JP4600455B2 - 照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＥＤ(発光ダイオード)チップ等の半導体発光素子を発光させて照明をする照明装置に関する。

従来、例えば縦横に列をなして二次元配列された複数のＬＥＤチップを電気的に接続して、これらのチップを発光させて、面状光源として用いる照明装置が知られている。そして、光源がＬＥＤチップである照明装置では、ＬＥＤチップが発した熱を外部に放出するために金属ベースプリント基板が用いられている。このプリント基板は、アルミニウム等の金属板上に絶縁層を積層するとともに、この絶縁層上に導体パターンを設けて形成され、ＬＥＤチップは、絶縁層上にフリップチップ実装又はワイヤボンディングによって実装されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１９３３５７号公報（段落0002、0013、0038、図１−図７）

前記のように従来の照明装置では、ＬＥＤチップとこれからの放熱促進を担う金属板との間に絶縁層が介在されている。絶縁層の厚みは、この絶縁層の両面に位置された金属板と導体パターンとの間の電気絶縁を確保する上で、現状では0.25ｍｍ以上必要であるとされている。絶縁層は金属材料に比較して遥かに熱伝導率が低い。特許文献１に記載のように絶縁層を、熱硬化性樹脂に無機質のフィラーを混ぜて熱伝導率を改善した構成としても、依然として金属材料と比較した場合には熱伝導率が低いことには変わりがない。そのため、ＬＥＤチップの温度上昇を十分に抑制し難く、ＬＥＤチップの発光効率を維持する上では改善の余地がある。

しかも、従来の照明装置は、個々のＬＥＤチップから放出される光の利用が十分ではない。そのため、照明装置全体としての光の取出し効率は、２５ｌｍ〜５０ｌｍ程度と低く、ＬＥＤ照明装置としては、その効率が蛍光ランプの発光効率（７０ｌｍ〜１００ｌｍ程度）より低いものしか得られていない現状にある。

本発明の目的は、半導体発光素子の温度上昇を抑制して発光効率を維持しやすい照明装置を提供することにある。

請求項１の発明は、素子取付け部を一体に有する放熱基板と；この放熱基板に前記素子取付け部を除いて積層されるとともに、前記素子取付け部の側面との間に隙間を有するように設けられた絶縁層と；この絶縁層上に設けられた導体と；前記素子取付け部にダイボンドされた半導体発光素子と；この半導体発光素子と前記導体とを接続したボンディングワイヤと；前記半導体発光素子を封止して設けた透光性の封止部材と；を具備し、前記絶縁層が積層された前記放熱基板の一面から突出された凸部で前記素子取付け部を形成するとともに、この素子取付け部を、前記半導体発光素子がダイボンドされた先端面から前記放熱基板の一面に至るに従い次第に太くし、かつ、前記素子取付け部の最大径をなす根元部の周面が前記放熱基板との間に角を作ることなく弧状となっていることを特徴としている。

請求項１の発明で、放熱基板としては、金属基板又は炭素系基板を挙げることができる。金属基板は、各種の金属材料で形成でき、例えば、熱伝導性に優れたＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）及びその合金等を好適に用いることができる。炭素系基板はカーボン又はグラファイトで形成できる。放熱基板として炭素系基板を用いる場合、炭素系粉末材料を成形型によって圧縮成形できる。このため、放熱基板が例えば凸部で形成される素子取付け部を有した構成であっても、凸部を形成するのにエッチング処理等を要することがなく、型成形によって凸部からなる素子取付け部を有した所定形状の放熱基板を容易に作ることができる利点がある。これとともに、放熱基板として炭素系基板を用いることは、昨今の銅価格の高騰の影響を受けない放熱基板とできる点で好ましい。

請求項１の発明で、放熱基板の素子取付け部は、絶縁層に覆われない部位を指している。放熱基板が金属基板である場合、絶縁層で覆われた金属基板の部位の厚みは0.25ｍｍ〜0.50ｍｍとすることが好ましく、それにより、前記部位の厚み寸法の精度を向上できるに伴い、ボンディングワイヤと導体とがワイヤボンディングにより接合された接合部の接合強度のばらつきが抑制されて、接合の信頼性を向上できる。

請求項１の発明で、絶縁層にはガラスエポキシ基板を好適に用いることができるとともに、良好な光反射性能を得るために白色を呈する絶縁層を使用することが好ましい。例えば、白色のガラスエポキシ基板からなる絶縁層を用いた場合には、半導体発光素子からその周囲に放出された光が、絶縁層で吸収されることが抑制されて、この白色の絶縁層で反射されるから、光の取出し効率を高めるのに有効である。

請求項１の発明で、導体は、例えばＣｕ（銅）やＡｇ（銀）等の電気伝導率が良い金属からなり、例えば放熱基板が金属基板である場合はエッチング処理により設けることができるが、これ以外に接着剤を用いて絶縁層上に設けられたものであってもよい。この導体の表面にレジスト層を塗布することもできる。レジスト層で導体を覆った構成では、導体の絶縁性を向上できるとともに、導体の耐マイグレーション性の向上と、導体の酸化等を抑制できる点で好ましい。

請求項１の発明で、半導体発光素子には、例えば青色発光する青色ＬＥＤチップ、紫外光を発する紫外ＬＥＤチップ等を好適に用いることができるが、青色ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップのうちの少なくとも二種のＬＥＤチップを組み合わせて用いることも可能である。そして、例えば発光源に青色ＬＥＤチップを用いて白色発光をする照明装置とする場合には、青色の光で励起されて主として黄色の光を放射する蛍光体が混ぜられた封止部材を用いればよく、或いは、紫外光により励起されて主として赤色の光を放射する蛍光体、紫外光により励起されて主として緑色の光を放射する蛍光体、及び紫外光により励起されて主として黄色の光を放射する蛍光体が夫々混ぜられた封止部材を用いればよい。

請求項１の発明で、素子取付け部に半導体発光素子をダイボンドするには、ダイボンド材（接着剤）を用いる。このダイボンド材の厚みは接着機能を失わない範囲で１０μｍ以下にするとよい。又、光の取出し性能をより向上させる上では、ダイボンド材を透光性として、半導体発光素子から放射された光の一部を素子取付け部で反射させることが好ましい。又、請求項１の発明で、半導体発光素子を外気及び湿気から遮断してこの素子の寿命低下を防ぐ透光性の封止部材には、透光性の合成樹脂、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる他、樹脂以外の封止部材として透明な低融点ガラスを用いることもできる。請求項１の発明で、放熱基板の凸部からなる素子取付け部は、レーザ光を用いた加工、機械加工等で形成できる他、エッチング処理等でも形成できる。

