Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4724604B2 - Sample measuring device - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4724604B2 - Sample measuring device - Google Patents

Sample measuring device Download PDF

Info

Publication number
JP4724604B2
JP4724604B2 JP2006150952A JP2006150952A JP4724604B2 JP 4724604 B2 JP4724604 B2 JP 4724604B2 JP 2006150952 A JP2006150952 A JP 2006150952A JP 2006150952 A JP2006150952 A JP 2006150952A JP 4724604 B2 JP4724604 B2 JP 4724604B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
energy beam
mirror
lens barrel
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006150952A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007322189A (en
Inventor
健太郎 西方
豊 西條
繁 柿沼
淳一 青山
聡史 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP2006150952A priority Critical patent/JP4724604B2/en
Priority to EP06013357A priority patent/EP1739715A3/en
Priority to US11/477,085 priority patent/US7589322B2/en
Publication of JP2007322189A publication Critical patent/JP2007322189A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4724604B2 publication Critical patent/JP4724604B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Description

この発明は、エネルギ線を試料に照射することにより生じる光を測定する試料測定装置に関するものである。   The present invention relates to a sample measuring apparatus for measuring light generated by irradiating a sample with energy rays.

この種の試料測定装置(光学測定装置)には、電子線を試料に照射することにより試料から生じる光(カソードルミネッセンス)を用いて試料の微小領域における物性評価や半導体素子の解析を行うものがある。   This type of sample measurement device (optical measurement device) performs physical property evaluation or analysis of a semiconductor element in a minute region of a sample using light (cathode luminescence) generated from the sample by irradiating the sample with an electron beam. is there.

この試料測定装置は、特許文献1に示すように、カソードルミネッセンスを集光するために、試料を覆うように集光ミラー部を配置し、電子顕微鏡の外部に設けられた光ファイバ又は分光器入射スリットに焦点が結像されるように構成している。   In this sample measuring apparatus, as shown in Patent Document 1, in order to collect cathodoluminescence, a condensing mirror portion is disposed so as to cover the sample, and an optical fiber or spectroscope incident outside the electron microscope is incident. The focus is formed on the slit.

しかしながら、電子顕微鏡の鏡筒部(鏡筒本体)と試料との間にその鏡筒部と別体をなす集光ミラー部を設けているので、鏡筒部内にある対物レンズは当然集光ミラー部の上部に位置してしまい、対物レンズの試料側先端から試料までの距離(以下、単に作動距離(WD)という。)が大きくなり、試料測定装置の空間分解能が劣化してしまうという問題がある。
特開2003−157789号公報
However, since the condensing mirror part that is separate from the lens barrel part is provided between the lens barrel part (lens barrel body) of the electron microscope and the sample, the objective lens in the lens barrel part is naturally a condensing mirror. The distance from the sample-side tip of the objective lens to the sample (hereinafter simply referred to as the working distance (WD)) increases, and the spatial resolution of the sample measuring device deteriorates. is there.
JP 2003-157789 A

そこで、本発明は、簡単な構成でありながら、エネルギ線の照射位置を集光ミラー部の焦点内に簡易に位置調節できること及び振動などによる集光ミラー部の位置ずれを防ぐことをその主たる所期課題とするものである。 Therefore, the main point of the present invention is that the irradiation position of the energy beam can be easily adjusted within the focal point of the condensing mirror unit and that the position of the condensing mirror unit is prevented from being displaced due to vibration or the like, although the configuration is simple. This is an issue to be solved.

