JP4655664B2

JP4655664B2 - LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE

Info

Publication number: JP4655664B2
Application number: JP2005046589A
Authority: JP
Inventors: 幸夫山内; 建二林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2011-03-23
Anticipated expiration: 2025-02-23
Also published as: JP2006236642A

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法と、この発光装置を備えた電子機器に関する。 The present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus including the light emitting device.

近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機発光層を備えた有機ＥＬ装置が知られている。
有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に有機発光層を備えた構成が一般的である。更に、正孔注入性や電子注入性を向上させるために、陽極と有機発光層の間に正孔注入層を配置した構成や、有機発光層と陰極の間に電子注入層を配置した構成が提案されている。 In recent years, with the diversification of information equipment and the like, there is an increasing need for flat display devices that consume less power and are lighter. As one of such flat display devices, an organic EL device having an organic light emitting layer is known.
An organic EL device generally has a configuration in which an organic light emitting layer is provided between an anode and a cathode. Furthermore, in order to improve the hole injection property and the electron injection property, there is a configuration in which a hole injection layer is disposed between the anode and the organic light emitting layer, or a configuration in which an electron injection layer is disposed between the organic light emitting layer and the cathode. Proposed.

有機発光層上に成膜される電極等の薄膜（層）には、一般に非常に大きな応力が生じてしまう。これらの応力は、成膜中に生ずる薄膜の成長様式に依存した密度変化にともなって発生したり、基板と薄膜の熱膨張係数の違いにより発生したりする。また、スパッタ法により成膜した薄膜に生ずる圧縮応力のように、成膜方法に依存して生ずる応力も存在する。
薄膜中の応力は、薄膜に歪をもたらし、一般に転移やクラック発生など、その膜質に影響を及ぼす。特に、有機発光層上の電極等の薄膜に歪みが発生すると、有機発光層の剥離が発生し、発光領域が小さくなってしまうという問題があった。
このような問題を解決するために、有機発光層上には、応力の殆どない或いはわずかに圧縮応力を有する薄膜を形成する技術が提案されている（特許文献１）。
特開２００４−２２０９０７号公報 In general, a very large stress is generated in a thin film (layer) such as an electrode formed on the organic light emitting layer. These stresses are generated with a density change depending on the growth mode of the thin film generated during the film formation, or generated due to a difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the thin film. In addition, there is stress generated depending on the film forming method, such as compressive stress generated in a thin film formed by sputtering.
The stress in the thin film causes distortion in the thin film, and generally affects the film quality such as dislocation and crack generation. In particular, when a thin film such as an electrode on the organic light emitting layer is distorted, the organic light emitting layer is peeled off and the light emitting region becomes small.
In order to solve such a problem, a technique for forming a thin film having little or little compressive stress on the organic light emitting layer has been proposed (Patent Document 1).
JP 2004-220907 A

しかしながら、本発明者らは、上記の特許文献に記載された技術を採用しても、有機発光層の端部に剥離が発生して、発光領域が小さくなってしまうことを確認した。
逆に、有機発光層の上部に引張応力を存在する薄膜を形成した場合の方が、却って有機発光層の剥離が発生しづらくなり、発光領域の縮小が抑えられることを確認した。 However, the present inventors have confirmed that even when the technique described in the above-mentioned patent document is adopted, peeling occurs at the end of the organic light emitting layer and the light emitting region becomes small.
On the contrary, it was confirmed that when the thin film having a tensile stress was formed on the organic light emitting layer, the organic light emitting layer was less likely to be peeled off, and the reduction of the light emitting region was suppressed.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、有機発光層の剥離を抑えて、また封止性能を向上させて、充分な発光寿命を得ることができる発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances. A light-emitting device capable of suppressing peeling of an organic light-emitting layer and improving sealing performance to obtain a sufficient light-emitting lifetime, and a method for manufacturing the light-emitting device And it aims at providing an electronic device.

本発明に係る発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、発光装置が、基板上に、複数の開口部と有する隔壁層と、前記開口部のそれぞれに配置される有機発光層と、前記隔壁層及び前記有機発光層を覆うと共に引張応力を有する無機材料層と、備えるようにした。
この発明によれば、引張応力を有する無機材料層を備えることにより、無機材料層が圧縮応力を有する場合或いは応力が殆どない場合に比べて、有機発光層の剥離を効果的に抑制することができる。これにより、長寿命の発光装置が得られる。 In the light emitting device, the method for manufacturing the light emitting device, and the electronic apparatus according to the present invention, the following means are employed in order to solve the above problems.
According to a first aspect of the present invention, a light-emitting device covers and stretches a partition layer having a plurality of openings on the substrate, an organic light-emitting layer disposed in each of the openings, the partition layer and the organic light-emitting layer. And an inorganic material layer having stress.
According to this invention, by providing the inorganic material layer having a tensile stress, it is possible to effectively suppress the peeling of the organic light emitting layer as compared with a case where the inorganic material layer has a compressive stress or a case where there is almost no stress. it can. Thereby, a long-life light-emitting device is obtained.

具体的には、前記無機材料層が、前記有機発光層に接続する電極であるもの、また、前記有機発光層に接続する電極を覆う電極保護層であるものでは、有機発光層の剥離を効果的に抑制することができる。
更に、前記無機材料層を覆う有機平坦化層と、前記有機平坦化層を覆うと共に引張応力を有するガスバリア層と、を備えるものでは、ガスバリア層の封止性能が向上するので、引張応力を有するガスバリア層を備えることにより、ガスバリア層が圧縮応力を有する場合或いは応力が殆どない場合に比べて、クラック等の発生が抑えられると共に封止能力の向上が図られる。これにより、長寿命の発光装置が得られる。 Specifically, in the case where the inorganic material layer is an electrode connected to the organic light emitting layer or an electrode protective layer covering the electrode connected to the organic light emitting layer, peeling of the organic light emitting layer is effective. Can be suppressed.
Further, the organic flattening layer that covers the inorganic material layer and the gas barrier layer that covers the organic flattening layer and has tensile stress improves the sealing performance of the gas barrier layer, and thus has tensile stress. By providing the gas barrier layer, the generation of cracks and the like can be suppressed and the sealing ability can be improved as compared with the case where the gas barrier layer has a compressive stress or the case where there is almost no stress. Thereby, a long-life light-emitting device is obtained.

