JP4628879B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は絶縁基板上に形成された非晶質または多結晶半導体膜に、レーザ光を照射して膜質の改善あるいは結晶粒の拡大あるいは単結晶化を行うのに好適なレーザアニール方法およびレーザアニール装置、並びにレーザアニールを経て製造されたＴＦＴ基板及びこのＴＦＴ基板を備えた表示装置に関する。

現在、液晶パネルはガラスや溶融石英などの基板上の非晶質または多結晶シリコン膜で形成された薄膜トランジスタのスイッチングにより画像を形成している。この基板上に画素トランジスタを駆動するドライバ回路を同時に形成することが可能になれば、飛躍的な製造コスト低減および信頼性の向上が期待できる。しかし、トランジスタの能動層を形成するシリコン膜は結晶性が悪いため、移動度に代表される薄膜トランジスタの性能が低く、高速・高機能が要求される回路の製作は困難である。これら高速・高機能の回路を製作するためには、高移動度薄膜トランジスタを必要とし、これを実現するためにシリコン薄膜の結晶性を改善する必要がある。この結晶性改善の手法として、従来からエキシマレーザアニールが注目を浴びている。この方法はガラスなどの絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜にエキシマレーザを照射して、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に変化させることで、移動度を改善するものである。しかしながら、エキシマレーザの照射により得られた多結晶膜は、結晶粒径が数１００ｎｍ程度であり、液晶パネルを駆動するドライバ回路などに適用するには性能不足である。

この問題を解決する方法として、特開２００１−４４１２０号公報には、第一のパルスレーザである紫外域のパルスレーザ、例えばエキシマレーザを照射後、第二のパルスレーザとして可視域のパルスレーザを照射することで結晶粒径を増大する方法が開示されている。これは、第一のパルスレーザを照射後、２００ｎｓ以内に第二のパルスレーザを照射して、再結晶化の時間を延長することで結晶粒径の増大を図るものである。
特開２００１−４４１２０号公報

上記従来技術では、第二のパルスレーザとして、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｙｂ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ガラスレーザ、Ｙｂ：ガラスレーザなどのＮｄイオンドープあるいはＹｂイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒体としたＱスイッチ発振の固体レーザの高調波を使用している。しかしながら、これらレーザのパルス幅は数１０から数１００ｎｓであり、再結晶化時間の延長には限界がある。即ち、得られる結晶粒径は１ミクロン程度であり、液晶パネルを駆動するドライバ回路などに適用するには、まだ性能不足である。また、上記従来技術では第二のパルスレーザを照射するための光学系として、アッテネータと線状ビーム形成光学系が示されているが、この構成だけでは以下の問題点が残る。

問題点は、Ｑスイッチ発振パルスの出力の時間変化は正弦波状であり、アニールを行うのに最適なパルス幅および出力の時間変化を得ることができないことである。

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、最適なパルス幅でかつ時間的にもレーザアニールに好適なエネルギ変化が得られ、非晶質あるいは多結晶シリコン薄膜などのアニールを行うのに好適なレーザアニールによる表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明のレーザアニール方法は上記目的を達成するために、例えば、基板上に形成した非晶質半導体膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶半導体膜に改質し、前記基板を相対的に走査しながら、形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光を走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して局所的な帯状結晶領域を形成するとともに、当該帯状結晶領域を形成する領域以外では前記連続発振レーザ光を遮断し、前記多結晶半導体膜に対して断続的に前記連続発振レーザ光を照射することによって、前記多結晶半導体膜に局所的な帯状結晶領域を形成し、該帯状結晶領域に第１の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第２の薄膜トランジスタをそれぞれ形成することを特徴とすることにより、表示装置の製造を行なう。

上述され且つ以下に詳述される本発明のレーザアニール装置およびレーザアニール方法によれば、干渉による影響のない、照射部でアニールに好適なエネルギ密度分布を持ち、最適なパルス幅でかつ時間的にもアニールに好適なエネルギ変化を有するレーザ光を照射することで、非晶質あるいは多結晶シリコン薄膜などの結晶粒を所望の方向に成長させ、１０ミクロンを越える大きさの結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜に変換でき、多結晶シリコン薄膜の移動度を大幅に改善できる効果を有する。

また、本発明のＴＦＴ基板によれば、基板上に高速の駆動回路を作製することができ、いわゆるシステム・オン・パネルが実現できる効果を有する。

以下に、図に従って本発明を詳細に説明する。図１は本発明の１実施例であるレーザアニール装置の構成を示す図である。防振機構（図示せず）を備えた定盤１上に、連続発振レーザ光２を発生するレーザ発振器３、レーザ光２のＯＮ／ＯＦＦを行うシャッタ４、レーザ発振器３から出力されたレーザ光２のビーム径を拡大するためのビームエキスパンダ５、レーザ光２のパルス化およびエネルギの時間的な変調を実現するための電気光学モジュレータ（以後、ＥＯモジュレータと称す）６、レーザ光２のエネルギを調整するための透過率連続可変ＮＤフィルタ７、レーザ光２を均一なエネルギ分布に成形するビームホモジナイザ８、レーザ光２を１方向に圧縮して線状のビームに形成するためのシリンドリカルレンズ９、レーザ光２の照射位置・照射形状を確認するための参照光源１０、参照光源１０からの波長を透過しレーザ光２を反射する特性を有するダイクロイックミラー１１、高速回転駆動装置１２を備えた拡散板１３、照射面内のエネルギ密度分布を所望形状にするためのフィルタ１４、レーザ光２の裾野部分を除去して任意の矩形形状に成形するための矩形開口スリット１５、照明光とレーザ光２及び参照光を結合するためのミラー１７、観察時に使用する照明光源１８、ＣＣＤカメラ１９、ＣＣＤカメラ１９にレーザ光が入射するのを防ぐためのレーザカットフィルタ２０、ＣＣＤカメラ１９で撮像した試料面を表示するためのモニタ２２、焦点位置を検出し焦点位置からずれた場合に信号を出す自動焦点光学系２４、観察及びレーザ光２の集光に用いる対物レンズ２５、試料２６を載置しＸＹＺθに移動するためのステージ２８、ステージ２８に固定されレーザ光２の出力を測定するためのパワーモニタ２９と、レーザ光の２次元的なエネルギ分布を測定するためのビームプロファイラ３０、およびステージ２８、レーザ発振器３、シャッタ４、ＥＯモジュレータ６、透過率可変フィルタ７、電動矩形スリット１５、自動焦点光学系２４からの信号によるＺステージ、図示していない画像処理装置等の制御を行う制御ＰＣ（制御装置）３１が配置された構成になっている。

次に、各部の動作・機能について詳細に説明する。定盤１は床からの振動を遮蔽するために空気バネによる防振機構（図示せず）を備えていることが望ましい。設置される環境によっては防振機構が不必要な場合もある。ステージ２８や種々の光学系を載置するためのもので、十分な強度・剛性を有する。

