JP4696443B2 - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、多層セラミック基板の製造方法に関するもので、特に、多層セラミック基板に備える積層体の端面に形成される端面電極の形成方法についての改良に関するものである。

この発明にとって興味ある多層セラミック基板の製造方法として、次のようなものがある（たとえば、特許文献１参照）。

内部導体膜を介在させた状態で積層された複数のセラミックグリーンシートと、内部導体膜に接続されかつ特定のセラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するように設けられた導電性材料を含む導電部材とを含む、生の積層体が作製される。この生の積層体を焼成して得られた焼結後の積層体は、所定の分割線に沿って分割することによって、複数個の多層セラミック基板を取り出すことが予定されていて、上述の導電部材は、分割線が通る位置に配置されている。

次に、生の積層体の積層方向に所定の深さの溝が形成される。この溝は、分割線に沿って延び、溝の形成によって、上述の導電部材はたとえば２つの部分に分割される。

次に、生の積層体は焼成される。これによって、焼結後の積層体が得られる。

図８には、以上の工程を終えた段階にある焼結後の積層体１の一部が平面図で示されている。図８において、所定の分割線２に沿って溝３が形成され、この溝３の形成によって、導電部材４がたとえば２つの部分に分割された状態が示されている。この導電部材４の分割によって、たとえば２つの端面電極５が与えられている。

積層体１は、分割線２によって区画された各領域に、目的とする多層セラミック基板６を構成しており、その後の工程において、分割線２に沿う分割が実施されることによって、複数の多層セラミック基板６が取り出されるのであるが、好ましくは、複数の多層セラミック基板６の集合状態である積層体１の段階で、次のような工程が実施される。

まず、必要に応じて、積層体１の主面上に、外部導体膜等が形成される。

また、導電部材４によって与えられた端面電極５および上述の外部導体膜に対して湿式めっきが適用され、たとえば、ニッケル膜および錫または半田膜というような金属膜が形成される。

また、積層体１において構成される複数の多層セラミック基板６は、互いに他のものに対して電気的に独立しているので、端面電極５を測定用端子として、個々の多層セラミック基板６の特性が測定される。この特性測定の結果、不良と判定された多層セラミック基板６については、以後の工程が実施されず、出荷の対象から除外される。

また、集合状態の積層体１の段階で、各多層セラミック基板６上に適宜の電子部品が搭載されることもある。

上述のような外部導体膜の形成工程、湿式めっき工程、特性測定工程および電子部品の搭載工程は、分割後の多層セラミック基板６に対して実施されることもできるが、これらの工程を能率的に進めるためには、複数の多層セラミック基板１の集合状態にある積層体１の段階で実施されることが好ましい。

また、集合状態の積層体１の段階で特性測定工程を実施し、特性不良と判定された多層セラミック基板６に対しては電子部品を搭載しないようにすれば、この搭載工程での無駄をなくすことができる。特に、搭載されるべき電子部品がたとえばベアチップやパッケージ素子のような高価な電子部品の場合には、この高価な電子部品の無駄をなくすことができるので、その分、比較的大きなコストダウンを図ることができる。
特開平７−１９２９６１号公報

多層セラミック基板６の小型化、高機能化、高精度化および高密度化に対する要望を満たすためには、多層セラミック基板６自身が有する配線可能な領域をできるだけ広くすることが望まれる。また、１つの積層体１から取り出せる多層セラミック基板６の数は、できるだけ多い方が望ましい。

これらの要望を満たし得る対策の１つとして、溝３の幅を狭くすることが考えられる。溝３の存在は、個々の多層セラミック基板６の体積の減少につながり、その結果、配線可能な領域を狭めるからである。また、溝３によって奪われた配線可能な領域を補うためには、多層セラミック基板６の主面方向での面積を広げなければならず、その結果、１つの積層体１から取り出せる多層セラミック基板６の数が減少することになる。

しかしながら、溝３の幅を単純に狭めた場合、前述した湿式めっき工程において、次のような不都合を招くことがある。

すなわち、溝３の幅が小さいと、溝３内においてめっき液が円滑に流通せず、その結果、端面電極５上で金属膜が十分に析出しないことがある。また、金属膜が異常に析出し、向かい合う端面電極５間で金属膜の異常析出によるショート不良が発生することがある。このようなショート不良は、前述した特性測定工程を適正に行なうことを不可能にする。

そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、多層セラミック基板の製造方法を提供しようとすることである。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、内部導体膜と、内部導体膜を介在させた状態で積層された複数のセラミックグリーンシートと、内部導体膜に接続されかつ特定のセラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するように設けられ、導電性材料とバインダと溶剤と当該溶剤に溶解しない樹脂成分とを含む導電部材とを含む、生の積層体を作製する工程を備え、この生の積層体は、さらに、特定のセラミックグリーンシートに接するように位置されかつセラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料と焼結温度が異なる無機材料を含む拘束層を含むことを特徴としている。

その後、上述の生の積層体の積層方向に溝または貫通孔を形成することによって、導電部材を分割する工程と、生の積層体を焼成する工程とが実施される。この生の積層体を焼成する工程の後、溝または貫通孔を形成することによって分割された導電部材の開放側面は、溝または貫通孔の側面より内方に位置している。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法において、積層体は、複数の拘束層を含むことが好ましい。この場合、隣り合う拘束層間の間隔および積層体の各主面とこれに最も近い拘束層との間隔は、焼成後において、１５０μｍ以下となるようにされることが好ましい。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法は、焼成工程の後、分割された導電部材の露出する面上に、湿式めっきによって金属膜を形成する工程をさらに備えている場合において、特に有利に適用される。

上述した導電部材は、無機酸化物成分を含む導電性ペーストからなることが好ましい。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法によれば、生の積層体が特定のセラミックグリーンシートに接するように位置される拘束層を備えているので、生の積層体を焼成したとき、導電部材においては、比較的大きな収縮が生じるが、セラミックグリーンシートについては、その主面方向での収縮を抑制することができる。したがって、生の積層体に溝または貫通孔を形成することによって分割された導電部材が与える端面電極の開放側面は、たとえば円弧状に凹んだ形状となり、その全面にわたって、溝または貫通孔の側面より内方に位置させることができる。

そのため、向かい合う端面電極間に十分な間隔を与えることができる。したがって、端面電極に対して湿式めっきを実施しようとするとき、めっき液を円滑に流通させることができ、端面電極上に、十分な厚みをもって、湿式めっきによる金属膜を形成することができる。また、向かい合う端面電極間で、この金属膜によるショート不良を生じさせにくくすることができ、集合状態にある積層体の段階での特性測定工程に支障を来すといった不都合を生じさせにくくすることができる。

上述のようなことから、導電部材を分割するために形成される溝または貫通孔の幅をより狭くすることができる。その結果、積層体を分割して得られた個々の多層セラミック基板において、配線可能な領域を広くすることができ、また、１つの積層体から取り出せる多層セラミック基板の数を増やすことができる。

上述のようなこの発明に係る製造方法によって得られた多層セラミック基板によれば、端面電極を比較的厚く形成することが容易であり、そのため、端面電極の断面積を増加させ、導通抵抗をより低くすることが可能であるとともに、当該多層セラミック基板を実装するための配線基板との間での導通を図る接合面積を増加させることができ、接合信頼性を向上させることができる。また、端面電極は、基板本体の端面に設けられた凹部全面に形成されるので、端面電極と基板本体との接合強度を高くすることができる。

特に、多層セラミック基板において、端面電極が、基板本体の主面方向から見て、略矩形状をなしていると、上述のような接合強度をより確実に高めることができる。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法において、積層体が、複数の拘束層を含み、隣り合う拘束層間の間隔および積層体の各主面とこれに最も近い拘束層との間隔が、焼成後において、１５０μｍ以下となるようにされると、拘束層による焼成時の収縮抑制効果をより確実に発揮させることができ、その結果、端面電極の開放側面が、基板本体の端面より内方に位置する状態をより確実に得ることができる。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法によれば、導電部材として、導電性材料とバインダと溶剤と当該溶剤に溶解しない樹脂成分とを含むものが用いられる。そのため、焼成工程において、バインダおよび溶剤に溶解しない樹脂成分といった樹脂成分が焼失するので、導電部材がより確実に収縮し、端面電極の開放側面をより確実に内方へ凹ませることができる。

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法において、導電部材として、無機酸化物成分を含む導電性ペーストが用いられると、端面電極と基板本体との接合強度を向上させることができる。

図１ないし図５は、この発明の一実施形態を説明するためのものである。この実施形態では、図５に示すような多層セラミック基板１１が製造され、この多層セラミック基板１１を製造するため、図１ないし図４を参照して説明するような各工程が実施される。

