JP4626653B2

JP4626653B2 - 高周波発振器および電子機器

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Publication number: JP4626653B2
Application number: JP2007539402A
Authority: JP
Inventors: 智英荒俣
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2007-01-23
Publication date: 2011-02-09
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Description

本発明は、互いに異なる２つの発振周波数を切換えて動作する周波数選択型の高周波発振器および該高周波発振器を用いて構成される電子機器に関する。

一般に、電圧制御発振器等の高周波発振器として、１つの装置（回路）で異なる２つの周波数の高周波信号を発振する周波数選択型のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような周波数選択型の高周波発振器では、互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、第１の共振回路に接続された第１の増幅回路と、第２の共振回路に接続された第２の増幅回路と、前記第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路とを備える構成としている。そして、選択回路は第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を動作させる。これにより、選択回路によって選択された増幅回路は、該増幅回路が接続された共振回路から出力される共振信号を増幅し、該共振信号に応じた高周波信号（出力信号）を発振して出力する。

特開２００５−５７７２５号公報

ところで、従来技術では、第１，第２の増幅回路はバイポーラトランジスタを用いて構成されると共に、これらのバイポーラトランジスタは、共通のコンデンサを用いて高周波的に接地されている。このとき、コンデンサは、高周波信号に対してインダクタンス成分を有する。このため、高周波信号に対してコンデンサのインピーダンスを最小にするためには、コンデンサの容量を高周波信号の周波数に応じて最適な値に設定する必要がある。即ち、コンデンサの最適な容量値は、高周波信号の周波数に応じて異なる。

このため、従来技術では、接地用のコンデンサの容量は、第１，第２の増幅回路から出力されるいずれの高周波信号に対しても最適となる値が選択されている。そして、第１，第２の増幅回路から出力される第１，第２の高周波信号の周波数（発振周波数）が近いときには、コンデンサの最適な容量はほぼ同じ値になる。

しかし、第１，第２の高周波信号の周波数が例えば１．５倍以上離れている場合には、コンデンサの最適な容量値が異なるため、第１，第２の増幅回路による発振動作が不安定になる。これにより、例えば高周波発振器を電圧制御発振器に用いた場合には、発振動作の不安定化の影響が、出力負荷変動に対する周波数変化に顕著に現れるという問題がある。

本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、２つの増幅回路のいずれを動作させたときでも、発振動作を安定化させて、出力負荷変動に対する周波数変化を改善することができる高周波発振器および電子機器を提供することにある。

上述した課題を解決するために、請求項１ないし３に係る発明は、互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサとを備える高周波発振器に適用される。

そして、請求項１の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。

本発明によれば、選択回路は、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を動作させる。これにより、例えば選択回路によって第１の増幅回路が選択されたときには、第１の増幅回路は、第１の共振回路から出力される第１の共振信号を増幅し、該共振信号に応じた高周波信号を発振して出力する。同様に、選択回路によって第２の増幅回路が選択されたときには、第２の増幅回路は、第２の共振信号に応じた高周波信号を発振して出力する。

また、選択回路により第１の増幅回路を動作させたときには、第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通するから、接地用コンデンサおよび補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して第１の増幅回路が接地される。このため、第１の増幅回路を動作させたときには、接地用コンデンサの容量と補助の接地用コンデンサの容量とを加算した合成容量を用いて接地する。これに対し、選択回路により第２の増幅回路を動作させたときには、第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断されるから、接地用コンデンサと補助の接地用コンデンサとが遮断され、接地用コンデンサの容量だけを用いて第２の増幅回路が接地される。

この結果、第１の増幅回路を動作させる場合と第２の増幅回路を動作させる場合とで、接地容量を相違させることができる。従って、第１，第２の増幅回路で出力する高周波信号の周波数に応じて、接地容量をそれぞれ最適な値に設定することができる。このため、２つの増幅回路のいずれを動作させたときでも、発振動作を安定させることができ、出力負荷変動に対する周波数変化を改善することができる。

また、本発明では、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成した。

このように構成したことにより、第１，第２のスイッチ回路は、切換制御信号入力端子から入力される切換制御信号に応じて動作し、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方の増幅回路を動作させ、他方の増幅回路を停止させる。これにより、第１，第２のスイッチ回路は、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる。

また、第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、第１の共振回路にも接続される。第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、第２の共振回路にも接続される。第１のスイッチ回路の他側端子、第２のスイッチ回路の他側端子、第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続される。さらに、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、第１のバイアス抵抗を介して第１のバイポーラトランジスタのベースに接続される。

このため、選択回路によって第１の増幅回路を選択したときには、第１のバイポーラトランジスタのベースに対してバイアス電圧を供給するために、第１のスイッチ回路は、その一側端子と他側端子との間が導通して、電源端子と第１のバイアス抵抗との間を接続する。このとき、第１のスイッチ回路の他側端子および第１のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された接地用コンデンサの一端側に接続されている。これに加えて、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、第１のバイアス抵抗を介して第１のバイポーラトランジスタのベースに接続されている。このため、選択回路によって第１の増幅回路を選択したときには、第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通して、補助の接地用コンデンサは、共通の接地用コンデンサに対して並列接続される。

一方、選択回路によって第２の増幅回路を選択したときには、第１のバイポーラトランジスタのベースに対してバイアス電圧の供給を停止するために、第１のスイッチ回路は、その一側端子と他側端子との間が遮断されて、電源端子と第１のバイアス抵抗との間を遮断する。このとき、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、第１のバイアス抵抗を介して第１のバイポーラトランジスタのベースに接続されている。このため、選択回路によって第２の増幅回路を選択したときには、第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断されて、補助の接地用コンデンサは、共通の接地用コンデンサに対して遮断される。

また、第１，第２のスイッチ回路のうち第１のスイッチ回路を用いて補助の接地用コンデンサを共通の接地用コンデンサに対して接続、遮断するから、補助の接地用コンデンサを用いるために別個にスイッチ回路を設ける必要がない。このため、第１，第２の増幅回路に対して接地容量をそれぞれ最適な値にするためには、補助の接地用コンデンサを追加するだけでよく、低コストで発振動作の安定化を図ることができる。