連続発振レーザ光２はアニール対象である非晶質あるいは多結晶シリコン薄膜に対して吸収のある波長、即ち紫外波長から可視波長が望ましく、より具体的にはＡｒレーザあるいはＫｒレーザとその第二高調波、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザの第二高調波及び第三高調波などが適用可能であるが、出力の大きさ及び安定性を考慮すると、ＬＤ（レーザダイオード）励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第二高調波（波長５３２ｎｍ）あるいはＮｄ：ＹＶＯ_４レーザの第二高調波（波長５３２ｎｍ）が望ましい。以後の説明では、大出力での安定性及び低雑音性に優れているＬＤ励起Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザの第二高調波を使用した場合について説明する。

レーザ発振器３から発振されたレーザ光２はシャッタ３によりＯＮ／ＯＦＦされる。即ち、レーザ発振器３は常に一定出力でレーザ光２を発振した状態におかれ、シャッタ４は通常にはＯＦＦ状態として、レーザ光２はシャッタ４で遮られている。レーザ光２を照射する場合のみ、このシャッタ３を開き（ＯＮ状態に）することで、レーザ光２を出力させる。励起用レーザダイオードをＯＮ／ＯＦＦすることで、レーザ光のＯＮ／ＯＦＦを行うことは可能だが、レーザ出力の安定性を確保するためには望ましくない。このほか、安全上の観点からレーザ光２の照射を止めたい場合にも、シャッタ４を閉じればよい。

シャッタ４を通過したレーザ光２はビームエキスパンダ５でビーム径を拡大され、ＥＯモジュレータ６に入射される。これは、ＥＯモジュレータ６の耐パワー性を考慮して、ＥＯモジュレータ６の有効径に近い大きさまで、ビームエキスパンダ５でビーム径を拡大するものである。レーザ発振器３から発振されたレーザ光２のビーム径がおよそ２ｍｍで、有効径１５ｍｍのＥＯモジュレータ６を使用する場合、ビームエキスパンダ５の拡大率は６倍程度とする。もちろん、レーザ発振器３からのレーザ光２を直接入射してもＥＯモジュレータ６の耐パワー性が十分の場合には、ビームエキスパンダ５を使用しなくても良い。

ＥＯモジュレータ６は、図２及び図３に示すようにポッケルス・セル６１（以下、結晶と称する）と偏光ビームスプリッタ６２を組み合わせて使用する。レーザ光２が直線偏光の場合、図２に示すようにドライバ（図示せず）を介して結晶６１に電圧Ｖ１（通常は電圧０Ｖ）を印加したときに、結晶６１を透過するレーザ光２の偏光方向は回転せずに偏光ビームスプリッタ６２にＳ偏光として入射して、９０度偏向されるように設定する。即ちこの状態では、レーザ光２は９０度偏向して出力してしまうため、以降の光学系には入射せず、レーザ光２はＯＦＦ状態となる。次いで、図３に示すように結晶６１を透過するレーザ光２の偏光方向を９０度回転させることのできる電圧Ｖ２を印加して、偏光ビームスプリッタ６２にＰ偏光として入射させると、レーザ光２は偏光ビームスプリッタ６２を透過・直進するように設定する。即ち、この状態ではレーザ光２は直進して以降の光学系に入射するので、レーザ光２はＯＮ状態となる。

さらに、図４に示すように、結晶６１に印加する電圧をＶ１（通常は０Ｖ）とＶ２の間で変化させることにより、ＥＯモジュレータ６を透過するレーザ光２の透過率をＴ１（通常は０）とＴ２（ここでは最大透過率、即ち１）の間で任意に設定することができる。即ち、ＥＯモジュレータ６を透過するレーザ光２の透過率を０から１の間で任意に設定することができる。

ただし、ここでは結晶６１や偏光ビームスプリッタ６２表面での反射や吸収はないものとして考えている。これらのことから、図５に示すように、ＥＯモジュレータ６に入射するレーザ光２の出力（ＥＯモジュレータ６への入力）をＰ０一定とし、結晶６１への印加電圧をＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１と変化させることにより、ＥＯモジュレータ６からのレーザ出力として、出力Ｐ２，Ｐ３の階段状のパルス出力が得られる。ここで出力Ｐ２はＥＯモジュレータ６への入力Ｐ０と電圧Ｖ２を印加したときの透過率Ｔ２との積で求められ、Ｐ３はＰ０と電圧Ｖ３を印加したときの透過率Ｔ３との積で求められる。当然、結晶６１に印加する電圧を連続的に変化させることにより、透過するレーザ光２の出力を連続的に変化させることができ、結果的に任意の時間変化を有するパルスレーザ光２を得ることができることになる。

ここではＥＯモジュレータ６として、ポッケルス・セル６１と偏光ビームスプリッタ６２を組み合わせることで説明したが、各種偏光素子を用いることができる。尚、以後の説明では結晶６１と偏光ビームスプリッタ６２（または各種偏光素子）を組み合わせたものをＥＯモジュレータ６と称する。

ＥＯモジュレータの他に、ＡＯ（音響光学）モジュレータを使用することができる。ただし、一般的にＡＯモジュレータはＥＯモジュレータと比較して、駆動周波数が低いため、高速の立ち上がり・立ち下がりが必要な場合や、パルス幅の小さいパルス光を切り出す場合には適さない。このようにＥＯモジュレータ６あるいはＡＯモジュレータなどの変調器を用いることにより、連続発振レーザ光から所望のパルス幅で所望の波形（時間的なエネルギ変化）を有するパルスレーザ光を得ることができる。即ち、所望の時間変調を行うことができる。

透過率連続可変ＮＤフィルタ７は試料２６に照射するレーザ光２の出力を調整するためのもので、連続的に透過率を変化できるものが望ましい。また図１では、ＥＯモジュレータ６の後に設置してあるが、耐パワー性に問題がなく、透過率を変化させた場合に偏光方向が回転したり、直線偏光が崩れたりしなければ、ＥＯモジュレータ６の前でも良い。ここでは、図６に示す構成の透過率連続可変ＮＤフィルタ７を用いる。これはレーザ光２の波長に対して透明な平板、例えば石英板７１、７２を光軸７３に対して垂直な面７４に面対称となるように配置し、面対称の関係を保ったまま入射角を変化させ、透過するレーザ光量を変化させるものである。直線偏光のレーザ光２に対して石英板７１、７２にＰ偏光として入射するように調整すると、入射角と界面での反射率は図７に示すように変化する。透過率Ｔは界面での反射率をＲとすると、Ｔ＝１−Ｒで表すことができる。入射角がブリュースタ角、即ち石英板７１、７２の屈折率をＮとしてtan-¹（Ｎ）で得られる角度では反射率が０、即ち透過率が１となる。入射角が大きくなるに従い反射率が大きく、即ち透過率が小さくなり、入射角９０度では反射率が１，即ち透過率が０となる。これにより、入射角をブリュースタ角と９０度の間で変化させることにより、任意の透過率が得られる。図６に示した構成では、空気と石英の界面が４つあるため、全体の透過率Ｔは界面での透過率の４乗となり、Ｔ４＝（１−Ｒ）^４となる。

