JP4647840B2 - Gm-C filter - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランスコンダクタンス増幅器(以下、Gm増幅器という)と、コンデンサと、コモンモードフィードバック回路とを組み合わせたGm−Cフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、このようなGm−Cフィルタとしては、図3に示すようなものが知られている。
このGm−Cフィルタは、図3に示すように、差動入力信号に応じた差動出力信号を生成出力するGm増幅器1と、このGm増幅器1の出力ライン間に接続されるコンデンサ2と、Gm増幅器1の差動出力信号に基づいて所定のフィードバック信号を生成し、このフィードバック信号をGm増幅器1に帰還するコモンモードフィードバック回路3とを備えている。
【0003】
Gm増幅器1は、差動入力信号に応じて差動出力信号を生成する差動対のNMOSトランジスタM31、M32を備え、その各ゲートには、+入力信号Pinと−入力信号Ninとがそれぞれ入力されるようになっている。
NMOSトランジスタM31のソースは接地され、NMOSトランジスタM31のドレインは、PMOSトランジスタM33、M35を介して電源電圧VDDが印加されるようになっている。また、NMOSトランジスタM32のソースは接地され、NMOSトランジスタM32のドレインはPMOSトランジスタM34、M36を介して電源電圧VDDが印加されるようになっている。
【0004】
Gm増幅器1の+出力信号Poutと−出力信号Noutは、コンデンサ2の両端に印加されるとともに、+出力端子4と−出力端子5から取り出せるようになっている。コモンモードフィードバック回路3は、Gm増幅器1の出力電圧に基づき、フィードバック電圧を生成し、この生成したフィードバック電圧をPMOSトランジスタM35、M36の各ゲートにそれぞれ印加するようになっている。また、PMOSトランジスタM33、M34の各ゲートには、所定の電圧V1がそれぞれ印加されている。
【0005】
次に、図3に示すコモンモードフィードバック回路3の具体的な構成について、図4を参照して説明する。
このコモンモードフィードバック回路3は、Gm増幅器1に流れる電流値が、Gm増幅器1に入力される差動入力信号の振幅に依存することなく一定になるように、Gm増幅器1に対してフィードバックをかけるようにしたものであり、図4のようにMOSトランジスタM41〜M47により構成される。
【0006】
すなわち、図4に示すように、MOSトランジスタM41、M42の各ゲートに、Gm増幅器1の+出力信号Pout、−出力信号Noutが入力されるようになっている。また、MOSトランジスタM46、M47の各ゲートには、一定の電圧V2、V3が印加されるようになっている。さらに、MOSトランジスタM45のドレインの電圧が、Gm増幅器1のPMOSトランジスタM35、M36の各ゲートにそれぞれ印加するようになっている。
【0007】
さらに詳述すると、このコモンモードフィードバック回路は、図4に示すように、差動対を構成するNMOSトランジスタM41、M42を、次段のGm−Cフィルタの入力用のMOSトランジスタと見立てて、NMOSトランジスタM41、M42に流れる電流の和が一定になるように、Gm増幅器1にフィードバックをかけるようにしたものである。
【0008】
すなわち、このコモンモードフィードバック回路は、NMOSトランジスタM41、M42に流れる電流の和が一定であれば、次段のGm−Cフィルタの入力用の差動対のMOSトランジスタに流れる電流も等しくなる、という考え方に基づくものである。
このために、このコモンモードフィードバック回路3では、Gm増幅器1の出力信号Pout、Noutが入力されるMOSトランジスタM41、M42の各ドレインが互いに接続され、これにより、MOSトランジスタM41、M42でそれぞれ発生する電流の和が、MOSトランジスタM44へ流れ込むようになっている。
【0009】
そして、MOSトランジスタM44に流れる電流がMOSトランジスタM45にミラーされて流れ、このミラーされた電流と、MOSトランジスタM47により発生する基準電流とのアンバランスが発生する。このため、MOSトランジスタM45のドレイン電圧が変化し、この電圧変化がGm増幅器1のMOSトランジスタM35、M36の各ゲートにフィードバックされる。
【0010】
この結果、NMOSトランジスタM41、M42に流れる電流の和は、MOSトランジスタM47に流れる基準電流と、MOSトランジスタM44、M45のミラー比とで決まる一定の電流値に固定される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した図4に示す従来のコモンモードフィードバック回路3では、上記のように、Gm増幅器1に流れる電流値が、Gm増幅器1に入力される差動入力信号の振幅に依存することなく一定になるように、Gm増幅器1に対してフィードバックをかけている。
【0012】
その反面、Gm増幅器1のトランスコンダクタンス値Gmが、Gm増幅器1に入力される差動入力信号の振幅に依存することになる。これは、図4に示す従来のコモンモードフィードバック回路を含むGm−Cフィルタの特性が、その差動入力信号の振幅(レベル)の大小によりフィルタの特性が変化してしまうということを意味する。
【0013】
このため、図3に示すようなGm−Cフィルタを用いて、例えば、無線受信機の中間周波数を通過させるバンドパスフィルタを構成し、中心周波数の合わせ込み精度の要求が0.1%と非常に厳しいような場合に、その精度を満たすことができないという不都合が考えられる。
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、フィルタの特性が、Gm増幅器に入力される差動入力信号の振幅に依存することなく一定になるようにしたGm−Cフィルタを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するために、請求項1〜請求項3に記載の各発明は、以下のように構成した。
すなわち、請求項1に記載の発明は、差動入力信号に応じた差動出力信号を生成出力するGm増幅器と、このGm増幅器の出力端子の間に接続される容量素子と、前記Gm増幅器の出力信号に基づいて所定のフィードバック信号を生成し、このフィードバック信号を前記Gm増幅器のフィードバック端子に帰還するコモンモードフィードバック回路と、を備えたGm−Cフィルタであって、前記コモンモードフィードバック回路は、各ゲートに前記Gm増幅器の差動出力信号を入力する差動対の第1及び第2のトランジスタからなり、前記差動出力信号に応じた電流に変換し、前記第1及び第2のトランジスタの各ドレインから前記電流を出力する変換手段と、この変換手段で変換された電流に基づき、前記第1及び第2のトランジスタのトランスコンダクタスの和で表現される電圧を含む電圧を生成するGm加算手段と、このGm加算手段の生成電圧に応答する応答電流と所定の基準電流との差に応じた電圧を生成し、この生成電圧を前記Gm増幅器に帰還する帰還手段と、を備え、前記Gm加算手段は、前記第1のトランジスタと直列接続されるとともに、そのゲートとドレインが接続された第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタに直列接続されるとともに、そのゲートとドレインが接続された第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタに直列接続されるとともに、そのドレインが前記第3のトランジスタのドレインに接続される第5のトランジスタと、前記第2のトランジスタと同一の差動入力信号が入力される第6のトランジスタと、前記第6のトランジスタと直列接続されるとともに、前記第5のトランジスタとの間でカレントミラー回路を形成する第7のトランジスタと、を備えたことを特徴とするものである。
