを特徴とする。
本発明の発光パネルは、自発光素子を備えた発光領域を有するものであって、このような自発光素子としては、有機EL素子に限らず、無機EL素子、FED素子、ECL素子等が使用可能である。従って、自発光素子の発光を画素ごとに制御する表示装置への適用が可能であるが、液晶表示装置用のバックライトのような面均一発光パネル、あるいはパネル状の照明装置への適用も可能である。
本発明の製造方法によれば、前記積層体を分割する箇所における前記支持基板の主面上と前記接着剤との接着を阻止することができるため、前記積層体を容易に分割することができる。また、未硬化の接着剤が残ることがないので、分割後に積層体を洗浄する必要がない。
本発明の第2の局面は、表示パネルの製造方法であって、支持基板の主面上に複数の表示領域を併設し、各表示領域上に接着剤からなる封止層を介して封止板を積層した積層体を形成した後、隣接する表示領域間の位置で前記積層体を分割することによって、表示領域を有する表示パネルを得る発光パネルの製造方法において、前記支持基板の主面上に各表示領域を覆うように接着剤を塗布して封止層を形成する封止層形成工程と、該封止層形成工程の前に、各表示領域間を含む前記支持基板の主面上に、前記接着剤との接着を阻止する接着阻止層を形成する接着阻止層形成工程とを備えることを特徴とする。
本発明の表示パネルは、表示素子を備えた表示領域を有するものであって、このような表示素子としては、発光型の表示素子である有機EL素子、無機EL素子、FED素子、ECL素子等が使用可能である他、ポリマーLCDなど非発光型の表示素子の使用も可能である。
本発明の製造方法によれば、前記積層体を分割する箇所における前記支持基板の主面上と前記接着剤との接着を阻止することができるため、前記積層体を容易に分割することができる。また、未硬化の接着剤が不要な箇所に残存することがないので、パネルの分割後に積層体を洗浄する必要がない。
本発明において、好ましくは、前記接着阻止層形成工程と封止層形成工程との間において、前記接着阻止層上を部分的に覆って前記接着阻止層が露出する面の平面位置を制限する制限層を形成する制限層形成工程を備える。
本発明によれば、接着阻止層を形成した領域において、制限層を形成することにより接着剤と接着する領域を事後的に選択できる。
本発明において、さらに好ましくは、前記表示領域が有機EL素子からなる表示パネルの製造方法において、前記制限層形成工程は、前記有機EL素子を構成する層を形成する工程を兼ねる。
このような製造方法を用いることにより、前記有機EL素子を構成する層を形成すると同時に、接着剤と接着できる領域を形成することができるので、自己整合的に接着阻止層が露出する面の平面位置を設定することが可能となる。さらに、接着剤と接着できる領域を形成するためのフォトリソグラフィー等の新たなパターニング工程が不要となるため、製造工程の増加を抑制できる。
前記有機EL素子を構成する層としては、前記接着阻止層上を部分的に覆って前記接着阻止層が露出する面の平面位置を制限する層であれば、陽極、有機層、又は陰極等のいずれか、又はこれらの組み合わせを用いることができる。
本発明において、さらに好ましくは、前記表示領域が有機EL素子からなる表示パネルの製造方法において、前記表示領域上を覆うように前記制限層を形成することによって表示領域の保護層を兼用する。
このような製造方法を用いることにより、保護層を形成すると同時に、接着剤と接着できる領域を形成することができ、接着剤と接着できる領域を形成するためのフォトリソグラフィー等の新たなパターニング工程が不要となるため、製造工程の増加を抑制することができる。また、有機EL素子上には透湿性の低い保護層が配置されることになるので、水分が有機EL素子を構成する有機材料に浸透し有機材料を劣化させることを抑制できるため、より信頼性の高い表示パネルを提供することができる。
本発明において、さらに好ましくは、前記接着阻止層形成工程は、前記有機EL素子を構成し、有機フッ化化合物からなる電荷注入層または電荷輸送層を形成する工程を兼ねる。
このような製造方法を用いることにより、前記接着阻止層形成工程と前記有機EL素子を構成する層の形成工程とを同時に行うことができるため、製造工程を簡略化することができる。また、有機EL素子の電荷注入層または電荷輸送層として有機フッ化化合物を用いることにより、発光特性に優れた、表示領域が有機EL素子からなる表示パネルを製造することができる。
本発明において、さらに好ましくは、前記接着阻止層形成工程は、前記支持基板の主面全面に接着阻止層を形成する。
かかる製造方法を用いることにより、パターニングすることなく、前記接着阻止層形成工程と前記有機EL素子を構成する層の形成を同時に行うことができるため、さらに製造工程を簡略化することができる。
本発明において、さらに好ましくは、前記制限層形成工程の後、該制限層表面をシランカップリング処理する工程を有する。
このような製造方法を用いることにより、前記制限層表面と接着剤との接着力を強化することができるので、前記有機EL素子に水分が浸入することをより抑制することができるため、信頼性の向上した、表示領域が有機EL素子からなる表示パネルを提供できる。
本発明において、さらに好ましくは、前記制限層表面に水酸基が存在する。
このような製造方法を用いることにより、さらに前記制限層表面と接着剤との接着力を強化することができるので、前記有機EL素子に水分が浸入することをより抑制することができるため、より信頼性の向上した、表示領域が有機EL素子からなる表示パネルを提供できる。
本発明において、さらに好ましくは、前記接着阻止層形成工程は、前記支持基板表面上を疎水化する工程を有し、前記制限層形成工程は、非疎水化する工程を有する。
このような製造方法を用いることにより、接着阻止層形成工程及び制限層形成工程を容易に行うことができる。
ここで、非疎水化とは、物体表面に存在する疎水性層若しくは疎水基を被覆することにより、表面に露出する疎水基を極めて少なくすることを意味する。
本発明の第4の局面は、表示パネルであって、支持基板上と、該支持基板上に形成された有機EL素子と、該有機EL素子上に設けられた接着剤からなる封止層と、該封止層上に設けられ、該封止層によって前記有機EL素子上に接着された封止板と、前記有機EL素子を駆動するために、前記支持基板上に設けられた端子部とを備えた表示パネルにおいて、前記有機EL素子には有機フッ化化合物層が設けられると共に、前記端子部の上面には前記フッ化化合物と同じ材料からなる有機フッ化化合物層が被覆されている。
本発明の表示パネルの構成によれば、端子部上に封止層の接着剤が付着しないので、端子上に接着剤が残存する場合に生じる惧れのある端子部と配線との電気的接続不良事故を防止することができる。