第２の発明は、発光装置の製造方法が、基板上に、複数の開口部を有する隔壁層を形成する工程と、前記開口部のそれぞれに配置される有機発光層を形成する工程と、前記隔壁層及び前記有機発光層を覆うと共に引張応力を有する無機材料層を形成する工程と、を有するようにした。
この発明によれば、有機発光層上に圧縮応力を有する無機材料層を形成することにより、圧縮応力を有する無機材料層或いは応力が殆どない無機材料層を形成する場合に比べて、有機発光層の剥離を効果的に抑制することができる。これにより、長寿命の発光装置が得られる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light emitting device, the step of forming a partition layer having a plurality of openings on a substrate, the step of forming an organic light emitting layer disposed in each of the openings, And a step of forming an inorganic material layer having a tensile stress while covering the partition layer and the organic light emitting layer.
According to the present invention, an organic light emitting layer is formed by forming an inorganic material layer having a compressive stress on the organic light emitting layer, as compared with the case of forming an inorganic material layer having a compressive stress or an inorganic material layer having almost no stress. Can be effectively suppressed. Thereby, a long-life light-emitting device is obtained.

具体的には、前記無機材料層を形成する工程は、前記有機発光層に接続する電極を形成する工程である。
また、前記無機材料層を形成する工程は、前記有機発光層に接続する電極を形成する工程と、前記電極を覆う電極保護層を形成する工程とを有し、少なくとも一方の工程において、前記無機材料層を形成するようにしてもよい。
更に、前記無機材料層を覆うと共に平坦な上面が形成された有機平坦化層を形成する工程と、前記有機平坦化層を覆うガスバリア層を形成する工程と、を有するものでは、有機平坦化層上に圧縮応力を有するガスバリア層を形成することにより、圧縮応力を有するガスバリア層或いは応力が殆どないガスバリア層を形成する場合に比べて、ガスバリア層の封止能力の向上やクラックの発生防止が図られる。これにより、長寿命の発光装置が得られる。 Specifically, the step of forming the inorganic material layer is a step of forming an electrode connected to the organic light emitting layer.
Further, the step of forming the inorganic material layer includes a step of forming an electrode connected to the organic light emitting layer, and a step of forming an electrode protective layer covering the electrode. A material layer may be formed.
Furthermore, an organic planarization layer comprising: a step of forming an organic planarization layer that covers the inorganic material layer and has a flat upper surface; and a step of forming a gas barrier layer that covers the organic planarization layer. By forming a gas barrier layer having a compressive stress on the gas barrier layer, it is possible to improve the sealing performance of the gas barrier layer and prevent the occurrence of cracks compared to the case of forming a gas barrier layer having a compressive stress or a gas barrier layer having almost no stress. It is done. Thereby, a long-life light-emitting device is obtained.

第３の発明は、電子機器が、第１の発明の発光装置を備えるようにした。この発明によれば、長寿命の発光装置を備えた高品質の電子機器を得ることができる。 In a third aspect of the invention, an electronic apparatus includes the light emitting device of the first aspect of the invention. According to the present invention, it is possible to obtain a high-quality electronic device including a long-life light emitting device.

以下、本発明の発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。なお、発光装置として、有機機能材料の一例である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。
ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
なお、以下の説明では、ＥＬ表示装置１を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。 Embodiments of a light-emitting device, a method for manufacturing a light-emitting device, and an electronic device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that an EL display device using an organic electroluminescence (EL) material which is an example of an organic functional material will be described as a light-emitting device.
The EL display device 1 is an active matrix EL display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element.
In the following description, each scale and each layer film constituting the EL display device 1 are made different in scale so that they can be recognized.

ＥＬ表示装置（発光装置）１は、図１に示すように、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続される。 As shown in FIG. 1, the EL display device (light emitting device) 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to the scanning lines 101, and the signal lines 102. A plurality of power supply lines 103 extending in parallel are arranged, and a pixel region X is provided near each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102.
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極２３と、この画素電極２３と陰極５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられる。画素電極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。 Further, in each pixel region X, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal to be supplied from the signal line 102 via the switching TFT 112 are held. A capacitor 113, a driving TFT 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and driving from the power line 103 when electrically connected to the power line 103 through the driving TFT 123 A pixel electrode 23 into which a current flows and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode 50 are provided. The pixel electrode 23, the cathode 50, and the functional layer 110 constitute a light emitting element (organic EL element).

このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。 According to the EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. The on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the cathode 50 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について、図２，図３を参照して説明する。
ＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本発明においては、基板２０と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基板２００と称している。 Next, a specific configuration of the EL display device 1 will be described with reference to FIGS.
The EL display device 1 includes a pixel electrode region (not shown) in which pixel electrodes connected to a substrate 20 having electrical insulation and switching TFTs (not shown) are arranged in a matrix on the substrate 20. A power supply line (not shown) arranged around the pixel electrode area and connected to each pixel electrode, and a pixel portion 3 having a substantially rectangular shape in a plan view located at least on the pixel electrode area (dashed line in FIG. 2) In an active matrix type.
In the present invention, the substrate 20 and the switching TFT, various circuits, an interlayer insulating film, and the like formed on the substrate 20 as will be described later are referred to as the substrate 200.

画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置される。これら走査線駆動回路８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。 The pixel unit 3 includes a real display area 4 in the center (inside the two-dot chain line in FIG. 2) and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the real display area 4. It is divided into.
In the actual display area 4, display areas R, G, and B each having a pixel electrode are arranged in a matrix so as to be separated from each other in the AB direction and the CD direction.
Further, scanning line driving circuits 80 are disposed on both sides of the actual display area 4 in FIG. These scanning line drive circuits 80 are arranged below the dummy region 5.

さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。 Further, an inspection circuit 90 is arranged above the actual display area 4 in FIG. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside, and is displayed during manufacture or at the time of shipment. The apparatus is configured to be able to inspect the quality and defect of the apparatus. The inspection circuit 90 is also disposed below the dummy area 5.

