JP4697014B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置。 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法およびその半導体装置の製造方法の実施に用いることが可能な半導体製造装置に関するものである。

従来、ＦＳ（フィールドストップ）型ＩＧＢＴ等の半導体装置の製造方法として、以下に説明するように、半導体ウェハの表面にデバイス構造部を作製した後、ウェハの裏面を研削し、研削したウェハの裏面にデバイス構造部を作製する半導体装置の製造方法がある（例えば、特許文献１参照）。図１１（ａ）〜（ｃ）に、この半導体装置の製造工程を示す。

まず、表面にデバイス構造部１２が作製された、Ｓｉ等の半導体ウェハ１１を用意する。デバイス構造部１２とは、デバイス構造を構成する部位を意味し、ＦＳ型ＩＧＢＴの場合、ベース領域、エミッタ領域、ゲート酸化膜、ゲート電極および層間絶縁膜等のＭＯＳゲートデバイス構造を構成する部位である。

その後、図１１（ａ）に示すように、ウェハ１１の表面にバックグラインドテープ１３を貼り付ける工程を行う。このバックグラインドテープ１３は、ウェハ表面を保護すると共に、ウェハ１１をバックグラインド装置のステージに固定するために用いられる。

続いて、図１１（ｂ）に示すように、バックグラインド工程を行う。この工程では、ウェハ１１が所望の厚さになるように、ウェハ１１の裏面がグラインドやエッチング等によって削られる。

続いて、図１１（ｃ）に示すように、バックグラインドテープを剥がす工程を行う。

その後、図示しないが、ウェハの裏面を、薬液でエッチングし、鏡面にする工程を行う。

続いて、ウェハの裏面に裏面側デバイス構造部を形成する工程を行う。ＦＳ型ＩＧＢＴの場合、フィールドストップ層およびコレクタ層の不純物領域が裏面側デバイス構造部である。このとき、例えば、ウェハの裏面に導電性不純物をイオン注入し、アニールをすることにより、ウェハの裏面に不純物領域が形成される。その後、詳細な説明を省略するが、ダイシング工程等を経ることで、ＦＳ型ＩＧＢＴ等の半導体装置が製造される。

この製造方法では、図１１（ｂ）のバックグラインド時に、Ｓｉスラッジ（研削くず）１４が、発生して、ウェハの表面側に付着することとなるが、バックグラインド時ではウェハ１１の表面をバックグラインドテープ１３で保護しているので、このテープ１３の表面にＳｉスラッジ１４が付着する。したがって、バックグラインドテープ１３をバックグラインド後に剥がすことで、ウェハ１１の表面側に付着したＳｉスラッジ１４を除去できる。
特開２００４−１４０１０１号公報

図１１（ｃ）のバックグラインドテープを剥がす工程の具体的な方法としては、図１１（ｂ）のバックグラインド工程後に、アーム、ベルト等のウェハを搬送する搬送系で、テープ１３を剥がす際に用いるステージまでウェハを搬送し、このステージ上にウェハの裏面を下側にして固定した状態で、テープ１３を上方に引っ張ることで、テープ１３を剥がし、搬送系により次の工程に搬送する方法が考えられる。

しかし、この場合、ウェハの裏面（研削面）がステージや搬送系と直に接触することとなるため、ウェハの裏面に、テープから離脱したＳｉスラッジ等のパーティクルが付着したり、キズがついたりという問題が発生する。

このパーティクルやキズは、その後の裏面デバイス構造部の作製時において、パターン欠陥、不純物層の欠陥等を起こす。すなわち、例えば、テープを剥がす工程後のウェハの裏面をエッチングする工程で、このキズやパーティクルが影響し、裏面が平坦に仕上がらなく、イオン注入とアニールをした後の裏面拡散層の構造は平坦とならないことから、電気特性不良が生じる。特に、ウェハの裏面にデバイス構造部を形成する工程中のアニールでは、表面デバイスに影響を与えないような低い温度（例えば、４９０℃以下）もしくはレーザー照射によるアニールを行うが、このようなアニールは、不純物の拡散を起こしにくいので、電気特性不良が顕著となる。

なお、裏面に付着したパーティクルを除去するために、バックグラインドテープを剥がす工程とウェハの裏面を薬液でエッチングする工程との間に、ウェハの裏面を洗浄する工程を行うことも考えられるが、洗浄のみでは短時間で除去することは困難である。

