JP4637147B2 - 段差付きミラーを利用したパターニング用デバイス、及びそれを使用する方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置は例えばフラットパネルディスプレイや集積回路（ＩＣ）、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。従来は例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニング用デバイスを使用して、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の各層に対応した回路パターンを形成する。このパターンは、基板に塗布された照射感応材料（レジスト）層への像形成により基板（例えばガラスプレート）の全体または一部に転写される。

パターニング手段を使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを形成する場合もある。パターニング用デバイスは、それぞれ個別に制御可能である素子の配列（以下「個別制御可能素子アレイ」という場合もある）を備えるパターニングアレイをマスクの代わりに備えてもよい。このような方式ではマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを変更することができる。

フラットパネルディスプレイの基板は通常長方形である。この種の基板を露光するための露光装置は、長方形基板の幅全体またはその一部（例えば全幅の半分）をカバーする露光空間を有するように設計される。この露光空間の最下部で基板が走査されるとともに、マスク又はレチクルが基板の走査に同期してビームに対し走査される。このようにして基板にパターンが転写される。露光空間が基板の幅全体をカバーする場合には１回の走査で露光が完了する。露光空間が例えば基板の幅の半分をカバーする場合には、１回目の露光後に横方向に基板を移動させ、通常は基板の残りを露光するための走査をもう一度行う。

パターニング用デバイスにより形成される（基板から見上げたときの）空間像は、基板表面に関してテレセントリックではないことがある。あるいは、非均一な強度プロファイルを有することもあるし、偏光プロファイルが非均一であることもあるし、他の同種の光学特性に「誤差」があることもある。パターニング用デバイスに形成される個別制御可能素子アレイ内部の各個別制御可能素子を制御することにより通常は、上述のパラメタのうち１つが補正される。ところが、これらのパラメタのうち２つ以上を補正するには、アレイ内部の複数の個別制御可能素子が１組として制御される。個別制御可能素子の各組は例えば２つ、３つ、または４つの個別制御可能素子を含む。これをスーパーピクセルと呼ぶこともある。しかし、たとえこれらの組またはスーパーピクセルを用いたとしても、光学特性の誤差を低減することができるだけであり、必ずしも完全に除去することはできないことがある。さらに、マスク利用時の多様なパターン（例えば位相シフトマスクやレベンソン型位相シフトマスク）がマスクレスのリソグラフィシステムで有効にエミュレートされることが望ましい。

そこで、より有効なパターニング用デバイスのアーキテクチャ及び制御構造が求められている。

本発明の一実施形態によれば、放射ビームにパターンを付与するパターニング用デバイスが提供される。このパターニング用デバイスは、制御部と段差付きミラーのアレイとを備える。このアレイは複数の段差付きミラーを含む組を複数備え、段差付きミラーは制御部により互いに関連して制御される。各組において隣接する段差付きミラーは互いに垂直な回転軸及び互いに垂直な段差を有する。

本発明の他の実施形態によれば、パターンが付与された放射ビームは対象物に投影される。例えば、対象物はリソグラフィシステムによりパターンが付与される基板（例えば半導体基板またはフラットパネルディスプレイ基板）であってもよいし、ディスプレイデバイスであってもよい。

本発明の更なる実施形態によれば、以下のステップを備える方法が提供される。４つの段差付きミラーの組に含まれ第１の段差位置及び第１の回転方向を有する第１の段差付きミラーを第１の回転角度まで回転させる。その組に含まれ第２の段差位置及び第２の回転方向を有する第２の段差付きミラーを前記第１の回転角度まで回転させる。その組に含まれ第３の段差位置及び第３の回転方向を有する第３の段差付きミラーを前記第１の回転角度と大きさが等しく逆方向の第２の回転角度まで回転させる。その組に含まれ第４の段差位置及び第４の回転方向を有する第４の段差付きミラーを前記第２の回転角度まで回転させる。

本発明の更なる実施形態によれば、上述の回転ステップは放射ビームにパターンを付与するのに用いられる。パターンが付与されたビームは対象物に投影される。例えば、対象物はリソグラフィシステムによりパターンが付与される基板（例えば半導体基板またはフラットパネルディスプレイ基板）であってもよいし、ディスプレイデバイスであってもよい。

本発明の更なる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付図面を参照して以下に詳細に説明される。

本明細書は本発明の特徴を組み入れた１つまたは複数の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明の例示にすぎない。本発明の範囲は開示された実施形態には限定されない。本発明は添付の請求項により定義される。

以下で「一実施形態」、「一実施例」等の表現を用いる場合には、実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含んでもよいことを示すにすぎないものであり、当該特徴、構造または特性がすべての実施形態に含まれなければならないことを意味するのではない。またこれらの表現は同一の実施形態を必ずしも指し示すものでもない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合には、明示的に説明されているか否かによらず当業者の知識により他の実施形態においても当該特徴、構造または特性が有効であるものと理解されたい。