走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図示せず）を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図示せず）を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。 The scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied with a driving voltage from a predetermined power supply unit via a driving voltage conducting unit 310 (see FIG. 3) and a driving voltage conducting unit 340 (not shown). Composed. Further, the drive control signal and drive voltage to the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are supplied from a predetermined main driver for controlling the operation of the EL display device 1 and the drive control signal conduction unit 320 (see FIG. 3) and Transmission and application are performed via a drive voltage conduction unit 350 (not shown). The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.

また、ＥＬ表示装置１は、基板２００上に画素電極２３と発光層６０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成し、さらにこれらを覆って有機平坦化層２１０、ガスバリア層３０等を形成させたものである。
なお、発光層６０としては、代表的には発光層（エレクトロルミネッセンス層）であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの。さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えるものであってもよい。 In the EL display device 1, a large number of light emitting elements (organic EL elements) each including the pixel electrode 23, the light emitting layer 60, and the cathode 50 are formed on the substrate 200, and the organic planarizing layer 210 and the gas barrier are covered therewith. The layer 30 and the like are formed.
The light emitting layer 60 is typically a light emitting layer (electroluminescence layer), and includes a carrier injection layer or a carrier transport layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. thing. Furthermore, a hole blocking layer (hole blocking layer) and an electron blocking layer (electron blocking layer) may be provided.

基板２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。 In the case of a so-called top emission type EL display device, the substrate 20 constituting the substrate 200 is configured to extract emitted light from the gas barrier layer 30 side that is the opposite side of the substrate 20, so that either a transparent substrate or an opaque substrate is used. Can also be used. Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done.

基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられる。発光素子は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、発光物質の一つである有機ＥＬ物質を備える発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。 A circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 and the like is formed on the substrate 20, and a large number of light emitting elements (organic EL elements) are provided thereon. The light emitting element includes a pixel electrode 23 that functions as an anode, a hole transport layer 70 that injects / transports holes from the pixel electrode 23, a light emitting layer 60 that includes an organic EL material that is one of the light emitting materials, The cathode 50 is formed in order.
Based on such a configuration, the light emitting element emits light by combining holes injected from the hole transport layer 70 and electrons from the cathode 50 in the light emitting layer 60.

また、正孔輸送層７０と発光層６０とは、基板２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５（図示せず）と有機隔壁層２２１とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層７０および発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となる。
なお、有機隔壁層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基板２００表面に対する角度θが、１１０度以上から１７０度以下となっている。このような角度としたのは、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に配置されやすくするためである。 Further, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 are disposed by being surrounded by a lyophilic control layer 25 (not shown) formed in a lattice shape on the substrate 200 and an organic partition wall layer 221. The hole transport layer 70 and the light-emitting layer 60 surrounded by are element layers constituting a single light-emitting element (organic EL element).
In addition, the angle θ of each wall surface of the opening 221a of the organic partition wall layer 221 with respect to the surface of the substrate 200 is 110 degrees or more and 170 degrees or less. The reason for this angle is to facilitate the arrangement of the light emitting layer 60 in the opening 221a when the light emitting layer 60 is formed by a wet process.

陰極５０は、図３に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面、さらには有機隔壁層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基板２００上に形成されたものである。
また、陰極５０は、成膜後の内部応力が引張応力となるように形成される。陰極５０が引張応力を有することにより、下層に配置された発光層６０の剥離を抑えるものである。 As shown in FIG. 3, the cathode 50 has an area larger than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5 and is formed so as to cover each of the cathode 50 and the upper surface of the light emitting layer 60 and the organic partition wall layer 221. Furthermore, the organic barrier rib layer 221 is formed on the substrate 200 so as to cover the wall surface forming the outer portion.
The cathode 50 is formed so that the internal stress after film formation becomes a tensile stress. When the cathode 50 has a tensile stress, peeling of the light emitting layer 60 disposed in the lower layer is suppressed.

なお、この陰極５０は、有機隔壁層２２１の外側で基板２００の外周部に形成された陰極用配線２０２（図３参照）に接続される。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板２０３（図３参照）が接続されており、これによって陰極５０は、陰極用配線２０２を介してフレキシブル基板２０３上の駆動ＩＣ（駆動回路）に接続される。 The cathode 50 is connected to the cathode wiring 202 (see FIG. 3) formed on the outer periphery of the substrate 200 outside the organic partition layer 221. A flexible substrate 203 (see FIG. 3) is connected to the cathode wiring 202, whereby the cathode 50 is connected to a driving IC (driving circuit) on the flexible substrate 203 via the cathode wiring 202.

陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。 As a material for forming the cathode 50, since this embodiment is a top emission type, it needs to be light transmissive, and therefore, a transparent conductive material is used. As the transparent conductive material, ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) is suitable, but other than this, for example, indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / I-Zet) Oh (registered trademark)) or the like can be used. In the present embodiment, ITO is used.

また、陰極５０は、電子注入効果の大きい材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、アルミニウムや金、銀、銅などの金属層やＩＴＯ、酸化錫などの金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム金属、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。 The cathode 50 is preferably made of a material having a large electron injection effect. For example, calcium, magnesium, sodium, lithium metal, or a metal compound thereof. Examples of the metal compound include metal fluorides such as calcium fluoride, metal oxides such as lithium oxide, and organometallic complexes such as acetylacetonato calcium. In addition, these materials alone have a large electrical resistance and do not function as an electrode, so they are used in combination with a laminate of a metal layer such as aluminum, gold, silver, or copper, or a metal oxide conductive layer such as ITO or tin oxide. Also good. In this embodiment, a laminate of lithium fluoride, magnesium metal, and ITO is used by adjusting the film thickness to obtain transparency.

