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JP4608342B2 - Resin molded product having low dielectric loss tangent and method for producing the same - Google Patents
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Resin molded product having low dielectric loss tangent and method for producing the same Download PDF

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Description

本発明は、液晶性ポリエステルを主成分とする樹脂組成物を使用し、高周波特性を必要とする分野における使用に好適な樹脂成形品、およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a resin molded article suitable for use in a field requiring high-frequency characteristics, using a resin composition containing a liquid crystalline polyester as a main component, and a method for producing the same.

従来、耐薬品性、難燃性、機械的特性と同様に電気的特性やはんだ耐熱性に優れる液晶性ポリエステルは、電子部品や機械部品用材料として広く利用されている。例えば、液晶性ポリエステルを含有する樹脂基板に金属被膜を形成して得られる回路基板は、良好な成形性、寸法安定性、高い弾性率および強度を有するので、立体回路基板(MID)用材料としても注目されている。   Conventionally, liquid crystalline polyesters having excellent electrical characteristics and solder heat resistance as well as chemical resistance, flame retardancy, and mechanical characteristics have been widely used as materials for electronic parts and mechanical parts. For example, a circuit board obtained by forming a metal film on a resin substrate containing a liquid crystalline polyester has good moldability, dimensional stability, high elastic modulus, and strength, so that it can be used as a material for a three-dimensional circuit board (MID). Is also attracting attention.

液晶性ポリエステルを使用した回路基板としては、例えば、液晶性ポリエステルを成形して得た樹脂基板を、真空槽内で表面温度60℃以上となるように加熱しながらスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着のいずれかの方法で金属被膜を被覆して得られる回路基板(特許文献1)や、液晶性ポリエステルと無機充填材を含有する樹脂組成物を成形して樹脂基板を作製し、樹脂基板の表面にエッチング処理を施して粗面化した後、スパッタリング、イオンプレーティング、あるいは真空蒸着により金属被膜を基板上に形成することにより得られる細線回路用樹脂成型品(特許文献2)が提案されている。
特許第2714440号公報 特公平7−24328号公報
Examples of circuit boards using liquid crystalline polyester include sputtering, ion plating, and vacuum deposition while heating a resin substrate obtained by molding liquid crystalline polyester so that the surface temperature is 60 ° C. or higher in a vacuum chamber. A circuit board (Patent Document 1) obtained by coating a metal film by any of the methods described above, or a resin composition containing a liquid crystalline polyester and an inorganic filler is formed to produce a resin board, and the surface of the resin board A resin molded product for fine wire circuit (Patent Document 2) obtained by forming a metal film on a substrate by sputtering, ion plating, or vacuum deposition after performing an etching process on the substrate has been proposed. .
Japanese Patent No. 2714440 Japanese Patent Publication No. 7-24328

ところで、樹脂材料を成形して得られる回路基板が交流電界の中に置かれる場合、樹脂材料の誘電正接が大きいほど、その回路基板の内部発熱量が増加する。液晶性ポリエステルは、エンジニアリングプラスチックやスーパーエンジニアリングプラスチックのなかでは比較的低い誘電正接(tanδ)を有するが、高周波回路基板のような高周波特性を必要とする分野では、さらに低い誘電正接を有する液晶性ポリエステル系基板の開発が望まれている。   By the way, when a circuit board obtained by molding a resin material is placed in an AC electric field, the greater the dielectric loss tangent of the resin material, the greater the amount of internal heat generated by the circuit board. Liquid crystalline polyester has a relatively low dielectric loss tangent (tan δ) among engineering plastics and super engineering plastics. However, in a field requiring high frequency characteristics such as a high frequency circuit board, liquid crystalline polyester has a lower dielectric loss tangent. Development of a system board is desired.

したがって、本発明の主たる目的は、液晶性ポリエステル系樹脂組成物を使用し、低誘電正接を有する樹脂成形品を提供することにある。   Accordingly, a main object of the present invention is to provide a resin molded article having a low dielectric loss tangent using a liquid crystalline polyester resin composition.

すなわち、本発明の樹脂成形品は、液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型して得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、前記液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施すことによって得られ、熱処理なしで前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有することを特徴とする。 That is, the resin molded article of the present invention has a residual oxygen concentration of 1 in a molded article for a three-dimensional circuit board obtained by molding a resin composition containing a liquid crystalline polyester and an epoxy group-containing ethylene copolymer by injection molding. % Under an inert gas atmosphere at a temperature between a lower limit temperature 120 ° C. lower than the flow start temperature of the liquid crystalline polyester and an upper limit temperature 20 ° C. lower than the flow start temperature. The dielectric loss tangent is smaller than that of a resin molded product obtained from the resin composition without heat treatment.

本発明の樹脂成形品の誘電正接は、熱処理なしで前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品の誘電正接の90%もしくはそれ以下であることが好ましい。また、上記エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量は、液晶性ポリエステル100質量部に対して0.1〜25質量部であることが好ましい。 The dielectric loss tangent of the resin molded product of the present invention is preferably 90% or less of the dielectric loss tangent of the resin molded product obtained from the resin composition without heat treatment. Also, the content of the epoxy group-containing ethylene copolymer is preferably 0.1 to 25 parts by weight per 100 parts by weight liquid crystalline polyester.

本発明のさらなる目的は、上記した樹脂成形品の製造方法を提供することにある。すなわち、この製造方法は、液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型し、得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施し、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有する樹脂成形品を得ることを特徴とする。 The further objective of this invention is to provide the manufacturing method of an above-described resin molded product. That is, in this production method, a resin composition containing a liquid crystalline polyester and an epoxy group-containing ethylene copolymer is molded by injection molding, and the resulting molded article for a three-dimensional circuit board has a residual oxygen concentration of 1% or less. The resin composition is subjected to heat treatment in an inert gas atmosphere at a temperature between a lower limit temperature 120 ° C. lower than the flow start temperature of the liquid crystalline polyester and an upper limit temperature 20 ° C. lower than the flow start temperature. A resin molded product having a dielectric loss tangent smaller than that obtained from the above is obtained.

本発明によれば、上記した液晶性ポリエステル系樹脂組成物に熱処理を施すことで、その誘電正接を低減することができる。また、この液晶性ポリエステル系樹脂組成物でなる基板上に金属被膜を形成する場合は、低誘電正接とともに改善された密着性と耐熱性を兼ね備えた回路基板を得ることができる。このように、本発明の樹脂成形品は、電気電子産業、とりわけ高周波特性が必要とされる技術分野での使用に適している。   According to the present invention, the dielectric loss tangent can be reduced by subjecting the liquid crystalline polyester resin composition to a heat treatment. Further, when a metal film is formed on a substrate made of this liquid crystalline polyester resin composition, a circuit substrate having improved adhesion and heat resistance as well as a low dielectric loss tangent can be obtained. Thus, the resin molded product of the present invention is suitable for use in the electrical and electronic industry, particularly in technical fields where high frequency characteristics are required.

本発明の樹脂成形品を構成する樹脂組成物の主成分であり、好ましくは光学的異方性を有する溶融相を形成する芳香族骨格を有する液晶性ポリエステルとしては、例えば、芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸の少なくとも一種のフェノール性水酸基を脂肪酸無水物でアシル化することにより得られるアシル化物と、芳香族ジカルボン酸と芳香族ヒドロキシカルボンの少なくとも1種とのエステル交換/重縮合反応により得られる生成物を使用することが好ましい。   Examples of the liquid crystalline polyester having an aromatic skeleton that is a main component of the resin composition constituting the resin molded article of the present invention and preferably forms a melt phase having optical anisotropy include, for example, aromatic diol and aromatic Obtained by transesterification / polycondensation reaction between an acylated product obtained by acylating at least one phenolic hydroxyl group of an aromatic hydroxycarboxylic acid with a fatty acid anhydride and at least one of an aromatic dicarboxylic acid and an aromatic hydroxycarboxylic acid It is preferred to use the product obtained.

芳香族ジオールとしては、例えば、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ハイドロキノン、レゾルシン、メチルハイドロキノン、クロロハイドロキノン、アセトキシハイドロキノン、ニトロハイドロキノン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)プロパン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ケトン、ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)ケトン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)スルホンを使用することができる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。そしてこれらの中でも、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ハイドロキノン、レゾルシン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)スルホンの使用が、入手容易性から好ましい。   Examples of the aromatic diol include 4,4′-dihydroxybiphenyl, hydroquinone, resorcin, methylhydroquinone, chlorohydroquinone, acetoxyhydroquinone, nitrohydroquinone, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6- Dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2 , 2-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) propane, Bis- (4-hydroxy Phenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) methane Bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3-chlorophenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bis- (4-hydroxyphenyl) ketone Bis- (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ketone, bis- (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) ketone, bis- (4-hydroxyphenyl) sulfide, bis- (4-hydroxyphenyl) Sulfone can be used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the use of 4,4′-dihydroxybiphenyl, hydroquinone, resorcin, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, bis- (4-hydroxyphenyl) sulfone, It is preferable from the viewpoint of availability.

一方、芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、パラヒドロキシ安息香酸、メタヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸、2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸、1−ヒドロキシ−4−ナフトエ酸、4−ヒドロキシ−4’−カルボキシジフェニルエーテル、2,6−ジクロロ−パラヒドロキシ安息香酸、2−クロロ−パラヒドロキシ安息香酸、2,6−ジフルオロ−パラヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ−4’−ビフェニルカルボン酸を使用することができる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。そしてこれらの中でも、パラヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸の使用が入手の容易性の点で好ましい。   On the other hand, examples of the aromatic hydroxycarboxylic acid include parahydroxybenzoic acid, metahydroxybenzoic acid, 2-hydroxy-6-naphthoic acid, 2-hydroxy-3-naphthoic acid, 1-hydroxy-4-naphthoic acid, 4 -Hydroxy-4'-carboxydiphenyl ether, 2,6-dichloro-parahydroxybenzoic acid, 2-chloro-parahydroxybenzoic acid, 2,6-difluoro-parahydroxybenzoic acid, 4-hydroxy-4'-biphenylcarboxylic acid Can be used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, use of parahydroxybenzoic acid and 2-hydroxy-6-naphthoic acid is preferable in terms of availability.

