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JP4594786B2 - Cutting equipment - Google Patents
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Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを切削加工する削装置に関する。 The present invention relates to a switching-cutting apparatus for cutting a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and circuits such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in these partitioned regions. Form. Then, by cutting the semiconductor wafer along the planned dividing line, the region where the circuit is formed is divided to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of sapphire substrates are also divided into individual optical devices such as light-emitting diodes and laser diodes by cutting along the planned division lines, and are widely used in electrical equipment. It's being used.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでおり、切削時には切削ブレードによる切削部に切削水を供給しつつ切削する。(例えば、特許文献1参照。)
特開平7−106284号公報
Cutting along the streets of the above-described semiconductor wafer, optical device wafer, or the like is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a chuck table and the cutting means. And a cutting feed means for moving them. The cutting means includes a spindle unit having a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism that rotationally drives the rotary spindle. During cutting, cutting is performed while supplying cutting water to a cutting portion by the cutting blade. . (For example, refer to Patent Document 1.)
JP-A-7-106284

而して、上述した切削装置においては、切削ブレードによってウエーハを切削した際に発生する切削屑が切削水に混入してウエーハの表面を漂い、ウエーハの表面に切削屑が付着して汚染するという問題がある。即ち、ウエーハの切削によって発生した切削屑は、切削水に混入してウエーハの表面を漂っている際にウエーハの表面に付着するとともに、切削水が撥水して乾燥するとウエーハの表面に強固に付着する。   Thus, in the above-described cutting apparatus, the cutting waste generated when the wafer is cut by the cutting blade is mixed with the cutting water and drifts on the surface of the wafer, and the cutting waste adheres to the surface of the wafer and is contaminated. There's a problem. In other words, the cutting waste generated by the cutting of the wafer is mixed with the cutting water and adheres to the surface of the wafer when drifting on the surface of the wafer, and when the cutting water repels and dries, it firmly adheres to the surface of the wafer. Adhere to.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、切削時に発生する切削屑がウエーハの表面に付着するのを防止することができる削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal technical problem is to provide a switching cutting apparatus capable of preventing the cutting chips generated during the cutting adheres to the surface of the wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの切削面に切削水を供給しつつウエーハを切削する切削手段と、ウエーハを収容したカセットを載置するカセット載置台を備えたカセット載置機構と、該カセット載置台上に載置された該カセットに収容されているウエーハを仮置き領域に搬出する搬出手段と、該仮置き領域に搬出されたウエーハを該チャックテーブルに搬送する搬送手段と、を具備する切削装置において、
該搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備し、
該紫外線照射手段は、透明なウエーハ支持部材によって仕切られた上部チャンバーと下部チャンバーとを備え、該上部チャンバー内には波長が184nmの紫外線を照射する第1の紫外線照射器と波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器が配設され、該下部チャンバーには波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器が配設されている、
ことを特徴とする切削装置が提供される。
In order to solve the above main technical problems, according to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a cutting means for cutting a wafer while supplying cutting water to a cutting surface of the wafer held by the chuck table, and a wafer A cassette mounting mechanism including a cassette mounting table for mounting a cassette storing the cassette, unloading means for unloading a wafer stored in the cassette mounted on the cassette mounting table to a temporary storage area, In a cutting apparatus comprising a conveying means that conveys the wafer carried to the temporary placement area to the chuck table,
UV irradiation means for imparting hydrophilicity to the cut surface by generating active oxygen and generating ozone by irradiating the cut surface of the wafer carried out by the carry-out means with ultraviolet rays,
The ultraviolet irradiating means includes an upper chamber and a lower chamber partitioned by a transparent wafer support member, and a first ultraviolet irradiator that irradiates ultraviolet light having a wavelength of 184 nm and an ultraviolet light having a wavelength of 254 nm. A second ultraviolet irradiator for irradiating UV light, and a third ultraviolet irradiator for irradiating ultraviolet light having a wavelength of 300 to 400 nm is disposed in the lower chamber.
A cutting device is provided.

上記紫外線照射手段は、上記カセット載置台の下側に配設されていることが望ましい。また、記紫外線照射手段は、上記チャンバーと連通するオゾン処理室を備えていることが望ましい。更に、紫外線照射手段は、下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備していることが望ましい。 It is desirable that the ultraviolet irradiation means is disposed on the lower side of the cassette mounting table. The upper SL ultraviolet illumination means, it is desirable to provide an ozone treatment chamber communicating with said chamber. Furthermore, it is desirable that the ultraviolet irradiation means includes an inert gas supply means for supplying an inert gas to the lower chamber.

また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段とを具備する切削装置に装備される紫外線照射ユニットであって、
ハウジングと、該ハウジング内を上部チャンバーと下部チャンバーに仕切る透明なウエーハ支持部材と、該上部チャンバーに配設され波長が184nmの紫外線を照射する第1の紫外線照射器および波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器と、該下部チャンバーに配設され波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器と、を具備している、
ことを特徴とする紫外線照射ユニットが提供される。
Further, according to the present invention, there is provided an ultraviolet irradiation unit equipped in a cutting apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a cutting means for cutting the wafer held by the chuck table,
A housing, a transparent wafer support member for partitioning the inside of the housing into an upper chamber and a lower chamber, a first ultraviolet irradiator disposed in the upper chamber and irradiating ultraviolet light having a wavelength of 184 nm, and irradiating ultraviolet light having a wavelength of 254 nm; A second ultraviolet irradiator that is disposed in the lower chamber and irradiates ultraviolet light having a wavelength of 300 to 400 nm.
An ultraviolet irradiation unit is provided.

上記下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備していることが望ましく、上記上部チャンバーと連通するオゾン処理室を備えていることが望ましい。   It is desirable to include an inert gas supply means for supplying an inert gas to the lower chamber, and it is desirable to include an ozone treatment chamber communicating with the upper chamber.

