JP4717533B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、RGBの３原色の画素を有する液晶表示パネルを備える液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

従来、表示装置には、カラー表示が可能な液晶表示パネルを備える液晶表示装置がある。前記カラー表示が可能な液晶表示装置は、近年、たとえば、液晶テレビやPC(Personal Computer)用の液晶ディスプレイ、PDAや携帯電話機のディスプレイなどに幅広く用いられている。

前記カラー表示用の液晶表示パネル（以下、カラー液晶パネルという）は、たとえば、TFT(Thin Film Transistor)および画素電極をアレイ状に配置した第１の基板（TFT基板）と、前記画素電極と対向する位置にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のカラーフィルタを配置した第２の基板（カラーフィルタ基板）の間に液晶材料を封入した表示パネルである。このとき、前記カラー液晶パネルの１ドット（表示画素）は、赤色のカラーフィルタを配置したＲ画素、および緑色のカラーフィルタを配置したＧ画素、ならびに青色のカラーフィルタを配置したＢ画素を１組として構成される。

また、前記カラー液晶パネルでは、たとえば、視野角を改善するために、各画素の画素電極の向きを複数方向にした表示パネルが提案されている（たとえば、特許文献１を参照。）。
米国特許第６，２５６，０８１号明細書

従来の液晶表示装置では、一般に、前記Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素は、光が透過する領域の面積が同一であり、画素毎に階調制御をすることでさまざまな色調を表現している。

このとき最高輝度の白色は、Ｒ画素の最高輝度状態、Ｇ画素の最高輝度状態、Ｂ画素の最高輝度状態の合成として得られる。この白色の度合い（たとえば、赤っぽい、青っぽいなど）は色温度という指標にて表現され、Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素での輝度のバランスで定まることになる。そしてこの色温度は画像の見た目に直結するため、製品の使用用途や顧客要求に応じて高精度にスペックとして示される所定の値とすることが求められている。

この結果、色温度の値のみが異なり他の特性はほぼ同等である多くの製品を作り分ける必要がある。この際、色温度の仕様と製品の大きさが１：１で対応するような場合は後の判別が容易である。しかし逆に、同一サイズで複数の色温度の仕様が存在する場合がある。この場合、たとえば製造管理コンピュータのトラブル等により製造工程中で色温度の異なる仕様のパネルが混在してしまった場合に、混在したパネルの特定が困難になる場合がある。

本発明の目的の１つは、高精度に色温度を調整した表示装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、色温度の仕様を容易に特定可能な表示装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明の概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）第１の色に対応する画素と、第２の色に対応する画素と、第３の色に対応する画素とを有する表示装置において、前記３つの画素のいずれかは、他の画素と形状が異なる金属パターンが配置された特定画素となっている表示装置である。

（２）前記（１）において、前記金属パターンは、他の金属パターンと平面的に離間している表示装置である。

（３）前記（１）において、前記特定画素の画素電極は、他の画素の画素電極より小さい表示装置である。

（４）前記（３）において、前記特定画素で、前記金属パターンが画素電極を小さくするために他の画素と比べ画素電極の形状が異なっている領域に配置されている表示装置である。

（５）前記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記画素電極と平面的に重畳する共通電極を有し、画素電極は開口部を有し、該開口部は画素電極が小さい画素で他の画素より小さい表示装置である。

（６）前記（４）において、前記画素電極と平面的に重畳する共通電極を有し、前記金属パターン部に隣接する他の画素の共通電極と電気的に接続するブリッジ配線を有する表示装置である。

（７）第１の色のカラーフィルタを有する第１画素と、第２の色のカラーフィルタを有する第２画素と、第３の色のカラーフィルタを有する第３画素を有し、前記各画素は前記カラーフィルタと対向する画素電極を有し、前記各画素電極は複数のスリットを有する表示装置であって、前記第１画素の画素電極の外形面積は、前記第２画素の画素電極の外形面積よりも小さい表示装置である。