請求項１の発明の照明装置は、導体及びボンディングワイヤを介して半導体発光素子に通電することにより、この素子を発光させ、その光を封止部材に透過させて外部に取出し、その取出し方向の照明を行う。この点灯時に、導体と放熱基板との間の電気的絶縁を担う絶縁層は、放熱基板と半導体発光素子との間には介在されておらず、又、半導体発光素子は放熱基板と一体の素子取付け部に直接ダイボンドされている。そのため、点灯時に半導体発光素子が発する熱は、絶縁層に邪魔されることなく放熱基板に直接的に伝導する。この場合、素子取付け部の断面積が、絶縁層が接着された放熱基板の一面に近付く程大きいので、半導体発光素子から放熱基板の裏面に向けての熱伝導がより容易となる。従って、半導体発光素子の熱が、高効率で放熱基板に伝わってこの放熱基板から外部に放出されるので、半導体発光素子の温度上昇を効果的に抑制できる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記素子取付け部の高さは前記絶縁層の表面の高さ位置よりも高いとともに、前記半導体発光素子が有した半導体発光層の高さ位置は前記導体の表面より高く配置されていることを特徴としている。

請求項２の発明では、ボンディングワイヤを導体に接合する際、ボンディングマシンのボンディングツールの移動に絶縁層が邪魔になり難く、又、ボンディングワイヤを斜め下方に無理に引くこともないので、ワイヤボンディングがし易いとともに、半導体発光素子からその周囲に放射される光が、絶縁層に妨げられることなく、逃げ孔の周りに差し込み易いことにより、半導体発光素子の周りで光を反射させて光を取出すことができるので、光の取出し効率を高めることができる。

請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記凸部からなる前記素子取付け部に嵌合する逃げ孔を前記絶縁層が有し、前記逃げ孔に素子取付け部を通して、前記絶縁層を前記放熱基板に接着して積層するとともに、この接着に用いた接着剤の余剰分を前記逃げ孔に収容したことを特徴としている。

請求項３の発明で、接着剤には、ペースト状の接着剤又はシート状の接着剤（接着シート）等を用いることができるとともに、この接着剤は放熱基板の素子取付け部を除いた領域に配置して使用されるものである。

請求項３の発明では、凸部からなる素子取付け部が通る絶縁層の逃げ孔によって、放熱基板に絶縁層を接着する際に、逃げ孔が凸部からなる素子取付け部に嵌合するので、放熱基板に対する絶縁層の位置決めがしやすい。これにより、絶縁層が素子取付け部に当たらないようにして、放熱基板に絶縁層を適正に積層させることができる。そして、請求項３の発明では、逃げ孔を接着剤の余剰分が収容される接着剤溜まりとして利用することができる。

更に、請求項３の発明では、接着剤の余剰分を逃げ孔内に収容したことにより、放熱基板と絶縁層との間に接着剤の厚みに相当する隙間が逃げ孔に連通して形成されることがない。このため、前記隙間がある場合のようにそこに溜まった空気が、封止部材を加熱硬化させる際に泡となって封止部材内に流出して、この封止部材内に気泡となって留まることがない。

この請求項３の発明において、逃げ孔に対する余剰分の高さ位置は、絶縁層の表面と同じ高さ以下であればよいが、絶縁層の表面と同じ高さに近くなるようにすることは、未硬化の封止部材を充填する際に、空気が逃げ孔内に溜まり難くできる点で好ましい。

請求項３の発明において、逃げ孔に収容された接着剤の余剰分によって、凸部からなる素子取付け部の周面に対しても絶縁層が接着される場合には、放熱基板に対する絶縁層の積層強度を向上できる。その上、逃げ孔によって凸部からなる素子取付け部と絶縁層上の導体との間の沿面距離を長くして、これらの間の電気的絶縁を確保することもできる。

この請求項３の発明において、接着剤が乳白色ないしは白色である場合には、半導体発光素子からその周囲に放射された光を、逃げ孔に溜められた接着剤によって反射させて取出せるので、光の取出し効率を高めるのに寄与できる。

請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記絶縁層と前記接着剤の光反射率が互いに異なるようにこれら絶縁層と接着剤の色を異ならせたことを特徴としている。

請求項４の発明で、絶縁層と接着剤の光反射率を異ならせる上で、接着剤の光反射率を絶縁層の光反射率より低くすると良い。例えば絶縁層の色が白色である場合、接着層の色を茶色系ないし黒色とすることが、絶縁層と接着剤の色の差を際立たせる上で好ましい。

この請求項４の発明では、逃げ孔に収容されている接着剤の余剰分の色と、絶縁層の逃げ孔の周りの部分の色が異なっている。このため、逃げ孔内の素子取付け部に半導体発光素子をダイボンドする位置を定めるに際し、この位置決めの基準を得る上で好適である。つまり、位置決め基準は、半導体発光素子を実装する実装機が備える撮像カメラで逃げ孔を撮像しその撮像データを画像認識することに基づいて得るが、既述の色の差があるので、絶縁層と接着剤の余剰分との境界、つまり、逃げ孔を前記位置決めの基準として容易に認識できる。

請求項５の発明は、請求項３の発明において、前記放熱基板と前記絶縁層の光反射率が互いに異なるようにこれら放熱基板と絶縁層の色を異ならせるとともに、前記接着剤を透明材料で形成したことを特徴としている。

この請求項５の発明で、放熱基板と絶縁層の光反射率を異ならせる上で、放熱基板の光反射率を絶縁層の光反射率より低くすると良い。例えば絶縁層の色が白色である場合、放熱基板を銅製とすることで、絶縁層と放熱基板の色の差を際立たせることが可能である。

この請求項５の発明では、逃げ孔に収容されている接着剤の余剰分を透視して撮像される放熱基板の色と、絶縁層の逃げ孔の周りの部分の色が異なっている。このため、逃げ孔内の素子取付け部に半導体発光素子をダイボンドする位置を定めるに際し、この位置決めの基準を得る上で好適である。つまり、位置決め基準は、半導体発光素子を実装する実装機が備える撮像カメラで逃げ孔を撮像しその撮像データを画像認識することに基づいて得るが、既述の色の差があるので、接着剤の余剰分で覆われた放熱基板と絶縁層との境界、つまり、逃げ孔を前記位置決めの基準として容易に認識できる。