本発明による切削装置においては、搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備し、該紫外線照射手段は透明なウエーハ支持部材によって仕切られた上部チャンバーと下部チャンバーとを備え、上部チャンバー内には波長が184nmの紫外線を照射する第1の紫外線照射器と波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器が配設され、下部チャンバーには波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器が配設されているので、カセット載置台上に載置されたカセットから搬出されたウエーハの切削面に効率良く親水性を付与することができる。In the cutting apparatus according to the present invention, the cutting surface of the wafer carried out by the carrying-out means is irradiated with ultraviolet rays to generate ozone and generate active oxygen to impart hydrophilicity to the cutting surface, and includes ultraviolet irradiation means. The ultraviolet irradiation means includes an upper chamber and a lower chamber partitioned by a transparent wafer support member. The first chamber irradiates ultraviolet light having a wavelength of 184 nm and ultraviolet light having a wavelength of 254 nm. The second ultraviolet irradiator is disposed, and the lower chamber is provided with the third ultraviolet irradiator for irradiating ultraviolet light having a wavelength of 300 to 400 nm, so that the cassette mounted on the cassette mounting table It is possible to efficiently impart hydrophilicity to the cut surface of the wafer carried out from the wafer.

以下、本発明に従って構成された切削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Preferred embodiments of thus configured cutting machine of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明によって構成された切削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における切削装置は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。この装置ハウジング2内には、被加工物を保持するチャックテーブル3が切削送り方向である矢印Xで示す切削送り方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、吸着チャック支持台31と、該吸着チャック支持台31上に装着された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の表面である載置面上に被加工物である例えば円板状のウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。
FIG. 1 shows a perspective view of a cutting apparatus constructed according to the present invention.
The cutting device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 that holds a workpiece is disposed so as to be movable in a cutting feed direction indicated by an arrow X that is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 mounted on the suction chuck support 31, and is a workpiece on a mounting surface that is a surface of the suction chuck 32. For example, a disk-shaped wafer is held by suction means (not shown). The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).

図示の実施形態における切削装置は、切削手段としてのスピンドルユニット4を具備している。スピンドルユニット4は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Yで示す方向および切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転駆動される回転スピンドル42と、該回転スピンドル42に装着された切削ブレード43とを具備している。この切削ブレード43両側には切削水供給ノズル44が配設されている。この切削水供給ノズル44は図示しない切削水供給源に接続されており、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されている切削水が供給される。なお、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加された切削水については、本出願人の出願にかかる特願2004−347209を参照されたい。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a spindle unit 4 as cutting means. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in a direction indicated by an arrow Y that is an indexing direction and a direction indicated by an arrow Z that is a cutting direction. A rotary spindle 42 supported and rotated by a rotary drive mechanism (not shown) is provided, and a cutting blade 43 attached to the rotary spindle 42 is provided. Cutting water supply nozzles 44 are disposed on both sides of the cutting blade 43. The cutting water supply nozzle 44 is connected to a cutting water supply source (not shown), and is supplied with cutting water to which a high molecular weight polycarboxylic acid alkali salt is added. For cutting water to which a high molecular weight polycarboxylic acid alkali salt is added, see Japanese Patent Application No. 2004-347209 filed by the present applicant.

図示の実施形態における切削装置は、上記チャックテーブル3を構成する吸着チャック32の表面に保持された被加工物であるウエーハの表面を撮像し、上記切削ブレード43によって切削すべき領域を検出したり、切削溝の状態を確認したりするための撮像手段5を具備している。この撮像手段5は顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっている。また、図示の実施形態における切削装置は、撮像手段5によって撮像された画像を表示する表示手段6を具備している。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment images the surface of a wafer that is a workpiece held on the surface of the suction chuck 32 that constitutes the chuck table 3, and detects an area to be cut by the cutting blade 43. The imaging means 5 for confirming the state of the cutting groove is provided. The imaging means 5 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera. In addition, the cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a display unit 6 that displays an image captured by the imaging unit 5.

図示の実施形態における切削装置は、被加工物としてのウエーハを収容するカセット10を具備している。カセット10は、被加工物であるウエーハを出し入れするための被加工物搬出入開口101を備えており、両側壁の内面にはウエーハを載置するための複数個のラック棚102が上下方向に対向して設けられている。カセット10に収納される被加工物であるウエーハ11は、図1に示すように円板形状に形成されており、その表面に格子状に形成されたストリート111によって区画された多数の領域にIC、LSI等のデバイス112が形成されている。このように形成されたウエーハ11は、環状のフレーム12に装着された粘着テープ13の表面に貼着されている。粘着テープ13の粘着層は所定波長の紫外線を照射することによって粘着力が低下する所謂UVテープが用いられている。ウエーハ11を収容したカセット10は、被加工物搬出入開口101を被加工物載置領域14に向けてカセット載置機構7のカセット載置台71上に載置される。カセット載置台71の上面には、カセット10を載置したとき位置決めするための位置決め部材711が設けられている。なお、カセット載置機構7については、後で詳細に説明する。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a cassette 10 that houses a wafer as a workpiece. The cassette 10 is provided with a workpiece loading / unloading opening 101 for loading / unloading a wafer as a workpiece, and a plurality of rack shelves 102 for loading the wafer are vertically arranged on the inner surfaces of both side walls. It is provided facing. A wafer 11 which is a workpiece to be stored in the cassette 10 is formed in a disk shape as shown in FIG. 1, and ICs are formed in a large number of areas partitioned by streets 111 formed in a lattice shape on the surface thereof. A device 112 such as an LSI is formed. The wafer 11 formed in this manner is attached to the surface of the adhesive tape 13 attached to the annular frame 12. The adhesive layer of the adhesive tape 13 is a so-called UV tape whose adhesive strength is reduced by irradiating ultraviolet rays of a predetermined wavelength. The cassette 10 containing the wafer 11 is placed on the cassette placing table 71 of the cassette placing mechanism 7 with the workpiece loading / unloading opening 101 facing the workpiece placing region 14. On the upper surface of the cassette mounting table 71, a positioning member 711 for positioning when the cassette 10 is mounted is provided. The cassette mounting mechanism 7 will be described in detail later.