【0016】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のGm−Cフィルタにおいて、前記Gm加算手段と前記帰還手段との間に、さらにレベルシフタを設けるようにしたことを特徴とするものである。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載のGm−Cフィルタにおいて、前記帰還手段は、前記Gm加算手段の生成電圧または前記レベルシフタの出力電圧を入力し、その加算電圧またその出力電圧に応じた電流を発生するトランジスタと、このトランジスタに接続され所定の電流を前記トランジスタに流すための定電流源と、からなることを特徴とするものである。
【0017】
このように本発明では、変換手段は、Gm増幅器からの差動出力信号を入力し、これに応じた電流に変換する。Gm加算手段は、その変換電流に基づき、変換手段を構成する第1及び第2トランジスタの両トランスコンダクタンスの和で表現される電圧を含む電圧を生成する。変換手段は、そのGm加算手段の生成電圧に応答する応答電流と所定の基準電流との差に応じた電圧を生成し、この生成電圧をGm増幅器に帰還する。
【0018】
ところで、第1及び第2のトランジスタに入力されるGm増幅器の出力差動信号は、そのGm増幅器の入力差動対のトランジスタの入力差動信号に基づくものである。このため、上記のようなフィードバック制御は、Gm増幅器の入力差動対のトランジスタの入力差動信号のレベルに大小があっても、そのトランジスタトランスコンダクタンス値が一定になることを意味する。
【0019】
従って、本発明によれば、Gm増幅器の差動入力信号の振幅の大小にかかわらず、そのGm増幅器のトランスコンダクタンス値Gmが一定にできるので、フィルタの特性を、その差動入力信号の振幅に依存することなく一定にできる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
本発明のGm−Cフィルタの実施形態は、図1に示すように、差動入力信号に応じた差動出力信号を生成出力するGm増幅器1と、このGm増幅器1の出力ライン間に接続される容量素子としてのコンデンサ2と、Gm増幅器1の差動出力信号に基づいて所定のフィードバック信号を生成し、このフィードバック信号をGm増幅器1に帰還するコモンモードフィードバック回路13と、を備えたものである。
【0021】
この本発明のGm−Cフィルタの実施形態は、図3に示すGm−Cフィルタのコモンモードフィードバック回路3をコモンモードフィードバック回路13に置き換えた点が異なり、他の部分の構成は図3の構成と同様である。
従って、図3の構成要素と同一構成要素には同一符号を付してその説明を省略し、以下ではコモンモードフィードバック回路13について、主に図2を参照して説明する。
【0022】
この実施形態に係るコモンモードフィードバック回路13は、図2に示すように、V/I変換部21と、Gm加算部22と、ダミー回路23と、レベルシフタ24と、電流比較部25とを備えている。
ここで、請求項における変換手段はV/I変換部21が相当し、Gm加算手段はGm加算部22が相当し、帰還手段は電流比較部25が相当する。
【0023】
V/I変換部21は、Gm増幅器1の差動出力電圧Pout、Noutを入力し、これに応じた差動出力電流に変換するものである。
このため、V/I変換部21は、図2に示すように、差動対からなるMOSトランジスタM2、M3と、このMOSトランジスタM2、M3にそれぞれ直列に接続されるMOSトランジスタM8、M9とからなる。
【0024】
ここで、MOSトランジスタM2、M3のトランジスタサイズは、Gm増幅器1のMOSトランジスタM31、M32のトランジスタサイズと同一になっている。
さらに詳述すると、MOSトランジスタM2は、そのゲートにGm増幅器1の+出力電圧Poutが入力され、そのソースが接地され、かつ、そのドレインがMOSトランジスタM8のソースに接続されている。また、MOSトランジスタM3は、そのゲートにGm増幅器1の−出力電圧Noutが入力され、そのソースが接地され、かつ、そのドレインがMOSトランジスタM9のソースに接続されている。MOSトランジスタM8、M9の各ゲートには、一定電圧V4が印加されるようになっている。
【0025】
Gm加算部22は、V/I変換部21で変換された電流に基づき、後述のように、MOSトランジスタM2とMOSトランジスタM3の両トランスコンダクタスの和で表現される電圧を含む電圧を生成して出力するものである。
このために、Gm加算部22は、図2に示すように、P型のMOSトランジスタM16、M13、M17、M18と、N型のMOSトランジスタM4、M10とからなり、MOSトランジスタM18とMOSトランジスタM17とはカレントミラー回路を形成している。
【0026】
さらに詳述すると、MOSトランジスタM16は、そのゲートとドレインとが接続され、その共通接続部がMOSトランジスタM8のドレインに接続されている。MOSトランジスタM16のソースは、電源電圧VDDが印加されるようになっている。また、MOSトランジスタM13は、そのゲートとドレインが共通に接続され、その共通接続部が、MOSトランジスタM9のドレインに接続されるとともに、レベルシフタ24のレベルシフト用のMOSトランジスタM14のゲートに接続されている。MOSトランジスタM13のソースは、MOSトランジスタM17のドレインに接続されるとともに、MOSトランジスタM16のドレインに接続されている。
【0027】
MOSトランジスタM17は、そのゲートがMOSトランジスタM18のゲートに接続され、そのソースに電源電圧VDDが印加されるようになっている。MOSトランジスタ18は、そのゲートとドレインが共通接続され、その共通接続部が、MOSトランジスタM17のゲートに接続されるとともに、MOSトランジスタM10のドレインに接続されている。また、MOSトランジスタM18のソースは、電源電圧VDDが印加されるようになっている。従って、MOSトランジスタM18とMOSトランジスタM17とは、カレントミラー回路を形成している。
【0028】
MOSトランジスタM10は、そのゲートに一定電圧V4が印加され、そのソースがMOSトランジスタM4のドレインに接続されている。また、MOSトランジスタ4のゲートには、MOSトランジスタM3のゲートに入力されると同一である、Gm増幅器1の−出力電圧Noutが入力されるようになっている。MOSトランジスタM4のソースは接地されている。
【0029】
ダミー回路23は、Gm加算部22がMOSトランジスタM4、M10、M18からなる回路を含むので、その回路とのバランスをとるために設けたものである。