（８）前記（７）において、前記第１画素の金属層の面積は、前記第２画素の金属層の面積より大きい表示装置である。

（９）前記（７）または（８）において、前記画素電極に平面的に重畳する共通電極を有し、該共通電極は前記画素電極のスリット部にも平面的に形成されており、前記第１画素の画素電極のスリットの総面積は、前記第２画素の画素電極のスリットの総面積よりも小さい表示装置である。

（１０）前記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記第１画素の画素電極のスリットの位置と、前記第２画素の画素電極のスリットの位置が異なる表示装置である。

（１１）前記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記第１画素の画素電極のスリットの数は、前記第２画素の画素電極のスリットの数より少ない表示装置である。

（１２）前記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記第１画素の画素電極のスリットの幅は、前記第２画素の画素電極のスリットの幅より狭い表示装置である。

（１３）前記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記第１画素の画素電極のスリットの間隔は、前記第２画素の画素電極のスリットの間隔より広い表示装置である。

（１４）前記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記第１画素の画素電極のスリットの角度と、前記第２画素の画素電極のスリットの角度が異なる表示装置である。

本発明の表示装置は、手段（１）のような構成にすることにより、色の異なる画素間の光出射量のバランスを制御する。このとき、前記金属パターンは、ホトプロセスにより正確な形状制御ができるので、色温度の正確な制御が実現する。

また、特徴的な金属パターンが画素に残るので、どの色に対応する画素にその金属パターンがあるかにより、色温度の仕様を容易に区別することができる。

またこのとき、手段（２）のようにパターンが平面的に離間していると、さらに仕様の区別が容易である。特に、パターン認識による自動判定が容易になる。

また、手段（４）のように、画素電極を小さくした領域に関連して金属パターンを配置することにより、該金属パターンをさらに別の目的に兼用することが可能になり、面積の有効利用が実現する。その一例が手段（６）の場合であり、これにより、画質の向上が実現する。

また、手段（５）のような構成にした場合、画素電極と共通電極の間に容量が形成される。この容量は画素間で極力同じ値に近づけることが望ましい。これは、TFTの書込み特性の画素間でのバラツキ発生を防ぐためである。画素電極が小さい画素では、他の画素より容量が小さくなる。そこで、画素電極に開口部を設け、その開口部の面積を画素電極が小さい画素で他の画素より小さくする。これにより、画素間での画素電極の面積の差を低減でき、容量の差を低減できるようになる。

また、手段（７）は、手段（１）から手段（４）のような構成を有する表示装置の一具体例であり、手段（１）と同等の効果が得られる。

また、手段（９）は、手段（５）のような構成を有する表示装置の一具体例であり、手段（５）と同等の効果が得られる。

またこのとき、手段（９）は、たとえば、手段（１０）から手段（１４）の１つまたは複数を組み合わせることにより実現することもできる。

以下、本発明について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、図面間において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

表示装置の一例として、以下液晶表示装置を例に説明する。
図１は液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。

液晶表示装置は、たとえば、図１および図２に示すように、第１の基板１と第２の基板２が環状のシール材３で接着されており、前記各基板１，２およびシール材３で囲まれた空間に液晶材料４が封入された液晶表示パネルを備える。また、図示は省略するが、前記液晶表示装置は、前記液晶表示パネルの他に、たとえば、光源（バックライトユニット）や、液晶表示パネルの表示制御を行うタイミングコントローラーなどの回路が設けられた回路基板、液晶表示パネルの駆動用のドライバICが実装されたTCP(Tape Carrier Package)あるいはCOF(Chip On Film)などの半導体パッケージなどを備える。

以下、説明用に、第１の基板１は、たとえば、TFT素子や画素電極がアレイ状に配置されたTFT基板、第２の基板２はカラーフィルタ基板とする。

図３はTFT基板１の一構成例を示す模式平面図である。TFT基板１では、ゲート配線１０２およびドレイン配線１０７に囲まれた領域が画素領域となる。画素電極１１０には、TFT素子を介してドレイン配線からの信号が供給される。