図示の実施形態における切削装置は、カセット10に収容された被加工物としてのウエーハ11を仮置き領域14に搬出するとともに切削加工後のウエーハ11をカセット10に搬入する搬出入手段15と、該搬出入手段15によって搬出されたウエーハ11を上記チャックテーブル3上に搬送する搬送手段16と、チャックテーブル3で切削加工されたウエーハ11を洗浄する洗浄手段17と、チャックテーブル3で切削加工されたウエーハ11を洗浄手段17へ搬送する洗浄搬送手段18を具備している。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a carry-in / out means 15 for carrying out the wafer 11 as a workpiece housed in the cassette 10 to the temporary placement region 14 and carrying the wafer 11 after the cutting into the cassette 10; The conveying means 16 that conveys the wafer 11 carried out by the carry-in / out means 15 onto the chuck table 3, the cleaning means 17 that cleans the wafer 11 cut by the chuck table 3, and the chuck table 3. A cleaning transport unit 18 for transporting the wafer 11 to the cleaning unit 17 is provided.

次に、上記カセット載置機構7について、図2および図3を参照して説明する。
図示の実施形態におけるカセット載置機構7は、上記カセット載置台71の下側に配設された紫外線照射手段8と、カセット載置台71を上下方向に移動させるための昇降手段72を具備している。
Next, the cassette mounting mechanism 7 will be described with reference to FIGS.
The cassette mounting mechanism 7 in the illustrated embodiment includes an ultraviolet irradiation means 8 disposed on the lower side of the cassette mounting table 71 and an elevating means 72 for moving the cassette mounting table 71 in the vertical direction. Yes.

紫外線照射手段8は、カセット載置台71が上壁を構成するハウジング81を具備している。図2および図3に示すようにハウジング81は、上側に形成された上部チャンバー811と、該上部チャンバー811の下側に形成された下部チャンバー812を備えている。この上部チャンバー811と下部チャンバー812とは、透明なガラス板からなるウエーハ支持部材82によって仕切られている。上部チャンバー811の上部には、波長が184nmの紫外線照射する第1の紫外線を照射器83と波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器84が交互に配設されている。また、下部チャンバー812には、波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器85が配設されている。なお、ハウジング81は、上部チャンバー811の図2において右側、即ち被加工物搬出入機構側に開口811aが形成されている。図示の実施形態における紫外線照射手段8のハウジング81は、上記下部チャンバー812の下側に形成されたオゾン処理室813および窒素ガス等の不活性ガスを収容する不活性ガス収容室814を備えている。オゾン処理室813はハウジング81に形成された通路815を介して上記上部チャンバー811と連通されている。また、オゾン処理室813には、上記通路815の開口と対向して鉄粉等からなるオゾン処理フィルター86が配設されているとともに、排出ファン87が配設されている。なお、ハウジング81には、排出ファン87と対向する位置に排出口816が設けられている。一方、下部チャンバー812と不活性ガス収容室814とを仕切る仕切り壁88には穴88aが形成されており、この穴88aに電磁開閉弁89が配設されている。なお、電磁開閉弁89は、図示しない制御手段によって制御されるようになっている。上記不活性ガス収容室814と電磁開閉弁89は、不活性ガスを第2のチャンバー812に供給する不活性ガス供給手段として機能する。   The ultraviolet irradiation means 8 includes a housing 81 in which a cassette mounting table 71 forms an upper wall. As shown in FIGS. 2 and 3, the housing 81 includes an upper chamber 811 formed on the upper side and a lower chamber 812 formed on the lower side of the upper chamber 811. The upper chamber 811 and the lower chamber 812 are partitioned by a wafer support member 82 made of a transparent glass plate. In the upper part of the upper chamber 811, a first UV irradiator 83 for irradiating UV light having a wavelength of 184 nm and a second UV irradiator 84 for irradiating UV light having a wavelength of 254 nm are alternately arranged. The lower chamber 812 is provided with a third ultraviolet irradiator 85 that irradiates ultraviolet rays having a wavelength of 300 to 400 nm. The housing 81 has an opening 811a on the right side of the upper chamber 811 in FIG. 2, that is, on the workpiece loading / unloading mechanism side. The housing 81 of the ultraviolet irradiation means 8 in the illustrated embodiment includes an ozone processing chamber 813 formed below the lower chamber 812 and an inert gas storage chamber 814 that stores an inert gas such as nitrogen gas. . The ozone treatment chamber 813 communicates with the upper chamber 811 through a passage 815 formed in the housing 81. The ozone treatment chamber 813 is provided with an ozone treatment filter 86 made of iron powder or the like so as to face the opening of the passage 815 and a discharge fan 87. The housing 81 is provided with a discharge port 816 at a position facing the discharge fan 87. On the other hand, a hole 88a is formed in the partition wall 88 that partitions the lower chamber 812 and the inert gas storage chamber 814, and an electromagnetic opening / closing valve 89 is disposed in the hole 88a. The electromagnetic on-off valve 89 is controlled by control means (not shown). The inert gas storage chamber 814 and the electromagnetic on-off valve 89 function as an inert gas supply unit that supplies the inert gas to the second chamber 812.

以上のように構成された紫外線照射手段8は、図2および図3に示すようにハウジング81の底壁817が昇降手段72によって昇降せしめられる支持台73上に固定される。   The ultraviolet irradiation means 8 configured as described above is fixed on a support base 73 on which the bottom wall 817 of the housing 81 is lifted and lowered by the lifting means 72 as shown in FIGS.