請求項１の発明によれば、絶縁層が積層された放熱基板の一面から突出された凸部で素子取付け部を形成するとともに、この素子取付け部を、半導体発光素子がダイボンドされた先端面から放熱基板の一面に至るに従い次第に太くし、かつ、素子取付け部の最大径をなす根元部の周面が放熱基板との間に角を作ることなく弧状となっているので、半導体発光素子の熱を直接的に放熱基板に伝えて放出することができ、それにより、半導体発光素子の温度上昇が抑制されて、半導体発光素子の発光効率を維持しやすい照明装置を提供できる。
請求項２の発明によれば、請求項１の発明において、更に、ワイヤボンディングがし易いとともに、半導体発光素子からその周囲に放射される光が、絶縁層に妨げられることなく、半導体発光素子の周りで反射されて取出されるので、光の取出し効率を高めることができる。

請求項３の発明によれば、請求項２の発明において、更に、放熱基板に絶縁層を適正に積層させることができるとともに、絶縁層の逃げ孔を放熱基板に絶縁層を積層する接着剤の余剰分を収容する接着剤溜まりとして利用できる。

請求項４，５の発明によれば、請求項３の発明において、更に、凸部からなる素子取付け部に半導体発光素子をダイボンドする際に、そのダイボンド位置を定める位置決めの基準となる逃げ孔を容易に認識できる。

図１〜図５を参照して本発明の第１実施形態を説明する。

図１中符号１は例えばＬＥＤパッケージを形成する照明装置を示している。この照明装置１は、例えばパッケージ基板として機能する放熱基板例えば金属基板２と、絶縁層５と、複数の導体８と、複数のＬＥＤチップ例えば半導体発光素子１１と、ボンディングワイヤ１７，１８と、リフレクタ２０と、封止部材２２と、を備えて形成されている。

金属基板２は、Ｃｕからなるとともに、照明装置１として必要とされる発光面積を得るために所定形状例えば長方形状をなしている。金属基板２は、これと一体の凸部からなる素子取付け部３を例えば半導体発光素子１１と同数有している。

なお、本発明は、素子取付け部３に一個の半導体発光素子１１を取付けることに制約されることはなく、一つの素子取付け部３に複数個の半導体発光素子１１を並べて取付けることも可能である。その場合、同じ色を発する複数個の半導体発光素子１１であっても、或いは異なる色を発する複数個の半導体発光素子１１であってもよい。異なる色を発する複数個の半導体発光素子１１を一つの素子取付け部３に取付ける場合には、赤色、黄色、青色の光を発する３個の半導体発光素子１１を並べて取付けることもできる。そして、一つの素子取付け部３に複数個の半導体発光素子１１を並べて取付けた構成においては、照明装置１の全光束を向上させることが可能である。

金属基板２の素子取付け部３以外の部位からなる基板主部２ａ（図２参照）の厚みＡは例えば0.25ｍｍである。素子取付け部３が設けられていない基板主部２ａの裏面は、放熱面又は他の放熱部材に面接触する伝熱面として用いられる。

素子取付け部３は基板主部２ａの表面(一面)に突設されている。図２で代表して示すように素子取付け部３の先端面３ａは前記一面と平行な平坦面をなしている。素子取付け部３はその先端面３ａから金属基板２の一面に至るに従い次第に太く形成されている。言い換えれば、素子取付け部３は、その高さ方向と直交する断面積が先端面３ａから金属基板２の一面に至るに従い次第に大きくなる円錐台状に形成されている。そのため、素子取付け部３の最大径をなす根元部の周面は基板主部２ａとの間に角を作ることなく弧状となって基板主部２ａの表面に連続している。

表面素子取付け部３の先端面３ａには光反射層４が被着されている。光反射層４は、Ａｇの薄膜からなり、その厚みＢは0.003ｍｍ〜0.005ｍｍである。これとともに、Ａｇ製光反射層４の光反射率は９０％以上である。

光反射層４を含めた素子取付け部３の高さは、半導体発光素子１１の表面（図２において上面）の高さ位置が導体８の高さ位置以上になることを満たせば、絶縁層５の表面（図２において上面）の高さ位置より低くても差し支えないが、絶縁層５の表面の高さ位置と同じかそれ以上高くすることが好ましく、本実施形態では絶縁層５上の導体８の表面（図２において上面）の高さ位置より高くしてある。

絶縁層５には光反射性能を得るために例えば白色のガラスエポキシ基板が用いられている。絶縁層５の厚みＢは、最小で0.060ｍｍあればよく、本実施形態では例えば0.25ｍｍにしてある。この絶縁層５は、図２及び図３で代表して示すように素子取付け部３が通る逃げ孔６を有している。この逃げ孔６は例えば円形で、その直径は素子取付け部３の最大径をなす根元部の直径より大きい。逃げ孔６は素子取付け部３と同数設けられている。なお、本実施例では絶縁層５を一層としたが、これは二層とすることもできる。例えば前記最小厚みでの実施では、厚み0.030ｍｍのガラスエポキシ基板を二枚積層したものを用いることが可能である。それにより、一層の絶縁層よりも高い絶縁耐圧を確保できる。

絶縁層５は基板主部２ａの表面(一面)に接着剤７を用いて貼り合わせることにより金属基板２に積層されている。接着剤７は、絶縁性であって、絶縁層５と基板主部２ａとの間に例えば0.005ｍｍ以下の膜厚Ｃで設けられる。絶縁層５の接着において、絶縁層５の各逃げ孔６は各素子取付け部３に夫々嵌合するので、絶縁層５は金属基板２に素子取付け部３を除いて積層され、それにより、素子取付け部３は逃げ孔６に露出されている。

前記嵌合により絶縁層５が素子取付け部３に当たらないので、絶縁層５が金属基板２に対して浮くようなことがなく適正に重ね合わされるとともに、金属基板２に対し絶縁層５が位置決めされる。言い換えれば、凸部からなる素子取付け部３が通る絶縁層５の逃げ孔６によって、金属基板２へ絶縁層５を接着する際に、この絶縁層５が素子取付け部３に当たらないようにして、金属基板２に絶縁層５を適正に積層させることができる。

