JP4618658B2 - Gas laser oscillator - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止するようにしたガスレーザ発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、炭酸ガスレーザのようなガスレーザの発振器は、例えば図9に示す構成を有している。
【0003】
図9において、ガスレーザ発振器は、レーザ媒質である炭酸ガスCO2 を励起する放電部54を有し、該放電部54には、一対の金属電極50が対向して設けられ、該一対の金属電極50には、交流電源55が接続されている。
【0004】
また、上記各金属電極50は、中空状に形成され、その内部には、冷却媒体C、例えば冷却水が循環するようになっている。
【0005】
更に、上記各金属電極50の対向面側には、箱状又は板状のセラミックなどの誘電体51が設けられ、均一な電界が形成されるようになっている。
【0006】
この構成により、交流電源55から印加される電圧を徐々に上げて行くと、よく知られているように、放電部54に封入された炭酸ガスCO2 の絶縁が破壊されて放電電流が流れ、炭酸ガスCO2 が励起される。
【0007】
そして、電圧を更に上げて励起を強くすると、基底状態の炭酸ガス分子よりも励起状態の炭酸ガス分子の数が多くなって、反転分布状態になり、よく知られているように、誘導放出による光の増幅が行われる。
【0008】
上記増幅された光が、図示する反射鏡52と一部透過鏡53から成る共振器内を往復すると、上記誘導放出による光の増幅が更に進行し、この誘導放出による光の増幅過程で増える光のエネルギが、共振器内で失われるエネルギより大きくなった場合に、発振条件が満たされ、レーザ光Lが発振される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記放電部54においては、炭酸ガスCO2 の放電プラブマPの熱により、誘電体51が加熱される。
【0010】
誘電体51が(図10)加熱されると、中央部51Aと周辺部51Bの温度分布によっては、両者の熱膨張量や熱収縮量に差が生じ、内部応力が大きくなって該セラミック51が割れてしまう場合がある。
【0011】
即ち、交流電源55を(図9)オンすると、放電プラズマPの熱により誘電体51の温度が上昇し、該誘電体51のうちの放電プラズマPに接している中央部51A(図10(A))から暖められる。
【0012】
この温度上昇過程では、低温である周辺部51Bに比べて、高温である中央部51Aの熱膨張量の方が大きく、周辺部51Bが中央部51Aを圧縮する応力P1が発生する。
【0013】
また、熱平衡状態になって温度が一定となった後、交流電源55を(図9)オフすると、今度は誘電体51の温度が下降し、その中央部51Aが(図10(B))先に低温となる。
【0014】
この温度下降過程では、高温である周辺部51Bに比べて、低温である中央部51Aの熱収縮量の方が大きく、周辺部51Bが中央部51Aを引っ張る応力P2が発生する。
【0015】
誘電体51は、殆どの場合、セラミックを使用しており、このため圧縮応力よりも引っ張り応力に対して脆弱であり、特に図10(B)に示す引っ張り応力P2に弱く、この引っ張り応力P2により割れ易い。従って、誘電体51は、交流電源55をオフにした場合の温度下降過程において、応力破壊を起こすことになる。
【0016】
本発明の目的は、ガスレーザ発振器において、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明によれば、
レーザ媒質であるガスCO2 を励起する放電部1を備えたガスレーザ発振器において、
上記放電部1を構成する対向して配置された一対の金属電極2の対向面側に、所定の誘電率ε1 を有し該金属電極2との接触部分全体が冷却される誘電体3を設け、該誘電体3の外周に溝31又は窪み32を形成し、該溝31又は窪み32に上記所定の誘電率ε1より小さい誘電率ε2 を有する絶縁物4を埋設し、該絶縁物4が溝31又は窪み32を介して該誘電体3の外周に深く埋設されて冷却エリアRまで進入することにより、放電エリアHが冷却エリアRより狭くなり、放電部1の誘電体3が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することを特徴とするガスレーザ発振器が(図1)提供される。
【0018】
従って、本発明の構成によれば、放電々流は、誘電率ε1 が大きい誘電体3の部分のみ流れるので、放電エリアHが(図8)冷却エリアRより狭くなり、交流電源5オン時の温度上昇過程、熱平衡状態による温度一定過程、交流電源5オフ時の温度下降過程のそれぞれにおいて、誘電体3の周辺部3Bの温度は、中央部3Aの温度と同等かそれ以下となる。
【0019】
このため、従来のように(図10(B))、温度下降過程において誘電体51の周辺部51Bが中央部51Aより高温となって引っ張り応力P2により誘電体51が割れるということが無くなり、ガスレーザ発振器において、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することが可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、実施の形態により添付図面を参照して、説明する。
図1は本発明の第1実施形態を示す斜視図であり、図示するガスレーザ発振器は、例えばレーザ媒質である炭酸ガスCO2 を励起する放電部1を有している。
【0021】