図示の実施形態における昇降手段72は、図2および図3に示すように装置ハウジング2の側壁21に沿って上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド721と、該雄ねじロッド721を回転せしめる正転および逆転可能なパルスモータ722と、上記雄ねじロッド721の両側に平行に配設され上下方向に延びる案内レール723を具備しており、雄ねじロッド721に上記支持台73の一端部に設けられた雌ねじ穴731が螺合するとともに、被案内レール732が案内レール723と嵌合するようになっている。従って、パルスモータ722を一方向に回転駆動すると支持台73は雄ねじロッド721および案内レール723に沿って上昇せしめられ、パルスモータ722を他方向に回転駆動すると支持台73は雄ねじロッド721および案内レール723に沿って下降せしめられる。このように昇降せしめられる支持台73は、図2に示すようにカセット載置台71に載置されたカセット10が上記搬出入手段15と対向し、紫外線照射手段8のハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aが装置ハウジング2内に配設された閉塞板22によって閉塞される第1の搬出入位置と、図3に示すように紫外線照射手段8のハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aが搬出入手段15と対向する第2の搬出入位置に位置付けられる。なお、第1の搬出入位置においては、昇降手段72はカセット載置台71に載置されたカセット10に収容されているウエーハの収容位置に対応して位置調整する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the elevating means 72 in the illustrated embodiment includes a male screw rod 721 disposed in the vertical direction along the side wall 21 of the apparatus housing 2 and rotatably supported, and the male screw rod 721. A pulse motor 722 that can be rotated forward and backward, and a guide rail 723 that is disposed in parallel to both sides of the male screw rod 721 and extends in the vertical direction are provided, and the male screw rod 721 is provided at one end of the support base 73. The provided female screw hole 731 is screwed and the guided rail 732 is fitted to the guide rail 723. Accordingly, when the pulse motor 722 is rotationally driven in one direction, the support base 73 is raised along the male screw rod 721 and the guide rail 723, and when the pulse motor 722 is rotationally driven in the other direction, the support base 73 is supported by the male screw rod 721 and the guide rail. 723 is lowered. As shown in FIG. 2, the support base 73 that is lifted and lowered in this way is an upper part formed in the housing 81 of the ultraviolet irradiation means 8 with the cassette 10 placed on the cassette placement base 71 facing the carry-in / out means 15. A first carry-in / out position where the opening 811a of the chamber 811 is closed by the closing plate 22 disposed in the apparatus housing 2, and an upper chamber 811 formed in the housing 81 of the ultraviolet irradiation means 8 as shown in FIG. The opening 811a is positioned at a second loading / unloading position facing the loading / unloading means 15. In the first loading / unloading position, the lifting / lowering means 72 adjusts the position corresponding to the accommodation position of the wafer accommodated in the cassette 10 placed on the cassette placement table 71.

図示の実施形態における切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ウエーハ11の切削を行うに際しては、ウエーハ11を収容したカセット10を、カセット載置機構7のカセット載置台71上の所定位置に載置する。なお、カセット載置台71上にカセット10を載置する場合には、カセット載置台71は図2に示すように第1の搬出入位置に位置付けられている。図2に示すように第1の搬出入位置においてカセット10がカセット載置台71上の所定位置に載置されることにより、カセット10に収容されたウエーハ11の切削作業の準備が完了する。
The cutting apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
When cutting the wafer 11, the cassette 10 containing the wafer 11 is placed at a predetermined position on the cassette placement table 71 of the cassette placement mechanism 7. When the cassette 10 is placed on the cassette placement table 71, the cassette placement table 71 is positioned at the first loading / unloading position as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the cassette 10 is placed at a predetermined position on the cassette placing table 71 at the first carry-in / out position, whereby the preparation for the cutting work of the wafer 11 accommodated in the cassette 10 is completed.

上述したように切削作業の準備が完了したならば、切削加工開始スイッチ(図示せず)が投入されると、カセット載置機構7の昇降手段72を作動してカセット載置台71に載置されたカセット10を図2に示す第1の搬出入位置に位置付ける。カセット10が図2に示す第1の搬出入位置に位置付けられたら、搬出入手段15を作動してカセット10の所定の棚上に載置されたウエーハ11を支持する環状のフレーム12を把持する。このように、搬出入手段15によってウエーハ11を支持する環状のフレーム12を把持したならば、搬出入手段15を図2おいて2点差線で示す位置に位置付ける。   As described above, when preparation for the cutting operation is completed, when a cutting start switch (not shown) is turned on, the lifting / lowering means 72 of the cassette mounting mechanism 7 is operated to be mounted on the cassette mounting table 71. The cassette 10 is positioned at the first loading / unloading position shown in FIG. When the cassette 10 is positioned at the first loading / unloading position shown in FIG. 2, the loading / unloading means 15 is operated to hold the annular frame 12 that supports the wafer 11 placed on a predetermined shelf of the cassette 10. . In this way, when the annular frame 12 that supports the wafer 11 is gripped by the loading / unloading means 15, the loading / unloading means 15 is positioned at a position indicated by a two-dotted line in FIG.

次に、カセット載置機構7の昇降手段72を作動してカセット載置台71の下側に配設された紫外線照射手段8を図3に示す第2の搬出入位置に位置付ける。紫外線照射手段8が図3に示す第2の搬出入位置に位置付けられると、ハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aがウエーハ11を支持した環状のフレーム12を把持した搬出入手段15と対向する位置となる。紫外線照射手段8が図3に示す第2の搬出入位置に位置付けられたら、搬出入手段15を作動してウエーハ11を支持した環状のフレーム12を開口811aを通して上部チャンバー811内に挿入し、ウエーハ支持部材82上に載置する。このように、ウエーハ11を支持した環状のフレーム12をウエーハ支持部材82上に載置したならば、搬出入機構15を図3おいて2点差線で示す位置に位置付ける。   Next, the raising / lowering means 72 of the cassette mounting mechanism 7 is operated to position the ultraviolet irradiation means 8 disposed on the lower side of the cassette mounting table 71 at the second carry-in / out position shown in FIG. When the ultraviolet irradiation means 8 is positioned at the second carry-in / out position shown in FIG. 3, the opening 811 a of the upper chamber 811 formed in the housing 81 and the carry-in / out means 15 holding the annular frame 12 supporting the wafer 11. It becomes the position to face. When the ultraviolet irradiation means 8 is positioned at the second loading / unloading position shown in FIG. 3, the loading / unloading means 15 is operated to insert the annular frame 12 supporting the wafer 11 into the upper chamber 811 through the opening 811a. Place on the support member 82. Thus, when the annular frame 12 supporting the wafer 11 is placed on the wafer support member 82, the carry-in / out mechanism 15 is positioned at a position indicated by a two-dot chain line in FIG.