本発明の表示パネルの構成によれば、端子部上の有機フッ化化合物に疎水効果があり、端子部に水分が浸透しないため、端子部が水分により腐食するのを抑制することができる。
本発明の表示パネルにおいて、前記有機EL素子の有機フッ化化合物層は、発光層への電荷の注入あるいは輸送を促進する電荷輸送層あるいは電荷注入層として機能させると共に、前記端子部を覆う有機フッ化化合物層は、上記有機EL素子上の封止層が端子部に接着することを阻止する接着阻止層として機能させることができる。
従って、本発明の表示パネルの構成によれば、表示パネルの有機EL素子上の接着剤が端子部上に接着するのを阻止するために端子部上を覆う接着阻止層として、有機EL素子に用いる電荷輸送層あるいは電荷注入層の材料を兼用させたものであるので、端子部上を覆う接着素子層として別途の材料を使用する必要がなく、材料点数の削減が図れる。
本発明によれば、多面取りの製造工程を簡略化して製造歩留まりの向上を可能とした発光パネル、及び表示パネルの製造方法を提供することができる。さらに本発明においては、多面取りの製造工程を簡略化しながらも、有機EL素子の発光特性及び信頼性を確保した表示パネルの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、有機EL素子の発光特性及び信頼性を確保した表示パネルを実現できる。さらに、本発明の表示パネルは、上述の多面取りの製造工程に適した表示パネルを提供することができる。
本発明の実施形態について、図面を用いて、以下に説明する。
(実施の形態1)
まず、本実施形態に係る製造方法を用いて作製する有機EL表示パネルの構造について、図1乃至図4を参照して説明する。
1-1.有機EL表示パネルの全体構成
図1及び図2は、それぞれ、本実施形態に係る製造方法を用いて作製する有機EL表示パネルの構成を説明するための模式的な断面図及び上面図である。
図1は、隣接した有機EL表示パネル1ごとに分割される前の積層体1aの状態を示しており、分割部51を挟んで隣接する2つの有機EL表示パネルを図示した図である。積層体1aを作製後、分割部51において、隣接する有機EL表示パネル1,1が分割される。有機EL表示パネル1は、支持基板3と封止用の封止板4との間に表示領域31が封止用の封止層5を介して封止されて構成されている。
支持基板3は、駆動用のTFTが配されたTFT基板から構成される。また、支持基板3上には、複数個の有機EL素子2,2…が設けられ、これらの有機EL素子2,2…により表示領域31が構成されている。
有機EL素子2,2…は、図1に示すように支持基板3側から陽極7、接着阻止層6、有機層8及び陰極9がこの順に積層されて構成されている。隣接する有機EL素子2,2の間は絶縁材料からなるセル分離膜10によって分離されている。
陽極7は、例えば、ITO(インジウム−スズ酸化物)等の金属化合物から構成されるが、金属化合物の下にAg(銀)等の金属または合金からなる光反射性の材料が配設されてもよい。また、かかる陽極7は、各有機EL素子2,2…ごとに分離して形成されている。
接着阻止層6は、支持基板3と封止層5との接着を阻止している。接着阻止層6としては、臨界表面張力(γc)の小さい材料、例えば、20℃における臨界表面張力が31dyne/cm以下の有機フッ化化合物(CF、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフルオロエチレン等)やポリオレフィン(ポリプロピレン、ポリエチレン等)等からなる疎水性膜を用いることができる。
本実施形態において、接着阻止層6は、有機EL素子2を構成する層を兼ねている。かかる有機EL素子2を構成する層としては、陽極から発光層にホールを供給する層、例えば、ホール注入層、ホール輸送層等を用いることができる。また、有機EL素子2が支持基板3側に陰極、封止板4側に陽極を有する構造の場合には、接着阻止層6としては、発光層に電子を注入する層、例えば、電子注入層、電子輸送層等を用いることができる。
有機EL素子2を構成する層を兼ねる接着阻止層6は、有機フッ化化合物、例えば、CFを用いて構成されている。有機EL素子2を構成する層を兼ねる接着阻止層6の膜厚は、10nm以下であることが好ましい。
有機層8は、例えば陽極7側から、発光層及び電子輸送層がこの順に積層されて構成され、有機EL素子2は、陽極/ホール注入層/発光層/電子輸送層/陰極の構造を有する。しかしながら、有機EL素子2の構成はこれに限らず、
(1)陽極/ホール注入層/発光層/陰極
(2)陽極/ホール注入層/発光層/電子注入層/陰極
(3)陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
等の周知の構成をとることができる。
本実施形態にあっては、発光層は、例えば青色の光を発光する発光層と、オレンジ色の光を発光する発光層とが積層されてなる2層構造の発光層とされ、白色の光を発光することのできる構成とされている。
陰極9は、例えば、ITO等の金属化合物、金属または合金からなる光透過性の材料から構成される。本実施形態にあっては、図1に示すように、陰極9は各有機EL素子2,2…を覆うように連続的に形成されており、各有機EL素子2,2…に共通の陰極とされている。また、本実施形態においては、陰極9は制限層11により覆われている。
制限層11は、前記接着阻止層6上を部分的に覆って接着阻止層6が露出する面の平面位置を制限する層であり、封止層5と接着するものから構成される。制限層11は、本実施形態においては、支持基板3上に、表示領域31上を含み、且つ前記分割部51を除くように形成される保護層としての機能を兼ねている。制限層11としては、本実施形態のように保護層としての機能を有している場合に限らず、保護層が存在しない場合には、陽極7、有機層8、又は陰極9等の有機EL素子2を構成する層を兼用していてもよい。本実施形態においては、図1に示すように、Xで示した領域を除いて、制限層11が接着阻止層6上を覆って接着阻止層6が露出する面の平面位置を制限する。図1において保護層が存在しない場合、Yで示した領域を除いて、接着阻止層6が制限層に覆われる。この場合には、陰極9及び有機層8が制限層である。このように、制限層としては、前記保護層の他、有機EL素子2を構成する、陰極等の無機層、あるいは、発光層等の有機層でもよい。
制限層11としては、例えば、非疎水性膜等を用いることができる。かかる非疎水性膜は、物体表面に存在する疎水基を被覆することにより、表面に露出する疎水基を極めて少なくし、封止層5と表示領域31との接着性を高めている。
制限層11は、上記のように、透湿性が低く水分が有機EL素子2に浸入するのを抑制する保護層としての機能を有していてもよい。例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化亜鉛などの無機酸化物、無機窒化物等が用いられる。また、保護層は、これらの無機酸化物、無機窒化物の単層でも積層でもよく、無機酸化物、無機窒化物と有機材料との積層構造であってもよい。