このため、ダミー回路23は、図2に示すように、そのMOSトランジスタM4、M10、M18に対応する、MOSトランジスタM1、M7、M15から構成され、これらが電源ラインとアースラインとの間に直列に接続されている。
【0030】
さらに詳述すると、MOSトランジスタM1のゲートには、MOSトランジスタM2のゲートに入力されると同一である、Gm増幅器1の+出力電圧Poutが入力されるようになっている。また、MOSトランジスタM1は、そのソースは接地され、そのドレインがMOSトランジスタM7のソースに接続されている。MOSトランジスタM7は、そのゲートに一定電圧V4が印加され、そのドレインがMOSトランジスタM15のドレインに接続されている。さらに、MOSトランジスタ15は、そのゲートとドレインが共通接続され、そのソースに電源電圧VDDが印加されるようになっている。
【0031】
レベルシフタ24は、Gm加算部23の生成電圧の直流電位のレベルシフトを行うものである。
このため、このレベルシフタ24は、図2に示すように、レベルシフト用のP型のMOSトランジスタM14と、カレントミラー回路を形成するP型のMOSトランジスタM19、M20と、MOSトランジスタM20に直列に接続されるN型のMOSトランジスタM5、M11とからなる。
【0032】
さらに詳述すると、MOSトランジスタM14は、そのゲートがMOSトランジスタM13のゲートに接続され、そのドレインが接地されている。また、MOSトランジスタM14のソースは、MOSトランジスタM19のドレインに接続されるとともに、電流比較部25のMOSトランジスタM21のゲートに接続されている。
【0033】
MOSトランジスタM19は、そのゲートがMOSトランジスタM20のゲートに接続され、そのソースに電源電圧VDDが印加されるようになっている。MOSトランジスタM20は、そのソースに電源電圧VDDが印加され、そのゲートとドレインが共通接続されている。さらに、その共通接続部は、MOSトランジスタM11のドレインに接続されるとともに、MOSトランジスタM19のゲートに接続されている。従って、MOSトランジスタM20とMOSトランジスタM19とは、カレントミラー回路を形成している。
【0034】
MOSトランジスタM11は、そのゲートに一定電圧V4が印加され、そのソースがMOSトランジスタM5のドレインに接続されている。MOSトランジスタM5は、そのゲートが電流比較部25のMOSトランジスタM6のゲートに接続され、そのソースが接地されている。
電流比較部25は、レベルシフタ24の出力電圧に応答する応答電流と、所定の基準電流との差に応じた電圧を生成し、この生成電圧をGm増幅器1のMOSトランジスタM35、M36の各ゲートに帰還するものである。
【0035】
このために、この電流比較部25は、図2に示すように、レベルシフタ24の出力電圧を入力するP型のMOSトランジスタM21と、これに直列に接続されるMOSトランジスタM12と、MOSトランジスタM21、M12に基準電流を供給するためにカレントミラー回路を形成するMOSトランジスタM6、M22とからなる。
【0036】
さらに詳述すると、MOSトランジスタM21は、そのソースに電源電圧VDDが印加され、そのゲートがMOSトランジスタM14のソースに接続されている。
MOSトランジスタM21のドレインは、MOSトランジスタM12のドレインに接続されるとともに、MOSトランジスタM35、M36の各ゲートに接続されるようになっている。MOSトランジスタM12は、そのゲートに一定電圧V4が印加され、そのソースがMOSトランジスタM6のドレインに接続されている。
【0037】
MOSトランジスタM6は、そのゲートがMOSトランジスタM22のゲートに接続され、そのソースが接地されている。また、MOSトランジスタM22は、ドレインに基準電流が供給されるようになっており、かつ、そのソースが接地されている。従って、MOSトランジスタ22とMOSトランジスタM6とは、カレントミラー回路を形成している。
【0038】
次に、このような構成からなるコモンモードフィードバック回路13の動作について、図2を参照して説明する。
まず、V/I変換部21の動作について説明する。
いま、V/I変換部21のMOSトランジスタM2のゲートに、Gm増幅器1の+出力電圧Poutが入力されと、これに応じてMOSトランジスタM2には次の(1)式のような電流I2 が流れる。
【0039】
I2 =KM2×(VonM2)2 ・・・・(1)
ここで、(1)式中のKM2は、KM2=K’×(W/L)である。そして、K’はゲインファクタ、WはMOSトランジスタM2のチャネル幅、LはMOSトランジスタM2のチャネル長である。
また、VonM2は、VonM2=Vgs−Vthである。そして、VgsはMOSトランジスタM2のゲートとソース間の電圧、VthはMOSトランジスタM2のしきい値電圧である。
【0040】
なお、(1)式中のKM2、VonM2の添え字の「M2」は、図2に示すMOSトランジスタを特定する記号を示し、例えばKM2は、MOSトランジスタM2の定数を表しその内容は上記の通りである。従って、以下の場合の添え字についても同様に取り扱うものとする。
また、MOSトランジスタM3のゲートに、Gm増幅器1の−出力電圧Noutが入力されと、これに応じてMOSトランジスタM3に次の(2)式のような電流I3 が流れる。
【0041】
I3 =KM3×(VonM3)2 ・・・・(2)
次に、Gm加算部22の動作について説明する。
Gm加算部22のMOSトランジスタM4と、V/I変換部21のMOSトランジスタM3のトランジスタサイズは、同一のものを使用している。このため、MOSトランジスタM4に流れる電流I4 は、I4 =I3 =KM3×(VonM3)2 のようになる。
【0042】
また、MOSトランジスタM18、M17はカレントミラー回路を形成し、そのミラー比が1:1に設定されているので、MOSトランジスタM17とMOSトランジスタM3とは同じ電流I3 =KM3×(VonM3)2 が流れる。
その結果、Gm加算部22のノードAの電圧VA は、電流I3 に全く依存せずに、MOSトランジスタM16のゲートとソース間の電圧Vgsのみで決まり、次の(3)式で表される。
【0043】
VA =√(I2 /KM16 )+VthM16 ・・・・(3)
ここで、√(I2 /KM16 )は、(I2 /KM16 )の平方根を意味し、以下同様である。また、KM16 はMOSトランジスタ16の定数、VthM16 はMOSトランジスタM16のしきい値電圧である。
一方、Gm加算部22のノードBの電圧VB は、ノードAの電圧VA にMOSトランジスタM13のゲートとソース間の電圧Vgsを加えたものであり、次の(4)式で表される。
【0044】
VB =√(I2 /KM16 )+VthM16 +√(I2 /KM13 )+VthM13 ・・・・(4)
この(4)式を、(1)式と(2)式とを用いて整理すると、ノードBの電圧VB は次の(5)式のようになる。
VB =VonM2×√(KM2/KM16 )+VonM3×√(KM3/KM13 )+VthM16 +VthM13 ・・・・(5)
ここで、(5)式中のKM2、KM3、KM13 、KM16 、VthM13 、VthM16 は、それぞれ定数である。また、KM2=KM3、KM13 =KM16 、VthM13 =VthM16 の関係がある。
【0045】