次に、カセット載置機構7の昇降手段72を作動してカセット載置台71の下側に配設された紫外線照射手段8を図2に示す第1の搬出入位置に位置付ける。これにより、紫外線照射手段8のハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aは閉塞板22によって閉塞される。このようにしてハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aが閉塞板22によって閉塞されたならば、上部チャンバー811に配設された第1の紫外線照射器83および第2の紫外線照射器84を附勢し、波長が184nmの紫外線および波長が254nmの紫外線をウエーハ支持部材82上に載置されたウエーハ11に向けて照射する。この結果、波長が184nmの紫外線によって酸素分子を分解してオゾン(O3)が生成され、波長が254nmの紫外線によってオゾン(O3)が分解され高エネルギーの活性酸素が生成される。このようにして生成された活性酸素がウエーハ11の上面(切削面)に作用することにより、ウエーハ11の上面(切削面)は親水性が向上せしめられる(親水性付与工程)。 Next, the raising / lowering means 72 of the cassette mounting mechanism 7 is operated to position the ultraviolet irradiation means 8 disposed below the cassette mounting table 71 at the first carry-in / out position shown in FIG. As a result, the opening 811 a of the upper chamber 811 formed in the housing 81 of the ultraviolet irradiation means 8 is closed by the closing plate 22. Thus, if the opening 811a of the upper chamber 811 formed in the housing 81 is closed by the closing plate 22, the first ultraviolet irradiator 83 and the second ultraviolet irradiator 84 disposed in the upper chamber 811. The wafer 11 placed on the wafer support member 82 is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 184 nm and ultraviolet light having a wavelength of 254 nm. As a result, wavelength ozone decomposes oxygen molecules (O 3) is generated by ultraviolet rays of 184 nm, high-energy active oxygen wavelengths is decomposed ozone (O 3) by UV light of 254nm is produced. The active oxygen generated in this manner acts on the upper surface (cutting surface) of the wafer 11 so that the hydrophilicity of the upper surface (cutting surface) of the wafer 11 is improved (hydrophilicity imparting step).

上述したように、ウエーハ11の上面(切削面)に親水性が付与されたならば、第1の紫外線照射器83および第2の紫外線照射器84を除勢し、排出ファン87を附勢する。この結果、上部チャンバー811内で生成されたオゾンおよび活性酸素を含んだガスは、通路815を通ってオゾン処理室813に吸引される。このとき、オゾンおよび活性酸素がオゾン処理フィルター86を通過することにより吸収され、ガスは排出口816から排出される。   As described above, when hydrophilicity is imparted to the upper surface (cut surface) of the wafer 11, the first ultraviolet irradiator 83 and the second ultraviolet irradiator 84 are deenergized and the exhaust fan 87 is energized. . As a result, the gas containing ozone and active oxygen generated in the upper chamber 811 is sucked into the ozone treatment chamber 813 through the passage 815. At this time, ozone and active oxygen are absorbed by passing through the ozone treatment filter 86, and the gas is discharged from the discharge port 816.

次に、カセット載置機構7の昇降手段72を作動してカセット載置台71の下側に配設された紫外線照射手段8を図3に示す第2の搬出入位置に位置付ける。紫外線照射手段8が図3に示す第2の搬出入位置に位置付けられると、ハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aは搬出入機構15と対向する位置となる。そして、被加工物搬出入機構15を作動して親水性が付与されたウエーハ11を支持する環状のフレーム12を把持する。このように、ウエーハ11を支持する環状のフレーム12を把持した搬出入機構15は、ウエーハ11(以下、粘着テープ13を介して環状のフレーム12に支持された状態のウエーハ11を単にウエーハ11という)を仮置き領域14に搬出する。仮置き領域14に搬出されたウエーハ11は、搬送手段16の旋回動作によって上記チャックテーブル3を構成する吸着チャック32の載置面に搬送され、該吸着チャック32に吸引保持される。このようにしてウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル3は、撮像手段5の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル3が撮像手段5の直下に位置付けられると、撮像手段5によってウエーハ11に形成されているストリート111が検出され、スピンドルユニット4の割り出し方向である矢印Y方向に移動調節して精密位置合わせ作業が行われる。   Next, the raising / lowering means 72 of the cassette mounting mechanism 7 is operated to position the ultraviolet irradiation means 8 disposed on the lower side of the cassette mounting table 71 at the second carry-in / out position shown in FIG. When the ultraviolet irradiation means 8 is positioned at the second loading / unloading position shown in FIG. 3, the opening 811 a of the upper chamber 811 formed in the housing 81 is positioned to face the loading / unloading mechanism 15. Then, the workpiece carrying-in / out mechanism 15 is operated to hold the annular frame 12 that supports the wafer 11 having hydrophilicity. As described above, the carry-in / out mechanism 15 that holds the annular frame 12 that supports the wafer 11 is simply referred to as the wafer 11 (hereinafter, the wafer 11 that is supported by the annular frame 12 via the adhesive tape 13). ) To the temporary storage area 14. The wafer 11 carried out to the temporary placement area 14 is transported to the mounting surface of the suction chuck 32 constituting the chuck table 3 by the turning operation of the transport means 16 and is sucked and held by the suction chuck 32. The chuck table 3 that sucks and holds the wafer 11 in this way is moved to a position immediately below the image pickup means 5. When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, the street 111 formed on the wafer 11 is detected by the image pickup means 5, and is moved and adjusted in the direction of the arrow Y which is the indexing direction of the spindle unit 4 for precise alignment. Work is done.

