JP4598779B2

JP4598779B2 - コンタクタ及びコンタクタを用いた試験方法

Info

Publication number: JP4598779B2
Application number: JP2006544721A
Authority: JP
Inventors: 大輔小泉; 直人小橋; 一宏田代; 巧熊田原
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2004-11-16
Filing date: 2004-11-16
Publication date: 2010-12-15
Anticipated expiration: 2024-11-16
Also published as: CN100505437C; CN101061609A; JPWO2006054329A1; US20070252608A1; US7825676B2; KR100932459B1; KR20070067216A; WO2006054329A1

Description

本発明はコンタクタに係り、特に半導体装置のような電子部品の特性試験に使用するコンタクタ及びコンタクタを用いた試験方法に関する。

近年、携帯通信端末、携帯電話、デジタルカメラ等の電子機器に対して、小型化、軽量化への要求が強くなっている。これに伴い、これら電子機器に使用される半導体装置等の電子部品に対しても、小型化、軽量化が要望されている。

このような要求を満たす半導体装置として、ＩＣチップとほぼ同じサイズにパッケージされたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）と称される半導体装置が用いられている。ＣＳＰの代表例としては、ＦＢＧＡ（Fine-pitch Ball Grid Array）、ＦＬＧＡ（Fine-pitch Land Grid Array）等があげられる。

一方、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなコンピュータの中央演算装置においては、その集積度の向上により、外部接続端子の数が増え続けている。この結果、上述のＣＳＰとは異なり、ＣＰＵの外形は増大し且つ外部接続端子（電極）のピッチがさらに減少されている。ＣＰＵに使われるＩＣパッケージとしては、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等があげられる。

以上のように、半導体装置の形状や外部接続端子の形状、大きさは多岐にわたっており、非常に多くの種類の半導体装置が市場に出回っているが、いずれの半導体装置においても、小型化、軽量化、集積度の向上が図られ、電極の微細化及び電極ピッチの低減が図られている。

これらの半導体装置は、製造工程において特性試験が行われるが、特性試験の際に半導体装置の外部接続端子と一時的に電気的導通を得る必要がある。半導体装置と試験回路を電気的に接続するために、一般的にコンタクタが用いられる。上述のように半導体装置の外部接続端子の微細化、ピッチの減少に伴い、コンタクタの接触子も微細化しピッチを減少しなければならない。

ここで、従来のコンタクタの一例を図１に示す。図１に示すコンタクタ２はＢＧＡタイプの半導体装置４の特性試験に用いられるものであり、複数のコンタクトピン６を有している。コンタクトピン６の各々は、半導体装置４の外部接続端子４ａに接触する接触部と試験用回路基板８の電極部８ａに接続される接触部とを有している。半導体装置４が上方から押圧されることで、コンタクトピン６がたわみ、半導体装置４の外部接続端子４ａ及び試験回路基板８の電極部８ａに適切な接触圧が加わる構造である。

本発明の背景技術に関連した文献として、例えば以下の特許文献が挙げられる。
特開平７−７２２１２号公報特開平７−９４２４９号公報

上述のような従来のコンタクタを用いて半導体装置の特性試験を行なう際、特に高周波デバイスの特性試験においては、コンタクトピンの長さそのものが容量（インダクタンス）となってしまい、高周波特性試験を実施する際のノイズ発生源となって、十分な特性試験を実施することがむずかしい場合がある。

すなわち、従来のコンタクトピン（接触子）は、その一端が電子部品により押圧され、その押圧分だけ、コンタクトピンがたわみ、そのたわみによって発生した荷重によりコンタクトピンの反対端が試験回路基板の端子に接触して押圧され、電子部品と試験回路基板との導通経路が形成される。このような従来のコンタクトピンが例えばアナログ系の高周波デバイスを試験するためのコンタクタに用いられた場合には、コンタクトピンの長さが容量（インダクタンス）となり、ノイズ発生やクロストーク発生等の要因となる。

したがって、コンタクトピンの長さ、すなわち接触子の導電経路長を短くするために、様々な形状のコンタクタが提案されているが、年々高周波帯域が向上していく状況下において、従来のコンタクトピンを用いたコンタクタでは特性試験を実施することが困難な場合がますます多くなっている。また、導電経路を短くすることによって、接触子のたわみ量（ストローク）を十分に確保することができなくなり、量産時の自動搬送装置（テストハンドラ等）に適用することができなくなるという問題もある。