このガスレーザ発振器は、例えば、炭酸ガスCO2 の流れの方向と(Z軸方向)、放電方向と(Y軸方向)、レーザ光軸方向(X軸方向)が互いに直交する直交型ガスレーザ発振器である。
【0022】
上記放電部1には、炭酸ガスCO2 が充填されていると共に、一対の金属電極2が対向して設けられ、該一対の金属電極2には、交流電源5が接続されており、それにより放電プラズマPを発生し該炭酸ガスCO2 を励起する。
【0023】
上記各金属電極2は、中空状に形成され、その内部には、冷却媒体C、例えば冷却水が循環することにより、後述する誘電体3を冷却するようになっている。
【0024】
即ち、金属電極2内に冷却媒体Cを循環させることにより、誘電体3は、金属電極2との接触部分全体が冷却される。
【0025】
上記各金属電極2の対向面側には、箱状又は板状のセラミックなどの所定の誘電率ε1 を有する誘電体3が設けられ、均一な電界が形成されるようになっている。
【0026】
更に、上記誘電体3の外周には、溝31が形成され、該溝31には、上記所定の誘電率ε1 より小さい誘電率ε2 を有する絶縁物4が埋設されている。
【0027】
この場合、誘電率は、一般には、よく知られているように、その誘電体中の電束密度に比例し、誘電率が大きければ、後述する放電々流も大きい。
【0028】
上記絶縁物4は(図2)、溝31を介して誘電体3の外周に深く埋設され、後述する冷却エリアRの方向まで進入している。
【0029】
この構成により、前記金属電極2に冷却媒体Cを循環させて誘電体3を冷却しながら、交流電源55をオンして金属電極2に印加される電圧を徐々に上げて行くと、放電部1に封入された炭酸ガスCO2 の絶縁が破壊されて放電々流が流れ、放電プラズマPが発生し炭酸ガスCO2 が励起される。
【0030】
ところが、前記したように誘電体3の外周には、その誘電率ε1 より小さい誘電率ε2 の絶縁物4が埋設されており、そのため、大きな誘電率ε1 の誘電体3部分のみに放電々流が流れる。
【0031】
即ち、放電々流は、誘電体3(図8)の周辺部3Bではなく中央部3Aのみを流れて放電プラズマPを発生し、その一方では、該誘電体3は、中央部3Aと周辺部3Bを含む全体が冷却される。
【0032】
従って、放電エリアHが冷却エリアRより狭くなり、交流電源5オン時の温度上昇過程、熱平衡状態による温度一定過程、交流電源5オフ時の温度下降過程のそれぞれにおいて、誘電体3の周辺部3Bの温度は、中央部3Aの温度と同等かそれ以下となる。
【0033】
このため、従来のように(図10(B))、温度下降過程において誘電体51の周辺部51Bが中央部51Aより高温となって引っ張り応力P2により誘電体51が割れるということが無くなり、本発明によれば、ガスレーザ発振器において、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することができる。
【0034】
図3は、本発明の第2実施形態を示す平面図である。
【0035】
この図3においては、上記誘電体3の金属電極2側に窪み32を形成し、該窪み32に絶縁物4が埋設されている。
【0036】
即ち、各誘電体3の金属電極2側に、誘電体3の誘電率ε1 より小さい誘電率ε2を有する絶縁物4が埋設されており、該絶縁物4は、図1、図2の場合と同様に、窪み32を介して誘電体3の外周に深く埋設され、冷却エリアRの方向まで進入している。
【0037】
図4は、本発明の第3実施形態を示す平面図である。
【0038】
この図4においては、上記誘電体3の対向する誘電体3側に窪み33を形成し、該窪み33に絶縁物4が埋設されている。
【0039】
即ち、各誘電体3の対向する誘電体3側に、誘電体3の誘電率ε1 より小さい誘電率ε2を有する絶縁物4が埋設されており、該絶縁物4は、図1、図2の場合と同様に、窪み33を介して誘電体3の外周に深く埋設され、冷却エリアRの方向まで進入している。
【0040】
上記、図3と図4の場合も、図1、図2の場合と同様に、放電エリアHが冷却エリアRより狭くなり(図8)、交流電源5オン時の温度上昇過程、熱平衡状態による温度一定過程、交流電源5オフ時の温度下降過程のそれぞれにおいて、誘電体3の周辺部3Bの温度は、中央部3Aの温度と同等かそれ以下となる。
【0041】
このため、従来のように(図10(B))、温度下降過程において誘電体51の周辺部51Bが中央部51Aより高温となって引っ張り応力P2により誘電体51が割れるということが無くなり、本発明によれば、ガスレーザ発振器において、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することができる。
【0042】
更に、図1〜図4において、レーザ光L(例えば図1、図2)の発振の仕組みは、従来と同様であり、交流電源5の電圧を更に上げて励起を強くすると、基底状態の炭酸ガス分子よりも励起状態の炭酸ガス分子の数が多くなって、反転分布状態になり、よく知られているように、誘導放出による光の増幅が行われる。
【0043】
そして、この増幅された光が、例えば図1、図2に示す反射鏡8と一部透過鏡9から成る共振器内を往復すると、上記誘導放出による光の増幅が更に進行し、この誘導放出による光の増幅過程で増える光のエネルギが、共振器内で失われるエネルギより大きくなった場合に、発振条件が満たされ、レーザ光Lが発振される。
【0044】
図5は、前記図1(図2)の溝31を例えば二重に形成した場合であり、各溝31に、誘電体3の誘電率ε1 より小さい誘電率ε2 を有する絶縁物4がそれぞれ埋設されている。
【0045】
これにより、溝31が1つの場合に比べて(図1、図2)、放電々流は、誘電体3(図7)の周辺部3Bを流れずに中央部3Aのみを集中的に流れる。