そこで、(5)式において、√(KM2/KM16 )=√(KM3/KM13 )=αとおくとともに、VthM16 +VthM13 =2Vthp とおくと、(5)式は次の(6)式のようになる。
VB =α(VonM2+VonM3)+2Vthp ・・・・(6)
ここで、Sahの式によれば、MOSトランジスタに流れる電流Idsは、次の(7)式のようになる。
【0046】
Ids=K×Von2 ・・・・(7)
ここで、Kは定数、Vonは上記の通りである。
また、MOSトランジスタのトランスコンダクタンスGmは、電流Idsを偏微分することにより、次の(8)式のように求められる。
Gm=∂Ids/∂Von=2K×Von・・・・(8)
この(8)式により、VonをトランスコンダクタンスGmで表すと、次の(9)式のようになる。
【0047】
Von=Gm/(2K)・・・・(9)
この(9)式を(6)式に代入すると、ノードBの電圧VB は次の(10)式のようになる。
VB =α(GmM2+GmM3)/Kn+2Vthp ・・・・(10)
ここで、GmM2、GmM3は、MOSトランジスタM2、M3の各トランスコンダクタンス値であり、KnはMOSトランジスタM2、M3の各定数である。
【0048】
(10)式によれば、ノードBの電圧VB は、MOSトランジスタM2のトランスコンダクタンス値GmM2と、MOSトランジスタM3のトランスコンダクタンス値GmM3との和で表されることがわかる。
次に、レベルシフタ24の動作について説明する。
Gm加算部22のノードBの電圧VB を、電流比較部25のMOSトランジスタM21のゲートに直接入力しようとしても、動作レベルの差異により入力できない。そこで、レベルシフタ2では、レベルシフト用のMOSトランジスタM14でそのゲートとソース間の電圧Vgsの分だけ直流電圧をレベルシフトさせ、MOSトランジスタM21の動作点に見合うレベルにしている。
【0049】
MOSトランジスタM14のゲートとソース間の電圧VgsM14 は、MOSトランジスタM14に流れる基準電流(MOSトランジスタM20とM19によるカレントミラーにより発生)とMOSトランジスタの定数KM14 のみで決まるので、常に一定である。そこで、レベルシフタ24のノードCにおける電圧(出力電圧)VC は、次の(11)式のようになる。
【0050】
VC =α(GmM2+GmM3)/Kn+2Vthp +VgsM14 ・・・・(11)
次に、電流比較部25の動作について説明する。
MOSトランジスタM21で発生する電流I21は、ノードCの電圧VC (MOSトランジスタM21の入力電圧)と、MOSトランジスタM21の定数KM21 とできまり、(11)式を用いると次の(12)式で表される。
【0051】
I21=KM21 ×(VC −Vthp )2 =KM21 ×〔α(GmM2+GmM3)/Kn+Vthp +VgsM14 〕2 ・・・・(12)
ところで、MOSトランジスタM6で発生する電流は、MOSトランジスタM22に基準電流Iref が供給され、MOSトランジスタM22、M6はカレントミラーを形成するので、そのミラー比で決まる一定値になる。いま、そのミラー比を1:1とすると、電流Iref 、I21、は、次の(13)式により表すことができる。
【0052】
Iref =I21=KM21 ×(VC −Vthp )2 =KM21 ×〔α(GmM2+GmM3)/Kn+Vthp +VgsM14 〕2 ・・・・(13)
(13)式からわかるように、MOSトランジスタM2、M3のトランスコンダクタンスGmM2、GmM3の和である(GmM2+GmM3)を変化させるような信号が、MOSトランジスタM2、M3のゲートに入力されるときには、(13)式を満たすように、電流比較部25のノードDの電圧が、Gm増幅器1のMOSトランジスタM35、M36の各ゲートに帰還される。
【0053】
以上の動作をまとめると、以下のようになる。
すなわち、Gm増幅器1からの差動出力電圧が、V/I変換部21のMOSトランジスタM2、M3でその差動出力電圧に応じた差動出力電流に変換される。次に、その変換電流に基づき、Gm加算部22は、MOSトランジスタM2、M3の両トランスコンダクタンスの和で表現される電圧を含む出力電圧VB を生成する。
【0054】
さらに、この出力電圧VB は、レベルシフタ24のMOSトランジスタM14によりレベルシフトされてVC となり、これが電流比較部25のMOSトランジスタM21のゲートに印加される。MOSトランジスタM21の発生する電流I21と、MOSトランジスタM6の発生する基準電流とのアンバラス分が、MOSトランジスタM21のドレイン電圧の変化として表れ、これがGm増幅器1に帰還される。これにより、(13)式を満たすような動作を実現できる。
【0055】
ところで、MOSトランジスタM2、M3に入力されるGm増幅器1の出力差動電圧は、そのGm増幅器1のMOSトランジスタM31、M32の入力差動電圧に基づくものである。このため、上記のようなフィードバック制御により(13)式を満たすことは、MOSトランジスタM31、M32の入力差動電圧のレベルに大小があっても、そのMOSトランジスタM31、M32のトランスコンダクタンス値が一定になることを意味する。
【0056】
従って、この実施形態によれば、Gm増幅器1の差動入力信号の振幅の大小にかかわらず、そのGm増幅器のトランスコンダクタンス値Gmが一定にできるので、フィルタの特性を、その差動入力信号の振幅に依存することなく一定にできる。このため、この実施形態のGm−CFフィルタを用いてバンドパスフィルタを構成する場合に、理想的な特性が得られるようになる。
【0057】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、Gm増幅器の差動入力信号の振幅の大小にかかわらず、そのGm増幅器のトランスコンダクタンス値Gmが一定にできるので、フィルタの特性を、その差動入力信号の振幅に依存することなく一定にできる。このため、本発明を用いてバンドパスフィルタを構成する場合に、理想的な特性が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の構成を示す回路図(ブロック図)である。
【図2】図1に示すコモンモードフィードバック回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図3】従来のGm−Cフィルタの構成例を示す図である。
【図4】図3に示すコモンモードフィードバック回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 Gm増幅器
2 コンデンサ(容量素子)
13 コモンモードフィードバック回路
21 V/I変換部
22 Gm加算部
23 ダミー回路
24 レベルシフタ
25 電流比較部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a Gm-C filter that combines a transconductance amplifier (hereinafter referred to as a Gm amplifier), a capacitor, and a common mode feedback circuit.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, such a Gm-C filter as shown in FIG. 3 is known.
