JP4653358B2 - Integrated valve - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置等で使用されるガス供給装置が設置された集積弁に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体レーザや発光ダイオード等は、例えば、有機金属気相成長法により形成される。有機金属気相成長法は、チャンバ内の基板を約1200℃程度に熱し、有機金属を含むガスをガス供給装置からチャンバに所定量で供給し、基板上に蒸着させる。有機金属気相成長法で使用されるガス供給装置は、有機金属の水溶性が低いため、メンテナンス時に流路内を水で洗い流される。流路内に水分が残存した状態でガス供給装置を使用すると、有機金属が流路内に残存する水分と化合して酸化し、製品品質を低下させる恐れがある。そのため、メンテナンス時には、ガス供給装置を約2日間程度加熱して、流路内の水分を完全に除去していた。ガス供給装置の加熱方法としては、図7に示すものがある。
【0003】
図7のガス供給装置100は、図中左から、入力開閉弁101、パージ弁102、質量流量計付き電磁弁103、出力開閉弁105、パージ出力弁104が、入力ブロック106、継手ブロック107,108、出力ブロック109にそれぞれ連結され、流路を形成している。入力ブロック106,出力ブロック109には、電圧を印加されて発熱する棒状ヒータ110,111が装着されている。出力ブロック109には、ガス供給装置100の温度を測定するための温度センサ112が装着されている。棒状ヒータ110,111及び温度センサ112は、ガス供給装置100の制御装置113に接続され、棒状ヒータ110,111の印加電圧を制御するようになっている。従って、ガス供給装置100は、棒状ヒータ110,111により一定温度に加熱される。
【0004】
しかしながら、図7のガス供給装置100は、図示しない取付板に取り付けられて集積化されたときに、メンテナンスに非常に手間がかかっていた。すなわち、メンテナンスをするために図示しない取付板からガス供給装置100を取り外す場合には、棒状ヒータ110,111及び温度センサ112を入力ブロック106及び出力ブロック109から外す必要があった。また、メンテナンス終了後にガス供給装置100を図示しない取付板に取り付ける場合には、棒状ヒータ110,111及び温度センサ112を入力ブロック106及び出力ブロック109に装着する必要があった。この作業は、集積弁に取り付けられるガス供給装置100の全てに行う必要があり、非常に手間がかかるものであった。
【0005】
この問題に対し、図8に示す集積弁115は、ヒータを着脱せずにガス供給装置116を着脱できるようにしている。すなわち、図9に示すように、取付板120には、ガス供給装置116の流路ブロック117等を載置するためのベースプレート118が設けられている。ベースプレート118の両側には、一対のクリップ121,121が、内側に向かって弾性による付勢力が作用するように取り付けられている。一対のクリップ121,121には、ヒータブロック122がそれぞれ装着される。ヒータブロック122,122は、流路ブロック117等に直接当接する内側ブロック123と、テープヒータ125を内蔵する外側ブロック124とが重ねられてネジ126,126で固定されて構成されている。
【0006】
従って、図9及び図8に示す集積弁115は、ガス供給装置116を取付板120に取り付ける場合には、ヒータブロック122,122を一対のクリップ121,121の付勢力に反して外側に押し広げる。押し広げられたヒータブロック122,122の間にガス供給装置116をはめ込み、ベースプレート118の上に載置する。ヒータブロック122,122から離し、ヒータブロック122,122を一対のクリップ121,121の付勢力によりガス供給装置116の側面に密着させる。そして、ガス供給装置116をベースプレート118にネジ等で固定する。この場合に、テープヒータ125に発熱させてヒータブロック122を加温すると、ヒータブロック122の熱が、流路ブロック117等に伝達され、ガス供給装置116が加熱される。
【0007】
一方、ガス供給装置116を取付板120から取り外す場合には、ガス供給装置116とベースプレート118の固定を解除する。ヒータブロック122,122を一対のクリップ121,121の付勢力に反して外側に押し広げ、ガス供給装置116を抜き出す。従って、集積弁115では、ヒータブロック122,122を外すことなく、ガス供給装置116を取付板120に着脱することができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示す集積弁115は、各ガス供給装置116の側面にヒータブロック122,122が取り付けられていた。ここで、ガス供給装置116を個別的に加熱するのは、各ガス供給装置116を一定温度に加熱し、気化温度が高く、常温にて外部から熱を加えないと液化しやすいジクロールシラン等を高精度に制御することにより、チャンバ等で生産される製品の品質を向上させるためである。そのため、図8に示すようにガス供給装置116を複数寄せ集めて集積化したときに、隣接するガス供給装置116の間にヒータブロック122,122を配設するための隙間Sを設ける必要があった。従って、従来の集積弁115では、ラインピッチQが大きいために幅寸法が長くなり、集積弁の最大のメリットであるコンパクト化が損なわれていた。