また、上記背景技術の欄では、工程の順番を、バックグラインド→テープ剥がし→裏面エッチング→イオン注入→アニールの順とする場合を説明したが、工程の順番を、バックグラインド→裏面エッチング→テープ剥がし→イオン注入→アニールに変更した場合においても同じ問題が起きる。これは、仮に、テープ剥がし前の裏面エッチングにより、裏面が鏡面に仕上がったとしても、次のテープ剥がしの工程でパーティクルやキズがつくからである。

また、上記した問題は、ウェハの表面を保護するものとしてテープを用いた場合に限らず、ウェハの表面を保護する保護部材であれば、他の種類の保護部材を用いた場合にも同様に生じる問題である。

本発明は、上記点に鑑み、ウェハの表面に取り付けた保護部材を除去する工程において、半導体ウェハの裏面を、直に、搬送系やステージ等の半導体製造装置に接触させないで、ウェハの表面に取り付けた保護部材を除去できる半導体装置の製造方法およびその半導体装置の製造方法の実施に用いることが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、保護部材を除去する工程において、半導体ウェハを支持する支持面（１ａ）を有し、支持面（１ａ）に保護部材（１３）と接着させる接着部材（３）が配置された支持手段（１）を用意し、半導体ウェハ（１１）の表面側を下にして半導体ウェハ（１１）を支持面（１ａ）上に載せて、保護部材（１３）に接着部材（３）を接着させ、半導体ウェハ（１１）の表面を支持手段（１）で支持しながら、保護部材（１３）に接着している接着部材（３）を、半導体ウェハ（１１）の表面よりも下方に引っ張ることで、保護部材（１３）を剥がすことを第１の特徴としている。

ここで、「保護部材」、「接着部材」は、テープ、膜等の形状とすることができる。

このように、本発明では、半導体ウェハの表面を支持手段で支持しながら、保護部材に接着している接着部材を、半導体ウェハの表面よりも下方に引っ張ることで、保護部材を半導体ウェハから剥がすようにしているので、半導体ウェハの裏面を、直に、支持手段に触れさせないで、保護部材を剥がすことができる。

また、半導体ウェハの表面側を下にして半導体ウェハを支持面上に載せるようにしていることから、半導体ウェハを搬送するときでは、半導体ウェハの表面を下にして、半導体ウェハの表面を搬送系で支持して搬送することで、半導体ウェハの裏面を、直に、搬送系に触れさせないことができる。

したがって、本発明によれば、ウェハの裏面に、搬送系や支持手段が直に接触することによるパーティクルやキズの付着を防ぐことができる。

また、第１の特徴に関して、保護部材（１３）を除去する工程では、半導体ウェハ（１１）の表面の保護部材（１３）とのなす角度が鈍角となる方向に、接着部材（３）を引っ張ることが好ましい。すなわち、接着部材を半導体ウェハの表面に対して斜め下方向に引っ張ることが好ましい。

これにより、垂直方向に引っ張る場合と比較して、接着部材を引っ張ることによって生じる半導体ウェハのたわみを低減することができる。

また、第１の特徴においては、保護部材（１３）を除去する工程では、支持手段として、接着部材（３）が配置される第１の支持部（１）と、第１の支持部（１）から離間している第２の支持部（２）とを有する支持手段を用い、第１の支持部（１）で半導体ウェハ（１１）のうちの保護部材（１３）が設けられている部位を支持し、第２の支持部（２）で半導体ウェハ（１１）のうちの保護部材（１３）が除去された部位を支持しながら、保護部材（１３）に接着している接着部材（３）を、第１、第２の支持部（１、２）の間から引っ張ることとしている。

また、第１の特徴においては、保護部材（１３）を除去する工程では、第１、第２の支持部（１、２）のうち第１の支持部（１）のみによって半導体ウェハ（１１）を支持しながら、接着部材（３）を引っ張ることで、保護部材（１３）を剥がし始めたときにおいて、接着部材（３）が引っ張られることで、下側にたわんだ半導体ウェハ（１１）の先端部（１１ａ）と、剥がされた保護部材（１３）との間に、第２の支持部（２）を位置させて、第２の支持部（２）で半導体ウェハ（１１）の保護部材（１３）が剥がされた部位を支持した後、半導体ウェハ（１１）の全域が平らとなる位置まで、第２の支持部（２）を移動させることとしている。