本発明の実施形態は、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはこれらの組合せの形式で具現化されてもよい。本発明の実施形態は、１つまたは複数のプロセッサにより読取かつ実行可能である機械読取可能媒体に記憶された命令として具現化されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えばコンピュータ）により読取可能な形式で情報を記憶または伝送するいかなる機構も含んでもよい。例えば、機械読取可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記録媒体、光記録媒体、フラッシュメモリ装置、電気的または光学的または音響的またはその他の信号伝送形式（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、またはその他を含んでもよい。また以下では、ファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令はある動作を実行するためのものとして記述されていてもよい。しかしこれらの記述は単に簡便化のためであり、これらの動作はそのファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令等を実行する演算装置、プロセッサ、コントローラ、または他の装置により実際に得られるものと理解されたい。

図１は本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。この装置は、照明光学系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、基板テーブルＷＴ、及び投影光学系ＰＳを備える。照明光学系（照明器）ＩＬは放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調整するよう構成されている。

なお、本明細書においてはリソグラフィを対象としているが、本発明の範囲から逸脱することなくパターニング用デバイスをディスプレイシステム（例えばＬＣＤテレビジョンまたはＬＣＤプロジェクタ）により形成することも可能である。よって、パターンが付与された投影ビームは、例えば基板やディスプレイデバイス等のさまざまな対象物に投影することができる。

基板テーブルＷＴは、基板（例えばレジストが塗布された基板）Ｗを支持するよう構成されており、あるパラメタに従って基板を正確に位置決めする位置決め装置ＰＷに接続されている。

投影光学系（例えば屈折投影レンズ光学系）ＰＳは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている。本明細書では投影光学系または投影系という用語は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影光学系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影光学系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である投影光学系または投影系という用語と同義に用いられ得る。

照明光学系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。

パターニング用デバイスＰＤ（例えばレチクル、マスク、または個別制御可能素子アレイ）はビームを変調する。普通は個別制御可能素子アレイは投影光学系ＰＳに対して位置が固定されるが、あるパラメタに従って該アレイを正確に位置決めする位置決め装置に接続されていてもよい。

本明細書において「パターニング用デバイス」または「コントラストデバイス」なる用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成する等、放射ビーム断面を変調するのに用い得るいかなるデバイスをも示すよう広く解釈されるべきである。これらのデバイスは静的なパターニング用デバイス（例えばマスクやレチクル）であってもよいし、動的なパターニング用デバイス（例えばプログラム可能な素子の配列）であってもよい。簡単のために本説明のほとんどは動的パターニング用デバイスの観点でなされているが、本発明の範囲を逸脱することなく静的パターニング用デバイスを用いることも可能であるものと理解されたい。

放射ビームに付与されるパターンは、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを例えば含む場合には基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。また、基板に最終的に形成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ上に形成されるパターンにどの時点においても一致しないようになっていてもよい。このような事態は、基板の各部に形成される最終的なパターンが所定時間または所定回数の露光の重ね合わせにより形成され、かつこの所定の露光中に個別制御可能素子アレイ上のパターン及び／またはアレイと基板との相対位置が変化する場合に起こりうる。

通常、基板の目標部分に生成されるパターンは、その目標部分に生成されるデバイス例えば集積回路やフラットパネルディスプレイの特定の機能層に対応する（例えばフラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層）。パターニング用デバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、ＬＥＤアレイ、グレーティングライトバルブ、及びＬＣＤアレイなどがある。

電子的手段（例えばコンピュータ）によりパターンをプログラム可能であるパターニング用デバイスは、例えば複数のプログラム可能な素子を含むパターニング用デバイス（例えば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。一実施例ではパターニング用デバイスは少なくとも１０個のプログラム可能な素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラム可能な素子を備えてもよい。

プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層と反射表面とを有するマトリックス状のアドレス指定可能な表面を備えてもよい。この装置の基本的な原理は例えば、反射表面のうちアドレス指定されている区域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていない区域が入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射光ビームから非回折光を取り除いて回折光だけを基板に到達させるようにすることができる。このようにして、マトリックス状のアドレス指定可能表面にアドレス指定により形成されるパターンに従ってビームにパターンが付与される。

なお代替例として、回折光をフィルタにより取り除いて基板に非回折光を到達させるようにしてもよい。

同様にして回折光学ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイスを用いることもできる。一例としては、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するよう変形される複数の反射性のリボン状部位を備える。

プログラマブルミラーアレイの他の例においては、マトリックス状の微小ミラーの配列が用いられる。各微小ミラーは局所的に電界を適宜付与されることによりまたは圧電駆動手段を使用することにより各々が独立に軸周りに傾斜しうる。繰り返しになるが、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能に構成されており、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにしてマトリックス状のアドレス指定可能なミラーにより形成されるパターンに従って反射ビームにパターンが付与されうる。必要とされるマトリックス状アドレス指定は、適宜の電子的手段を使用して実行することができる。