本発明の総括的な目的は、上記の問題を解決した改良された有用なコンタクタを提供することである。

本発明のより具体的な目的は、コンタクトすべき電子部品の外部接続端子から試験回路基板までの伝送距離を短くし、高周波特性試験にて特性試験が可能なコンタクタ及びそのようなコンタクタを用いた試験方法を提供することである。

上述の目的を達成するために、本発明の一つの面によれば、電子部品の端子を外部回路に電気的に接続するためのコンタクタであって、複数の孔を有するコンタクタ基板と、導電性材料により形成され、該コンタクタ基板の該孔の各々に挿入されて一部が該孔から突出して延在する接触子と、該孔の各々の内面に形成された導電部とを有し、前記接触子が収容される前記孔は底面を有し、前記接触子の一部が前記底面で支持されており、前記接触子の各々は、前記電子部品の前記端子の対応する一つに接触する第１の接触部と、中間部分において前記導電部に接触する第２の接触部とを有し、該第２の接触部を介して前記外部回路に電気的に接続されることを特徴とするコンタクタが提供される。

また、本発明の他の面によれば、コンタクタを用いた試験方法であって、基板の孔に収容されて該孔の底面で支持された接触子の、前記孔から突出した第１の端部に電子部品の電極を押圧し、押圧力により該接触子を湾曲させて、前記接触子の前記第１の端部と、前記第１の端部とは反対側の第２の端部との間の中間部分を該基板の該孔の内面に設けられた導電部に接触させ、前記電子部品と該回路基板とを電気的に接続して試験を行なうことを特徴とするコンタクタを用いた試験方法が提供される。

上述のように、本発明によれば、接触子の一端を押圧して接触子を中間部分で湾曲させ、湾曲した部分を接触点として導通を得るため、導通経路は接触子の一端と中間部分の接触点との間となる。したがって、導通経路の長さは接触子の両端の間の長さより短くなり、接触子のインダクタンスに起因するノイズ発生やクロストーク発生を減少することができる。

従来のコンタクタの一例を示す断面図である。コンタクタの全体を示す斜視図である。図２に示すコンタクタの断面図である。本発明の第１実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図４に示す接触子の変形例を示す断面図である。本発明の第２実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図６に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。図６に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。図６に示す絶縁基板を導電基板に置き換えたコンタクタの接触子が設けられた部分を示す断面図である。本発明の第３実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。本発明の第４実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。本発明の第５実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

まず、本発明に係るコンタクタの全体構成について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２はコンタクタの全体を示す斜視図であり、図３は図２に示すコンタクタの断面図である。

図２に示すように、コンタクタ１２は、半導体装置が挿入される開口部１４ａを有する筐体１４と複数の接触子（コンタクトピン）１６が設けられたコンタクタ基板１８とよりなる。接触子１６の端部は開口部１４ａ内で露出している。被試験体である電子部品としてのＬＳＩ等の半導体装置の外部接続端子に接触子６の端部を接触させて押圧することにより、接触子１６を介して半導体装置の外部接続端子とコンタクタ基板１８に含まれる回路基板の端子とを電気的に接続する。

図３に具体的に示すように、半導体装置２０の裏面には例えば半田ボールやバンプのような外部接続端子２０ａが複数個設けられ、半導体装置２０は外部接続端子２０ａを下側に向けた状態で筐体１４の開口部１４ａ内に配置される。したがって、外部接続端子２０ａは開口部１４ａ内に突出している接触子１６の先端に接触する。

接触子１６の各々は、コンタクタ基板１８の孔に個別に配置される。半導体装置２０の外部接続端子２０ａが接触子１６の先端に接触した状態で、筐体１４のカバー（図示せず）が閉められると、半導体装置２０は押圧され、この押圧力により接触子１６がたわんで適切な接触圧が得られる構成である。

なお、コンンタクタ基板１８の上側には接触子１６の位置決め孔が設けられた整列板２２が配置される。接触子１６はコンタクタ基板１８の孔に入った状態で整列板２２の孔により突出した先端部が保持され、直立した状態を維持することができる。なお、接触子１６をコンタクタ基板１８の孔１８ａ内で自立して配置できる形状としておけば、整列板２２は必ずしも設ける必要はない。

