JP4607004B2 - 検査ユニット - Google Patents

Description

本発明は、たとえば携帯電話機に組み込まれる増幅回路やミキサ回路、フィルタ回路、メモリ、ＣＰＵなど、高周波・高速用（アナログで周波数の高いものを高周波といい、デジタルでパルス幅およびパルス間隔が非常に短いものを高速という、以下両方纏めてＲＦ用ともいう）回路のモジュールやＩＣなどを回路基板などに組み込む前にその電気的特性を検査する場合に、その被検査デバイスと検査装置との接続を確実にする高周波・高速用デバイスの検査ユニットに関する。さらに詳しくは、たとえばアナログ回路のグランドとデジタル回路のグランドとが分離して構成されたデバイスを検査する場合に、グランドも回路ブロックごとに分離して、デジタル回路で発生するノイズ成分をアナログ回路に混入させないようにしながら、ＲＦ信号特性を低下させないように同軸構造を形成することができる構造の検査ユニットに関する。

半導体ウェハ、ＩＣあるいはモジュールなどのＲＦ用デバイスの電気的特性の検査を行う場合、とくに端子部の接触状態が適正でないとインピーダンスなどが変化し測定値が変動するため、図１３（ａ）に示されるような検査ユニットを介して行われる。すなわち、被検査デバイスであるＲＦ回路は、外界との干渉を避けるため、金属製の筐体内に増幅回路やミキサ回路などが組み込まれてモジュール５０とされ、その筐体の裏面にＲＦ信号の入出力端子５１、５４、電源電極端子５２、接地（アース）電極端子５３などが設けられることにより構成されている。そして、前述の各電極端子と検査用の配線が施された配線基板６６の各端子とを、後述する金属ブロックの貫通孔に設けたコンタクトプローブを介して電気的に接続することにより検査をする方法が用いられている。

この例では、図１３（ｂ）に部分拡大図が示されるように、金属パイプ内にスプリングとプランジャの一端部を入れてそのスプリングによりプランジャを外部に突出させ、押えれば縮むコンタクトプローブを用い、ノイズの影響を防止するための金属ブロック６１内にＲＦ信号用コンタクトプローブ６３、電源用コンタクトプローブ６４、グランド用コンタクトプローブ６５によりそれぞれの各電極端子と配線基板６６の各端子とを接続する構成が採用されている。このＲＦ信号用プローブ６３は、とくにノイズの侵入を防止しつつ、高周波インピーダンス整合をとるため、コンタクトプローブを中心導体とし、金属ブロック６１の貫通孔内壁を外部導体とする同軸構造に形成されている（たとえば特許文献１参照）。この例では、狭ピッチ化に対応するため、同軸構造の中心導体（ＲＦコンタクトプローブ６３）と、外部導体（金属ブロック６１の貫通孔の内面）との間を中空にして貫通孔の径を小さくし得るように形成されている。そのため、ＲＦ信号用コンタクトプローブ６３には、それを中空で保持できるように、絶縁性のＯリング６９が嵌め込まれている。

また、グランド用コンタクトプローブ６５は、金属ブロック６１との接触を良くするため、グランドソケット６５ａを介することにより、グランド用コンタクトプローブ６５を変形させることなく挿入しながら金属ブロック６１との良好な接触を得ている。なお、電源用コンタクトプローブ６４は金属ブロック６１と接触しないように絶縁チューブ６４ａを介して金属ブロック６１内に挿入されている。図１３（ａ）において、６７は同軸ケーブル、６８はコンタクトプローブ外周の金属パイプを押える押え板である。また、ＩＣを検査するＩＣソケットでも、外形は異なるものの、コンタクトプローブ近傍の構成は同様である。

