JP4600786B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、上面発光方式の表示装置およびその製造方法に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの１つとして、有機ＥＬ（Electro Luminescence）現象を利用して映像を表示する有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ素子自体の発光現象を利用しているために視野角が広く、また消費電力が低いなどの優れた特徴を備えている。さらに、この有機ＥＬ表示装置は高精細度の高速ビデオ信号に対しても高い応答性を示すことから、特に映像分野等において、実用化に向けた開発が進められている。更に、このような有機ＥＬ表示装置は、有機発光材料が本来有するフレキシブル性を利用するために基板としてプラスチック基板を用いることにより、フレキシブル性を有する装置としても注目されている。

有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れており、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において、特に適した駆動方式と考えられている。このアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、有機発光層を含む有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ表示素子を駆動させるための駆動素子（上記薄膜トランジスタ）とが配設された駆動パネルを有しており、この駆動パネルと封止パネルとが有機ＥＬ素子を挟むようにして、互いに接着層により貼り合わされた構成となっている。また、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機発光層が形成された構成となっている。

有機ＥＬ表示装置には、各有機ＥＬ素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者のほうが開口率を高くすることができるため、開発の主流となっている。

ここで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取り出し側、すなわち封止パネル側の電極は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えばＩＴＯ（IndiumＴｉn Oxide ；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、この光取り出し側の電極へ印加された電圧が面内で不均一となるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまうという問題があった。

そこで、例えば特許文献１には、駆動パネル側の電極と同じ層に同じ材料によって、光取り出し側の電極と接続するための補助配線を形成するようにした技術が開示されている。

特開２００２―３１８５５６号公報

このように、光取り出し側の電極と比べ抵抗率の低い材料によって補助配線を形成し、これを光取り出し側の電極と接続するようにすれば、上述した電極電圧の面内不均一性がある程度緩和されるとも考えられる。

ところが、上記特許文献１の技術では、駆動パネル側の電極の表面に例えばアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金を用いるようにした場合、その電極と同一材料で補助配線を形成すると、補助配線の表面が酸化されやすくなってしまう。表面が酸化されると、補助配線と光取り出し側の電極との間の接続抵抗が増加し、この部分で大きな電圧降下が生じてしまうことになる。よって、この電圧降下の増加に起因して、装置の消費電力も増大してしまう。

このように従来の技術では、補助配線の構成によらずに消費電力の増大が生じないようにし、光取り出し側の電極電圧の面内均一化を実現して表示品質を向上させるのが困難であった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、補助配線の構成によらず、低消費電力を確保すると共に表示品質を向上させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明による表示装置は、複数の駆動素子および駆動素子に電気的に接続された配線層と、配線層と同一の層により構成されると共に複数の導電性層の積層構造を有し、複数の導電性層のうちの最下層のチタン（Ｔｉ）層が他の導電性層の幅よりも広い拡幅部分を有するコンタクト部と、駆動素子および配線層を覆うと共に、コンタクト部に対応する領域に、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ開口を有する平坦化絶縁膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成され、平坦化絶縁膜上に格子状の平面形状に設けられると共に平坦化絶縁膜の開口内に張り出した部分を有し、張り出した部分がコンタクト部の最上層の導電性層に接触する補助配線と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成され、平坦化絶縁膜上の補助配線の格子内に各駆動素子と対応して形成された複数の第１電極と、平坦化絶縁膜上の複数の第１電極の間の領域に設けられると共に、平坦化絶縁膜の開口に連通する開口を有し、開口は平坦化絶縁膜の開口よりも広い幅を有すると共に上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ電極間絶縁膜と、第１電極上にそれぞれ形成された複数の発光部と、発光部からの光を透過可能な材料により形成されると共に複数の発光部上、電極間絶縁膜上、電極間絶縁膜の開口内および平坦化絶縁膜の開口内に設けられ、平坦化絶縁膜の開口内でコンタクト部の最下層の導電性層の拡幅部分に直接接触する、共通の第２電極とを備え、コンタクト部の下部には駆動素子側に形成される絶縁膜および金属膜を含む膜が形成されているものである。

本発明の表示装置では、第２電極と補助配線との間が導電性のコンタクト部を介して電気的に接続されているので、仮に補助配線の表面が酸化しても、接続抵抗の増大が回避される。加えて、コンタクト部の複数の導電性層のうちの最下層の導電性層の拡幅部分が第２電極と直接接触している構造を有しており、上層の導電性層が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極（第２電極）との間で良好な電気接続ができなくなったとしても、最下層の導電性層の拡幅部分と光取り出し側電極との間において良好な電気接続が確保される。また、コンタクト部の下部には駆動素子側に形成される絶縁膜および金属膜を含む膜が形成されているので、コンタクト抵抗が低抵抗となり、断線などによる抵抗上昇も発生しにくくなる。

本発明による表示装置の製造方法は、基板上に複数の駆動素子および配線層を形成してこれら複数の駆動素子と配線層との間を電気的に接続する工程と、配線層と同一の層により、複数の導電性層の積層構造を有するコンタクト部を形成すると共に、複数の導電性層のうちの最下層のチタン（Ｔｉ）層に他の導電性層の幅よりも広い拡幅部分を設ける工程と、駆動素子および配線層を覆う平坦化絶縁膜を形成し、平坦化絶縁膜のコンタクト部に対応する領域に、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ開口を設ける工程と、平坦化絶縁膜上に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金よりなる補助配線を格子状の平面形状に形成すると共に平坦化絶縁膜の開口内に張り出した部分を設け、張り出した部分をコンタクト部の最上層の導電性層に接触させ、同時に、平坦化絶縁膜上の補助配線の格子内に、複数の駆動素子にそれぞれ対応して、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金よりなる複数の第１電極を形成する工程と、平坦化絶縁膜上の複数の第１電極の間の領域に電極間絶縁膜を形成し、電極間絶縁膜に、平坦化絶縁膜の開口に連通する開口を設け、開口の幅を平坦化絶縁膜の開口よりも広くすると共に上が広く下が狭い順テーパ形状の側面を設ける工程と、第１電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、複数の発光部上、電極間絶縁膜上、電極間絶縁膜の開口内および平坦化絶縁膜の開口内に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第２電極を共通に形成すると共に、第２電極を、平坦化絶縁膜の開口内でコンタクト部の最下層の導電性層の拡幅部分に直接接触させる工程とを含み、コンタクト部を形成する工程において、最下層のチタン（Ｔｉ）層と、中間層のアルミニウム（Ａｌ）層と、最上層のモリブデン（Ｍｏ）層とを形成し、最上層上にマスクを形成したのち、マスクを用いたウェットエッチングにより中間層までを選択的に除去し、かつ、マスクを用いたドライエッチングにより最下層を選択的に除去することにより形成し、その後、最下層，中間層および最上層を覆うように第２電極を形成するようにしたものである。