さらに、芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナフタレンジカルボン酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、メチルテレフタル酸、メチルイソフタル酸、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−4,4’−ジカルボン酸、ジフェニルケトン−4,4’−ジカルボン酸、2,2’−ジフェニルプロパン−4,4’−ジカルボン酸を使用することができる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。そしてこれらの中でも、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸の使用が入手の容易性の点で好ましい。   Furthermore, examples of the aromatic dicarboxylic acid include terephthalic acid, isophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4′-biphenyldicarboxylic acid, methyl terephthalic acid, methyl isophthalic acid, Diphenyl ether-4,4′-dicarboxylic acid, diphenylsulfone-4,4′-dicarboxylic acid, diphenyl ketone-4,4′-dicarboxylic acid, 2,2′-diphenylpropane-4,4′-dicarboxylic acid are used. be able to. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, use of terephthalic acid, isophthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid is preferable in terms of availability.

脂肪酸無水物としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水2エチルヘキサン酸、無水モノクロル酢酸、無水ジクロル酢酸、無水トリクロル酢酸、無水モノブロモ酢酸、無水ジブロモ酢酸、無水トリブロモ酢酸、無水モノフルオロ酢酸、無水ジフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水グルタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水β−ブロモプロピオン酸を使用することができる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して用いても良い。これらのなかでも、価格と取り扱い性の点で、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸が好ましく、より好ましくは、無水酢酸である。   Examples of the fatty acid anhydride include acetic anhydride, propionic anhydride, butyric anhydride, isobutyric anhydride, valeric anhydride, pivalic anhydride, 2-ethylhexanoic anhydride, monochloroacetic anhydride, dichloroacetic anhydride, trichloroacetic anhydride, monobromo anhydride Acetic acid, dibromoacetic anhydride, tribromoacetic anhydride, monofluoroacetic anhydride, difluoroacetic anhydride, trifluoroacetic anhydride, glutaric anhydride, maleic anhydride, succinic anhydride, and β-bromopropionic anhydride can be used. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Of these, acetic anhydride, propionic anhydride, butyric anhydride, and isobutyric anhydride are preferable, and acetic anhydride is more preferable from the viewpoints of price and handleability.

上記のエステル交換/重縮合反応は、次の化学式(1)で表されるイミダゾール化合物の存在下で行なうことが好ましい。   The transesterification / polycondensation reaction is preferably performed in the presence of an imidazole compound represented by the following chemical formula (1).

Figure 0004608342
Figure 0004608342

この式(1)で表されるイミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、1−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、1−エチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、4−エチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,4−ジメチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、1−メチル−2−エチルイミダゾール、1−メチル−4−エチルイミダゾール、1−エチル−2−メチルイミダゾール、1−エチル−2−エチルイミダゾール、1−エチル−2−フェニルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、4−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−アミノエチル−2−メチルイミダゾールを使用することができる。特に好ましいイミダゾール化合物においては、”R”が炭素数1〜4のアルキル基であり、”R”〜”R”が水素原子である。さらに、入手の容易性の点で、1−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾールの使用が好ましい。 Examples of the imidazole compound represented by the formula (1) include imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, 1-ethylimidazole, 2-ethylimidazole, 4-ethylimidazole, 1, 2-dimethylimidazole, 1,4-dimethylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 1-methyl-2-ethylimidazole, 1-methyl-4-ethylimidazole, 1-ethyl-2-methylimidazole, 1-ethyl- 2-ethylimidazole, 1-ethyl-2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2 -Phenyl-4-methyl Ruimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 4-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-aminoethyl-2-methylimidazole can be used. In particularly preferred imidazole compounds, “R 1 ” is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and “R 2 ” to “R 4 ” are hydrogen atoms. Furthermore, use of 1-methylimidazole and 2-methylimidazole is preferable from the viewpoint of availability.

上記のエステル交換/重縮合反応において、アシル化物と芳香族ジカルボン酸及び/又は芳香族ヒドロキシカルボン酸の量は、アシル化物を調製するために使用される芳香族ジオール及び/又は芳香族ヒドロキシカルボン酸のフェノール性水酸基の量が、芳香族ジカルボン酸及び/又は芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシル基に対する水酸基の当量数で0.8〜1.2となるように設定するのが好ましい。またエステル交換反応は、130〜400℃の範囲で、0.1〜50℃/分の割合で昇温しながら行なわせることが好ましく、150〜350℃の範囲で、0.3〜5℃/分の割合で昇温しながら行なわせることがより好ましい。   In the transesterification / polycondensation reaction described above, the amount of acylated product and aromatic dicarboxylic acid and / or aromatic hydroxycarboxylic acid is determined by the amount of aromatic diol and / or aromatic hydroxycarboxylic acid used to prepare the acylated product. The amount of the phenolic hydroxyl group is preferably set to 0.8 to 1.2 in terms of the number of hydroxyl groups equivalent to the carboxyl group of the aromatic dicarboxylic acid and / or aromatic hydroxycarboxylic acid. Further, the transesterification reaction is preferably carried out at a rate of 0.1 to 50 ° C./min in the range of 130 to 400 ° C., and 0.3 to 5 ° C./in the range of 150 to 350 ° C. More preferably, the temperature is raised at a rate of minutes.

アシル化物としては、反応器内でフェノール性水酸基を脂肪酸無水物でアシル化することによって得られる生成物や、アシル化されたフェノール性水酸基を有するアシル化物、すなわち脂肪酸エステルを使用することができる。脂肪酸無水物の量は、芳香族ジオールや芳香族ヒドロキシカルボン酸のフェノール性水酸基の当量数で、1.0〜1.2、さらに好ましくは1.05〜1.1の範囲になるように設定することが好ましい。脂肪酸無水物の量が、フェノール性水酸基の当量数で1.0未満の場合には、アシル化時の平衡の脂肪酸無水物へのずれによって液晶性ポリエステルへの重合時に原料の昇華を生じる恐れがある。この場合は、反応系が閉塞されやすい。一方、脂肪酸無水物の量が、フェノール性水酸基の当量数で1.2倍を超える場合は、得られる液晶性ポリエステルの着色が問題になる恐れがある。アシル化は、130〜180℃で30分〜20時間、より好ましくは140〜160℃で1〜5時間実施されることが好ましい。   As the acylated product, a product obtained by acylating a phenolic hydroxyl group with a fatty acid anhydride in a reactor, or an acylated product having an acylated phenolic hydroxyl group, that is, a fatty acid ester can be used. The amount of fatty acid anhydride is the number of equivalents of the phenolic hydroxyl group of aromatic diol or aromatic hydroxycarboxylic acid, and is set to be in the range of 1.0 to 1.2, more preferably 1.05 to 1.1. It is preferable to do. If the amount of the fatty acid anhydride is less than 1.0 in terms of the number of equivalents of phenolic hydroxyl groups, the raw material may be sublimated during polymerization into a liquid crystalline polyester due to the shift of the equilibrium to the fatty acid anhydride during acylation. is there. In this case, the reaction system is likely to be blocked. On the other hand, when the amount of the fatty acid anhydride exceeds 1.2 times in terms of the number of equivalents of the phenolic hydroxyl group, coloring of the obtained liquid crystalline polyester may be a problem. The acylation is preferably carried out at 130 to 180 ° C. for 30 minutes to 20 hours, more preferably 140 to 160 ° C. for 1 to 5 hours.

平衡のずれを利用して脂肪酸エステルとカルボン酸との間のエステル交換反応を促進するために、副生脂肪酸と未反応の脂肪酸無水物を蒸発させて反応系から除去することが好ましい。また、留出する脂肪酸の一部を反応容器に還流させる場合は、蒸発または昇華した原料成分が、凝縮または逆昇華現象により、還流する脂肪酸といっしょに反応器に戻すことができる。   In order to promote the transesterification reaction between the fatty acid ester and the carboxylic acid by utilizing the deviation of the equilibrium, it is preferable to evaporate the by-product fatty acid and the unreacted fatty acid anhydride and remove them from the reaction system. When part of the distilled fatty acid is refluxed to the reaction vessel, the evaporated or sublimated raw material components can be returned to the reactor together with the refluxed fatty acid by condensation or reverse sublimation.

また、エステル交換/重合反応において、式(1)で表されるイミダゾール化合物の添加量は、液晶ポリエステルの合成に使用される芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシカルボン酸の合計100質量部に対して、0.005〜1質量部であることが好ましい。液晶ポリエステルの色調および生産性の点から、その添加量は0.05〜0.5質量部であることがさらに好ましい。添加量が0.005質量部未満では、イミダゾール化合物のエステル交換/重合反応の促進への寄与が十分に得られず、逆に1質量部を超えると反応の制御が困難になる恐れがある。イミダゾール化合物の添加時期は、エステル交換時にイミダゾール化合物が反応系に存在することを条件として限定されない。例えば、エステル交換/重縮合反応の直前又は反応の途中にイミダゾール化合物を添加してもよい。   In the transesterification / polymerization reaction, the amount of the imidazole compound represented by the formula (1) is 100 masses in total of the aromatic dicarboxylic acid, aromatic diol, and aromatic hydroxycarboxylic acid used for the synthesis of the liquid crystal polyester. It is preferable that it is 0.005-1 mass part with respect to a part. From the viewpoint of color tone and productivity of the liquid crystal polyester, the addition amount is more preferably 0.05 to 0.5 parts by mass. If the addition amount is less than 0.005 parts by mass, sufficient contribution to the transesterification / polymerization reaction of the imidazole compound cannot be obtained, and conversely if it exceeds 1 part by mass, it may be difficult to control the reaction. The timing of adding the imidazole compound is not limited on the condition that the imidazole compound is present in the reaction system at the time of transesterification. For example, an imidazole compound may be added immediately before or during the transesterification / polycondensation reaction.