陰極５０の上層部には、図３に示すように、陰極保護層（電極保護層）５５が形成されている。陰極保護層５５は、基板２００の外周部の絶縁層２８４に接触するように陰極を被覆し、３０ｎｍから１００ｎｍ程度の厚みに形成される。
この陰極保護層５５は、有機平坦化層２１０の形成時の有機溶剤や残留水分等に起因する、製造プロセス時における陰極５０の腐食やダメージを防止するために設けられるものである。
陰極保護層５５を形成する材料としては、珪素窒化物や珪素窒酸化物などの珪素化合物や、酸化チタン等の無機化合物により形成されたものが好ましい。
また、陰極保護層５５は、成膜後の内部応力が引張応力となるように形成される。 As shown in FIG. 3, a cathode protective layer (electrode protective layer) 55 is formed on the upper layer portion of the cathode 50. The cathode protective layer 55 covers the cathode so as to be in contact with the insulating layer 284 on the outer peripheral portion of the substrate 200, and is formed to a thickness of about 30 nm to 100 nm.
The cathode protective layer 55 is provided to prevent corrosion or damage of the cathode 50 during the manufacturing process due to an organic solvent, residual moisture, or the like when the organic planarizing layer 210 is formed.
As a material for forming the cathode protective layer 55, a material formed of a silicon compound such as silicon nitride or silicon nitride oxide or an inorganic compound such as titanium oxide is preferable.
The cathode protective layer 55 is formed so that the internal stress after film formation becomes a tensile stress.

陰極保護層５５の上層部には、図３に示すように、有機隔壁層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０のパターンを覆う様にその外側まで伸張されて有機平坦化層２１０が設けられる。なお、有機平坦化層２１０は、画素部３上に形成された陰極５０を覆う場合、更に基板２００の外周部の陰極用配線２０２上に形成された陰極５０も覆う場合、のいずれであってもよい。
有機平坦化層２１０は、有機隔壁層２２１の形状の影響により、凸凹状に形成された陰極５０の凸凹部分を埋めるように配置され、更に、その上面は略平坦に形成される。
また、有機平坦化層２１０をスクリーン印刷法等で形成することにより、有機平坦化層２１０の端部を、緩やかな傾斜を持ったテーパー形状とすることができる。 As shown in FIG. 3, an organic planarization layer 210 is provided on the upper portion of the cathode protective layer 55, extending to the outside so as to cover the pattern of the cathode 50 in a wider range than the organic partition layer 221. . The organic planarization layer 210 is either when covering the cathode 50 formed on the pixel portion 3 or when covering the cathode 50 formed on the cathode wiring 202 on the outer peripheral portion of the substrate 200. Also good.
The organic planarization layer 210 is disposed so as to fill the convex and concave portions of the cathode 50 formed into a concave and convex shape due to the influence of the shape of the organic partition wall layer 221, and the upper surface thereof is formed to be substantially flat.
Further, by forming the organic planarization layer 210 by a screen printing method or the like, the end portion of the organic planarization layer 210 can be formed into a tapered shape having a gentle inclination.

有機平坦化層２１０を形成する材料としては、親油性で低吸水性を有する高分子材料、例えば、ポリオレフィン系またはポリエーテル系が好ましい。また、メチルトリメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを加水分解させて縮合させた有機珪素ポリマーでもよい。また、アクリルポリオールやメタクリポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリウレタンポリオール、を主成分とし、トリレンジイソシアネートやキシリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物を重合した高分子誘導体やビスフェノール系エポキシ化合物とジカルボン酸無水物化合物やアミン化合物などを重合した高分子誘導体等を採用してもよい。 As a material for forming the organic planarization layer 210, a polymer material having lipophilicity and low water absorption, for example, polyolefin or polyether is preferable. Alternatively, an organosilicon polymer obtained by hydrolyzing and condensing alkoxysilane such as methyltrimethoxysilane or tetraethoxysilane may be used. In addition, polymer derivatives or bisphenol-based epoxy compounds and dicarboxylic acid anhydrides, which are polymerized with isocyanate compounds such as tolylene diisocyanate and xylylene diisocyanate, which are mainly composed of acrylic polyol, methacryl polyol, polyester polyol, polyether polyol, and polyurethane polyol. A polymer derivative obtained by polymerizing a compound or an amine compound may be employed.

更に、有機平坦化層２１０の上層部には、図３に示すように、有機平坦化層２１０のパターンを覆う様にその外側まで伸張されて、ガスバリア層３０が形成されている。
ガスバリア層３０は、有機平坦化層２１０上に形成されて、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えるようにしたものである。
また、ガスバリア層３０は、成膜後の内部応力が引張応力となるように形成される。 Further, as shown in FIG. 3, the gas barrier layer 30 is formed on the upper portion of the organic planarization layer 210 so as to cover the pattern of the organic planarization layer 210 so as to cover the pattern.
The gas barrier layer 30 is formed on the organic planarization layer 210 to prevent oxygen and moisture from entering, thereby preventing oxygen and moisture from entering the cathode 50 and the light emitting layer 60, The deterioration of the cathode 50 and the light emitting layer 60 due to oxygen and moisture is suppressed.
The gas barrier layer 30 is formed so that the internal stress after film formation becomes a tensile stress.

また、ガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。更に、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成する。なお、珪素化合物以外でも、例えばアルミニウム酸化物や酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。 The gas barrier layer 30 is made of, for example, an inorganic compound, and is preferably formed of a silicon compound, that is, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, or the like. Furthermore, it is necessary to form a dense and defect-free film in order to block off gas such as water vapor, and it is preferably formed using a high-density plasma film forming method capable of forming a dense film at a low temperature. In addition to the silicon compound, it may be made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, or other ceramics.

ガスバリア層３０は、上面が略平坦化された有機平坦化層２１０の上層に成膜されるので、ガスバリア層３０には応力が集中する部位がなくなるように成膜される。これにより、ガスバリア層３０へのクラックの発生が防止される。更に、有機平坦化層２１０のパターンの端がなだらかに形成されるので、ガスバリア層３０の端部におけるクラックの発生や剥離が防止される。 Since the gas barrier layer 30 is formed on the organic flattened layer 210 whose upper surface is substantially flattened, the gas barrier layer 30 is formed so that there is no portion where stress is concentrated. Thereby, generation | occurrence | production of the crack to the gas barrier layer 30 is prevented. Furthermore, since the end of the pattern of the organic planarization layer 210 is gently formed, the generation and separation of cracks at the end of the gas barrier layer 30 are prevented.