本発明の表示装置または表示装置の製造方法によれば、第２電極と補助配線との間を導電性のコンタクト部を介して電気的に接続させるようにしたので、仮に補助配線の表面が酸化しても、接続抵抗の増大を回避することができる。よって、補助配線の構成によらず、低消費電力を確保すると共に、表示品質を向上させることが可能となる。

加えて、コンタクト部の最下層の導電性層の拡幅部分が第２電極と直接電気的に接続された構成を有しているので、上層の導電性層が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極（第２電極）との間で良好な電気接続ができなくなったとしても、最下層の導電性層の拡幅部分と光取り出し側電極との間において良好な電気接続が確保される。

更に、コンタクト部の下の層に駆動素子側の配線層等を配置するようにすれば、平坦化層の起因する段差は小さくなり、コンタクト抵抗は低抵抗となり、コンタクト抵抗を高抵抗化させずに歩留まりを向上させることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置）の構成を表すものである。この有機ＥＬ表示装置１は、極薄型の有機ＥＬカラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、透明基板１０Ａの上に、後述する複数の有機ＥＬ素子ＥＬがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１８Ａの下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子ＥＬとを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子ＥＬのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、この有機ＥＬ表示装置１の表示領域１１０の平面構成を表すものであり、図４は図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を示している。

この有機ＥＬ表示装置１は、一対の絶縁性の透明基板１０Ａ，１０Ｂ間に多層膜が積層された積層構造をなしている。具体的には、透明基板１０Ａ側からゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、シリコン膜１３Ａ、ストッパ絶縁膜１４、ｎ＋非晶質シリコン膜１３Ｂおよび配線層１５Ａ（ソース・ドレイン電極）が積層され、薄膜トランジスタＴｒを構成している。また、薄膜トランジスタＴｒ上には、絶縁性の保護絶縁膜（パッシベーション膜）１６および平坦化絶縁膜１７Ａが積層されている。この平坦化絶縁膜１７Ａ上には、薄膜トランジスタＴｒの形成領域に対応して、有機ＥＬ素子ＥＬが形成されている。

透明基板１０Ａ，１０Ｂは、例えばガラス材料やプラスチック材料などの絶縁性材料により構成される。

薄膜トランジスタＴｒは、各有機ＥＬ素子ＥＬを発光駆動させるための駆動素子である。このうち、ゲート電極１１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）などにより構成される。また、シリコン膜１３Ａは薄膜トランジスタＴｒのチャネル領域を形成する部分であり、例えば非晶質シリコン膜などにより構成される。

配線層１５Ａは、薄膜トランジスタＴｒのソース電極およびドレイン電極を構成すると共に、信号線などの配線としての機能も有している。配線層１５Ａの構成材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ａｌ、Ｍｏ、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ；酸化インジウム亜鉛）もしくは銀（Ａｇ）、またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。

また、この配線層１５Ａは、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／（ＡｌＳｉ合金）/ Ｔｉ、Ｍｏ／（ＡｌＳｉＣｕ合金）／ＴｉまたはＭｏ／（ＡｌＣｅ（セリウム）合金）/ Ｔｉ、のような積層構造を有していてもよい。

保護絶縁膜１６は、薄膜トランジスタＴｒを保護するためのものであり、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。また、平坦化絶縁膜１７Ａは、層構造を平坦化してその上に有機ＥＬ素子ＥＬを形成するためのものであり、例えば感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンまたはアクリル樹脂などの絶縁性材料により構成される。

各有機ＥＬ素子ＥＬは、平坦化絶縁膜１７Ａ側から第１電極１８Ａ、有機発光層１９および第２電極２０の順に積層された積層構造をなしている。このうち第１電極１８Ａおよび有機発光層１９は、平坦化絶縁膜１７Ａ上の電極間絶縁膜２１によって互いに分離され、例えば図３に示したような矩形状によって透明基板１０Ａ，１０Ｂ内でマトリクス状に配置されている。一方、第２電極２０は、各有機ＥＬ素子ＥＬに対して共通の電極であり、図４に示したように、透明基板１０Ａ，１０Ｂ内に一様に形成されている。

第１電極１８Ａは、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）であると共に、この有機発光層１９からの光を反射して上方へ導くための反射電極としても機能している。よって、この第１電極１８Ａは、反射率の高い金属、例えばＡｌや、ＡｌＮｄ（ネオジム）合金またはＡｌＣｅ合金などのＡｌを主成分とする合金などにより構成される。なお、このような第１電極１８Ａの構成材料は、表面が酸化されやすいという性質（表面酸化性）を有している。

有機発光層１９は、図示しない正孔輸送層、発光層および電子輸送層を順次堆積させたものであり、第１電極１８Ａおよび第２電極２０によって挟持されている。そしてこれら第１電極１８Ａと第２電極２０との間に所定の電圧を印加すると、発光層内に注入された正孔および電子のキャリア再結合によって、発光が得られるようになっている。

第２電極２０も、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）である。第２電極２０は、この有機発光層１９からの光を透過して上方へ射出するため、透明または半透明の電極となっている。よって、この第２電極２０は、例えば、透明材料であるＩＴＯやＩＺＯ、または半透明材料であるＭｇＡｇ合金やＣｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌなどにより構成される。

図３および図４に示したように、第１電極１８Ａの間の領域には、第１電極１８Ａと同一の層に補助配線１８Ｂが形成されている。補助配線１８Ｂは、第２電極２０と電気的に接続することで、抵抗の高い透過性の第２電極２０における電極電圧の面内不均一性を抑制するためのものである。よって、この補助配線１８Ｂは第２電極２０よりも低抵抗となるように（例えば、抵抗率の低い材料により）構成され、具体的には、上述した第１電極１８Ａの構成材料と同一の材料により構成される。