まず、図５を参照して、多層セラミック基板１１は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間に形成された内部導体膜を含む、積層構造の基板本体１２を備えている。図５では、上述した複数のセラミック層のうち、最も上にあるセラミック層１３が図示されている。また、内部導体膜については、その代表的なものとして、内部導体膜１４が、たとえば図２に図示されている。

多層セラミック基板１１は、また、内部導体膜１４に電気的に接続され、かつ基板本体の端面１５に沿って形成された、複数の端面電極１６を備えている。この実施形態では、端面１５には段差部１７が形成され、端面電極１６は、段差部１７より上側に形成されている。

端面電極１６は、基板本体１２の端面１５に設けられた凹部１８全面に形成される。また、基板本体１２の端面１５側に向く、端面電極１６の開放側面１９は、その全面にわたって、凹部１８に隣接する基板本体１２の端面部分１５ａより内方に位置している。

この実施形態では、端面電極１６は、基板本体１２の主面方向から見て、略矩形状をなしている。また、端面電極１６の開放側面１９は、基板本体１２の主面方向から見て、円弧状に延びながら凹んでいる。

このような多層セラミック基板１１を製造するため、まず、図１（１）に示すようなセラミックグリーンシート２１と拘束層２２とが複合された構造物が用意される。

なお、図１ないし図４においてそれぞれ示された構造物は、その主面方向の一部のみが図示されている。また、図１、図２および図３（ａ）では、断面図が示されているが、これら断面図では、各構造物の厚み方向寸法が誇張されて図示されている。また、図１ないし図４において、１点鎖線によって分割線２３が示されている。この分割線２３は、個々の多層セラミック基板１１を取り出すために実施される分割の位置を表すものである。

再び図１（１）を参照して、セラミックグリーンシート２１は、好ましくは、１０００℃以下の温度で焼結可能なセラミック材料を含んでいる。セラミック材料としては、たとえば、酸化バリウム、酸化ケイ素、アルミナ、酸化ホウ素、酸化カルシウム等を主成分とする混合物が用いられ、必要に応じて、焼結助剤として作用するガラス成分が添加される。一例として、セラミック材料としては、アルミナにホウケイ酸ガラスおよび酸化ケイ素を添加したものが用いられる。なお、後述する焼成工程において、還元性雰囲気が用いられる場合には、還元性雰囲気中での焼成であっても、還元されない組成を有していることが必要である。

他方、拘束層２２は、上述したセラミックグリーンシート２１に含まれるセラミック材料とは焼結温度が異なる無機材料を含んでいる。焼結温度が異なるとは、より具体的には、焼結開始温度および焼結終了温度の少なくとも一方が異なるという意味である。このような拘束層２２により、セラミックグリーンシート２１の主面方向の収縮が抑制されるが、セラミックグリーンシート２１に含まれるセラミック材料の焼結温度における拘束層２２の収縮率が１５％以下となるように、より好ましくは１０％以下となるように無機材料を選定することにより、この収縮抑制効果をより確実に発揮させることができる。好ましくは、セラミック材料の焼結温度では焼結しない無機材料、たとえば、アルミナまたはジルコニア等を主成分とする粉末が用いられ、必要に応じて、焼結助剤となるガラス成分が添加される。

なお、拘束層２２は、後述する焼成工程の結果、セラミックグリーンシート２１に含まれる成分の一部、たとえばガラス成分の一部が浸透または拡散することによって、固化されるものである。したがって、拘束層２２の厚みは、これによるセラミックグリーンシート２１に対する抑制作用を十分に発揮し得るようにされながらも、上述のようなセラミックグリーンシート２１中の成分の浸透または拡散による固化を可能とするように選ばれる。

次に、図１（２）に示すように、分割線２３が通る位置において、セラミックグリーンシート２１および拘束層２２を厚み方向に貫通するように、透孔２４が設けられ、そこに導電性ペーストが充填されることによって、導電部材２５が形成される。

透孔２４の形成には、たとえば、メカニカルパンチ加工、レーザ加工等が用いられる。この実施形態では、透孔２４の形状は、後述する図３（ｂ）から類推できるように、矩形とされるが、その他、円形、長円形、楕円形等であってもよく、また、角に丸みが付与された矩形であってもよい。

導電部材２５を構成する導電性ペーストは、導電性粉末および有機ビヒクルを混合したものを、攪拌擂潰機または３本ロール等によって攪拌しかつ混練することによって得ることができる。