【0046】
従って、放電エリアHが冷却エリアRより一層狭くなり、交流電源5オン時の温度上昇過程、熱平衡状態による温度一定過程、交流電源5オフ時の温度下降過程のそれぞれにおいて、誘電体3の周辺部3Bの温度は、中央部3Aの温度と同等か一層低くなるので、該誘電体3が引っ張り応力P2により(図10(B))割れることが一層無くなる。
【0047】
図6は、誘電体3の金属電極2側に冷却用パイプ6を埋設してそれを金属電極2側全体にわたって張り巡らした場合である。
【0048】
即ち、図1〜図5においては、既述したように、金属電極2を中空状に形成し、この中空状金属電極2内を冷却媒体Cが循環するようにして、該誘電体3全体を冷却している。
【0049】
これに対して、図6は、金属電極2には冷却作用を持たせずに、誘電体3の金属電極2側に前記冷却用パイプ6を埋設し、この冷却用パイプ6内を冷却媒体Cが循環するようにして、金属電極2側全体を冷却するようにしたものである。
【0050】
図7は、誘電体3の外周に冷却用パイプ6を埋設し、金属電極2との接触部分に加えてその外側も冷却する構造としたものである。
【0051】
換言すれば、誘電体3は、金属電極2により外部から冷却されると同時に、冷却用パイプ6により内部から冷却され、いわば二重に冷却されることにより、冷却効果が一層向上する。
【0052】
この図7においては、冷却用パイプ6は、誘電体3に埋設するといった一体物でなくとも、熱的に結合していれば別部材であっても、同様の効果がある。
【0053】
尚、前記本発明の実施形態においては(図1〜図7)、レーザ媒質が炭酸ガスである場合のガスレーザ発振器について詳述したが、本発明はこれに限定されることなく、既述した放電部1を有する放電励起方式のガスレーザ発振器、例えばエキシマレーザ、He−Neレーザ、Ar+ レーザなどの発振器にも適用され、同様の効果を奏することは勿論である。
【0054】
【発明の効果】
上記のとおり、本発明によれば、放電々流は、誘電率が大きい誘電体の部分のみ流れるので、放電エリアが冷却エリアより狭くなり、交流電源オン時の温度上昇過程、熱平衡状態による温度一定過程、交流電源オフ時の温度下降過程のそれぞれにおいて、誘電体の周辺部の温度は、中央部の温度より高くなることが無くなる。
【0055】
このため、温度下降過程において誘電体内部に発生する引っ張り応力が制限され、該誘電体が割れるということが無くなり、ガスレーザ発振器において、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止するという効果を奏することとなった。
【0056】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を示す斜視図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】本発明の第2実施形態を示す平面図である。
【図4】本発明の第3実施形態を示す平面図である。
【図5】本発明の第1実施形態の変形例を示す平面図である。
【図6】本発明を構成する冷却機構の他の実施形態を示す図である。
【図7】本発明を構成する冷却機構の更に他の実施形態を示す図である。
【図8】本発明の効果説明図である。
【図9】従来技術の構成説明図である。
【図10】従来技術の課題説明図である。
【符号の説明】
1 放電部
2 金属電極
3 誘電体
4 絶縁物
5 交流電源
6 冷却用パイプ
8 反射鏡
9 一部透過鏡
31 溝
32、33 窪み
ε1 、ε2 誘電率
C 冷却媒体
H 放電エリア
R 冷却エリア[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a gas laser oscillator in which a dielectric of a discharge part is prevented from cracking due to an internal stress based on a temperature difference.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a gas laser oscillator such as a carbon dioxide laser has a configuration shown in FIG. 9, for example.
[0003]
In FIG. 9, the gas laser oscillator includes a
[0004]
Each
[0005]
Furthermore, a dielectric 51 such as a box-like or plate-like ceramic is provided on the opposing surface side of each
[0006]
With this configuration, when the voltage applied from the
[0007]
When the voltage is further increased to increase excitation, the number of excited carbon dioxide molecules increases from the ground state carbon dioxide molecules, resulting in an inversion distribution state. Light amplification is performed.
[0008]