さらに、制限層11は、最上層の表面に水酸基が存在するものであるのが好ましい。したがって、かかる制限層11は、CVD法により形成されるのが好ましい。CVD法によれば、最上層の表面に水酸基を形成できるからである。
封止板4は、有機EL素子2と対向する面に赤(R)、緑(G)及び青(B)用のカラーフィルター12R、12G、12Bを有する透光性の材料から構成されている。さらに、隣接するカラーフィルター間にはブラックマトリクス13が配されている。
そして、本実施形態にあっては複数の有機EL素子2,2…が白色の光を発光するように構成されており、それぞれの有機EL素子2,2…から出射される白色の光はR、G及びB用のカラーフィルター12R、12G及び12Bを介して外部に取り出される。このように、本実施形態にあっては、有機EL素子2,2…の発光が封止板4側から取り出されるトップエミッションの構成とされている。
また、本実施形態にあっては、発光層から出射された白色光をカラーフィルターを介して外部に取り出すことにより、赤、緑及び青の三色の光を得る構成であるが、発光層を赤、緑及び青の光を出射する赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の三種類に塗り分けることによって、赤、緑及び青の三色の光を得る構成であってもよい。
さらに同図において、封止層5は、紫外線硬化型、可視光硬化型、熱硬化型、紫外線及び熱による複合硬化型、または、紫外線を用いる後硬化型の樹脂等からなる。ただし、カラーフィルター又はCCM(色変換層)を有する封止板4を用いる場合は、紫外光がフィルター部を透過できないので、熱硬化型、可視光硬化型、紫外線を用いる後硬化型の樹脂等が用いられる。
具体的には、封止層5には、ユレア樹脂系、メラミン樹脂系、フェノール樹脂系、レゾルシノール樹脂系、エポキシ樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリウレタン樹脂系、アクリル樹脂系などの熱硬化性樹脂系と酢酸ビニル樹脂系、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂系、アクリル樹脂系、シアノアクリレート樹脂系、ポリビニルアルコール樹脂系、ポリアミド樹脂系、ポリオレフィン樹脂系、熱可塑性ポリウレタン樹脂系、飽和ポリエステル樹脂系、セルロース系などの熱可塑性樹脂系、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレートなどの各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系光硬化型接着剤、エポキシ、ビニルエーテルなどの樹脂を用いたカチオン系光硬化型接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤、クロロプレンゴム系、ニトリルゴム系、ステレン・ブタジエンゴム系、天然ゴム系、ブチルゴム系、シリコーン系などのゴム系、ビニル-フェノリック、クロロプレンーフェノリック、ニトリル-フェノリック、ナイロン-フェノリック、エポキシ-フェノリック、ニトリル-フェノリックなどの複合系の合成工高分子接着剤等が用いられる。
隣接する表示領域31,31の間には分割部51が配される。本実施形態においては、図1に示すように、端子部16とそれに隣接する表示領域31の間に分割部51が配される箇所がある。また、分割部51を含む封止板4表面及び前記陽極7上に前記接着阻止層6が形成されている。
図2は、有機EL表示パネル1の模式的な上面図であり、表示領域31及び制限層11に近接して端子部16が配されていることを示している。端子部16は、前記TFTを介して有機EL素子の陽極及び陰極にそれぞれ接続された、陽極引出し部16a及び陰極引出し部16bから構成される。なお、図2では、端子部16は、有機EL表示パネル1において、表示領域31の四辺のうち一辺周辺にまとめられて配されているが、かかる配置に限られず、例えば、表示領域31の四辺周辺に分けて配されてもよい。
図1では簡略のために、陰極9が端子部16に接続されているように記載しているが、実際は、陰極9は端子部16中の陰極引出し部16b(図1では図示せず)と接続され、また、陽極7は有機EL素子2ごとに端子部16中の陽極引出し部16a(図1では図示せず)と接続されている。
図1及び図2に示すように、表示領域31の外側には該領域31と近接して端子部16が配されており、この端子部16を介して表示領域31に外部から電気信号が供給される。端子部16上には、前記封止層5が存在しないことが好ましい。分割部51において隣接する有機EL表示パネル1,1を分割した後、端子部16の上に対応する箇所の封止板4を有機EL表示パネル1から分離することにより端子部16を露出させるが、かかる分離作業を容易とするためである。
また、陰極9と端子部16の間には、接着阻止層6が存在し、さらに、端子部16とFPC(フレキシブルプリントサーキット)等の外部入力端子とを接続した場合には、端子部16と外部入力端子との間にも接着阻止層6が存在することになるが、接着阻止層6は膜厚が小さいので、接着阻止層6が存在しない場合と同様の特性を有するため、陰極9と端子部16との間で電気的接続が得られ、有機EL素子2に電気信号を送信することが可能である。
1-2.本実施の形態の特徴について
本実施形態に係る製造方法を用いて図1に示す有機EL表示パネル1を作製する方法について、図3乃至図4を参照して以下に説明する。
図3(a)は、本実施形態に係る製造方法の工程を行う前の支持基板3の模式的上面図である。ここでは、4つの有機EL表示パネルを製造する場合について説明する。ただし、4つ以外の複数個の有機EL表示パネルを製造する場合も同様である。便宜上、図3(a)には、本実施形態に係る製造方法を用いて有機EL表示パネルが製造された状態における分割部51、表示領域31及び端子部16について図示している。
まず、支持基板3上に端子部16及び陽極7を形成する。
次に、支持基板3上における分割部51を含む表面上に前記接着阻止層6を形成する。本実施形態においては、この接着阻止層形成工程として、支持基板3表面全面を疎水化する場合について説明する。図3(b)は、支持基板3表面全面について疎水化した場合の模式的上面図である。支持基板3表面の全面について一度に疎水化することにより、疎水化領域の形成をパターニングなしで行うことができるため、有機EL表示パネル1の製造工程を簡略化できる。
本実施形態においては、接着阻止層6を支持基板3表面全面に形成するが、これに限らず、接着阻止層6を支持基板3における分割部51を含む表面上に形成すればよい。また、本実施形態においては、接着阻止層形成工程として、支持基板3表面を疎水化するが、これに限らず、封止層5が接着することを阻止する層を形成すればよい。