更に、ガスバリア層３０の上層部には、図３に示すように、ガスバリア層３０を覆う保護層２０４が設けられる。この保護層２０４は、ガスバリア層３０側に設けられた接着層２０５と表面保護基板２０６とからなる。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護基板２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層６０やガスバリア層３０の保護をするものである。当該接着層２０５に表面保護基板２０６が貼り合わされることで、保護層２０４が形成されている。
接着層２０５は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、表面保護基板２０６より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。また、透明樹脂材料が好ましい。また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する２液混合型の材料によって形成されたものでもよい。 Further, as shown in FIG. 3, a protective layer 204 that covers the gas barrier layer 30 is provided on the upper layer portion of the gas barrier layer 30. The protective layer 204 includes an adhesive layer 205 and a surface protective substrate 206 provided on the gas barrier layer 30 side.
The adhesive layer 205 fixes the surface protection substrate 206 on the gas barrier layer 30 and has a buffer function against mechanical shock from the outside, and protects the light emitting layer 60 and the gas barrier layer 30. The protective layer 204 is formed by attaching the surface protective substrate 206 to the adhesive layer 205.
The adhesive layer 205 is formed of an adhesive made of a material that is softer than the surface protective substrate 206 and has a lower glass transition point, for example, a resin such as urethane, acrylic, epoxy, or polyolefin. A transparent resin material is preferred. Further, it may be formed of a two-component mixed material in which a curing agent is added for curing at a low temperature.

表面保護基板２０６は、接着層２０５上に設けられて、保護層２０４の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。
表面保護基板２０６の材質は、ガラス、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック材料としては、例えば、ＰＥＴ、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。更に、当該表面保護基板２０６には、紫外線遮断／吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズやミラー、光波長変換層等の光学構造が設けられていてもよい。
なお、この例のＥＬ表示装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護基板２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。 The surface protective substrate 206 is provided on the adhesive layer 205 and constitutes the surface side of the protective layer 204, and has functions such as pressure resistance, wear resistance, external light antireflection, gas barrier properties, and ultraviolet blocking properties. A layer comprising at least one of the following.
As the material of the surface protection substrate 206, glass, a DLC (Diamond Like Carbon) layer, a transparent plastic, or a transparent plastic film is employed. Here, as the plastic material, for example, PET, acrylic, polycarbonate, polyolefin and the like are employed. Further, the surface protective substrate 206 may be provided with an optical structure such as an ultraviolet blocking / absorbing layer, a light reflection preventing layer, a heat dissipation layer, a lens, a mirror, or a light wavelength conversion layer.
In the EL display device of this example, when the top emission type is used, both the surface protection substrate 206 and the adhesive layer 205 need to be translucent, but when the bottom emission type is used, this is necessary. There is no.

上述したように、陰極保護層５５及びガスバリア層３０は、それそれ内部応力が引張応力を有するように成膜される。
一般的には、陰極保護層５５等の薄膜におけるクラック発生等を防止するためには、薄膜の内部応力が応力の殆どない或いはわずかに圧縮応力を有する状態に成膜することが有効であり、これにより薄膜の耐久性向上が図られることが知られている。
しかしながら、陰極５０や陰極保護層５５を内部応力の殆どない或いはわずかに圧縮応力を有する状態に成膜したとしても、発光層６０の端部（有機隔壁層２２１との接触部）の剥離を完全に防止することは困難である。
逆に、陰極５０や陰極保護層５５を内部応力が引張応力を有する状態に成膜した場合の方が、内部応力の殆どない或いはわずかに圧縮応力を有する場合に比べて、発光層６０の剥離が発生しづらくなるということが、本発明者らによって確認された。
このように、陰極５０や陰極保護層５５が引張応力を有するように成膜した方が、発光層６０の剥離に対する耐久性が向上する理由としては、発光層６０を取り囲む有機隔壁層２２１の存在が影響しているものと考えられる。すなわち、引張応力を有する陰極５０が弾力性を有する有機隔壁層２２１上に成膜されることにより、有機隔壁層２２１と発光層６０とを引き付け、これにより有機隔壁層２２１と発光層６０との密着性が高まり、したがって、発光層６０の端部（有機隔壁層２２１との接触部）が有機隔壁層２２１から剥がれづらくなる等の現象が発生しているものと推測される。 As described above, the cathode protective layer 55 and the gas barrier layer 30 are formed such that the internal stress has a tensile stress.
In general, in order to prevent the occurrence of cracks or the like in a thin film such as the cathode protective layer 55, it is effective to form a film in a state in which the internal stress of the thin film has little or little compressive stress, This is known to improve the durability of the thin film.
However, even when the cathode 50 and the cathode protective layer 55 are formed in a state having little internal stress or slightly compressive stress, the end of the light emitting layer 60 (contact portion with the organic partition wall layer 221) is completely peeled off. It is difficult to prevent.
On the other hand, when the cathode 50 and the cathode protective layer 55 are formed in a state where the internal stress has a tensile stress, the light emitting layer 60 is peeled off as compared with the case where the internal stress has little or a slight compressive stress. It has been confirmed by the present inventors that it is difficult to generate.
As described above, the reason why the cathode 50 and the cathode protective layer 55 are formed so as to have a tensile stress improves the durability against peeling of the light emitting layer 60 is the presence of the organic partition layer 221 surrounding the light emitting layer 60. Is considered to have influenced. That is, the cathode 50 having tensile stress is formed on the organic partition wall layer 221 having elasticity, thereby attracting the organic partition wall layer 221 and the light emitting layer 60, and thereby the organic partition wall layer 221 and the light emitting layer 60. It is presumed that the adhesiveness is enhanced, and therefore, a phenomenon such that the end portion of the light emitting layer 60 (the contact portion with the organic partition wall layer 221) is difficult to peel off from the organic partition wall layer 221 occurs.

例えば、陰極保護層５５を、内部応力が４０００ＭＰａｃｍ以下の引張応力となるように成膜した場合には、クラックや発光層６０の剥離に対する耐久性の向上が図られた。これ以上の引張応力を有するように成膜すると、クラックや発光層６０の剥離が発生してしまう。
なお、陰極５０と陰極保護層５５の両方を内部応力が引張応力の状態に成膜する必要はなく、いずれかの層を引張応力の状態に成膜し、他の層は応力が殆どない状態に成膜してもよい。或いは、陰極５０と陰極保護層５５の両方を僅かに引張応力を有する状態に成膜し、陰極５０と陰極保護層５５の両方の引張応力により、発光層６０の剥離に対する耐久性を向上させるようにしてもよい。 For example, when the cathode protective layer 55 was formed so that the internal stress was a tensile stress of 4000 MPacm or less, the durability against cracks and peeling of the light emitting layer 60 was improved. If the film is formed so as to have a tensile stress higher than this, cracks and peeling of the light emitting layer 60 occur.
In addition, it is not necessary to form both the cathode 50 and the cathode protective layer 55 in a state where the internal stress is tensile stress, and any one layer is formed in a tensile stress state, and the other layers are almost free of stress. Alternatively, a film may be formed. Alternatively, both the cathode 50 and the cathode protective layer 55 are formed in a state having a slight tensile stress, and the durability against peeling of the light emitting layer 60 is improved by the tensile stress of both the cathode 50 and the cathode protective layer 55. It may be.