エステル交換/重合反応を加速するため、必要に応じて、触媒を使用してもよい。たとえば、触媒には、酸化ゲルマニウムのようなゲルマニウム化合物、蓚酸第一スズ、酢酸第一スズ、ジアルキルスズ酸化物、ジアリールスズ酸化物のようなスズ化合物、二酸化チタン、チタンアルコキシド、アルコキシチタンケイ酸類のようなチタン化合物、三酸化アンチモンのようなアンチモン化合物、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カルシウム、酢酸亜鉛、酢酸第一鉄のような有機酸の金属塩、トリフッ化ホウ素や、塩化アルミニウムのようなルイス酸類、アミン類、アミド類、塩酸、硫酸などの無機酸が含まれる。   A catalyst may be used as needed to accelerate the transesterification / polymerization reaction. For example, catalysts include germanium compounds such as germanium oxide, stannous oxalate, stannous acetate, dialkyl tin oxide, tin compounds such as diaryl tin oxide, titanium dioxide, titanium alkoxide, alkoxy titanium silicates. Titanium compounds, antimony compounds like antimony trioxide, metal salts of organic acids like sodium acetate, potassium acetate, calcium acetate, zinc acetate, ferrous acetate, Lewis like boron trifluoride and aluminum chloride Inorganic acids such as acids, amines, amides, hydrochloric acid and sulfuric acid are included.

上記したエステル交換/重合反応によって調製される本発明の液晶性ポリエステルは、光学的異方性を有する溶融相を形成する芳香族環骨格を有する。液晶性ポリエステルにバランス良く耐熱性及び耐衝撃性を持たせるために、次の化学式(2)で表される繰り返し単位を少なくとも30モル%含むことが好ましい。また液晶性ポリエステルの分子量に限定はない。例えば、液晶性ポリエステルの重量平均分子量は10000〜50000の範囲内であることが好ましい。   The liquid crystalline polyester of the present invention prepared by the transesterification / polymerization reaction described above has an aromatic ring skeleton that forms a melt phase having optical anisotropy. In order to impart heat resistance and impact resistance to the liquid crystalline polyester in a well-balanced manner, it is preferable that at least 30 mol% of a repeating unit represented by the following chemical formula (2) is included. The molecular weight of the liquid crystalline polyester is not limited. For example, the weight average molecular weight of the liquid crystalline polyester is preferably in the range of 10,000 to 50,000.

Figure 0004608342
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また、液晶性ポリエステルに含まれる繰り返し単位は、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオールに基づく以下の組み合わせ(a)〜(f)から選択されることが好ましい。
(a):2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に基づく構造単位と、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位、又は2,6−ナフタレンジカルボン酸及びテレフタル酸の混合物に基づく構造単位と、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位との組み合わせ
(b):上記組み合わせ(a)において、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位の一部または全部をハイドロキノンに基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(c):上記組み合わせ(a)において、4,4’−ジヒドロキシビフェニルに基づく構造単位の一部または全部を2,6−ジヒドロキシナフタレンに基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(d):上記組み合わせ(a)において、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位の一部または全部をイソフタル酸に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(e):上記組み合わせ(a)において、2,6−ナフタレンジカルボン酸に基づく構造単位の一部または全部をテレフタル酸及びイソフタル酸の混合物に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ
(f):上記組み合わせ(a)において、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に基づく構造単位の一部または全部をパラヒドロキシ安息香酸に基づく構造単位に置き換えることによって得られる組み合わせ。
Moreover, it is preferable that the repeating unit contained in liquid crystalline polyester is selected from the following combinations (a)-(f) based on aromatic hydroxycarboxylic acid, aromatic dicarboxylic acid, and aromatic diol.
(A): a structural unit based on 2-hydroxy-6-naphthoic acid, a structural unit based on 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, or a structural unit based on a mixture of 2,6-naphthalenedicarboxylic acid and terephthalic acid, and 4 Combination with structural unit based on 4,4′-dihydroxybiphenyl (b): In the above combination (a), by replacing part or all of the structural unit based on 4,4′-dihydroxybiphenyl with a structural unit based on hydroquinone Resulting combination (c): In the above combination (a), a combination obtained by replacing part or all of the structural units based on 4,4′-dihydroxybiphenyl with structural units based on 2,6-dihydroxynaphthalene (d ): In the above combination (a), 2,6-naphthalene Combination (e) obtained by replacing part or all of the structural unit based on carboxylic acid with the structural unit based on isophthalic acid: In the above combination (a), part of the structural unit based on 2,6-naphthalenedicarboxylic acid Or a combination (f) obtained by replacing the whole with a structural unit based on a mixture of terephthalic acid and isophthalic acid: In the above combination (a), part or all of the structural unit based on 2-hydroxy-6-naphthoic acid A combination obtained by replacing with structural units based on parahydroxybenzoic acid.

上記の(a)〜(f)のなかでも、液晶性ポリエステルは、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に由来する繰り返し構造単位30〜80mol%、芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位10〜35mol%、および芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位10〜35mol%含むことが好ましい。この場合は、液晶性ポリエステルの優れた特性とともに、誘電正接を低下させる効果をより高く得ることができる。   Among the above (a) to (f), the liquid crystalline polyester contains 30 to 80 mol% of repeating structural units derived from 2-hydroxy-6-naphthoic acid and 10 to 35 mol% of repeating structural units derived from an aromatic diol. And 10 to 35 mol% of repeating structural units derived from aromatic dicarboxylic acid. In this case, it is possible to obtain a higher effect of reducing the dielectric loss tangent together with the excellent characteristics of the liquid crystalline polyester.

次に、本発明の樹脂成形品を構成する樹脂組成物の重要成分であるエポキシ基含有エチレン共重合体について説明する。本発明においては、エポキシ基含有エチレン共重合体は、分子中に、エチレン単位を80〜95質量%、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位と不飽和グリシジルエーテル単位の少なくとも一方を5〜15質量%含むことが好ましい。エチレン単位が80質量%未満であると、樹脂基板の耐熱性や靭性が低下する恐れがある。また、後述するように、本発明の樹脂成形品上に金属被膜を形成することにより成形回路基板を作製する場合は、金属被膜の密着性を改善するために、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位と不飽和グリシジルエーテル単位の少なくとも一方を5質量%以上含有することが好ましい。これらの単位の他に、必要に応じて、エチレン系不飽和エステル単位を含むことができ、この場合、エチレン系不飽和エステル単位は50質量%以下であることが好ましい。   Next, the epoxy group-containing ethylene copolymer, which is an important component of the resin composition constituting the resin molded product of the present invention, will be described. In the present invention, the epoxy group-containing ethylene copolymer contains 80 to 95% by mass of ethylene units and 5 to 15% by mass of at least one of unsaturated carboxylic acid glycidyl ester units and unsaturated glycidyl ether units in the molecule. It is preferable. If the ethylene unit is less than 80% by mass, the heat resistance and toughness of the resin substrate may be reduced. In addition, as described later, when producing a molded circuit board by forming a metal film on the resin molded product of the present invention, in order to improve the adhesion of the metal film, an unsaturated carboxylic acid glycidyl ester unit and It is preferable to contain 5% by mass or more of at least one of unsaturated glycidyl ether units. In addition to these units, an ethylenically unsaturated ester unit can be included as necessary. In this case, the ethylenically unsaturated ester unit is preferably 50% by mass or less.

例えば、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位あるいは不飽和グリシジルエーテル単位を与える化合物は、次の化学式(3)、式(4)で表される。   For example, a compound giving an unsaturated carboxylic acid glycidyl ester unit or an unsaturated glycidyl ether unit is represented by the following chemical formulas (3) and (4).

Figure 0004608342
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Figure 0004608342
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具体的には、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、イタコン酸グリシジルエステル、アリルグリシジルエーテル、2−メチルアリルグリシジルエーテル、スチレン−p−グリシジルエーテル等を使用することができる。   Specifically, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, itaconic acid glycidyl ester, allyl glycidyl ether, 2-methylallyl glycidyl ether, styrene-p-glycidyl ether, and the like can be used.

エポキシ基含有エチレン共重合体として、エチレン、不飽和カルボン酸グリシジルエステルおよび/又は不飽和グリシジルエーテル以外にエチレン系不飽和エステルが含まれる三元系もしくはそれ以上の以上の多元系共重合体を使用してもよい。そのようなエチレン系不飽和エステル化合物としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル等のカルボン酸ビニルエステルやα、β−不飽和カルボン酸アルキルエステルを使用することができる。これらのなかでも特に酢酸ビニル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチルが好ましい。   As the epoxy group-containing ethylene copolymer, use is made of a ternary system copolymer having an ethylene-based unsaturated ester in addition to ethylene, unsaturated carboxylic acid glycidyl ester and / or unsaturated glycidyl ether, or more. May be. Examples of such ethylenically unsaturated ester compounds include vinyl acetate, vinyl propionate, methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, and the like. Or an α, β-unsaturated carboxylic acid alkyl ester. Of these, vinyl acetate, methyl acrylate, and ethyl acrylate are particularly preferable.

そしてエポキシ基含有エチレン共重合体は、通常、エチレン単位を与える化合物と、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位あるいは不飽和グリシジルエーテル単位を与える化合物と、及び必要に応じてエチレン系不飽和エステル単位を与える化合物を、ラジカル発生剤の存在下、500〜4000気圧、100〜300℃の条件で、共重合させる方法により製造することができるものである。共重合は、適当な溶媒や連鎖移動剤の存在下でおこなってもよい。   And the epoxy group-containing ethylene copolymer usually gives a compound giving an ethylene unit, a compound giving an unsaturated carboxylic acid glycidyl ester unit or an unsaturated glycidyl ether unit, and, if necessary, an ethylenically unsaturated ester unit. The compound can be produced by a method of copolymerizing in the presence of a radical generator under conditions of 500 to 4000 atmospheres and 100 to 300 ° C. Copolymerization may be carried out in the presence of a suitable solvent or chain transfer agent.