パターニング用デバイスＰＤの他の例はプログラム可能なＬＣＤアレイである。

露光装置は１つ以上のコントラストデバイスを備えてもよい。例えば、露光装置は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、それぞれのアレイが互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別制御可能素子アレイのうちのいくつかのアレイまたはすべてのアレイが少なくとも１つの照明光学系（または照明光学系の一部）を共有していてもよい。斯かるアレイは当該アレイ用の支持構造及び／または投影光学系（または投影光学系の一部）を共有していてもよい。

一実施例としては、図１に示される実施形態のように、基板Ｗは実質的に円形状である。基板Ｗは周縁部にノッチ及び／または平坦部を有していてもよい。一実施例としては、基板は例えば長方形などの多角形形状でもよい。

基板の形状が実質的に円形の場合、基板の直径は少なくとも２５ｍｍであってもよく、または例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍであってもよい。一実施例では、基板の直径は長くても５００ｍｍ、長くても４００ｍｍ、長くても３５０ｍｍ、長くても３００ｍｍ、長くても２５０ｍｍ、長くても２００ｍｍ、長くても１５０ｍｍ、長くても１００ｍｍ、または長くても７５ｍｍである。

基板が例えば長方形などの多角形の場合、基板の少なくとも１辺の長さ、または例えば少なくとも２辺または少なくとも３辺の長さが、少なくとも５ｃｍであってもよく、または例えば少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍであってもよい。

一実施例では、基板の少なくとも１辺の長さが、長くても１０００ｃｍ、または例えば長くても７５０ｃｍ、長くても５００ｃｍ、長くても３５０ｃｍ、長くても２５０ｃｍ、長くても１５０ｃｍ、または長くても７５ｃｍである。

一実施例においては、基板Ｗはウエハであり、例えば半導体ウエハである。一実施例ではウエハの材料は、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＳｉＧｅＣ（シリコンゲルマニウムカーボン）、ＳｉＣ(炭化ケイ素)、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)、ＩｎＰ（インジウムリン）、ＩｎＡｓ（インジウムヒ素）から成るグループから選択される。一実施例ではウエハは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ、シリコンウエハ、セラミック基板、ガラス基板、またはプラスチック基板である。一実施例では基板は透明であってもよいし（ヒトの裸眼で）、有色であってもよいし、無色であってもよい。

この基板の厚さは例えば基板材料及び／または基板寸法に応じてある程度変更される。一実施例では、基板の厚さは、少なくとも５０μｍであり、または例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、例えば厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍである。

基板は露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板に設けられる。

投影系は、個別制御可能素子アレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投影系は二次光源の像を形成してもよく、この場合個別制御可能素子アレイの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系は、例えば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、例えばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。合焦用素子のアレイ（例えばＭＬＡ）は少なくとも１０個の合焦用素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個の合焦用素子を備えてもよい。

パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。合焦用素子のアレイにおける１つ以上（例えばたいていは各アレイにつき１０００以上）の合焦用素子は、個別制御可能素子アレイにおける１つ以上（例えば２つ以上、または３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上）の個別制御可能素子に光学的に連関していてもよい。

ＭＬＡは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向に例えば１以上のアクチュエータを用いて移動可能であってもよい。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができる場合には、基板を動かすことなく例えば焦点合わせをすることが可能となる。

図１及び図２に示されるように本装置は反射型（例えば反射型の個別制御可能素子アレイを用いる）である。透過型（例えば透過型の個別制御可能素子アレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。

露光装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルを備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。

露光装置は、基板の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、例えばパターニング用デバイスと投影系との間などの露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。

図１に示されるように照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源により、少なくとも５ｎｍ、または例えば少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１乃至１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射が供される。また、放射源ＳＯにより供される放射は、長くても４５０ｎｍ、または例えば長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍ、または長くても１７５ｎｍの波長を有する。この放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／または１２６ｎｍの波長を含む。

例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。

照明器ＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。照明器ＩＬ及び追加の関連構成要素は放射ビームを複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。例えば各分割ビームが個別制御可能素子アレイにおける１つまたは複数の個別制御可能素子に対応するように構成してもよい。放射ビームを分割ビームに分割するのに例えば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム」という用語は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含するが、これに限定されないものとする。

放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤ（例えば、個別制御可能素子アレイ）に入射して、当該パターニング用デバイスにより変調される。放射ビームはパターニング用デバイスＰＤにより反射され、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。また、個別制御可能素子アレイ用の位置決め手段が設けられ、例えば走査中にビームＢの経路に対してパターニング用デバイスＰＤの位置を正確に補正するために用いられてもよい。

一実施例では、基板テーブルＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図１には明示されていない。一実施例ではショートストロークモジュールを省略してもよい。個別制御可能素子アレイを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／または個別制御可能素子アレイの位置を固定する一方、放射ビームＢを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置の大きさを小さくするのに役立ち得る。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投影系ＰＳを固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように構成してもよい。例えば基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度で基板Ｗを走査させるための機構を備えてもよい。