さらに、第１の増幅回路を選択する第１のスイッチ回路を用いて補助の接地用コンデンサを共通の接地用コンデンサに対して接続、遮断するから、第１，第２の増幅回路の動作を切換えるときに、補助の接地用コンデンサの接続状態も一緒に切換えることができる。このため、第１，第２の増幅回路の動作切換えと、補助の接地用コンデンサの接続切換えとの間で、時間的な遅延が生じることがなく、動作切換え時でも高周波信号を安定して発振することができる。
請求項２の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２のバイアス抵抗を介して前記第２のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。
このように構成した請求項２の発明でも、請求項１の発明とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
請求項３の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して電源端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、他側端子が接地された前記第２のスイッチ回路の一側端子にエミッタ抵抗を介して接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。
このように構成した請求項３の発明でも、請求項１の発明とほぼ同様の作用効果を得ることができる。また、第２のスイッチ回路は、第２のバイポーラトランジスタに対してベース−エミッタ間の電流（バイアス電流）を供給、停止することができ、第２の増幅回路の動作状態を切換えることができる。

請求項４ないし６に係る発明は、互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサと、前記第１，第２の増幅回路に共通に接続され、第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路とを備える高周波発振器に適用される。
そして、請求項４の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。

このように構成した請求項４の発明でも、請求項１の発明とほぼ同様の作用効果を得ることができる。また、バッファ回路を用いて第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅することができる。具体的には、バッファ回路の第３のバイポーラトランジスタのエミッタは、第１，第２のバイポーラトランジスタのコレクタにそれぞれ接続したから、バッファ回路の第３のバイポーラトランジスタは、第１，第２のバイポーラトランジスタに連動して動作し、これらから出力される高周波信号を増幅することができる。
また、第１，第２のスイッチ回路のうち補助の接地用コンデンサの一端側が接続された第１のスイッチ回路の他側端子は、バッファ回路の第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続するから、第１のスイッチ回路を用いて、バッファ回路の第３のバイポーラトランジスタのエミッタに対して補助の接地用コンデンサを接続、遮断することができる。ここで、バッファ回路の第３のバイポーラトランジスタのエミッタに共通の接地用コンデンサを接続した場合には、該共通の接地用コンデンサを用いて第１，第２のバイポーラトランジスタのコレクタを高周波的に接地することができる。このため、第１のスイッチ回路は、第１，第２のバイポーラトランジスタのコレクタに接続された共通の接地用コンデンサに対して、補助の接地用コンデンサを接続、遮断することができる。

請求項５の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２のバイアス抵抗を介して前記第２のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。
このように構成した請求項５の発明でも、請求項４の発明とほぼ同様の作用効果を得ることができる。

請求項６の発明が採用する構成の特徴は、前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して電源端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、他側端子が接地された前記第２のスイッチ回路の一側端子にエミッタ抵抗を介して接続され、前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことにある。
このように構成した請求項６の発明でも、請求項４の発明とほぼ同様の作用効果を得ることができる。

請求項７の発明では、前記第１，第２のスイッチ回路は、ＰＮＰ型トランジスタまたはＮＰＮ型トランジスタを用いて構成している。

このとき、ＰＮＰ型トランジスタおよびＮＰＮ型トランジスタを適宜選択することによって、単一の切換制御信号を用いて第１，第２のスイッチ回路のうち一方を接続状態にし、他方を遮断状態にすることができる。これにより、単一の切換制御信号を用いて、第１，第２の増幅回路を選択的に動作させることができる。

請求項８の発明では、本発明の高周波発振器を用いて電子機器を構成している。

このとき、高周波発振器は、周波数の異なる２つの高周波信号のいずれを発振するときでも、発振動作を安定させることができる。これにより、高周波発振器の出力負荷変動に対する周波数変動を改善することができ、電子機器の動作を安定させることができる。

図１は第１の実施の形態による高周波発振器を示す回路図である。図２は比較例による高周波発振器を示す回路図である。図３は比較例の第１の増幅回路が動作したときの接地用コンデンサの容量と出力負荷変動に対する周波数変動との関係を示す特性線図である。図４は比較例の第２の増幅回路が動作したときの接地用コンデンサの容量と出力負荷変動に対する周波数変動との関係を示す特性線図である。図５は第１の実施の形態の第１の増幅回路が動作したときの補助の接地用コンデンサの容量と出力負荷変動に対する周波数変動との関係を示す特性線図である。図６は第１の実施の形態の第２の増幅回路が動作したときの補助の接地用コンデンサの容量と出力負荷変動に対する周波数変動との関係を示す特性線図である。図７は第１の変形例による高周波発振器を示す回路図である。図８は第２の実施の形態による高周波発振器を示す回路図である。図９は第２の変形例による高周波発振器を示す回路図である。図１０は第３の実施の形態による高周波発振器を示す回路図である。図１１は第４の実施の形態による電子機器を示すブロック図である。図１２は第３の変形例による高周波発振器を示す回路図である。

符号の説明

１，２１，３１，４１，５１，６３，７１高周波発振器
２第１の共振回路
３第２の共振回路
４第１の増幅回路
５第２の増幅回路
６選択回路
７第１のスイッチ回路
８第２のスイッチ回路
９バッファ回路
Ｃ4 接地用コンデンサ
Ｃ14 補助の接地用コンデンサ
Ｒ2 バイアス抵抗（第１のバイアス抵抗）
Ｒ12 バイアス抵抗（第２のバイアス抵抗）
Ｒ4，Ｒ14 エミッタ抵抗
Ｔr1 トランジスタ素子（第３のバイポーラトランジスタ）
Ｔr2 トランジスタ素子（第１のバイポーラトランジスタ）
Ｔr3 トランジスタ素子（第２のバイポーラトランジスタ）
Ｖcc 電源端子
Ｖsw 切換制御信号入力端子

以下、本発明の実施の形態による高周波発振器および電子機器を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