具体的には、エポキシ基含有エチレン共重合体として、例えば、エチレン単位とグリシジルメタクリレート単位からなる共重合体、エチレン単位とグリシジルメタクリレート単位およびグリシジルメチルアクリレート単位からなる共重合体、エチレン単位とグリシジルメタクリレート単位およびグリシジルエチルアクリレート単位からなる共重合体、あるいはエチレン単位とグリシジルメタクリレート単位および酢酸ビニル単位からなる共重合体を使用することができる。特に、エチレン単位とグリシジルメタクリレートからなる共重合体の使用が好ましい。   Specifically, as the epoxy group-containing ethylene copolymer, for example, a copolymer comprising an ethylene unit and a glycidyl methacrylate unit, a copolymer comprising an ethylene unit, a glycidyl methacrylate unit and a glycidyl methyl acrylate unit, an ethylene unit and a glycidyl methacrylate A copolymer composed of units and glycidylethyl acrylate units, or a copolymer composed of ethylene units, glycidyl methacrylate units and vinyl acetate units can be used. In particular, the use of a copolymer composed of ethylene units and glycidyl methacrylate is preferred.

また、エポキシ基含有エチレン共重合体は、メルトインデックス(MFR:JISK7210、測定条件:190℃、2.16kg荷重)が0.5〜100g/10分の範囲であることが好ましく、より好ましくは2〜50g/10分である。この範囲においては、良好な樹脂基板の機械物性と液晶ポリエステルとの相溶性が得られるという長所がある。   The epoxy group-containing ethylene copolymer preferably has a melt index (MFR: JIS K7210, measurement conditions: 190 ° C., 2.16 kg load) in the range of 0.5 to 100 g / 10 min, more preferably 2 ~ 50 g / 10 min. In this range, there is an advantage that good mechanical properties of the resin substrate and compatibility with the liquid crystal polyester can be obtained.

本発明の樹脂成形品において、エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量は、液晶性ポリエステル100質量部に対して0.1〜25質量部であることが好ましく、より好ましくは10〜20質量部である。この範囲では、誘電正接を低下させる熱処理効果がより高くなる。含有量が0.1質量部未満であると、樹脂成形品上に設けた回路パターン用金属被膜の密着性が低下しやすいので、本発明の樹脂成形品を回路基板として使用することが困難になる恐れがある。一方、含有量が25質量部を超えると、樹脂組成物の成形性および耐熱性が低下する恐れがある。   In the resin molded product of the present invention, the content of the epoxy group-containing ethylene copolymer is preferably 0.1 to 25 parts by mass, more preferably 10 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the liquid crystalline polyester. It is. In this range, the heat treatment effect for reducing the dielectric loss tangent becomes higher. If the content is less than 0.1 parts by mass, the adhesion of the metal film for circuit pattern provided on the resin molded product is likely to be lowered, making it difficult to use the resin molded product of the present invention as a circuit board. There is a fear. On the other hand, if the content exceeds 25 parts by mass, the moldability and heat resistance of the resin composition may be reduced.

必要に応じて、樹脂基板を補強するため、無機フィラーを樹脂組成物に添加してもよい。無機フィラーの種類は限定されない。例えば、無機フィラーとして、繊維状無機フィラー、ウィスカー、板状無機フィラー、粉末状無機フィラーを樹脂組成物に添加することができる。   If necessary, an inorganic filler may be added to the resin composition in order to reinforce the resin substrate. The kind of inorganic filler is not limited. For example, fibrous inorganic fillers, whiskers, plate-like inorganic fillers, and powdery inorganic fillers can be added to the resin composition as the inorganic filler.

本発明の樹脂成形品は、上記した液晶性ポリエステル、エポキシ基含有エチレン共重合体、および必要に応じて無機フィラーを含有する樹脂組成物を成型し、得られた成型品に液晶性ポリエステルの流動開始温度より低い温度で熱処理を施すことにより得られる。このように熱処理が施された樹脂成形品は、熱処理なしに同樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有する。   The resin molded product of the present invention is obtained by molding a resin composition containing the above-described liquid crystalline polyester, an epoxy group-containing ethylene copolymer, and, if necessary, an inorganic filler, and flowing the liquid crystalline polyester into the obtained molded product. It is obtained by applying a heat treatment at a temperature lower than the starting temperature. The resin molded product that has been heat-treated in this manner has a smaller dielectric tangent than a resin molded product obtained from the resin composition without the heat treatment.

熱処理は、液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度との間の温度で上記基板に熱処理を施すものである。流動開始温度は、内径1mm、長さ10mmのノズルをもつ毛細管レオメータを用い、100kgf/cm(980N/cm)の荷重下において、4℃/分の昇温速度で加熱溶融体をノズルから押し出す時に、溶融粘度が48000ポイズを示す温度を意味する。JISにおける関連規格は、K6719−1977である。熱処理温度が下限温度より低いと、熱処理による効果を十分に得ることができず、また熱処理温度が上限温度より高いと、樹脂基板に反りや変形を生じるおそれがある。この熱処理は残留酸素濃度が1%以下、好ましくは0.5%以下であるという条件下、窒素ガスなど不活性ガス雰囲気中で行なう。また、樹脂基板の変質を防止する観点から、加熱処理時間は1〜4時間の範囲であることが好ましい。 Heat treatment is to heat treatment to the substrate at a temperature between 20 ° C. lower maximum temperature than 120 ° C. and a low minimum temperature than the flow temperature flow initiation temperature of the liquid-crystalline polyester. The flow starting temperature is a capillary rheometer having a nozzle with an inner diameter of 1 mm and a length of 10 mm. Under a load of 100 kgf / cm 2 (980 N / cm 2 ), the heated melt is discharged from the nozzle at a heating rate of 4 ° C./min. It means the temperature at which the melt viscosity exhibits 48000 poise when extruded. The related standard in JIS is K6719-1977. If the heat treatment temperature is lower than the lower limit temperature, the effect of the heat treatment cannot be sufficiently obtained, and if the heat treatment temperature is higher than the upper limit temperature, the resin substrate may be warped or deformed. This heat treatment residual oxygen concentration of 1% or less, preferably under conditions that 0.5% or less, rows that will in inert gas such as a nitrogen gas atmosphere. Moreover, it is preferable that the heat processing time is the range for 1-4 hours from a viewpoint of preventing the quality change of the resin substrate.

上記熱処理によれば、誘電正接の低下による高周波特性等の電気特性の改善に加え、樹脂基板の耐熱性も向上することができる。さらに、本発明の樹脂成形品を回路基板として使用する場合は、その上に形成される金属被膜の密着性を高めることができる。もちろん、本発明の樹脂成形品は、液晶性ポリエステル本来の優れた耐薬品性、低線膨張率、難燃性、機械的強度、電気絶縁性、制振性、弾性率を安定に維持している。従って本発明に係る樹脂成形品は、回路基板の他に、例えばアンテナや導波管、光伝送向け基板として好適に使用されるだろう。   According to the heat treatment, the heat resistance of the resin substrate can be improved in addition to the improvement of the electrical characteristics such as the high frequency characteristics due to the decrease of the dielectric loss tangent. Furthermore, when using the resin molded product of this invention as a circuit board, the adhesiveness of the metal film formed on it can be improved. Of course, the resin molded product of the present invention stably maintains the excellent chemical resistance, low linear expansion coefficient, flame retardancy, mechanical strength, electrical insulation, vibration damping and elastic modulus inherent in liquid crystalline polyester. Yes. Therefore, the resin molded product according to the present invention will be suitably used as, for example, an antenna, a waveguide, or a substrate for optical transmission in addition to the circuit board.

一例として、本発明の樹脂成形品によって提供される樹脂基板上に金属被膜を形成することにより回路基板を製造する方法を以下に紹介する。   As an example, a method of manufacturing a circuit board by forming a metal film on a resin substrate provided by the resin molded product of the present invention will be introduced below.

金属被膜を形成するに先立って、熱処理された樹脂基板の表面にプラズマ処理を施すことが好ましい。樹脂組成物中のエポキシ基含有エチレン共重合体は、反応性の高い官能基を持つので、樹脂基板の表面はプラズマ処理によって効果的に活性化される。したがって、金属被膜の密着性に及ぼすプラズマ処理の効果が高い。   Prior to forming the metal coating, it is preferable to perform plasma treatment on the surface of the heat-treated resin substrate. Since the epoxy group-containing ethylene copolymer in the resin composition has a highly reactive functional group, the surface of the resin substrate is effectively activated by plasma treatment. Therefore, the effect of the plasma treatment on the adhesion of the metal film is high.

プラズマ処理は、既存のプラズマ処理装置を用いて行なえる。例えば、チャンバー内に対向配置された一対の電極と、電極間に高周波電界を印加するための高周波ユニットを備えたプラズマ処理装置を使用することができる。この場合は、樹脂基板を一方の電極上に配置し、チャンバーを10−4Pa程度に減圧する。次いで、チャンバー内にNやNH等のプラズマ形成ガスをチャンバー内圧が8〜15Paになるように導入する。次に、高周波ユニットを用いて電極間に300Wの高周波パワー(13.56MHz)を10〜100秒間印加して電極間にプラズマを発生させ、これにより生成したプラズマ中の陽イオンやラジカルによって樹脂基板の表面を活性化する。プラズマ処理中、陽イオンとの衝突によって、金属と結合し易い窒素極性基や酸素極性基が樹脂基板の表面に付与されるので、金属被膜の密着性がさらに向上する。 The plasma processing can be performed using an existing plasma processing apparatus. For example, it is possible to use a plasma processing apparatus including a pair of electrodes opposed to each other in the chamber and a high frequency unit for applying a high frequency electric field between the electrodes. In this case, the resin substrate is disposed on one electrode, and the chamber is decompressed to about 10 −4 Pa. Next, a plasma forming gas such as N 2 or NH 3 is introduced into the chamber so that the pressure inside the chamber is 8 to 15 Pa. Next, using a high frequency unit, 300 W high frequency power (13.56 MHz) is applied between the electrodes for 10 to 100 seconds to generate plasma between the electrodes, and the resin substrate is generated by cations and radicals in the generated plasma. To activate the surface. During the plasma treatment, nitrogen polar groups and oxygen polar groups that are easily bonded to the metal are imparted to the surface of the resin substrate by collision with cations, so that the adhesion of the metal coating is further improved.