図１に示されるように放射ビームＢはビームスプリッタＢＳによりパターニング用デバイスＰＤに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタＢＳは、放射ビームがまずビームスプリッタＢＳにより反射されてパターニング用デバイスＰＤに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームをパターニング用デバイスに入射させるようにすることもできる。放射ビームは０度から９０度の間の角度でパターニング用デバイスに入射する。または例えば５度から８５度の間、１５度から７５度の間、２５度から６５度の間、または３５度から５５度の間の角度であってもよい（図１には９０度の例が示されている）。パターニング用デバイスＰＤは放射ビームＢを変調し、再度ビームスプリッタＢＳに向かって戻るように放射ビームＢを反射する。ビームスプリッタＢＳは変調されたビームを投影系ＰＳへと透過させる。しかしながら放射ビームＢをパターニング用デバイスＰＤに入射させ、そのまま更に投影系ＰＳに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニング用デバイスが用いられる場合には図１に示される構成は必要とはされない。

図示の装置はいくつかのモードで使用することができる。

１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。

３．パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Ｗの目標部分Ｃにパターンの全体が投影される。基板テーブルＷＴが実質的に一定の速度で移動して、ビームＢは基板上を線状に走査させられる。個別制御可能素子アレイ上のパターンは放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数の目標部分Ｃが連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の１つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームＢにより基板Ｗが走査されることになる。この短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Ｗは完全に露光される。

４．連続スキャンモードは基本的にパルスモードと同様である。異なるのは、変調された放射ビームＢに対して基板Ｗが実質的に等速で走査され、ビームＢが基板Ｗ上を走査し露光しているときに個別制御可能素子アレイ上のパターンが更新されることである。個別制御可能素子アレイのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。

５．ピクセルグリッド結像モードでは、基板Ｗに形成されるパターンはスポット状の露光を連続的に行うことにより実現される。このモードは図２のリソグラフィ装置を使用して実現することができる。このスポット状の露光はスポット発生器により形成され、パターニング用デバイスＰＤへと向けられる。スポット状の露光はそれぞれ実質的に同形状である。基板Ｗ上には露光スポットが実質的に格子状（グリッド状）に転写される。このスポットの寸法は転写されるピクセルグリッドのピッチよりも大きいが、毎回の露光時に露光スポットが形成する格子の大きさよりはかなり小さい。転写されるスポットの強度を変化させることによりパターンが形成される。露光照射の合間に各スポットの強度分布が変更される。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。

リソグラフィでは基板上のレジスト層にパターンが露光される。そしてレジストが現像される。続いて追加の処理工程が基板に施される。基板の各部分へのこれらの追加の処理工程の作用は、レジストへの露光の程度によって異なる。特にこの処理は、所与の線量閾値を超える照射量を受けた基板の部位が示す反応と、その閾値以下の照射量を受けた部位が示す反応とが異なるように調整されている。例えば、エッチング工程においては上記の閾値を超える照射量を受けた基板上の区域は、レジスト層が現像されることによりエッチングから保護される。一方、この閾値以下の照射量を受けたレジストは露光後の現像工程で除去され、基板のその区域はエッチングから保護されない。このため、所望のパターンにエッチングがなされる。特に、パターニング用デバイス内の個別制御可能素子は、パターン図形内部となる基板上の区域での露光中の照射量が線量閾値を超えるように実質的に高強度であるように設定される。基板の他の領域は、ゼロまたはかなり低い放射強度を受けるように対応の個別制御可能素子が設定されることにより、線量閾値以下の放射を受ける。

実際には、パターン図形端部での照射量は所与の最大線量からゼロへと急激に変化するわけではない。この照射量は、たとえ図形の境界部分の一方の側への放射強度が最大となり、かつその図形境界部分の他方の側への放射強度が最小となるように個別制御可能素子が設定されていたとしても急激には変化しない。回折の影響により、照射量の大きさは移行領域を介して低下するからである。パターン図形の境界位置は最終的にレジストの現像により形成される。その境界位置は、照射された線量が閾値を下回る位置によって定められる。この移行領域での線量低下のプロファイル、ひいてはパターン図形の境界の正確な位置は、当該図形境界上または近傍に位置する基板上の各点に放射を与える個別制御可能素子の設定により、より正確に制御できるであろう。これは、強度レベルの最大値または最小値を制御するだけではなく、当該最大値及び最小値の間の強度レベルにも制御することによっても可能となるであろう。これは通常「グレイスケーリング」と呼ばれる。

グレイスケーリングによれば、個別制御可能素子により基板に２値の放射強度（つまり最大値と最小値）だけが与えられるリソグラフィシステムよりも、パターン図形の境界位置の制御性を向上させることができる。少なくとも３種類の放射強度が基板に投影されてもよく、または例えば少なくとも４種類の放射強度でも、少なくとも８種類の放射強度でも、少なくとも１６種類の放射強度でも、少なくとも３２種類の放射強度でも、少なくとも６４種類の放射強度でも、少なくとも１２８種類の放射強度でも、少なくとも２５６種類の放射強度でもよい。