更に、陰極保護層５５が引張応力を有するように成膜した場合の方が、ガスバリア性が向上することも確認された。
ガスバリア層３０についても同様であって、引張応力を有するように成膜した方が、圧縮応力を有する場合よりも、クラックが発生しづらくなり、ガスバリア性も向上した。
このように、陰極５０、陰極保護層５５及びガスバリア層３０を内部応力が引張応力の状態に成膜した方が、クラック発生を防止して、ガスバリア性を向上することができる。また、発光層６０の剥離に対する耐久性も向上させることができる。
その理由としては、陰極５０、陰極保護層５５及びガスバリア層３０が成膜される下層（有機隔壁層２２１、有機平坦層２１０）が弾力性を有することが影響していると推測される。 Further, it was confirmed that the gas barrier property was improved when the cathode protective layer 55 was formed so as to have a tensile stress.
The same applies to the gas barrier layer 30. When the film was formed so as to have a tensile stress, cracks were less likely to occur and the gas barrier property was improved than when the film had a compressive stress.
As described above, when the cathode 50, the cathode protective layer 55, and the gas barrier layer 30 are formed in a state where the internal stress is a tensile stress, the generation of cracks can be prevented and the gas barrier property can be improved. Further, durability against peeling of the light emitting layer 60 can be improved.
The reason is presumed that the lower layers (organic partition layer 221 and organic flat layer 210) on which the cathode 50, the cathode protective layer 55, and the gas barrier layer 30 are formed have elasticity.

次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図４を参照して説明する。図４に示す各断面図は、図３に対応した図である。
なお、本実施形態においては、発光装置としてのＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合である。また、基板２００上に発光層６０を形成するまでの工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。 Next, an example of a method for manufacturing the EL display device 1 according to this embodiment will be described with reference to FIG. Each sectional view shown in FIG. 4 corresponds to FIG.
In the present embodiment, the EL display device 1 as a light emitting device is a top emission type. In addition, the process until the light emitting layer 60 is formed on the substrate 200 is not different from the conventional technique, and thus the description thereof is omitted.

まず、図４（ａ）に示すように、発光層６０（６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ）が形成された基板２００上に、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。
この陰極層形成工程では、例えばイオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法によりＩＴＯを成膜して、陰極５０とする。このとき、この陰極５０については、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面を覆うのはもちろん、有機隔壁層２２１の外側部についても、これを覆った状態となるように形成する。 First, as shown in FIG. 4A, the cathode 50 is formed on the substrate 200 on which the light emitting layer 60 (60R, 60G, 60B) is formed by a cathode layer forming step.
In this cathode layer forming step, ITO is formed into a cathode 50 by, for example, an ion plating method or a counter target sputtering method. At this time, the cathode 50 is formed so as to cover not only the upper surfaces of the light emitting layer 60 and the organic barrier layer 221 but also the outer portion of the organic barrier layer 221.

次に、陰極５０上に陰極保護層５５を形成する。陰極保護層５５を形成する方法としては、イオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法、ＣＶＤ法等の気相成長法を用いることが好ましい。その膜厚は、３０〜１００ｎｍが好ましい。
陰極保護層５５が引張応力を有するように成膜するためには、イオンプレーティング法等の成膜条件を調整することにより行われる。すなわち、所定の減圧雰囲気下で成膜することにより、確実に引張応力を有する陰極保護層５５を成膜することができる。特に、成膜時の圧力を７ｍｍＴｏｒｒ以上、さらには７ｍｍＴｏｒｒから１０ｍｍＴｏｒｒとすることで、所望の引張り応力を有する陰極保護層５５を形成することができる。また、２００ＭＰａ〜３００ＭＰａの引っ張り応力を有する場合に、クラックや発光層の剥離に対する耐久性が特に高い陰極保護層５５が得られている。
なお、成膜された陰極保護層５５の内部応力は、測定が困難であるため、予め実験により内部応力と成膜条件（成膜圧力）の関係を求め、この関係（条件）に基づいて、成膜を行うことにより、所望の引張応力を有する陰極保護層５５が得られる。 Next, the cathode protective layer 55 is formed on the cathode 50. As a method of forming the cathode protective layer 55, it is preferable to use a vapor phase growth method such as an ion plating method, a counter target sputtering method, or a CVD method. The film thickness is preferably 30 to 100 nm.
In order to form the cathode protective layer 55 so as to have a tensile stress, it is performed by adjusting film forming conditions such as an ion plating method. That is, by forming a film under a predetermined reduced pressure atmosphere, the cathode protective layer 55 having a tensile stress can be reliably formed. In particular, the cathode protective layer 55 having a desired tensile stress can be formed by setting the pressure during film formation to 7 mm Torr or more, and further from 7 mm Torr to 10 mm Torr. Moreover, when it has the tensile stress of 200 MPa-300 MPa, the cathode protective layer 55 with especially high durability with respect to a crack and peeling of a light emitting layer is obtained.
Since the internal stress of the formed cathode protective layer 55 is difficult to measure, the relationship between the internal stress and the film formation condition (film formation pressure) is obtained in advance by experiments, and based on this relationship (condition), By performing the film formation, the cathode protective layer 55 having a desired tensile stress can be obtained.