【0009】
特に、半導体製造工程では、ガス流量の精度が品質に直接与える影響が極めて大きく、集積弁をコンパクトにして流量損失を小さくすることが強く望まれている点で問題である。また、上述したように、水分を完全に除去するためにガス供給装置116を加熱する場合には、各ガス供給装置116を一定温度に加熱する必要はなく、図8及び図9に示す集積弁115が適切にガス供給装置116を加熱しているとはいえない。
【0010】
そこで、本発明は、ガス供給装置の設置間隔を短くしたコンパクトな集積弁を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために成された請求項1に記載の発明は、作用ガスを供給するガス供給装置を複数集めて取付板に固定した集積弁において、前記取付板の前記ガス供給装置が固定された面の反対側には、前記取付板を加温する取付板加温手段を有し、前記取付板加温手段は、シート状の加温部材と、前記加温部材が発生する熱を断熱する断熱部材と、前記加温部材と前記断熱部材とを前記取付板に固定する固定部材と、を有し、前記加温部材が前記取付板と前記断熱部材との間に密着した状態で前記固定部材により前記取付板に固定されており、前記ガス供給装置を取り外さずに前記加温部材を交換することができるものであること、を特徴とする。
【0012】
よって、請求項1に記載の発明は、複数のガス供給装置が設置された取付板を取付板加温手段により加温する。取付板が発生する熱は、ガス供給装置の底面に伝達されて、ガス供給装置を加熱する。そのため、ガス供給装置を加熱するためのヒータ等をガス供給装置の側面等に取り付ける必要がない。従って、ガス供給装置を近接させて取付板に取り付けることができる。
【0014】
また、請求項1に記載の発明は、取付板に加温部材及び断熱部材を重ねて固定部材で固定し、複数のガス供給装置を取り付ける。加温部材を加温すると、その熱が取付板に伝達されて取付板を加温する。取付板が発生する熱は、ガス供給装置の底面に伝達され、ガス供給装置を加熱する。ここで、加温部材が発生する熱は、断熱部材で逃げを防止されるため、効率良く取付板に伝達される。
【0019】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明であって、ガス供給装置が、有機金属を含むガスを供給すること、を特徴とする。
【0020】
よって、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明の作用に加え、ガス供給装置が有機金属を含むガスの流量を制御する。メンテナンス時には、ガス供給装置を水等で洗浄する。そして、取付板加温部材を加温して、ガス供給装置を加熱する。この加熱により、ガス供給装置は、流路の内壁等に付着する水分が完全に除去される。そのため、有機金属を含むガスは、ガス供給装置を流れるときに酸化しない。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態を図面を参照して説明する。図1に示す集積弁1は、複数のガス供給装置2を取付板21に取り付けたものである。ガス供給装置2は、図中右側から手動弁3、調圧弁(レギュレータ)4、圧力計5、入力開閉弁6、パージ弁7、質量流量計付電磁弁8、出力開閉弁9が、流路ブロック10,11,12,13,15,18,19及び継手ブロック14,16,17を介して連結され、作用ガスが流れる集積ラインが形成されている。本実施の形態では、作用ガスとして有機金属を含むガスが使用されている。
【0022】
取付板21には、集積弁1を設置する設置面との間に空間を形成するための脚が設けられている。その空間には、取付板21を加温するための取付板加温部材22が配設されている。図2に示すように、取付板加温部材22は、電圧を印加するための導線20が接続され、電圧を印加されたときに発熱するようになっている。図3に示すように、取付板加温部材22は、略正方形状をなし、取付板21の表面に取り付けられた複数のガス供給装置2の設置面積と同程度の面積を有している。
【0023】
取付板加温部材22は、図4に示すように、シート状のヒータ23とスポンジ24が固定板25に狭持されたものである。取付板加温部材22は、取付板21に挿し通されたボルト26に、中間部材27と固定板25の貫通孔をはめ込み、ナット28を締結することにより取付板21に固定されている。中間部材27を取付板21と固定板25との間に配設したのは、各固定箇所においてナット28を一定の力で締結し、ヒータ23を取付板21にほぼ均等の圧力で密着させるためである。従って、取付板加温部材22は、発生した熱を取付板21にほぼ均等に伝達するように取付板21に固定されている。
【0024】
取付板21には、複数のガス供給装置2をネジ固定するためのネジ孔が形成されている。このネジ孔は、隣接するガス供給装置2の側面が近接するように形成されている。従って、複数のガス供給装置2は、隣り合うガス供給装置2と近接した状態で取付板21に取り付けられて集積化されている。
【0025】
このような集積弁1をメンテナンスする場合には、各々のガス供給装置2に洗浄水を供給し、流路内に付着する有機金属を含むガスを洗い流す。そして、ヒータ23に電圧を印加して、発熱させる。ヒータ23の熱は、取付板21の裏面に直接伝達され、取付板21を加温する。取付板21の熱は、表面に当接する各ガス供給装置2の底面に伝達される。従って、複数のガス供給装置2は、加温された取付板21により一体的に加熱される。ここで、ヒータ23は、スポンジ24により断熱されているため、発熱した熱が効率よく取付板21に伝達される。そして、ガス供給装置2は、取付板21によって2日間程度加熱され、流路内の水分が完全に除去される。