一方、図３には赤色に対応するＲ，緑色に対応するＧ，青色に対応するＢとして、ＣＦ基板２を重ねた場合にTFT基板１中のどの画素がどの色に対応するかを示している。

そして図３では、金属パターン５００が、一例としてＲの画素に配置されている。この場合、Ｒの画素から出射される光の量が低下するため、Ｒ，Ｇ，Ｂのバランスとして表示される白色は、青みがかるように調整されたものとなる。そしてこの金属パターン５００は、TFT基板の製造工程で形成されるものであるため、ホトプロセスにより高精度の形状制御が可能である。さらに金属材料であることにより、透明材料や有機膜に比べエッチング時の仕上がり寸法のばらつきが低減できるため、一層高精度に形状制御が実現する。これにより、色温度の高精度の制御が実現する。

また、光の出射量を少なくする色の画素に、直接金属パターン５００が形成されているため、色温度の仕様をどのように意図したパネルであるかが直接的に判別することが可能となる。

なお、カラーフィルタ基板２と一体化される前の状態であっても、どの画素がどの色に対応するかは設計段階で一意的に定まっているため、やはり直接的に判別できる。この場合、周辺部の画素を見ると判別がより容易である。

図４はＧの画素にも金属パターン５０１を設けた例で、この形状はＲの画素の金属パターン５００とは異なったものとなっている。これにより、さらに色温度の微調整が実現する。なお、図４では金属パターン５０１の画素内での相対位置は金属パターン５００とは異なっている。これは、パターン認識による仕様判定を容易にするためであり、水平方向、上下方向のいずれか、あるいは双方がずれたように構成することが有効である。

図５はTFT基板１の他の構成例である。図５のTFT基板１側でのＢ−Ｂ’断面図を図６に、Ｃ−Ｃ’断面図を図７に示す。図５乃至図７に示したTFT基板１では、ガラス基板などの透明基板１０１上にゲート配線１０２および共通電極１０３、ならびに共通信号配線１０４ａなどが設けられている。また、前記ゲート配線１０２や共通電極１０３などの上層には、第１絶縁膜１０５を介して、アモルファスシリコン膜１０６、ドレイン配線１０７、ソース電極１０８が設けられている。前記TFT素子は、ゲート配線１０２，第１絶縁膜１０５，アモルファスシリコン膜１０６，ドレイン配線１０７，およびソース電極１０８によって構成される。

また、前記ドレイン配線１０７やソース電極１０８などの上層には、第２絶縁膜１０９を介して、画素電極１１０が設けられている。画素電極１１０は、たとえば、図６に示すように、ソース電極１０８とスルーホールで接続されている。また、画素電極１１０は、たとえば、図５に示すように、前記ドレイン配線１０７の延在方向の中心を境にして、上側は第１の方向に延びるスリット１１０ｓが設けられ、下側は第２の方向に延びるスリット１１０ｓが設けられている。むろんスリット１１０ｓの延びる方向は一方向でも構わない。また、前記第２絶縁膜１０９および画素電極１１０上には配向膜１１１が設けられている。

図８は、図５のＤ−Ｄ’断面図である。TFT基板１およびカラーフィルタ基板２の裏面、すなわち液晶層４と反対側の面にはそれぞれ、偏光板６，７が設けられている。

カラーフィルタ基板２は、たとえば、図６乃至図８に示すように、ガラス基板などの透明基板２０１上の、前記TFT基板１の画素電極１１０と対向する位置にカラーフィルタ２０２が設けられている。このとき、異なる色のカラーフィルタの組み合わせの一例として、前記各カラーフィルタ２０２は赤，緑，青にそれぞれ対応し、２０２（Ｒ），２０２（Ｇ），２０２（Ｂ）として形成されている。前記各カラーフィルタ２０２（Ｒ），２０２（Ｇ），２０２（Ｂ）は、図８に示したように、ブラックマトリックス２０３により分割されるように構成してもよい。前記カラーフィルタ２０２およびブラックマトリックス２０３上には保護膜２０４および配向膜２０５が設けられている。また、カラーフィルタ基板２の裏面、すなわち透明基板２０１の、カラーフィルタ２０２が設けられた面の裏側には、たとえば、透明電極２０６および偏光板７が設けられている。このとき、カラーフィルタ基板２に設けられた偏光板７は、TFT基板１に設けられた偏光板６と対になっている。