すなわち本発明に係る試料測定装置は、エネルギ線を試料に照射することにより生じる光を測定する試料測定装置であって、エネルギ線を発生させるエネルギ線発生部と、前記エネルギ線発生部で発生したエネルギ線を収束させるエネルギ線制御手段を有し、当該エネルギ線制御手段によりそのエネルギ線制御手段の軸線に対し、エネルギ線をその軸が一致するように収束させる鏡筒部と、前記鏡筒部及び前記試料の間に設けられ、前記鏡筒部で収束されたエネルギ線を通過させ、そのエネルギ線を前記試料に照射するためのエネルギ線通路と、その通路の軸線上に焦点が設定されたミラー面とを有し、前記試料から生じる光を前記ミラー面により集光する集光ミラー部と、前記鏡筒部及び前記集光ミラー部をそれぞれ着脱可能にする一方、前記エネルギ線制御手段の軸線と前記エネルギ線通路の軸線とを同軸に位置決めして、前記エネルギ線の軸と前記焦点とを一致させるように、前記鏡筒部に前記集光ミラー部を支持させる位置決め構造とを備え、前記位置決め機構が、前記鏡筒部の下端に形成された凸部と、前記集光ミラー部の上面に形成され前記凸部の外周面と略同一に形成された凹部とから構成されることを特徴とするものである。ここで、試料から生じる光には、例えばカソードルミネッセンス、フォトルミネッセンス又はエレクトロルミネッセンス等のルミネッセンスがある。 That is, the sample measurement device according to the present invention is a sample measurement device that measures light generated by irradiating a sample with an energy beam, the energy beam generator that generates the energy beam, and the energy beam generator generated by the energy beam generator . An energy beam control means for converging the energy beam, and the energy beam control means causes the energy beam to converge so that the axis thereof coincides with the axis of the energy beam control means; and the lens barrel unit And an energy beam path for passing the energy beam converged by the lens barrel portion and irradiating the sample with the energy beam, and a focal point on the axis of the channel. A mirror surface, and a light collecting mirror portion that collects light generated from the sample by the mirror surface, and the lens barrel portion and the light collecting mirror portion are detachable, The axis of the energy beam control means and the axis of the energy beam passage are positioned coaxially, and the focusing mirror is supported by the lens barrel so that the axis of the energy beam and the focal point coincide with each other. A positioning structure, wherein the positioning mechanism includes a convex portion formed at a lower end of the lens barrel portion, and a concave portion formed on the upper surface of the condenser mirror portion and formed substantially the same as the outer peripheral surface of the convex portion. It is characterized by comprising . Here, the light generated from the sample includes luminescence such as cathodoluminescence, photoluminescence, or electroluminescence.

このようなものであれば、簡単な構成でありながら、エネルギ線の照射位置を集光ミラー部の焦点内に簡易に位置調節できること及び振動などによる集光ミラー部の位置ずれを防ぐことができる。
If it is such, although it is a simple structure, it can adjust the irradiation position of an energy beam easily in the focus of a condensing mirror part, and can prevent position shift of a condensing mirror part by vibration etc. .

具体的には、前記対物レンズ及び前記ミラー面を有する鏡筒部を備え、前記鏡筒部が、鏡筒本体と、その鏡筒本体に支持される集光ミラー部とを有し、前記鏡筒本体が、前記対物レンズを備え、前記集光ミラー部が、前記対物レンズによって収束されるエネルギ線を通過させ、そのエネルギ線を前記試料に照射するためのエネルギ線通路と、その通路の軸線上に焦点が設定された前記ミラー面と、前記鏡筒本体の試料側端部が嵌め込まれる凹部とを備え、前記鏡筒本体の試料側端部を前記凹部に嵌め込むことによって、前記対物レンズの少なくとも一部を、前記ミラー面における前記エネルギ線入射側端部よりも前記試料側に設けていることが望ましい。ここで、「鏡筒本体が対物レンズを備えている」とは、作動距離を対物レンズの試料側先端から試料までの距離とする場合には、鏡筒本体が対物レンズの全てを備えていることをいい、作動距離を対物レンズにおける試料側先端以外の部分から試料までの距離とする場合には、鏡筒本体が当該部分を含む対物レンズの少なくとも一部を備えていることを示す。   Specifically, a lens barrel portion having the objective lens and the mirror surface is provided, and the lens barrel portion includes a lens barrel body and a condensing mirror portion supported by the lens barrel body. A cylinder main body includes the objective lens, and the condenser mirror unit passes an energy ray converged by the objective lens and irradiates the sample with the energy ray, and an axis of the passage The objective lens includes: the mirror surface having a focal point set on a line; and a concave portion into which the sample side end portion of the barrel main body is fitted, and the sample side end portion of the barrel main body is fitted into the concave portion. It is desirable that at least a part of is provided on the sample side with respect to the energy ray incident side end of the mirror surface. Here, “the lens barrel body has an objective lens” means that when the working distance is the distance from the sample-side tip of the objective lens to the sample, the lens barrel body has all of the objective lens. In other words, when the working distance is the distance from the portion other than the sample-side tip of the objective lens to the sample, it indicates that the lens barrel body includes at least a part of the objective lens including the portion.