【0026】
従って、第1の実施の形態の集積弁1によれば、取付板加温部材22で取付板21を加温し、複数のガス供給装置2を一体的に加熱するので、各ガス供給装置2にヒータ等の加熱部材を取り付ける必要がなく、図8に示す従来の集積弁115のようにガス供給装置2の間に隙間Sを設ける必要がない。そのため、例えば、図8に示す従来の集積弁115では、ラインピッチQが約50mmであったのに対して、図2に示す第1の実施の形態の集積弁1では、ラインピッチPが約40mmになり、ラインピッチを約10mmも小さくすることができた。よって、第1の実施の形態の集積弁1では、ガス供給装置2の設置間隔を小さくして幅寸法を短くすることができ、集積弁1全体をコンパクトにすることができた。この効果は、取付板21に取り付けるガス供給装置2の数が増加する程に顕著になることはいうまでもない。そして、集積弁1を半導体製造装置に使用した場合には、作用ガスの流量損失を低減して、作用ガスを高精度で制御することができ、製品品質を向上させることができる。
【0027】
また、第1の実施の形態の集積弁1によれば、取付板加温部材22が取付板21に着脱可能に固定されているので、取付板加温部材22が故障等しても、ガス供給装置2を取り外さずに取付板加温部材22を交換することができ、メンテナンスが容易である。
【0028】
尚、従来、ガス供給装置を加熱するのは、気化温度が高く、常温にて外部から熱を加えないと液化しやすいジクロールシラン等を高精度に制御することにより、チャンバ等で生産される製品の品質を向上させるためであった。そのため、各ガス供給装置2は、一定温度に加熱することが前提とされており、複数のガス供給装置2を一体的に加熱する技術的思想はなかった。それに対し、第1の実施の形態の集積弁1では、ガス供給装置2の流路内の水分を完全に除去し、有機金属を含むガスの酸化を防止するために、ガス供給装置2を加熱している。従って、各ガス供給装置2を一定温度に加熱する必要はなく、一体的に加熱しても何ら問題はない。むしろ、近接するガス供給装置2が互いに熱を伝達し合って相乗的に加熱され、効率が良い点で、好ましいと考えられる。
【0029】
(第1の参考例)
続いて、本発明に係り第1の参考例の集積弁について図面を参照して説明する。図5に示す第1の参考例の集積弁は、図1に示す第1の実施の形態の集積弁1の取付板21を改良したものである。従って、第1の参考例の集積弁の概要は、第1の実施の形態の集積弁1のものと同じであるので、その詳細な説明は省略する。また、第1の実施の形態の集積弁1に使用した符号は、第1の参考例の集積弁の説明においても使用するものとする。
【0030】
第1の参考例の集積弁では、取付板31が複数のヒータ孔31aを穿設されている。ヒータ孔31aは、各集積ラインのほぼ真下に形成されている。よって、ヒータ孔31aは、集積ラインと平行に等間隔で形成されている。各々のヒータ孔31aには、棒状ヒータ32が隙間なくはめ込まれて図示しない止めネジで固定されている。
【0031】
そして、取付板31に設置されたガス供給装置2を加熱する場合には、棒状ヒータ32に電圧を印加して、発熱させる。棒状ヒータ32が発生する熱は、ヒータ孔31aの内壁に直接伝達されて、取付板31を加温する。取付板31の熱は、ガス供給装置2の底面に伝達され、ガス供給装置2を加熱する。ここで、棒状ヒータ32は、ガス供給装置2の真下で各々発熱するため、棒状ヒータ32の発生した熱が効率よくガス供給装置2に伝達される。
【0032】
従って、第1の参考例の集積弁によれば、棒状ヒータ32が故障したときに、ガス供給装置装置2を取り外さずに故障した棒状ヒータ32を交換できるので、メンテナンスが容易である。また、故障した棒状ヒータ32のみを交換できるので、第1の実施の形態の集積弁1と比較して、メンテナンスコストを抑えることができる。
【0033】
また、第1の参考例の集積弁によれば、棒状ヒータ32に電圧を個別的に印加して取付板21を局部的に加温することにより、任意のガス供給装置2を加熱することができる。
【0034】
(第2の参考例)
続いて、本発明に係り第2の参考例の集積弁について図面を参照して説明する。図6に示す第2の参考例の集積弁は、図1に示す第1の実施の形態の集積弁1の取付板21を改良したものである。従って、図6に示す第2の参考例の集積弁の概要は、図1に示す第1の実施の形態の集積弁1のものと同じであるので、その詳細な説明は省略する。また、第1の実施の形態の集積弁1に使用した符号は、第2の参考例の集積弁の説明においても使用するものとする。
【0035】
第2の参考例の集積弁では、取付板41はインサート成形されている。取付板41は、電圧を印加されて発熱する棒状のヒータ42と一体的に形成されている。ヒータ42は、取付板41に等間隔に配置されるように折り曲げられており、両端部が電極に接続されるように外部に露出している。
【0036】
そして、第2の参考例の集積弁は、取付板41に取り付けられたガス供給装置2を加熱する場合には、ヒータ42に電圧を印加する。ヒータ42は、取付板41に埋設されているので、ヒータ42が発生する熱は取付板41に直接伝達される。取付板41が加温されると、その熱が、ガス供給装置2の底面に伝達される。従って、複数のガス供給装置2は、取付板41により一体的に加熱される。