まず、図１は第１の実施の形態による高周波発振器１を示している。図１において、高周波発振器１は、異なる２つの周波数の高周波信号のうちいずれか一方を選択して出力する周波数選択型の電圧制御発振器である。そして、高周波発振器１は、後述する第１，第２の共振回路２，３、第１，第２の増幅回路４，５、選択回路６、バッファ回路９等によって構成されている。

第１の共振回路２は、例えば１．７ＧＨｚ程度の周波数Ｆ1で共振する回路を有している。また、第２の共振回路３は、周波数Ｆ1と異なる値として例えば４．３ＧＨｚ程度の周波数Ｆ2で共振する回路を有している。そして、第１，第２の共振回路２，３は、それぞれ共振制御信号入力端子Ｖctに接続されている。これにより、第１，第２の共振回路２，３は、共振制御信号入力端子Ｖctから入力される電圧に応じて共振周波数Ｆ1，Ｆ2がそれぞれの帯域で変化するものである。

第１の増幅回路４は、第１のトランジスタ素子Ｔr2、コンデンサＣ7，Ｃ8とエミッタ抵抗Ｒ4によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr2は、第１のバイポーラトランジスタとして例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタによって構成されている。そして、トランジスタ素子Ｔr2のベース端子は、結合用のコンデンサＣ9を介して第１の共振回路２に接続されると共に、互いに直列接続された第１のバイアス抵抗としてのバイアス抵抗Ｒ2と分圧用の抵抗Ｒ3との間に接続されている。

このとき、抵抗Ｒ3の両端のうちバイアス抵抗Ｒ2とは反対側の端部は、接地されている。一方、バイアス抵抗Ｒ2の両端のうち抵抗Ｒ3とは反対側の端部は、後述するスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4のコレクタ端子に接続されている。

また、トランジスタ素子Ｔr2のエミッタ端子は、エミッタ抵抗Ｒ4とコンデンサＣ8との並列接続回路を介してグランドに接地されると共に、結合用のコンデンサＣ6を介してバッファ回路９をなすトランジスタ素子Ｔr1のベース端子に接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr2のコレクタ端子は、バッファ回路９をなすトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。さらに、トランジスタ素子Ｔr2のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ7が設けられている。

そして、第１の共振回路２、第１の増幅回路４および結合用のコンデンサＣ9（カップリングコンデンサ）によって第１の発振回路が構成されている。

第２の増幅回路５は、第２のトランジスタ素子Ｔr3、コンデンサＣ17，Ｃ18とエミッタ抵抗Ｒ14によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr3は、第２のバイポーラトランジスタとして例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタによって構成されている。そして、トランジスタ素子Ｔr3のベース端子は、結合用のコンデンサＣ19を介して第２の共振回路３に接続されると共に、互いに直列接続された第２のバイアス抵抗としてのバイアス抵抗Ｒ12と分圧用の抵抗Ｒ13との間に接続されている。

このとき、抵抗Ｒ13の両端のうちバイアス抵抗Ｒ12とは反対側の端部は、接地されている。一方、バイアス抵抗Ｒ12の両端のうち抵抗Ｒ13とは反対側の端部は、後述するスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のコレクタ端子に接続されている。

また、トランジスタ素子Ｔr3のエミッタ端子は、エミッタ抵抗Ｒ14とコンデンサＣ18との並列接続回路を介してグランドに接地されると共に、結合用のコンデンサＣ16を介してバッファ回路９をなすトランジスタ素子Ｔr1のベース端子に接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr3のコレクタ端子は、バッファ回路９をなすトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。さらに、トランジスタ素子Ｔr3のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ17が設けられている。

そして、第２の共振回路３、第２の増幅回路５および結合用のコンデンサＣ19（カップリングコンデンサ）によって第２の発振回路が構成されている。

選択回路６は、第１，第２の増幅回路４，５のうちいずれか一方を選択的に動作させるものである。そして、選択回路６は、後述する第１，第２のスイッチ回路７，８および切換制御信号入力端子Ｖswによって構成されている。

第１のスイッチ回路７は、第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2を動作、停止させるものである。該第１のスイッチ回路７は、トランジスタ素子Ｔr4および抵抗Ｒ5，Ｒ6によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr4は、例えばＰＮＰ型バイポーラトランジスタである。

そして、トランジスタ素子Ｔr4のベース端子は、抵抗Ｒ5を介して第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のコレクタ端子に接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間には抵抗Ｒ6が設けられている。さらに、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタ端子は、第１のスイッチ回路７の他側端子となり、後述のバッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。これにより、スイッチ回路７は、バッファ回路９を介して電源端子Ｖccに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr4のコレクタ端子は、第１のスイッチ回路７の一側端子となり、バイアス抵抗Ｒ2を介して第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2のベース端子に接続されている。

そして、第１のスイッチ回路７は、トランジスタ素子Ｔr4がオン状態となったときには、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタ端子とコレクタ端子との間が導通して、電源端子Ｖccとバイアス抵抗Ｒ2の間を接続する。これにより、電源端子Ｖccからの電源電圧が抵抗Ｒ2，Ｒ3によって分圧され、バイアス電圧としてトランジスタ素子Ｔr2に供給される。このため、トランジスタ素子Ｔr2はオン状態になり、第１の増幅回路４は動作する。

一方、第１のスイッチ回路７は、トランジスタ素子Ｔr4がオフ状態となったときには、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタ端子とコレクタ端子との間が遮断されて、電源端子Ｖccとバイアス抵抗Ｒ2の間を遮断する。これにより、トランジスタ素子Ｔr2に対するバイアス電圧の供給が停止する。このため、トランジスタ素子Ｔr2はオフ状態になり、第２の増幅回路５は停止する。

第２のスイッチ回路８は、第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3を動作、停止させるものである。該第２のスイッチ回路８は、トランジスタ素子Ｔr5および抵抗Ｒ7，Ｒ8によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr5は、例えばＰＮＰ型バイポーラトランジスタである。