プラズマ処理条件は樹脂基板の表面がプラズマ処理によって過度に粗面化されなければ、任意に設定できる。また、プラズマ形成ガスの種類も限定されない。例えば、上記のように、プラズマ形成ガスとして窒素を用いるのが好ましい。窒素プラズマを使用する場合は、酸素プラズマ処理を使用する場合に比べ、樹脂基板のエステル結合の切断による炭酸ガスの脱離を少なくできる。結果的に、樹脂基板の表層部の強度低下を回避できる。   The plasma processing conditions can be arbitrarily set as long as the surface of the resin substrate is not excessively roughened by the plasma processing. Also, the type of plasma forming gas is not limited. For example, as described above, nitrogen is preferably used as the plasma forming gas. When nitrogen plasma is used, the desorption of carbon dioxide gas due to the cleavage of the ester bond of the resin substrate can be reduced as compared with the case where oxygen plasma treatment is used. As a result, the strength reduction of the surface layer portion of the resin substrate can be avoided.

金属被膜の形成には、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングのような物理蒸着法を用いることが好ましい。尚、上記したプラズマ処理を実施する場合は、樹脂基板を大気に接触させることなく、膜形成を連続して実施することが好ましい。金属被膜を構成する金属材料は限定されない。例えば、銅、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛、黄銅、ニクロムおよびそれらの合金でなる群から選択することができる。   For the formation of the metal coating, it is preferable to use a physical vapor deposition method such as sputtering, vacuum vapor deposition, or ion plating. When performing the above-described plasma treatment, it is preferable to continuously perform film formation without bringing the resin substrate into contact with the atmosphere. The metal material which comprises a metal film is not limited. For example, it can be selected from the group consisting of copper, nickel, gold, aluminum, titanium, molybdenum, chromium, tungsten, tin, lead, brass, nichrome, and alloys thereof.

スパッタリングとしてDCスパッタリング法を採用する場合は、例えば、内部に樹脂基板を有するチャンバーを10−4Pa以下に減圧し、次いで内圧が0.1Pa程度になるようにアルゴン等の不活性ガスをチャンバー内に導入する。次に、500Vの直流電圧を印加して銅ターゲットをボンバードすることにより、金属被膜として200〜500nmの膜厚の銅皮膜を樹脂基板上に形成できる。 When the DC sputtering method is employed as sputtering, for example, the chamber having a resin substrate inside is decompressed to 10 −4 Pa or less, and then an inert gas such as argon is introduced into the chamber so that the internal pressure becomes about 0.1 Pa. To introduce. Next, a copper film having a thickness of 200 to 500 nm can be formed on the resin substrate as a metal film by applying a DC voltage of 500 V to bombard the copper target.

真空蒸着として電子線加熱真空蒸着法を採用する場合は、例えば、内部に樹脂基板を有するチャンバーを10−4Pa以下に減圧し、400〜800mAの電子流をるつぼの中の金属材料に衝突させて金属材料を蒸発させる。これにより、300nm程度の膜厚の銅被膜を金属被膜として樹脂基板上に形成できる。 When the electron beam heating vacuum deposition method is adopted as the vacuum deposition, for example, a chamber having a resin substrate inside is decompressed to 10 −4 Pa or less, and an electron current of 400 to 800 mA is made to collide with the metal material in the crucible. To evaporate the metal material. Thereby, a copper film having a film thickness of about 300 nm can be formed on the resin substrate as a metal film.

イオンプレーティングを採用する場合は、例えば、内部に樹脂基板を有するチャンバーを10−4Pa以下に減圧し、真空蒸着の場合と同様にして金属材料を蒸発させる。さらに、樹脂基板とるつぼの間にアルゴン等の不活性ガスを内圧が0.05〜0.1Paになるように導入する。次に、樹脂基板を保持している電極に所望のバイアス電圧を印加した状態で、500Wの高周波パワー(13.56MHz)を誘導アンテナに印加してチャンバー内にプラズマを発生させる。これにより、200〜500nmの膜厚の銅皮膜を金属被膜として樹脂基板上に形成できる。 In the case of employing ion plating, for example, a chamber having a resin substrate inside is decompressed to 10 −4 Pa or less, and the metal material is evaporated in the same manner as in the case of vacuum deposition. Further, an inert gas such as argon is introduced between the resin substrate and the crucible so that the internal pressure becomes 0.05 to 0.1 Pa. Next, with a desired bias voltage applied to the electrode holding the resin substrate, 500 W of high frequency power (13.56 MHz) is applied to the induction antenna to generate plasma in the chamber. Thereby, a copper film having a thickness of 200 to 500 nm can be formed on the resin substrate as a metal film.

次に、樹脂基板上に形成された金属被膜に回路パターンを形成する。例えば、金属被膜の密着性を低下させることなく、回路部以外の不必要な金属被膜を効率よく除去する観点から、レーザーパターンニングを採用することが推奨される。本発明によれば、被膜形成に先立って、金属被膜の密着性を改善するための粗面化処理を行なう必要がないので、樹脂基板の粗面化された表面への金属被膜の形成を原因とする配線精度の低下なしにレーザーパターニングによって微細な回路パターンを精度よく形成することができる。したがって、本発明の樹脂成形品は、立体回路基板(MID)に適したものである。 Next, a circuit pattern is formed on the metal film formed on the resin substrate. For example, it is recommended to employ laser patterning from the viewpoint of efficiently removing unnecessary metal coating other than the circuit portion without reducing the adhesion of the metal coating. According to the present invention, it is not necessary to perform a roughening treatment for improving the adhesion of the metal coating prior to the formation of the coating, which causes the formation of the metal coating on the roughened surface of the resin substrate. A fine circuit pattern can be accurately formed by laser patterning without lowering the wiring accuracy. Therefore, the resin molded article of the present invention, Ru der suitable for three-dimensional circuit board (MID).

レーザーパターンニング後、形成された回路パターン上に電解メッキにより銅などの追加金属被膜をトータル厚みが例えば5〜20μmになるように形成してもよい、回路パターンの形成後、必要に応じて、樹脂基板上に残留する不要な金属被膜を確実に除去するためのソフトエッチングを実施してもよい。さらに、追加金属被膜上に数μm程度の厚みのニッケルメッキ層や金メッキ層を設けてもよい。このように、本発明の樹脂成形品を使用することにより、所望の回路パターンを有する成形回路基板を得ることができる。   After the laser patterning, an additional metal film such as copper may be formed on the formed circuit pattern by electrolytic plating so that the total thickness becomes, for example, 5 to 20 μm. Soft etching may be performed to reliably remove an unnecessary metal film remaining on the resin substrate. Further, a nickel plating layer or a gold plating layer having a thickness of about several μm may be provided on the additional metal film. Thus, the molded circuit board which has a desired circuit pattern can be obtained by using the resin molded product of this invention.

本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。   The present invention will be specifically described based on examples.

(液晶性ポリエステル”S1”の合成)
p−ヒドロキシ安息香酸を911g(6.6モル)、4,4’−ジヒドロキシビフェニルを409g(2.2モル)、テレフタル酸を274g(1.65モル)、イソフタル酸を91g(0.55モル)及び無水酢酸を1235g(12.1モル)、さらに1−メチルイミダゾールを0.17g、攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に入れ、反応器内を十分に窒素ガスで置換した。次いで、窒素ガス気流下で15分かけて150℃まで昇温し、150℃で3時間還流させた。
(Synthesis of liquid crystalline polyester “S1”)
911 g (6.6 mol) of p-hydroxybenzoic acid, 409 g (2.2 mol) of 4,4′-dihydroxybiphenyl, 274 g (1.65 mol) of terephthalic acid, and 91 g (0.55 mol) of isophthalic acid ) And 1235 g (12.1 mol) of acetic anhydride, 0.17 g of 1-methylimidazole, and a reactor equipped with a stirrer, a torque meter, a nitrogen gas inlet tube, a thermometer and a reflux condenser. The inside was sufficiently replaced with nitrogen gas. Subsequently, it heated up to 150 degreeC over 15 minutes under nitrogen gas stream, and was made to recirculate | reflux at 150 degreeC for 3 hours.

次に、さらに1−メチルイミダゾール1.69gを加え、副生酢酸および未反応の無水酢酸を留去しながら2時間50分かけて320℃まで昇温し、トルクの上昇が認められる時点を反応終了とみなし、内容物を取り出した。内容物から得られた固形分を室温まで冷却し、粗粉砕機で粉砕後、得られた粉末を窒素雰囲気下、室温から250℃まで1時間かけて昇温し、250℃から288℃まで5時間かけて昇温し、288℃で3時間保持し、固相重合反応を進行させた。このようにして、液晶性ポリエステル”S1”を得た。フローテスター〔島津製作所社製、「CFT−500型」〕を用いて測定したこの液晶ポリエステルの流動開始温度は320℃である。   Next, 1.69 g of 1-methylimidazole was further added, and the temperature was raised to 320 ° C. over 2 hours and 50 minutes while distilling off by-product acetic acid and unreacted acetic anhydride. The content was taken out as deemed complete. The solid content obtained from the contents was cooled to room temperature, pulverized with a coarse pulverizer, and the resulting powder was heated from room temperature to 250 ° C. over 1 hour in a nitrogen atmosphere, and from 250 ° C. to 288 ° C. The temperature was raised over time and held at 288 ° C. for 3 hours to proceed the solid phase polymerization reaction. In this way, liquid crystalline polyester “S1” was obtained. The flow start temperature of this liquid crystalline polyester measured using a flow tester [manufactured by Shimadzu Corporation, “CFT-500 type”] is 320 ° C.