次いで、図４（ｂ）に示すように、有機平坦化層２１０を液相法、すなわちウエットプロセスにより形成する。
有機平坦化層２１０を形成する方法としては、インクジェット法、スリットコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の方法を採用することができる。また、これらの塗布雰囲気は、気泡を原因とする膜欠陥を発生させないよう１００〜１００００Ｐａ範囲の減圧雰囲気下で塗布することが好ましい。
また、有機平坦化層２１０が平坦性とパターニング性を両立させるために、塗布時の粘度は、１００〜１００００ｍＰａ・ｓが好ましい。希釈溶媒は適時使用しても良いが、減圧雰囲気下でも揮発しにくく、硬化後には主成分と共に架橋して高分子化するものが好ましい。
有機平坦化層２１０の膜厚は、上面の平坦化を目的にしているため、隔壁層や画素隔壁の高さよりも厚くする必要があり、例えば、２〜１０μｍ程度が好ましい。膜密度は、極力応力を少なくするために弾性率が低く比較的多孔質な膜であることが好ましく、０．８〜１．８ｇ／ｃｍ^３が好適である。 Next, as shown in FIG. 4B, the organic planarization layer 210 is formed by a liquid phase method, that is, a wet process.
As a method for forming the organic planarization layer 210, a method such as an inkjet method, a slit coating method, a curtain coating method, a screen printing method, or a flexographic printing method can be employed. Moreover, it is preferable to apply | coat these application atmospheres in the pressure-reduced atmosphere of the range of 100-10000Pa so that the film defect resulting from a bubble may not be generated.
Moreover, in order for the organic planarization layer 210 to achieve both flatness and patterning property, the viscosity at the time of application is preferably 100 to 10,000 mPa · s. The diluting solvent may be used in a timely manner, but it is preferable that the diluting solvent does not evaporate even under a reduced-pressure atmosphere and is polymerized by crosslinking with the main component after curing.
The thickness of the organic planarization layer 210 is intended to planarize the upper surface, and therefore needs to be thicker than the height of the partition wall layer and the pixel partition wall, and is preferably about 2 to 10 μm, for example. The film density is preferably a relatively porous film having a low elastic modulus in order to reduce stress as much as possible, and is preferably 0.8 to 1.8 g / cm ³ .

塗布後の有機平坦化層２１０の乾燥は、膜中の残存水分を完全に除去するため、減圧雰囲気下または乾燥窒素雰囲気下で５０〜８０℃の硬化温度で乾燥する。加熱は硬化だけではなく、一時的に粘度が下がることで流動性が得られ、表面の平坦性が向上し、目的の形状が得られる。
なお、その後の吸湿を防ぐため、大気圧に戻すことなく、次のガスバリア層３０の形成プロセスへ移ることが好ましい。 The organic planarization layer 210 after coating is dried at a curing temperature of 50 to 80 ° C. in a reduced-pressure atmosphere or a dry nitrogen atmosphere in order to completely remove residual moisture in the film. Heating not only cures, but fluidity is obtained by temporarily lowering the viscosity, surface flatness is improved, and the desired shape is obtained.
In order to prevent subsequent moisture absorption, it is preferable to proceed to the next process of forming the gas barrier layer 30 without returning to atmospheric pressure.

次いで、有機平坦化層２１０を覆って、ガスバリア層３０を形成する。
ガスバリア層３０は、イオンプレーティング法等により形成される、主に珪素窒化物又は珪素酸窒化物からなる透明な薄膜が好ましい。また、小さな分子の水蒸気を完全に遮断するため緻密性を持たせることが好ましい。
好ましい膜密度は、２．３／ｃｍ^３以上、膜厚は１０００ｎｍ以下にすることが好ましく、５０〜５００ｎｍが好適である。特には４００ｎｍ程度とすると、クラックに対する耐久力が高くガスバリア性の良好なガスバリア層３０が得られている。
ガスバリア層３０が引張応力を有するように成膜するためには、陰極保護層５５の場合と同様に、イオンプレーティング法等の成膜条件を調整することにより行われる。 Next, the gas barrier layer 30 is formed so as to cover the organic planarization layer 210.
The gas barrier layer 30 is preferably a transparent thin film mainly made of silicon nitride or silicon oxynitride formed by an ion plating method or the like. Further, it is preferable to provide denseness to completely block water vapor of small molecules.
The film density is preferably 2.3 / cm ³ or more, and the film thickness is preferably 1000 nm or less, and is preferably 50 to 500 nm. In particular, when the thickness is about 400 nm, the gas barrier layer 30 having high durability against cracks and good gas barrier properties is obtained.
In order to form the gas barrier layer 30 so as to have a tensile stress, as in the case of the cathode protective layer 55, it is performed by adjusting the film forming conditions such as an ion plating method.

また、ガスバリア層３０の形成については、同一の材料によって単層で形成してもよく、また異なる材料で複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。 In addition, the gas barrier layer 30 may be formed as a single layer using the same material, or may be formed by stacking a plurality of layers using different materials. The composition may be formed so as to change continuously or discontinuously in the film thickness direction.

ガスバリア層３０を複数の層に積層して形成する場合には、その形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法で成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法で成膜を行ってもよい。スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法は、一般に異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い膜が得られるため、ガスバリア層３０の形成に向いており、一方、化学気相成長法では、応力が少なくステップカバーレッジ性に優れた欠陥が少なく緻密で良好な膜質のものが得られる。すなわち、有機平坦層２１０側には、引張応力を有する層を形成し、その上層には応力が殆どない層を形成する。これらの方法は、量産性を考慮して適時選択できる。 In the case where the gas barrier layer 30 is formed by laminating a plurality of layers, the film is formed by a physical vapor deposition method such as a sputtering method or an ion plating method, followed by a plasma CVD method. The film may be formed by chemical vapor deposition such as. A physical vapor deposition method such as a sputtering method or an ion plating method is generally suitable for forming the gas barrier layer 30 because a film having relatively good adhesion to a different substrate surface can be obtained. In the vapor phase growth method, a dense film having a good film quality can be obtained with less stress and less defects with excellent step coverage. That is, a layer having a tensile stress is formed on the organic flat layer 210 side, and a layer having almost no stress is formed thereon. These methods can be selected in a timely manner in consideration of mass productivity.

