JP4601639B2

JP4601639B2 - 平板表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP4601639B2
Application number: JP2007092396A
Authority: JP
Inventors: 東洙崔; 章煥申; 寧 ▲徹▼ 朱; 鎭宇朴
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2007-01-12
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2010-12-22
Anticipated expiration: 2027-03-30
Also published as: US7780493B2; CN101221910A; TW200829524A; EP1944817A2; CN101221910B; KR100838077B1; JP2008170926A; US20080171485A1; TWI376356B; EP1944817A3; EP1944817B1

Description

本発明は、平板表示装置の製造方法に係り、さらに詳細には、ガラスフリットにより密封された平板表示装置の製造方法に関する。

一般的に、有機電界発光表示装置、ＴＦＴ−ＬＣＤのような平板型表示装置は、駆動特性上、超薄型化及びフレキシブル化が可能であり、これに係る多くの研究がなされている。

このうち有機電界発光表示装置は、水分の浸透により劣化されてしまうという特性を有している。従って、水分の浸透を防止するための封止構造を必要とする。

従来には、金属キャンやガラス基板に溝を有するようにキャップ状に加工して密封部材とし、その溝に水分の吸収のための乾湿剤（Desiccant）をパウダー状に搭載したり、またはフィルム状に製造して両面テープを利用して接着した後、この密封部材をＵＶ硬化有機シーラント（Sealant）や熱硬化有機シーラントを利用し、素子の形成された基板に接合する方法を利用していた。

密封部材と基板とを接合させるための有機シーラントの場合、耐圧特性が良好ではなく、経時的に耐透湿性が顕著に低下して密封効果を低減させるという問題があった。

かような問題により、近来には、耐圧特性が高く、優秀な密封特性を得ることができるガラスフリットを、前記有機シーラントの代替用に使用しようとする試みがある。ガラスフリットを利用したシーリングにおいて、有機発光素子に及ぶ熱的影響を最小化させつつ、ガラスフリットを溶融させるためにレーザを使用できる。しかし、その場合、複数個の発光素子を１つのガラスに形成した後、各素子別にガラスを切断する量産工程では、レーザ照射により発生した熱的ストレスにより、ガラスの切断面に不良が発生するというような問題があった。

すなわち、レーザによりガラスフリットを溶かすときには、５００〜６００℃ほどの高温で瞬間的な温度上昇が起こるが、ガラスはこれにより、急激な熱衝撃を受けることになる。かような熱衝撃は、ガラスに部分別にストレス偏差を発生させる。このストレス偏差は、ガラスの切断時にクラックの伝播が所望の方向になされなくなるという原因、すなわち切断面に突起やパーティクルが発生してしまう原因になる。

本発明は、前記のような問題点を解決するためのものであり、レーザでガラスフリットを溶かして基板と密封部材とを接合する平板表示装置の製造方法において、レーザによる切断面不良を最小化できる平板表示装置の製造方法を提供するところにその目的がある。

前記のような目的を達成するために、本発明は、第１基板の一方の面に発光素子を備える発光部を複数個形成する段階と、第２基板を準備する段階と、前記第１基板または第２基板の一方の面にガラスフリットを形成する段階と、前記第１基板と第２基板との間に、前記ガラスフリットが介在されるように、前記第１基板と第２基板とを対向配置する段階と、第１強度のレーザを照射し、前記ガラスフリットを溶かし、前記ガラスフリットにより前記第１基板と第２基板とを接合する段階と、第１強度のレーザが照射された領域に第２強度のレーザを照射し、前記第１基板または第２基板をアニーリングする段階とを含む平板表示装置の製造方法を提供する。

前記第２強度は、前記第１強度より低い強度でありうる。

前記第２強度は、前記第１強度の７０ないし８０％でありうる。

前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、前記第１強度のレーザで、前記ガラスフリットを溶かして接合する段階の逆の順序で進められうる。

前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、前記第１強度のレーザで、前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第１方向に進められ、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、第１方向の逆方向に進められる。

前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第２方向にまず進められた後、第１方向に進められる順序を反復的に行うことであり、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、第２方向にまず進められた後、第１方向の逆方向に進められる順序を反復的に行うことでありうる。