対物レンズの少なくとも一部を、前記ミラー面における前記エネルギ線の入射側端部よりも前記試料側に設けるための別の具体的な実施の態様としては、前記対物レンズ及び前記ミラー面を有する鏡筒部を備え、前記鏡筒部が、鏡筒本体と、その鏡筒本体に支持される集光ミラー部とを有し、前記集光ミラー部に、前記対物レンズを構成する少なくとも1つの電極が形成されていることが考えられる。   As another specific embodiment for providing at least a part of the objective lens closer to the sample side than the energy ray incident side end of the mirror surface, the objective lens and a mirror having the mirror surface are provided. At least one electrode that includes the barrel, the barrel having a barrel body and a collector mirror supported by the barrel body, and constituting the objective lens in the collector mirror Is considered to be formed.

このとき、前記集光ミラー部が、前記エネルギ線発生部から発生したエネルギ線を通過させ、そのエネルギ線を前記試料に照射するためのエネルギ線通路を有し、そのエネルギ線通路の内壁に前記対物レンズを構成する少なくとも1つの電極が形成されていることが望ましい。   At this time, the condensing mirror unit has an energy beam path for passing the energy beam generated from the energy beam generating unit and irradiating the sample with the energy beam, and the inner wall of the energy beam channel has the energy beam channel. It is desirable that at least one electrode constituting the objective lens is formed.

作動距離を大幅に小さくするためには、前記集光ミラー部が、前記対物レンズを構成する電極とすることが好適である。   In order to significantly reduce the working distance, it is preferable that the condensing mirror unit is an electrode constituting the objective lens.

集光ミラー部の製作を容易にするための具体的な構成としては、前記集光ミラー部がアルミニウムから成形されており、前記対物レンズのうち接地された電極として機能させることが望ましい。これならば、集光ミラー部が対物レンズを構成する電極も兼ねるので作動距離(WD)を大幅に小さくすることができる。   As a specific configuration for facilitating the production of the condensing mirror part, it is desirable that the condensing mirror part is formed of aluminum and function as a grounded electrode of the objective lens. If this is the case, the working mirror (WD) can be greatly reduced because the condensing mirror portion also serves as an electrode constituting the objective lens.

また、本発明に係る試料測定装置は、エネルギ線を試料に照射することにより生じる光を測定する試料測定装置であって、エネルギ線発生部からのエネルギ線を収束して前記試料に照射する対物レンズ及び前記試料から生じる光を集光するミラー面を有する鏡筒部を備え、前記鏡筒部の試料側先端部が、対物レンズを構成する電極と、エネルギ線が照射された試料から生じる光を集光するミラー面とを有することを特徴とするものである。   The sample measuring apparatus according to the present invention is a sample measuring apparatus that measures light generated by irradiating a sample with energy rays, and is an objective that converges the energy rays from the energy ray generating unit and irradiates the sample. A lens barrel having a lens and a mirror surface for condensing light generated from the sample, and the sample-side tip of the lens barrel is an electrode constituting an objective lens and light generated from the sample irradiated with energy rays And a mirror surface for condensing light.

作動距離を小さくするための具体的な実施の態様としては、前記鏡筒部が、鏡筒本体と、その鏡筒本体に支持される集光ミラー部とを有し、前記集光ミラー部に、前記対物レンズを構成する少なくとも1つの電極が形成されていることが望ましい。   As a specific embodiment for reducing the working distance, the lens barrel portion includes a lens barrel main body and a light collecting mirror portion supported by the lens barrel main body. It is desirable that at least one electrode constituting the objective lens is formed.

対物レンズの具体的な形成の態様としては、前記集光ミラー部が、前記エネルギ線発生部から発生したエネルギ線を通過させ、そのエネルギ線を前記試料に照射するためのエネルギ線通路を有し、そのエネルギ線通路の内壁に前記対物レンズを構成する少なくとも1つの電極が形成されていることが考えられる。   As a specific form of forming the objective lens, the condensing mirror unit has an energy beam path for passing the energy beam generated from the energy beam generating unit and irradiating the sample with the energy beam. It is conceivable that at least one electrode constituting the objective lens is formed on the inner wall of the energy beam passage.

このように本発明によれば、作動距離(WD)を可及的に小さくすることができるので、試料測定装置の空間分解能の劣化を抑制することができ、高精度な測定を行うことができるようになる。   As described above, according to the present invention, since the working distance (WD) can be made as small as possible, it is possible to suppress the degradation of the spatial resolution of the sample measuring apparatus and perform highly accurate measurement. It becomes like this.