疎水化処理は、有機フッ化化合物等の疎水性膜を成膜することによって行ってもよい。また、支持基板3表面をシランカップリング剤によりシランカップリング処理してもよい。シランカップリング剤の一般式は、X−Si(OR)と表される。X−部が封止層5と反応しない置換基、例えば、トリフルオロプロピル基のようなフッ素を有する置換基である場合、かかるシランカップリング剤を用いて支持基板3表面をシランカップリング処理することにより、支持基板3表面が疎水化することができる。例えば、CFCHCHSi(OCH(トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等を用いることができる。上記シランカップリング処理は、支持基板3表面のうち、支持基板3と封止板4との間に封止層5を介して表示領域31を貼り合せる側の表面にカップリング剤を塗布する。カップリング剤塗布後、所定の条件で乾燥処理を行うことにより行われる。
次に、支持基板3表面上に有機EL素子2(陽極7を除く)を形成する。図3(c)は、支持基板3上に有機EL素子2から構成される表示領域31を形成した場合の模式的上面図である。なお、有機EL素子2は、上述したような構造である。この際、有機EL素子2の陽極7及び陰極9が前記端子部16と電気的に接続するように、有機EL素子2を形成する。
次に、支持基板3上に前記制限層11を形成する。本実施形態においては、制限層11を表示領域31表面を含み、且つ分割部51を除くように形成する。本実施形態においては、このような領域を非疎水化する場合について説明する。図3(d)は、このように支持基板3表面を非疎水化した場合の模式的上面図である。
かかる非疎水化は、物体表面に存在する疎水基を被覆することにより、表面に露出する疎水基を極めて少なくし、封止層5と表示領域31を接着しやすくする。
かかる非疎水化としては、透湿性の低い膜を保護膜として表示領域31を覆うように形成してもよい。透湿性の低い膜を保護膜として形成した場合には、水分が有機EL素子2を構成する有機材料に浸透し有機材料を劣化させることを抑制できるため、より信頼性の高い有機EL表示パネル1を提供することができる。かかる保護膜はマスクを用いる等によりパターニングして形成されるため、非疎水化としてかかる保護膜を形成する場合には、信頼性向上のための工程と非疎水化の工程を同時に行うことができ、フォトリソグラフィー等の非疎水化のための新たなパターニングを行うことなく、疎水化領域と非疎水化領域のパターニングが可能であるため、有機EL表示パネル1の製造工程を簡略化できる。
前記保護膜の表面に水酸基が存在する場合には、封止層5との接着力が強い。したがって、表面に水酸基を形成するCVD法を用いて前記保護膜を形成するのが好ましい。また、前記保護膜の最表面が有機材料である場合には、酸素存在下におけるプラズマ処理によって、保護膜表面に水酸基を形成することもできる。
さらに、封止板4のうち、前記支持基板3と貼り合わされる側の表面に、封止層5を形成する接着剤を塗布する。接着剤を支持基板3表面と封止板4表面のどちらに塗布しても本発明を実施することができるが、封止板4表面に塗布するのが好ましい。
ディスペンサーを用いて接着剤を塗布する際、誤って、接着剤が塗布される表面にディスペンサーの吐出部が衝突する惧れがある。支持基板3上に形成された有機EL表示領域31に該吐出部が衝突する場合、有機EL素子2、TFT、その他電極やTFTにつながった信号配線を損傷し、表示欠陥を招くことが懸念される。これに対して、該吐出部が封止板4に衝突する場合、カラーフィルターを損傷することはあっても、前述のような表示欠陥を招くまでは至らない。
また、接着剤として用いられる紫外線硬化樹脂等は硬化前には酸性を示すため、支持基板3に接着剤を塗布する場合、支持基板上の層に生じる可能性のあるクラックなどの欠陥があったとすると、この欠陥から酸性の接着剤が、進入して有機EL素子2やTFTの特性を劣化させる惧れがある。これに対して、封止板4上に塗布する場合には、両板3、4の接着後、接着剤が硬化されるまでの時間だけしか上述の酸性にさらされないので、たとえ、支持基板上の層のクラックなどの欠陥が生じたとしても、酸性の接着剤が、進入して有機EL素子2やTFTの特性を劣化させる可能性は低い。
図3(e)は、封止板4表面上に、封止層5を形成する接着剤を塗布した場合の模式的上面図である。本実施形態においては、接着剤の塗布領域は、支持基板3上の前記非疎水化された領域に対応する領域を含み、端子部16に対応する領域を除く領域である。封止層5を形成する接着剤の塗布領域としては、封止板4の表面全面であってもよいが、端子部16に対応する領域が除かれる方が好ましい。分割部51において隣接する有機EL表示パネル1,1を分割した後、端子部16の上に対応する箇所の封止板4を有機EL表示パネル1から分離することにより端子部16を露出させるが、かかる分離作業を容易とするためである。
次に、前記非疎水化された支持基板3と前記封止層が塗布された封止板4を貼り合せる。図3(f)は、支持基板3と封止板4を貼り合わせた状態の模式的上面図である。さらに、封止層5を所定の条件で硬化させることにより積層体1aを形成する。
次に、前記積層体1aを、隣接する表示領域31間における分割部51で分割する。図4は、積層体1aを分割部51で分割する様子を説明するための模式的断面図である。なお、図4は、図3(f)のAB間において切断した場合の模式的断面図である。
図4を参照して、有機EL表示パネル1は、支持基板3上の表示領域31が封止層5を介して封止板4と封止されて構成されている。図4においては、支持基板3と封止板4の間に、2組の表示領域31及び端子部16が形成されており、それぞれの表示領域31は制限層11により被覆されている。
図4(a)のように、分割部51に対応する支持基板3及び封止板4表面に分割溝52を形成する。次に、積層体1aに適当な応力を加えることにより、図4(b)に示すように、積層体1aを有機EL表示パネル1と不要部61に分割することにより、有機EL表示パネル1を取り出す(図4(b)の場合は2つの有機EL表示パネル)。
ここで、制限層11に覆われていない領域においては、接着阻止層6と封止層5との接着が阻止されるため、積層体1aに適当な応力を加えることにより、分割部51において有機EL表示パネル1と不要部61を容易に分割することができる。不要部61においても封止層5と支持基板3の接着が阻止されるため、応力印加時に不要部61は封止層5と支持基板3との界面で容易に分離する。