As shown in FIG. 3, the Gm-C filter includes a Gm amplifier 1 that generates and outputs a differential output signal corresponding to a differential input signal, a
[0003]
The Gm amplifier 1 includes a differential pair of NMOS transistors M31 and M32 that generate a differential output signal in response to a differential input signal, and a + input signal Pin and a −input signal Nin are input to the respective gates thereof. It has come to be.
The source of the NMOS transistor M31 is grounded, and the power supply voltage VDD is applied to the drain of the NMOS transistor M31 via the PMOS transistors M33 and M35. The source of the NMOS transistor M32 is grounded, and the power supply voltage VDD is applied to the drain of the NMOS transistor M32 via the PMOS transistors M34 and M36.
[0004]
The + output signal Pout and the − output signal Nout of the Gm amplifier 1 are applied to both ends of the
[0005]
Next, a specific configuration of the common
The common
[0006]
That is, as shown in FIG. 4, the + output signal Pout and the − output signal Nout of the Gm amplifier 1 are inputted to the gates of the MOS transistors M41 and M42. In addition, constant voltages V2 and V3 are applied to the gates of the MOS transistors M46 and M47. Further, the voltage of the drain of the MOS transistor M45 is applied to the gates of the PMOS transistors M35 and M36 of the Gm amplifier 1, respectively.
[0007]
More specifically, as shown in FIG. 4, in this common mode feedback circuit, the NMOS transistors M41 and M42 constituting the differential pair are regarded as input MOS transistors for the next stage Gm-C filter. Feedback is applied to the Gm amplifier 1 so that the sum of the currents flowing through the transistors M41 and M42 is constant.
[0008]
That is, in this common mode feedback circuit, if the sum of the currents flowing through the NMOS transistors M41 and M42 is constant, the current flowing through the differential pair MOS transistors for the input of the next stage Gm-C filter is also equal. It is based on the idea.
For this reason, in the common
[0009]
Then, the current flowing through the MOS transistor M44 is mirrored by the MOS transistor M45, and an imbalance occurs between the mirrored current and the reference current generated by the MOS transistor M47. For this reason, the drain voltage of the MOS transistor M45 changes, and this voltage change is fed back to the gates of the MOS transistors M35 and M36 of the Gm amplifier 1.
[0010]
As a result, the sum of the currents flowing through the NMOS transistors M41 and M42 is fixed to a constant current value determined by the reference current flowing through the MOS transistor M47 and the mirror ratio of the MOS transistors M44 and M45.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, in the conventional common
[0012]
On the other hand, the transconductance value Gm of the Gm amplifier 1 depends on the amplitude of the differential input signal input to the Gm amplifier 1. This means that the characteristic of the Gm-C filter including the conventional common mode feedback circuit shown in FIG. 4 changes depending on the amplitude (level) of the differential input signal.