つぎに、被検査デバイスの回路構成例を図１２に示す。この回路構成例において、アンテナ４４からの受信信号は、増幅器などを含むアナログ回路４１により増幅などの処理が行われた後、Ａ／Ｄコンバータ４２によりデジタル信号に変換され、ＣＰＵなどからなるデジタル回路４３で信号処理される構成になっている。このような回路構成にあっては、デジタル回路のグランド端子にデジタル回路で発生したパルス状の電流変化が与えられるため、デジタル回路のグランドとアナログ回路のグランドとを共通にした場合には、このデジタル回路のグランドで発生した電流変化がノイズ成分としてアナログ回路のグランド電位に加算されることになり、その結果として、アナログ回路にデジタル回路のノイズ成分が混入することになる場合がある。従って、そのような回路にあっては、アナロググランド領域Ａとデジタルグランド領域Ｂとを別々に設ける必要がある場合がある。しかし、このような場合、前述の金属ブロックを用いると、アナロググランドもデジタルグランドも金属ブロックで導通するために共通となってしまい、正確な検査をすることができない。
特開２００１−９９８８９号公報

前述のように、金属ブロックを用いて、そこに設けた貫通孔内壁を外部導体とし、ＲＦ信号用プローブを内部導体として両者の間を中空にすることによって同軸構造を形成すれば、ＲＦ信号用プローブの周りに誘電体のチューブを挿入する場合よりも貫通孔の径を細くすることができるので、狭ピッチで電極端子が形成されたデバイスの検査であってもインピーダンスの整合を図りつつ対応することができる。しかし、たとえばアナログ回路とデジタル回路とでグランド端子を別々にしたいという要望のあるときには、前述の構成では金属ブロックで全てのグランド用プローブが相互に導通してしまっているため、これらを分離することができないという問題がある。このような場合にどうしても分離するためには、一方の各グランドプローブに、電源プローブと共通な構造である一般の信号用プローブを割り当てて、他のグランドプローブとは分離する方法をとらざるを得ない。とくに、アナログ回路にもデジタル回路にもＲＦ信号が存在する場合には、金属ブロックを用いた前述の同軸構造にすると、アナロググランドもデジタルグランドも金属ブロックに接続されることになるためにグランドを共通にする以外方法がなく、アナログ回路側がデジタルノイズの影響を受けやすくなるという問題がある。

本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、金属ブロックと同様にインピーダンスの整合をとり高周波特性を維持しつつ、プローブ群の任意のエリアごとに独立のグランドエリアを設定することができる構造の検査ユニットを提供することを目的とする。

本発明による検査ユニットは、ＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブを挿入し得る貫通孔が形成された絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの外表面および前記貫通孔の少なくとも一部の貫通孔の露出面に設けられるメッキ被膜と、前記貫通孔内に挿入されるＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブとを有する高周波・高速用デバイスの電気的特性を検査する検査ユニットであって、１個の前記デバイスが２以上の回路グループを有し、該２以上の回路グループの少なくとも１つの回路グループに含まれる前記デバイスの電極端子に接続される前記各プローブが挿入される貫通孔と、他のグループの貫通孔とが電気的に分離されるように前記メッキ被膜に分離溝が形成され、該分離溝は前記絶縁性ブロックの表裏両面で同じパターンに形成されていることを特徴とする。

ここにＲＦ信号とは、アナログの高周波信号やデジタルのパルス間隔が短い信号の両方を含み、正弦波（サイン波）またはパルスの繰返しが１ＧＨｚ程度以上のものを意味する。また、プローブとは、配線基板の配線端子と被検査デバイスの電極端子とを接続する接続ピンを意味し、その接続ピンの先端が可動するコンタクトプローブや可動しないで一定の長さのピンの場合の両方を含む。なお、コンタクトプローブとは、たとえば金属パイプ内にスプリングを介してリード線（プランジャ）が設けられ、プランジャの一端部は金属パイプから突出するが、他端部は金属パイプから抜け出ないように形成されることにより、プランジャの一端部を押し付ければ金属パイプの端部まで引っ込むが、外力を解除すればスプリングの力によりプランジャが金属パイプから外方に突出する構造のように、リード線の先端が可動し得る構造のプローブを意味する。

前記絶縁性ブロックの一面側または両面側には、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される前記各プローブの一端部または両端部を固定する絶縁性部材からなり、前記絶縁性ブロックの貫通孔と連通する貫通孔が形成された固定部材が設けられ、前記絶縁性ブロックの外表面に前記メッキ被膜および分離溝が形成されると共に、前記固定部材の外表面および少なくとも一部の貫通孔内にメッキ被膜が形成され、かつ、前記絶縁性ブロックのメッキ被膜に形成された分離溝のパターンに合せて、前記固定部材の外表面に設けられるメッキ被膜に分離溝が形成される構造にすることにより、より確実にグランド間のノイズの影響を抑制することができる。なお、固定部材にはメッキ被膜が形成されないで、絶縁性部材のままとしても、その厚さが薄ければ、ＲＦ的にも余り影響を受けない。