(液晶性ポリエステル”S2”の合成)
2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸を752.72g(4.00モル)、ハイドロキノンを220.22g(2.00モル)、2,6−ナフタレンジカルボン酸を432.38g(2.00モル)、無水酢酸を986.19(9.2モル)を攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に入れ、さらに触媒として1−メチルイミダゾール0.143gを添加した。得られた混合物を室温で15分間攪拌した後、攪拌しながら145℃に昇温した。この温度で、得られた混合物を1時間さらに攪拌した。
(Synthesis of liquid crystalline polyester “S2”)
752.72 g (4.00 mol) of 2-hydroxy-6-naphthoic acid, 220.22 g (2.00 mol) of hydroquinone, 432.38 g (2.00 mol) of 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, anhydrous Acetic acid 986.19 (9.2 mol) was put in a reactor equipped with a stirrer, a torque meter, a nitrogen gas inlet tube, a thermometer and a reflux condenser, and 0.143 g of 1-methylimidazole was further added as a catalyst. . The resulting mixture was stirred at room temperature for 15 minutes and then heated to 145 ° C. with stirring. At this temperature, the resulting mixture was further stirred for 1 hour.

次に、副生酢酸および未反応の無水酢酸を留去しながら、145℃から310℃まで3時間かけて昇温した。1−メチルイミダゾール1.427gをさらに加えたのち、310℃で30分保持して芳香族ポリエステルを得た。得られた芳香族ポリエステルを室温に冷却し、粉砕機で粉砕して、芳香族ポリエステル粉末(粒子径は約0.1mm〜約1mm)を得た。   Next, the temperature was increased from 145 ° C. to 310 ° C. over 3 hours while distilling off by-product acetic acid and unreacted acetic anhydride. After further adding 1.427 g of 1-methylimidazole, the mixture was kept at 310 ° C. for 30 minutes to obtain an aromatic polyester. The obtained aromatic polyester was cooled to room temperature and pulverized by a pulverizer to obtain an aromatic polyester powder (particle diameter of about 0.1 mm to about 1 mm).

上記で得た粉末を25℃から250℃まで1時間かけて昇温したのち、同温度から320℃まで5時間かけて昇温し、次いで同温度で3時間保温して固相重合反応を促した。このようにして、液晶性ポリエステル”S2”を得た。フローテスター〔島津製作所社製、「CFT−500型」〕を用いて測定したこの液晶性ポリエステルの流動開始温度は、333℃であった。   The powder obtained above was heated from 25 ° C. to 250 ° C. over 1 hour, then heated from the same temperature to 320 ° C. over 5 hours, and then kept at that temperature for 3 hours to promote the solid-state polymerization reaction. did. Thus, liquid crystalline polyester “S2” was obtained. The flow starting temperature of this liquid crystalline polyester measured using a flow tester [manufactured by Shimadzu Corporation, “CFT-500 type”] was 333 ° C.

一方、エポキシ基含有エチレン共重合体として、住友化学工業株式会社製の「ボンドファースト(登録商標)」”BF−E”,、”BF−2C”、”BF−7M”および”BF−2B”を使用した。ボンドファースト”BF−E”は、エチレン-グリシジルメタクリレート共重合体(グリシジルメタクリレート含有量12質量%、MFR=3g/10分)である。ボンドファースト”BF−2C”は、エチレン-グリシジルメタクリレート共重合体(グリシジルメタクリレート含有量6質量%:MFR=3g/10分)である。ボンドファースト”BF−7M”は、エチレン-グリシジルメタクリレート-アクリル酸メチル共重合体(グリシジルメタクリレート含有量6質量%、アクリル酸メチル含有量30質量%:MFR=9g/10分)である。ボンドファースト”BF−2B”は、エチレン-グリシジルメタクリレート-酢酸ビニル共重合体(グリシジルメタクリレート含有量12質量%、酢酸ビニル5質量%:MFR=3g/10分)である。なお、MFR(メルトフローレート)は、JIS−K7210に準拠し、190℃、2160g荷重の条件下で測定した値である。   On the other hand, “bond first (registered trademark)” “BF-E”, “BF-2C”, “BF-7M” and “BF-2B” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. are used as the ethylene copolymer containing epoxy group. It was used. Bond first “BF-E” is an ethylene-glycidyl methacrylate copolymer (glycidyl methacrylate content 12 mass%, MFR = 3 g / 10 min). Bond first “BF-2C” is an ethylene-glycidyl methacrylate copolymer (glycidyl methacrylate content: 6 mass%: MFR = 3 g / 10 min). Bond First “BF-7M” is an ethylene-glycidyl methacrylate-methyl acrylate copolymer (glycidyl methacrylate content 6 mass%, methyl acrylate content 30 mass%: MFR = 9 g / 10 min). Bond First “BF-2B” is an ethylene-glycidyl methacrylate-vinyl acetate copolymer (glycidyl methacrylate content 12 mass%, vinyl acetate 5 mass%: MFR = 3 g / 10 min). MFR (melt flow rate) is a value measured under conditions of 190 ° C. and 2160 g load in accordance with JIS-K7210.

必要に応じて、無機フィラーとして、ミルドガラス繊維(MGF:セントラルガラス(株)製「EFH−7501」:繊維径10μm、アスペクト比10)、チタン酸バリウム(富士チタン社製「NPO−S」:平均粒径2.1μm)、チタン酸ストロンチウム(富士チタン社製「ST−1」:平均粒径1.1μm)を使用した。   If necessary, as an inorganic filler, milled glass fiber (MGF: “EFH-7501” manufactured by Central Glass Co., Ltd .: fiber diameter 10 μm, aspect ratio 10), barium titanate (“NPO-S” manufactured by Fuji Titanium): An average particle size of 2.1 μm) and strontium titanate (“ST-1” manufactured by Fuji Titanium Co., Ltd .: average particle size of 1.1 μm) were used.

(実施例1)
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、および無機フィラーとしてチタン酸バリウム粉末”NPO−S”100質量部を混合して樹脂組成物を調製した。2軸押出機(池貝鉄工(株)「PCM−30」)を使用し、340℃でこの樹脂組成物のペレットを作製した。得られたペレットを日精樹脂工業(株)製射出成形機「PS40E5ASE」を用いて、シリンダー温度350℃、金型温度130℃で射出成形し、40mm×30mm×厚さ1mmの樹脂基板を得た。
Example 1
Resin composition by mixing 100 parts by mass of liquid crystalline polyester “S1” with 10 parts by mass of an epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” and 100 parts by mass of barium titanate powder “NPO-S” as an inorganic filler. Was prepared. Using a twin screw extruder (Ikegai Iron Works Co., Ltd. “PCM-30”), pellets of this resin composition were prepared at 340 ° C. The obtained pellets were injection molded at a cylinder temperature of 350 ° C. and a mold temperature of 130 ° C. using an injection molding machine “PS40E5ASE” manufactured by Nissei Plastic Industry Co., Ltd. to obtain a resin substrate of 40 mm × 30 mm × thickness 1 mm. .

次に、窒素雰囲気中で、300℃で3時間、この樹脂基板に熱処理を施した。その後、この樹脂基板の表面をプラズマ処理した。すなわち、まず樹脂基板をプラズマ処理装置のチャンバー内にセットし、チャンバーを10−4Pa程度に減圧した。さらに、チャンバーにNをチャンバー内のガス圧が10Paになるように導入した。この後、プラズマ処理装置の電極間に300Wの高周波電圧(13.56MHz)を30秒間印加することによって、樹脂基板にプラズマ処理を施した。プラズマ処理後、DCマグネトロンスパッタリング装置を使って樹脂基板のプラズマ処理面に金属被膜を形成した。すなわち、チャンバーを10−4Pa以下になるまで減圧した後、チャンバーにアルゴンガスをチャンバー内のガス圧が0.1Paになるように導入し、更に500Vの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードし、樹脂基板上に金属被膜として400nmの膜厚の銅被膜を形成した。 Next, the resin substrate was heat-treated at 300 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. Thereafter, the surface of the resin substrate was subjected to plasma treatment. That is, first, the resin substrate was set in the chamber of the plasma processing apparatus, and the chamber was decompressed to about 10 −4 Pa. Further, N 2 was introduced into the chamber so that the gas pressure in the chamber was 10 Pa. Thereafter, a 300 W high-frequency voltage (13.56 MHz) was applied between the electrodes of the plasma processing apparatus for 30 seconds to perform plasma processing on the resin substrate. After the plasma treatment, a metal film was formed on the plasma treated surface of the resin substrate using a DC magnetron sputtering apparatus. That is, after reducing the pressure of the chamber to 10 −4 Pa or less, argon gas was introduced into the chamber so that the gas pressure in the chamber was 0.1 Pa, and a DC voltage of 500 V was further applied, so that the copper target And a copper film having a thickness of 400 nm was formed as a metal film on the resin substrate.

次に、レーザ照射により金属被膜に幅5mmのパターンを形成し、この金属被膜のパターン上に電解メッキで銅をメッキすることによって、厚み15μmの剥離強度試験用回路パターンを樹脂基板上に得た。   Next, a pattern having a width of 5 mm was formed on the metal film by laser irradiation, and a copper pattern was plated on the metal film pattern by electrolytic plating to obtain a circuit pattern for a peel strength test having a thickness of 15 μm on the resin substrate. .