そして、前記貼り合わせにおいて接着剤７の塗布量が多く余剰を生じた場合、その余剰分７ａ(図２及び図３参照)の一部は、張り合わせの際に加えられる圧力によって逃げ孔６に押し出される。より正確には、素子取付け部３の形状に起因して、この素子取付け部３の側面と逃げ孔６との間に必然的に形成される環状の隙間に、余剰分７ａからなる食み出し部が押し出されてそこに溜められて固化される。それにより、絶縁層５は、素子取付け部３の側面に対しても接着されるので、積層強度が高められる。しかも、余剰分７ａは体積固有抵抗が１０^−２〜１０^−１５Ω・ｍの絶縁層として機能するので、後述のように導体８が装着された絶縁層５と素子取付け部３の側面との間の耐電圧を向上できる。

複数の導体８は、各半導体発光素子１１への通電要素としてこれら半導体発光素子１１を直列に接続するために設けられ、絶縁層５の基板主部２ａに接着された裏面とは反対側の面にエッチング処理等により形成されている。これらの導体８は、Ｃｕからなり、絶縁層５を基板主部２ａに貼り合わせる前に設けられる。図１に示すように各導体８は、絶縁層５の長手方向に所定間隔毎に点在して二列形成されている。各列での複数の導体８は例えば４ｍｍピッチで各逃げ孔６と交互に並べられている。これら列の一端側に位置した導体８には電線接続部９が一体に連続して形成されている。これら電線接続部９の夫々には図示しない電源にいたる電線が個別に半田付けされる。

図２及び図３で代表して示すように各導体８は、逃げ孔６の縁には達しておらず、この逃げ孔６の縁から所定距離隔てられている。それにより、導体８の端８ａとこれに最も近接している逃げ孔６の縁との間に、白色の絶縁層５の一部が露出されている。ここに、導体８の端８ａとは、正確には、導体８に被着された後述の光反射層１０の端を指している。なお、符号５ａで絶縁層５の露出面を示す。そのため、導体８の端８ａと素子取付け部３との間に前記環状の隙間より大きい絶縁距離を確保することができるとともに、露出面５ａでもそこに入射した光を光の取出し方向に反射させることができる。

導体８の端８ａは、半導体発光素子１１の後述する電極１４又は１５から0.25ｍｍ〜6.0ｍｍの距離Ｄを隔てて位置される。これは、後述のワイヤボンディングにおいて導体８に対しては、その端８ａ、正確には端８ａと絶縁層５との境目をボンディングマシンに認識させて、そこを基準に所定距離Ｅ離れた位置にボンディングワイヤを接合するので、その際にボンディングワイヤの接合部にストレスが残留することを極力抑制するための配慮である。

各導体８の表面にはＡｇの光反射層１０が被着されている。この光反射層１０は、反射率が９０％以上のＡｇの薄膜からなり、その厚みは0.003ｍｍ〜0.005ｍｍである。光反射層１０を含めた導体８の厚みＧは0.012ｍｍ〜0.018ｍｍである。各導体８上の光反射層１０及び各素子取付け部３の光反射層４は、いずれも例えばメッキ処理により一度に設けることができる。この場合、導体８及び素子取付け部３がＣｕ製であるので、これらをメッキ浴することなく、光反射層１０及び４をメッキ処理して設けることが可能である。なお、光反射層１０の表面にレジスト膜を積層することも可能である。

各半導体発光素子１１は例えば青色ＬＥＤチップからなる。このＬＥＤチップは、例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型であって、図２に示すように透光性を有する素子基板１２の一面に半導体発光層１３を積層して形成されている。素子基板１２は例えばサファイア基板で作られている。半導体発光層１３は、素子基板１２の裏面にバッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型半導体層を順次積層して形成されている。発光層は、バリア層とウエル層を交互に積層した量子井戸構造をなしている。ｎ形半導体層にはｎ側電極１４が設けられ、ｐ形半導体層にはｐ側電極１５が設けられている。この半導体発光層１３は反射膜を有しておらず、半導体発光素子１１の厚み方向の双方に光を放射できるとともに、素子基板１２の側面から側方へも光を放射できる。

これらの半導体発光素子１１は、素子基板１２の前記一面と平行な他面を接着剤例えば透光性のシリコーン樹脂からなるダイボンド材１６を用いて各素子取付け部３の先端面３ａにダイボンドされている。それによって、各半導体発光素子１１は、各導体８と同じく例えば４ｍｍピッチで、これら導体８と交互に配置されている。

ダイボンド材１６の厚みＨは0.10ｍｍ以下である。ダイボンド材１６は半導体発光素子１１から素子取付け部３への伝熱の抵抗部材となるが、以上のようにきわめて薄いので、このダイボンド材１６での熱抵抗は実質的に無視できる程度である。ダイボンド材１６の厚みＨは、接着性能を失わない範囲でできるだけ薄くすることが望ましい。

半導体発光素子１１の半導体発光層１３と素子取付け部３との間の絶縁耐圧は、ダイボンド材１６だけではなく、このダイボンド材１６よりもはるかに厚いサファイア製の素子基板１２で確保されている。ダイボンド材１６を含めた半導体発光素子１１の厚みＩは例えば0.09ｍｍである。こうした半導体発光素子１１を用いることによって、半導体発光層１３の高さ位置は導体８表面の光反射層１０より高く位置されており、しかも、本実施形態では半導体発光素子１１全体が導体８表面の光反射層１０より高く位置されている。

こうした高さの差によって、後述のワイヤボンディングにおいて、ボンディングマシンでボンディングワイヤの一端を半導体発光層１３の電極１４，１５にボールボンディングにより接合した後に、このボンディングワイヤの他端を導体８に接合する際、ボンディングマシンのボンディングツールの移動に絶縁層５が邪魔になり難く、又、ボンディングワイヤを斜め下方に無理に引くこともないので、ワイヤボンディングがし易い。

更に、本実施形態のように半導体発光素子１１全体が絶縁層５の表面よりも高い位置に配置されている好ましい構成では、半導体発光素子１１からその周囲に放射される光が、絶縁層５に妨げられることなく、逃げ孔６の周りに差し込み易い。それにより、半導体発光素子１１の周りで光を反射させて光を取出すことができるので、光の取出し効率を高めることができる点で有利である。

金属基板２の長手方向に交互に配置された導体８と半導体発光素子１１とは、ワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ１７で接続されている。更に、前記二列の導体列の他端側に位置した導体８同士は、図１に示すようにワイヤボンディングにより設けられた端部ボンディングワイヤ１８で接続されている。従って、本実施形態の場合、各半導体発光素子１１は電気的に直列に接続されている。