前記少なくとも２つの回路グループは、デジタル回路とアナログ回路であってもよいし、これらが入り組んで３以上の回路ブロックに形成されていてもよい。

前記電源用プローブが挿入される貫通孔内には、前記メッキ被膜が形成されない構造にすることにより、電源用プローブを挿入する際に、グランドとの接触を避けるために、絶縁チューブを電源用プローブに被覆させる必要もなくなるため好ましい。なお以下の説明では、低周波・低速の信号（前述のＲＦ信号より低い周波数または繰返しの信号を意味する）用プローブは、電源用プローブに含めて説明するが、その周波数が比較的高いか、パルスの繰返し間隔が短い場合には、ＲＦ信号と同様に、貫通孔内にメッキ被膜を形成して同軸構造にすることが好ましい場合がある。

本発明によれば、樹脂ブロックなどの絶縁性ブロックおよび貫通孔の表面に金属のメッキ被膜が形成されているため、従来の金属ブロックを用いる検査ユニットと同様にインピーダンス整合をとる機能を有していながら、たとえばアナログ回路とデジタル回路など異なる回路構成をとる部分の境界に電気的分離溝が形成されているため、それらの回路間をグランドも含めて完全に電気的に分離することができる。その結果、たとえばデジタル回路を流れるパルス信号の急激な電圧変化などに伴うノイズが、ローノイズアンプなどの小さな信号を増幅するアナログ回路にグランドを介して混入するという問題もなくなり、実際の回路動作時と同様の条件で検査をすることができる。

つぎに、図面を参照しながら本発明の検査ユニットについて説明をする。図１に本発明の検査ユニットの一例であるＩＣソケットの断面説明図、そのプローブ部分の拡大断面説明図、および絶縁性ブロックと固定部材に分離溝が形成された例を示す斜視説明図をそれぞれ示す。ＲＦ信号用プローブ１SIG、グランド用プローブ１GNDおよび電源用プローブ１POW（ここでは便宜的に低周波・低速信号用のプローブも同等に扱う）を挿入し得る貫通孔２２が形成された絶縁性ブロック２１と、その絶縁性ブロック２１の外表面および少なくとも一部の貫通孔２２の露出面にメッキ被膜２３が設けられることによりベース部２が形成されている。このベース部２の貫通孔２２内に前述のＲＦ信号用プローブ１SIG、グランド用プローブ１GNDおよび電源用プローブ１POWが挿入され、このベース部２の一面側（図１に示される例では図の上側）に設けられる図示しないＩＣなどの被検査デバイスの電極端子と、このベース部２の他面側（図１に示される例では、他面側（図の下側）に固定手段３が設けられ、その固定手段３の下側）に設けられる図示しない検査装置と接続された配線基板の配線端子とを前述の各プローブ１で接続することにより検査がなされる。本発明では、デバイスの少なくとも２つの回路グループに接続される各プローブ１のグループごとのグランドがそれぞれ電気的に分離されるように、絶縁性ブロック２１の外表面に設けられるメッキ被膜２３に絶縁性ブロック２１の外表面全周に亘って分離溝２４が形成されていることに特徴がある。

図１に示される例では、各コンタクトプローブは、その一端部（図の上部側）では絶縁性ブロック２１の貫通孔２２の一面側（図の上側）に形成された段差を有する凹部により、他端部側（図の下側）では、絶縁性ブロック２１の他面（図の下面）側に設けられた固定部材３１によりそれぞれ固定される構造になっている。そして、この絶縁性ブロック２１および固定部材３１のそれぞれの外表面の全面にメッキ被膜２３が形成され、それぞれに周回する（エンドレス）ような分離溝２４が形成されている。なお、後述するように、ベース部（メッキ被膜２３が形成された絶縁性ブロック２１）２の両面に全面にメッキ被膜が形成された固定部材を形成する構成にしてもよく、絶縁性ブロック２１のみの外表面全面にメッキ被膜を設け、固定部材３１は絶縁性部材により形成されるようにしてもよい。