前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階、及び前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、それぞれ一回に二つ以上の発光部に対して進められうる。

このとき、前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第１方向に沿った１列の発光部に対して進められた後、第２方向に沿って次の１列の発光部に対して進められることであり、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、前記第１強度のレーザで、前記ガラスフリットを溶かして接合する段階の逆の順序で進められうる。

前記第１強度のレーザで接合する段階後に、前記第１基板及び第２基板を１８０°回転させる段階をさらに含むことができる。

前記第１強度のレーザで接合する段階と、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階とで、レーザを照射するレーザ照射器の進行方向が同一でありえる。

前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第１基板側から照射されうる。

前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第２基板側から照射されうる。

前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第１基板及び第２基板の両側から照射されうる。

前記アニーリング段階後に、前記第１基板または第２基板を、前記各発光部別に切断する段階をさらに含むことができる。

前記発光素子は、有機電界発光素子でありうる。

本発明によれば、ガラスフリットをレーザで溶かして基板と基板を接合するディスプレイ装置の製造方法において、簡単に切断品質を向上させることができる。

以下、添付図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施例について詳細に説明すれば、次の通りである。

図１は、本発明の望ましい一実施例による平板表示装置の製造方法により製造される平板表示装置用基板の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩの断面図である。

図１及び図２から分かるように、互いに対向した第１基板１と第２基板２とを準備し、このうち一方である第１基板１の一方の面に複数個の発光部３を形成する。

第１基板１及び第２基板２は、透明なガラス材が使われることができるが、必ずしもそれに限定されるものではない。

前記各発光部３は、複数個の発光素子を備えており、本発明の望ましい一実施例によれば、有機発光素子を複数個備える有機発光部となりうる。

図４は、発光部３の一例を図示したものであり、能動駆動型有機発光素子を図示している。

図４から分かるように、第１基板１の上面には、不純物イオンが広がることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリア層及び／またはバッファ層のような絶縁層１１が形成されうる。

この絶縁層１１上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層１２が半導体材料により形成され、これを覆うように、ゲート絶縁膜１３が形成される。活性層１２は、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や、有機半導体が使われうるが、ソース領域１２ｂ、ドレイン領域１２ｃ、及びそれらの間のチャンネル領域１２ａを有する。

ゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極１４が備わり、これを覆うように、層間絶縁膜１５が形成される。そして、層間絶縁膜１５上には、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂが備わり、これを覆うように、平坦化膜１７及び画素定義膜１８が順に備わる。

前記ゲート絶縁膜１３、層間絶縁膜１５、平坦化膜１７、及び画素定義膜１８は、絶縁体として備わりうるが、単層または複層の構造に形成されており、有機物、無機物、または有機・無機複合物から形成されうる。

前述のようなＴＦＴの積層構造は、必ずしもそれらに限定されるものではなく、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。

一方、前記平坦化膜１７の上部には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の一電極である画素電極３１が形成され、その上部に画素定義膜１８が形成され、この画素定義膜１８に所定の開口部を形成して画素電極３１を露出させた後、有機発光素子の有機発光膜３２を形成する。

前記有機発光素子は、電流の流れにより、赤色、緑色、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであり、ＴＦＴのドレイン電極１６ｂにコンタクトホールを介してコンタクトされた画素電極３１、全体画素を覆うように備わった対向電極３３、及びそれら画素電極３１と対向電極３３との間に配置されて発光する有機発光膜３２から構成される。

前記画素電極３１と対向電極３３は、前記有機発光膜３２により互いに絶縁されており、有機発光膜３２に互いに異なる極性の電圧を加え、有機発光膜３２から発光させる。

前記有機発光膜３２は、低分子または高分子の有機膜が使われうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層（ＥＭＬ：Emission Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）などが単一あるいは複合構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。それら低分子有機膜は、真空蒸着の方法により形成されうる。このとき、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などは共通層として、赤色、緑色、青色の画素に共通して適用されうる。従って、図４とは異なり、それら共通層は、対向電極３３のように、全体画素を覆うように形成されうる。