以上の光反射層４を有した金属基板２、光反射層１０を有した導体８付きの絶縁層５、複数の半導体発光素子１１、ボンディングワイヤ１７、及び端部ボンディングワイヤ１８によって、照明装置１の面状発光源が形成されている。

リフレクタ２０は、一個一個又は数個の半導体発光素子１１毎に個別に設けられるものではなく、絶縁層５上の全ての半導体発光素子１１を包囲する単一のものであり、枠、例えば図１に示すように長方形をなす枠で形成されている。リフレクタ２０は絶縁層５に接着されている。電線接続部９の一部は電線を接続するためにリフレクタ２０の外に位置されている。リフレクタ２０の内周面は光反射面となっている。そのために、例えばリフレクタ２０の成形材料である合成樹脂中に酸化アルミニウム等の白色粉末を混入させている。このリフレクタ２０は、光の取出し方向に取出された光を、投光対象に対して制御をするレンズ等の配光制御部材(図示しない)の取付け部として、利用することが可能である。

封止部材２２は、リフレクタ２０内に注入して加熱処理により硬化されていて、前記面状発光源のリフレクタ２０内に位置された殆どの部分を埋めている。この封止部材２２は、透光性材料例えば透明シリコーン樹脂からなり、その内部には必要により蛍光体が混入されている。本実施形態では半導体発光素子１１が青色発光をするので、この光で励起されて主に黄色の光を放射する蛍光体(図示しない)が、好ましくは略均一に分散した状態で混入されている。

この組み合わせにより、照明装置１の点灯により半導体発光層１３から放出された青色の光の一部が蛍光体に当たることなく封止部材２２を通過する一方で、青色の光が当たった蛍光体が、青色によって励起されて黄色の光を放射し、この黄色の光が封止部材２２を通過するので、これら補色関係にある二色の混合によって照明装置１は白色光を照射できる。なお、リフレクタ２０が枠形であるので、照明装置１から取出される光の多くは、リフレクタ２０で反射されることなく封止部材２２を透過するので、反射を原因とする光の損失が少なく、光の取出し効率を向上するにも有効である。

以上の構成の照明装置１では、接着剤７の余剰分７ａが逃げ孔６内に食み出しているので、金属基板２とこれに接着剤７を介して積層された絶縁層５との間に、接着剤７の厚みに相当する隙間が逃げ孔６に連通して形成されることがない。このため、前記隙間がある場合のようにそこに溜まった空気が、封止部材２２を加熱硬化させる際に泡となって封止部材２２内に流出して、この封止部材２２内に気泡となって留まることがない。封止部材２２内に気泡が残留していると、そこに外部から水分が入り込んだ場合、絶縁耐圧が低下する恐れがあるが、こうしたことがないようにできる。

以上の構成の照明装置１は、各半導体発光素子１１に通電して、これらの半導体発光素子１１を発光させることにより図２中矢印方向に光を取出して照明を行う。この点灯時に各半導体発光素子１１が発熱する。

ところで、半導体発光素子１１に電力を導く導体８と金属基板２とは、これらの間に設けた絶縁層５で電気的に絶縁されているが、この絶縁層５は金属基板２と半導体発光素子１１との間には介在されていないとともに、半導体発光素子１１は金属基板２の素子取付け部３に直接ダイボンドされている。

そのため、各半導体発光素子１１が発する熱は、絶縁層５に邪魔されることなく金属基板２に直接的に伝導する。より具体的には、半導体発光素子１１の熱は、実質的に熱抵抗とはならないほど薄いダイボンド材１６を通ってから、Ａｇの光反射層４を経て金属基板２の素子取付け部３に伝えられる。しかも、金属基板２の素子取付け部３は、半導体発光素子１１がダイボンドされた先端面３ａから金属基板２の基板主部２ａに至るに従い次第に太く、言い換えれば、素子取付け部３の断面積が基板主部２ａに近付く程大きくなっているので、半導体発光素子１１から金属基板２の裏面に向けての熱伝導がより容易となる。そして、金属基板２の熱はこの金属基板２の裏面から外部に放出される。

こうして半導体発光素子１１の熱が高効率に金属基板２を通って外部に放出されるので、各半導体発光素子１１の温度上昇が効果的に抑制され、各半導体発光素子１１の温度を設計通りに維持できる。そのため、各半導体発光素子１１の発光効率の低下と、各半導体発光素子１１が発する光量のばらつきが抑制され、その結果として、各半導体発光素子から取出される光の色むらを抑制できる。

又、前記構成の各半導体発光素子１１は全方向に光を放射し、取分け、表方向つまり金属基板２とは反対側の光の取出し方向に放射される光よりも、裏方向つまり金属基板２に向けて放射される光の方が強い。

そして、裏方向に放射された光の多くは、透光性のダイボンド材１６を通って９０％以上の光反射率を有したＡｇメッキ層からなる光反射層４に入射し、この光反射層４で光の取出し方向に反射される。このような半導体発光素子１１直下での高効率の反射により、光の取出し効率をより向上させることができる。ちなみに、半導体発光素子１１の直下の反射率と光束との関係を示した図４から分かるように４６０ｎｍの波長の光については、反射率が高いほど取出される光の強さ（相対発光強度）が上がることが測定の結果明らかとなり、半導体発光素子１１の直下の反射率は９１.３５％であることが確かめられた。

しかも、前記裏方向に放射された光の一部、及び封止部材２２内の蛍光体から放射された光の一部は、白色の絶縁層５に入射し、この絶縁層５で光の取出し方向に反射される。加えて、裏方向に向かった光の一部は、導体８を覆ったＡｇメッキ層からなる光反射層１０に入射し、この光反射層１０で光の取出し方向に反射される。更に、絶縁層５の逃げ孔６の周辺は、その一部が導体８で覆われることがなく、この導体８と逃げ孔６との間おいて露出面５ａを有している。言い換えれば、逃げ孔６の周辺は、その周方向に沿って途切れることなく連続した白色反射面とみなすことができるので、そこに入射した光を、光の取出し方向に反射させることができる。

ちなみに、半導体発光素子１１の周りでの反射率と光束との関係を示した図５から分かるように４００ｎｍ〜７４０ｎｍの波長の光の平均反射率が高いほど取出される光の強さ（相対発光強度）が上がることが測定の結果明らかとなり、半導体発光素子１１の周りでの反射率は９３.７％であることが確かめられた。