次に、本発明の第１実施例によるコンタクタについて、図４を参照しながら説明する。図４は本発明の第１実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。

図４において、接触子１６はコンタクタ基板１８の孔１８ａ内に配置され、先端部が孔１８ａから突出している。接触子１６の先端は第１の接触部Ａにおいて半導体装置２０の外部接続端子２０ａに接触する。

コンタクタ基板１８は、試験回路基板２４と、絶縁基板２６及び２８とを含んでいる。試験回路基板２４は接触子１６が配置されるコンタクタ基板１８の孔１８ａの一部となる貫通孔２４ａを有しており、貫通孔２４ａの内面は例えば銅めっき膜のような導電膜２４ｂで覆われて導電部が形成されている。試験回路基板２４は多層配線基板であり、上述の貫通孔２４ａの内面の導電膜２４ｂは試験回路基板２４の内部に形成されたパターン回路に接続される。そして、パターン回路は、半導体装置２０の電気的特性試験を行なうための試験回路に接続され、半導体装置２０の試験が行われる。

絶縁基板２６は、コンタクタ基板１８の孔１８ａの一部となる孔２６ａを有しており、絶縁性材料で形成される。また、絶縁基板２８はコンタクタ基板の孔１８ａの底面を形成するために設けられ、絶縁基板２６と同様に絶縁性材料で形成される。本実施例では絶縁基板２６と絶縁基板２８を重ね合わせた構成としたが、一枚の絶縁性材料の板に、底面を有する孔を形成して一枚の絶縁基板とすることもできる。

接触子１６は細長い板状又は棒状の導電材料、例えば銅材より形成され、真っ直ぐに延在した第１の端部と、湾曲した中間部分と、第１の端部とは反対側で略Ｖ字形状に湾曲した第２の端部とを有する。

以上のような構成のコンタクタにおいて、コンタクタ基板１８の孔１８ａに配置された接触子１６は、孔１８ａから突出した第１の端部の先端が半導体装置２０の外部接続端子２０ａに接触する第１の接触部Ａを有する。そして湾曲した中間部分は試験回路基板２４の貫通孔２４ａの内面と接触するように構成され、この部分が第２の接触部Ｂとなる。すなわち、接触子１６は長手方向の両端（第１の端部と第２の端部）との間の中間部分に電気的接点（第２の接触部Ｂ）を有している。

本実施例では、略Ｖ字形状に湾曲した接触子１６の第２の端部は第３の接触部Ｃを形成しているが、電気的接点としては機能しない。第２の端部が略Ｖ字形状に湾曲していることで、接触子１６が押圧されてたわむ（変形する）際に、接触子１６の第２の端部が孔１８ａ内で移動しないように、第２の接触部の反対側で孔１８ａ（孔２６ａ）の内面に当接し、第２の端部が横方向に移動して接触子１６が倒れることを防止している。

以上のように、本実施例では、接触子１６の第１の端部における第１の接触部Ａと、中間部分における第２の接触部Ｂとの間が導通経路となり、従来の接触子より導通経路が短くなっている。したがって、半導体装置２０の外部接続端子２０ａから試験回路基板２４までの伝送距離が短くなり、良好な状態で高周波特性試験を行なうことができる。また、ノイズの混入やクロストークの発生を低減することができる。

なお、図４において、接触子１６の第１の端部を支持する整列板２２（図３参照）は省略されている。また、整列板２２を設ける代わりに、図５に示す接触子１６Ａのように接触子１６の第１の端部を更に湾曲し、第２の接触部Ｂの反対側で孔１８ａの内壁に接触させることにより、接触子１６Ａ自身で直立して孔１８ａ内に配置されることとしてもよい。この場合、接触子１６Ａの導通経路は、接触子１６よりさらに短くなる。なお、この接触子１６Ａの形状は、以下に説明する他の実施例においても採用することができる。

次に、本発明の第２実施例によるコンタクタについて、図６を参照しながら説明する。図６は本発明の第２実施例によるコンタクタの接触子の部分の拡大断面図である。図６において図４に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