また、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１には、この補助配線１８Ｂの形成領域の一部（図４参照）に、上が広く下が狭い順テーパ状の開口が設けられている。この開口の底部とゲート絶縁膜１２との層間では、導電性のコンタクト部１５Ｂが形成され、このコンタクト部１５Ｂ上で、第２電極２０と補助配線１８Ｂとが電気的に接続されている。

コンタクト部１５Ｂは、例えば、配線層１５Ａと同一の層に、配線層１５Ａと同一材料によって形成されている。具体的には、コンタクト部１５Ｂの構成材料としては、配線層１５Ａと同様に、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ａｌ、Ｍｏ、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ；酸化インジウム亜鉛）もしくは銀（Ａｇ）、またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。ただし、コンタクト部１５Ｂは、これらに限らず、表面が酸化されにくく、第２電極２０との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性材料を一部に含んで構成されていればよい。

このコンタクト部１５Ｂは、図５に拡大して示したように、２以上の導電性層の積層構造、本実施の形態では、例えば最下層のＴｉ（チタン）層１５Ｂ１（第１導電層）と、中間層のＡｌ層１５Ｂ２（第２導電層）と、最上層のＭｏ（モリブデン）層１５Ｂ３（第３導電層）との３層構造を有している。Ｔｉ層１５Ｂ１はＡｌ層１５Ｂ２およびＭｏ層１５Ｂ３よりも幅広となっており、この拡幅部Ｗにおいて第２電極２０とＴｉ層１５Ｂ１とが直接接触している。これにより、この有機ＥＬ表示装置１では、コンタクト部１５Ｂの最下層であるＴｉ層１５Ｂ１を介して補助配線１８Ｂと第２電極２０との間において良好な電気接続をとり、低消費電力を確保すると共に表示品質を向上させることが可能となっている。

コンタクト部１５Ｂを構成する複数の導電性層のうち、最下層の導電性層（ここでは下層のＴｉ層１５Ｂ１）は、第１電極１８Ａに対して高いエッチング選択性を示す材料により構成されていることが好ましい。これは、後述する製造工程において第１電極１８Ａを形成する際にエッチングによりＴｉ層１５Ｂ１を消失させないためである。中間層のＡｌ層１５Ｂ２は、ＡｌＳｉ合金，ＡｌＳｉＣｕ合金，ＡｌＣｅ（セリウム）合金により構成されていてもよい。また、最上層のＭｏ層１５Ｂ３は、コンタクト部１５Ｂにおいて補助配線１８Ｂのある部分のみに存在し、補助配線１８Ｂがない部分については、後述する製造工程において補助配線１８Ｂのエッチングの際に消失している。

電極間絶縁膜２１の開口の側面は、上が広く下が狭い順テーパ形状となっている。ここで、この順テーパ形状は、なるべく緩やかであるのが望ましい。また、この電極間絶縁膜２１間の開口の幅は、コンタクト部１５Ｂが形成されている平坦化絶縁膜１７Ａでの開口よりも広くなるように構成され、図４に示したように、第２電極２０がこれらの開口部分において、上が広く下が狭い順テーパ状ないし階段状をなすようになっている。このように順テーパ形状をなるべく緩やかにしたり開口部分を階段状に形成するのは、詳細は後述するが、そのほうが第２電極２０を形成する際に断線したり抵抗値増加を招いたりするのを回避するためである。なお、この電極間絶縁膜２１は、例えば感光性のポリイミド樹脂などの絶縁性材料により構成される。

このような有機ＥＬ素子ＥＬの第２電極２０上には、保護膜（図示せず）が一様に形成され、この保護膜（図示せず）と透明基板１０Ｂとの層間には、封止樹脂１７Ｂが一様に形成されている。このような構成により、この有機ＥＬ表示装置１は、有機発光層１９から発せられた光を、最終的に第２電極２０側（透明基板１０Ｂ側）、すなわち上方から射出するようになっており、いわゆる上面発光型の構造をなしている。

第２電極２０上の保護膜（図示せず）は、第２電極２０を保護するためのものであり、例えばＳｉＯ2 、ＳｉＮまたはＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。また、封止樹脂１７Ｂは、層構造を平坦化して透明基板１０Ｂで挟み込むようにするためのものである。

ここで、薄膜トランジスタＴｒが本発明における「駆動素子」の一具体例に対応し、有機発光層１９が本発明における「発光部」の一具体例に対応する。また、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１が本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。

次に、図６〜図９を参照して、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。図６〜図９はそれぞれ、有機ＥＬ表示装置１の製造工程の一部を断面図で表したものである。

まず、図６に示したように、前述した材料よりなる透明基板１０Ａ上に、例えばスパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法およびフォトリソグラフィ法を用いて、前述した材料よりなる膜厚１００ｎｍのゲート電極１１、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜１２、膜厚３０ｎｍのシリコン膜１３Ａ、膜厚３００ｎｍのストッパ絶縁膜１４、膜厚１００ｎｍのｎ＋非晶質シリコン膜１３Ｂおよび膜厚６００ｎｍの配線層１５Ａをこの順に積層し、例えばマトリクス状をなす複数の薄膜トランジスタＴｒをそれぞれ形成する。

ここで、配線層１５Ａを例えばスパッタ法により形成する際に、この配線層１５Ａと同一の材料を用いて、配線層１５Ａと同じ積層構造として、コンタクト部１５Ｂを同時に形成する。コンタクト部１５Ｂの形成位置は、ゲート絶縁膜１２上、すなわち配線層１５Ａと同一の層とすると共に、図４に示したような第１電極１８Ａの間の領域とする。

すなわち、図７（Ａ）に示したようにゲート絶縁膜１２上に、例えばＴｉ層１５Ｂ１（膜厚５０ｎｍ）、Ａｌ層１５Ｂ２（膜厚５００ｎｍ）およびＭｏ層１５Ｂ３（膜厚５０ｎｍ）をこの順にスパッタ法により形成したのち、図７（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜ＰＨをマスクとして、例えばリン酸、硝酸および酢酸の混合酸（燐酢硝酸）を用いたウェットエッチングにより、Ｍｏ層１５Ｂ３を除去すると共にＡｌ層１５Ｂ２を選択的に除去する。続いて、図７（Ｃ）に示したように、例えば塩素ガスを用いたドライエッチングによりＴｉ層１５Ｂ１を選択的に除去し、図３に示したようにＴｉ層１５Ｂ１の表面を一部露出させて拡幅部Ｗを形成する。そののちフォトレジスト膜ＰＨを剥離する。これにより配線層１５Ａと同一の層においてコンタクト部１５Ｂを形成することができる。