平板（石英板）が１枚のときには大きさに限界があるため、入射角を９０度にすることはできないため、現実的には透過率数％が限界であるが、石英と空気の界面数で指数的に変化するため、容易に低い透過率を得ることができる。図８に示すように石英板７１，７１’、７１”、７２，７２’、７２”を３枚ずつで構成すると界面が１２となるため、透過率Ｔ１２はＴ１２＝（１−Ｒ）^１２で表され、入射角を極端に大きくしなくても効果的に透過率を低くすることができる。実際には入射角を９０度にすることは不可能であるが、石英板の大きさを十分大きくすることで、透過率０．０５（５％）程度は容易に得られ、透過率として５〜１００％の範囲で連続的に変化させることができる。

尚、通常の石英板を使用した場合には裏面での反射が影響する場合があるが、石英板の片面に反射防止コーティングを実施することで、対策できる。また、複数枚の石英板を使用した場合には隣接する石英板からの反射が影響する場合があるが、石英板同士の間隔を十分に大きくすることで、対策できる。

このほか、レーザ光２のビーム径が小さい場合には、透明基板上に面内で連続的に透過率が変化するように金属薄膜あるいは誘電体多層膜を形成したＮＤフィルタを使用することができる。また、透過率を連続的に変化させることはできないが、透過率が異なるＮＤフィルタを順次切り替えることにより、あるいは種々の透過率を有する多数のＮＤフィルタを組み合わせることにより、実質的には本発明の目的を達成することができる。当然、レーザ励起用レーザダイオードの励起電流を制御することでも、レーザ出力を調整することは可能であるが、出力を変更した場合に出力が安定するまでに一定時間を必要とするなどの問題があるため、望ましくない。

通常、ガスレーザや固体レーザは、図９に示すようにガウス形のエネルギ分布を持っているため、そのままでは本発明のレーザアニールに使用することはできない。発振器出力が十分に大きければ、ビーム径を十分に広げ、中心部分の比較的均一な部分のみを切り出すことで、ほぼ均一なエネルギ分布を得ることができるが、ビームの周辺部分を捨てることになり、エネルギの大部分が無駄になる。この欠点を解決して、ガウス形の分布を均一な分布に変換するために、ビームホモジナイザ８を用いる。これは、図９に１例を示すように、ロッドレンズを２次元に配列させて構成したフライアイレンズ（蠅の目レンズ）８１と凸レンズ８２とを組み合わせており、出力ビームはほぼ均一な分布を持つビームに変換される。フライアイレンズ８１以外にも、シリンドリカルレンズアレイをシリンドリカルレンズ軸が直交する様に組み合わせたもの２組と凸レンズの組み合わせなどでも同様の効果が得られる。ビームホモジナイザ８からの出力ビームを、シリンドリカルレンズ９により１方向のみ集光することで、最終的に矩形開口スリット面でほぼ均一なエネルギ分布の線状ビーム（ただし、幅方向にはガウス分布をしている）を得ることができる。フライアイレンズ８１（あるいはシリンドリカルレンズアレイの組み合わせ）と凸レンズ８２とシリンドリカルレンズ９を組み合わせ、エネルギ分布の均一な線状ビームを形成できるように構成したものをビームホモジナイザとしても良い。あるいは、複数のフライアイレンズの配置あるいはシリンドリカルレンズアレイの配置により、矩形形状あるいは線状に集光する構成にしても良い。要はガウス形の分布をしているレーザ光をほぼ均一なエネルギ密度分布を持つ矩形形状あるいは線状のビームに変換できればよい。

このほか、図１０に示すように、レーザ光２をレンズ８４で集光して中空の筒８５内に入射させ、筒８５内で多重反射させることで出力分布を均一化させるカライドスコープを使用することができる。この場合、レーザ光２の入射側を円形とし、出射側が矩形形状あるいは線状となるように、内部で連続的に変化させることで、ほぼ均一なエネルギ密度分布を有する矩形形状あるいは線状のレーザ光２が得られる。あるいはレーザ光２を複数に分割してそれぞれを重ね合わせるプリズムを使用しても良い。

得られた矩形形状あるいは線状ビームから、図１１に示すように、必要に応じて裾野部分を電動矩形開口スリット１５により除去し、必要な寸法の矩形形状（線状）に成形する。裾野部分が照射されても問題がなければ、電動矩形スリット１５を解放状態にしてレーザ光２全てを通過させても良い。このレーザ光２を対物レンズ２５で試料２６面上に投影するように照射する。ここでは、対物レンズ２５の倍率をＭとすると、電動矩形開口スリット１５の像、あるいは電動矩形スリット１５面でのレーザ光２の大きさは倍率の逆数、即ち１／Ｍの大きさで投影される。しかしながら、電動矩形開口スリット１５を通過するレーザが均一なエネルギ分布を有しても、通常のＹＶＯ_４レーザ光のように可干渉性を有するレーザ光２を矩形開口スリット１５で矩形に成形して試料面２６上に照射しても、矩形開口スリット１５のエッジにおける回折の影響で、レーザ光２の波長と対物レンズ２５のＮＡで決まる干渉パターンが発生し、図１２に示すように不均一な分布となる。更にはエネルギ密度が均一な部分でも干渉の影響でスペックルパターンが発生する。

これらの不均一を除去するために拡散板１３を光路中に挿入する。この拡散板１３は石英基板表面に１０００〜２０００メッシュの不規則（規則的でも良い）な凹凸が形成されている。単に拡散板１３を挿入しただけでは効果はないが、拡散板１３を高速回転駆動装置１２で駆動して高速回転させると、レーザ光２が時間的にランダムな方向に拡散され、試料面２６に届くまでの光路長及び進行方向がランダムに変化する。レーザ光２の１パルス分の照射が終了するまでの間に種々の方向に拡散され、従って試料面に到達するまでの光路長が変化するため、結果的に干渉の影響で発生したエネルギ密度の不均一がキャンセルされて可干渉性が低減され、図１２に破線で示したように、幾何光学的で均一なエネルギ密度分布を有する投影像が得られる。

照射するレーザ光２のパルス幅を１０マイクロ秒、拡散板１３の中心から５０ミリメートル離れた部分をレーザ光が透過すると仮定すると、拡散板１３を６０００回転／分の速度で回転させることにより、１パルス照射する間に拡散板１３は約３００ミクロン移動する。拡散板１３として１０００〜２０００メッシュのものを使用すると、８〜１６ミクロン周期のランダムな凹凸が形成されており、透過するレーザ光の各部分が平均的に２０個程度以上の凹凸を通過することになるため、干渉の影響を十分キャンセルすることができてレーザ光の可干渉性が低減される。

尚、目的によっては均一なエネルギ密度分布より特定のエネルギ密度分布、例えば線状に成形したビームの幅方向に傾きを持つ分布、あるいは線状に成形したビームの長手方向に中心部のエネルギ密度が小さく、周辺部で大きくなる凹形の分布を持つ方が望ましい場合があり、その場合には特定の透過率分布を有するフィルタ１４を電動矩形スリット１５手前の光路中に挿入することで、目的を達することができる。