図１に示される例は、このようなメッキ被膜２３が形成された絶縁性ブロック２１の貫通孔２２内に各プローブ１（１SIG、１POW、１GND）を挿入して固定手段３（固定部材３１および絶縁スペーサ３２）により固定し、その上にデバイスガイド板４を設け、絶縁性ブロック２１または固定部材３１に設けられた位置決めピン６を図示しない配線基板の所定の位置に合せて配線基板と各プローブ１SIG、１POW、１GNDを接続するようにしたＩＣソケットを示し、上部のデバイスガイド板４の凹部内にＩＣなどの被検査デバイスを挿入することにより、ＩＣなどの電極端子と配線基板の配線端子とがプローブ１を介して接続され、検査が行われる。

メッキ被膜２３は、絶縁性ブロック２１の外表面の全面および電源用プローブ１POWを挿入する貫通孔２２P以外の全ての貫通孔２２の露出面にメッキを施すことにより形成され、たとえば無電解ニッケルメッキにより２〜３μｍ程度のＮｉメッキ被膜と、その上に引き続き無電解メッキにより形成されるフラッシュから３μｍ程度のＡｕメッキ被膜とから形成されている。この場合、メッキ被膜を形成しない貫通孔内には、レジストを塗布する、あるいはメッキ防止ピンを挿入するなどメッキ液と接触しないようにすることにより、簡単にメッキ被膜を形成しなくすることができる。また、狭ピッチではなく、寸法的に余裕がある場合には、電源用プローブ１POWが挿入される貫通孔内壁にもメッキ被膜を形成してもよい。

分離溝２４は、メッキ被膜のなされた絶縁性ブロック２１において、たとえば前述の図１２に示されるようなアナログ回路４１に接続されるアナログＲＦ信号用プローブを含むアナログ回路用プローブが挿入される領域Ａと、ＣＰＵなどのデジタル回路４２に接続されるデジタルＲＦ信号用プローブを含むデジタル回路用プローブが挿入される領域Ｂとの間を電気的に分離するよう形成されている。この分離溝２４は、たとえば歯医者で使うような非常に細いドリルまたはルータなどにより０.５〜１ｍｍ程度の幅に形成され、絶縁性ブロック２１の全周に亘って、すなわちメッキ被膜２３がＡ領域とＢ領域とで完全に電気的に分離されるようにメッキ被膜２４を削ることにより形成される。分離溝２４は、メッキ後にメッキ被膜２４を剥離することにより形成しなくても、メッキ被膜２３の形成の際にメッキが被膜されないように、マスクを形成してからメッキを行うことにより形成してもよい。なお、この分離溝２４は、図２に示されるように、貫通孔２２にかかるように形成されてもよい。

前述のように、図１に示される例では、絶縁性ブロック２１と固定部材３１とにより各プローブ１を保持する構造になっており、メッキ被膜２３および分離溝２４はこの両方に同じ形状で形成されている。しかし、検査ユニットによっては、たとえば図３に示されるように、絶縁性ブロック２１の上下両側に固定部材３１が設けられる構造にすることもでき、この場合３ピースに分割される構造になるが、それぞれの外表面にメッキ被膜２３および分離溝２４が形成されてもよい。一方、固定部材３１の厚さが絶縁性ブロック２１の厚さに比して非常に薄く形成されている場合には、絶縁性ブロック２１の外表面および少なくとも一部の貫通孔２２の露出面にメッキ被膜２３が形成され、所定の分離溝２４が絶縁性ブロック２１に形成されていれば、固定部材３１にはメッキ被膜が形成されていなくても、ＲＦ的にもそれほど特性的には劣化しない。この場合、固定部材３１が絶縁部材により形成されているため、絶縁性ブロック２１に分離溝２４が形成されていることにより、デバイスの回路グループごとにグランドを分離することができる。