次に、有機EL表示パネル1に応力を印加することにより、図4(c)に示すように、端子部16上に位置する箇所の封止板4及び封止層5を分離する。端子部16表面には接着阻止層6が存在するので、端子部16表面と封止層5の界面において接着が阻止されるため、有機EL表示パネル1に応力を印加すると、端子部16表面と封止層5の界面で容易に分離し、それに伴い、有機EL表示パネル1のうち、封止板4及び封止層5のうち端子部16上に位置する箇所からなる不要部62を支持基板3から取り外すことができる。
上述した説明においては、まず、支持基板3上に端子部16及び陽極7を形成し、次に、支持基板3表面全面について疎水化した場合について説明したが、支持基板3上に端子部16を形成した後、陽極7がTFT端子と接続されるように、該TFT端子が露出されるようにパターニングして疎水化領域を形成し、次いで、陽極7を形成してもよい。
(実施の形態2)
本実施の形態においては、前記制限層11形成後、前記制限層11表面をカップリング剤により表面処理し、前記制限層11が形成された支持基板3と前記封止層5を形成する接着剤が塗布された封止板4を貼り合せる。それ以外は、実施の形態1と同様である。カップリング剤による表面処理により、制限層11と封止層5との接着強度が向上することができる。
カップリング剤は、各種封止層5と化学結合する反応基を有する場合、封止層5との界面強度を高めることができる。
上記表面処理は、支持基板3表面のうち、支持基板3と封止板4との間に封止層5を介して表示領域31を貼り合せる側にカップリング材を塗布する。カップリング材塗布後、所定の条件で乾燥処理を行うことにより行われる。
上記表面処理を行うことにより、支持基板3と封止板4との接着強度を高めることによって外部から有機EL素子2に水分が浸入することにより有機EL素子2の発光特性が劣化することを抑制できる。
カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミ系カップリング剤などがあり、特に、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤(X−Si(OR))は、シランカップリング剤は加水分解により、シラノール(X−Si(OH))となり、制限層11表面に水素結合的に吸着した後、加熱処理をすることで制限層11表面上の水酸基と脱水縮合反応して、制限層11と―O―の強固な化学結合を形成する。また、化1の構造のうち、X−部が封止層5と反応し強固な化学結合を形成する置換基である場合には、シランカップリング剤と封止層5の接着が強固なものとなる。したがって、制限層11と封止層5との接着強度が向上する。制限層11表面に水酸基が存在しない場合は、水酸基が存在する場合と比較して、シランカップリング剤は非疎水性膜と―O―の強固な化学結合を形成しないので、制限層11とシランカップリング剤との接着強度が落ちる。したがって、制限層11表面に水酸基が存在しない場合は、水酸基が存在する場合と比較して、制限層11と封止層5との接着強度が高くない。
したがって、カップリング剤による表面処理を行う場合は、より強固な接着力を保つ為に、接着剤が接触する箇所である制限層11は表面に水酸基が存在するものであるのが好ましい。
シランカップリング剤と制限層11との反応において、加水分解時にアルコールが、加熱処理時に水が気体(アウトガス)となって発生する。このアウトガスは有機EL素子2の金属電極の酸化や有機材料の変質を生じ、有機EL素子2の劣化の原因となる。
シランカップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル−トリス(2−メトキシ−エトキシ−エトキシ)シラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、3−4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルジメトキシシラン、3−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリス(n−アミノエチル)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス(2,4−ペンタジオネート)チタニウム(IV)、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−n−ブトキシチタンポリマー、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス(エチルアセトアセテート)、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウム=モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−n−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−iso−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−sec−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
これらカップリング剤の塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、印刷法等を用いることができる。
また、上記カップリング剤による表面処理に代えて、上記カップリング剤を含有する封止層を介して支持基板3と封止板4とを貼り合わせて、加熱処理により制限層11表面の水酸基と封止層5中のカップリング剤を反応させた後、減圧することによりアウトガスを積層体1aから除去し、封止層5を硬化させることもできる。この製造方法によっても、支持基板3と封止板4との接着強度を高めることにより外部から水分が有機EL素子2に浸入することを抑制でき、さらに、制限層11と封止層5との接着界面で発生するアウトガスが積層体1aに浸入することを抑制することが可能となり、かかるアウトガスが原因となる有機EL素子2の劣化を抑制することができるため、信頼性の高い有機EL表示パネル1を製造できる。
また、上記カップリング剤による表面処理を行わず、上記カップリング剤を含有する封止層5を用いる場合であっても、更に、封止層11が接触する箇所である制限層11は、表面に水酸基を存在させるようにした方が、より強固な接着力を保つことができる。
以下に、上記の実施の形態1の製造方法を用いて有機EL表示パネル1を作製した実施例を示す。
図3(a)に示すように、TFT基板からなる支持基板3上に端子部16を形成した。端子部16としては、Cr膜をスパッタ法により形成した。
また、TFT基板6の電極上に、陽極7を形成し、さらに、セル分離膜10を形成した。
次に、支持基板3表面全面に接着阻止層6を形成した(図3(b))。接着阻止層6として、三フッ化メタン(CHF)を原料ガスとして用いたプラズマCVD(化学気相堆積)法により、フッ化炭素(CF)を形成した。成膜時圧力が20Pa、バイアス電圧の印加電力は100Wで、10秒間成膜した。