グレイスケーリングは上述の目的に加えてまたは上述の目的に代えて使用されてもよい。例えば、照射された線量レベルに応じて基板の各領域が２種以上の反応を可能とするように、露光後の基板への処理が調整されていてもよい。例えば、第１の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第１の種類の反応が生じ、第１の線量閾値以上で第２の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第２の種類の反応が生じ、第２の線量閾値以上の放射を受けた基板の部位では第３の種類の反応が生じるようにしてもよい。したがって、グレイスケーリングは、基板上での線量のプロファイルが２以上の望ましい線量レベルを有するようにするのに用いることができる。一実施例では、この線量プロファイルは少なくとも２つの所望の線量レベルを有し、または例えば少なくとも３つの所望の線量レベル、少なくとも４つの所望の線量レベル、少なくとも６つの所望の線量レベル、または少なくとも８つの所望の線量レベルを有してもよい。

線量プロファイルの制御は、上述のように基板上の各点が受ける放射強度を単に制御するという方法以外の方法によっても可能である。例えば、基板上の各点が受ける照射量は、各点への露光時間を代替的にまたは追加的に制御することによっても制御することができる。他の例として、基板上の各点は、連続的な複数回の露光により放射を受けてもよい。このような連続的複数露光から一部の露光を選択して照射することにより代替的にまたは追加的に各点が受ける照射量を制御することが可能となる。

図２は、本発明に係る露光装置の一例を示す図である。この実施例は例えばフラットパネルディスプレイの製造に用いることができる。図１に示される構成要素に対応するものには図２においても同じ参照符号を付している。また、基板やコントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームなどについてのさまざまな構成例などを含む上述のさまざまな変形例は同様に適用可能である。

図２に示されるように、投影系ＰＳは、２つのレンズＬ１、Ｌ２を備えるビームエキスパンダを含む。第１のレンズＬ１は、変調された放射ビームＢを受け、開口絞りＡＳの開口部で合焦させる。開口部には他のレンズＡＬを設けてもよい。そして放射ビームＢは発散し、第２のレンズＬ２（例えばフィールドレンズ）により合焦させられる。

投影系ＰＳは、拡大された変調放射ビームＢを受けるように構成されているレンズアレイＭＬＡをさらに備える。変調放射ビームＢの異なる部分はそれぞれレンズアレイＭＬＡの異なる部分を通過する。この変調放射ビームＢの異なる部分はそれぞれ、パターニング用デバイスＰＤの１つ以上の個別制御可能素子に対応している。各レンズは変調放射ビームＢの各部分を基板Ｗ上の点に合焦させる。このようにして基板Ｗ上に照射スポットＳの配列が露光される。図示されているレンズアレイには８つのレンズ１４が示されているだけであるが、レンズアレイは数千のレンズを含んでもよい（パターニング用デバイスＰＤとして用いられる個別制御可能素子アレイについても同様である）。

図３は、本発明の一実施形態に係り、図２のシステムを用いて基板Ｗ上にどのようにパターンが生成されるのかを模式的に示す図である。図中の黒丸は、投影系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板に投影されるスポットＳの配列を示す。基板は、基板上での露光が進むにつれて投影系に対してＹ方向に移動する。図中の白丸は、基板上で既に露光されている露光スポットＳＥを示す。図示されるように投影系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板に投影された各スポットは基板上に露光スポット列Ｒを形成する。各スポットＳＥの露光により形成される露光スポット列Ｒがすべて合わさって、基板にパターンが完全に形成される。上述のようにこのような方式はよく「ピクセルグリッド結像」と称される。

照射スポットＳの配列が基板Ｗに対して角度θをなして配置されている様子が示されている（基板Ｗの端部はそれぞれＸ方向及びＹ方向に平行である）。これは、基板が走査方向（Ｙ方向）に移動するときに、各照射スポットが基板の異なる領域を通過するようにするためである。これにより、照射スポット１５の配列により基板の全領域がカバーされることになる。角度θは大きくても２０°または１０°であり、または例えば大きくても５°、大きくても３°、大きくても１°、大きくても０．５°、大きくても０．２５°、大きくても０．１０°、大きくても０．０５°、または大きくても０．０１°である。角度θは小さくても０．００１°である。

図４は、本発明の一実施形態において、どのようにしてフラットパネルディスプレイ基板Ｗ全体が複数の光学エンジンを用いて１回の走査で露光されるのかを模式的に示す図である。この例では照射スポットＳの配列ＳＡが８つの光学エンジン（図示せず）により形成される。光学エンジンはチェス盤のような配列で２つの列Ｒ１、Ｒ２に配置されている。照射スポットの配列の端部が隣接の照射スポット（例えば図３のスポットＳ）の配列の端部に（走査方向であるＹ方向において）少し重なるように形成される。一実施例では光学エンジンは少なくとも３列、例えば４列または５列に配列される。このようにして、照射の帯が基板Ｗの幅を横切って延び、１回の走査で基板全体の露光が実現されることとなる。光学エンジンの数は適宜変更してもよい。一実施例では、光学エンジンの数は少なくとも１個であり、または例えば少なくとも２個、少なくとも４個、少なくとも８個、少なくとも１０個、少なくとも１２個、少なくとも１４個、または少なくとも１７個である。一実施例では、光学エンジンの数は４０個未満であり、または例えば３０個未満または２０個未満である。