本実施の形態では、このようにフォトリソグラフィ工程の後、燐酢硝酸をエッチャントに用いてＡｌ層１５Ｂ２をウェットエッチングし、次に、塩素ガスを用いてＴｉ層１５Ｂ１をドライエッチングすることによりコンタクト部１５Ｂを形成するようにしたので、エッチングによるパターン不良欠陥の発生を抑制することができる。

すなわち、本実施の形態では、フォトレジストパターンの線幅とエッチング後のパターン線幅の差が小さいというドライエッチングの利点を残しつつ、ドライエッチングに起因するパターン不良を減少させることが可能となる。最下層のＴｉ層１５Ｂ１はドライエッチングで加工するのに対し、上層のＡｌ層１５Ｂ２およびＭｏ層１５Ｂ３はウェットエッチングで加工するため、自ずとＴｉ線幅はＡｌ線幅よりも太くはみ出した形状にでき上がる。Ａｌ層１５Ｂ２は大気中で自然酸化し、光取り出し側電極（第２電極２０）との間で良好な電気接続ができなくなるが、最下層のＴｉ層１５Ｂ１と光取り出し側電極との間では良好な電気接続を得ることができる。

ちなみに、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造（後述の比較例２を参照。）に対して全てウェットエッチング処理を施した場合には、ＴｉとＡｌのエッチングレートが大きく異なるため、上層のＴｉよりＡｌの方のエッチング速度が速い場合には上層Ｔｉ端部が不安定となり、折れたりして異物となりパターン不良を起こしてしまうおそれがある。

薄膜トランジスタＴｒおよびコンタクト部１５Ｂを形成したのち、図８（Ａ）に示したように、これら薄膜トランジスタＴｒおよびコンタクト部１５Ｂ上に、前述した材料よりなる保護絶縁膜１６を、例えばＣＶＤ法により一様に形成する。続いて、保護絶縁膜１６上に、前述した材料よりなる平坦化絶縁膜１７Ａを、例えばスピンコート法やスリットコート法により一様に塗布形成する。そしてコンタクト部１５Ｂに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって露光および現像を行って開口を形成し、その後焼成を行うことにより、図中の符号Ｐ１で示したような順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。この際、平坦化絶縁膜１７Ａとして用いる感光性樹脂には、この傾斜がなるべく緩やかになるような感光性樹脂を適宜選択する。なお、この傾斜をより緩やかなものとするため、ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスクなどの多階調マスクを用いて開口を形成したり、この開口部分の大きさが異なる複数枚のマスクを用いて複数回の露光処理を行うようにしてもよい。なお、この順テーパ形状の斜度は、後に形成する第２電極２０の膜厚や形成方法によって適宜設定する。

平坦化絶縁膜１７Ａに開口を設けたのち、図８（Ｂ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部１５Ｂ上に、例えば前述した第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂの構成材料（この例では、金属材料）を用いて、例えばスパッタ法により金属層１８を、例えば３００ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。

金属層１８を形成したのち、図８（Ｃ）に示したように、この金属層１８を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、図３および図４に示した形状からなる第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂをそれぞれ形成する。この際、第１電極１８Ａを各薄膜トランジスタＴｒに対応する位置に形成すると共に、補助配線１８Ｂを第１電極１８Ａの間の領域に形成する。また、この補助配線１８Ｂの一部がコンタクト部１５Ｂと電気的に接続されるようにパターニングする。ここで、コンタクト部１５Ｂは、前述のように金属層１８に対して全てがエッチング選択比の高い材料でなくても、導電性の材料のみエッチング選択比があればよく、この金属層１８をエッチングする際に、コンタクト部１５Ｂの導電性材料も一緒にエッチングされる虞はない。なお、このときのエッチングは適宜選択して行う。

第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂを形成したのち、図９（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａ、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂ上に、前述した材料よりなる電極間絶縁膜２１を、例えばスピンコート法やスリットコート法により一様に塗布形成し、例えばフォトリソグラフィ法によって所定の形状、すなわち各第１電極１８Ａおよび後に形成する各有機発光層１９が互いに分離されるようにパターニングする。また、この際もコンタクト部１５Ｂに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的に除去し、図中の符号Ｐ２で示したような順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。そして同様にこの傾斜がなるべく緩やかになるように、ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスクなどの多階調マスクを用いて開口を形成したり、この開口部分の大きさが異なる複数枚のマスクを用いて複数回の露光処理を行うようにする。また、この電極間絶縁膜２１間の開口の幅を、上が広く下が狭い順テーパ形状となるように形成する。

電極間絶縁膜２１を形成したのち、図９（Ｂ）に示したように、各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を、例えば真空蒸着法により形成する。そしてこの有機発光層１９、電極間絶縁膜２１、平坦化絶縁膜１７Ａ、コンタクト部１５Ｂおよび補助配線１８Ｂ上に、例えば真空蒸着法により前述した材料よりなる第２電極２０を、例えば１０ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。

最後に、第２電極２０上に、例えばＣＶＤ法により前述した材料によりなる保護膜（図示せず）を一様に形成したのち、この保護膜（図示せず）上に封止樹脂１７Ｂを、例えば滴下注入法により一様に形成し、これを前述した材料よりなる透明基板１０Ｂで挟み込むことにより、図３および図４に示した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１が製造される。

この有機ＥＬ表示装置１では、配線層１５Ａおよび薄膜トランジスタＴｒを介して第１電極１８Ａに電圧が印加されると、第２電極２０との間の電位差に応じた輝度で有機発光層１９が発光する。この有機発光層１９からの光は、第１電極１８Ａで反射されつつ第２電極を透過することにより、図４において上方、すなわち透明基板１０Ｂ側に射出される。そして各画素に配置された有機ＥＬ素子ＥＬから画素信号に応じた光が射出されることで、有機ＥＬ表示装置１に所定の画像が表示される。