【0037】
従って、第2の参考例の集積弁によれば、第1,第2の実施の形態のように、取付板41に取付板加温部材22や棒状ヒータ32等を取り付ける必要がなく、第1の実施の形態、第1の参考例と比較して、構造を単純にすることができ、さらなるコンパクト化を図ることができる。
【0038】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0039】
(1)例えば、上記第1の実施の形態の集積弁1では、計温せずに、ガス供給装置2を加熱している。それに対し、温度センサを設けて、流路内の温度等を計測しながらガス供給装置2を加熱するようにしてもよい。
【0040】
(2)例えば、上記第1の実施の形態の集積弁1では、取付板加温部材22を略正方形状に形成し、複数のガス供給装置2の全てに熱を伝達するように配設した。それに対し、取付板加温部材を短冊状に形成し、集積ラインと平行に取付板加温部材を取付板21にそれぞれ固定するようにしてもよい。この場合、ガス供給装置2に温度センサを設け、温度センサの計測結果に基づいて取付板加温部材への印加電圧を各々調整し、各ガス供給装置2を一定温度に加熱するようにしてもよい。また、取付板加温部材を短冊状に形成し、集積ラインと直交するように取付板加温部材を取付板21に固定してもよい。
【0041】
(3)例えば、上記第1の実施の形態の集積弁1では、ガス供給装置2に入力開閉弁3等が搭載されている。それに対し、搭載する部材の種類や配置等を変更してもよい。また、各部材を連結する流路ブロック10や継手ブロック14等の種類や配置等を変更してもよい。
【0042】
(4)例えば、上記第1の参考例の集積弁では、集積ラインと平行に棒状ヒータ32を取付板31に装着した。それに対し、集積ラインと直交するように複数の棒状ヒータを配置してもよい。この場合、棒状ヒータ32を等間隔に配設して取付板31を均等に加熱してもよいし、ガス供給装置2が取付板31に当接する部分(例えば、流路ブロックの真下など)に棒状ヒータを配置して取付板31を局部的に加熱するようにしてもよい。
【0043】
(5)例えば、上記第2の参考例の集積弁では、折り曲げたヒータ42を取付板41と一体的に形成した。それに対し、ヒータ42より短尺な棒状のヒータを等間隔に配置して、取付板41と一体的に形成するようにしてもよい。
【0044】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の請求項1に記載の集積弁によれば、ガス供給装置の設置間隔を小さくして、幅寸法を短くすることができ、集積弁全体をコンパクトにすることができる。
【0045】
また、請求項1に記載の発明によれば、取付板を効率よく加温することができるとともに、ガス供給装置を取り外さずにヒータ、断熱部材、固定部材を交換することができ、メンテナンスが容易である。
【0048】
また、請求項2に記載の発明によれば、歩留まり率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る第1の実施の形態において、集積弁の側面図である。
【図2】 同じく、集積弁の概略構成図である。
【図3】 同じく、取付板加温部材の配置を概念的に示した集積弁の平面図である。
【図4】 同じく、図1に示すA部の拡大断面図である。
【図5】 本発明に係る第1の参考例において、取付板の構造を示す図である。
【図6】 本発明に係る第2の参考例において、取付板の構造を示す図である。
【図7】 従来のガス供給装置の加熱構造を示す図である。
【図8】 従来の集積弁の平面図である。
【図9】 図8に示す集積弁におけるガス供給装置の加熱構造を示す図である。
【符号の説明】
1 集積弁
2 ガス供給装置
21 取付板
22 取付板加温部材
31 取付板
31a ヒータ孔
32 棒状ヒータ
41 取付板
42 ヒータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an integrated valve provided with a gas supply device used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, semiconductor lasers, light emitting diodes, and the like are formed by, for example, metal organic chemical vapor deposition. In the metal organic chemical vapor deposition method, a substrate in a chamber is heated to about 1200 ° C., a gas containing an organic metal is supplied from a gas supply device to the chamber in a predetermined amount, and is deposited on the substrate. Since the gas supply apparatus used in the metal organic chemical vapor deposition method has low water solubility of the organic metal, the flow path is washed away