各光学エンジンは、上述の照明系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、及び投影系ＰＳを別個に備えてもよい。あるいは２個以上の光学エンジンが１以上の照明系、パターニング用デバイス、及び投影系の少なくとも一部を共有してもよい。

図５は、４つの個別制御可能素子５０２乃至５０８からなる組５００のうちの１つを示す図である。個別制御可能素子５０２乃至５０８は互いに関連して制御される。組５００はパターニング用デバイス（図示せず）上に形成される。この実施例では、個別制御可能素子５０２、５０４、５０６、５０８は段差付きミラーである。これらのミラーは、回転軸まわりに回転可能に固定されている。回転方向は図において矢印で示されており、各ミラーは＋θまたは−θの範囲で回転する。この図では、個別制御可能素子５０２乃至５０８はすべてＸ軸まわりに回転する。回転を停止するときの回転角θは、許容された角度範囲に含まれる正の回転角または負の回転角のうちのいずれかとすることができる。一実施例では、ミラー５０２乃至５０８はアルミニウムで形成されていてもよいし、アルミニウムで被覆された他の材料（例えばシリコンカーバイド）で形成されていてもよい。段差５１０、５１２、５１４、５１６は波長（λ）の４分の１の段差である。段差付きミラー５０２乃至５０８は、同一の輪郭形状及び断面構造を有する。各組５００において４つの段差付きミラー５０２乃至５０８を、段差配置及び回転角の正負を交互にするよう構成して各ミラーを個別的に制御することにより、最大４つの光学特性を補正することができる。この構成によれば、光学特性の誤差を実質的に低減することが可能となる。しかし、誤差を完全に除去することはできないかもしれない。また、例えばレベンソン型位相シフトマスクのようなある種のマスクをエミュレートすることもできないかもしれない。

また、組５００の作用は照明ビームＢの偏光によって異なる。データパスにより、ビームＢの両方の偏光成分（例えばＴＥ偏光及びＴＭ偏光）に対して異なる傾斜角の組み合わせ（解）が計算される。これは、各段差付きミラーでの反射特性が偏光成分により異なるからである。偏光照明（例えば４極照明）においてはこれは問題である。

図６は、４つの個別制御可能素子６０２乃至６０８からなる組６００のうちの１つを示す図である。個別制御可能素子６０２乃至６０８は互いに関連して制御される。組６００はパターニング用デバイス（図示せず）上に形成される。この実施例では、個別制御可能素子６０２、６０４、６０６、６０８は段差付きミラーである。これらのミラーは、回転軸まわりに回転可能に固定されている。回転方向は図において矢印で示されており、回転角θが示されている。この図では、素子６０２及び６０６はＸ軸まわりに回転し、素子６０４及び６０８はＸＹ平面に関して回転する。回転角θは、許容された角度範囲に含まれる多種の正負の回転角度値のうちのいずれかとすることができる。段差６１０、６１２、６１４、６１６は４分の１波長の段差であってもよい。組５００に比べて組６００の違いの１つは、２種類のミラーが形成されていることである。例えば、一方が正の４分の１波長（＋λ／４）の段差を有し、他方が負の４分の１波長（＋λ／４）の段差を有する（図７及び図８も参照）。組６００と組５００とのもう１つの相違点は、組６００においては４つの段差付きミラーの各々が異なるということである。例えば、各々が異なる向きに配置されていたり、異なる全体構造を有していたりする（図９も参照）。段差付きミラーに関するこの変形例によれば、パターニング用デバイスにおけるより多くの変数を制御することができる。また、上述の種々の誤差に対してより有効な補償が可能となり、理想的には誤差を除去することができる。

また、組６００の構成は偏光に独立に機能しうる（組６００でのすべての傾斜角を共通にして）。データパスにより、偏光照明プロファイルにおいて両方の偏光成分（ＴＥ偏光及びＴＭ偏光）に対して傾斜角の組み合わせが等しい値に計算される。

図７及び図８は、個別制御可能素子の第１の構成例７２０及び第２の構成例７２２の側面図及び傾斜されたときの側面図をそれぞれ示す図である。例えば、これらの個別制御可能素子の構成例の一方または双方を組６００において用いることが可能である。最も好ましい例は図９に示される。

個別制御可能素子７２０は、第１の部位７２４及び第２の部位７２６を有する段差付きミラーである。第２の部位７２６は、第１の部位７２４に材料を堆積させることにより形成されてもよい。第２の部位７２６により形成される段差は、第１の部位７２４から上方にλ／４の厚さ（例えば＋λ／４の厚さまたは高さ）を有してもよい。よって、第１の部位７２４の高さがＸである場合には、段差付きミラー７２０全体の高さまたは厚さはＸ＋λ／４となる。