前記画素電極３１は、アノード電極の機能を行い、前記対向電極３３は、カソード電極の機能を行うが、もちろん、それら画素電極３１と対向電極３３との極性は、反対になってもよい。

第１基板１の方向に画像が具現される背面発光型（bottom emission type）である場合、前記画素電極３１は透明電極になり、対向電極３３は反射電極になりうる。このとき、画素電極３１は、仕事関数が大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などから形成され、対向電極３３は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどから形成されうる。

対向電極３３の方向に画像を具現する前面発光型（top emission type）である場合、前記画素電極３１は反射電極として備わり、対向電極３３は透明電極として備わりうる。このとき、画素電極３１になる反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物などから形成された反射膜と、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などとを含んで備わりうる。そして、前記対向電極３３になる透明電極は、仕事関数が小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３のような透明導電物質でもって補助電極層やバス電極ラインを形成できる。

両面発光型の場合、前記画素電極３１と対向電極３３とがいずれも透明電極として備わりうる。

前記画素電極３１及び対向電極３３は、必ずしも前述の物質から形成されるものに限定されず、伝導性有機物や、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子の含まれた伝導性ペーストなどで形成することもできる。かような伝導性ペーストを使用する場合、インクジェットプリンティング法を使用してプリンティングでき、プリンティング後には焼成し、電極として形成できる。

このように製造された表示部３の対向電極３３の上面には、この表示部３を覆うように無機物、有機物、または有機・無機複合積層物からなるパッシベーション膜３４がさらに備わりうる。

一方、図１から分かるように、前記表示部３に隣接しては、外部素子と表示部３とを連結するパッド部４がそれぞれ設けられている。

前記表示部３とパッド部４は、第１方向（Ｘ）にｍ個、第２方向（Ｙ）にｎ個備わっている。このとき、１つの表示部３とパッド部４とが１つの単位セルをなし、各単位セルの表示部３とパッド部４は、第２方向（Ｙ）に互いに隣接している。

そして、前記各表示部３を取り囲むように、ペースト状態のガラスフリットが第２基板２の第１基板１に向かった面に塗布され、これを一次的に熱処理（pre-sintering）し、ガラスフリット５を硬化させる。もちろん、ガラスフリット５は、第１基板１の第２基板２に向かった面に形成されることもある。ペースト状態のガラスフリットは、ディスペンサを利用して各セルに順次に塗布されるか、またはスクリーンプリンティング法を利用して各セルに一括塗布されうる。

次に、ガラスフリット５が形成された第２基板２と第１基板１とを整列した後、図２から分かるように、レーザ照射器６を介してガラスフリット５に局部的にレーザを照射して第１基板１と第２基板２とを接合する。図２で見るとき、レーザの照射は、第２基板２の上部で行われるが、必ずしもそれらに限定されるものではなく、第１基板１の下部で行われることもあり、また第２基板２の上部及び第１基板１の下部で同時に行われることもある。

このとき、レーザ照射器６の照射ヘッドが単一ヘッドである場合には、図１で見るとき、第１方向（Ｘ）の最初の列の第２方向（Ｙ）に配列されたｎ個の単位セルのガラスフリットにレーザを照射し、次に、第１方向（Ｘ）の二列目の第２方向（Ｙ）に配列されたｎ個の単位セルのガラスフリットにレーザを照射する方式でレーザ照射を進める。従って、レーザ照射器６の全体的な進行方向は、第１方向（Ｘ）になる。

このとき、第１方向（Ｘ）及び第２方向（Ｙ）は、互いに反対になってもよい。

このように、ガラスフリット５を溶かして第１基板１と第２基板２とを接合するときのレーザ強度は第１強度とするが、前記第１強度は、レーザのビームサイズ及びフリット材料の特性によって決まりうる。また、前記第１強度は、ガラスフリット５の組成と、これと接合される第１基板１、第２基板２の組成とによって変わることもある。ただ、第１強度のレーザとしては、ガラスフリット５を、第１基板１と第２基板２とを接合させることができるように溶融させることができなければならない。

このように、第１強度のレーザを利用し、ガラスフリット５を溶かして第１基板１と第２基板２とを接合した後には、図３から分かるように、第２強度のレーザを前記ガラスフリット５に照射し、前記第１基板１または第２基板２に所定のアニーリングを加える。