続いて、図3(c)に示すように、支持基板3上に有機膜8をマスクを用いて蒸着し、さらに陰極9をマスクを用いて形成することにより、有機EL素子2,2…からなる表示領域31を形成した。
次に、図3(d)に示すように、支持基板3上に、保護膜でもある制限層11として、窒化ケイ素/酸化ケイ素/窒化ケイ素からなる積層膜を形成した。かかる制限層11は、前記表示領域31を覆うようにマスクを用いてパターニング形成された。
また、封止板4表面のうち、支持基板3と貼り合せる側の表面に、封止層5を形成する光硬化性樹脂からなる接着剤を塗布した。本実施例においては、図3(e)に示すように、少なくとも支持基板3上の前記制限層11に対応する領域を覆い、支持基板3上の端子部16に対応する領域を除くように、前記接着剤を塗布した。
次に、10Paの減圧雰囲気下において、封止層5を形成する接着剤を塗布した封止板4と制限層11を形成した支持基板3とを貼り合わせた。その後、封止板4に塗布された封止層5に紫外線を照射し、封止板4と支持基板3とを仮固定してから、大気圧に戻し、さらに封止層5に紫外線を照射することによって封止層5を硬化させることによって、積層体1aを作製した(図3(f))。
続いて、積層体1aから有機EL表示パネル1を作製する工程について、図4を用いて説明する。図4(a)は、図3(f)におけるAB間の模式的な断面図である。図4(a)に示すように、封止板4及び支持基板3における分割部51に、ダイヤモンドカッターで切り溝52を設けた。さらに、封止板4及び支持基板3に応力を印加することにより、図4(b)のように、有機EL表示パネル1と不要部61に分割した。さらに、図4(c)に示すように、有機EL表示パネル1において、不要部62を支持基板3から取り外すことによって、端子部16を露出させた。
分割後の有機EL表示パネル1は分割部51以外の箇所が割れることなく、切り残しや割れが生じることもなかった。
本発明に係る製造方法によって、不要な封止層が残ることなく、簡略な製造方法により、歩留まりの低下を抑制でき、製造コストを抑えた有機EL表示パネルを製造できた。
次いで、以下に、上記の実施の形態2の製造方法を用いて有機EL表示パネル1を作製した実施例を示す。
上述した実施例1において、支持基板3上に保護膜でもある制限層11として、窒化ケイ素/酸化ケイ素/窒化ケイ素/酸化ケイ素からなる積層膜を形成した。前記の積層膜のうち最外部に設けられた酸化ケイ素表面には水酸基が存在している。
次に、シランカップリング剤溶液を支持基板3上に滴下して、スピンコーターにより均一な膜厚になるように塗布した。シランカップリング剤として、γ―アミノプロピルトリエトキシシラン1%水溶液を用いた。かかるシランカップリング剤塗布後、所定の条件で乾燥処理を行った。
続いて、実施例1と同様に、封止層5を形成する光硬化性樹脂からなる接着剤が塗布された封止板4と、前記シランカップリング処理された支持基板3とを貼り合わせた。
これに続く工程は実施例1と同様であるので、省略する。
積層体1aの分割部51に対応する、支持基板3と封止板4の間において、硬化した封止層5が存在するにもかかわらず、分割後の有機EL表示パネル1は分割部51以外の箇所が割れることなく、切り残しや割れが生じることもなかった。
本発明に係る製造方法によって、不要な封止層が残ることなく、簡略な製造方法により、歩留まりの低下を抑制でき、製造コストを抑えた有機EL表示パネルを製造できた。
以上の通り、本発明を用いることにより、不要な封止層が残ることなく、製造工程を簡略化した方法により有機EL表示パネルを作製することができた。
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせに様々な変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
また、実施の形態では、有機EL素子2,2…の発光を封止板4側から取り出すトップエミッションの構成について説明したが、有機EL素子2,2…の発光を支持基板3側から取り出すボトムエミッションの構成にも本発明の技術を適用可能である。ボトムエミッションの構成に本発明の技術を適用した場合にも、上記の実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
本発明に係る有機EL表示パネルの構成を示す模式的段面図である。 本発明に係る有機EL表示パネルの構成を示す模式的上面図である 本発明に係る有機EL表示パネルの製造方法を示す模式的上面図である 本発明に係る有機EL表示パネルの製造方法を示す模式的段面図である。
符号の説明
1 表示パネル
1a 積層体
2 有機EL素子
3 支持基板
4 封止板
5 封止層
6 疎水性膜
11 非疎水性膜
16 端子部
31 表示領域
51 分割部

Claims (12)

  1. 支持基板の主面上に複数の発光領域を併設し、各発光領域上に接着剤からなる封止層を介して封止板を積層した積層体を形成した後、隣接する発光領域間の位置で前記積層体を分割することによって、発光領域を有する発光パネルを得る発光パネルの製造方法において、前記支持基板の主面上に各発光領域を覆うように接着剤を塗布して封止層を形成する封止層形成工程と、該封止層形成工程の前に、各発光領域間を含む前記支持基板の主面上に、前記接着剤との接着を阻止する接着阻止層を形成する接着阻止層形成工程とを備えることを特徴とした発光パネルの製造方法。
  2. 支持基板の主面上に複数の表示領域を併設し、各表示領域上に接着剤からなる封止層を介して封止板を積層した積層体を形成した後、隣接する表示領域間の位置で前記積層体を分割することによって、表示領域を有する表示パネルを得る発光パネルの製造方法において、前記支持基板の主面上に各表示領域を覆うように接着剤を塗布して封止層を形成する封止層形成工程と、該封止層形成工程の前に、各表示領域間を含む前記支持基板の主面上に、前記接着剤との接着を阻止する接着阻止層を形成する接着阻止層形成工程とを備えることを特徴とした表示パネルの製造方法。
  3. 前記請求項2記載の表示パネルの製造方法において、前記接着阻止層形成工程と封止層形成工程との間において、前記接着阻止層上を部分的に覆って前記接着阻止層が露出する面の平面位置を制限する制限層を形成する制限層形成工程を備えたことを特徴とする表示パネルの製造方法。
  4. 前記表示領域が有機エレクトロルミネッセンス素子からなる請求項3記載の表示パネルの製造方法において、前記制限層形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する層を形成する工程を兼ねることを特徴とする、請求項3に記載の表示パネルの製造方法。