ここで、この有機ＥＬ表示装置１では、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間が、表面が酸化されにくく第２電極２０との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性のコンタクト部１５Ｂを介して電気的に接続されているため、仮に第１電極１８Ａと同一材料からなる補助配線１８Ｂの表面が酸化したとしても、これら第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間の接続抵抗の増大が回避される。具体的には、図４に示したように、電気的な接続の経路Ｐは、第２電極２０→最下層のＴｉ層１５Ｂ１の拡幅部Ｗ→中間層のＡｌ層１５Ｂ２→最上層のＭｏ層１５Ｂ３→補助配線１８Ｂとなる。

ちなみに、例えば図１０に示した従来の有機ＥＬ表示装置１０１（比較例１）では、補助配線１１８Ｂが、第１電極１１８Ａと同一の層に同一材料により形成されると共に第２電極１２０と直接接続されているため、補助配線１１８Ｂの表面が酸化されると、第２電極１２０と補助配線１１８Ｂとの間の接続抵抗が増大してしまうことになる。

また、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１では、補助配線１８Ｂが第１電極１８Ａと同一の層に形成されると共に、第１電極１８Ａの間の領域に位置する補助配線１８Ｂの一部のみが配線層１５Ａと同一層のコンタクト部１５Ｂと接続されているため、このコンタクト部１５Ｂを形成する際に、薄膜トランジスタＴｒや配線層１５Ａによってレイアウト上の制限を受ける虞はない。

以上のように、本実施の形態では、第２電極２０と補助配線１８Ｂとの間を導電性のコンタクト部１５Ｂを介して電気的に接続させると共に、補助配線１８Ｂの一部のみをこのコンタクト部１５Ｂと接続させるようにしたので、補助配線１８Ｂの表面が酸化しても接続抵抗の増大を回避することができると共に、コンタクト部１５Ｂを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもない。よって、レイアウト上の自由度と低消費電力を確保しつつ、有機ＥＬ表示装置１の表示品質を向上させることが可能となる。

また、コンタクト部１５Ｂを形成する際にレイアウト上の制限を受けることもないことから、無理なレイアウトによって配線層１５Ａとの間でショート不良などを引き起こすこともなく、従来の有機ＥＬ表示装置と比べて製造歩留まりを向上させることが可能となる。

更に、コンタクト部１５Ｂを、配線層１５Ａと同一層に同一材料によって形成するようにしたので、このコンタクト部１５Ｂの形成によって製造工程が増えることもなく、製造コストも維持することができる。すなわち、配線層１５Ａとコンタクト部１５Ｂとを同じ工程で形成することができるため、製造工程を簡素化することができる。

加えて、コンタクト部１５Ｂを、第１電極１８Ａに対してエッチング選択比の高い材料により形成するようにしたので、金属層１８をエッチングして第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂを形成する際に、コンタクト部１５Ｂも一緒にエッチングしてしまうおそれもない。よって、上記したようなコンタクト部１５Ｂを確実に形成することができる。

更にまた、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１における開口の側面を、上が広く下が狭い順テーパ形状とするようにしたので、これら開口の側面部分における第２電極２０の断線や抵抗値増大を回避し、これに起因した製造歩留まりの低下も回避することが可能となる。

加えてまた、本実施の形態では、コンタクト部１５Ｂを最下層のＴｉ（チタン）層１５Ｂ１（第１導電層）と、中間層のＡｌ層１５Ｂ２（第２導電層）と、最上層のＭｏ層１５Ｂ３との３層積層構造とし、Ｔｉ層１５Ｂ１にＡｌ層１５Ｂ２およびＭｏ層１５Ｂ３よりも幅広の拡幅部Ｗを設け、第２電極２０とＴｉ層１５Ｂ１が直接接触している構造を有しているため、中間層のＡｌ層１５Ｂ２が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極（第２電極２０）との間で良好な電気接続ができなくなるが、最下層のＴｉ層１５Ｂ１と光取り出し側電極との間において良好な電気接続が確保されている。

更にまた、このコンタクト部１５Ｂを形成するに際し、燐酢硝酸をエッチャントに用いてＭｏ層１５Ｂ３およびＡｌ層１５Ｂ２をウェットエッチングし、次に、塩素ガスを用いてＴｉ層１５Ｂ１をドライエッチングするようにしたので、フォトレジストパターンの線幅とエッチング後のパターン線幅の差が小さいというドライエッチングの利点を残しつつ、ドライエッチングに起因するパターン不良を減少させることが可能となる。詳細については後述する。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置について説明する。なお、第１の実施の形態における構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して、適宜説明を省略する。

図１１は、本実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置）のうちコンタクト部２５Ｂの断面構成を表すものである。本実施の形態では、コンタクト部２５Ｂの下層には、透明基板１１Ａ上に薄膜トランジスタＴｒに繋がるソース信号線またはゲート配線と同一層である低抵抗配線材料層２６が形成されている。この低抵抗配線材料層２６は例えば膜厚が５００ｎｍであり、その上には、ゲート電極１１と同一の層、ゲート絶縁層１２、シリコン膜１３Ａ、ストッパ絶縁膜１４、ｎ＋非晶質シリコン膜１３Ｂがこの順に積層されている。低抵抗配線材料層２６は、ディスプレイの大画面化や高精細化されるにつれ、ゲート配線やソース信号線、電流供給線の長さに比例し、抵抗が高くなることを防止するために必要である。なお、この低抵抗配線材料層２６は薄膜トランジスタＴｒ部分では不要であるため第１の実施の形態（図５）には含まれていない。薄膜トランジスタＴｒに関する部分や保護絶縁膜１６以外の構成に関しては第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、コンタクト部２５Ｂの下層に低抵抗配線材料層２６等の膜が存在することから、第１電極１８Ｂおよび第２電極２０の距離が短くなるため、平坦化膜に起因する段差が小さくなり、第１の実施の形態に比べてコンタクト抵抗が低抵抗となる。また、断線などによる抵抗上昇も発生しにくくなる。その他の作用効果は、第１の実施の形態と同様である。

以下、上記第１，２の実施の形態のコンタクト部１５Ｂ，２５Ｂでのコンタクト抵抗の評価について、図１２に示した比較例２の構造のそれと対比しつつ説明する。

（比較例２）
図１２は、図５のコンタクト部１５Ｂに対応する比較例２のコンタクト部１１５Ｂの構造を表すものである。配線層１１５Ａおよびコンタクト部１１５Ｂは、Ｔｉ層１１５Ｂ３（膜厚５０ｎｍ）／Ａｌ層１１５Ｂ２（膜厚５００ｎｍ）／Ｔｉ層１１５Ｂ１（膜厚５０ｎｍ）の三層構造となっている。第２電極１２０は上層のＴｉ層１１５Ｂ３と電気的な接続が取れるように、保護絶縁膜１１６および平坦化絶縁膜１１７Ａ上に配置されている。これ以外の構造については上記実施の形態と同様である。