When the amplified light reciprocates in the resonator composed of the reflecting
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the
[0010]
When the dielectric 51 is heated (FIG. 10), depending on the temperature distribution of the
[0011]
That is, when the
[0012]
In this temperature increasing process, the thermal expansion amount of the
[0013]
Further, when the
[0014]
In this temperature lowering process, the thermal contraction amount of the
[0015]
In most cases, the dielectric 51 uses ceramic, and is therefore more vulnerable to tensile stress than compressive stress. In particular, the dielectric 51 is weak against tensile stress P2 shown in FIG. Easy to break. Therefore, the dielectric 51 causes stress breakdown in the temperature decreasing process when the
[0016]
An object of the present invention is to prevent a dielectric of a discharge part from being cracked by an internal stress based on a temperature difference in a gas laser oscillator.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to the present invention,
In a gas laser oscillator having a
A dielectric 3 having a predetermined dielectric constant ε1 and cooling the entire contact portion with the
[0018]
Therefore, according to the configuration of the present invention, since the discharge current flows only in the portion of the dielectric 3 having a large dielectric constant ε 1 , the discharge area H becomes narrower than the cooling area R (FIG. 8), and the
[0019]
For this reason, as in the prior art (FIG. 10B), the
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings by embodiments.
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention, and a gas laser oscillator shown in the figure has a
[0021]
This gas laser oscillator is, for example, an orthogonal gas laser oscillator in which the flow direction of carbon dioxide CO 2 (Z-axis direction), the discharge direction (Y-axis direction), and the laser optical axis direction (X-axis direction) are orthogonal to each other. .
[0022]
The
[0023]
Each of the
[0024]
That is, by circulating the cooling medium C in the
[0025]
A dielectric 3 having a predetermined dielectric constant ε 1 such as a box-shaped or plate-shaped ceramic is provided on the opposite surface side of each
[0026]
Further, a
[0027]
In this case, as is well known, the dielectric constant is generally proportional to the electric flux density in the dielectric, and if the dielectric constant is large, the discharge current described later is also large.