上述の導電性粉末としては、たとえば、銀、金、銅、ニッケル、銀−パラジウム合金、銀−白金合金等の電気伝導性に優れた金属からなるものが用いられることが好ましい。なお、後述する焼成工程において、セラミックグリーンシート２１側の成分と不所望な反応を起こしたり、焼成中に溶融したりすることがない限り、その他の金属粉末や金属酸化物粉末を添加してもよい。また、導電性粉末の形状、平均粒径および粒度分布については、特に限定されるものではないが、平均粒径が０．１〜１０μｍ程度であって、粗大粉や極端な凝集粉のないものが好ましい。

上述した有機ビヒクルは、バインダと溶剤とを混合し、バインダを溶剤に溶解させたものである。バインダとしては、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ブチラール樹脂、エチルセルロース等を用いることができる。他方、溶剤としては、たとえば、テルピネオール、イソプロピレンアルコール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートなどのアルコール類を用いることができる。また、有機ビヒクルには、必要に応じて、分散剤、可塑剤、活性剤等が添加されてもよい。

また、導電性ペースト中に、有機ビヒクル中の溶剤成分に溶解しない樹脂成分が添加される。さらに、後述する焼成工程では焼結しない成分、ガラス成分などが適宜添加されてもよい。

上述の焼成工程では焼結しない成分としては、たとえば、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、ニッケル、チタン、ニオブ、マンガンまたはマグネシウムを含む酸化物を用いることが可能であり、特に、アルミナ、シリカおよびジルコニアが好適に用いられる。また、これら成分の添加量は、導電性粉末の０．５〜８重量％程度であることが好ましい。

上述したガラス成分としては、たとえばＳｉ−Ｂ系から選ばれるガラスを用いることが好ましいが、セラミック材料と過剰な反応を示さず、かつセラミック材料の焼結温度よりも１５０〜３００℃程度低い軟化点を有するものであれば、いかなるガラスが用いられてもよい。このガラス成分は、粉末状態で添加されるが、この粉末の粒径は、導電性粉末の粒径に応じて選択されることが好ましく、たとえば、平均粒径が０．５〜３μｍ程度であって、粗大粉や極端な凝集粉がないものが好ましい。

また、上述した有機ビヒクル中の溶剤成分に溶解しない樹脂成分としては、たとえば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、セルロース樹脂等の粉末を用いることができ、その平均粒径は３〜７μｍ程度であって、粗大粉や極端な凝集粉のないものが好ましい。この樹脂成分は、焼成後において空孔を形成し、応力を緩和するように作用する。

なお、図１（２）では図示しないが、多層セラミック基板１１において必要なビアホール導体についても、上述した導電部材２５の場合と同様の方法によって形成される。

次に、図１（３）に示すように、セラミックグリーンシート２１の外側に向く主面上に、内部導体膜１４が、導電部材２５と電気的に接続されるように形成される。内部導体膜１４は、上述した導電部材２５を構成する導電性ペーストと同じ導電性ペーストを用いて、たとえばスクリーン印刷法によって形成されることができる。スクリーン印刷法に代えて、転写法が用いられてもよく、また、導電性ペーストを用いることなく、蒸着法によって形成されてもよい。

なお、内部導体膜１４は、セラミックグリーンシート２１上ではなく、拘束層２２の外側に向く主面上に形成されてもよい。

また、図１（３）に示した内部導体膜１４は、一例にすぎず、必要に応じて、さらに他の内部導体膜が形成される。また、内部導体膜は、導電部材２５に電気的に接続されないものもある。

次に、図１（３）に示した状態にあるセラミックグリーンシート２１を含む複数のセラミックグリーンシート２１が積層され、積層方向に圧着されることによって、図２に示すような生の積層体２６が得られる。生の積層体２６は、内部導体膜１４と、内部導体膜１４を介在させた状態で積層された複数のセラミックグリーンシート２１と、内部導体膜１４に接続されかつ特定のセラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するように設けられた導電部材２５と、特定のセラミックグリーンシート２１に接するように配置された拘束層２２とを含む構造を有している。

なお、図２においては、代表的な内部導体膜１４のみが図示され、他の内部導体膜については、図示が省略されている。

また、図２に示した生の積層体２６においては、セラミックグリーンシート２１間のすべての界面に沿って、拘束層２２が配置されたが、特定の界面にのみ拘束層２２が配置されてもよい。