以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施形態に係る試料測定装置は、エネルギ線である電子線EBを試料Wに照射することにより試料Wから生じる光L(カソードルミネッセンス)を用いて、試料Wの微小領域における物性評価や半導体素子の解析を行うもの(以下、電子線測定装置という。)であり、図1に示すように、試料台1と、その試料台1に載せた試料Wにエネルギ線である電子線EBを照射する電子線照射装置2と、電子線EBの照射によって試料Wから発生するルミネッセンスLを分光し、検出する光検出部たる検出装置3と、その検出装置3からの出力信号を受信し、前記試料Wを評価等(例えば応力測定)するために所定の演算処理を行う情報処理装置4とを備えている。   The sample measuring apparatus according to the present embodiment uses the light L (cathode luminescence) generated from the sample W by irradiating the electron beam EB, which is an energy beam, to the physical property evaluation or semiconductor element in the micro region of the sample W. As shown in FIG. 1, the sample stage 1 and the sample W placed on the sample stage 1 are irradiated with an electron beam EB, which is an energy beam, as shown in FIG. The electron beam irradiation device 2, the detection device 3 that is a light detection unit that splits and detects the luminescence L generated from the sample W by irradiation with the electron beam EB, and an output signal from the detection device 3 are received. And an information processing device 4 that performs a predetermined calculation process to evaluate (for example, stress measurement).

まず、試料台1、検出装置3及び情報処理装置4について説明する。   First, the sample stage 1, the detection device 3, and the information processing device 4 will be described.

試料台1は、X軸、Y軸及びZ軸方向に移動可能なものであり、さらに本実施形態では試料スペクトルのピーク半値幅を小さくし、前記スペクトルから意味のある情報を得るために、図示しない冷却手段及び温度制御機構をさらに設け、この試料台1及び試料Wを数十K以下の所定温度に冷却できるようにしている。   The sample stage 1 is movable in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions. Further, in this embodiment, the sample stage 1 is illustrated in order to reduce the peak half-value width of the sample spectrum and obtain meaningful information from the spectrum. Further, a cooling means and a temperature control mechanism are provided so that the sample stage 1 and the sample W can be cooled to a predetermined temperature of several tens of K or less.

検出装置3は、分光部32及びセンシング部33を備えたものである。分光部32は、後述する集光ミラー部24Bで集光されたルミネッセンスLを単色光に分離するもので、例えばモノクロメータを利用して構成している。センシング部33は、前記分光部32で波長毎に複数に分光された各単色光の強度をそれぞれ測定し、各単色光の強度に応じた値の電流値(又は電圧値)を有する出力信号を出力するものである。本実施形態ではこのセンシング部33をフォトマルチプライヤ(PMT)を用いて構成しているが、測定する波長領域によって使用する機器を変えても構わない。例えば赤外(1μm〜)においては、Ge検出器、Pbs検出器、赤外PMT等を用いることが好ましい。また、光−電子変換効率、ダイナミックレンジ、S/Nに優れているといったことからCCDを利用してもよい。CCDによればスペクトルの一括検出も可能である。   The detection device 3 includes a spectroscopic unit 32 and a sensing unit 33. The spectroscopic unit 32 separates the luminescence L collected by the condensing mirror unit 24B, which will be described later, into monochromatic light, and is configured using, for example, a monochromator. The sensing unit 33 measures the intensity of each monochromatic light split into a plurality of wavelengths for each wavelength by the spectroscopic unit 32, and outputs an output signal having a current value (or voltage value) corresponding to the intensity of each monochromatic light. Output. In the present embodiment, the sensing unit 33 is configured using a photomultiplier (PMT), but the device to be used may be changed depending on the wavelength region to be measured. For example, in the infrared (from 1 μm), it is preferable to use a Ge detector, a Pbs detector, an infrared PMT, or the like. Further, a CCD may be used because of its excellent photoelectric conversion efficiency, dynamic range, and S / N. According to the CCD, it is possible to detect the spectrum collectively.