(実施例2〜4)
実施例2〜4の各々においては、表1に示すように、異なる量のエポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”を用いたことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Examples 2 to 4)
In each of Examples 2 to 4, as shown in Table 1, peeling was performed based on the same method as Example 1 except that different amounts of an epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” was used. A resin substrate having a circuit pattern for strength test was manufactured.

(比較例1)
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 1)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was manufactured based on the same method as in Example 1 except that the epoxy group-containing ethylene copolymer was not used and heat treatment was not performed.

(比較例2)
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 2)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was manufactured based on the same method as in Example 1 except that no heat treatment was performed.

(比較例3)
エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”の添加量が24質量部であることと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 3)
A circuit pattern for peel strength test was formed based on the same method as in Example 1 except that the addition amount of the epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” was 24 parts by mass and no heat treatment was performed. A resin substrate having the same was manufactured.

上記の実施例1〜4及び比較例1〜3について、樹脂基板の誘電正接(tanδ)及び回路パターンの90度ピール強度を測定した。すなわち、1GHzにおける樹脂基板の誘電正接は、RFインピーダンス/マテリアルアナライザ(HP 4291A)を用いて、RF I−V法に基づくインピーダンス測定を実施することにより求めた。一方、ピール強度は、万能試験機(島津製作所製「EG Test」)を用いて測定を行なった。結果を表1に示す。   About said Examples 1-4 and Comparative Examples 1-3, the dielectric loss tangent (tan (delta)) of the resin substrate and the 90 degree | times peel strength of a circuit pattern were measured. That is, the dielectric loss tangent of the resin substrate at 1 GHz was obtained by performing impedance measurement based on the RF IV method using an RF impedance / material analyzer (HP 4291A). On the other hand, the peel strength was measured using a universal testing machine (“EG Test” manufactured by Shimadzu Corporation). The results are shown in Table 1.

Figure 0004608342
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実施例1と、実施例1と同じ組成の樹脂基板を使用する比較例2との比較からわかるように、熱処理を行なうことによって誘電正接は顕著に低減される。すなわち、実施例1の熱処理した樹脂基板の誘電正接は、熱処理なしの比較例2の樹脂基板の誘電正接のおよそ77%に相当する。同様に、実施例4と、実施例4と同じ組成の樹脂基板を使用する比較例3の結果から、実施例3の熱処理した樹脂基板の誘電正接は、熱処理なしの比較例3の樹脂基板の誘電正接のおよそ60%に相当する。また、熱処理なしの比較例1〜3においては、エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量の増加とともに、誘電正接も増加する。これに対して、本発明の熱処理を行なった実施例1〜4においては、エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量の増加とともに誘電正接は減少する。このように、本発明の熱処理は、液晶性ポリエステル系樹脂基板がエポキシ基含有エチレン共重合体を含有する場合に誘電正接を低減する格別の効果を提供する。さらに、実施例1、4と比較例2,3との間の比較は、熱処理が回路パターンの密着性の改善にとっても効果的であることを示している。   As can be seen from a comparison between Example 1 and Comparative Example 2 using a resin substrate having the same composition as Example 1, the dielectric loss tangent is significantly reduced by performing the heat treatment. That is, the dielectric loss tangent of the heat-treated resin substrate of Example 1 corresponds to approximately 77% of the dielectric loss tangent of the resin substrate of Comparative Example 2 without heat treatment. Similarly, from the results of Example 4 and Comparative Example 3 using a resin substrate having the same composition as Example 4, the dielectric loss tangent of the heat-treated resin substrate of Example 3 is that of the resin substrate of Comparative Example 3 without heat treatment. This corresponds to approximately 60% of the dielectric loss tangent. Moreover, in Comparative Examples 1-3 without heat processing, a dielectric loss tangent also increases with the increase in content of an epoxy-group-containing ethylene copolymer. On the other hand, in Examples 1 to 4 in which the heat treatment of the present invention was performed, the dielectric loss tangent decreases as the content of the epoxy group-containing ethylene copolymer increases. Thus, the heat treatment of the present invention provides a special effect of reducing the dielectric loss tangent when the liquid crystalline polyester resin substrate contains an epoxy group-containing ethylene copolymer. Furthermore, the comparison between Examples 1 and 4 and Comparative Examples 2 and 3 shows that the heat treatment is also effective for improving the adhesion of the circuit pattern.

(実施例5)
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”15質量部、ミルドガラス繊維”MGF”67質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Example 5)
Except that 100 parts by mass of liquid crystalline polyester “S1” was mixed with 15 parts by mass of an epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” and 67 parts by mass of milled glass fiber “MGF” to prepare a resin composition. A resin substrate having a peel strength test circuit pattern was produced based on the same method as in Example 1.

(実施例6〜8)
実施例6〜8の各々において、表2に示すように、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”とは異なるエポキシ基含有エチレン共重合体を使用したことを除いて、実施例5と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Examples 6 to 8)
In each of Examples 6 to 8, as shown in Table 2, Example 5 and Example 5 were used except that an epoxy group-containing ethylene copolymer different from the epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” was used. A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was produced based on the same method.

実施例5〜8について、実施例1の場合と同様に、誘電正接(tanδ)および回路パターンの90度ピール強度を測定した。また、ASTM D648に準拠して、荷重1.82MPaでの荷重たわみ温度(DTUL)を測定した。結果を表2に示す。   For Examples 5 to 8, as in the case of Example 1, the dielectric loss tangent (tan δ) and the 90-degree peel strength of the circuit pattern were measured. Further, the deflection temperature under load (DTUL) at a load of 1.82 MPa was measured according to ASTM D648. The results are shown in Table 2.

Figure 0004608342
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表2の結果から分かるように、分子中のエチレン単位の含有率が80%以上であるエポキシ基含有エチレン共重合体を用いた実施例5、6、8における樹脂基板の誘電正接は、分子中のエチレン単位の含有率が80wt%より少ないエポキシ基含有エチレン共重合体を用いた実施例7における樹脂基板の誘電正接よりも顕著に低い。また、実施例5、6、8における樹脂基板は、回路パターンの良好な密着性を保ちながら、実施例7における樹脂基板よりも高いDTULを有する。これらの理由から、分子中のエチレン単位の含有率が80wt%以上であるエポキシ基含有エチレン共重合体を用いることが好ましい。   As can be seen from the results in Table 2, the dielectric loss tangent of the resin substrate in Examples 5, 6, and 8 using the epoxy group-containing ethylene copolymer in which the content of ethylene units in the molecule is 80% or more is The ethylene unit content is significantly lower than the dielectric loss tangent of the resin substrate in Example 7 using an epoxy group-containing ethylene copolymer of less than 80 wt%. Further, the resin substrates in Examples 5, 6, and 8 have a DTUL higher than that of the resin substrate in Example 7 while maintaining good adhesion of the circuit pattern. For these reasons, it is preferable to use an epoxy group-containing ethylene copolymer in which the content of ethylene units in the molecule is 80 wt% or more.

(実施例9)
液晶性ポリエステル”S2”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、さらにチタン酸ストロンチウム粉末”ST−1”200質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
Example 9
A resin composition was prepared by mixing 10 parts by mass of epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” and 200 parts by mass of strontium titanate powder “ST-1” with 100 parts by mass of liquid crystalline polyester “S2”. A resin substrate having a peel strength test circuit pattern was produced based on the same method as in Example 1.

(実施例10)
液晶性ポリエステル”S1”100質量部に、エポキシ基含有エチレン共重合体”BF−E”10質量部、さらにチタン酸ストロンチウム粉末”ST−1”200質量部を混合して樹脂組成物を調製したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Example 10)
A resin composition was prepared by mixing 10 parts by mass of epoxy group-containing ethylene copolymer “BF-E” and 200 parts by mass of strontium titanate powder “ST-1” with 100 parts by mass of liquid crystalline polyester “S1”. A resin substrate having a peel strength test circuit pattern was produced based on the same method as in Example 1.

(比較例4)
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例9と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 4)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was manufactured based on the same method as in Example 9 except that no heat treatment was performed.

(比較例5)
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例10と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 5)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was manufactured based on the same method as in Example 10 except that no heat treatment was performed.

実施例9、10および比較例4,5について、実施例1の場合と同様に、誘電正接(tanδ)および回路パターンの90度ピール強度を測定した。結果を表3に示す。   For Examples 9 and 10 and Comparative Examples 4 and 5, as in Example 1, the dielectric loss tangent (tan δ) and the 90-degree peel strength of the circuit pattern were measured. The results are shown in Table 3.

Figure 0004608342
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実施例9と、実施例9と同じ組成の樹脂基板を使用する比較例4との比較から分かるように、熱処理を行なうことによって誘電正接は顕著に低減される。すなわち、実施例9の熱処理した樹脂基板の誘電正接は、熱処理なしの比較例4の樹脂基板の誘電正接のおよそ88%に相当する。同様に、実施例10と、実施例10と同じ組成の樹脂基板を使用する比較例5の結果は、実施例10の熱処理した樹脂基板の誘電正接は、熱処理なしの比較例5の樹脂基板の誘電正接のおよそ98%に相当する。また、これらの結果は、もともとの誘電正接が小さく、誘電正接をさらに低減する観点から、液晶性ポリエステル”S1”より液晶性ポリエステル”S2”がより好ましいことを示している。   As can be seen from a comparison between Example 9 and Comparative Example 4 using a resin substrate having the same composition as Example 9, the dielectric loss tangent is significantly reduced by performing the heat treatment. That is, the dielectric loss tangent of the heat-treated resin substrate of Example 9 corresponds to approximately 88% of the dielectric loss tangent of the resin substrate of Comparative Example 4 without heat treatment. Similarly, the results of Example 10 and Comparative Example 5 using the resin substrate having the same composition as Example 10 show that the dielectric loss tangent of the heat-treated resin substrate of Example 10 is that of the resin substrate of Comparative Example 5 without heat treatment. This corresponds to approximately 98% of the dielectric loss tangent. Further, these results indicate that the liquid crystalline polyester “S2” is more preferable than the liquid crystalline polyester “S1” from the viewpoint of reducing the original dielectric loss tangent and further reducing the dielectric loss tangent.