次いで、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護基板２０６からなる保護層２０４を設ける（図３参照）。接着層２０５は、有機平坦化層２１０の形成方法と同様に、スクリーン印刷法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護基板２０６が貼り合わされる。なお、スクリーン印刷法の他、スリットコート法、カーテンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット法等の方法を採用することもできる。
このようにガスバリア層３０上に保護層２０４を設ければ、表面保護基板２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、発光層６０や陰極５０、さらにはガスバリア層３０もこの表面保護基板２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。 Next, a protective layer 204 including an adhesive layer 205 and a surface protective substrate 206 is provided on the gas barrier layer 30 (see FIG. 3). Similar to the method of forming the organic planarizing layer 210, the adhesive layer 205 is applied substantially uniformly on the gas barrier layer 30 by screen printing or the like, and the surface protective substrate 206 is bonded thereon. In addition to the screen printing method, methods such as a slit coating method, a curtain coating method, a flexographic printing method, and an ink jet method can also be employed.
If the protective layer 204 is provided on the gas barrier layer 30 in this manner, the surface protective substrate 206 has functions such as pressure resistance, wear resistance, antireflection, gas barrier property, and ultraviolet blocking property. The light emitting layer 60, the cathode 50, and the gas barrier layer 30 can also be protected by the surface protective substrate 206, and thus the life of the light emitting element can be extended.
In addition, since the adhesive layer 205 exhibits a buffering function against mechanical impact, when mechanical impact is applied from the outside, the mechanical impact on the gas barrier layer 30 and the light emitting element inside the gas barrier layer 30 is alleviated. It is possible to prevent functional deterioration of the light-emitting element due to mechanical impact.

なお、上述したＥＬ表示装置１の実施形態では、トップエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、発光素子を形成した基板側より光を取り出すボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。 In the embodiment of the EL display device 1 described above, the top emission type has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the bottom emission type in which light is extracted from the substrate side on which the light emitting element is formed is used. In addition, the present invention is also applicable to a type that emits emitted light on both sides.

また、本実施形態では、発光装置にＥＬ表示装置１を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第２電極が基板の外側に設けられるものであれば、どのような形態の発光装置にも適用可能である。 In this embodiment, an example in which the EL display device 1 is applied to a light emitting device has been described. However, the present invention is not limited to this, and the second electrode is basically provided outside the substrate. For example, the present invention can be applied to any type of light emitting device.

次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述したＥＬ表示装置（発光装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図５に示すものが挙げられる。
図５（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記ＥＬ表示装置１からなる表示部を示している。
図５（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図５（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記ＥＬ表示装置１からなる表示部を示している。
図５（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図５（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記ＥＬ表示装置１からなる表示部を示している。
図５（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図５（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上記ＥＬ表示装置１からなる表示部１３０６を備える。 Next, the electronic apparatus of the present invention will be described.
The electronic apparatus has the above-described EL display device (light emitting device) 1 as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 5A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 5A, reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a display unit including the EL display device 1.
FIG. 5B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 5B, reference numeral 1100 indicates a watch body, and reference numeral 1101 indicates a display unit including the EL display device 1.
FIG. 5C is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 5C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 1206 denotes a display unit including the EL display device 1.
FIG. 5D is a perspective view showing an example of a thin large-screen television. In FIG. 5D, a thin large-screen TV 1300 includes a thin large-screen TV main body (housing) 1302, an audio output unit 1304 such as a speaker, and a display unit 1306 including the EL display device 1.

図５に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、上記ＥＬ表示装置１を備えているので、表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の長寿命化が図られたものとなる。 Since the electronic devices 1000, 1100, 1200, and 1300 illustrated in FIG. 5 include the EL display device 1, the display units 1001, 1101, 1206, and 1306 have a longer life.

ＥＬ表示装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of EL display apparatus. ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of EL display apparatus. 図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AB line | wire of FIG. ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of EL display apparatus in order of a process. 電子機器を示す図である。It is a figure which shows an electronic device.

Explanation of symbols

１…ＥＬ表示装置（発光装置）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（電極）、５５…陰極保護層（無機材料層、電極保護層）、６０（６０Ｒ,６０Ｇ,６０Ｂ）…発光層（有機発光層）、２００…基板、２１０…有機平坦化層、２２１…有機隔壁層、２２１ａ…開口部、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…時計（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）、１３００…薄型大画面テレビ（電子機器）、１００１，１１０１，１２０６，１３０６…表示部（発光装置） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... EL display device (light emitting device), 30 ... Gas barrier layer, 50 ... Cathode (electrode), 55 ... Cathode protective layer (inorganic material layer, electrode protective layer), 60 (60R, 60G, 60B) ... Light emitting layer (organic) Luminescent layer), 200 ... substrate, 210 ... organic flattening layer, 221 ... organic partition layer, 221a ... opening, 1000 ... mobile phone (electronic device), 1100 ... watch (electronic device), 1200 ... information processing device (electronic) Equipment), 1300 ... thin large-screen television (electronic equipment), 1001, 1101, 1206, 1306 ... display unit (light emitting device)

Claims

On the board
An organic barrier layer having a plurality of openings;
A first electrode disposed in each of the openings;
An organic light emitting layer disposed on the first electrode at the opening;
A second electrode disposed continuously on the organic light emitting layer and the organic barrier layer;
A tensile stress is provided on the second electrode so as to cover the second electrode on the opening and the organic partition layer, and a height from the substrate is set in the opening. An electrode protective layer that is lower than the organic barrier layer and prevents peeling of the electrode;
An organic planarization layer provided on the electrode protection layer so that a part of the electrode protection layer is exposed and having a flat upper surface formed;
A light emitting device comprising:

A gas barrier layer covering the organic planarization layer and having a tensile stress;
The light emitting device according to claim 1, comprising:

On the board
Forming an organic partition layer having a plurality of openings;
Forming a first electrode in each of the openings;
Forming an organic light emitting layer on the first electrode at the opening;
Forming a second electrode continuously on the organic light emitting layer and the organic barrier layer;
A tensile stress is provided on the second electrode so as to cover the second electrode on the opening and the organic partition layer, and a height from the substrate is set in the opening. Forming an electrode protective layer that is lower than the organic partition layer and prevents peeling of the electrode; and
Forming an organic planarization layer provided on the electrode protection layer so that a part of the electrode protection layer is exposed and having a flat upper surface formed;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:

Forming a gas barrier layer covering all of the organic planarization layer;
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 3, wherein:

An electronic apparatus comprising the light emitting device according to claim 1.