また、第１の特徴に関して、保護部材（１３）に接着部材（３）を接着させるときでは、接着部材（３）に設けた開口部（３ａ）から半導体ウェハ（１１）を吸引することで、保護部材（１３）に接着部材（３）を接着させることが好ましい。

これにより、半導体ウェハの裏面に触れなくても、保護部材（１３）に接着部材（３）を接着させることができる。

また、第１の特徴に関して、保護部材（１３）を形成する工程では、保護部材として、紫外線照射により硬化して接着力が弱まる材質のものを用い、半導体ウェハ（１１）の裏面を削る工程と、保護部材（１３）を除去する工程との間で、保護部材（１３）に対して紫外線照射することで、保護部材の半導体ウェハに対する接着力を照射前より弱める工程を行うことが好ましい。

また、本発明の半導体製造装置は、半導体ウェハ（１１）を支持する第１の支持面（１ａ）を有し、第１の支持面（１ａ）上に半導体ウェハ（１１）の表面に設けられた保護部材（１３）と接着させるための接着部材（３）が配置される第１の支持部（１）と、
第１の支持部（１）と離間して配置され、半導体ウェハ（１１）を支持する第２の支持面（２ａ）を有する第２の支持部（２）と、第１の支持部（１）と第２の支持部（２）との間から、接着部材（３）を引っ張る引っ張り手段（４）とを備えることを特徴としている。

例えば、この半導体製造装置を用いることで、請求項１に記載の半導体装置の製造方法を実施できる。

なお、第１、第２の支持部は一体であっても良く、また、第２の支持部としては、ステージや搬送系を用いることができる
また、半導体製造装置に関して、斜め下方向に接着部材を引っ張るため、第１の支持部（１）は、第２の支持部（２）に対向する位置の端面（１ｂ）と第１の支持面（１ａ）とのなす角度（１ｃ）が鈍角であることが好ましい。

また、本発明の半導体製造装置においては、第２の支持部（２）は、第２の支持面（２ａ）を下降および上昇させることができる可動手段を備えている。

これにより、請求項１に示すように、接着部材（３）が引っ張られることで、下側にたわんだ半導体ウェハ（１１）の先端部（１１ａ）と、剥がされた保護部材（１３）との間に、第２の支持部（２）を位置させて、第２の支持部（２）で半導体ウェハ（１１）の保護部材（１３）が剥がされた部位を支持した後、半導体ウェハ（１１）の全域が平らとなる位置まで、第２の支持部（２）を移動させることができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（第１実施形態）
本実施形態における半導体装置の製造方法は、上記背景技術の欄で説明した製造工程と同様に、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す工程を有しており、図１１（ｃ）に示すバックグラインドテープを剥がす工程を実行する具体的な方法およびその実施に用いる半導体製造装置に特徴がある。したがって、以下では、この工程を中心に説明する。

図１〜３に、本実施形態におけるバックグラインドテープを剥がす工程の詳細を示す。これらの図の（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、バックグラインドテープを剥がす工程で使用する半導体製造装置の平面図、側面図である。

まず、図１、２を用いて、バックグラインドテープを剥がす工程に用いる半導体製造装置を説明する。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体製造装置は、主に、メインステージ１と、サポートステージ２と、メインステージ１上に配置されるピールテープ３を巻き取るローラ４とを備えている。

メインステージ１は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、バックグラインドテープが表面に貼り付けられた状態のウェハ１１が搭載される台であり、ウェハを支持する支持面１ａと、メインステージ１の外周端に位置する端面１ｂとを有している。この支持面１ａは平らであり、サポートステージ２側の端面１ｂは傾斜面となっており、支持面１ａとのなす角度１ｃが鈍角となっている。このように端面１ｂが傾斜しているのは、後述するように、ピールテープを斜め下方向に引っ張るためである。

また、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、メインステージ１の支持面１ａ上には、ピールテープ３が配置されている。このピールテープ３は、バックグラインドテープを引き剥がすために用いるシート状の接着部材であり、バックグラインドテープに接着されるものである。このピールテープ３は、ローラ４に巻き取られるため、ピールテープ３は、ローラ４に巻き付けることができる材質および厚さのものが用いられる。例えば、ピールテープ３として、ＰＥＴ系樹脂のシートに接着剤を塗布したものを用いることができる。なお、ピールテープ３の接着力はバックグラインドテープよりも強いことが要求され、例えば、バックグラインドテープの接着力が１．５Ｎ／２０ｍｍの場合、ピールテープ３の接着力を１７．６Ｎ／２０ｍｍとする。