なお、隣り合う拘束層２２間の間隔および積層体２６の各主面とこれに最も近い拘束層２２との間隔は、後述する焼成工程の後において、１５０μｍ以下となるようにされることが好ましい。この間隔が１５０μｍを超えると、焼成工程において、拘束層２２による収縮抑制作用が十分に及ぼされないセラミックグリーンシート２１がもたらされ、このようなセラミックグリーンシート２１においてより大きく歪み、得られた多層セラミック基板１１の端面電極１６においてうねりが生じることがあり、また、端面電極１６において、円弧状に十分に凹んだ形状を得ることができない場合がある。

次に、図３に示すように、分割線２３に沿って、生の積層体２６の積層方向に溝２７が形成され、それによって、導電部材２５がたとえば２つに分割される。溝２７の形成には、たとえば、ダイサー加工、カット刃による押し切り加工等が用いられるが、作業効率上、ダイサー加工を用いることが好ましい。たとえば、導電部材２５の幅方向寸法が０．４ｍｍであるとき、刃幅０．２ｍｍのダイサーを用いて、溝２７が形成される。

次に、必要に応じて、図３（ａ）に示すように、後述する分割工程をより容易に進められるようにするため、分割線２３に沿って、ノッチ２８が形成される。図３（ａ）では、ノッチ２８は、生の積層体２６の、溝２７が形成された側と逆の主面において形成されたが、さらに、溝２７の底面において形成されてもよい。

次に、生の積層体２６が、所定の雰囲気において焼成される。たとえば、還元性雰囲気中において、１０００℃以下の温度域で焼成が行なわれる。この焼成によって得られた焼結後の積層体２９が、図４において、より拡大された平面図で示されている。

図４において、導電部材２５の分割によって与えられた端面電極１６が図示されている。端面電極１６は、前述したような特徴的形態を有している。すなわち、端面電極１６は、積層体２９における基板本体１２となる部分の端面１５に設けられた凹部１８全面に形成され、端面電極１６の開放側面１９は、その全面にわたって、凹部１８に隣接する端面部分１５ａより内方に位置するように、円弧状に延びながら凹んでいる。また、端面電極１６は、基板本体１２の主面方向から見て、略矩形状をなしている。

焼成工程において、次のような現象に基づき、上述のような特徴的形態が端面電極１６に与えられる。

焼成工程において、生の積層体２６は、拘束層２２の作用により、その主面方向への収縮が抑制される。他方、導電部材２５を構成する導電性ペーストは、焼成中に等方的な焼結収縮挙動を示そうとする。このとき、導電部材２５は、セラミックグリーンシート２１と接する３面において収縮が抑制され、開放側面１９側においてのみ実質的な収縮挙動を示す。その結果、開放側面１９において、円弧状に凹むように、導電部材２５が収縮し、前述した特徴的形態を有する端面電極１６が形成される。

導電部材２５を構成する導電性ペーストに含まれる樹脂成分は、焼成工程での焼失によって、端面電極１６の開放側面１９をより凹ませるように作用するため、この樹脂成分の含有量が多くなるほど、凹みの度合いがより高くなる。

導電部材２５を構成する導電性ペーストの組成にもよるが、ある特定的な組成を有する導電性ペーストを用いた場合における、焼成後の端面電極１６の開放側面１９での凹み度合いを評価したところ、次の表１に示すような結果が得られた。

表１において、「電極サイズ」は、基板本体１２の主面方向から見た端面電極１６の厚み方向寸法×幅方向寸法を示し、「最大凹み量」は、開放側面１９での凹みが最大部分での凹み量を示している。

次に、必要に応じて、積層体２９の外方に向く主面上に外部導体膜が形成された後、端面電極１６および外部導体膜上に、湿式めっきによって金属膜（図示せず。）を形成する工程が実施される。

この湿式めっき工程において、端面電極１６の開放側面１９が内方へ凹んだ形状を有しているので、向かい合う端面電極１６間においても、めっき液が良好に流通し、十分な厚みをもって金属膜を形成することができる。また、金属膜の異常析出によるショート不良も生じさせにくくすることができる。前述した溝２７を形成する工程において用いられるダイサーとして、刃幅０．１ｍｍのものを用いたとしても、適正な状態で金属膜を形成できることが確認されている。

次に、積層体２９の分割線２３によって区画された各領域に構成されている多層セラミック基板１１に対して、電気的特性を測定する工程が実施され、その後、必要に応じて、各多層セラミック基板１１上にベアチップやパッケージ素子のような電子部品が搭載される。