アニーリング時のレーザ強度、すなわち、前記第２強度は、前記接合時のレーザ強度の第１強度とは異なる強度、さらに詳細には、第１強度より弱い強度であることが望ましいが、ほぼ第１強度の７０ないし８０％レベルで実施する。

そして、このアニーリング工程で、第２強度のレーザを照射する順序は、接合工程で、第１強度のレーザを照射する順序に対してほぼ逆の順序で進められることが望ましい。

すなわち、図１で見るとき、接合工程で、第１強度のレーザを照射する進行方向が全体的に第１方向（Ｘ）になされるので、アニーリング工程で、第２強度のレーザを照射する進行方向は、全体的に第１方向（Ｘ）の逆方向にすることが望ましい。

さらに詳細には、前述の接合工程の第１強度のレーザ照射進行方向に逆の順序でアニーリング工程の第２強度のレーザ照射を進めることが望ましいが、しかし、このとき、必ずしも正確に逆の順序にする必要はなく、前述のように、全体的な進行方向のみ逆の順序になるように、すなわち、接合工程で、全体的に第１方向（Ｘ）にレーザ照射を進めたので、アニーリング工程では、全体的に第１方向（Ｘ）の逆の順序にレーザ照射を進めてもよい。

かようなアニーリング工程は、レーザ照射器６の進行方向をコントロールして進行させてもよいが、レーザ照射器６の進行方向は、同一にセットしておいた状態で、第１基板１及び第２基板２を１８０°回しておき、単にレーザの強さのみをコントロールして進めてもよい。

前述の接合工程を行った後、直ちに第２基板２を切断する場合、第１方向（Ｘ）の逆方向に突出した突起が第２基板２の切断面に存在することになる。これは、レーザを第１方向（Ｘ）に順次照射することにより、１つの単位セルに対してレーザ照射するとき、隣接した単位セルでも、基板１２がレーザによる熱的ストレスを受けることになり、これが、第１方向（Ｘ）にレーザ照射が進められることにより、だんだんと加重されるためである。図５は、接合工程でのレーザ照射後に第２基板２を切断するとき、第２基板２の切断面に存在することになるパーティクルや突起の突出方向を全体的に描写したものである。

かような現象は、前述のアニーリング工程を介して解消しうる。

すなわち、前述のように、第２強度を有するレーザを介し、接合工程とは反対方向にアニーリング工程を進める場合、第１基板１、第２基板２が受けた熱的ストレスの局部的不均衡は、再び平衡を取り戻すことになる。図６は、アニーリング工程でのレーザ照射後に、第２基板２を切断するとき、第２基板２の切断面に存在することになるパーティクルや突起の突出方向を全体的に描写したものである。

従って、アニーリング工程を進めた後、基板を切断する場合、クラックの進行方向も所望の方向に一定に進めることができ、きれいな切断面を得ることができる。

一方、アニーリング工程では、レーザによりガラスフリットがさらに溶けることがないように、接合工程よりは強度の低いレーザで作業することが望ましい。

図７は、アニーリング工程を行わずに、接合工程のみを行った後で直ちに切断したときの第２基板２の切断面を表す写真である。そして、図８は、アニーリング工程を行った後で切断したときの第２基板２の切断面を表す写真である。

図７に見るとき、上部に斜線の見える部分はカッタの挿入された部分であり、その下部は、このカッタの挿入された部分により発生したクラックが伝播されて切断された部分に該当する。

図７から分かるように、ガラスフリットをレーザで溶かし、第１基板１と第２基板２とを接合する際に、レーザ照射が一方向にのみ進められるとガラスに熱的ストレスの不均一が発生し、切断面に突起が不規則に発生する。このことは、ほとんど必然的に不良をもたらすことになる。また、図７に見るとき、クラックが伝播された部分には、陰影が見られるが、この陰影は、クラックが伝播された部分が全体的に平坦でなく、断面が突出形態になったということを意味する。