[0013]
Therefore, a Gm-C filter as shown in FIG. 3 is used, for example, to form a band-pass filter that passes the intermediate frequency of the wireless receiver, and the center frequency alignment accuracy requirement is as extremely low as 0.1%. In such a case, it may be inconvenient that the accuracy cannot be satisfied.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a Gm-C filter in which the characteristics of the filter are made constant without depending on the amplitude of the differential input signal input to the Gm amplifier. It is in.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve the object of the present invention, claims 1 to 1 are provided.3Each invention described in the above was configured as follows.
That is, according to the first aspect of the present invention, a Gm amplifier that generates and outputs a differential output signal corresponding to a differential input signal, a capacitive element connected between the output terminals of the Gm amplifier, and the Gm amplifier A common mode feedback circuit that generates a predetermined feedback signal based on an output signal and feeds back the feedback signal to a feedback terminal of the Gm amplifier, wherein the common mode feedback circuit includes:At each gateIt consists of first and second transistors of a differential pair that inputs a differential output signal of the Gm amplifier, and converts it into a current corresponding to the differential output signalAnd outputting the current from each drain of the first and second transistors.Converting means for generating, a Gm adding means for generating a voltage including a voltage expressed by a sum of transconductances of the first and second transistors based on the current converted by the converting means, and the Gm adding means Feedback means for generating a voltage corresponding to the difference between a response current responsive to the generated voltage and a predetermined reference current, and feeding back the generated voltage to the Gm amplifier.The Gm adding means is connected in series with the first transistor, connected in series to the third transistor having the gate and drain connected thereto, and connected in series to the second transistor, and has the gate and drain connected in series. A fourth transistor connected in series with the fourth transistor, a fifth transistor whose drain is connected to the drain of the third transistor, and the same difference as the second transistor; A sixth transistor that receives a dynamic input signal; a seventh transistor that is connected in series with the sixth transistor and that forms a current mirror circuit with the fifth transistor;It is characterized by comprising.
[0016]
Claim2The invention described in claim1The Gm-C filter described above is characterized in that a level shifter is further provided between the Gm addition means and the feedback means.
Claims3The invention described in claim 1Or claim 2In the Gm-C filter, the feedback means receives a generated voltage of the Gm adding means or an output voltage of the level shifter, and generates a current corresponding to the added voltage or the output voltage. And a constant current source for supplying a predetermined current to the transistor.
[0017]
Thus, in the present invention, the conversion means inputs the differential output signal from the Gm amplifier and converts it into a current corresponding thereto. The Gm addition means generates a voltage including a voltage expressed by the sum of both transconductances of the first and second transistors constituting the conversion means based on the conversion current. The converting means generates a voltage corresponding to the difference between the response current responsive to the generated voltage of the Gm adding means and a predetermined reference current, and feeds back the generated voltage to the Gm amplifier.
[0018]
By the way, the output differential signal of the Gm amplifier input to the first and second transistors is based on the input differential signal of the transistors of the input differential pair of the Gm amplifier. Therefore, the feedback control as described above means that the transistor transconductance value becomes constant even if the level of the input differential signal of the transistor of the input differential pair of the Gm amplifier is large or small.
[0019]
Therefore, according to the present invention, the transconductance value Gm of the Gm amplifier can be made constant regardless of the amplitude of the differential input signal of the Gm amplifier. Can be constant without dependence.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the embodiment of the Gm-C filter of the present invention is connected between a Gm amplifier 1 that generates and outputs a differential output signal corresponding to a differential input signal, and an output line of the Gm amplifier 1. And a common
[0021]
The embodiment of the Gm-C filter of the present invention is different in that the common
Therefore, the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Hereinafter, the common
[0022]
As shown in FIG. 2, the common
Here, the conversion means in the claims corresponds to the V /
[0023]
The V /
For this reason, as shown in FIG. 2, the V /
[0024]
Here, the transistor sizes of the MOS transistors M2 and M3 are the same as the transistor sizes of the MOS transistors M31 and M32 of the Gm amplifier 1.
More specifically, in the MOS transistor M2, the + output voltage Pout of the Gm amplifier 1 is input to the gate, the source is grounded, and the drain is connected to the source of the MOS transistor M8. Further, the MOS transistor M3 has a gate to which the negative output voltage Nout of the Gm amplifier 1 is input, a source grounded, and a drain connected to the source of the MOS transistor M9. A constant voltage V4 is applied to the gates of the MOS transistors M8 and M9.
[0025]
Based on the current converted by the V /
For this purpose, as shown in FIG. 2, the
[0026]
More specifically, the gate and drain of the MOS transistor M16 are connected, and the common connection is connected to the drain of the MOS transistor M8. A power supply voltage VDD is applied to the source of the MOS transistor M16. The gate and drain of the MOS transistor M13 are connected in common, and the common connection is connected to the drain of the MOS transistor M9 and to the gate of the level shift MOS transistor M14 of the
[0027]
The gate of the MOS transistor M17 is connected to the gate of the MOS transistor M18, and the power supply voltage VDD is applied to the source. The MOS transistor 18 has its gate and drain connected in common, and its common connection is connected to the gate of the MOS transistor M17 and to the drain of the MOS transistor M10. Further, the power supply voltage VDD is applied to the source of the MOS transistor M18. Therefore, the MOS transistor M18 and the MOS transistor M17 form a current mirror circuit.
[0028]
In the MOS transistor M10, a constant voltage V4 is applied to its gate, and its source is connected to the drain of the MOS transistor M4. Further, the negative output voltage Nout of the Gm amplifier 1, which is the same as that inputted to the gate of the MOS transistor M3, is inputted to the gate of the
[0029]
The
Therefore, as shown in FIG. 2, the
[0030]
More specifically, the + output voltage Pout of the Gm amplifier 1 which is the same as that inputted to the gate of the MOS transistor M2 is inputted to the gate of the MOS transistor M1. The source of the MOS transistor M1 is grounded and the drain thereof is connected to the source of the MOS transistor M7. In the MOS transistor M7, a constant voltage V4 is applied to its gate, and its drain is connected to the drain of the MOS transistor M15. Further, the gate and drain of the MOS transistor 15 are connected in common, and the power supply voltage VDD is applied to the source.