(実施例11〜14)
実施例11〜14の各々においては、67質量部のミルドガラス繊維(MGF)“EFH-7501”をチタン酸バリウム粉末“NPO-S”の代わりに無機フィラーとして使用したことと、表4に示す条件で樹脂基板に熱処理を施したことを除いて、実施例1と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Examples 11-14)
In each of Examples 11 to 14, 67 parts by mass of milled glass fiber (MGF) “EFH-7501” was used as an inorganic filler instead of barium titanate powder “NPO-S”, and Table 4 shows. A resin substrate having a peel strength test circuit pattern was manufactured based on the same method as in Example 1 except that the resin substrate was subjected to heat treatment under conditions.

(比較例6)
熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 6)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was produced based on the same method as in Example 11 except that no heat treatment was performed.

(比較例7)
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、熱処理を行なわなかったことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 7)
A resin substrate having a circuit pattern for peel strength test was produced based on the same method as in Example 11 except that the epoxy group-containing ethylene copolymer was not used and heat treatment was not performed.

(比較例8)
エポキシ基含有エチレン共重合体を使用しなかったことと、表4に示す条件で樹脂基板に熱処理を施したことを除いて、実施例11と同じ方法に基づいて剥離強度試験用回路パターンを有する樹脂基板を製造した。
(Comparative Example 8)
It has a peel strength test circuit pattern based on the same method as Example 11 except that the epoxy group-containing ethylene copolymer was not used and the resin substrate was heat-treated under the conditions shown in Table 4. A resin substrate was manufactured.

上記の実施例11〜14及び比較例6について、上記実施例と同様に剥離強度試験用パターン回路のピール強度(90度ピール強度)、誘電正接(tanδ)、DTULを測定した。また、樹脂基板のはんだ耐熱温度を以下の方法に基づいて評価した。すなわち、樹脂基板の試料をはんだ浴に60秒間浸漬した後、変形の発生をチェックした。変形の生じる最低はんだ浴温度を耐熱温度として求めた。結果を表4に示す。   For Examples 11 to 14 and Comparative Example 6 described above, the peel strength (90-degree peel strength), dielectric loss tangent (tan δ), and DTUL of the peel strength test pattern circuit were measured in the same manner as in the above Examples. Moreover, the solder heat resistance temperature of the resin substrate was evaluated based on the following method. That is, after the resin substrate sample was immersed in a solder bath for 60 seconds, the occurrence of deformation was checked. The minimum solder bath temperature at which deformation occurred was determined as the heat resistant temperature. The results are shown in Table 4.

Figure 0004608342
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表4の結果から分かるように、熱処理を行なった実施例11〜14の各樹脂基板は、熱処理なしの比較例6の樹脂基板よりも小さい誘電正接を有する。例えば、実施例11と、実施例11と同じ組成の樹脂基板を使用する比較例6との比較においては、熱処理を行なうことによって誘電正接が顕著に低減される。すなわち、実施例11の熱処理した樹脂基板の誘電正接は、熱処理なしの比較例6の樹脂基板の誘電正接のおよそ76%に相当する。また、はんだ耐熱性およびDTULも熱処理によって改善された。さらに、実施例11〜14の結果は、熱処理温度が上昇するにつれて、誘電正接が減少するとともに、回路パターンの密着性が増加する傾向があることを示している。一方、比較例7および8の結果は、樹脂基板がエポキシ基含有エチレン共重合体を含有しない場合、熱処理によって誘電正接が増加する場合があることを示している。   As can be seen from the results in Table 4, each of the resin substrates of Examples 11 to 14 that had been subjected to heat treatment had a smaller dielectric tangent than the resin substrate of Comparative Example 6 without heat treatment. For example, in the comparison between Example 11 and Comparative Example 6 using a resin substrate having the same composition as Example 11, the dielectric loss tangent is significantly reduced by performing heat treatment. That is, the dielectric loss tangent of the heat-treated resin substrate of Example 11 corresponds to approximately 76% of the dielectric loss tangent of the resin substrate of Comparative Example 6 without heat treatment. Solder heat resistance and DTUL were also improved by heat treatment. Furthermore, the results of Examples 11 to 14 indicate that the dielectric loss tangent decreases and the adhesion of the circuit pattern tends to increase as the heat treatment temperature increases. On the other hand, the results of Comparative Examples 7 and 8 indicate that the dielectric loss tangent may be increased by heat treatment when the resin substrate does not contain an epoxy group-containing ethylene copolymer.

Claims (9)

液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型して得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、前記液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施すことによって得られ、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有することを特徴とする樹脂成形品。 An inert gas atmosphere on a molded article for a three-dimensional circuit board obtained by molding a resin composition containing a liquid crystalline polyester and an epoxy group-containing ethylene copolymer by injection molding under a condition where the residual oxygen concentration is 1% or less And obtained by performing a heat treatment at a temperature between a lower limit temperature 120 ° C. lower than the flow start temperature of the liquid crystalline polyester and an upper limit temperature 20 ° C. lower than the flow start temperature, and obtained from the resin composition without heat treatment. A resin molded product characterized by having a dielectric loss tangent smaller than the resin molded product obtained. 上記樹脂成形品の誘電正接は、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品の誘電正接の90%もしくはそれ以下であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂成形品。   2. The resin molded product according to claim 1, wherein the dielectric tangent of the resin molded product is 90% or less of the dielectric loss tangent of the resin molded product obtained from the resin composition without heat treatment. 上記エポキシ基含有エチレン共重合体の含有量は、液晶性ポリエステル100質量部に対して0.1〜25質量部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂成形品。 The content of the epoxy group-containing ethylene copolymer, a resin molded article according to claim 1 or 2, characterized in that 0.1 to 25 parts by weight per 100 parts by weight liquid crystalline polyester. 上記エポキシ基含有エチレン共重合体は、分子中に、エチレン単位を80〜95質量%、不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位と不飽和グリシジルエーテル単位の少なくとも一方を5〜15質量%含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の樹脂成形品。 The epoxy group-containing ethylene copolymer contains 80 to 95% by mass of ethylene units and 5 to 15% by mass of at least one of an unsaturated carboxylic acid glycidyl ester unit and an unsaturated glycidyl ether unit in the molecule. The resin molded product according to any one of claims 1 to 3 . 上記液晶性ポリエステルは、2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸に由来する繰り返し単位を30〜80mol%、芳香族ジオールに由来する繰り返し単位を10〜35mol%、および芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し単位を10〜35mol%含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の樹脂成形品。 The liquid crystalline polyester comprises 30 to 80 mol% of repeating units derived from 2-hydroxy-6-naphthoic acid, 10 to 35 mol% of repeating units derived from an aromatic diol, and repeating units derived from an aromatic dicarboxylic acid. The resin molded product according to any one of claims 1 to 4, comprising 10 to 35 mol%. 回路パターンに形成された金属被膜を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の樹脂成形品。 Resin molded article according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it has a metal film formed on the circuit patterns. 液晶性ポリエステルおよびエポキシ基含有エチレン共重合体を含む樹脂組成物を射出成形により成型し、得られた立体回路基板用の成型品に、残留酸素濃度が1%以下の条件下、不活性ガス雰囲気中で、液晶性ポリエステルの流動開始温度より120℃低い下限温度と前記流動開始温度より20℃低い上限温度の間の温度で熱処理を施し、熱処理なしに前記樹脂組成物から得られる樹脂成形品より小さい誘電正接を有する樹脂成形品を得ることを特徴とする樹脂成形品の製造方法。 A resin composition containing a liquid crystalline polyester and an epoxy group-containing ethylene copolymer is molded by injection molding, and the resulting molded article for a three-dimensional circuit board is subjected to an inert gas atmosphere under a condition where the residual oxygen concentration is 1% or less. Among them, heat treatment is performed at a temperature between a lower limit temperature that is 120 ° C. lower than the flow start temperature of the liquid crystalline polyester and an upper limit temperature that is 20 ° C. lower than the flow start temperature, and a resin molded product obtained from the resin composition without heat treatment A method for producing a resin molded product comprising obtaining a resin molded product having a small dielectric loss tangent. 上記液晶性ポリエステルは、芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸の少なくとも一種のフェノール性水酸基を脂肪酸無水物でアシル化することにより得られるアシル化物と、芳香族ジカルボン酸と芳香族ヒドロキシカルボンの少なくとも1種とのエステル交換/重縮合反応により調製されることを特徴とする請求項に記載の樹脂成形品の製造方法。 The liquid crystalline polyester includes an acylated product obtained by acylating at least one phenolic hydroxyl group of an aromatic diol and an aromatic hydroxycarboxylic acid with a fatty acid anhydride, and at least one of an aromatic dicarboxylic acid and an aromatic hydroxycarboxylic acid. The method for producing a resin molded article according to claim 7 , wherein the resin molded article is prepared by transesterification / polycondensation reaction with a seed. 上記エステル交換反応および重縮合反応は、次の化学式で表されるイミダゾール化合物の存在下で実施されることを特徴とする請求項に記載の樹脂成形品の製造方法。
Figure 0004608342
(しかるに、R〜Rの各々は、水素原子又は、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、炭素数1〜4のシアノアルキル基、炭素数1〜4のシアノアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数1〜4のアミノアルキル基、炭素数1〜4のアミノアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、フェニルプロピル基、フォルミル基から選択される。)
The method for producing a resin molded product according to claim 8 , wherein the transesterification reaction and the polycondensation reaction are carried out in the presence of an imidazole compound represented by the following chemical formula.
Figure 0004608342
(However, each of R 1 to R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxymethyl group, a cyano group, a cyanoalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cyanoalkoxy having 1 to 4 carbon atoms. Selected from a group, a carboxyl group, an amino group, an aminoalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an aminoalkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, a phenylpropyl group, and a formyl group.
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