本発明の第２実施例によるコンタクタは、上述の第１実施例によるコンタクタのうち、コンタクタ基板１８を構成する絶縁基板２８を試験回路基板３０に置き換えたものであり、それ以外の構成は第１実施例によるコンタクタと同じである。したがって、本実施例によるコンタクタのコンタクタ基板１８Ａは、試験回路基板２４（以下、第１の試験回路基板と称す）と絶縁基板２６と試験回路基板３０（以下、第２の試験回路基板と称す）とを有する。

第２の試験回路基板３０は、コンタクタ基板１８の孔１８ａの底面に相当する部分に端子３０ａを有している。端子３０ａは第２の試験回路基板３０内に形成されたパターン回路３０ｂに接続されており、パターン回路３０ｂを介して試験回路に接続される。

図７は図６に示すコンタクタの導電経路を示す断面図である。図７に示すように、例えば、第１の試験回路基板２４に信号系の電気回路を組み込んで、高周波信号が通過する導電経路は短い導電経路とし、第２の試験回路基板３０には動作周波数が高くない経路（例えば、電源経路やグラウンド経路）を形成しておく。すなわち、導電経路が短い方が好ましい信号経路は第２の接触部Ｂを介して第１の試験回路基板２４に形成し、導電経路が長くてもかまわない信号経路は第３の接触部Ｃを介して第２の試験回路基板３０に形成し、電源又はグラウンド回路に接続する。

あるいは、図８に示すように、第１の試験回路基板２４と第２の試験回路基板３０とを同電位としておき、第１の試験回路基板２４を介してセンス用回路に接続し、第２の試験回路基板３０を介してフォース用回路に接続することとしてもよい。これにより、ケルビン式測定（４点式測定）での試験が可能となる。

また、上述のコンタクタ基板１８の絶縁基板２６を導電基板に置き換えることで、ノイズ発生やクロストークを低減することができる。図９は図６に示す絶縁基板２６を導電基板に置き換えたコンタクタの接触子が設けられた部分を示す断面図である。

絶縁基板２６の代わりに設けられた導電基板３２は、銅、銅合金、ステンレス鋼等の金属からなる導電材料により形成され、絶縁基板２６と同様に接触子を収容するための孔３２ａを有している。孔３２ａの内面は誘電体材料よりなる絶縁部３２ｂにより覆われている。この誘電体材料として、例えば同軸ケーブル等に使用されているＰＴＦＥ（Poly Tetra Fluoro Ethylene）などのフッ素系樹脂に代表される低誘電率材料を用いることが好ましい。

以上の構成の導電基板３２を用いてコンタクタ基板１８Ｂを形成し、導電基板３２を第１の試験回路基板２４又は第２の試験回路基板３０のグラウンド端子又は電源端子と接続することによって、接触子１６の周囲を同軸構成とすることができる。これにより、接触子１６のインピーダンスマッチングを図り、ノイズ発生及びクロストーク発生を低減させることができる。動作周波数の高いデバイス、例えばアナログデバイス等では信号入力等で動作させた場合に接触子同士の干渉等でノイズが発生してしまう場合があるが、このように孔３２ａの内面を誘電体材料３２ｂにて取り囲むことで、接触子同士の干渉を防止し、ノイズ発生やクロストーク発生等を低減することができる。

なお、絶縁部３２ｂの材料は、上述のフッ素系樹脂に限ることなく、試験特性に合わせた様々な誘電体材料を選択することができる。

次に、本発明の第３実施例について、図１０を参照しながら説明する。図１０は本発明の第３実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。なお、図１０には、形状の異なる３種類の接触子１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄが示されているが、これらを全てを用いる必要はなく、適宜選択して用いればよい。

図１０に示すコンタクタ基板１８Ｃは、図６に示すコンタクタ基板１８Ａの上にさらに絶縁基板３４及び試験回路基板３６を設けたものである。絶縁基板３４は図６に示す絶縁基板２６と同様な構成であり、試験用回路基板３６も図６に示す試験回路基板２４と同様な構成である。

図１０において、左側に示された接触子１６Ｂは中間部分が長く形成され、第２の接触部Ｂにおいて上側の試験基板３６の孔３６ａの内面に形成された導電膜３６ｂに接触し、第３の接触部Ｃにおいて略Ｖ字形状の端部が試験回路基板３０の端子３０ａに接触するよう構成されている。