個別制御可能素子７２２は、第１の部位７２４及び第２の部位７２８を有する段差付きミラーである（第２の部位７２８は、第１の部位７２４から材料が除去されることにより形成される領域または空間である）。例えば、第２の部位７２８は、第１の部位７２４から材料をエッチングすることにより形成されてもよい。第１の部位７２４により形成される段差は、第１の部位７２４に対して第２の部位７２８から上方にλ／４の厚さを有してもよい（つまり第２の部位は−λ／４の厚さまたは高さを有する）。よって、段差付きミラー７２２全体の高さはＸである。

よって、この実施例では、素子７２０での＋λ／４の「段差」７２６と素子７２２での−λ／４の「段差」７２８との間の段差高さの違いはλ／２である。

図８には、図７に示される組６００の段差付きミラー６０２乃至６０８が回転した場合が示されている。このとき、照明ビームＢは、段差付きミラー７２０から反射された場合には段差付きミラー７２２から反射された場合に比べて異なる影を形成する。しかし、４つの段差付きミラー６０２乃至６０８の向きを異ならせることにより、これらの影は相殺される。

図９は、４つの個別制御可能素子９０２乃至９０８からなる組９００のうちの１つを示す図である。個別制御可能素子９０２乃至９０８は互いに関連して制御される。組９００はパターニング用デバイス（図示せず）上に形成される。この実施例では、個別制御可能素子９０２、９０４、９０６、９０８は段差付きミラーである。これらのミラーは、回転軸まわりに回転可能に固定されている。回転方向は図において矢印で示されており回転角θが示されている。この図では、素子９０２及び９０６はＸ軸まわりに回転し、素子９０４及び９０８はＸＹ平面に関して回転する。回転角θは、許容された角度範囲に含まれる多種の正の回転角度値または負の回転角度値のうちのいずれかとすることができる。例えば、各組９００の段差付きミラー９０２及び９０４は、向きは異なるが、構造は段差付きミラー７２２と同様の構成であってもよい。また、段差付きミラー９０６及び９０８は、向きは異なるが、構造は段差付きミラー７２０と同様の構成であってもよい。段差付きミラー９０２乃至９０８からなる組９００を用いてプロファイル、向き、傾斜回転方向、及び傾斜角度を異ならせることにより、多種の光学パラメタを独立に制御することができる。これらのパラメタを独立に制御することにより、基板Ｗ（またはディスプレイデバイス）に形成される像をテレセントリックにするとともに強度プロファイル及び偏光プロファイルを均一にすることができる。

なお、図５乃至図９の実施例においては各組の段差付きミラーの数は４つとされているが、各組に含まれる段差付きミラーの数はパターニング用デバイスＰＤの利用分野に応じていくつにしてもよい。

図１０は、本発明の一実施形態に係る方法１０００を示すフローチャートである。ステップ１００２においては、４つの段差付きミラーの組に含まれ第１の段差位置及び第１の回転方向を有する第１の段差付きミラーが第１の回転角まで回転される。ステップ１００４においては、当該組に含まれ第２の段差位置及び第２の回転方向を有する第２の段差付きミラーが第１の回転角まで回転される。ステップ１００６においては、当該組に含まれ第３の段差位置及び第３の回転方向を有する第３の段差付きミラーが、第１の回転角とは大きさが等しいが逆方向である第２の回転角まで回転される。ステップ１００８においては、当該組に含まれ第４の段差位置及び第４の回転方向を有する第４の段差付きミラーが第２の回転角まで回転される。

一実施例では、この回転ステップが放射ビームにパターンを付与するために用いられる。パターンが付与されたビームは対象物に投影される。例えば、この対象物は、リソグラフィシステムにおいてパターンが付与される基板（例えば半導体基板またはフラットパネルディスプレイ基板）であってもよいし、ディスプレイデバイスであってもよい。

本説明においてはリソグラフィ装置の用途を特定の装置（例えば集積回路やフラットパネルディスプレイ）の製造としているが、ここでのリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積回路や光集積回路システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）、ＬＥＤなどの製造に用いることが可能であり、これらに限られない。また、例えばフラットパネルディスプレイに関しては、本発明に係る装置は、例えば薄膜トランジスタ層及び／またはカラーフィルター層などのさまざまな層の製造に用いることができる。

ここでは特に光学的なリソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光学的なリソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。

［結語］
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。

「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。

本発明の各実施形態に係る露光装置を示す図である。 本発明の各実施形態に係る露光装置を示す図である。 図２に示される本発明の実施形態により基板にパターンを転写する１つのモードを示す図である。 本発明の一実施形態に係る光学エンジンの配置を示す図である。 パターニング用デバイスに形成される４つの個別制御可能素子からなる組のうちの１つを示す図である。 パターニング用デバイスに形成される４つの個別制御可能素子からなる組のうちの１つを示す図である。 第１の個別制御可能素子及び第２の個別制御可能素子の側面図である。 第１の個別制御可能素子及び第２の個別制御可能素子が傾斜したときの側面図である。 パターニング用デバイスに形成される４つの個別制御可能素子からなる組のうちの１つを示す図である。 本発明の一実施形態に係る方法を示すフローチャートである。