そして、分割線２３に沿って、積層体２９が分割され、それによって、図５に示すような個々の多層セラミック基板１１が取り出される。

図６および図７は、この発明の他の実施形態を説明するためのもので、図６は図３に相当し、図７は図５に相当している。図６および図７において、図３および図５に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図６を参照して、この実施形態では、溝２７に代えて、貫通孔３１が形成され、この貫通孔３１の形成によって、導電部材２５が分割される。貫通孔３１は、たとえば、メカニカルパンチ加工、レーザ加工によって形成される。

なお、この実施形態では、図６（ｂ）によく示されているように、１つの導電部材２５に対して、１つの貫通孔３１が形成されたが、貫通孔は、２つ以上の導電部材２５に跨って延びるように形成されてもよい。

また、貫通孔３１は、図６（ｂ）からわかるように、断面形状が矩形であったが、他の形状、たとえば、円形、長円形、楕円形等であってもよい。

また、この実施形態では、導電部材２５は、生の積層体２６を積層方向に貫通するように設けられている。したがって、導電部材２５を設けるため、生の積層体２６を得た後、積層方向に貫通する透孔２４を一挙に設け、その後において、この透孔２４に導電性ペーストを充填するようにしてもよい。

なお、この実施形態においても、導電部材２５は、図３に示すように、生の積層体２６を厚み方向に貫通しないように設けられてもよい。

図６に示した生の積層体２６を焼成し、焼結後の積層体を分割することによって、図７に示した多層セラミック基板１１ａが得られる。多層セラミック基板１１ａにあっては、その基板本体１２の端面１５には、段差部が形成されず、その代わりに、前述した貫通孔３１の一部によって与えられる、積層方向に貫通するように延びる凹溝３２が形成されている。

その他の構成については、前述した実施形態の場合と同様である。

この発明の第１の実施形態による多層セラミック基板の製造方法に含まれる、セラミックグリーンシート２１および拘束層２２からなる構造物を準備する工程、導電部材２５を形成する工程、内部導体膜１４を形成する工程を順次示す断面図である。 図１（３）に示した構造物を積層して得られた生の積層体２６を示す断面図である。 図２に示した生の積層体２６に溝２７を形成した状態を示すもので、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。 図３に示した生の積層体２６を焼成して得られた焼結後の積層体２９をより拡大して示す平面図である。 図４に示した焼結後の積層体２９を分割して得られた多層セラミック基板１１の平面図である。 この発明の第２の実施形態を説明するための図３に相当する図である。 この発明の第２の実施形態を説明するための図５に相当する図である。 この発明にとって興味ある従来の多層セラミック基板の製造方法を説明するための積層体１を示す平面図である。

符号の説明

１１，１１ａ 多層セラミック基板
１２ 基板本体
１３ セラミック層
１４ 内部導体膜
１５ 端面
１５ａ 端面部分
１６ 端面電極
１８ 凹部
１９ 開放側面
２１ セラミックグリーンシート
２２ 拘束層
２３ 分割線
２５ 導電部材
２６ 生の積層体
２７ 溝
２９ 焼結後の積層体
３１ 貫通孔

Claims (4)

1. 内部導体膜と、前記内部導体膜を介在させた状態で積層された複数のセラミックグリーンシートと、前記内部導体膜に接続されかつ特定の前記セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するように設けられ、導電性材料とバインダと溶剤と当該溶剤に溶解しない樹脂成分とを含む導電部材と、特定の前記セラミックグリーンシートに接するように配置されかつ前記セラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料とは焼結温度が異なる無機材料を含む拘束層とを含む、生の積層体を作製する工程と、
   前記生の積層体の積層方向に溝または貫通孔を形成することによって、前記導電部材を分割する工程と、
   前記生の積層体を焼成する工程と
   を備え、
   前記生の積層体を焼成する工程の後、前記溝または貫通孔を形成することによって分割された前記導電部材の開放側面が、前記溝または貫通孔の側面より内方に位置している、
   多層セラミック基板の製造方法。
2. 前記積層体は、複数の前記拘束層を含み、隣り合う前記拘束層間の間隔および前記積層体の各主面とこれに最も近い前記拘束層との間隔は、前記焼成する工程の後において、１５０μｍ以下となるようにされる、請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
3. 前記焼成する工程の後、分割された前記導電部材の露出する面上に、湿式めっきによって金属膜を形成する工程をさらに備える、請求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
4. 前記導電部材は、無機酸化物成分を含む導電性ペーストからなる、請求項１ないし３のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。

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