with water during maintenance. If the gas supply device is used in a state where moisture remains in the flow path, the organic metal may combine with the water remaining in the flow path and oxidize, which may reduce product quality. Therefore, at the time of maintenance, the gas supply device is heated for about two days to completely remove moisture in the flow path. As a heating method of the gas supply device, there is one shown in FIG.
[0003]
The
[0004]
However, when the
[0005]
With respect to this problem, the integrated
[0006]
Therefore, the integrated
[0007]
On the other hand, when removing it a
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the integrated
[0009]
Particularly in the semiconductor manufacturing process, the accuracy of the gas flow rate has a great influence directly on the quality, and there is a problem in that it is strongly desired to make the integrated valve compact and to reduce the flow loss. Further, as described above, when the
[0010]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a compact integrated valve in which the installation interval of the gas supply device is shortened.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem, the invention according to
[0012]
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the mounting plate on which the plurality of gas supply devices are installed is heated by the mounting plate heating means. The heat generated by the mounting plate is transmitted to the bottom surface of the gas supply device to heat the gas supply device. Therefore, it is not necessary to attach a heater or the like for heating the gas supply device to the side surface or the like of the gas supply device. Therefore, the gas supply device can be attached to the mounting plate in close proximity.
[0014]
In the first aspect of the present invention, a heating member and a heat insulating member are stacked on a mounting plate and fixed by a fixing member, and a plurality of gas supply devices are attached. When the heating member is heated, the heat is transmitted to the mounting plate to heat the mounting plate. The heat generated by the mounting plate is transmitted to the bottom surface of the gas supply device and heats the gas supply device. Here, since the heat generated by the heating member is prevented from escape by the heat insulating member, it is efficiently transmitted to the mounting plate.