同様に、拡散板の代わりに位相版（例えばガラス基板上に位相が０、π／２ラジアン、πラジアン、３π／２ラジアンだけ変化する膜厚のＳｉＯ２膜を島状にランダムに形成したもの）を使用して、拡散板と同様に高速回転させても良い。あるいは図１に示した構成図の中でレーザ光を９０度折り曲げているミラー１５０または１５１に振動子を取り付け、高周波数で振動させることにより、望ましくはレーザ光が照射されている時間（パルス幅に相当）に同期した周波数で振動させることにより、レーザ光２の光路長が変化し、干渉の影響をキャンセルすることができる。

試料２６にレーザ光２を照射するに当たって、ステージ２８をＸＹ平面内で駆動しながら所望の位置にレーザ光２をパルス的に照射するが、試料２６表面の凹凸、うねりなどによる焦点はずれが起きると、エネルギ密度の変化、照射形状の劣化が起き、目的を達成することができない。このため、常に焦点位置で照射できるように、自動焦点光学系２４により焦点位置を検出し、焦点位置から外れた場合にはステージ２８をＺ方向（高さ方向）に駆動して、常に焦点位置になるように制御する。

レーザ光２を照射する試料２６表面は、照明光源１８からの落射照明により、ＣＣＤカメラ１９で撮像し、モニタ２２により観察することができる。レーザ照射中に観察する場合には、ＣＣＤカメラ１９の手前にレーザカットフィルタ２０を挿入して、試料２６表面で反射したレーザ光でＣＣＤカメラ１９がハレーションを起こしたり、ダメージを受けるのを防止する。

ステージ２８には、試料２６に照射されるレーザ光２の出力（エネルギ）を測定するためのパワーメータ２９、及びエネルギ密度分布を測定するためのビームプロファイラ３０が設置されている。必要に応じて、ステージ２８を移動して上記パワーメータ２９あるいはビームプロファイラ３０の受光部を対物レンズ２５の直下、あるいは対物レンズ２５を外した状態で光軸に位置決めすることにより、レーザ出力およびエネルギ分布（プロファイル）を測定することができる。尚、ビームプロファイルの測定においては、受光部のダメージ閾値が小さいため、エネルギ密度分布が変化しないように減衰させる必要がある。そのためには、光路中に減衰フィルタ（図示せず）を挿入すればよい。複数枚の減衰フィルタを挿入する場合には、フィルタ間で反射光が再反射して透過光と重なり、プロファイルを乱す場合があるので、光軸に垂直に挿入するのではなく、光軸に垂直な面に対して角度を持たせ、フィルタの間隔を大きくすればよい。

試料２６のアライメントは、対物レンズ２５、ＣＣＤカメラ１９で試料２６上に形成してあるアライメントマークあるいは特定のパターンを複数箇所撮像し、それぞれ画像処理装置（図示せず）によって処理を行って、アライメントマークの重心位置などを検出し、ステージ２８を駆動することで、ＸＹθ３軸方向に対して行うことができる。図１において、対物レンズ２５は１個で表現してあるが、電動レボルバに複数の対物レンズを装着させておき、制御装置３１からの信号により切り替え、処理に応じて最適な対物レンズを使い分けることができる。即ち、試料２６をロードした時の粗アライメント、必要に応じた精アライメント、レーザアニール処理、処理後の観察、更には後で述べるアライメントマーク形成等にそれぞれ適した対物レンズを使用することができる。当然、アライメントには別な光学系（レンズ、撮像装置および照明装置）を設けて行うことは可能であるが、レーザアニールを行う光学系をアライメント光学系と兼用することで、同一光軸での検出になり、アライメント精度が向上する。

次に、前述した本発明のレーザアニール装置を用いて実施する、本発明の１実施例であるレーザアニール方法について、図１３を用いて説明する。ここで、試料２６として、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板１０１の１主面に絶縁体薄膜１０２を介して非晶質シリコン薄膜を形成し、エキシマレーザ光を全面走査することで多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた多結晶シリコン薄膜基板１００を用いる。ここで、絶縁体薄膜１０２はＳｉＯ_２あるいはＳｉＮあるいはそれらの複合膜である。多結晶シリコン薄膜基板１００をステージ２８上に載置する。この多結晶シリコン薄膜基板１００には、図１３（ａ）に示すように、２箇所にアライメントマーク１０４、１０４’が２箇所に形成されている。これらアライメントマーク１０４，１０４’は通常、フォトエッチング技術で形成するが、この目的だけでフォトレジスト工程を実施するのは無駄が多い。このためレーザアニールに使用するレーザ光２を電動矩形スリット１５で、例えば縦長と横長の矩形に、順次成形して多結晶シリコン薄膜を除去加工することで十字マークを形成し、アライメントマーク１０４、１０４’とすることができる。この場合、当然アニールを実施する場合よりエネルギ密度は大きく設定する。

アライメントマーク１０４，１０４’を基準に設計上の座標に従って、図１３（ｂ）に示すようにステージ２８あるいは光学系を移動させながら、ＥＯモジュレータ６により任意のパルス波形を有し、ホモジナイザ８とフィルタ１４により所望のエネルギ分布を有し、高速回転する拡散板１３を透過させることにより可干渉性を失ったアニール用のレーザ光１０５を対物レンズ２５で集光照射する。照射する領域は、例えば各画素を駆動するためのドライバ回路を形成する部分で、必要に応じて多結晶シリコン薄膜基板１００を相対的に移動させながら複数回往復させながら必要な部分のみに順次照射する。装置の構成によっては、光学系を移動することで、相対的に走査しても良い。

より具体的には、図２１（ａ）に示すようなエネルギ密度分布を有するレーザ光１０５を照射する。幅方向のエネルギ密度分布は図２１（ｂ）に示すように傾きを有しており、走査する方向にエネルギ密度が大きくなっている。また、長手方向のエネルギ密度分布は図２１（ｃ）に示すように一定のエネルギ密度分布になっている。また、パルス波形は図２１（ｄ）に示すように、始めの一定時間は一定のエネルギで、その後直線的に減少する波形になっている。

照射領域の大きさは、例えば５００μｍ×２０μｍの矩形に設定する。この大きさはレーザ発振器３の出力で決まり、十分に大きな出力での発振が可能であれば、より大きな領域に照射することができる。図２１（ｂ）に示した幅方向のエネルギ密度は、走査する方向に向かって前方側のエネルギ密度を対辺側に比べて２０％大きく直線的に変化するように設定する。また、図２１（ｄ）に示したように、レーザ光１０５の照射時間（パルス幅）は最初の１０μｓをエネルギ一定に、続く５μｓで直線的に減少するように設定する。多結晶シリコン薄膜基板１００を１００ｍｍ／ｓの速度で相対的に移動させながら、２５μｍピッチで照射する。これにより、概ね５００μｍ×２０μｍのレーザ照射領域（上記した１５μｓのレーザ照射時間中の移動距離を考慮すると、より厳密にはおよそ５００μｍ×２１．５μｍのレーザ照射領域）が２５μｍピッチで形成されることになる。