図４及び図５によれば、反射率が下がるほど発光強度が下がり、逆に言えば、反射率が上がるほど発光強度が上がることが明らかであるので、Ａｇメッキ層からなる光反射層４，１０、及び白色の絶縁層５での高反射特性により、照明装置１の発光効率（光の取出し効率）を向上することができた。ちなみに、照明装置１の消費電力が0.06Ｗである場合、光束７.４ｌｍ、発光効率１２５ｌｍ/Ｗで照明ができることが実験の結果確かめられた。

したがって、前記構成の照明装置１は、高熱伝導により各半導体発光素子１１の温度上昇による発光効率の低下を抑制しつつ、各半導体発光素子１１の裏側に放射された光の高反射特性により、光の取出し効率を向上できる。

又、金属基板２の素子取付け部３に半導体発光素子１１をダイボンドしたダイボンド材１６は、透明なシリコーン樹脂であるので、このダイボンド材１６は熱により変色を伴って劣化する可能性が極めて小さい。したがって、光反射層４で反射されて取出される光の取出し効率を長期にわたり維持できる。

図６、図７は夫々異なる本発明の他の実施形態を示している。これらの実施形態は、以下説明する事項以外は、図示されない事項を含めて第１実施形態と同じであるので、第１実施形態と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。

図６に示した第２実施形態では、リフレクタ２０が複数の反射孔２１（一つのみ代表して示す。）を有している。これらの反射孔２１には、素子取付け部３にダイボンドされた半導体発光素子１１が個別に配置されている。各反射孔２１は光の取出し側に行くに従って次第に孔径が拡大するテーパ孔で形成されている。又、封止部材２２は、各反射孔２１の夫々に充填して固化されている。以上説明した事項以外は第１実施形態と同じである。

したがって、この第２実施形態の照明装置１でも、第１実施形態で説明した作用と同様な作用を得られるから、高熱伝導により各半導体発光素子１１の温度上昇による発光効率の低下を抑制しつつ、各半導体発光素子１１の裏側に放射された光の高反射特性により、光の取出し効率を向上できる。

しかも、第２実施形態の照明装置１では封止部材２２の使用量を低減できる。また、光の取出し方向に取出された光を、投光対象に対して制御をするレンズ等の配光制御部材の取付け部として、リフレクタ２０を利用することも可能である。

図７に示した第３実施形態では、リフレクタを省略して構成の簡単化を図っている。そして、図示しないディスペンサーから未硬化の封止部材を半導体発光素子１１ごとに滴下（ボッティング）して、これら半導体発光素子１１を個別に封止部材２２で封止している。なお、未硬化の封止部材は滴下された後に半球状を呈して硬化される。以上説明した事項以外は第１実施形態と同じである。

したがって、この第３実施形態の照明装置１でも、第１実施形態で説明した作用と同様な作用を得られるから、高熱伝導により各半導体発光素子１１の温度上昇による発光効率の低下を抑制しつつ、各半導体発光素子１１の裏側に放射された光の高反射特性により、光の取出し効率を向上できる。しかも、第３実施形態の照明装置１では封止部材２２の使用量を低減できる。

図８〜図１１は本発明の第４実施形態を示している。この第４実施形態は、以下説明する事項以外は、図示されない事項を含めて第１実施形態と同じであるので、第１実施形態と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。

第４実施形態では電気絶縁性のレジスト層２５が付加されている。レジスト層２５は、例えば酸化アルミニウム等の白色粉末が混入された合成樹脂からなる。この白色レジスト層２５の光反射率は８０％以上であり、又、レジスト層２５の厚みは例えば略0.1ｍｍである。

レジスト層２５は、光反射層４で覆われた導体８及び絶縁層５上に積層されているとともに、複数つまり素子取付け部３と同数の開口２５ａを有している。このレジスト層２５の導体８に積層された積層部位と絶縁層５に積層された積層部位とは一体に連続している。これとともに、前記両積層部位の絶縁層５からの高さ位置は図１０と図１１との比較から分かるように光反射層１０が積層された導体８の厚み分に応じて異なっている。

開口２５ａは図９に例示したように円形で、かつ、その径は素子取付け部３より数倍大きい。図９のように正面から見た状態で、開口２５ａ毎に、その中央部に位置して一個の素子取付け部３が設けられているとともに、この素子取付け部３上に装着された半導体発光素子１１とこれに接続された一対のボンディングワイヤ１７が設けられている。これに伴いボンディングワイヤ１７と前記半導体発光素子１１を挟むように配置された導体８との接続部も開口２５ａに設けられている。そのため、レジスト層２５は、素子取付け部３及びその周囲、並びにこの周囲に位置された導体８の端部を除いて設けられている。

開口２５ａ内に配置された半導体発光素子１１、一対のボンディングワイヤ１７、これらボンディングワイヤ１７と接続された導体８の端部は、開口２５ａ毎に設けられた封止部材２２で封止されている。封止部材２２は、図示しないディスペンサーから未硬化の封止部材を開口２５ａ毎に滴下（ポッティング）して供給され、滴下後に略半球状に盛り上がった形状を呈して硬化して設けられたものである。なお、第４実施形態において図８に示したリフレクタ２０は省略してもよい。以上説明した事項以外は第１実施形態と同じである。

従って、この第４実施形態の照明装置１でも、第１実施形態で説明した作用と同様な作用を得られるから、各半導体発光素子１１の温度上昇による発光効率の低下を抑制しつつ、各半導体発光素子１１の裏側に放射された光の高反射特性により、光の取出し効率を向上できる。

その上、光反射層１０が積層された導体８の酸化及び硫化のうち少なくとも酸化を防ぐレジスト層２５が白色であることにより、このレジスト層２５に半導体発光素子１１から差込む光を反射できるので、光の取出し効率を向上する上で好ましい。

更に、レジスト層２５が有した複数の開口２５ａ毎に封止部材２２を設けたので、第１実施形態のように全ての半導体発光素子１１と導体８とにわたって封止部材２２を設けた構成に比較して、蛍光体が混入された封止部材２２の使用量を低減できる。

しかも、封止部材２２をポッティングにより開口２５ａに供給して設けたので、ポッティングされた未硬化の封止部材が硬化するまでの間にレジスト層２５の開口２５ａの外側に広がることを、開口２５ａの縁で塞き止めことが可能である。それにより、封止部材２２の盛り上がり高さが適正に規制されて、半導体発光素子１１上の封止部材２２の厚みをより厚くできるとともに、ボンディングワイヤ１７の一部が封止部材２２から突出する恐れがないようにできる。