また、ピールテープ３は、少なくとも、ピールテープ３の上にウェハ１１を載せたとき、ウェハ１１の下面全域と接する大きさである。本実施形態では、図２（ａ）に示すように、ピールテープ３は、ローラ４によって引っ張られる方向で延長しており、引っ張られる方向に垂直な方向での幅がウェハの直径よりも若干大きく、ウェハ１１からはみ出ている。

また、図１（ａ）に示すように、ピールテープ３には、各所に穴３ａがあいている。

ここで、図４に、ピールテープが配置されていない状態の図１（ａ）中のメインステージ１の平面図を示し、図５に、図２中のＡ−Ａ線断面図を示す。

図４に示すように、メインステージ１の支持面１ａにも複数の穴１ｄが設けられている。この複数の穴１ｄは、吸引口であり、この穴１ｄからメインステージ１上のウェハを吸引するようになっている。なお、複数の穴を、支持面１ａの全域に設けても良いが、本実施形態では、例えば、図中破線で示すように、支持面１ａの一領域であって、１枚のウェハ１１に相当する領域内に配置されている。

また、図５に示すように、ピールテープ３の穴３ａは、メインステージ１の穴１ｄの位置と一致するように、１つの穴の大きさや、隣り合う穴同士の間隔が同じ大きさに設定されている。そして、メインステージ１の穴１ｄは、図示しないが、吸引手段としての真空ポンプにつながっている。この真空ポンプを運転させ、真空引きすることで、メインステージ１の穴１ｄおよびピールテープ３の穴３ａを介して、ウェハ１１が吸引される。

また、サポートステージ２は、バックグラインドテープが剥がされたウェハを支持するためのものである。サポートステージ２は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ウェハを支持するための支持面２ａが平らであり、メインステージ１側の端面２ｂがメインステージ１の端面に沿って傾斜しており、メインステージ１との間からピールテープ３を引っ張るために、所定の間隔で、メインステージ１から離間している。

また、サポートステージ２のメインステージ１側の先端２ｃには、ローラ５が設けられている。この先端２ｃのローラ５は、メインステージから流れてくるウェハが、サポートステージ２の先端２ｃに引っかかるのを防止するものである。また、サポートステージ２は、図示しない電動モータ等の可動手段によって、支持面２ａの高さ調整が可能となっている。

ローラ４は、ピールテープ３を引っ張るものであり、本実施形態では、ピールテープ３を斜め下方向に引っ張るため、図１（ｂ）に示すように、メインステージ１の端面１ｂの延長線上に位置している。

次に、上記した構造の半導体製造装置を用いて行うバックグラインドテープの剥がし方を説明する。

まず、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体製造装置を用意し、メインステージ１の支持面１ａ上にピールテープ３を配置する。このとき、ピールテープ３の穴３ａの位置をメインステージ１の穴１ｄの位置に合わせる（図４参照）。

続いて、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、メインステージ１の支持面１ａ上であって、支持面１ａのうち複数の穴１ｄが設けられている領域（図４参照）に、バックグラインドテープ１３が張られた表面側を下にして、ウェハ１１を載せる。なお、このバックグラインドテープ１３は、ウェハ１１の表面に形成された表面側デバイス構造部１２を覆っている。また、バックグラインドテープ１３は、ＥＶＡ、ＰＯ系樹脂のシートに接着剤を塗布したもの等のバックグラインド時に加えられる応力に耐えられる材質および厚さで構成されている。

そして、真空ポンプを運転して、ウェハ１１を吸引することで、バックグラインドテープ１３とピールテープ３とを接着させ、その後、真空ポンプの運転を停止させる。このとき、ウェハ１１を吸引する前、吸引中もしくは吸引した後に、ウェハ１１の上にリング状の抑え治具６を載せて、ウェハの最外周部分を加圧することが好ましい。これにより、ウェハ１１の最外周部分におけるバックグラインドテープ１３とピールテープ３との接着力をより強固にすることができる。これは、バックグラインドテープ１３をウェハ１１から剥がすときのきっかけを付けやすくするために有効である。すなわち、バックグラインドテープ１３を剥がすときでは、剥がし始めが重要であり、バックグラインドテープ１３を剥がそうとしても、ピールテープ３がバックグラインドテープ１３から剥がれてしまっては、バックグラインドテープ１３をウェハ１から剥がせない。そこで、このようにすることが有効である。また、抑え治具６が接触する部分は、ウェハ１１のうちのＩＣチップとして有効なエリアではないので、半導体素子の特性不良に影響を与える可能性は少ない。