その後、ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル3を切削送り方向である矢印Xで示す方向(切削ブレード43の回転軸と直交する方向)に移動することにより、チャックテーブル3に保持されたウエーハ11は切削ブレード43により所定のストリート111に沿って切断される(切削工程)。即ち、切削ブレード43は割り出し方向である矢印Yで示す方向および切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整されて位置決めされたスピンドルユニット4に装着され、回転駆動されているので、チャックテーブル3を切削ブレード43の下側に沿って矢印Xで示す切削送り方向に移動することにより、チャックテーブル3に保持されたウエーハ11は切削ブレード43により所定のストリート111に沿って切断される。このようにウエーハ11をストリート111に沿って切断することにより、個々のチップに分割される。分割されたチップは、粘着テープ13の作用によってバラバラにはならず、環状のフレーム12に粘着テープ13を介して支持されたウエーハ11の状態が維持されている。   Thereafter, the wafer 11 held on the chuck table 3 is moved by moving the chuck table 3 holding the wafer 11 in the direction indicated by the arrow X which is the cutting feed direction (direction orthogonal to the rotation axis of the cutting blade 43). The cutting blade 43 cuts along a predetermined street 111 (cutting process). That is, the cutting blade 43 is mounted on the spindle unit 4 that is moved and adjusted in the direction indicated by the arrow Y that is the indexing direction and the direction indicated by the arrow Z that is the cutting direction, and is rotationally driven. Is moved along the lower side of the cutting blade 43 in the cutting feed direction indicated by the arrow X, the wafer 11 held on the chuck table 3 is cut along the predetermined street 111 by the cutting blade 43. In this manner, the wafer 11 is cut along the streets 111 to be divided into individual chips. The divided chips do not fall apart due to the action of the adhesive tape 13, and the state of the wafer 11 supported by the annular frame 12 via the adhesive tape 13 is maintained.

上述した切削工程においては、切削水供給ノズル44から切削ブレード43によるウエーハ11の切削部に切削水が供給される。従って、切削ブレード43による切削によって生成された切削屑が切削水に混入してウエーハ11の上面である切削面に漂うことになる。しかるに、ウエーハ11の上面である切削面は上述した親水性付与工程によって親水性が向上せしめられ濡れた状態が維持されるので、切削屑がウエーハ11の上面である切削面に強固に付着することはない。なお、図示の実施形態においては、切削水には高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されているので、切削屑の切削面への付着が更に防止できる。   In the cutting process described above, cutting water is supplied from the cutting water supply nozzle 44 to the cutting portion of the wafer 11 by the cutting blade 43. Therefore, cutting waste generated by cutting with the cutting blade 43 is mixed with the cutting water and drifts to the cutting surface which is the upper surface of the wafer 11. However, the cutting surface that is the upper surface of the wafer 11 is improved in hydrophilicity and maintained in a wet state by the hydrophilicity imparting step described above, so that the cutting waste adheres firmly to the cutting surface that is the upper surface of the wafer 11. There is no. In the illustrated embodiment, the cutting water is added with a high molecular weight polycarboxylic acid alkali salt, so that it is possible to further prevent cutting chips from adhering to the cutting surface.

上述したようにして切削工程が終了したら、環状のフレーム12に粘着テープ13を介して支持されている分割されたチップ(以下、切削加工後のウエーハ11という)は、最初にウエーハ11を吸引保持した位置に戻され、ここで切削後のウエーハ11の吸引保持を解除する。次に、切削加工後のウエーハ11は、洗浄搬送手段18によって洗浄手段17に搬送され、ここで上記切削時に生成された切削屑が洗浄除去される(洗浄工程)。この洗浄工程においては、上述したようにウエーハ11の上面である切削面に親水性が付与され切削時に生成された切削屑が強固に付着していないので、切削屑は容易に除去される。このようにして洗浄された切削加工後のウエーハ11は、搬送手段16によって仮置き領域14に搬送される。   When the cutting process is completed as described above, the divided chips supported by the annular frame 12 via the adhesive tape 13 (hereinafter referred to as the wafer 11 after the cutting process) first hold the wafer 11 by suction. In this state, the suction holding of the wafer 11 after cutting is released. Next, the wafer 11 after the cutting is transported to the cleaning unit 17 by the cleaning transport unit 18, where the cutting waste generated during the cutting is cleaned and removed (cleaning step). In this cleaning process, as described above, the cutting surface, which is the upper surface of the wafer 11, is imparted with hydrophilicity and the cutting waste generated during cutting is not firmly attached, so that the cutting waste is easily removed. The wafer 11 after cutting that has been cleaned in this manner is transported to the temporary placement region 14 by the transport means 16.