ＲＧＢの三原色を用いてカラー表示をする表示装置では、Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素の組を１つの表示画素とし、前記各画素の階調を制御することで、さまざまな色を再現する。

図５に示したようなTFT基板１では、光が出射されない領域となる金属パターン１０４ｂを特定の色の画素（Ｒ画素）に配置することで、色温度の制御が実現する。そしてこの金属パターン１０４ｂの領域は光が出射されない領域であるため、そのままでは無効領域となってしまう。そこで、この金属パターン１０４ｂを画素の端部に配置し、かつ画素電極１１０の形状を該領域で金属パターン１０４ｂに沿って縮小した。これにより、該領域に後述するブリッジ配線１１２を配置することにより、開口率への影響無しに輝度ムラの低減が実現する。

また、図５において紙面左右方向に並んでいる前記Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素の共通電極１０３は、図５および図７に示したように、前記共通信号配線１０４ａに接続することで共通化されている。

またこのとき、図５および図７に示すように、前記Ｒ画素の共通電極１０３のみが、前記画素電極１１０と同じ層に設けられたブリッジ配線１１２を介して、図５において紙面上下方向に並んでいる他のＲ画素の共通電極１０３と電気的に接続されている。このとき、前記各Ｒ画素には、前記ブリッジ配線１１２とスルーホールで接続され、かつ、前記共通電極１０３と接続される金属パターン（電極パッド）１０４ｂが設けられている。このように、前記紙面上下方向に並んでいるＲ画素の共通電極１０３同士を前記ブリッジ配線１１２で接続することで、前記紙面左右方向に並んでいる画素の共通電極１０３に供給される電位だけでなく、紙面上下方向に並んでいる画素の共通電極１０３に供給される電位も安定化させることができる。

図９は図５のTFT基板１を用いた表示装置の一例であり、カラーフィルタ基板２側からの平面図である。２０２（Ｒ）がＲのカラーフィルタが形成された領域、２０２（Ｇ）がＧのカラーフィルタが形成された領域、２０２（Ｂ）がＢのカラーフィルタが形成された領域である。２０３は遮光膜（ブラックマトリックス）であり、各画素に対応して開口部を有し、遮光層の端部とカラーフィルタの端部が重畳している。そして、Ｒ画素の光が透過する領域が１１３、Ｇ画素の光が透過する領域が１１４、Ｂ画素の光が透過する領域が１１５となっている。

このような表示装置では、図９に示すように、Ｒ画素の光が透過する領域１１３の面積が、Ｇ画素の光が透過する領域１１４の面積およびＢ画素の光が透過する領域１１５の面積よりも小さく構成されている。

また、TFT基板１の各画素は、たとえば、図５および図８に示すように、共通電極１０３上に画素電極１１０が積層されている。平面的には画素電極１１０と共通電極１０３が重畳する形状となっている。これにより、共通電極１０３，第１絶縁膜１０５および第２絶縁膜１０９，画素電極１１０により容量素子が形成されている。