ここで、正確に２５μｍピッチでレーザ光１０５を照射するには、ステージ２８あるいは多結晶シリコン薄膜基板１００の移動距離を検出して、２５μｍ移動する度にＥＯモジュレータを駆動させればよい。より具体的には、多結晶シリコン薄膜基板１００を載置したステージ２８に、リニアエンコーダあるいはリニアスケールなどの測長器を設置し（図示せず）、あるいはステージ２８の駆動軸にロータリエンコーダを設置し、２５μｍの移動に相当するエンコーダ出力パルスをカウントして、ＥＯモジュレータを駆動するトリガ信号を発生さればよい。この方式では、ステージ２８の速度が多少変動しても、正確に２５μｍピッチで照射することができる。当然、レーザ光１０５を照射している間は、ステージ２８が定速移動することが望ましく、定速移動している場合には一定の時間間隔（上記の場合、２５０μｓ間隔）でＥＯモジュレータを駆動しても良いが、ステージ２８の速度変動・速度むらを考慮すると、移動距離を検出する方式がより望ましいことは明らかである。

図１５に示すように、本実施例では、多結晶シリコン薄膜１０３をエキシマレーザでアニールした基板を用いる。エキシマレーザによるアニールで得られた多結晶シリコン薄膜１０３は、結晶粒径が１ミクロン以下（数１００ｎｍ）の微細な結晶粒１２０、１２１の集合体である。図中に示した領域にレーザ光を照射すると、レーザ照射領域外の微細結晶粒１２０はそのまま残るが、レーザ照射領域内の微細結晶粒（例えば結晶粒１２１）は溶融する。その後、レーザエネルギが低減あるいは照射が停止されることにより、溶融したシリコンは溶融部周辺に残留している結晶粒を種結晶として、種結晶の結晶方位にならった結晶が温度勾配に従って低温側から高温側へ成長して行く。この時の結晶粒の成長速度は結晶方位によって異なるため、最終的には最も成長速度の早い結晶方位を持つ結晶粒だけが残る。即ち、図１６に示すように、成長速度の遅い結晶方位をもつ結晶粒１２２は、周囲の成長速度の早い結晶方位をもつ結晶粒の成長に抑えられ、結晶成長が止まる。また、成長速度が中程度の結晶方位を持つ結晶粒１２３、１２４は成長を続けるが、さらに成長速度の大きい結晶粒の成長に抑えられ、やがて成長が停止する。最終的には成長速度の最も大きな結晶方位を持つ結晶粒１２５、１２６、１２７のみが成長を続ける。これら、最後まで結晶成長が続いた結晶粒１２５、１２６、１２７は、厳密な意味では独立した結晶粒であるが、ほとんど同じ結晶方位を有しており、溶融再結晶した部分は実効的にほぼ単結晶と見なすことができる。レーザ光を上記したように多結晶シリコン薄膜１０３に照射することにより、図１３（ｃ）に示すように、多結晶シリコン薄膜１０３中にレーザ光１０５を照射した部分のみが島状にアニールされて特定の結晶方位を有する結晶粒のみが成長し、厳密な意味では多結晶状態であるが、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域１０６が形成されたことになる。特に、結晶粒界を横切らない方向においては、実質的に単結晶と考えても良い。

多結晶シリコン薄膜基板１００を相対的に走査しながらこの手順を繰り返し、順次アニールの必要な部分にレーザ１０５を照射することにより、ドライバ回路のトランジスタを形成する領域をすべて、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域１０６に変換することができる。更に、単結晶に近い性質を有する領域１０６は図１６に示したように、結晶粒が一定方向に成長しているため、トランジスタを形成した際に、電流が流れる方向と結晶粒の成長方向を一致させることにより、結晶粒界を横切るように電流が流れるのを避けることができる。結晶粒の成長方向は照射するレーザ光１０５のエネルギ密度分布およびレーザ光の走査方向（実際にはステージの走査方向）で制御することができる。即ち、図２１（ｂ）に示すように、エネルギ密度分布に傾きを持たせると、結晶粒はエネルギ密度の低い方（低温側）から結晶化が始まり、エネルギ密度の高い方（高温側）に成長する。また、レーザ光１０５を走査することで、照射領域から外れた部分から温度が低下して結晶化が始まり、レーザ光の走査する方向に結晶が成長して、本実施例によれば、幅方向にはエキシマレーザでアニールして得られた結晶粒径１μｍよりも大きく成長し、長さ方向には１０μｍ以上に成長した大きな結晶粒を得ることができる。

そこで、図１９に示すようにレーザ照射領域３０１のうち、成長速度の速い結晶粒のみで構成された部分が駆動用トランジスタの能動層（活性領域）３０２、３０３となるように、位置合わせすればよい。不純物拡散工程およびフォトエッチング工程を経て、活性領域３０２、３０３以外を除去し、図２０に示すようにフォトレジスト工程により、ゲート絶縁膜を介したゲート電極３０５、オーミックな接続を有するソース電極３０６およびドレイン電極３０６を形成してトランジスタが完成する。ここで、活性領域３０３には結晶粒界３０４、３０４’が存在する。しかし、電流はソース電極３０６とドレイン電極３０７の間を流れるため、電流が結晶粒界３０４、３０４’を横切ることがなく、実質的に単結晶で構成された場合と等価な移動度が得られる。

上記のように本発明のレーザアニールにより溶融再結晶した部分は、電流の流れる方向を、結晶粒界を横切らない方向に一致させることで、その移動度はエキシマレーザによるアニールを行っただけの多結晶シリコン薄膜１０３と比較して、２倍以上に改善することができる。この移動度は、高速に駆動できる液晶のドライバ回路を形成するに十分な値である。

一方、画素部のスイッチング用トランジスタは、エキシマレーザによるアニールを実施しただけの多結晶シリコン薄膜１０３の領域で形成する。エキシマレーザによるアニールで得られた多結晶膜は結晶粒が微細で結晶方向もランダムなため、本発明のレーザアニールで得られた結晶粒に比べて移動度は小さいが、画素部のスイッチング用トランジスタに使用するには十分である。 場合によっては、画素部のスイッチング用トランジスタとして非晶質シリコン膜でも十分に使える。この場合、エキシマレーザによるアニールを、駆動回路を形成する部分のみに限定して行い、その後、本発明のレーザアニール方法を実施すればよい。