このように、本実施形態の半導体製造装置によれば、ウェハ１の裏面を装置等に接触させることなく、バックグラインドテープ１３をピールテープ３に接着させることができる。なお、ウェハ１１を吸引するだけでも強固な接着が得られる場合では、ウェハ１１の最外周部分を加圧しなくても良い。

その後、ローラ４を回転させて、ピールテープ３をローラ４に巻き付けることで、斜め下方向にピールテープ３を引っ張り始める。これにより、ウェハ１１は図中右方向に移動し、ウェハ１１の図中右側端部がメインステー１ジの右側端部を超えたところから、メインステージ１でウェハ１１の表面が支持された状態で、ピールテープ３がウェハ表面よりも図中右斜め下方向に引っ張られるため、バックグラインドテープ１３がウェハ１１から剥がれ始める。

そして、図３に示すように、ウェハ１１のうちのバックグラインドテープ１３が剥がされた面がサポートステージ２上に載り、ウェハ１１が図中右側に移動しながら、バックグラインドテープ１３が剥がされていく。このとき、メインステージ１１でウェハ１１のバックグラインドテープ１３が張られた領域が支持され、サポートステージ２でウェハ１１のバックグラインドテープ１３が剥がされた領域が支持されているので、ウェハ１１は安定している。

ここで、図６（ａ）、（ｂ）にバックグラインドテープ１３を剥がし始めているときの状態を示す。バックグラインドテープ１３がウェハ１１から剥がれ始めるとき、ウェハ１１が約１５０μｍのように薄い場合、ウェハ１１の端面１１ａに変形（たわみ）が起き、サポートステージ２の先端角部２ｃに接触し、ウェハ１１が割れを起こす可能性がある。
そこで、図６（ａ）に示すように、バックグラインドテープ１３の剥がし始めのタイミングで、ウェハ１１のたわみ分を考慮して、サポートステージ２がウェハ１１と剥離されたバックグラインドテープ１３の間に位置するように、サポートステージ２の支持面２ａをメインステージ１の支持面１ａよりも低い位置とする。

そして、図６（ｂ）に示すように、ウェハ１１の端面１１ａがサポートステージ２上にきたところで、ウェハ１１の全域を平らに保つように、サポートステージ２の支持面２ａを、徐々に上昇させる。これにより、上記問題を解決できる。

その後、図示しないが、ウェハ１１の全域がサポートステージ上に位置したとき、バックグラインドテープを剥がす工程が終了する。その後、次の工程にウェハ１１を搬送する。このとき、アームやベルト等の搬送系は、ウェハ１１の表面側を支持する。続いて、上記背景技術の欄で説明したように、ウェハの裏面のエッチングする工程、ウェハの裏面にイオン注入等を施すことで裏面側デバイス構造部を形成する工程が行われ、その後、ダイシング工程等を経ることで、ＦＳ型ＩＧＢＴ等の半導体装置が製造される。

以上説明したように、本実施形態の方法によれば、ウェハ１１の裏面を、直に、搬送系やステージ等の半導体製造装置に接触させないで、ウェハ１１の表面に貼り付けたバックグラインドテープ１３を除去できる。

また、本実施形態では、バックグラインドテープ１３を剥がした直後のウェハ１１をサポートステージ２で支持するようにしている。これにより、ウェハ厚が約１５０μｍのような薄いウェハが割れるのを防ぐことができる
また、本実施形態では、ウェハ１１の表面に対して垂直な方向でなく、斜め下方向に引っ張っている。すなわち、ウェハ１１の表面に貼り付けられているバックグラインドテープ１３とのなす角度が鈍角となる方向に、ピールテープ３を引っ張っている。

ここで、図７に、本実施形態と異なり、ウェハ１１に対して垂直な方向にピールテープ３を引っ張ったときのウェハ１１の状態を示す。図７に示すように、ウェハ１１に対して垂直な方向でピールテープ３を引っ張った場合、ウェハが薄いほどたわみ量が大きくなり、場合によってはウェハが割れるという問題が生じる。これに対して、本実施形態のように、ピールテープ３を斜め下方向に引っ張ることで、たわみ量を小さくでき、ウェハの割れを防ぐことができる。なお、ウェハに割れが発生しなければ、ウェハ１１に対して垂直な方向にピールテープ３を引っ張っても良い。この場合、メインステージ１の端面１ｂと支持面１ａとのなす角度１ｃを直角とする。