一方、カセット載置機構7は、紫外線照射手段8を図3に示す第2の搬出入位置に位置付けている。そして、搬出入手段15を作動して上述したように仮置き領域14に搬送された切削加工後のウエーハ11を、第2の搬出入位置に位置付けられている紫外線照射手段8のハウジング81に形成された上部チャンバー811の開口811aを通して第1のチャンバー811内に挿入し、ウエーハ支持部材82上に載置する。このように、ウエーハ11をウエーハ支持部材82上に載置したならば、搬出入手段15を図3おいて2点差線で示す位置に位置付ける。このようにして切削加工後のウエーハ11を紫外線照射手段8に搬送したら、カセット載置機構7は昇降手段72を作動して図2に示す第1の搬出入位置に位置付ける。次に、紫外線照射手段8の電磁開閉弁89を附勢して不活性ガス収容室814と第2のチャンバー812とを連通し、不活性ガス収容室814内の不活性ガスを第2のチャンバー812に供給するとともに、第3の紫外線照射器85を附勢する。この結果、第3の紫外線照射器85から照射された波長が300〜400nmの紫外線が透明なウエーハ支持部材82を通して切削加工後のウエーハ11の裏面が貼着されている粘着テープ13に照射され、粘着テープ13の粘着力が低下せしめられる(粘着力低下工程)。なお、図示の実施形態においては、第3の紫外線照射器85を附勢する際に第2のチャンバー812に不活性ガスを供給するので、紫外線が効率よく粘着テープに照射される。このように粘着力低下工程を実施することにより、次工程であるピックアップ工程においては、個々に分割されたチップを粘着テープ13から剥離するピックアップが容易となる。   On the other hand, the cassette mounting mechanism 7 positions the ultraviolet irradiation means 8 at the second loading / unloading position shown in FIG. Then, the wafer 11 after being cut and conveyed to the temporary placement area 14 as described above by operating the carry-in / out means 15 is formed in the housing 81 of the ultraviolet irradiation means 8 positioned at the second carry-in / out position. The upper chamber 811 is inserted into the first chamber 811 through the opening 811 a and placed on the wafer support member 82. As described above, when the wafer 11 is placed on the wafer support member 82, the loading / unloading means 15 is positioned at a position indicated by a two-dot chain line in FIG. When the cut wafer 11 is conveyed to the ultraviolet irradiation means 8 in this way, the cassette mounting mechanism 7 operates the elevating means 72 to be positioned at the first loading / unloading position shown in FIG. Next, the electromagnetic on-off valve 89 of the ultraviolet irradiation means 8 is energized to connect the inert gas storage chamber 814 and the second chamber 812, and the inert gas in the inert gas storage chamber 814 is passed through the second chamber. At the same time, the third ultraviolet irradiator 85 is energized. As a result, the ultraviolet light with a wavelength of 300 to 400 nm irradiated from the third ultraviolet irradiator 85 is irradiated to the adhesive tape 13 to which the back surface of the wafer 11 after cutting is attached through the transparent wafer support member 82. The adhesive strength of the adhesive tape 13 is reduced (adhesive strength reduction step). In the illustrated embodiment, since the inert gas is supplied to the second chamber 812 when the third ultraviolet irradiator 85 is energized, the ultraviolet light is efficiently irradiated onto the adhesive tape. By carrying out the adhesive strength lowering process in this way, in the pickup process as the next process, it becomes easy to pick up the individually divided chips from the adhesive tape 13.

上述したように紫外線照射手段8に搬送された切削加工後のウエーハ11が貼着されている粘着テープ13に紫外線を照射したら、第3の紫外線照射器85を除勢するとともに、電磁開閉弁89を除勢する。そして、カセット載置機構7は昇降手段72を作動して図3に示す第2の搬出入位置に位置付ける。次に、搬出入手段15を作動して紫外線照射手段8によって粘着力が低下せしめられた粘着テープ13に貼着されている切削加工後のウエーハ11を搬出する。そして、カセット載置機構7の昇降手段72を作動してカセット10を図2に示す第1の搬出入位置に位置付けた後、再度搬出入手段15を作動して切削加工後のウエーハ11を第1の搬出入位置に位置付けられているカセット10の所定位置に収容する。このようにして、切削加工後のウエーハ11をカセット10の所定位置に収容したならば、搬出入手段15を作動して次に切削すべきウエーハをカセット10から搬出し、上述した切削作業を繰り返し実施する。   As described above, when ultraviolet light is applied to the adhesive tape 13 to which the wafer 11 after cutting that has been conveyed to the ultraviolet irradiation means 8 is adhered, the third ultraviolet irradiation device 85 is de-energized and the electromagnetic opening / closing valve 89. Be de-energized. Then, the cassette mounting mechanism 7 operates the lifting / lowering means 72 to be positioned at the second carry-in / out position shown in FIG. Next, the carry-in / out means 15 is actuated to carry out the wafer 11 after the cutting, which is stuck to the adhesive tape 13 whose adhesive force has been lowered by the ultraviolet irradiation means 8. Then, after the lifting / lowering means 72 of the cassette mounting mechanism 7 is actuated to position the cassette 10 at the first carry-in / out position shown in FIG. 2, the carry-in / out means 15 is actuated again to remove the wafer 11 after cutting. 1 is accommodated in a predetermined position of the cassette 10 positioned at the carry-in / out position. Thus, when the wafer 11 after cutting is stored in a predetermined position of the cassette 10, the loading / unloading means 15 is operated to carry out the wafer to be cut next from the cassette 10, and the above-described cutting operation is repeated. carry out.

なお、上述した切削作業においては、親水性付与工程が実施されたウエーハ11に対して切削工程を実施している間に、次に切削すべきウエーハ11をカセット10から搬出して親水性付与工程を実施し、親水性が付与されたウエーハ11をカセット10に戻して準備しておくことで、作業効率を向上することができる。   In the above-described cutting operation, the wafer 11 to be cut next is carried out from the cassette 10 while the hydrophilic step is performed on the wafer 11 on which the hydrophilic step has been performed, and the hydrophilic step is performed. The working efficiency can be improved by performing the above and returning the wafer 11 to which hydrophilicity is imparted to the cassette 10 and preparing it.

以上のように本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。図示の実施形態においては、親水性付与工程を切削装置に装備された紫外線照射手段8によって実施する例を示したが、切削装置に隣接して配置した紫外線照射手段によって親水性付与工程を実施してもよい。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited only to embodiment. In the illustrated embodiment, the example in which the hydrophilicity imparting step is performed by the ultraviolet irradiation means 8 provided in the cutting device has been shown. However, the hydrophilicity imparting step is performed by the ultraviolet irradiation means arranged adjacent to the cutting device. May be.