そして、トランジスタ素子Ｔr5のベース端子は、抵抗Ｒ7を介して切換制御信号入力端子Ｖswに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間には抵抗Ｒ8が設けられている。さらに、トランジスタ素子Ｔr5のエミッタ端子は、第２のスイッチ回路８の他側端子となり、後述のバッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。これにより、スイッチ回路８は、バッファ回路９を介して電源端子Ｖccに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のコレクタ端子は、第２のスイッチ回路８の一側端子となり、バイアス抵抗Ｒ12を介して第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3のベース端子に接続されている。

そして、第２のスイッチ回路８は、トランジスタ素子Ｔr5がオン状態となったときには、トランジスタ素子Ｔr5のエミッタ端子とコレクタ端子との間が導通して、電源端子Ｖccとバイアス抵抗Ｒ12の間を接続する。これにより、電源端子Ｖccからの電源電圧が抵抗Ｒ12，Ｒ13によって分圧され、バイアス電圧としてトランジスタ素子Ｔr3に供給される。このため、トランジスタ素子Ｔr3はオン状態になり、第２の増幅回路５は動作する。

一方、第２のスイッチ回路８は、トランジスタ素子Ｔr5がオフ状態となったときには、トランジスタ素子Ｔr5のエミッタ端子とコレクタ端子との間が遮断されて、電源端子Ｖccとバイアス抵抗Ｒ12の間を遮断する。これにより、トランジスタ素子Ｔr3に対するバイアス電圧の供給が停止する。このため、トランジスタ素子Ｔr3はオフ状態になり、第２の増幅回路５は停止する。

切換制御信号入力端子Ｖswは、第２のスイッチ回路８に切換制御信号を入力するもので、抵抗Ｒ7を介してトランジスタ素子Ｔr5のベース端子に接続されている。ここで、切換制御信号入力端子Ｖswには、例えばＨレベル（Ｈｉレベル）の切換制御信号とＬレベル（Ｌｏｗレベル）の切換制御信号とのうちいずれか一方が加えられる。

そして、切換制御信号入力端子ＶswにＬレベルの切換制御信号が加えられるときには、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のベース電位が低下する。これにより、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差がしきい値電圧以上となるから、トランジスタ素子Ｔr5はオン状態となる。

一方、トランジスタ素子Ｔr5がオン状態のときには、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4は、そのベース電位が高くなる。このため、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差がしきい値電圧未満となるから、トランジスタ素子Ｔr4はオフ状態となる。

また、切換制御信号入力端子ＶswにＨレベルの切換制御信号が加えられるときには、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のベース電位が高くなる。これにより、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差がしきい値電圧未満となるから、トランジスタ素子Ｔr5はオフ状態となる。

一方、トランジスタ素子Ｔr5がオフ状態のときには、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4は、そのベース電位が低下する。このため、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差がしきい値電圧以上となるから、トランジスタ素子Ｔr4はオン状態となる。

この結果、切換制御信号入力端子Ｖswは、第２のスイッチ回路８に切換制御信号を入力してトランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5の動作状態を切換える。このため、切換制御信号入力端子Ｖswは、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5を用いて第１，第２の増幅回路４，５のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3の動作状態を切換えるものである。

バッファ回路９は、第１，第２の増幅回路４，５に共通に接続され、第１または第２の増幅回路４，５の出力信号を増幅するものである。そして、バッファ回路９は、第３のバイポーラトランジスタとして例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタからなるトランジスタ素子Ｔr1によって構成されている。

ここで、トランジスタ素子Ｔr1のコレクタ端子は、コンデンサＣ3を介してグランドに接地されると共に、結合用のコンデンサＣ2を介して発振信号の出力端子Ｐoutに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr1のコレクタ端子は、線路Ｌを介して電源端子Ｖccに接続され、電源端子ＶccはコンデンサＣ1を介して接地されている。さらに、トランジスタ素子Ｔr1のベース−コレクタ間にはバイアス抵抗Ｒ1が設けられている。

また、トランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子は、第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタ端子（第１，第２の増幅回路４，５）にそれぞれ接続されている。これにより、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1は、第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3から出力される出力信号を増幅する。

さらに、トランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子は、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のエミッタ端子（第１，第２のスイッチ回路７，８）にそれぞれ接続されている。これにより、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のエミッタ端子には、トランジスタ素子Ｔr1を通じて電源端子Ｖccに印加される電源電圧を供給することができる。

接地用コンデンサＣ4は、第１，第２の増幅回路４，５に共通に使用されるものである。そして、接地用コンデンサＣ4は、その一端側が第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタ端子に接続され、他端側がグランドに接続されている。これにより、接地用コンデンサＣ4は、第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタ端子を高周波的にグランドに接地する。

また、接地用コンデンサＣ4の一端側は、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のエミッタ端子（第１，第２のスイッチ回路７，８）に接続されると共に、トランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子（バッファ回路９）にも接続されている。これにより、接地用コンデンサＣ4は、第１，第２のスイッチ回路７，８と電源端子Ｖccとの間に接続されている。

補助の接地用コンデンサＣ14は、一端側が第１のスイッチ回路７とバイアス抵抗Ｒ2との間に接続され、他端側がグランドに接続されている。そして、補助の接地用コンデンサＣ14は、トランジスタ素子Ｔr4のコレクタ端子に接続される。一方、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタ端子には、共通の接地用コンデンサＣ4が接続される。このため、補助の接地用コンデンサＣ14は、トランジスタ素子Ｔr4がオン状態となったときに接地用コンデンサＣ4に並列接続され、トランジスタ素子Ｔr4がオフ状態となったときに接地用コンデンサＣ4と遮断される。

本実施の形態による高周波発振器１は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。

まず、切換制御信号入力端子ＶswにＬレベルの切換制御信号を入力した場合について説明する。この場合、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のベース電位が低下して、トランジスタ素子Ｔr5はオン状態となる。このとき、第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3のベース端子には、抵抗Ｒ12，Ｒ13の分圧回路によって分圧された電源電圧がバイアス電圧（駆動用電圧）として印加される。これにより、トランジスタ素子Ｔr3がオン状態となるから、第２の増幅回路５は、第２の共振回路３から出力される周波数Ｆ2の共振信号を増幅し、該共振信号に応じた出力信号をバッファ回路９に向けて出力する。この結果、バッファ回路９は、第２の共振回路３による周波数Ｆ2の出力信号を増幅し、出力端子Ｐoutから外部に向けて出力する。