前述の例では、ベース部２および固定部材３１を縦に２分するように分離溝２４が形成されていたが、デバイスに形成される回路に応じて各回路グループに接続される電極端子の配置に応じた分離をすることができる。たとえば図４に示されるように、中心部など一部のプローブ群の領域Ｂが、領域Ａで囲まれる場合には、その領域Ｂをリング状に分離することもできる。この場合、各回路グループには、少なくとも１本のＲＦ信号用プローブとグランド用プローブとが含まれているものとする。また、図５に示されるように、領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃの３分割にすることもできる。なお、図４および図５に示した例における絶縁ブロック２１の構造は、前述の例と同様であり、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。ただしいずれの例にあっても、絶縁性ブロック２１の表面側の分離溝２４のパターンと裏面側の分離溝２４のパターンは、同じグループのプローブが同じ領域に入る、すなわち表裏同じパターンになるように分離溝２４を形成する必要がある。

メッキ被膜２３および分離溝２４の形成以外は、従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと同様の構成にすることができるが、その一例が図１に示されている。すなわち、図１に示される例では、メッキ被膜２３が形成されたベース部２の貫通孔２２にプローブとしてのコンタクトプローブ１（１SIG、１POW、１GND）を挿入し、固定手段３で固定されている。このＲＦ信号用プローブ１SIGは、コンタクトプローブ１を中心導体、貫通孔露出部に形成されたメッキ被膜２３を外部導体とする同軸構造に形成され、また、グランド用プローブ１GNDは、グランドソケット１７が前述の貫通孔２２内に設けられたメッキ被膜２４と接続するように設けられ、そのグランドソケット１７内にグランド用コンタクトプローブ１GNDが挿入されることにより固定されている。また、電源用プローブ（低周波・低速の信号用も含む）１POWは、メッキ被膜が形成されない貫通孔２２内に挿入されている。しかし、寸法的に余裕がある場合には、メッキ被膜が形成された貫通孔内に絶縁チューブを介して挿入されてもよい。なお、図１に示される例では、各プローブとして先端のピンがスプリングなどにより可動するコンタクトプローブが用いられているが、このような可動するピンでなくても、通常の接触用ピンでも構わない。

コンタクトプローブ１は、たとえば図６に断面説明図が示されるように、金属パイプ１３内にスプリング１４とプランジャ１１、１２の一端部が収納され、金属パイプ１３に設けられた、くびれ部１３ａによりプランジャ１１、１２が金属パイプ１３から抜け出ないようにされると共に、スプリング１４により外方に付勢されており、プランジャ１１、１２の先端部を押し付ければスプリング１４が縮んで金属パイプ１３内に押し込められ、力が加わらないときはプランジャ１１の先端部がたとえば１ｍｍ程度突出する構造になっている。図６に示される例では、両端にプランジャ１１、１２が設けられる構造になっているが、少なくとも被検査デバイスとの接触側の一方がプランジャ１１となる構造になっていればよい。なお、金属パイプ１３の長さは数ｍｍ程度で、たとえば洋白（銅・ニッケル・亜鉛合金）により形成され、プランジャ１１、１２は、たとえばＳＫ材またはベリリウム銅などからなる、０.１〜０.５ｍｍ程度の太さの線材が用いられ、スプリング１４はピアノ線などにより形成される。

このコンタクトプローブ１の構造は、信号用、電源用、およびグランド用のいずれの用途に対するものであっても、ほぼ同様の構造であるが、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１SIGは、絶縁性ブロック２１に設けられる貫通孔内のメッキ被膜２３を外部導体とする同軸構造にするため、その外径ｄと貫通孔２２内のメッキ被膜２３の内径Ｄは一定の関係を満たすように形成され、たとえば０.４ｍｍピッチ（プローブが０.４ｍｍのピッチでマトリクス状に設けられるもの）の検査ユニットにする場合、ｄがφ０.１５ｍｍに形成され、メッキ被膜２３の内径Ｄがφ０.３５ｍｍ程度に形成されている。電源用およびグランド用のコンタクトプローブ１POW、１GNDは、できるだけ太い方がよく、ピッチに応じてＲＦ信号用に形成される貫通孔２２と同程度の貫通孔２２に挿入される太さで形成される。なお、電源用コンタクトプローブ１POWは、メッキ被膜２３が形成されない貫通孔２２に挿入されることによりショートの心配はないが、メッキ被膜の形成された貫通孔内に挿入する場合には、図示しない絶縁チューブが被せられる。グランド用コンタクトプローブ１GNDは、図１に示されるように、貫通孔２２内のメッキ被膜２３との接触をよくするため、リン青銅からなるグランドソケット１７が貫通孔２２内に挿入され、その中に挿入されている。