上に述べた手順は図２４及び図２５に示すフローチャートにまとめることができる。

即ち、基板上に絶縁膜形成、ａ−Ｓｉ膜形成を行い、エキシマレーザアニールを行った後に本発明のレーザアニールを、駆動回路を形成する部分のみに行う。本発明のレーザアニールを更に詳細に述べると、図２５に示すような手順でエキシマレーザアニールを実施した基板を本発明のレーザアニール装置に搭載し、基板端面あるいは角部でプリアライメントを行い、レーザ加工によりアライメントマークを形成する。このアライメントマークを検出してアライメント（精アライメント）を行った後、設計データに従って駆動回路を形成する部分のみにレーザアニールを実施する。レーザアニール装置に搭載された時点で、フォトレジストプロセスによりアライメントマークが形成されている場合には、プリアライメント、アライメントマーク形成の工程は不要である。所望の領域が全てアニールされるまで繰り返した後、基板を搬出する。この後、図２４のフローチャートに示すように、アライメントマーク１０４、１０４’を基準に、あるいはアライメントマーク１０４、１０４’から算出される原点座標を基準に、フォトエッチング工程により、多結晶シリコン膜の必要な部分のみに島状に残す。その後、フォトレジスト工程により、ゲート絶縁膜形成、ゲート電極形成を経て、不純物拡散、および拡散領域活性化を行う。その後、層間絶縁膜形成、ソース・ドレイン電極形成、保護膜（パッシベーション膜）形成などのフォトレジスト工程を経て、図１４（ａ）に示すように、多結晶シリコン薄膜基板１００に駆動回路１０７、１０７’と画素部１０９が形成され、ＴＦＴ基板が完成する。尚、アライメントマーク１０４、１０４’は本発明のレーザアニールを行った後、少なくとも１回のフォトレジスト工程で位置合わせに用いられる。その後は上記フォトレジスト工程で新たに形成したアライメントマークを使用しても良い。

その後、配向膜形成、ラビングなどの工程を経たＴＦＴ基板に、図１４（ｂ）に示すようにカラーフィルタ１０９を重ねて液晶材料を封入するＬＣＤ工程（パネル工程）、および図１４（ｃ）に示すようにバックライト（図示せず）などと一緒にシャーシ１１０内に組み込むモジュール工程を経て、高速ドライバ回路を有する液晶表示装置が完成する。

本発明のレーザアニールを適用して製造された液晶表示装置を搭載した製品の一例として、図２６（ａ）に示すような液晶テレビ４０１のディスプレイ部、図２６（ｂ）に示すような携帯電話４０２のディスプレイ部、あるいは図２６（ｃ）に示すようなノート形パソコン４０３のディスプレイ部のほか、自動車のダッシュボードに格納される各種計器のディスプレイ部、携帯型ゲーム機のディスプレイ部などが上げられる。

次に、本発明のレーザアニール装置の別な実施例について、図１７を用いて説明する。

本実施例では、複数のパネル２００、２００’、２００”が取得できる大形の基板２０１を載置するステージ２０２と、レーザ照射光学系を備えた複数の光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”と、上記光学鏡筒の各々を独立に位置調整するための調整ステージ２０４（光学鏡筒２０３’、２０３”用の調整ステージは図示せず）と、上記調整ステージ２０４を保持するための架台２０５（図中では一部分を表示）から構成されている。

光学鏡筒２０３内部には図１８に示すように、レーザ発振器２１０、シャッタ２１１、ビームエキスパンダ２１２、ＥＯモジュレータ２１３、ビームホモジナイザ２１４、高速回転拡散板２１５、矩形スリット２１６、対物レンズ２１７、ＣＣＤカメラ２１８、および所望のエネルギ密度分布を得るためのフィルタ２１９等から構成されたレーザ照射光学系が納められている。尚、図１８においては、観察用照明装置、参照光用光源装置、観察用モニタ、拡散板高速回転機構、自動焦点光学系、画像処理装置、制御装置等は省略してあるが、基本的には図１に示した構成を有する。また、各部分の機能については図１に示したレーザアニール装置と同様であり、ここでは詳細には触れない。異なる点は、複数組（図１７においては３組）のレーザ照射光学系がそれぞれ独立の光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”に納められ、それぞれが独立にＸＹＺに移動可能な調整ステージ２０４上に固定されていて、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”が各パネルの同一箇所にレーザ光を照射できるように位置の調整が可能であり、同時に複数箇所をレーザアニールできる点にある。

次に上記したレーザアニール装置によるレーザアニール方法を説明する。基板２０１として、図１３（ａ）に示したように、ガラス基板１０１の１主面に絶縁体薄膜１０２を介して非晶質シリコン薄膜を形成し、エキシマレーザ光を全面走査することで多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた多結晶シリコン薄膜基板１００と同様の構成を有する基板を用いる。ここで、絶縁体薄膜１０２はＳｉＯ_２あるいはＳｉＮあるいはそれらの複合膜である。多結晶シリコン薄膜基板２０１には複数のパネルが形成されるようになっている（図１７においては３パネルが、１基板上に形成される）。

基板２０１をステージ２０２上に載置する。この多結晶シリコン薄膜基板２０１には、各パネル２００、２００’、２００”が形成される領域の複数箇所にアライメントマーク（図示せず）が形成されている。これらアライメントマークは通常、フォトエッチング技術で形成するが、この目的だけでフォトレジスト工程を実施するのは無駄が多い。このため、多結晶シリコン薄膜基板２０１の角部を検出して概略のアライメントを行った後、１つの光学鏡筒（例えば２０３）でレーザアニールに使用するレーザ光を矩形スリット２１６で、例えば縦長と横長の矩形に成形して多結晶シリコン薄膜を除去加工することで順次各パネル２００、２００’、２００”の複数箇所に十字マークを形成し、アライメントマークとすることができる。あるいは各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”を予め設定した基準位置に位置決めした後、同時に各パネル２０３、２０３’、２０３”の複数箇所に十字マークを形成し、アライメントマークとすることができる。

次に、一つの光学鏡筒（例えば２０３）のＣＣＤカメラ２１８で２個所のアライメントマークを順次撮象し、その重心位置を検出して、アライメントマークを基準に設計上の座標に従って、ステージ２０２をＸＹθ3軸で移動させて基板２０１の精アライメントを行う。尚、アライメントマークの検出にアニールを実施するための光学鏡筒のＣＣＤカメラを使用したが、アライメント用光学系を別途設けても良い。この場合、１個の光学系で順次複数のアライメントマークを検出しても良いし、複数の光学系で同時に複数のアライメントマークを検出しても良い。

しかる後、設計上の座標に従い、各パネル２００、２００’、２００”のアライメントマークのうち、各１個所が各光学鏡筒の視野内に入るようにステージ２０２を移動させ、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”のＣＣＤカメラ２１８でアライメントマークを撮像し、その重心が視野中央に一致するよう、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”の調整ステージ２０４で調整する。これにより、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”は基板２０１上に形成されたパネル２００、２００’、２００”の同一個所を照射するように位置調整されたことになる。その後、前述したように設計データに従い、各パネル２００、２００’、２００”の駆動回路の能動層（活性領域）が形成される部分のみにレーザ光を照射して、アニールを行う。照射されるレーザ光は前述したように、ＥＯモジュレータ２１３により任意のパルス波形を有し、ホモジナイザ２１４と必要に応じて透過率フィルタにより所望のエネルギ密度分布を有し、高速回転する拡散板２１５を透過させることにより拡散されて可干渉性を失い、矩形スリット２１６で矩形に成形されて、対物レンズ２１７により集光照射される。必要に応じ、ホモジナイザ２１４からの出力は矩形形状あるいは線状に形成されるように構成される。