これに対し、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5がオン状態のときには、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4のベース電位が高くなる。これにより、トランジスタ素子Ｔr4はオフ状態となるから、第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2には電源電圧（バイアス電圧）は印加されない。このため、トランジスタ素子Ｔr2はオフ状態となり、第１の増幅回路４は停止する。

以上より、切換制御信号入力端子ＶswにＬレベルの切換制御信号を入力したときには、高周波発振器１は、周波数Ｆ2の出力信号を出力する。

次に、切換制御信号入力端子ＶswにＨレベルの切換制御信号を入力した場合について説明する。この場合、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5のベース電位が高くなるから、トランジスタ素子Ｔr5はオフ状態となる。これにより、第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3には電源電圧（バイアス電圧）は印加されない。このため、トランジスタ素子Ｔr3はオフ状態となり、第２の増幅回路５は停止する。

これに対し、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5がオフ状態のときには、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4のベース電位が低下して、トランジスタ素子Ｔr4はオン状態となる。このとき、第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2のベース端子には、抵抗Ｒ2，Ｒ3の分圧回路によって分圧された電源電圧がバイアス電圧（駆動用電圧）として印加される。これにより、トランジスタ素子Ｔr2がオン状態となるから、第１の増幅回路４は、第１の共振回路２から出力される周波数Ｆ1の共振信号を増幅し、該共振信号に応じた出力信号をバッファ回路９に向けて出力する。この結果、バッファ回路９は、第１の共振回路２による周波数Ｆ1の出力信号を増幅し、出力端子Ｐoutから外部に向けて出力する。

以上より、切換制御信号入力端子ＶswにＨレベルの切換制御信号を入力したときには、高周波発振器１は、周波数Ｆ1の出力信号を出力する。

このように、切換制御信号に応じて第１，第２のスイッチ回路７，８のうちいずれか一方のみが選択的にオン状態になり、他方はオフ状態になる。これにより、第１，第２の増幅回路４，５のうち一方のみが動作する。このため、高周波発振器１は、互いに異なる周波数Ｆ1，Ｆ2のうちいずれか一方の周波数をもった高周波信号を出力する。

然るに、本実施の形態による高周波発振器１は、接地用コンデンサＣ4，Ｃ14を用いて第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタ端子をグランドに接地している。そこで、次に接地用コンデンサＣ4，Ｃ14と出力負荷変動による周波数変動との関係を検討する。

まず、図２に示す比較例のように、補助の接地用コンデンサＣ14を省いた高周波発振器１１について、接地用コンデンサＣ4の容量と出力負荷変動による周波数変動ΔＦを測定した。なお、電圧定在波比ＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio）は全位相に対して２とした。図３は、第１の増幅回路４を動作させたときの周波数変動ΔＦの測定結果を示し、図４は、第２の増幅回路５を動作させたときの周波数変動ΔＦの測定結果を示している。

図３の結果より、周波数Ｆ1の帯域では、接地用コンデンサＣ4の容量が大きくなるに従って、周波数変動ΔＦは減少する。これに対し、図４の結果より、周波数Ｆ1よりも高い周波数Ｆ2（Ｆ2＞Ｆ1）の帯域では、接地用コンデンサＣ4の容量が大きくなるに従って、周波数変動ΔＦは増加する。

ここで、周波数変動ΔＦを最小にするためには、接地用コンデンサＣ4のインピーダンスをできるだけ小さくする必要がある。これに対し、接地用コンデンサＣ4のインダクタンス成分によって、接地用コンデンサＣ4のインピーダンスを最小にするためには、接地用コンデンサＣ4を特定の容量値（最適値）に設定する必要がある。接地用コンデンサＣ4の容量値が最適値から大，小いずれにずれても、接地用コンデンサＣ4のインピーダンスは増加する。即ち、周波数変動ΔＦは、接地用コンデンサＣ4の容量変化に対して例えば二次関数のように極小値を有する。

そして、接地用コンデンサＣ4の最適な容量値は、周波数Ｆ1，Ｆ2で異なる。一般に、接地用コンデンサＣ4の最適な容量値は、高周波信号の周波数が低くなるに従って、大きな値となる。このため、周波数変動ΔＦを小さくするためには、周波数Ｆ1の帯域では、接地用コンデンサＣ4の容量を大きくする必要があるのに対し、周波数Ｆ2の帯域では、接地用コンデンサＣ4の容量を小さくする必要がある。この結果、比較例のように単一の接地用コンデンサＣ4だけを用いた場合には、周波数Ｆ1，Ｆ2のいずれかの周波数帯域で、高周波発振器１の発振動作が不安定になり、出力負荷変動に対する周波数変動ΔＦが大きくなるという問題がある。

次に、本実施の形態のように、補助の接地用コンデンサＣ14を接続した高周波発振器１について、補助の接地用コンデンサＣ14の容量と出力負荷変動による周波数変動ΔＦを測定した。なお、接地用コンデンサＣ4の容量は、周波数Ｆ2の帯域で周波数変動ΔＦが小さくなる値（図３、図４中のＣa）に設定した。また、電圧定在波比ＶＳＷＲは全位相に対して２とした。図５は、第１の増幅回路４を動作させたときの周波数変動ΔＦの測定結果を示し、図６は、第２の増幅回路５を動作させたときの周波数変動ΔＦの測定結果を示している。

図５の結果より、周波数Ｆ1の帯域では、補助の接地用コンデンサＣ14の容量が大きくなるに従って、周波数変動ΔＦは減少する。この理由は、周波数Ｆ1の高周波信号を出力するときには、第１のトランジスタ素子Ｔr4がオン状態となり、接地用コンデンサＣ4に補助の接地用コンデンサＣ14が並列接続されるためである。