また、本実施形態では、バックグラインドテープ１３を剥がし終わったウェハ１１の表面にサポートステージ２が接触することとなるが、ウェハ１１の表面側ではデバイス構造部１２の作りこみが終わっているので、ウェハ１１の表面が接触することによるウェハ１１の表面へのパーティクルの付着は、特に問題とはならない。また、ウェハ１の表面に保護膜が形成されている場合も特に問題とならないが、保護膜が形成されていない場合は、デバイス構造部１２を形成した後であって、バックグラインドテープ１３を貼る前に、デバイス構造部１２を保護する保護膜を形成しておくことで、デバイス構造部１２へのパーティクルの付着を防ぐことができる。なお、この保護膜はイオン注入後に除去される。

（第２実施形態）
本実施形態は、第１実施形態に対してバックグラインドテープを剥がしやすくするための工程を追加したものである。すなわち、本実施形態では、図１１（ｂ）に示すバックグラインド工程と、第１実施形態で説明した図１１（ｃ）に示すバックグラインドテープを剥がす工程との間で、バックグラインドテープの接着力を弱める工程を実施する。ここで、図８、９に、バックグラインドテープの接着力を弱める工程を示す。

まず、本実施形態では、図１１（ａ）に示すバックグラインドテープを貼り付ける工程で、バックグラインドテープ１３として、紫外線の照射により、接着剤成分が硬化する等の理由により、接着力が弱まる、いわゆるＵＶテープを使用する。

そして、バックグラインドテープの接着力を弱める工程では、図８（ａ）に示すように、ウェハ１１を保持する部分７ａが円弧形状の第１のアーム７を用いて、図８（ｂ）に示すように、表面側を下にして、ウェハ１１の外周部分を保持した状態で、ウェハ１１の下側からウェハ１１の表面のバックグラインドテープに紫外線（ＵＶ）を照射する。このとき、ウェハ１１の外周部分は第１のアーム７によって覆われた状態となるため、紫外線が照射されない。

そこで、ウェハ１１のうち、第１のアーム７によって覆われた部分に紫外線を照射するため、図９（ａ）に示すように、ウェハを保持する部分８ａが直線形状である第２のアーム８を用いて、図９（ｂ）に示すように、表面側を下にして、ウェハ１１の中心部分を保持した状態で、ウェハ１１の下側からウェハ１１の表面のバックグラインドテープに紫外線（ＵＶ）を照射する。

このようにして、二段階で紫外線照射することで、バックグラインドテープの接着力を弱めることができる。これにより、次の図１１（ｃ）に示すバックグラインドテープを剥がす工程において、バックグラインドテープを容易に剥がすことができる。

また、本実施形態では、ウェハを保持する部分の形状が異なる第１、第２のアーム７、８を用いて、ウェハ１１の表面の異なる部分を保持するようにしているため、ウェハ１１の裏面をアームに接触させることなく、紫外線照射することができる。

（第３実施形態）
本実施形態は、第１、第２実施形態と異なり、背景技術の欄で説明した製造工程に対して、図１１（ｂ）に示すバックグラインド工程と、図１１（ｃ）に示すバックグラインドテープを剥がす工程との間に、ウェハの裏面を保護する保護テープをウェハの裏面に貼り付ける工程等を追加したものである。ここで、図１０（ａ）〜（ｅ）に本実施形態の半導体装置の製造工程を示す。

具体的には、図１０（ａ）に示す工程では、図１１（ａ）に示す工程と同様に、表面に半導体素子を構成する表面側デバイス構造部１２が形成されたウェハ１１を用意し、ウェハ１１の表面に覆って、表面を保護する第１の保護部材としてのバックグラインドテープ１３を形成する。

続いて、図１０（ｂ）に示す工程では、図１１（ｂ）に示すように、バックグラインドを行う。

そして、図１０（ｃ）に示す工程では、研削したウェハ１１の裏面に、ウェハ１１の裏面を保護する第２の保護部材としての保護テープ１５を貼り付ける。この保護テープ１５としては、ＥＶＡ、ＰＯ系樹脂のシートに接着剤を塗布したもの等を用いることができる。なお、保護テープ１５の代わりに、レジスト等の他の保護部材を用いても良い。