レーザ光が照射される領域は、例えば各画素を駆動するためのドライバ回路を形成する部分で、ステージ２０２を駆動させて多結晶シリコン薄膜基板２０１を走査しながら必要な部分のみに順次照射する。この時、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”は自動焦点機構（図示せず）により、各光学鏡筒２０３、２０３’、２０３”を搭載している調整用ステージ２０４をそれぞれ独立にＺ方向に駆動して、全ての対物レンズが基板２０１表面と一定の位置関係になるように制御される。

１枚の基板に小型のパネルが多数並んでいる場合には、数パネルおきにアニールを実施し、１パネル分だけ移動した後、再度アニールを実施する手順を繰り返すことで、全パネルのアニールを行うことができる。即ち、図２２（ａ）に示したように、基板２５１に９列のパネルが形成されていて、３個の光学鏡筒でアニールする場合を例に説明する。

まず、３個の光学鏡筒２５０、２５０’、２５０”で基板２５１の右側から３列毎にアニールを実施する。１列目、４列目、７列目のパネルにアニールが終了して溶融再結晶領域２５２、２５２’、２５２”が形成されると、図２２（ｂ）に示すように、基板２５１を１パネル分だけ右に移動させるか、あるいは光学鏡筒２５０、２５０’、２５０”を１パネル分だけ左に移動させて、２列目、５列目、８列目のパネルにアニールを実施する。同様にさらに１パネル分だけ移動させた後、３列目、６列目、９列目のパネルのアニールを実施して基板２５１のアニールが終了する。必要に応じて、図示した走査方向に直角な方向に走査する場合は、基板２５１を９０度回転しても良いし、レーザ光の幅方向と長手方向を切り換え、走査方向を変えても良い。走査方向を変える場合はまず、図２３（ａ）に示すように、１行目のパネルを各光学鏡筒で２５０、２５０’、２５０”で基板２５１の右から３パネルずつ、アニールを実施して溶融再結晶領域２５４、２５４’、２５４”を形成する。次いで図２３（ｂ）に示すように、走査方向と直交する方向に１パネル分だけステージあるいは光学鏡筒を移動させ、２行目のパネルを３パネルずつアニールする。この手順を必要な回数だけ繰り返して全パネルのアニールを行い終了する。

基板２０１に形成されている多結晶シリコン膜は図１５で説明したように、１ミクロン以下（数１００ｎｍ）の微細結晶粒集合体である。この微細結晶粒集合体にレーザ光を照射すると、レーザ照射領域外の微細結晶粒はそのまま残るが、レーザ照射領域内の微細結晶粒は溶融する。その後、溶融したシリコン膜は溶融部周辺に残留している結晶粒を種結晶として、種結晶の結晶方位にならった結晶が成長して行く。この時の結晶粒の成長速度は結晶方位によって異なるため、最終的には最も成長速度の早い結晶方位を持つ結晶粒だけが残る。即ち、図１６に示すように、成長速度の遅い結晶方位をもつ結晶粒１２２は、成長速度の早い結晶方位をもつ結晶粒の成長に抑えられ、結晶成長が止まる。また、成長速度が中程度の結晶方位を持つ結晶粒１２３、１２４は更に成長を続けるが、成長速度の大きい結晶粒１２５、１２６、１２７の成長に抑えられ、やがて成長が停止する。最終的には成長速度の大きな結晶方位を持つ結晶粒１２５、１２６、１２７のみが成長を続ける。これら、最終的に形成された結晶粒１２５、１２６、１２７は、厳密な意味では独立した結晶粒であるが、ほとんど同じ結晶方位を有しており、溶融再結晶した部分は実効的に単結晶と見なすことができる。即ち、図１３（ｃ）に示すように、多結晶シリコン薄膜１０３中にレーザ光１０５を照射した部分のみが島状にアニールされて特定の結晶方位を有する結晶粒のみが成長し、厳密な意味では多結晶状態であるが、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域１０６が形成されたことになる。

基板２０１を走査しながらこの手順を繰り返し、順次アニールの必要な部分にレーザ光を照射することにより、ドライバ回路のトランジスタを形成する領域をすべて、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域に変換することができる。更に、単結晶に近い性質を有する領域は図１６に示したように、結晶粒が一定方向に成長するため、トランジスタを形成した際に、電流が流れる方向と結晶粒の成長方向を一致させることにより、電流が結晶粒界を横切るのを避けることができる。結晶粒の成長方向は照射するレーザ光のエネルギ分布およびレーザ光の走査方向（実際にはステージの走査方向）で制御することができる。即ち、エネルギ密度分布に傾きを持たせると、エネルギ密度の低い方（低温側）から結晶化が始まりエネルギ密度の高い方（高温側）に成長する。

また、レーザ光を走査することで、照射領域が移動して照射領域から外れた部分から温度低下が始まるために結晶化が始まり、レーザ光の走査する方向に結晶が成長して、本実施例によれば、幅方向にはエキシマレーザでアニールして得られた結晶粒径１μｍよりも大きく成長し、長さ方向には１０μｍ以上に成長した大きな結晶粒を得ることができる。本実施例によれば、１０μｍ以上の大きな結晶粒を得ることができる。そこで、図１９に示すようにレーザ照射領域３０１のうち、成長速度の速い結晶粒のみで構成された部分が駆動用トランジスタの能動層（活性領域）３０２、３０３となるように、位置合わせすればよい。不純物拡散工程およびフォトエッチング工程を経て、活性領域３０２、３０３以外を除去し、図２０に示すようにフォトレジスト工程により、ゲート絶縁膜を介したゲート電極３０５、オーミックな接続を有するソース電極３０６およびドレイン電極３０７を形成してトランジスタが完成する。ここで、活性領域３０３には結晶粒界３０４、３０４’が存在する。しかし、電流はソース電極３０６とドレイン電極３０７の間を流れるため、電流が結晶粒界３０４、３０４’を横切ることがなく、実質的に単結晶で構成された場合と等価な移動度が得られる。即ち、溶融再結晶した部分の移動度はエキシマアニールを行っただけの多結晶シリコン薄膜と比較して２倍以上に改善することができ、これにより高速に駆動できる液晶のドライバ回路を、ＴＦＴ基板上に形成することができる。

なお、図２０に示したトランジスタは１例を示したに過ぎず、これに限定させるものではない。トランジスタとして種々の構造が可能であるが、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の構造のトランジスタを形成可能であることは明らかである。

一方、画素部のスイッチング用トランジスタはエキシマレーザによるアニールを実施しただけの多結晶シリコン薄膜１０３の領域で形成する。即ち、アライメントマークを基準に、あるいはアライメントマークから算出される原点座標を基準に、ゲート絶縁膜形成、ゲート電極形成、不純物拡散、拡散領域の活性化、ソース・ドレイン電極形成、パッシベーション膜形成等のためのフォトレジストプロセスを経て、ＴＦＴ基板が完成する。尚、フォトレジスト工程におけるアライメントマークとして、レーザ加工により形成したアライメントマークを少なくとも１回のフォトレジストプロセスで位置合わせに用い、その後は上記フォトレジストプロセスで新たに形成したアライメントマークを使用しても良い。