即ち、補助の接地用コンデンサＣ14の容量を大きくすることによって、２つの接地用コンデンサＣ4，Ｃ14の容量を加算した合成容量も大きくなる。このため、周波数Ｆ1の帯域でも、これらの接地用コンデンサＣ4，Ｃ14の並列回路のインピーダンスが小さくなるから、出力負荷変動に対する周波数変動ΔＦも小さくなる。

これに対し、図６の結果より、周波数Ｆ2の帯域では、補助の接地用コンデンサＣ14の容量を変化させても、周波数変動ΔＦは変化せず、一定となる。この理由は、周波数Ｆ2の高周波信号を出力するときには、第１のトランジスタ素子Ｔr4がオフ状態となって、出力端子Ｐout側の接地用コンデンサＣ4と補助の接地用コンデンサＣ14との間が遮断されるためである。従って、補助の接地用コンデンサＣ14は、周波数Ｆ2の高周波信号に対して全く影響を与えない。

以上より、接地用コンデンサＣ4は、周波数Ｆ2の帯域で周波数変動ΔＦが小さくなる値（例えば図３、図４中のＣa）に設定すればよく、補助の接地用コンデンサＣ14は、周波数Ｆ1の帯域で周波数変動ΔＦが小さくなる値（例えば図５、図６中のＣb）に設定すればよいことが分かる。

かくして、本実施の形態では、選択回路６には、第１の増幅回路４を動作させたときに接地用コンデンサＣ4に並列接続され、第２の増幅回路５を動作させたときに接地用コンデンサＣ4と遮断される補助の接地用コンデンサＣ14を設けた。このため、第１の増幅回路４を動作させたときには、接地用コンデンサＣ4の容量と補助の接地用コンデンサＣ14の容量とを加算した合成容量を用いて接地する。これに対し、第２の増幅回路５を動作させたときには、接地用コンデンサＣ4の容量だけを用いて接地する。

この結果、第１の増幅回路４を動作させる場合と第２の増幅回路５を動作させる場合とで、接地容量を相違させることができる。従って、第１，第２の増幅回路４，５で出力する高周波信号の周波数Ｆ1，Ｆ2に応じて、接地容量をそれぞれ最適な値に設定することができる。このため、２つの増幅回路４，５のいずれを動作させたときでも、発振動作を安定させることができ、出力負荷変動に対する周波数変化を改善することができる。

また、選択回路６を構成する第１のスイッチ回路７を用いて補助の接地用コンデンサＣ14を共通の接地用コンデンサＣ4に対して接続、遮断するから、補助の接地用コンデンサＣ14を用いるために別個にスイッチ回路を設ける必要がない。このため、第１，第２の増幅回路４，５に対して接地容量をそれぞれ最適な値にするためには、補助の接地用コンデンサＣ14を追加するだけでよく、低コストで発振動作の安定化を図ることができる。

さらに、本実施の形態では、増幅回路４，５を選択する第１，第２のスイッチ回路７，８を用いて補助の接地用コンデンサＣ14を共通の接地用コンデンサＣ4に対して接続、遮断する。これにより、第１，第２の増幅回路４，５の動作を切換えるときに、補助の接地用コンデンサＣ14の接続状態も一緒に切換えることができる。このため、第１，第２の増幅回路４，５の動作切換えと、補助の接地用コンデンサＣ14の接続切換えとの間で、時間的な遅延が生じることがなく、動作切換え時でも高周波信号を安定して発振することができる。

また、第１，第２の増幅回路４，５に共通に接続されるバッファ回路９を設けたから、該バッファ回路９を用いて第１，第２の増幅回路４，５の出力信号を増幅することができる。

この場合、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタに共通の接地用コンデンサＣ4を接続したから、該共通の接地用コンデンサＣ4は、第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタを高周波的に接地する。これに加えて、第１のスイッチ回路７は、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタに接続するから、第１のスイッチ回路７を用いて、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタに対して補助の接地用コンデンサＣ14を接続、遮断することができる。このため、第１のスイッチ回路７は、第１，第２のトランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタに接続された共通の接地用コンデンサＣ4に対して、補助の接地用コンデンサＣ14を接続、遮断することができる。

また、第１，第２のスイッチ回路７，８は、ＰＮＰ型トランジスタからなるトランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5を用いて構成した。このとき、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のエミッタを電源端子Ｖcc側に接続し、トランジスタ素子Ｔr4のベースをトランジスタ素子Ｔr5のコレクタに接続することによって、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のオン状態、オフ状態を互いに逆の動作状態にすることができる。また、トランジスタ素子Ｔr5のベースに切換制御信号を入力することによって、切換制御信号に応じてトランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のオン状態、オフ状態を容易に切換えることができる。このため、単一の切換制御信号を用いて第１，第２のスイッチ回路７，８のうち一方だけを選択的にオン状態にすることができ、第１，第２の増幅回路４，５を選択的に動作させることができる。

なお、前記第１の実施の形態による高周波発振器１では、補助の接地用コンデンサＣ14は第１のスイッチ回路７に接続する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図７に示す第１の変形例による高周波発振器２１のように、補助の接地用コンデンサＣ14は第２のスイッチ回路８に接続する構成としてもよい。この場合、補助の接地用コンデンサＣ14は、トランジスタ素子Ｔr5のコレクタと第２の増幅回路５のバイアス抵抗Ｒ12との間に接続されるものである。

次に、図８は本発明の第２の実施の形態による高周波発振器を示している。そして、本実施の形態の特徴は、第１のスイッチ回路をＮＰＮ型トランジスタを用いて構成すると共に、第２のスイッチ回路をＰＮＰ型トランジスタを用いて構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。

図８に示す高周波発振器３１において、第１のスイッチ回路７は、第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2を動作、停止させるものである。該第１のスイッチ回路７は、トランジスタ素子Ｔr4および抵抗Ｒ5，Ｒ6によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr4は、例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタである。