符号の説明

Ｂ 放射ビーム、 Ｃ 目標部分、 ＩＬ 照明光学系、 ＰＤ パターニング用デバイス、 ＰＳ 投影光学系、 ＳＯ 放射源、 Ｗ 基板、 ＷＴ 基板テーブル。

Claims (26)

1. 放射ビームを調整する照明系と、
   前記放射ビームにパターンを付与するパターニング用デバイスと、
   パターンが付与されたビームを基板の目標領域に投影する投影系と、を備えるリソグラフィ装置であって、
   前記パターニング用デバイスは、制御部と、前記放射ビームにパターンを付与する段差付きミラーのアレイとを備え、該アレイは複数の段差付きミラーを含む組を複数備え、段差付きミラーは前記制御部により互いに関連して制御され、各組において隣接する段差付きミラーは互いに垂直な回転軸及び互いに垂直な段差を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記制御部は、各組において隣接する段差付きミラーを互いに大きさが等しく逆方向である傾斜角度に回転することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記制御部は、パターンが付与されたビームに対応する像が基板上でテレセントリックであるよう形成されるように前記アレイを制御することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記制御部は、均一な偏光照明プロファイルを有する像を基板上で形成するように前記アレイを制御することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 段差付きミラーの段差は４分の１波長の段差であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 段差付きミラーは多種の回転角度値に回転可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記制御部は、パターンが付与されたビームに対応して形成される基板上での像がレベンソン型位相シフトマスクにより形成される像と等価となるように前記アレイを制御することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 各組において段差付きミラーの第１の対は第１の段差位置を有し、
   各組において段差付きミラーの第２の対は第２の段差位置を有し、第１の段差位置と第２の段差位置との違いが波長の半分であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 放射ビームにパターンを付与するパターニング用デバイスであって、
   制御部と、
   段差付きミラーのアレイと、を備え、
   該アレイは複数の段差付きミラーを含む組を複数備え、段差付きミラーは前記制御部により互いに関連して制御され、各組において隣接する段差付きミラーは互いに垂直な回転軸及び互いに垂直な段差を有することを特徴とするパターニング用デバイス。
10. 前記制御部は、各組において隣接する段差付きミラーを互いに大きさが等しく逆方向である傾斜角度に回転することを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
11. 前記制御部は、テレセントリックな像を基板上に形成するように前記アレイを制御することを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
12. 前記制御部は、均一な偏光照明プロファイルを基板またはディスプレイデバイス上で有する像を形成するように前記アレイを制御することを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
13. 段差付きミラーの段差は４分の１波長の段差であることを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
14. 段差付きミラーは多種の回転角度値に回転可能に構成されていることを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
15. 前記制御部は、基板またはディスプレイデバイスでの像がレベンソン型位相シフトマスクにより形成される像と等価となるように前記アレイを制御することを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
16. 各組において段差付きミラーの第１の対は第１の段差位置を有し、
    各組において段差付きミラーの第２の対は第２の段差位置を有し、第１の段差位置と第２の段差位置との違いが波長の半分であることを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。
17. （ａ）４つの段差付きミラーの組に含まれ第１の段差位置及び第１の回転方向を有する第１の段差付きミラーを第１の回転角度まで回転させ、
    （ｂ）前記組に含まれ第２の段差位置及び第２の回転方向を有する第２の段差付きミラーを前記第１の回転角度まで回転させ、
    （ｃ）前記組に含まれ第３の段差位置及び第３の回転方向を有する第３の段差付きミラーを前記第１の回転角度と大きさが等しく逆方向の第２の回転角度まで回転させ、
    （ｄ）前記組に含まれ第４の段差位置及び第４の回転方向を有する第４の段差付きミラーを前記第２の回転角度まで回転させ、
    第１及び第３の段差付きミラーはＸ軸まわりに回転し、
    第２及び第４の段差付きミラーはＹ軸まわりに回転することを特徴とする方法。
18. ４つの段差付きミラーの組を複数用いて放射ビームにパターンを付与することと、
    パターンが付与されたビームを対象物の目標領域に投影することと、をさらに備える請求項１７に記載の方法。
19. 前記対象物は基板またはディスプレイデバイスであることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
20. ステップ（ａ）乃至（ｄ）はテレセントリックな像を前記対象物に形成することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
21. ステップ（ａ）乃至（ｄ）は均一な偏光照明プロファイルを有する像を前記対象物に形成することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
22. ステップ（ａ）乃至（ｄ）における第１乃至第４の段差付きミラーのそれぞれに４分の１波長の段差を形成することをさらに備える請求項１７に記載の方法。
23. ステップ（ａ）乃至（ｄ）はレベンソン型位相シフトマスクにより形成される像と等価な像を前記対象物に形成することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
24. 各組において段差付きミラーの第１の対に第１の段差位置を用い、
    各組において段差付きミラーの第２の対に第２の段差位置を用い、第１の段差位置と第２の段差位置との違いが波長の半分であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
25. 段差付きミラーの各組は４つの段差付きミラーを含むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
26. 段差付きミラーの各組は４つの段差付きミラーを含むことを特徴とする請求項９に記載のパターニング用デバイス。