この後、完成したＴＦＴ基板に配向膜を形成し、ラビング工程を経たＴＦＴ基板に、カラーフィルタを重ねて液晶を封入するＬＣＤ（パネル）工程、バックライトなどと一緒にシャーシに組み込むモジュール工程を経て、高速ドライバ回路をガラス基板上に形成した液晶表示装置（いわゆるシステム・オン・パネル）が完成する。

本発明の１実施例のレーザアニール装置の概略構成を示す正面図である。 本発明の１実施例に用いたＥＯモジュレータの斜視図である。 本発明の１実施例に用いたＥＯモジュレータの斜視図である。 ＥＯモジュレータにおける印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。 ＥＯモジュレータにおける、レーザ入力と印加電圧とレーザ出力の関係を示すグラフである。 本発明の１実施例に用いた透過率連続可変フィルタの平面図である。 Ｐ偏光の入射角と反射率の関係を示すグラフである。 本発明の１実施例に用いた複数枚の透明基板を使用した透過率連続可変フィルタの平面図である。 本発明の１実施例におけるビームホモジナイザの正面の断面図と光の入射側と出射側とのエネルギ分布を示すグラフである。 本発明の１実施例におけるカライドスコープの正面の断面図と光の入射側と出射側とにおけるエネルギ分布を示すグラフである。 本発明の１実施例における、矩形スリットと対物レンズと試料の位置関係を示す正面図である。 本発明の１実施例であるレーザアニール装置において、可干渉性レーザ光を投影した場合のエネルギ分布を示すグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、何れも本発明の１実施例におけるレーザアニール方法の手順を説明する基板の斜視図である。 本発明の１実施例におけるアニール方法を実施する前の結晶状態を示す平面図である。 本発明の１実施例においてアニール方法を実施した後の結晶状態を示す平面図である。 本発明の別な実施例におけるレーザアニール装置の概略構成を示す斜視図である。 本発明の別な実施例におけるレーザアニール装置のレーザ照射光学系の概略構成を示す斜視図である。 本発明によるレーザアニール方法を実施した領域と駆動回路活性領域の位置関係を示す基板の平面図である。 本発明によるレーザアニール方法を実施して形成された駆動回路用トランジスタの構成を示す基板の平面図である。 （ａ）本発明によるレーザアニール方法における照射レーザ光のエネルギ分布を３次元的に示す図、（ｂ）照射レーザ光の幅方向のエネルギ密度を示す図、（ｃ）照射レーザ光の長手方向のエネルギ密度を示す図、（ｄ）レーザ光のエネルギの時間変化を示す説明する図である。 （ａ）及び（ｂ）本発明の他の実施例におけるレーザアニール方法の走査方法を説明する基板の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）本発明の他の実施例におけるレーザアニール方法の走査方法を説明する基板の平面図である。 本発明のレーザアニール方法を適用した液晶表示装置製造工程を示すフローチャートである。 本発明のレーザアニール工程を示すフローチャートである。 （ａ）〜（ｃ）は、何れも本発明によるレーザアニールを適用したＴＦＴ基板で構成された液晶表示装置の適用製品例を示す斜視図である。 （ａ）液晶テレビの斜視図、（ｂ）携帯電話の斜視図、（ｃ）ノート形パソコンの斜視図である。

符号の説明

１……防振定盤
２……レーザ光
３……レーザ発振器
４……シャッタ
５……ビームエキスパンダ
６……ＥＯモジュレータ
７……透過率連続可変フィルタ
８……ビームホモジナイザ
１３……拡散板
１５……電動矩形スリット
２５……対物レンズ
２８……ステージ
６１……ポッケルス・セル
６２……偏光ビームスプリッタ
７１、７２……石英版
８１……ロッドレンズ
８５……カライドスコープ
１０１……ガラス基板
１０２……絶縁物薄膜
１０３……多結晶シリコン薄膜
１０４、１０４’……アライメントマーク
１０６……溶融再結晶領域
１０７、１０７’……駆動回路
１０８……画素部
１０９……カラーフィルタ
１１０……シャーシ
１２０、１２１……微細結晶粒
１２５、１２６、１２７……レーザアニールにより成長した結晶粒
２０３、２０３’、２０３”……光学鏡筒
２０４……光学鏡筒調整用ステージ
３０１……レーザ照射領域
３０２、３０３……活性領域
３０４、３０４’……結晶粒界
３０５……ゲート電極
３０６……ソース電極
３０７……ドレイン電極
４０１……液晶テレビ
４０２……携帯電話
４０３……ノート形パソコン

Claims (8)

1. 基板上に形成した非晶質半導体膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶半導体膜に改質し、
   前記基板を相対的に走査しながら、形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光を走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して局所的な帯状結晶領域を形成するとともに、当該帯状結晶領域を形成する領域以外では前記連続発振レーザ光を遮断し、前記多結晶半導体膜に対して断続的に前記連続発振レーザ光を照射することによって、前記多結晶半導体膜に局所的な帯状結晶領域を形成し、
   該帯状結晶領域に第１の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第２の薄膜トランジスタをそれぞれ形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 基板上に形成した非晶質半導体膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶半導体膜に改質する工程と、
   前記基板を相対的に走査しながら、前記多結晶半導体膜に形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光を走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して複数の帯状結晶領域を形成する工程と、
   該帯状結晶領域に第１の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第２の薄膜トランジスタをそれぞれ形成する工程とを備え、
   前記帯状結晶領域に挟まれた領域が多結晶半導体膜となるように前記連続発振レーザ光を断続的に照射することを特徴とする表示装置の製造方法。
3. 基板上に絶縁膜を介して形成された非晶質半導体膜の所望の領域に第１のレーザを照射して該非結晶半導体膜を多結晶半導体膜に改質する工程と、
   前記半導体膜の複数の箇所に形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光である第２のレーザを照射してアライメント用マークを形成する工程と、
   前記基板を相対的に走査しながら前記多結晶半導体膜の所望の領域のみに前記第２のレーザを走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して局所的な帯状結晶領域を形成するとともに、前記所望の領域以外では前記第２のレーザを遮断し、前記第２のレーザを断続的に照射することによって前記多結晶半導体膜に局所的な帯状結晶領域を形成する工程と、
   該帯状結晶領域に第１の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第２の薄膜トランジスタをそれぞれ形成する工程とを備え、
   少なくとも前記アライメント用マーク形成工程の後の最初のフォトレジスト工程において、前記アライメント用マークをフォトマスクの位置合わせに用いることを特徴とする表示装置の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記第１のレーザはエキシマレーザであることを特徴とする表示装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   前記表示装置は画素部と駆動回路を有し、
   前記画素部に前記第２の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記表示装置は画素部と駆動回路を有し、
   前記駆動回路に前記第１の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
7. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記連続発振レーザ光は、ＥＯモジュレータを用いて時間的に強度変調されてなることを特徴とする表示装置の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記帯状結晶領域が、前記基板の走査方向と略平行な方向に結晶粒が成長してなることを特徴とする表示装置の製造方法。

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