続いて、図１０（ｄ）に示す工程では、ウェハ１１の裏面を保護テープ１５で覆った状態で、バックグラインドテープ１３を剥がす。具体的には、ウェハを支持する支持手段の上に裏面を下にしてウェハを固定した状態で、バックグラインドテープ１３を上方に引っ張ることで、バックグラインドテープ１３をウェハ１１から剥がす。

続いて、図１０（ｅ）に示す工程では、保護テープ１５をウェハ１１から除去する。このとき、図中のウェハを上下逆にして、ウェハを支持する支持手段の上にウェハ１１の表面を固定した状態で、保護テープ１５を剥がす。このため、ウェハ１１の表面が支持手段に直に接することとなるが、デバイスの作りこみが終わっているので、ウェハ１１の表面が支持手段に直に接することによるパーティクルの付着は特に問題とはならない。また、ウェハ１の表面に保護膜が形成されている場合も同様に問題とならず、ウェハ１の表面に保護膜が形成されていない場合はデバイス構造部１２を形成した後であって、バックグラインドテープ１３を貼る前に、デバイス構造部１２を保護する保護膜を形成しておくことで、デバイス構造部１２へのパーティクルの付着を防ぐことができる。なお、この保護膜はイオン注入後に除去される。

このように、保護テープ１５をウェハ１１の表面に張った状態で、バックグラインドテープ１３を剥がすことで、ウェハ１１の裏面が、直に、ステージや搬送系に接触するのを防ぐことができる。

（他の実施形態）
（１）第１実施形態では、第２の支持部としてサポートステージ２を用いる場合を例として説明したが、サポートステージ２の代わりに、ベルト等の搬送系を用いることもできる。なお、この場合においても、ウェハを面で受けることが好ましい。

（２）第１実施形態では、接着部材として、シート状のピールテープ３を用いていたが、バックグラインドテープ１３に接着できれば、接着部材の形状は特に問わず、種々の材質、形状のものを用いることができる。

（３）上記した各実施形態では、工程の順番を、バックグラインド→バックグラインドテープ剥がし→裏面エッチング→イオン注入の順とする場合を説明したが、バックグラインドテープ剥がしと裏面エッチングを入れ替えて、バックグラインド→裏面エッチング→テープ剥がし→イオン注入の順としても良い。

（４）上記した各実施形態では、第１の保護部材としてバックグラインドテープ１３を用いた場合を例として説明したが、テープ形状のものに限らず、ウェハの表面を保護する保護部材であれば、他の形状の保護部材を用いても良い。

（ａ）は本発明の第１実施形態における半導体製造装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の半導体製造装置を図中下側から見た側面図である。 バックグラインドテープを剥がす工程を示す図であり、（ａ）は本発明の第１実施形態における半導体製造装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の半導体製造装置を図中下側から見た側面図である。 図２に続くバックグラインドテープを剥がす工程を示す図であり、（ａ）は本発明の第１実施形態における半導体製造装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の半導体製造装置を図中下側から見た側面図である。 ピールテープが配置されていない状態の図１（ａ）中のメインステージ１の平面図である。 図２（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。 バックグラインドテープ１３を剥がし始めているときの半導体製造装置の側面図である。 ウェハ表面に対して垂直な方向にピールテープ３を引っ張ったときのウェハの状態を示す図である。 本発明の第２実施形態におけるバックグラインドテープの接着力を弱める工程を示す斜視図である。 図８に続くバックグラインドテープの接着力を弱める工程を示す斜視図である。 本発明の第３実施形態における半導体装置の製造工程を示す半導体装置の断面図である。 従来および本発明における半導体装置の製造工程を示す半導体装置の断面図である。

符号の説明

１…メインステージ、１ａ…支持面、２…サポートステージ、２ａ…支持面、
３…ピールテープ、４…ローラ、６…抑え治具、
１１…ウェハ、１２…表面側デバイス構造部、
１３…バックグラインドテープ、１５…保護テープ。

Claims (7)