かような形態は、第１基板１及び第２基板２、すなわち、ガラスを切断した後に表面研磨工程を介しても除去できるが、一般の表面研磨工程は湿式工程であるために、密封を要するディスプレイ、特に、有機発光表示装置のように、湿式工程を避けねばならないディスプレイ装置では、適用するのがほぼ不可能である。

図８は、本発明のようなアニーリングを実施しなかったときに、クラックが一方方向に進んだ例を表したものである。図８で、後でレーザシーリングされた部分１００から、初めにレーザシーリングされた部分１１０にクラック１２０が進んだということが分かる。

このようにガラスフリット接合で必然的に発生する不良に対しても、本発明のように、アニーリング工程を介して行えば、図９で見ることができるように、清潔な切断面を得ることができるのである。

従って、本発明のようなアニーリングを実施すると、簡単に製品の品質向上を期することができる。

一方、本願発明は、レーザ照射６の照射ヘッドが二以上であるマルチヘッドである場合にも適用可能である。

図１０は、マルチヘッドを使用したときのレーザ照射順序を容易に説明するための概略図である。図１０では、レーザの照射される第１基板１の各セル３’の領域を概略的に図示したものであり、レーザの照射されるガラスフリット５は、簡単に線で図示した。図１０に見るとき、第２方向（Ｙ）にＡないしＥの５行が存在するが、マルチヘッドは、１行で１つのセルを飛び越して１セルずつ、いずれも５つのセルに対してレーザ照射することができるようになっている。従って、図１０で図示された例では、Ａ行に対してレーザ照射を行うとき、奇数列（Ａ［ｏ］）に対し、または偶数列（Ａ［ｅ］）に対して一括レーザ照射を行うことができる。

かようなマルチヘッドを利用し、まずＡ行の奇数列（Ａ［ｏ］）に対して接合用レーザ照射を行う。このとき、Ａ行の偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’は、奇数列（Ａ［ｏ］）に対するレーザ照射により生成された熱が伝導され、間接照射された結果になり、一次熱特性変化が起きる。

次に、マルチヘッドは、Ａ行の偶数列（Ａ［ｅ］）に対して接合用レーザ照射を行うことになるが、このとき、Ａ行の偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’は、レーザにより直接的な熱特性変化を受けることになる。

従って、偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’は、二次にわたった熱履歴変化を経ることになる。一方、初めに接合用レーザ照射を受けた奇数列（Ａ［ｏ］）のセル３’は、接合用レーザ照射を受けるときに強い熱特性変化を経たので、二次に行われる偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’に対する接合用レーザ照射時には、その伝導される熱による影響が小さくなる。結果的に、偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’に対する第２基板２のガラス強度が強くなり、スクライビングを行う場合、奇数列（Ａ［ｏ］）側にクラックが伝播され、結局、偶数列（Ａ［ｅ］）のセル３’のサイズが奇数列（Ａ［ｏ］）のセル３’のサイズより大きくなるという問題が生まれる。従って、本発明では、これを防止するために、接合用レーザ照射を終えた後に、これを進めた順序と反対の順序にアニーリング用レーザ照射を行うのである。図１０に見るとき、アニーリング順序は、Ｅ行の偶数列、奇数列、Ｄ行の偶数列、奇数列、 …、Ａ行の偶数列、奇数列の順序に進められる。

下表１は、図１０に見るとき、第１方向（Ｘ）にＡ〜Ｒまで１８の列があり、第２方向（Ｙ）に８行まであるとき、前述のようなマルチヘッドを利用し、レーザ照射を行って接合した後、アニーリングを行っていないときに、ガラスカッティング不良によるセルサイズ偏差を表したものである。このとき、マルチヘッドは、９つの列を一度に照射することができるものである。そして、目標にしたセルサイズは、３７．９８ｍｍである。

上の表１から分かるように、偶数列の場合、セルサイズが大きくなるセルが多数発生するということが分かる。

下の表２は、同じ条件で、前述の図１０の実施例のようなアニーリングを実施した後のセルサイズを表したものである。

表２から分かるように、該アニーリングを実施した場合、セルサイズの不良が顕著に減少するということが分かる。これは、隣接セル間の熱履歴を前記アニーリングにより補正したためである。