ちなみに、比較例２の構造は、本出願人と同一出願人による先願（特願２００６−１６８９０６号明細書、提出日２００６．６．１９）に含まれている。この先願は、駆動パネル側の電極の反射率を高くすることと、補助配線の低抵抗化を両立するために、最上層がＴｉからなる積層膜で形成されたコンタクト部１１５Ｂを中継して補助配線１１８Ｂと光取り出し側電極（第２電極１２０）との良好な電気接続を可能にしたものである。

ところで、この比較例２のように、補助配線１１８Ｂと光取り出し側電極（第２電極１２０）との電気接続を中継するコンタクト部１１５Ｂを、上記のようにＴｉとＡｌを用いた積層膜とする場合、ＴｉとＡｌ積層のエッチングとしては、塩素ガスや三塩化ホウ素ガスを用いたリアクティブイオンエッチングが一般的に用いられる。このエッチング方法は、フォトレジストパターンの線幅とエッチング後のパターン線幅の差が小さいという加工精度に優れるという利点がある反面、Ａｌのエッチング時に生成された異物に起因するパターン不良が発生しやすく、特に、パネルの大画面化や高精細化によりソース信号線、電流供給線の配線抵抗を下げるために、Ａｌの膜厚を厚くしたときには、歩留まり低下の原因となる。

更に、このコンタクト部１１５Ｂは、薄膜トランジスタＴｒのソース・ドレイン配線と同層で形成するのが工程を簡略化する上で有効であるが、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイでは、ソース・ドレイン層と画素電極を形成する画素電極層の間に、ポリイミドやアクリル樹脂などの平坦化層を、フォトレジストと同様のスピン塗布で２μｍ程度の膜厚で形成することが一般に行われている。この場合、光取り出し側の電極は、平坦化層に形成されたコンタクトホールを介してコンタクト部１１５Ｂと接続されることになるが、平坦化層の段差を乗り越えることによりコンタクト抵抗が増加するという問題があった。

このコンタクト抵抗の評価のために、第２電極と接する部分が、比較例２ではコンタクト部１１５Ｂの端部が露出しないように、また、第１，２の実施の形態では、コンタクト部１５Ｂ，２５ＢのうちのＴｉ層の端部が露出するように設定した。いずれも第２電極とのコンタクト幅を２０μｍ、長さを１００μｍとした。電流値Ｉが１００μＡのときの電圧Ｖの値から抵抗値Ｒを算出し、第１電極と第２電極間のコンタクト抵抗を測定した。図１３はその結果を表すものである。

図１３の結果より図５の構造（第１の実施の形態）においてはコンタクト抵抗が多少上昇するものの、図１１の構造（第２の実施の形態）においては比較例２と同等のコンタクト抵抗を示しており、上述のような配線形成工程における歩留まりを解決する技術を用いてもコンタクト抵抗は実質的には上昇しないことが分かった。なお、図５の構造（第１の実施の形態）においては、コンタクト部１５Ｂと補助配線１８Ｂとの接続抵抗が生じるが、オーミックコンタクト抵抗であるため、上昇は軽微である。

［第３の実施の形態］
図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の表示領域１１０の平面構成を表したものであり、図１５は図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に沿った断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１は、補助配線１５Ｃを、コンタクト部１５Ｂと同一の積層構造とすると共にコンタクト部１５Ｂと一体に形成するようにしたことを除いては、上記第１の実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

透明基板１０Ａ，１０Ｂ、薄膜トランジスタＴｒ、配線層１５Ａ、コンタクト部１５Ｂ、保護絶縁膜１６、平坦化絶縁膜１７Ａ、電極間絶縁膜２１、封止樹脂１７Ｂおよび有機ＥＬ素子ＥＬは、第１の実施の形態と同様に構成されている。

補助配線１５Ｃは、第１電極１８Ａの間の領域に、配線層１５Ａと同一の層に形成されている。この補助配線１５Ｃは、第１の実施の形態の補助配線１８Ｂと同様に、抵抗の高い透過性の第２電極２０における電極電圧の面内不均一性を抑制するためのものである。よって、補助配線１５Ｃは、第２電極２０よりも低抵抗となるように（例えば、抵抗率の低い材料により）構成されている。具体的には、補助配線１５Ｃは、図１６に示したように、コンタクト部１５Ｂと同一の積層構造を有すると共に、コンタクト部１５Ｂと一体に形成されている。これにより、この有機ＥＬ表示装置１では、補助配線１５Ｃとコンタクト部１５Ｂとの接続抵抗を更に小さくすることができるようになっている。

また、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１には、補助配線１５Ｃの形成領域の一部（図１５参照）に、上が広く下が狭い順テーパ状の開口が設けられている。この開口の底部とゲート絶縁膜１２との層間では、配線層１５Ａと同一の層に導電性のコンタクト部１５Ｂが形成され、このコンタクト部１５Ｂ上で、第２電極２０と補助配線１８Ｂとが電気的に接続されている。

この有機ＥＬ表示装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、図１７に示したように、第１の実施の形態と同様にして、透明基板１０Ａ上に複数の薄膜トランジスタＴｒを形成する。

ここで、配線層１５Ａを形成する際に、この配線層１５Ａと同一の材料を用いて、コンタクト部１５Ｂを同時に形成する。コンタクト部１５Ｂの形成位置は、ゲート絶縁膜１２上、すなわち配線層１５Ａと同一の層とすると共に、図１５に示したような第１電極１８Ａの間の領域とする。また、このとき、補助配線１５Ｃをコンタクト部１５Ｂと一体に形成する。