本発明に従って構成された切削装置である切削装置の斜視図。The perspective view of the cutting device which is a cutting device comprised according to this invention. 図1に示す切削装置に装備されるカセット載置機構の第1の作動状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 1st operation state of the cassette mounting mechanism with which the cutting apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示す切削装置に装備されるカセット載置機構の第2の作動状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 2nd operation state of the cassette mounting mechanism with which the cutting apparatus shown in FIG. 1 is equipped.

符号の説明Explanation of symbols

2:装置ハウジング
3:チャックテーブル
4:スピンドルユニット
43:切削ブレード
44:切削水供給ノズル
5:撮像手段
6:表示手段
7:カセット載置機構
71:カセット載置台
8:紫外線照射手段
81:ハウジング
811:上部チャンバー
812:下部チャンバー
813:オゾン処理室
814:不活性ガス収容室
82:ウエーハ支持部材
83:第1の紫外線を照射器
84:第2の紫外線照射器
85:第3の紫外線照射器
82:昇降手段
10:カセット
11:ウエーハ
12:環状のフレーム
13:粘着テープ
15:搬出入手段
16:搬送手段
17:洗浄手段
18:洗浄搬送手段
2: Device housing 3: Chuck table 4: Spindle unit 43: Cutting blade 44: Cutting water supply nozzle 5: Imaging means 6: Display means 7: Cassette placing mechanism 71: Cassette placing table 8: Ultraviolet irradiation means 81: Housing 811 : Upper chamber 812: Lower chamber 813: Ozone processing chamber 814: Inert gas storage chamber 82: Wafer support member 83: First UV irradiator 84: Second UV irradiator 85: Third UV irradiator 82 : Lifting means 10: Cassette 11: Wafer 12: Ring frame 13: Adhesive tape 15: Loading / unloading means 16: Conveying means 17: Cleaning means 18: Cleaning conveying means

Claims (7)

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの切削面に切削水を供給しつつウエーハを切削する切削手段と、ウエーハを収容したカセットを載置するカセット載置台を備えたカセット載置機構と、該カセット載置台上に載置された該カセットに収容されているウエーハを仮置き領域に搬出する搬出手段と、該仮置き領域に搬出されたウエーハを該チャックテーブルに搬送する搬送手段と、を具備する切削装置において、
該搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備し、
該紫外線照射手段は、透明なウエーハ支持部材によって仕切られた上部チャンバーと下部チャンバーとを備え、該上部チャンバー内には波長が184nmの紫外線を照射する第1の紫外線照射器と波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器が配設され、該下部チャンバーには波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器が配設されている、
ことを特徴とする切削装置。
A cassette having a chuck table for holding a wafer, a cutting means for cutting the wafer while supplying cutting water to the cutting surface of the wafer held by the chuck table, and a cassette mounting table for mounting a cassette containing the wafer A loading mechanism; unloading means for unloading the wafer housed in the cassette mounted on the cassette mounting table to a temporary placement region; and transporting the wafer unloaded to the temporary placement region to the chuck table. A cutting device comprising a conveying means;
UV irradiation means for imparting hydrophilicity to the cut surface by generating active oxygen and generating ozone by irradiating the cut surface of the wafer carried out by the carry-out means with ultraviolet rays ,
The ultraviolet irradiating means includes an upper chamber and a lower chamber partitioned by a transparent wafer support member, and a first ultraviolet irradiator that irradiates ultraviolet light having a wavelength of 184 nm and an ultraviolet light having a wavelength of 254 nm. A second ultraviolet irradiator for irradiating UV light, and a third ultraviolet irradiator for irradiating ultraviolet light having a wavelength of 300 to 400 nm is disposed in the lower chamber.
The cutting device characterized by the above.
該紫外線照射手段は、該カセット載置台の下側に配設されている、請求項記載の切削装置。 The ultraviolet light irradiation means is arranged on the lower side of the cassette mounting table, the cutting apparatus according to claim 1. 該紫外線照射手段は、該チャンバーと連通するオゾン処理室を備えている、請求項1又は2記載の切削装置。 The cutting apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the ultraviolet irradiation means includes an ozone treatment chamber communicating with the chamber. 該紫外線照射手段は、該下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備している、請求項1から3のいずれかに記載の切削装置。 The cutting apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the ultraviolet irradiation means includes an inert gas supply means for supplying an inert gas to the lower chamber. ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段とを具備する切削装置に装備される紫外線照射ユニットであって、
ハウジングと、該ハウジング内を上部チャンバーと下部チャンバーに仕切る透明なウエーハ支持部材と、該上部チャンバーに配設され波長が184nmの紫外線を照射する第1の紫外線照射器および波長が254nmの紫外線を照射する第2の紫外線照射器と、該下部チャンバーに配設され波長が300〜400nmの紫外線を照射する第3の紫外線照射器と、を具備している、
ことを特徴とする紫外線照射ユニット。
An ultraviolet irradiation unit equipped in a cutting apparatus comprising a chuck table for holding a wafer and a cutting means for cutting a wafer held on the chuck table,
A housing, a transparent wafer support member for partitioning the inside of the housing into an upper chamber and a lower chamber, a first ultraviolet irradiator disposed in the upper chamber and irradiating ultraviolet light having a wavelength of 184 nm, and irradiating ultraviolet light having a wavelength of 254 nm; A second ultraviolet irradiator that is disposed in the lower chamber and irradiates ultraviolet light having a wavelength of 300 to 400 nm.
An ultraviolet irradiation unit characterized by that.
該下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備している、請求項記載の紫外線照射ユニット。 6. The ultraviolet irradiation unit according to claim 5 , further comprising an inert gas supply means for supplying an inert gas to the lower chamber. 該上部チャンバーと連通するオゾン処理室を備えている、請求項又は記載の紫外線照射ユニット。 And a ozone treatment chamber communicating with said upper chamber, UV irradiation unit according to claim 5 or 6, wherein.
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