以上で説明したような本発明は、必ずしも有機発光表示装置に限定されるものではなく、液晶表示装置や、無機電界発光表示装置など、多様な平板表示装置に適用されうるということは、いうまでもない。

本発明は図面に図示された一実施例を参考として説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者ならば、それらから多様な変形及び実施例の変形が可能であるという点を理解することができるであろう。

本発明の平板表示装置の製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。

本発明の望ましい一実施例による平板表示装置の製造方法により製造される平板表示装置用基板の平面図を有している。図１のＩＩ−ＩＩラインに沿って切り取った断面図である。アニーリング工程での図１のＩＩ−ＩＩラインに沿って切り取った断面図である。図１の表示部の一例を図示した断面図である。接合工程後切断するとき、第２基板の切断面に形成される突起の形状を模式的に図示した平面図である。アニーリング工程後切断するとき、第２基板の切断面に形成される突起の形状を模式的に図示した平面図である。アニーリング工程を行わずに、接合工程だけを行った後で直ちに切断したときの第２基板の切断面を表す写真である。アニーリング工程を行わずに、接合工程だけを行った後で直ちに切断したとき、第２基板でクラックが伝播される現象を表す写真である。アニーリング工程を行った後で切断したときの第２基板の切断面を表す写真である。マルチヘッドを使用したときのレーザ照射順序を容易に説明するための概略図である。

符号の説明

１第１基板
２第２基板
３発光部
４パッド部
５ガラスフリット
６レーザ照射器
１１絶縁層
１２ＴＦＴの活性層
１２ａチャンネル領域
１２ｂソース領域
１２ｃドレイン領域
１３ゲート絶縁膜
１４ゲート電極
１５層間絶縁膜
１６ａソース電極
１６ｂドレイン電極
１７平坦化膜
１８画素定義膜
３１画素電極
３２有機発光膜
３３対向電極
３４パッシベーション膜

Claims

第１基板の一方の面に発光素子を備える発光部を複数個形成する段階と、
第２基板を準備する段階と、
前記第１基板または第２基板の一方の面にガラスフリットを各発光部を取り囲むように形成する段階と、
前記第１基板と第２基板との間に、前記ガラスフリットが介在するように前記第１基板と第２基板とを対向配置する段階と、
第１強度のレーザを照射し、前記ガラスフリットを溶かし、前記ガラスフリットにより前記第１基板と第２基板とを接合する段階と、
第１強度のレーザが照射された領域に第２強度のレーザを照射し、前記第１基板または第２基板をアニーリングする段階とを含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
前記第２強度は、前記第１強度より低い強度であることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第２強度は、前記第１強度の７０ないし８０％であることを特徴とする請求項２に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、前記第１強度のレーザで、前記ガラスフリットを溶かして接合する段階とは前記発光部について逆の順序でレーザを照射して進められることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、
前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第１方向に進められ、
前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、第１方向の逆方向に進められることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、
前記第１強度のレーザで、前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第２方向にまず進行した後、第１方向に進められる順序を反復的に行うことであり、
前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、第２方向にまず進められた後、第１方向の逆方向に進められる順序を反復的に行うことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階、及び前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、それぞれ一回に二つ以上の発光部に対して進められることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記発光部は、第１方向にｍ個、第２方向にｎ個配列され、
前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階は、第１方向に沿った１列の発光部に対して進められた後、第２方向に沿って次の１列の発光部に対して進められることであり、
前記第２強度のレーザでアニーリングする段階は、前記第１強度のレーザで前記ガラスフリットを溶かして接合する段階とは前記発光部について逆の順序でレーザを照射して進められることを特徴とする請求項７に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度のレーザで接合する段階後に、
前記第１基板及び第２基板を１８０°回転させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度のレーザで接合する段階と、前記第２強度のレーザでアニーリングする段階とで、レーザを照射するレーザ照射器の進行方向が同じであることを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第１基板側から照射されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第２基板側から照射されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記第１強度または第２強度のレーザは、前記第１基板及び第２基板の両側から照射されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記アニーリング段階後に、前記第１基板または第２基板を、前記各発光部別に切断する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。