図５に示した例では、Ｒの画素の画素電極１１０の外縁で囲まれる面積は、Ｂの画素及びＧの画素のそれより小さくなっている。このように前記Ｒ画素と、前記Ｇ画素およびＢ画素の画素電極１１０の大きさが異なると、前記Ｒ画素の容量値と、前記Ｇ画素およびＢ画素の容量値に差が生じ、TFTにより各画素電極１１０に書き込まれる電圧に差が生じてしまう。この電圧差の発生の仕方が画素毎に異なると、共通電極の電圧最適値が画素毎で異なってしまうため、残像やスメアが発生しやすくなってしまう。そこで、前記各画素の画素電極１１０にスリットや開口部を設け、画素電極１１０の面積の差をＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素で出来るだけ近づけることが望ましいことになる。何故なら、それによる前記Ｒ画素の容量値と、前記Ｇ画素およびＢ画素の容量値の差が小さくなるからである。

これは、一例として、図５に示すように、Ｒ画素（金属パターンが配置された特定の画素）のスリット１１０ｓ部あるいは開口部の面積を、他の画素のものより小さくすることで実現できる。画素電極１１０と共通電極１０３の重畳面積は、概略として、画素面積の外延部内の面積から、スリット１１０ｓ部あるいは開口部の値を引くことで定まるためである。

また、図５では、画素の中央部での画素電極のスリット１１０ｓの長さが、Ｒ画素（金属パターン１０４ｂが配置された特定の画素）と他の画素で異なるようにしている。この中央部は向きの異なるスリットが混在する領域である。この領域で、スリット１１０ｓの長さを調整することにより、無効領域の低減が実現し、画素を有効利用することができる。

図１０乃至図１４は、画素電極のスリットの設け方の他の思想を説明するための模式図である。なお、Ｇ画素とＢ画素のスリットは同一パターンでよいので、図１０乃至図１４ではＢ画素の図示を略している。図１０は各画素電極のスリットの位置が同じ場合の平面図の例である。図１１は各画素電極のスリットの数が異なる場合の平面図の例である。図１２は各画素電極のスリットの角度が異なる場合の平面図の例である。図１３は各画素電極のスリットのいくつかを開放させた場合の平面図の例である。図１４は図１３の部分拡大平面図である。

図５に開示される構成では、
（Ａ）Ｒ画素の開口率を、他のＧ画素およびＢ画素の開口率よりも小さくする。
（Ｂ）Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの総面積を、Ｇ画素およびＢ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの総面積よりも小さくする。
という特徴を有している。

つまり、本実施例１の表示装置では、（Ａ）および（Ｂ）の２つの条件が満たされていれば、スリット１１０ｓの形状は図５に示した例以外に種々の構成が適用可能である。

たとえば、図１０に示すように、前記各画素電極１１０のスリット１１０ｓの位置は同じで、Ｇ画素の画素電極１１０の上端および下端のスリット１１０ｓの長さが、Ｒ画素の画素電極１１０の上端および下端のスリット１１０ｓよりも長くなっているような関係であってもよい。

また、たとえば、図１１に示すように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの位置をずらすことにより、Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの数が、Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの数よりも多くなってもよい。図１１に示した例では、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓは１９本、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓは２０本となっている。

また、その他にも、たとえば、図１２に示すように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの角度θ_Gが、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの角度θ_Rよりも大きくなるようにしてもよい。このようにすれば、たとえば、前記各画素の画素電極の中央付近の、第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域で、前記Ｇ画素の画素電極のほうが無効領域が少なくなり、前記Ｇ画素の開口率を前記Ｒ画素の開口率よりも大きくできる。

また、図示は省略するが、たとえば、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの間隔を前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの間隔よりも狭くしてもよい。また、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの幅を前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの幅より広くしてもよい。

また、前記各画素の画素電極１１０の中央付近の、前記第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリット１１０ｓは、たとえば、図１３および図１４に示すように、一端が前記画素電極１１０の端部に達して開放していてもよい。このようにスリット１１０ｓが開放していれば、その分、無効領域が減るので、各画素の開口率が高くなる。またこのとき、前記第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリット１１０ｓを開放しておけば、たとえば、図１４に示すように、画素電極１１０の上半分、または下半分に不良が生じた場合に、図１４において破線で囲まれた１カ所の領域を切断するだけで、画素電極１１０を上下に分断することができる。これにより欠陥修正が容易になる。