すなわち、まず、図１８（Ａ）に示したようにゲート絶縁膜１２上に、例えばＴｉ層１５Ｂ１（膜厚５０ｎｍ）、Ａｌ層１５Ｂ２（膜厚５００ｎｍ）およびＭｏ層１５Ｂ３（膜厚５０ｎｍ）をこの順にスパッタ法により形成する。次いで、図１８（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜ＰＨをマスクとして、例えば燐酢硝酸を用いたウェットエッチングにより、Ｍｏ層１５Ｂ３を除去すると共にＡｌ層１５Ｂ２を選択的に除去する。続いて、図１８（Ｃ）に示したように、例えば塩素ガスを用いたドライエッチングによりＴｉ層１５Ｂ１を選択的に除去し、図１５に示したようにＴｉ層１５Ｂ１の表面を一部露出させて拡幅部Ｗを形成する。そののちフォトレジスト膜ＰＨを剥離する。これにより配線層１５Ａと同一の層においてコンタクト部１５Ｂを形成すると共に、補助配線１５Ｃをコンタクト部１５Ｂと一体に形成することができる。

薄膜トランジスタＴｒ，コンタクト部１５Ｂおよび補助配線１５Ｃを形成したのち、図１９（Ａ）に示したように、これら薄膜トランジスタＴｒ，コンタクト部１５Ｂおよび補助配線１５Ｃ上に、第１の実施の形態と同様にして、保護絶縁膜１６および平坦化絶縁膜１７Ａを形成し、図中の符号Ｐ１で示したような順テーパ形状の側面を有する開口を形成する。

平坦化絶縁膜１７Ａに開口を設けたのち、図１９（Ｂ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部１５Ｂ上に、第１の実施の形態と同様にして、金属層１８を形成する。続いて、図１９（Ｃ）に示したように、この金属層１８を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、各薄膜トランジスタＴｒに対応する位置に第１電極１８Ａを形成する。

第１電極１８Ａを形成したのち、図２０（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよび第１電極１８Ａ上に、第１の実施の形態と同様にして、電極間絶縁膜２１を形成する。

電極間絶縁膜２１を形成したのち、図２０（Ｂ）に示したように、各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を、例えば真空蒸着法により形成する。そしてこの有機発光層１９、電極間絶縁膜２１、平坦化絶縁膜１７Ａおよびコンタクト部１５Ｂ上に、例えば真空蒸着法により前述した材料よりなる第２電極２０を、例えば１０ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。

最後に、第２電極２０上に、例えばＣＶＤ法により前述した材料によりなる保護膜（図示せず）を一様に形成したのち、この保護膜（図示せず）上に封止樹脂１７Ｂを、例えば滴下注入法により一様に形成し、これを前述した材料よりなる透明基板１０Ｂで挟み込む。以上により、図１４および図１５に示した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１が製造される。

なお、この製造方法により実際に有機ＥＬ表示装置１を作製し、第２の実施の形態と同様にして第１電極と第２電極との間のコンタクト抵抗の評価を行ったところ、図２１に示したように、図１６の構造（第３の実施の形態）では、図１１の構造（第２の実施の形態）と同等の結果が得られた。すなわち、補助配線１５Ｃを、コンタクト部１５Ｂと同一の積層構造とすると共に、コンタクト部１５Ｂと一体に形成するようにすれば、補助配線１５Ｃとコンタクト部１５Ｂとの接続抵抗を更に小さくすることができ、コンタクト抵抗を実質的に上昇させないようにすることできることが分かった。

この有機ＥＬ表示装置１では、第１の実施の形態と同様に、配線層１５Ａおよび薄膜トランジスタＴｒを介して第１電極１８Ａに電圧が印加されると、第２電極２０との間の電位差に応じた輝度で有機発光層１９が発光する。この有機発光層１９からの光は、第１電極１８Ａで反射されつつ第２電極を透過することにより、図４において上方、すなわち透明基板１０Ｂ側に射出される。そして各画素に配置された有機ＥＬ素子ＥＬから画素信号に応じた光が射出されることで、有機ＥＬ表示装置に所定の画像が表示される。

ここで、この有機ＥＬ表示装置１では、補助配線１５Ｃが、コンタクト部１５Ｂと同一の積層構造を有すると共に、コンタクト部１５Ｂと一体に形成されているので、補助配線１５Ｃとコンタクト部１５Ｂとの接続抵抗が更に小さくなっている。よって、第２電極２０と補助配線１５Ｃとの間の接続抵抗が更に低減される。

このように本実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、補助配線１５Ｃを、コンタクト部１５Ｂと同一の積層構造とすると共に、コンタクト部１５Ｂと一体に形成するようにしたので、補助配線１５Ｃとコンタクト部１５Ｂとの接続抵抗を更に小さくすることができる。よって、補助配線１５Ｃとコンタクト部１５Ｂとの接続抵抗を更に低減し、低消費電力を確保しつつ表示品質を向上させることが可能となる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

例えば、コンタクト部１５Ｂ，２５Ｂの形成位置は、上記実施の形態で説明した図４などの位置、すなわち配線層１５Ａとの同一層や、第１電極１８Ａおよび補助配線１８Ｂとの同一層には限られず、他の層に形成するようにしてもよい。

また、第１の実施の形態では補助配線１８Ｂを第１電極１８Ａと同一の層に形成した場合、第３の実施の形態では補助配線１５Ｃを配線層１５Ａおよびコンタクト部１５Ｂと同一の層に形成した場合についてそれぞれ説明したが、補助配線１８Ｂ，１５Ｃは、どちらの層に形成してもよい。また、補助配線１８Ｂ，１５Ｃを併用すると共に適宜コンタクトホールを用いて接続することにより、片方の補助配線が断線した場合には、もう一方の補助配線で補うようにすることも可能である。

更に、上記各実施の形態では、電極間絶縁膜２１のコンタクト部１５Ｂに対応する開口の幅を、下層の平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも広くなるようにした場合について説明したが、電極間絶縁膜２１の開口は、上が広く下が狭い順テーパ形状であれば、その幅は、平坦化絶縁膜１７Ａの開口よりも狭くなっていてもよい。

加えて、平坦化絶縁膜１７Ａと保護絶縁膜１６との位置関係について、これらが別々に形成される場合にはコンタクト部１５Ｂの保護絶縁膜１６の内側に平坦化絶縁膜１７Ａを配置することが望ましいが、これに限定されることはない。

更にまた、第２の実施の形態では、薄膜トランジスタＴｒの製造工程において形成される膜をすべてコンタクト部１５Ｂの下の層として残しているが、全てを残す必要があるわけではなく、適宜除いてもよく、また、薄膜トランジスタＴｒ部分とは別の膜を形成するようにしてもよい。