一方、中央に示された接触子１６Ｃは端部が長く形成され、第２の接触部Ｂにおいて、下側の試験回路基板２４に接触し、第３の接触部Ｃにおいて略Ｖ字形状の端部が試験回路基板３０の端子３０ａに接触するよう構成されている。右側に示された接触子１６Ｄは、中間部分の湾曲部を有しておらず、したがって第２の接触部Ｂを有していない。すなわち、接触子１６Ｄは上端が半導体装置２０の外部接続端子２０ａに接続され、反対側の端部が試験回路基板３０の端子３０ａに接触するように構成されている。

以上のような接触子１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄを適宜選択して用いることにより、外部接続端子２０ａを試験回路基板２４，３０，３６に接続することができる。これにより、例えば半導体装置２０の品種毎にコンタクタ基板を製作する必要がなくなり、コンタクト基板を共通化することができる。

なお、コンタクタ基板１８Ｃは、各基板を別個に形成してから重ねて貼り合せて形成することとしてもよく、あるいは一つの基板を多層基板として形成することとてもよい。

次に、本発明の第４実施例について、図１１を参照しながら説明する。図１１は本発明の第４実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図１１において、図６に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

本実施例によるコンタクタは、接触子１６Ｅの略Ｖ字形状端部の先端が第４の接触部Ｄとして機能する点が、図６に示すコンタクタとは異なる。第４の接触部Ｄを設けるために、接触子１６Ｅの略Ｖ字形状端部は、図６に示す接触子１６の略Ｖ字形状端部より大きな形状とされている。これにより、接触子１６Ｅの略Ｖ字形状端部は、試験回路基板２４の導電膜２４ｂの延長部として形成されたランド部２４ｃに接触する。この部分が第４の接触部Ｄとなる。絶縁基板３８の孔３８ａは、図６に示す絶縁基板２６の孔２６ａより大きくされており、接触子１６Ｅの略Ｖ字形状端部の先端は、試験回路基板２４と絶縁基板３６との間でランド部２４ｃに接触することができる。

以上のように第４の接触部Ｄを設けることにより、試験回路基板との接触をより確実にすることができ、試験の信頼性を向上することができる。

次に、本発明の第５実施例について、図１２を参照しながら説明する。図１２は本発明の第５実施例によるコンタクタの接触子が設けられた部分の拡大断面図である。図１２において、図１１に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

本実施例では、図１１に示す接触子１６Ｅを異なる形状の接触子１６Ｆに置き換えたものであり、他の部分は図１１に示す構成と同じである。接触子１６Ｆは図１１に示す接触子１６Ｅを上下逆にしたような形状であり、半導体装置２０の外部接続端子２０ａに接触する部分が略Ｖ字形状端部となっている。そして、略Ｖ字形状端部の先端は試験回路基板２４のランド部２４ｃに接触しており、第４の接触部Ｄが形成されている。

以上のように第４の接触部Ｄを設けることにより、試験回路基板との接触をより確実にすることができ、試験の信頼性を向上することができる。また本実施例の場合、第１の接触部Ａと第４の接触部Ｄとの間の距離は、第１の接触部Ａと第２の接触部Ｂとの間の距離より短く、より短い導通経路を形成することができる。

本発明は具体的に開示された実施例に限られず、本発明の範囲内で様々な変形例、改良例がなされるであろう。

以上説明したように、本発明は高周波信号を扱う半導体装置のような電子部品の特性試験を行なう際に電気的接触を得るためのコンタクタに好適である。

１２コンタクタ
１４筐体
１４ａ開口部
１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｄ，１６Ｆ接触子
１８，１８Ａ，１８Ｃ，１８Ｄコンタクタ基板
１８ａ孔
２０半導体装置
２２ａ外部接続端子
２２整列板
２４第１の試験回路基板
２４ａ貫通孔
２４ｂ導電膜
２４ｃランド部
２６，２８，３４，３８絶縁基板
２６ａ，３２ａ，３６ａ，３８ａ孔
３０第２の試験回路基板
３０ａ端子
３２導電基板
３２ｂ絶縁部
３６試験回路基板