なお、この欠陥修正が容易になる効果は、画素電極１１０に第１の方向のスリットがある第１の領域と、第２の方向のスリットが向かい合う第２の領域と、第１領域と第２領域の間に形成された第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う第３の領域を有し、第３領域ではスリットの一端が開放される構成となっていれば奏することが出来るものである。

図１５および図１６は、それぞれ図５および図９に対応する別の構成例を示す模式平面図である。

前記実施例１では、たとえば、図５に示したように、Ｒ画素の共通電極１０３のみを他のＲ画素の共通電極１０３とブリッジ配線１１２で接続することで、前記Ｇ画素およびＢ画素の開口率を前記Ｒ画素の開口率よりも大きくした。しかし、これに限らず、前記各画素の幅を変えることでも、前記Ｇ画素およびＢ画素の開口率を前記Ｒ画素の開口率よりも大きくすることができる。そこで、本実施例２では、前記Ｒ画素の幅を、前記Ｇ画素およびＢ画素の幅より狭くすることで、前記Ｇ画素およびＢ画素の開口率を前記Ｒ画素の開口率よりも大きくする場合の構成例について説明する。

本実施例２の液晶表示装置のTFT基板１では、図１５に示すように、Ｒ画素の両側のドレイン配線１０７の間隔ＤＰＲが、前記Ｇ画素の両側およびＢ画素の両側のドレイン配線１０７の間隔ＤＰＧ，ＤＰＢよりも狭くなっている。この場合、各画素の共通電極１０３は、ともに、前記ブリッジ配線１１２で上下方向の画素の共通電極１０３と接続しても良い。

図１５に対応し、カラーフィルタ側から見た平面図面である図１６では、Ｒ画素の光が透過する領域の面積１１３が、前記Ｇ画素およびＢ画素の光が透過する領域１１４，１１５よりも小さくなる。つまり、本実施例２の液晶表示装置では、前記Ｒ画素の開口率が、前記Ｇ画素およびＢ画素の開口率よりも小さくなる。したがって、実施例１と同様に色温度の制御が実現する。

また、本実施例２の液晶表示装置では、たとえば、前記各画素の画素電極１１０にスリット１１０ｓを設けることで視野角を改善している。そのため、前記各画素電極にスリット１１０ｓを設けるときには、たとえば、図１５に示すように、前記Ｒ画素と、前記Ｇ画素およびＢ画素で、スリットの位置を変えることが好ましい。このようにすることで、前記Ｒ画素の無効領域、前記Ｇ画素およびＢ画素の無効領域を少なくできる。なお、図１５では、各画素のスリットは、上半分と下半分で向きが異なっているが、これに限らず、一方向であってもよい。

図１７および図１８は、本実施例２の液晶表示装置における画素電極のスリットの設け方の変形例を説明するための模式図であり、図１７はスリットの間隙を変えた場合の平面図、図１８はスリットの太さを変えた場合の平面図である。

本実施例２でも、実施例１と同様にＲ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの総面積が、前記Ｇ画素およびＢ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの総面積よりも小さくなるようにすることで、各画素の共通電極１０３と画素電極１１０の間の容量値の差を低減している。

そのため、本実施例２の液晶表示パネルにおいても、開口率の小さい画素のスリットの面積が、開口率の大きい画素のスリットの面積より小さく構成されている。この条件が満たされていれば、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓと前記Ｇ画素およびＢ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓは、どのような関係であってもよい。そのため、たとえば、前記各画素電極１１０のスリット１１０ｓの位置は同じで、Ｇ画素の画素電極１１０の上端および下端のスリット１１０ｓの長さが、Ｒ画素の画素電極１１０の上端および下端のスリット１１０ｓよりも長くなっているような関係であってもよい。

また、たとえば、前記実施例１で説明したように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの位置をずらすことにより、Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの数が、Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの数よりも多くなってもよい。