加えてまた、本発明の表示装置は、上記実施の形態で説明したような有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置には限られず、他の表示装置にも適用することが可能である。

更にまた、上記実施の形態において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

加えてまた、上記実施の形態では、有機ＥＬ表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、例えば透明基板１０Ｂ側にカラーフィルタ層を設けるなどして、他の層を備えるようにしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 図３に示した表示装置のコンタクト部の構造を表す断面図である。 図３に示した表示装置の製造方法の主要な工程の一部を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 比較例１のコンタクト部の構成を表す断面図である。 第２の実施の形態に係る表示装置のコンタクト部の構成を表す断面図である。 比較例２としてのコンタクト部の構成を表す断面図である。 コンタクト抵抗の評価結果を表す図である。 第３の実施の形態に係る表示装置の表示領域の構成を表す平面図である。 図３のＸＶ−ＸＶ線における断面図である。 図１５に示した表示装置のコンタクト部の構造を表す断面図である。 図１５に示した表示装置の製造方法の主要な工程の一部を表す断面図である。 図１７に続く工程を表す断面図である。 図１８に続く工程を表す断面図である。 図１９に続く工程を表す断面図である。 コンタクト抵抗の評価結果を表す図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置、１０Ａ，１０Ｂ…透明基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート絶縁膜、１３Ａ…シリコン膜、１３Ｂ…ｎ＋非晶質シリコン膜、１４…ストッパ絶縁膜、１５Ａ…配線層、１５Ｂ…コンタクト部、１５Ｂ１…Ｔｉ層、１５Ｂ２…Ａｌ層、１５Ｂ３…１５Ｂ３、１６…保護絶縁膜、１７Ａ…平坦化絶縁膜、１７Ｂ…封止樹脂、１８，２２…金属層、１８Ａ…第１電極、１８Ｂ…補助配線、１９…有機発光層、２０…第２電極、２１…電極間絶縁膜、２３…保護膜、Ｔｒ…薄膜トランジスタ。

Claims (3)

1. 複数の駆動素子および前記駆動素子に電気的に接続された配線層と、
   前記配線層と同一の層により構成されると共に複数の導電性層の積層構造を有し、前記複数の導電性層のうちの最下層のチタン（Ｔｉ）層が他の導電性層の幅よりも広い拡幅部分を有するコンタクト部と、
   前記駆動素子および前記配線層を覆うと共に、前記コンタクト部に対応する領域に、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ開口を有する平坦化絶縁膜と、
   アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成され、前記平坦化絶縁膜上に格子状の平面形状に設けられると共に前記平坦化絶縁膜の開口内に張り出した部分を有し、前記張り出した部分が前記コンタクト部の最上層の導電性層に接触する補助配線と、
   アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成され、前記平坦化絶縁膜上の前記補助配線の格子内に各駆動素子と対応して形成された複数の第１電極と、
   前記平坦化絶縁膜上の前記複数の第１電極の間の領域に設けられると共に、前記平坦化絶縁膜の開口に連通する開口を有し、前記開口は前記平坦化絶縁膜の開口よりも広い幅を有すると共に上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ電極間絶縁膜と、
   前記第１電極上にそれぞれ形成された複数の発光部と、
   前記発光部からの光を透過可能な材料により形成されると共に前記複数の発光部上、前記電極間絶縁膜上、前記電極間絶縁膜の開口内および前記平坦化絶縁膜の開口内に設けられ、前記平坦化絶縁膜の開口内で前記コンタクト部の最下層の導電性層の拡幅部分に直接接触する、共通の第２電極と
   を備え、
   前記コンタクト部の下部には前記駆動素子側に形成される絶縁膜および金属膜を含む膜が形成されている
   表示装置。
2. 前記コンタクト部は、前記最下層のチタン（Ｔｉ）層と、中間層のアルミニウム（Ａｌ）層と、前記最上層のモリブデン（Ｍｏ）層とを有する
   請求項１記載の表示装置。
3. 基板上に複数の駆動素子および配線層を形成してこれら複数の駆動素子と配線層との間を電気的に接続する工程と、
   前記配線層と同一の層により、複数の導電性層の積層構造を有するコンタクト部を形成すると共に、前記複数の導電性層のうちの最下層のチタン（Ｔｉ）層に他の導電性層の幅よりも広い拡幅部分を設ける工程と、
   前記駆動素子および前記配線層を覆う平坦化絶縁膜を形成し、前記平坦化絶縁膜の前記コンタクト部に対応する領域に、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をもつ開口を設ける工程と、
   前記平坦化絶縁膜上に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金よりなる補助配線を格子状の平面形状に形成すると共に前記平坦化絶縁膜の開口内に張り出した部分を設け、前記張り出した部分を前記コンタクト部の最上層の導電性層に接触させ、同時に、前記平坦化絶縁膜上の前記補助配線の格子内に、前記複数の駆動素子にそれぞれ対応して、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金よりなる複数の第１電極を形成する工程と、
   前記平坦化絶縁膜上の前記複数の第１電極の間の領域に電極間絶縁膜を形成し、前記電極間絶縁膜に、前記平坦化絶縁膜の開口に連通する開口を設け、前記開口の幅を前記平坦化絶縁膜の開口よりも広くすると共に上が広く下が狭い順テーパ形状の側面を設ける工程と、
   前記第１電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、
   前記複数の発光部上、前記電極間絶縁膜上、前記電極間絶縁膜の開口内および前記平坦化絶縁膜の開口内に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第２電極を共通に形成すると共に、前記第２電極を、前記平坦化絶縁膜の開口内で前記コンタクト部の最下層の導電性層の拡幅部分に直接接触させる工程と
   を含み、
   前記コンタクト部を形成する工程において、前記最下層のチタン（Ｔｉ）層と、中間層のアルミニウム（Ａｌ）層と、前記最上層のモリブデン（Ｍｏ）層とを形成し、前記最上層上にマスクを形成したのち、前記マスクを用いたウェットエッチングにより前記中間層までを選択的に除去し、かつ、前記マスクを用いたドライエッチングにより前記最下層を選択的に除去することにより形成し、その後、前記最下層，前記中間層および前記最上層を覆うように前記第２電極を形成する
   表示装置の製造方法。

Images