図１２及び図１３は本発明の第５実施形態を示している。この第５実施形態は、以下説明する事項以外は、図示されない事項を含めて第１実施形態と同じであるので、第１実施形態と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。

第５実施形態では、接着剤７に樹脂系の接着シートを用いている。この接着剤７の光反射率は白色の絶縁層５での光反射率よりも低く、そのために、例えば茶色系の接着剤７が採用されている。接着剤７は、予め、凸部からなる素子取付け部３に個々に対応する複数の孔を有して形成されている。各孔の大きさは素子取付け部３の根元の直径より大きい。接着剤７をなした接着シートの厚みＣ´は、第１実施形態で説明した接着剤の膜厚より数倍厚い。

接着剤７は、その各孔に素子取付け部３が通るように金属基板２の表面に重ねられ、この上に絶縁層５が重ねられた状態で、これら三者が厚み方向に加圧されるに伴い、金属基板２と絶縁層５とを接着している。この接着により、接着剤７の孔の縁部側の部位が、余剰分７ａとなって図１３に示すように絶縁層５の逃げ孔６内に環状をなして食み出している。逃げ孔６に対する余剰分７ａ言い換えれば、食み出し部の食み出し寸法は、略0.2μｍである。図１２に示すように食み出し部からなる余剰分７ａは、逃げ孔６を形成した面の基板主部２ａ側の部位に被さるように逃げ孔６内で盛り上がっている。

更に、第５実施形態では、各素子取付け部３の側面に側部光反射層４ａが積層されている。側部光反射層４ａは、素子取付け部３の先端面３ａに積層された反射層４と余剰分７ａとにわたっている。この側部光反射層４ａは、反射層４と同じＡｇのメッキ層からなり、反射層４とともに無電解メッキにより設けられている。無電解メッキは、金属基板２に絶縁層５が接着された状態で施されるので、接着剤７の余剰分７ａに側部光反射層４ａが被着されることがない。このため、基板主部２ａの余剰分７ａに覆われた部位に側部光反射層４ａは達していない。以上説明した事項以外は第１実施形態と同じである。

したがって、この第５実施形態の照明装置１でも、第１実施形態で説明した作用と同様な作用を得られるから、各半導体発光素子１１の温度上昇による発光効率の低下を抑制しつつ、各半導体発光素子１１の裏側に放射された光の高反射特性により、光の取出し効率を向上できる。

その上、凸部からなる素子取付け部３に、その先端面３ａの光反射層４に連続して側部光反射層４ａを設けたから、この側部光反射層４ａによって光の取出し効率をより向上できる。つまり、封止部材２２に混ぜられた蛍光体は半導体発光素子１１から発した光で励起されて周囲に光を放射する。蛍光体から放射された光の一部は、素子取付け部１１の側面に入射する。そのため、この入射光をＡｇからなる側部光反射層４ａによって光の取出し方向に反射させて、光の取出し効率を向上できる。ちなみに、各素子取付け部３に光反射層４及び側部光反射層４ａを設けない場合の照明装置の全光束を１００とすると、第５実施形態の照明装置１の全光束は１１０であり、光の取出し効率を１０％向上できることが確かめられた。

なお、第５実施形態では、接着剤７の余剰部（食み出し部）７ａの食み出し量を、その表面の高さ位置が、絶縁層５の表面と同じ高さに近くなるようにすることもできる。このような高さまで余剰部（食み出し部）７ａを食み出させた場合にも、素子取付け部５の頂部は余剰部（食み出し部）７ａの表面より突出していて、側部光反射面４ａ全体が余剰部（食み出し部）７ａで覆われることがない。そのため、接着剤７に色が付いている場合であっても、側部光反射面４ａによる光の取出し方向に反射作用を得て、光の取出し効率を向上できる。

しかも、余剰部７ａの高さ位置を絶縁層５の表面と同じ高さに近くなるようにした場合には、未硬化の封止部材２２を充填する際に、空気が逃げ孔１１内に溜まり難くなる。したがって、既述のように金属基板２と絶縁層５との間に隙間が形成されないことと相まって、硬化された止部材２２内への気泡の残留を効果的に抑制できる。

更に、第５実施形態では、逃げ孔６に食み出している接着剤７の余剰分（食み出し部）７ａの色と、絶縁層５の逃げ孔６の周りの部分の色が異なっているので、これらの色の差によって、絶縁層５と余剰分７ａとの境界、つまり、逃げ孔６をダイボンドする際の位置決めの基準として容易に認識できる。

すなわち、逃げ孔６内の素子取付け部３に半導体発光素子１１をダイボンドする場合、半導体発光素子１１を実装する実装機（図示しない）が備える撮像カメラで逃げ孔６を撮像し、実装機が備える画像認識部で、撮像された画像を認識するとともに画像認識部に予め記憶されている基準画像と認識画像とをパターンマッチングすることによって、半導体発光素子１１をダイボンドする際の位置決めの基準を得ており、それに基づいて指定された位置に実装機が半導体発光素子１１をダイボンドするようになっている。

既述のように余剰分（食み出し部）７ａの色が白色の絶縁層５に対して光反射率が低い茶色系であるので、前記画像認識において、絶縁層５と余剰分（食み出し部）７ａとの境界、つまり、逃げ孔６を容易に認識できる。それにより、逃げ孔６内の素子取付け部３に半導体発光素子１１をダイボンドする際の位置決めの基準を確実に取得できる。これにより、前記画像認識での照合率（パターンマッチングの正解率）を９０パーセント以上とすることが可能となった。

なお、以上のように位置決め基準を確実に取得するのに、第５実施形態の構成で、逃げ孔６へ食み出した余剰分７ａを有した接着剤７を透明材料で形成して実施することもできる。

この場合、食み出し部である余剰分７ａを透過して撮像される基板主部２ａの色は、この主部２ａの形成材料の色である。つまり、放熱基板が銅製であれば、銅の茶色系の色であり、炭素系材料製であれば黒色系の色である。これらの色は、白色の絶縁層５の色とは異なっていて、その光反射率は絶縁層５の光反射率よりも低い。