[0031]
The
Therefore, as shown in FIG. 2, the
[0032]
More specifically, the MOS transistor M14 has its gate connected to the gate of the MOS transistor M13 and its drain grounded. The source of the MOS transistor M14 is connected to the drain of the MOS transistor M19 and to the gate of the MOS transistor M21 of the
[0033]
The gate of the MOS transistor M19 is connected to the gate of the MOS transistor M20, and the power supply voltage VDD is applied to the source. In the MOS transistor M20, the power supply voltage VDD is applied to the source, and the gate and the drain are commonly connected. Further, the common connection is connected to the drain of the MOS transistor M11 and to the gate of the MOS transistor M19. Therefore, the MOS transistor M20 and the MOS transistor M19 form a current mirror circuit.
[0034]
In the MOS transistor M11, a constant voltage V4 is applied to its gate, and its source is connected to the drain of the MOS transistor M5. The gate of the MOS transistor M5 is connected to the gate of the MOS transistor M6 of the
The
[0035]
For this purpose, as shown in FIG. 2, the
[0036]
More specifically, in the MOS transistor M21, the power supply voltage VDD is applied to the source, and the gate is connected to the source of the MOS transistor M14.
The drain of the MOS transistor M21 is connected to the drain of the MOS transistor M12 and to the gates of the MOS transistors M35 and M36. A constant voltage V4 is applied to the gate of the MOS transistor M12, and its source is connected to the drain of the MOS transistor M6.
[0037]
The gate of the MOS transistor M6 is connected to the gate of the MOS transistor M22, and the source thereof is grounded. In addition, the MOS transistor M22 is supplied with a reference current to its drain, and its source is grounded. Therefore, the
[0038]
Next, the operation of the common
First, the operation of the V /
Now, when the + output voltage Pout of the Gm amplifier 1 is inputted to the gate of the MOS transistor M2 of the V /
[0039]
I2= KM2× (VonM2)2(1)
Where K in equation (1)M2Is KM2= K '× (W / L). K 'is a gain factor, W is a channel width of the MOS transistor M2, and L is a channel length of the MOS transistor M2.
VonM2VonM2= Vgs-Vth. Vgs is a voltage between the gate and source of the MOS transistor M2, and Vth is a threshold voltage of the MOS transistor M2.
[0040]
In addition, K in the formula (1)M2, VonM2The subscript “M2” indicates a symbol for identifying the MOS transistor shown in FIG.M2Represents the constant of the MOS transistor M2 and its contents are as described above. Therefore, subscripts in the following cases are handled in the same manner.
When the negative output voltage Nout of the Gm amplifier 1 is input to the gate of the MOS transistor M3, the current I as shown in the following equation (2) is supplied to the MOS transistor M3 in response to this.ThreeFlows.
[0041]
IThree= KM3× (VonM3)2(2)
Next, the operation of the
The same transistor size is used for the MOS transistor M4 of the
[0042]
Since the MOS transistors M18 and M17 form a current mirror circuit and the mirror ratio is set to 1: 1, the MOS transistor M17 and the MOS transistor M3 have the same current I.Three= KM3× (VonM3)2Flows.
As a result, the voltage V of the node A of the
[0043]
VA= √ (I2/ KM16) + VthM16.... (3)
Where √ (I2/ KM16) Is (I2/ KM16), And so on. KM16Is the constant of the MOS transistor 16, VthM16Is the threshold voltage of the MOS transistor M16.
On the other hand, the voltage V of the node B of the
[0044]
VB= √ (I2/ KM16) + VthM16+ √ (I2/ KM13) + VthM13.... (4)
When this equation (4) is rearranged using the equations (1) and (2), the voltage V of the node BBBecomes the following equation (5).
VB= VonM2× √ (KM2/ KM16) + VonM3× √ (KM3/ KM13) + VthM16+ VthM13(5)
Where K in equation (5)M2, KM3, KM13, KM16, VthM13, VthM16Are constants. KM2= KM3, KM13= KM16, VthM13= VthM16There is a relationship.
[0045]
Therefore, in equation (5), √ (KM2/ KM16) = √ (KM3/ KM13) = Α and VthM16+ VthM13= 2VthpThen, the equation (5) becomes the following equation (6).
VB= Α (VonM2+ VonM3) + 2Vthp.... (6)
Here, according to the Sah equation, the current Ids flowing through the MOS transistor is expressed by the following equation (7).
[0046]
Ids = K × Von2(7)
Here, K is a constant, and Von is as described above.
Further, the transconductance Gm of the MOS transistor is obtained as shown in the following equation (8) by partial differentiation of the current Ids.
Gm = ∂Ids / ∂Von = 2K × Von (8)
When Von is expressed by transconductance Gm by the equation (8), the following equation (9) is obtained.
[0047]
Von = Gm / (2K) (9)
Substituting this equation (9) into equation (6), the voltage V of node BBBecomes the following equation (10).
VB= Α (GmM2+ GmM3) / Kn + 2Vthp(10)
Where GmM2, GmM3Are the transconductance values of the MOS transistors M2 and M3, and Kn is the constants of the MOS transistors M2 and M3.
[0048]
According to equation (10), the voltage V of node BBIs the transconductance value Gm of the MOS transistor M2.M2And the transconductance value Gm of the MOS transistor M3M3It can be seen that it is expressed as the sum of
Next, the operation of the
The voltage V of the node B of the
[0049]
The voltage Vgs between the gate and source of the MOS transistor M14M14Is a reference current flowing through the MOS transistor M14 (generated by a current mirror by the MOS transistors M20 and M19) and a constant K of the MOS transistor.M14It is always constant because it is determined only by Therefore, the voltage (output voltage) V at the node C of the level shifter 24.CIs expressed by the following equation (11).
[0050]
VC= Α (GmM2+ GmM3) / Kn + 2Vthp+ VgsM14(11)
Next, the operation of the
Current I generated in MOS transistor M21twenty oneIs the voltage V of node CC(Input voltage of MOS transistor M21) and constant K of MOS transistor M21M21When the equation (11) is used, it is expressed by the following equation (12).