[0019]
The invention described in
[0020]
Therefore, in the invention described in
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The
[0022]
The mounting
[0023]
As shown in FIG. 4, the attachment
[0024]
The mounting
[0025]
When such an
[0026]
Therefore, according to the
[0027]
Moreover, according to the
[0028]
Conventionally, the gas supply device is heated in a chamber or the like by controlling dichlorosilane, etc., which has a high vaporization temperature and is liable to be liquefied at normal temperature, which is liable to be liquefied without external heat. This was to improve the quality of the product. For this reason, it is assumed that each
[0029]
( First reference example )
Next, the integrated valve of the first reference example according to the present invention will be described with reference to the drawings. The integrated valve of the first reference example shown in FIG. 5 is obtained by improving the mounting
[0030]
In the integrated valve of the first reference example , the mounting
[0031]
When the
[0032]
Therefore, according to the integrated valve of the first reference example , when the
[0033]
Further, according to the integrated valve of the first reference example , an arbitrary
[0034]
( Second reference example )
Subsequently, an integrated valve of a second reference example according to the present invention will be described with reference to the drawings. The integrated valve of the second reference example shown in FIG. 6 is obtained by improving the mounting
[0035]
In the integrated valve of the second reference example , the mounting
[0036]
The integrated valve of the second reference example applies a voltage to the
[0037]
Therefore, according to the integrated valve of the second reference example , it is not necessary to attach the attachment
[0038]
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible in the range which does not deviate from the meaning.
[0039]
(1) For example, in the
[0040]
(2) For example, in the
[0041]
(3) For example, in the
[0042]
(4) For example, in the integrated valve of the first reference example , the
[0043]
(5) For example, in the integrated valve of the second reference example , the
[0044]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the integrated valve according to
[0045]
In addition, according to the first aspect of the present invention, the mounting plate can be efficiently heated, and the heater, the heat insulating member, and the fixing member can be replaced without removing the gas supply device, and maintenance is easy. It is.
[0048]
According to the invention described in
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view of an accumulation valve in a first embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is also a schematic configuration diagram of an integrated valve.
FIG. 3 is also a plan view of the integrated valve conceptually showing the arrangement of the mounting plate heating member.
4 is an enlarged cross-sectional view of a portion A shown in FIG.
FIG. 5 is a view showing a structure of a mounting plate in the first reference example according to the present invention.
FIG. 6 is a view showing a structure of a mounting plate in a second reference example according to the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a heating structure of a conventional gas supply device.
FIG. 8 is a plan view of a conventional integrated valve.
9 is a view showing a heating structure of a gas supply device in the integrated valve shown in FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記取付板の前記ガス供給装置が固定された面の反対側には、前記取付板を加温する取付板加温手段を有し、
前記取付板加温手段は、シート状の加温部材と、前記加温部材が発生する熱を断熱する断熱部材と、前記加温部材と前記断熱部材とを前記取付板に固定する固定部材と、を有し、
前記加温部材が前記取付板と前記断熱部材との間に密着した状態で前記固定部材により前記取付板に固定されており、
前記ガス供給装置を取り外さずに前記加温部材を交換することができるものであること、を特徴とする集積弁。In an integrated valve in which a plurality of gas supply devices for supplying working gas are collected and fixed to a mounting plate,
On the opposite side of the gas supply device is fixed surface of said mounting plate, have a mounting plate heating means for heating said mounting plate,
The mounting plate heating means includes a sheet-shaped heating member, a heat insulating member for insulating heat generated by the heating member, and a fixing member for fixing the heating member and the heat insulating member to the mounting plate. Have
The heating member is fixed to the mounting plate by the fixing member in a state of being in close contact between the mounting plate and the heat insulating member,
Integrated valve, characterized in der Rukoto, which can exchange the heating member without removing the gas supply device.
前記ガス供給装置が、有機金属を含むガスを供給すること、を特徴とする集積弁。The integrated valve according to claim 1 ,
The integrated valve, wherein the gas supply device supplies a gas containing an organic metal.
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|---|---|---|---|---|
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| JP4753173B2 (en) * | 2005-06-17 | 2011-08-24 | 株式会社フジキン | Fluid control device |
| JP5048717B2 (en) * | 2009-05-28 | 2012-10-17 | Ckd株式会社 | On-off valve for vacuum |
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| JP7333944B2 (en) * | 2019-06-27 | 2023-08-28 | 株式会社フジキン | Fluid control device |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2695745B2 (en) * | 1993-09-02 | 1998-01-14 | シーケーディ株式会社 | Gas supply device |
| JPH1022060A (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Noritz Corp | Heater |
| JP3752578B2 (en) * | 1997-04-21 | 2006-03-08 | 株式会社フジキン | Heating device for fluid controller |
| JPH112384A (en) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | Piping system |
| JP2000174005A (en) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Japan Pionics Co Ltd | Valve unit with built-in heater |
| JP2000230670A (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Hitachi Metals Ltd | Integrated fluid control device with heater |
| JP2001153289A (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Air Water Inc | Module block fixing method for integrated gas supply unit |
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2001
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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