1. 表面に半導体素子を構成する表面側デバイス構造部（１２）が形成された半導体ウェハ（１１）を用意する工程と、
   前記半導体ウェハ（１１）の表面を覆って、前記表面を保護する保護部材（１３）を形成する工程と、
   前記表面が前記保護部材（１３）で覆われた状態で、前記半導体ウェハ（１１）の裏面を削る工程と、
   前記半導体ウェハ（１１）の裏面を削った後、前記保護部材（１３）を前記半導体ウェハ（１１）から除去する工程とを有し、
   前記保護部材を除去する工程では、前記半導体ウェハを支持する支持面（１ａ）を有し、前記支持面（１ａ）に前記保護部材（１３）と接着させる接着部材（３）が配置された支持手段（１）を用意し、
   前記半導体ウェハ（１１）の表面側を下にして前記半導体ウェハ（１１）を前記支持面（１ａ）上に載せて、前記保護部材（１３）に前記接着部材（３）を接着させ、
   前記半導体ウェハ（１１）の表面を前記支持手段（１）で支持しながら、前記保護部材（１３）に接着している前記接着部材（３）を、前記半導体ウェハ（１１）の表面よりも下方に引っ張ることで、前記保護部材（１３）を剥がす半導体装置の製造方法であって、
   前記保護部材（１３）を除去する工程では、
   前記支持手段として、前記接着部材（３）が配置される第１の支持部（１）と、前記第１の支持部（１）から離間している第２の支持部（２）とを有する前記支持手段を用い、
   前記第１の支持部（１）で前記半導体ウェハ（１１）のうちの前記保護部材（１３）が設けられている部位を支持し、前記第２の支持部（２）で前記半導体ウェハ（１１）のうちの前記保護部材（１３）が除去された部位を支持しながら、前記保護部材（１３）に接着している前記接着部材（３）を、前記第１、第２の支持部（１、２）の間から引っ張ることとし、
   前記第１、第２の支持部（１、２）のうち前記第１の支持部（１）のみによって前記半導体ウェハ（１１）を支持しながら、前記接着部材（３）を引っ張ることで、前記保護部材（１３）を剥がし始めたときにおいて、
   前記接着部材（３）が引っ張られることで、下側にたわんだ前記半導体ウェハ（１１）の先端部（１１ａ）と、剥がされた前記保護部材（１３）との間に、前記第２の支持部（２）を位置させて、前記第２の支持部（２）で前記半導体ウェハ（１１）の前記保護部材（１３）が剥がされた部位を支持した後、前記半導体ウェハ（１１）の全域が平らとなる位置まで、前記第２の支持部（２）を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記保護部材（１３）を除去する工程では、前記半導体ウェハ（１１）の表面の前記保護部材（１３）とのなす角度が鈍角となる方向に、前記接着部材（３）を引っ張ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記保護部材（１３）に前記接着部材（３）を接着させるときでは、前記接着部材（３）に設けた開口部（３ａ）から前記半導体ウェハ（１１）を吸引することで、前記保護部材（１３）に前記接着部材（３）を接着させることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記保護部材（１３）を形成する工程では、前記保護部材として、紫外線照射により硬化して接着力が弱まる材質のものを用い、
   前記半導体ウェハ（１１）の裏面を削る工程と、前記保護部材（１３）を除去する工程との間で、前記保護部材（１３）に対して紫外線照射することで、前記保護部材の前記半導体ウェハに対する接着力を照射前より弱める工程を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
5. 半導体ウェハ（１１）を支持する第１の支持面（１ａ）を有し、前記第１の支持面（１ａ）上に前記半導体ウェハ（１１）の表面に設けられた保護部材（１３）と接着させるための接着部材（３）が配置される第１の支持部（１）と、
   前記第１の支持部（１）と離間して配置され、前記半導体ウェハ（１１）を支持する第２の支持面（２ａ）を有する第２の支持部（２）と、
   前記第１の支持部（１）と前記第２の支持部（２）との間から、前記接着部材（３）を引っ張る引っ張り手段（４）とを備え、
   前記第２の支持部（２）は、前記第２の支持面（２ａ）を下降および上昇させることができる可動手段を備えることを特徴とする半導体製造装置。
6. 前記第１の支持部（１）は、前記第２の支持部（２）に対向する位置の端面（１ｂ）と前記第１の支持面（１ａ）とのなす角度（１ｃ）が鈍角であることを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置。
7. 前記第１の支持面（１ａ）および前記接着部材（３）には、吸引開口部（１ｄ、３ａ）が設けられており、
   前記吸引開口部（１ｄ、３ａ）から前記第１の支持面（１ａ）に載せられた半導体ウェハ（１１）を吸引することで、前記接着部材（３）と前記保護部材（１３）とを接着させる吸引手段を備えることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体製造装置。

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