ここで、トランジスタ素子Ｔr4のベース端子は、抵抗Ｒ5を介して切換制御信号入力端子Ｖswに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間には抵抗Ｒ6が設けられている。さらに、トランジスタ素子Ｔr4のコレクタ端子は、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。これにより、スイッチ回路７は、バッファ回路９を介して電源端子Ｖccに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタ端子は、バイアス抵抗Ｒ2を介して第１の増幅回路４のトランジスタ素子Ｔr2のベース端子に接続されている。

ここで、トランジスタ素子Ｔr5のベース端子は、抵抗Ｒ7を介して切換制御信号入力端子Ｖswに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間には抵抗Ｒ8が設けられている。さらに、トランジスタ素子Ｔr5のエミッタ端子は、バッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のエミッタ端子に接続されている。これにより、スイッチ回路８は、バッファ回路９を介して電源端子Ｖccに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のコレクタ端子は、バイアス抵抗Ｒ12を介して第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3のベース端子に接続されている。

そして、切換制御信号入力端子ＶswにＬレベルの切換制御信号が加えられるときには、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のベース電位はいずれも低下する。このとき、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧未満となるから、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4はオフ状態となる。一方、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧以上となるから、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5はオン状態となる。

また、切換制御信号入力端子ＶswにＨレベルの切換制御信号が加えられるときには、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のベース電位はいずれも高くなる。このとき、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧以上となるから、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4はオン状態となる。一方、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧未満となるから、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5はオフ状態となる。

補助の接地用コンデンサＣ14は、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5とバイアス抵抗Ｒ12との間に接続されている。この結果、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5がオン状態となり、第２の増幅回路５が動作するときには、補助の接地用コンデンサＣ14は接地用コンデンサＣ4に並列接続される。これに対し、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5がオフ状態となり、第１の増幅回路４が動作するときには、補助の接地用コンデンサＣ14は接地用コンデンサＣ4と遮断される。

かくして、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。

なお、前記第２の実施の形態による高周波発振器３１では、補助の接地用コンデンサＣ14は第２のスイッチ回路８に接続する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図９に示す第２の変形例による高周波発振器４１のように、補助の接地用コンデンサＣ14は第１のスイッチ回路７に接続する構成としてもよい。この場合、補助の接地用コンデンサＣ14は、トランジスタ素子Ｔr4のエミッタと第１の増幅回路４のバイアス抵抗Ｒ2との間に接続されるものである。

次に、図１０は本発明の第３の実施の形態による高周波発振器を示している。そして、本実施の形態の特徴は、第１のスイッチ回路に補助の接地用コンデンサを接続すると共に、第２のスイッチ回路を第２のトランジスタ素子のエミッタ抵抗に接続したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。

図１０に示す高周波発振器５１において、補助の接地用コンデンサＣ14は、第１の実施の形態と同様に、第１のスイッチ回路７とバイアス抵抗Ｒ2との間に接続されている。また、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4は、例えばＰＮＰ型バイポーラトランジスタである。トランジスタ素子Ｔr4のベース端子は、抵抗Ｒ5を介して切換制御信号入力端子Ｖswに接続されている。

第２のスイッチ回路８は、第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3を動作、停止させるものである。該第２のスイッチ回路８は、トランジスタ素子Ｔr5および抵抗Ｒ7，Ｒ8によって構成されている。このとき、トランジスタ素子Ｔr5は、例えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタである。

ここで、トランジスタ素子Ｔr5のベース端子は、抵抗Ｒ7を介して切換制御信号入力端子Ｖswに接続されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間には抵抗Ｒ8が設けられている。さらに、トランジスタ素子Ｔr5のエミッタ端子は、第２のスイッチ回路８の他側端子となり、グランドに接地されている。また、トランジスタ素子Ｔr5のコレクタ端子は、第２のスイッチ回路８の一側端子となり、トランジスタ素子Ｔr3のエミッタ端子にエミッタ抵抗Ｒ14を介して接続されている。

このとき、第２の増幅回路５のトランジスタ素子Ｔr3のベース端子は、バイアス抵抗Ｒ12を介してバッファ回路９のトランジスタ素子Ｔr1のベース端子に接続されている。これにより、トランジスタ素子Ｔr3のベース端子は、抵抗Ｒ1，Ｒ12を介して電源端子Ｖccに接続されている。このため、トランジスタ素子Ｔr3のベース端子には、抵抗Ｒ1，Ｒ12を介してバイアス電圧が印加される構成となっている。

そして、切換制御信号入力端子ＶswにＬレベルの切換制御信号が加えられるときには、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のベース電位はいずれも低下する。このとき、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧以上となるから、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4はオン状態となる。一方、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧未満となるから、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5はオフ状態となる。

また、切換制御信号入力端子ＶswにＨレベルの切換制御信号が加えられるときには、トランジスタ素子Ｔr4，Ｔr5のベース電位はいずれも高くなる。このとき、トランジスタ素子Ｔr4のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧未満となるから、第１のスイッチ回路７のトランジスタ素子Ｔr4はオフ状態となる。一方、トランジスタ素子Ｔr5のベース−エミッタ間の電位差はしきい値電圧以上となるから、第２のスイッチ回路８のトランジスタ素子Ｔr5はオン状態となる。

これにより、第１，第２のスイッチ回路７，８は、第１，第２の増幅回路４，５を選択的に動作させるものである。

かくして、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。特に、第３の実施の形態では、第２のスイッチ回路８を第２のトランジスタ素子Ｔr3のエミッタ抵抗Ｒ14に接続した。これにより、第２のスイッチ回路８は、第２のトランジスタ素子Ｔr3に対してベース−エミッタ間の電流（バイアス電流）を供給、停止することができ、第２の増幅回路５の動作状態を切換えることができる。

次に、図１１は本発明の第４の実施の形態を示す。本実施の形態の特徴は、本発明の高周波発振器を用いて電子機器を構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。

図１１に示す電子機器６１は、当該機器６１の動作を制御するための制御部６２と、高周波信号を出力する高周波発振器６３と、該高周波発振器６３から出力される高周波信号を利用して回路動作を行う高周波信号使用回路６４とによって構成されている。