[0051]
Itwenty one= KM21× (VC−Vthp)2= KM21× [α (GmM2+ GmM3) / Kn + Vthp+ VgsM14]2(12)
By the way, the current generated in the MOS transistor M6 is supplied with the reference current Iref to the MOS transistor M22, and the MOS transistors M22 and M6 form a current mirror, and therefore have a constant value determined by the mirror ratio. If the mirror ratio is 1: 1, currents Iref and Itwenty one, Can be expressed by the following equation (13).
[0052]
Iref = Itwenty one= KM21× (VC−Vthp)2= KM21× [α (GmM2+ GmM3) / Kn + Vthp+ VgsM14]2(13)
As can be seen from the equation (13), the transconductance Gm of the MOS transistors M2 and M3.M2, GmM3(GmM2+ GmM3) Is input to the gates of the MOS transistors M2 and M3, the voltage at the node D of the
[0053]
The above operations are summarized as follows.
That is, the differential output voltage from the Gm amplifier 1 is converted into a differential output current according to the differential output voltage by the MOS transistors M2 and M3 of the V /
[0054]
Further, this output voltage VBIs level-shifted by the MOS transistor M14 of the
[0055]
Incidentally, the output differential voltage of the Gm amplifier 1 input to the MOS transistors M2 and M3 is based on the input differential voltage of the MOS transistors M31 and M32 of the Gm amplifier 1. Therefore, satisfying the expression (13) by the feedback control as described above means that the transconductance values of the MOS transistors M31 and M32 are constant even if the level of the input differential voltage of the MOS transistors M31 and M32 is large or small. It means to become.
[0056]
Therefore, according to this embodiment, since the transconductance value Gm of the Gm amplifier can be made constant regardless of the amplitude of the differential input signal of the Gm amplifier 1, the characteristics of the filter can be changed with respect to the differential input signal. It can be made constant without depending on the amplitude. For this reason, when a band pass filter is configured using the Gm-CF filter of this embodiment, ideal characteristics can be obtained.
[0057]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the transconductance value Gm of the Gm amplifier can be made constant regardless of the amplitude of the differential input signal of the Gm amplifier. It can be made constant without depending on the amplitude of the signal. For this reason, when a band pass filter is configured using the present invention, ideal characteristics can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram (block diagram) showing a configuration of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the common mode feedback circuit shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional Gm-C filter.
4 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the common mode feedback circuit shown in FIG. 3; FIG.
[Explanation of symbols]
1 Gm amplifier
2 Capacitor (capacitance element)
13 Common mode feedback circuit
21 V / I converter
22 Gm adder
23 Dummy circuit
24 level shifter
25 Current comparator
Claims (3)
前記コモンモードフィードバック回路は、
各ゲートに前記Gm増幅器の差動出力信号を入力する差動対の第1及び第2のトランジスタからなり、前記差動出力信号に応じた電流に変換し、前記第1及び第2のトランジスタの各ドレインから前記電流を出力する変換手段と、
この変換手段で変換された電流に基づき、前記第1及び第2のトランジスタのトランスコンダクタスの和で表現される電圧を含む電圧を生成するGm加算手段と、
このGm加算手段の生成電圧に応答する応答電流と所定の基準電流との差に応じた電圧を生成し、この生成電圧を前記Gm増幅器に帰還する帰還手段と、
を備え、
前記Gm加算手段は、
前記第1のトランジスタと直列接続されるとともに、そのゲートとドレインが接続された第3のトランジスタと、
前記第2のトランジスタに直列接続されるとともに、そのゲートとドレインが接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタに直列接続されるとともに、そのドレインが前記第3のトランジスタのドレインに接続される第5のトランジスタと、
前記第2のトランジスタと同一の差動入力信号が入力される第6のトランジスタと、
前記第6のトランジスタと直列接続されるとともに、前記第5のトランジスタとの間でカレントミラー回路を形成する第7のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする記載のGm−Cフィルタ。A Gm amplifier that generates and outputs a differential output signal corresponding to the differential input signal, a capacitive element connected between the output terminals of the Gm amplifier, and a predetermined feedback signal based on the output signal of the Gm amplifier And a common mode feedback circuit that feeds back the feedback signal to the feedback terminal of the Gm amplifier, and a Gm-C filter comprising:
The common mode feedback circuit is
The first and second transistors of the differential pair that input the differential output signal of the Gm amplifier to each gate, and converted into a current corresponding to the differential output signal, the first and second transistors Conversion means for outputting the current from each drain ;
Gm addition means for generating a voltage including a voltage expressed by the sum of transconductances of the first and second transistors based on the current converted by the conversion means;
Feedback means for generating a voltage corresponding to a difference between a response current responsive to the generated voltage of the Gm adding means and a predetermined reference current, and feeding back the generated voltage to the Gm amplifier;
Equipped with a,
The Gm adding means includes
A third transistor connected in series with the first transistor and having its gate and drain connected;
A fourth transistor connected in series to the second transistor and having its gate and drain connected;
A fifth transistor connected in series to the fourth transistor and having its drain connected to the drain of the third transistor;
A sixth transistor that receives the same differential input signal as the second transistor;
A seventh transistor connected in series with the sixth transistor and forming a current mirror circuit with the fifth transistor;
Gm-C filter according to comprising the.
前記Gm加算手段の生成電圧または前記レベルシフタの出力電圧を入力し、その加算電圧またその出力電圧に応じた電流を発生するトランジスタと、A transistor that inputs a generated voltage of the Gm adding means or an output voltage of the level shifter, and generates a current corresponding to the added voltage or the output voltage;
このトランジスタに接続され所定の電流を前記トランジスタに流すための定電流源と、A constant current source connected to the transistor for passing a predetermined current through the transistor;
からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のGm−Cフィルタ。The Gm-C filter according to claim 1 or 2, characterized by comprising:
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