  5. 前記表示領域が有機エレクトロルミネッセンス素子からなる請求項3記載の表示パネルの製造方法において、前記表示領域上を覆うように前記制限層を形成することによって表示領域の保護層を兼用することを特徴とした表示パネルの製造方法。
  6. 前記接着阻止層形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を構成し、有機フッ化化合物からなる電荷注入層または電荷輸送層を形成する工程を兼ねることを特徴とする、請求項5に記載の表示パネルの製造方法。
  7. 前記接着阻止層形成工程は、前記支持基板の主面全面に接着阻止層を形成することを特徴とする、請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。
  8. 前記保護層表面をシランカップリング処理することを特徴とする、請求項5に記載の表示パネルの製造方法。
  9. 前記制限層表面に水酸基が存在することを特徴とする、請求項5に記載の表示パネルの製造方法。
  10. 前記接着阻止層形成工程は、前記支持基板主面上を疎水化する工程を有し、前記制限層形成工程は、非疎水化する工程を有することを特徴とする、請求項5乃至請求項9のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。
  11. 支持基板上と、該支持基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、該有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられた接着剤からなる封止層と、該封止層上に設けられ、該封止層によって前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に接着された封止板と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するために、前記支持基板上に設けられた端子部とを備えた表示パネルにおいて、前記有機エレクトロルミネッセンス素子には有機フッ化化合物層が設けられると共に、前記端子部の上面には前記フッ化化合物と同じ材料からなる有機フッ化化合物層が被覆されていることを特徴とする表示パネル。
  12. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機フッ化化合物層は、発光層への電荷の注入あるいは輸送を促進する電荷輸送層あるいは電荷注入層であると共に、前記端子部を覆う有機フッ化化合物層は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子上の封止層が端子部に接着することを阻止する接着阻止層であることを特徴とする請求項11記載の表示パネル。
JP2005101673A 2005-03-31 2005-03-31 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル Expired - Lifetime JP4592473B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005101673A JP4592473B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル
US11/393,650 US7550916B2 (en) 2005-03-31 2006-03-31 Process of producing light emitting panel, process of producing display panel and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005101673A JP4592473B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006286266A JP2006286266A (ja) 2006-10-19
JP4592473B2 true JP4592473B2 (ja) 2010-12-01

Family

ID=37069545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005101673A Expired - Lifetime JP4592473B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7550916B2 (ja)
JP (1) JP4592473B2 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4869157B2 (ja) * 2006-07-05 2012-02-08 キヤノン株式会社 有機発光装置の製造方法
JP2008021480A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5201854B2 (ja) * 2007-03-07 2013-06-05 キヤノン株式会社 有機elパネルの製造方法
KR100884477B1 (ko) 2007-08-08 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5470689B2 (ja) * 2007-08-30 2014-04-16 ソニー株式会社 表示装置
US8083956B2 (en) * 2007-10-11 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
CN101816026A (zh) * 2007-10-22 2010-08-25 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
TWI360238B (en) * 2007-10-29 2012-03-11 Epistar Corp Photoelectric device
FR2924275B1 (fr) * 2007-11-27 2009-12-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage electronique recouvert d'une plaque de protection
FR2926678B1 (fr) * 2008-01-18 2013-05-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage electronique recouvert d'une plaque de protection.