絶縁性ブロック２は、被検査デバイスであるＩＣやモジュールの電極端子と接触させるためのＲＦ信号用コンタクトプローブ１SIGや電源用コンタクトプローブ１POWなどを保持するもので、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）などの樹脂を用いることができ、板状の樹脂ブロックに前述の各コンタクトプローブ１用の貫通孔がマトリクス状に設けられるように、たとえば切削またはモールド成形により形成されている。そして、電源用プローブ１POW用の貫通孔２２以外の貫通孔に前述のメッキ被膜２３が形成されている。

この絶縁性ブロック２の厚さおよび大きさは、被検査デバイスと配線が施された配線基板とを仲介するだけのＩＣソケットに組み込まれる場合や、同軸ケーブルなどが接続された基板と接続する検査治具に組み込まれる場合など、用途によって異なるが、通常は、３〜８ｍｍ程度の厚さで、３０〜５０ｍｍ角程度の大きさに形成される。なお、図１に示される例では、コンタクトプローブ１の一端部側（図の上側）に段差を有する貫通孔が形成されることにより、コンタクトプローブ１の一端部を絶縁性ブロック２側で固定し、他端側は固定部材３１で固定する構造になっているが、図３に示されるように、一端部および他端部とも固定部材により固定することもできる。

固定手段３は、図１に示される例では、ベース２の他面側に設けられ（図１の下部）、絶縁性材料からなり、表面にメッキ被膜３１ｂが形成された固定部材３１と、ＲＦコンタクトプローブ１SIGの部分に設けられる絶縁性スペーサ３２とにより構成されている。すなわち、この固定部材３１には、コンタクトプローブ１のプランジャ１１を突出させると共に段差を有する突出孔３１ａが形成されると共に、その段差部分に、プランジャ１１を突出させると共にコンタクトプローブ１を固定する段差を有する貫通孔３２ａが設けられた絶縁性スペーサ３２が挿入されており、これらによって固定手段３を形成している。すなわち、絶縁性スペーサ３２のベース部２側に形成された段差部が、コンタクトプローブ１の金属パイプ１３の外形に合うように形成されており、プランジャ１１を自由に突出させながら、コンタクトプローブ１が金属ブロック２から飛び出ないように固定される構造になっている。固定部材３１は、たとえば前述の絶縁性ブロック２１と同様に、ＰＥＩ、ＰＩ、ＰＥＥＫなどからなり、１〜２ｍｍ程度の厚さの絶縁性基板で形成され、絶縁性スペーサ３２は、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）などにより、０.５ｍｍ程度の厚さに形成されている。なお、グランド用および電源用の突出孔３１ａには、絶縁性スペーサは不要である。また、３１ｃは位置決めピン８用の貫通孔である。

図１に示される例では、コンタクトプローブ１の一端部側は、固定部材を設けないで、絶縁性ブロック２１に直接段差付きの貫通孔３１ａが形成され、その段差部内に前述と同様の絶縁性スペーサ３２が挿入されることにより固定手段とされている。しかし、図１に示される例には限定されず、たとえば図３に示されるように、コンタクトプローブ１の一端部側にも固定部材を配設して他端部側と同様の固定手段３を設けてもよい。また、図１に示される例では、ＲＦ信号用プローブの他端側に、たとえばシリコーンゴムなどからなるＯリング７が挿入されている。これは、コンタクトプローブ１の一端部が最初に固定手段３内にそれぞれ個々に挿入されるため、挿入するのに問題はないのに対し、他端部側は、並べられた多数のコンタクトプローブ１の全てが一端部に挿入されるように固定手段３である固定部材３１を被せる必要があり、その際、コンタクトプローブ１の他端部がそのセンターに揃わず、コンタクトプローブ１が傾いている場合には、そのプランジャ１１を固定手段３の突出孔３２ａに挿入することができないため、Ｏリング７を設けてこれを防ぐ必要があるからである。