[0028]
The insulator 4 (FIG. 2) is deeply embedded in the outer periphery of the dielectric 3 via the
[0029]
With this configuration, when the
[0030]
However, as described above, the
[0031]
That is, the discharge current flows not only in the
[0032]
Accordingly, the discharge area H becomes narrower than the cooling area R, and the
[0033]
For this reason, unlike the conventional case (FIG. 10B), the
[0034]
FIG. 3 is a plan view showing a second embodiment of the present invention.
[0035]
In FIG. 3, a
[0036]
That is, an
[0037]
FIG. 4 is a plan view showing a third embodiment of the present invention.
[0038]
In FIG. 4, a
[0039]
That is, an
[0040]
3 and 4, the discharge area H becomes narrower than the cooling area R (FIG. 8), as in the case of FIGS. 1 and 2, depending on the temperature rise process when the
[0041]
For this reason, unlike the conventional case (FIG. 10B), the
[0042]
Further, in FIGS. 1 to 4, the mechanism of oscillation of laser light L (for example, FIGS. 1 and 2) is the same as in the prior art, and when the excitation of the
[0043]
Then, when the amplified light reciprocates in the resonator composed of the reflecting
[0044]
FIG. 5 shows a case where the
[0045]
Thereby, compared with the case where there is one groove 31 (FIGS. 1 and 2), the discharge current flows intensively only in the
[0046]
Accordingly, the discharge area H is further narrower than the cooling area R, and the peripheral portion of the dielectric 3 in each of the temperature rising process when the
[0047]
FIG. 6 shows a case where a
[0048]
That is, in FIGS. 1 to 5, as described above, the
[0049]
On the other hand, FIG. 6 shows that the
[0050]
FIG. 7 shows a structure in which a
[0051]
In other words, the
[0052]
In FIG. 7, the
[0053]
In the embodiment of the present invention (FIGS. 1 to 7), the gas laser oscillator in the case where the laser medium is carbon dioxide gas has been described in detail. However, the present invention is not limited to this, and the discharge described above. Of course, the present invention can be applied to a discharge excitation type gas laser oscillator having the
[0054]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the discharge current flows only in the portion of the dielectric having a large dielectric constant, the discharge area becomes narrower than the cooling area, the temperature rise process when the AC power is turned on, and the temperature is constant due to the thermal equilibrium state. In each of the process and the temperature decreasing process when the AC power supply is turned off, the temperature of the peripheral portion of the dielectric does not become higher than the temperature of the central portion.
[0055]
For this reason, the tensile stress generated inside the dielectric during the temperature lowering process is limited and the dielectric is not cracked. In the gas laser oscillator, the dielectric of the discharge part is prevented from cracking due to the internal stress based on the temperature difference. The effect of doing.
[0056]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a plan view showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing a modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing another embodiment of a cooling mechanism constituting the present invention.
FIG. 7 is a view showing still another embodiment of a cooling mechanism constituting the present invention.
FIG. 8 is an explanatory diagram of effects of the present invention.
FIG. 9 is a configuration explanatory diagram of a conventional technique.
FIG. 10 is an explanatory diagram of a problem in the prior art.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
上記放電部を構成する対向して配置された一対の金属電極の対向面側に、所定の誘電率を有し該金属電極との接触部分全体が冷却される誘電体を設け、該誘電体の外周に溝又は窪みを形成し、該溝又は窪みに上記所定の誘電率より小さい誘電率を有する絶縁物を埋設し、該絶縁物が溝又は窪みを介して該誘電体の外周に深く埋設されて冷却エリアまで進入することにより、放電エリアが冷却エリアより狭くなり、放電部の誘電体が温度差に基づく内部応力により割れるのを防止することを特徴とするガスレーザ発振器。In a gas laser oscillator having a discharge part for exciting a gas as a laser medium,
A dielectric material having a predetermined dielectric constant is provided on a facing surface side of a pair of metal electrodes arranged opposite to each other to constitute the discharge part, and the entire contact portion with the metal electrode is cooled. Grooves or depressions are formed on the outer periphery, and an insulator having a dielectric constant smaller than the predetermined dielectric constant is embedded in the grooves or depressions , and the insulator is embedded deeply in the outer periphery of the dielectric via the grooves or depressions. The gas laser oscillator is characterized in that the discharge area becomes narrower than the cooling area by entering the cooling area, and the dielectric of the discharge portion is prevented from cracking due to internal stress based on the temperature difference.
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