TWI432835B (zh) * 2010-06-24 2014-04-01 Au Optronics Corp 可撓性顯示面板及其製造方法
JP5459142B2 (ja) * 2010-08-11 2014-04-02 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器
JP2013058474A (ja) * 2011-08-18 2013-03-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6182909B2 (ja) * 2013-03-05 2017-08-23 株式会社リコー 有機el発光装置の製造方法
WO2016067159A1 (en) * 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP6792723B2 (ja) * 2017-09-26 2020-11-25 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
US20190165328A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN108110145B (zh) * 2017-12-15 2024-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及封装方法、显示装置
CN113937236B (zh) * 2020-06-29 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69524429T2 (de) * 1994-09-08 2002-05-23 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur abdichtung eines organischen elektrolumineszenten elements und organisches elektrolumineszentes element
US6208075B1 (en) * 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
JP4255187B2 (ja) * 1999-10-22 2009-04-15 スタンレー電気株式会社 有機el表示装置の製造方法および該方法により製造された有機el表示装置
JP4712298B2 (ja) * 2002-12-13 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
JP2004220874A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Tohoku Pioneer Corp 有機el素子、およびその製造方法
JP4264707B2 (ja) * 2003-02-17 2009-05-20 ソニー株式会社 表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7550916B2 (en) 2009-06-23
US20060220550A1 (en) 2006-10-05
JP2006286266A (ja) 2006-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4592473B2 (ja) 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル
US12193261B2 (en) Display device having a sealing film covering a cathode
US8446093B2 (en) Organic electro-luminescent display device and manufacturing method thereof
KR101511551B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20140029439A (ko) 유기 광전자 장치 및 그의 봉입 방법
JP2007066775A (ja) 有機el素子の製造方法及び有機el素子
US7872255B2 (en) Organic light-emitting device
CN1489422A (zh) 双型有机电致发光显示器件及其制造方法
KR20050065327A (ko) 유기 el 패널 및 그 제조 방법
JP4449341B2 (ja) 封止構造
US7915098B2 (en) Method of fabricating display device and display device
CN111785753B (zh) 有机发光显示装置及制造方法
JP2009283242A (ja) 有機el表示装置
JP2005108678A (ja) 有機el発光装置およびその製造方法
CN101049049A (zh) 有机电致发光显示面板及其制造方法
JP2014197623A (ja) 有機el装置及び有機el装置の製造方法
CN112436093B (zh) 显示面板及显示面板的制造方法
US20230157044A1 (en) Method for producing display device, and display device
JP2004087357A (ja) 封止方法および有機電界発光素子の製造方法
US7602120B2 (en) Electroluminescence panel and method of making the same
JP2007242313A (ja) 表示装置の製造方法
CN114784061B (zh) 显示面板及其制备方法
JP2012069529A (ja) 有機el素子の製造方法
JP2011034827A (ja) 有機el表示装置およびその製造方法
KR100667017B1 (ko) 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080328

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100817

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100914

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4592473

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

EXPY Cancellation because of completion of term