グランドブロックの上下にメッキが施されない固定手段が設けられた構造で、樹脂ブロックに２〜３μｍ程度のＮｉメッキとフラッシュ程度のＡｕメッキとを施した本発明による検査ユニットでの、ＲＦプローブのリターンロス、ＲＦプローブの挿入損失、電源用プローブのインダクタンス特性、グランドプローブのデバイス側のインダクタンス特性、およびグランドプローブのボード側（配線基板側）のインダクタンス特性が、従来の金属ブロックを用いた構成で、同じ条件で調べた結果と対比して（Ｐが本発明で、Ｑが金属ブロックを用いたもの）、それぞれ図８〜１２に示されている。図８〜１２から明らかなように、両者の間には高周波特性の大きな差はなく、同等に扱えることが分る。

以上のように、本発明によれば、シールド特性を向上させたり、同軸プローブを構成したりするのに便利な金属ブロックに代えて、樹脂ブロックなどの絶縁性ブロックの表面にメッキ被膜を形成したものを使用し、さらに、デバイスの回路構成に合せてグループごとに電気的分離をすることができるように、メッキ被膜に分離溝を形成しているため、グループごとにグランドを独立させることができ、たとえばアナログ用グランドとデジタル用グランドとを電気的に分離して検査をすることができる。その結果、実際の使用と殆ど同じ状態で検査をすることができ、実態に合った検査をすることができる。

本発明による検査ユニットの一実施形態の構成を示す断面説明図である。 本発明によるメッキ被膜への分離溝の形成例を示す図である。 コンタクトプローブを固定する他の構成例を示す断面説明図である。 分離溝形成パターンの他の例を示す図である。 分離溝形成パターンのさらに他の例を示す図である。 コンタクトプローブの構成例を示す図である。 本発明による検査ユニットでのＲＦ信号用プローブのリターン特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。 本発明による検査ユニットでのＲＦ信号用プローブの挿入損失特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。 本発明による検査ユニットでの電源用プローブのインダクタンス特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。 本発明による検査ユニットでのグランド用プローブのデバイス側インダクタンス特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。 本発明による検査ユニットでのグランド用プローブのボード側インダクタンス特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。 デバイス回路でアナログ用回路とデジタル用回路とでグランドが分離される例を示すブロック図である。 従来の金属ブロックを用いた検査ユニットで、ＲＦ信号用プローブの同軸構造の内軸と外軸との間を中空にした例を示す図である。

符号の説明

１ コンタクトプローブ
２ ベース部
３ 固定手段
１１、１２ プランジャ
１３ 金属パイプ
１７ グランドソケット
２１ 絶縁性ブロック
２２ 貫通孔
２３ メッキ被膜
２４ 分離溝
３１ 固定部材
３２ 絶縁性スペーサ

Claims (4)

1. ＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブを挿入し得る貫通孔が形成された絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの外表面および前記貫通孔の少なくとも一部の貫通孔の露出面に設けられるメッキ被膜と、前記貫通孔内に挿入されるＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブとを有し、高周波・高速用デバイスの電気的特性を検査する検査ユニットであって、１個の前記デバイスが２以上の回路グループを有し、該２以上の回路グループの少なくとも１つの回路グループに含まれる前記デバイスの電極端子に接続される前記各プローブが挿入される貫通孔と、他のグループの貫通孔とが電気的に分離されるように前記メッキ被膜に分離溝が形成され、該分離溝は前記絶縁性ブロックの表裏両面で同じパターンに形成されてなる検査ユニット。
2. 前記絶縁性ブロックの一面側または両面側には、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される前記各プローブの一端部または両端部を固定する絶縁性部材からなり、前記絶縁性ブロックの貫通孔と連通する貫通孔が形成された固定部材が設けられ、前記絶縁性ブロックの外表面に前記メッキ被膜および分離溝が形成されると共に、前記固定部材の外表面および少なくとも一部の貫通孔内にメッキ被膜が形成され、かつ、前記絶縁性ブロックのメッキ被膜に形成された分離溝のパターンに合せて、前記固定部材の外表面に設けられるメッキ被膜に分離溝が形成されてなる請求項１記載の検査ユニット。
3. 前記少なくとも２つの回路グループは、デジタル回路とアナログ回路である請求項１または２記載の検査ユニット。
4. 前記電源用プローブが挿入される貫通孔内には、前記メッキ被膜が形成されない構造である請求項１ないし３のいずれか１項記載の検査ユニット。

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