このように逃げ孔６に食み出している接着剤７の余剰分（食み出し部）７ａを透視視認される基板主部２ａの色と、絶縁層５の逃げ孔６の周りの部分の色が異なっているので、これらの色の差によって、絶縁層５と基板主部２ａとの境界、つまり、逃げ孔６をダイボンドする際の位置決めの基準として容易に認識できる。したがって、逃げ孔６内の素子取付け部３に半導体発光素子１１をダイボンドする際の位置決めの基準を確実に取得できる。
又、以上説明した各実施形態は、前記素子取付け部の先端面に光反射層を積層し、前記半導体発光素子を前記素子取付け部にダイボンドするダイボンド材が透光性を有していることを特徴とする発明を含んでいる。この発明で、光反射層を金属のメッキ層で形成することは、半導体発光素子から素子取付け部への熱伝導を実質的に妨げない点で好ましく、そのような光反射層として例えばＡｇ（銀）のメッキ層を挙げることができ、その採用により９０％以上の光反射率を得ることができる。この場合には、透光性ダイボンド材を通って光反射層に入射した光を高効率で反射させて、光の取出し効率をより向上させることができるので好ましい。又、この発明で、ダイボンド材には、フリットガラスや透光性合成樹脂例えば透明シリコーン樹脂等を用いることができる。ダイボンド材を透明シリコーン樹脂とすることは、ダイボンド材が半導体発光素子の発熱により変色を伴って劣化する可能性が極めて小さいので、長期にわたり光の取出し効率を維持できる点で好ましい。この発明によれば、半導体発光素子からその裏面に放出された光を、ダイボンド材を通して素子取付け部の光反射層で反射させて取出すことができるため、光の取出し効率を向上できる。
更に、前記第５実施形態は、前記封止部材に蛍光体を混入するとともに、前記光反射層から前記逃げ孔に収容された前記接着剤の余剰分にわたる側部光反射層を、前記素子取付け部の側面に積層したことを特徴とする発明を含んでいる。この発明で、側部光反射層は、素子取付け部の先端面に光反射層と同種の金属メッキ層とすることが好ましい。この発明によれば、側部光反射層によって光の取出し効率を向上できる。つまり、半導体発光素子から発した光で励起された蛍光体が放射する光の一部は、素子取付け部の側面に入射するので、この入射光が側部光反射層によって光の取出し方向に反射されることで、光の取出し効率を向上できる。
しかも、前記第５実施形態は、前記絶縁層及び導体上にレジスト層を積層し、このレジスト層に前記ボンディングワイヤと導体との接続部及び前記素子取付け部が配置された開口を複数設け、これら開口毎に前記封止部材を設けたことを特徴とする発明を含んでいる。この発明で、レジスト層は、透明又は有色の合成樹脂材料で形成することもできるが、白色の合成樹脂からなるレジスト層、特に光の反射率が８０％以上の白色合成樹脂からなるレジスト層を用いることが好ましい。更に、この発明で、開口の形状は、円形であることが好ましいが、これに限らず角形であっても良い。この発明によれば、レジスト層で導体を覆うとともに、この導体とボンディングワイヤとの接続部を含んでレジスト層外に配置された導体部分を封止部材で封止しているので、金属製の導体の酸化等を防止できる。更に、この発明によれば、レジスト層の開口毎に封止部材が設けられているので、全ての半導体発光素子と導体とにわたって封止部材を設けた構成に比較して、封止部材の使用量を低減できる。しかも、封止部材がポッティングにより開口に供給される場合には、ポッティングされた未硬化の封止部材がレジスト層の開口の外側に広がることを、開口の縁で塞き止めることが可能である。

本発明の第１実施形態に係る照明装置を一部切欠いて示す正面図。 図１の照明装置の一部を拡大して示す断面図。 図２に示された部分を封止部材が除かれた状態で示す正面図。 図１の照明装置において半導体発光素子の直下の反射率と光束との関係を示す図。 図１の照明装置において半導体発光素子の周りでの反射率と光束との関係を示す図。 本発明の第２実施形態に係る照明装置の一部を拡大して示す断面図。 本発明の第３実施形態に係る照明装置の一部を拡大して示す断面図。 本発明の第４実施形態に係る照明装置を一部の封止部材を省略して示す正面図。 図８の照明装置の一部を拡大して封止部材が除かれた状態で示す正面図。 図９中Ｆ１０−Ｆ１０線に沿って示す断面図。 図９中Ｆ１１−Ｆ１１線に沿って示す断面図。 本発明の第５実施形態に係る照明装置の一部を拡大して示す断面図。 図１２に示された部分を封止部材が除かれた状態で示す正面図。

符号の説明

１…照明装置、２…金属基板（放熱基板）、２ａ…基板主部、３…素子取付け部、３ａ…素子取付け部の先端面、５…絶縁層、５ａ…露出面、６…逃げ孔、７…接着剤、７ａ…接着剤の余剰分、８…導体、１１…半導体発光素子、１２…素子基板、１３…半導体発光層、１６…ダイボンド材、１７…ボンディングワイヤ、２２…封止部材

Claims (5)

1. 素子取付け部を一体に有する放熱基板と；
   この放熱基板に前記素子取付け部を除いて積層されるとともに、前記素子取付け部の側面との間に隙間を有するように設けられた絶縁層と；
   この絶縁層上に設けられた導体と；
   前記素子取付け部にダイボンドされた半導体発光素子と；
   この半導体発光素子と前記導体とを接続したボンディングワイヤと；
   前記半導体発光素子を封止して設けた透光性の封止部材と；
   を具備し、
   前記絶縁層が積層された前記放熱基板の一面から突出された凸部で前記素子取付け部を形成するとともに、この素子取付け部を、前記半導体発光素子がダイボンドされた先端面から前記放熱基板の一面に至るに従い次第に太くし、かつ、前記素子取付け部の最大径をなす根元部の周面が前記放熱基板との間に角を作ることなく弧状となっていることを特徴とする照明装置。
2. 前記素子取付け部の高さは前記絶縁層の表面の高さ位置よりも高いとともに、前記半導体発光素子が有した半導体発光層の高さ位置は前記導体の表面より高く配置されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
3. 前記凸部からなる前記素子取付け部に嵌合する逃げ孔を前記絶縁層が有し、前記逃げ孔に素子取付け部を通して、前記絶縁層を前記放熱基板に接着して積層するとともに、この接着に用いた接着剤の余剰分を前記逃げ孔に収容したことを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
4. 前記絶縁層と前記接着剤の光反射率が互いに異なるようにこれら絶縁層と接着剤の色を異ならせたことを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
5. 前記放熱基板と前記絶縁層の光反射率が互いに異なるようにこれら放熱基板と絶縁層の色を異ならせるとともに、前記接着剤を透明材料で形成したことを特徴とする請求項３に記載の照明装置。

Images