また、その他にも、たとえば、前記実施例１で説明したように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの角度θ_Gが、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの角度θ_Rよりも大きくなるようにしてもよい。このようにすれば、たとえば、前記各画素の画素電極１１０の中央付近の、第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域で、前記Ｇ画素の画素電極１１０のほうが無効領域が少なくなり、前記Ｇ画素の開口率を前記Ｒ画素の開口率よりも大きくできる。

また、たとえば、図１７に示すように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの間隙ＳＧＧを、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの間隙ＳＧＲよりも狭くしてもよい。また、図１８に示すように、前記Ｇ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの太さ（幅）ＳＷＧを、前記Ｒ画素の画素電極１１０のスリット１１０ｓの太さ（幅）ＳＷＲより太くしてもよい。

また、前記各画素の画素電極１１０の中央付近の、前記第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリットは、たとえば、図１３および図１４に示したように、一端が前記画素電極１１０の端部に達して開放していてもよい。このように、前記スリットが開放していれば、その分、無効領域が減るので、各画素の開口率が高くなる。またこのとき、前記第１の方向のスリットと第２の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリットを開放しておけば、たとえば、前記画素電極１１０の上半分または下半分に不良が生じた場合に、図１４に示したように１カ所を切断するだけで、前記画素電極を分断することができる。

なお、本実施例２では、前記Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素のすべての画素の共通電極を前記ブリッジ配線１１２により上下の画素の共通電極１０３と接続する場合を例に挙げたが、これに限らず、たとえば、前記Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素のいずれかの画素の共通電極１０３についてのみ、上下の画素の共通電極と接続するようにしてもよい。

また、容易に理解できるため図示は省略するが、前記Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素の開口率がそれぞれ異なっていてもよい。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

本発明の表示装置に用いる表示パネルの一例を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 図５のＢ−Ｂ’線断面図である。 図５のＣ−Ｃ’線断面図である。 図５のＤ−Ｄ’線断面図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 図１３の部分拡大説明図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 本発明の表示装置に用いる表示パネルの画素の一例を示す図である。 変形例の模式説明図である。 変形例の模式説明図である。

符号の説明

１…第１の基板（TFT基板）
２…第２の基板（カラーフィルタ基板）
３…シール材
４…液晶材料
１０１，２０１…透明基板
１０２…ゲート配線
１０３…共通電極
１０４ａ…共通信号配線
１０４ｂ…電極パッド（金属パターン）
１０５…第１絶縁膜
１０６…アモルファスシリコン膜
１０７…ドレイン配線
１０８…ソース電極
１０９…第２絶縁膜
１１０…画素電極
１１０ｓ…スリット
１１１，２０５…配向膜
１１２…ブリッジ配線
２０２…カラーフィルタ
２０３…ブラックマトリックス
２０４…保護膜
５００，５０１…金属パターン
６，７…偏光板

Claims (3)

1. 各々がドレイン配線とゲート配線で囲まれた複数の画素を有し、前記複数の画素は、第１の色に対応する画素と、第２の色に対応する画素と、第３の色に対応する画素とを有する表示装置において、
   前記画素は、画素電極と、前記画素電極と平面的に重畳する共通電極とを有し、
   前記第１の色、前記第２の色、前記第３の色にそれぞれ対応する３つの画素のいずれかは、他の画素と形状が異なる金属パターンが配置された特定画素であり、
   前記金属パターンは、前記特定画素を囲む前記ドレイン配線と前記ゲート配線と平面的に離間しており、且つ、前記画素のゲート配線近傍の端部に配置され、
   前記特定画素の画素電極は、前記金属パターンに沿って縮小して形成される部分を有し、前記他の画素の画素電極よりも小さく形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 前記金属パターンは、前記金属パターン部近傍の前記ゲート配線を介して隣接する他の画素の共通電極と電気的に接続するブリッジ配線が接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の色に対応する画素と、前記第２の色に対応する画素と、前記第３の色に対応する画素は、それぞれ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色であり、
   前記金属パターンは、前記Ｒの画素に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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