そして、高周波発振器６３は、例えば第１〜第３の実施の形態による高周波発振器１，３１，５１または第１，第２の変形例による高周波発振器２１，４１によって構成され、２つの周波数Ｆ1，Ｆ2のうちいずれか一方の周波数の高周波信号を選択して出力する。

制御部６２は予め与えられたプログラムに従って高周波発振器６３から出力される高周波信号の周波数を切換えるための切換制御信号を高周波発振器６３の切換制御信号入力端子Ｖswに加える構成を備えている。

かくして、本実施の形態によれば、本発明の高周波発振器６３を用いて電子機器６１を構成したから、互いに異なる周波数Ｆ1，Ｆ2の高周波信号のうちいずれを発振するときでも、高周波発振器６３の発振動作を安定させることができる。これにより、高周波信号使用回路６４の動作に伴って、高周波発振器６３の出力負荷が変動するときでも、この出力負荷変動に対する周波数変化を改善することができ、電子機器６１の動作を安定させることができる。

なお、前記第１〜第３の実施の形態では、高周波発振器１，３１，５１にバッファ回路９を設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図１２に示す第３の変形例による高周波発振器７１のように、バッファ回路を省く構成としてもよい。この場合、トランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のコレクタ端子は、抵抗Ｒ1および線路Ｌを介して電源端子Ｖccにそれぞれ接続する。一方、トランジスタ素子Ｔr2，Ｔr3のエミッタ端子は、整合回路７２を介して出力端子Ｐoutに接続するものである。

また、前記第１の実施の形態では、補助の接地用コンデンサＣ14が接続されてない第２のスイッチ回路８も、第１のスイッチ回路７と同様にバッファ回路９とバイアス抵抗Ｒ12との間に設ける構成とした。しかし、補助の接地用コンデンサＣ14が接続されてない第２のスイッチ回路８は、必ずしもバッファ回路９とバイアス抵抗Ｒ12との間に設ける必要はなく、例えばバイアス抵抗Ｒ12と第２の増幅回路５との間に設ける構成としてもよい。

同様に、第２の実施の形態および第１，第２の変形例でも、補助の接地用コンデンサＣ14が接続されてないスイッチ回路は、接続位置を適宜変更してもよいものである。

また、第２の実施の形態では、第１のスイッチ回路７にＮＰＮ型トランジスタを用い、第２のスイッチ回路８にＰＮＰ型トランジスタを用いる構成としたが、第１のスイッチ回路７にＰＮＰ型トランジスタを用い、第２のスイッチ回路８にはＮＰＮ型トランジスタを用いる構成としてもよい。

同様に、第３の実施の形態では、第１のスイッチ回路７にＰＮＰ型トランジスタを用い、第２のスイッチ回路８にＮＰＮ型トランジスタを用いる構成としたが、第１のスイッチ回路７にＮＰＮ型トランジスタを用い、第２のスイッチ回路８にはＰＮＰ型トランジスタを用いる構成としてもよい。

Claims

互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサとを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサとを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２のバイアス抵抗を介して前記第２のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサとを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して電源端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、他側端子が接地された前記第２のスイッチ回路の一側端子にエミッタ抵抗を介して接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、電源端子に接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサと、
前記第１，第２の増幅回路に共通に接続され、第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路とを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサと、
前記第１，第２の増幅回路に共通に接続され、第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路とを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第２のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第２のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第２のバイアス抵抗を介して前記第２のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
互いに異なる周波数で共振する第１，第２の共振回路と、
前記第１の共振回路に接続され、第１の共振回路が出力する第１の共振信号を増幅する第１の増幅回路と、
前記第２の共振回路に接続され、第２の共振回路が出力する第２の共振信号を増幅する第２の増幅回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路のうちいずれか一方を選択的に動作させる選択回路と、
前記第１，第２の増幅回路に接続され、第１，第２の増幅回路で共通に使用される接地用コンデンサと、
前記第１，第２の増幅回路に共通に接続され、第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路とを備える高周波発振器において、
前記第１の増幅回路は第１のバイポーラトランジスタを備え、
前記第２の増幅回路は第２のバイポーラトランジスタを備え、
前記バッファ回路はコレクタが電源端子に接続された第３のバイポーラトランジスタを備え、
前記選択回路は、前記第１のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第１のスイッチ回路と、前記第１のバイポーラトランジスタとは逆の動作状態となるように前記第２のバイポーラトランジスタをオン状態またはオフ状態にする第２のスイッチ回路と、前記第１，第２のスイッチ回路の一方または両方に切換制御信号を入力するように接続して第１，第２のバイポーラトランジスタの動作状態を切換える切換制御信号入力端子とによって構成し、
前記第１のバイポーラトランジスタのベースは、第１のバイアス抵抗を介して前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのベースは、第２のバイアス抵抗を介して電源端子に接続されると共に、前記第２の共振回路にも接続され、
前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、他側端子が接地された前記第２のスイッチ回路の一側端子にエミッタ抵抗を介して接続され、
前記第１のスイッチ回路の他側端子、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタおよび前記第２のバイポーラトランジスタのコレクタは、前記第３のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、他端側が接地された前記接地用コンデンサの一端側に接続され、
他端側が接地された補助の接地用コンデンサの一端側は、前記第１のスイッチ回路の一側端子に接続されると共に、前記第１のバイアス抵抗を介して前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、
前記選択回路により前記第１の増幅回路を動作させたときには、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサおよび前記補助の接地用コンデンサで構成される並列回路を介して前記第１の増幅回路が接地され、
前記選択回路により前記第２の増幅回路を動作させたときには、前記第１のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が遮断された状態で、前記第２のスイッチ回路の一側端子と他側端子との間が導通し、前記接地用コンデンサと前記補助の接地用コンデンサとが遮断され、前記接地用コンデンサを介して前記第２の増幅回路が接地される構成としたことを特徴とする高周波発振器。
前記第１，第２のスイッチ回路は、ＰＮＰ型トランジスタまたはＮＰＮ型トランジスタを用いて構成してなる請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波発振器。
前記請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波発振器を用いた電子機器。