Claims

電子部品の端子を外部回路に電気的に接続するためのコンタクタであって、
複数の孔を有するコンタクタ基板と、
導電性材料により形成され、該コンタクタ基板の該孔の各々に挿入されて一部が該孔から突出して延在する接触子と、
該孔の各々の内面に形成された導電部と
を有し、
前記接触子が収容される前記孔は底面を有し、前記接触子の一部が前記底面で支持されており、
前記接触子の各々は、前記電子部品の前記端子の対応する一つに接触する第１の接触部と、中間部分において前記導電部に接触する第２の接触部とを有し、該第２の接触部を介して前記外部回路に電気的に接続されることを特徴とするコンタクタ。
請求項１記載のコンタクタであって、
前記接触子の第１の端部は前記第１の接触部を形成し、前記接触子の該第１の端部とは反対側の第２の端部は略Ｖ字形状であり、該第１の端部と該第２の端部との間の中間部分は湾曲され、前記導電部に接触する第２の接触部が該中間部分に設けられたことを特徴とするコンタクタ。
請求項２記載のコンタクタであって、
前記コンタクタ基板は、前記外部回路に接続される第１の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板とを含み、
該第１の回路基板と該絶縁基板とは積層され、
前記孔は該第１の回路基板を貫通して該絶縁基板まで延在し、
前記導電部は前記第１の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられたことを特徴とするコンタクタ。
請求項２記載のコンタクタであって、
前記コンタクタ基板は、第１の回路基板と、絶縁材料で形成された絶縁基板と、第２の回路基板とを有し、
該第１の回路基板と該絶縁基板と該第２の絶縁基板とは積層され、
前記孔は該第１の回路基板及び該絶縁基板を貫通して延在し、
前記導電部は前記第１の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、
前記第２の回路基板は前記孔の前記底面に端子を有し、
前記接触子の前記第２の端部は該端子に接触する第３の接触部を有することを特徴とするコンタクタ。
請求項２記載のコンタクタであって、
前記コンタクタ基板は、複数の第１の回路基板と、絶縁材料で形成された複数の絶縁基板と、第２の回路基板とを有し、
該複数の第１の回路基板と該複数の絶縁基板とは交互に積層され、
前記孔は該第１の回路基板と該絶縁基板とを貫通して該第２の回路基板まで延在し、
前記導電部は前記第１の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、
前記第２の回路基板は前記孔の前記底面に端子を有し、
前記接触子の前記第２の端部は該端子に接触する第３の接触部を有することを特徴とするコンタクタ。
請求項５記載のコンタクタであって、
前記接触子の前記第２の接触部は、前記複数の第１の回路基板のうちの一つに形成された前記導電部に接触する位置に選択的に設けられたことを特徴とするコンタクタ。
請求項２記載のコンタクタであって、
前記コンタクタ基板は、第１の回路基板と、導電材料で形成された導電基板と、第２の回路基板を含み、
該第１の回路基板と該導電基板と該第２の回路基板とは積層され、
前記孔は該第１の回路基板及び該導電基板を貫通して該第２の回路基板まで延在し、
前記導電部は前記第１の回路基板に形成された前記孔の内面に設けられ、
前記導電基板の前記孔の内面に誘電体材料よりなる絶縁部が設けられたことを特徴とするコンタクタ。
請求項４記載のコンタクタであって、
前記第１の回路基板は前記孔の内面に形成された前記導電部から延在して前記第１の回路基板の平面に形成されたランド部を更に有し、前記接触子の前記第２の端部の先端は該ランド部に接触することを特徴とするコンタクタ。
請求項１記載のコンタクタであって、
前記接触子の第１の端部は略Ｖ字形状であって前記第１の接触部を形成し、
該第１の端部とは反対側の第２の端部との間の中間部分は湾曲され、
前記導電部に接触する第２の接触部が該中間部分に設けられ、
前記第１の接触部の先端は、前記導電部から延在して前記コンタクタ基板の表面に形成されたランド部に接触することを特徴とするコンタクタ。
コンタクタを用いた試験方法であって、
基板の孔に収容されて該孔の底面で支持された接触子の、前記孔から突出した第１の端部に電子部品の電極を押圧し、
押圧力により該接触子を湾曲させて、前記接触子の前記第１の端部と、前記第１の端部とは反対側の第２の端部との間の中間部分を該基板の該孔の内面に設けられた導電部に接触させ、
前記電子部品と該回路基板とを電気的に接続して試験を行なう
ことを特徴とするコンタクタを用いた試験方法。