情報処理装置4は、構造としては、CPU、メモリ、入出力インターフェイス、AD変換器、入力手段等からなる汎用又は専用のコンピュータである。そして、前記メモリの所定領域に格納してあるプログラムに基づいてCPUやその周辺機器が作動することにより、この情報処理装置4が、前記検出装置3からの出力信号を受信し、走査した各測定ポイントでの応力を算出する。   The information processing apparatus 4 is a general-purpose or dedicated computer including a CPU, a memory, an input / output interface, an AD converter, an input unit, and the like. Then, when the CPU or its peripheral device operates based on a program stored in a predetermined area of the memory, the information processing device 4 receives an output signal from the detection device 3 and scans each measurement. Calculate the stress at the point.

具体的な算出方法は、検出装置3からの光強度信号を受信してスペクトル波形を示すデータであるスペクトルデータを生成し、そのスペクトルデータの示すスペクトル波形をスムージングする。次に、スムージングによって得られた波形に微分演算を施して、得られた値がプラスからマイナスに反転する時点での波長をピーク波長とする。なお、所定の関数でフィッティングしてピーク波長を求めても良い。そして、測定対象となる試料Wから得られるピーク波長と基準となるピーク波長との変位量に基づいて、その試料Wに作用している応力を算出する。   A specific calculation method is to receive the light intensity signal from the detection device 3, generate spectrum data that is data indicating a spectrum waveform, and smooth the spectrum waveform indicated by the spectrum data. Next, a differential operation is performed on the waveform obtained by smoothing, and the wavelength at the time when the obtained value is inverted from plus to minus is set as the peak wavelength. The peak wavelength may be obtained by fitting with a predetermined function. Then, the stress acting on the sample W is calculated based on the amount of displacement between the peak wavelength obtained from the sample W to be measured and the reference peak wavelength.

この応力算出について原理を簡単に説明しておく。測定試料Wの電子線EBを照射された部位に存在する応力と得られるピーク波長との関係は、応力の大きさが十数GPa程度までは直線近似することができ、その相関は、下式(1)で示される。   The principle of this stress calculation will be briefly described. The relationship between the stress existing at the site irradiated with the electron beam EB of the measurement sample W and the peak wavelength obtained can be linearly approximated until the magnitude of the stress is about 10 GPa. It is indicated by (1).

νσ=ν+Π・σ ・・・(1) ν σ = ν 0 + Π · σ (1)

ここでνσは測定したスペクトルのピーク波長、νは基準となるピーク波長、σは測定試料Wに作用している応力を示すテンソル、ΠはPS(Piezo−Spectroscopic)係数と呼ばれ、応力のみに依存して位置に依存しないテンソルである。このν及びΠが相関データとしてメモリ内の格納部に格納してある。かかる相関データは、測定試料Wと同等の試料に、既知の応力を複数作用させることによって統計的に求めるようにしている。 Here, ν σ is the peak wavelength of the measured spectrum, ν 0 is the reference peak wavelength, σ is a tensor indicating the stress acting on the measurement sample W, and Π is called a PS (Piezo-Spectroscopic) coefficient. A position-independent tensor that depends only on. Ν 0 and Π are stored as correlation data in a storage unit in the memory. Such correlation data is statistically obtained by applying a plurality of known stresses to a sample equivalent to the measurement sample W.

ここで基準となるピーク波長は、例えば、試料Wの残留応力を測定したい場合には、残留応力の存在していない他の同等の試料や、当該試料Wにおける残留応力の存在していない部位から得られた蛍光スペクトル波形から特定する。一方、例えば試料Wに作用させた外力に起因して発生する内部応力を測定したい場合には、外力を作用させていない状態での試料Wから得られた蛍光スペクトル波形から基準となるピーク波長を特定する。この基準ピーク波長を示すデータは、例えばメモリの所定領域に設定した格納部に格納してある。   Here, the reference peak wavelength is, for example, when measuring the residual stress of the sample W, from another equivalent sample where no residual stress exists, or from a portion where the residual stress does not exist in the sample W. It identifies from the acquired fluorescence spectrum waveform. On the other hand, for example, when it is desired to measure the internal stress generated due to the external force applied to the sample W, the reference peak wavelength is obtained from the fluorescence spectrum waveform obtained from the sample W in the state where no external force is applied. Identify. Data indicating the reference peak wavelength is stored, for example, in a storage unit set in a predetermined area of the memory.

次に、電子線照射装置2について説明する。   Next, the electron beam irradiation apparatus 2 will be described.

電子線照射装置2は、例えば走査型のもので、エネルギ線発生部である電子銃21と、電子銃21から射出された電子線EBを試料Wの測定部位に収束させるレンズ機構とともに電子線EBを走査させるための走査機構などからなるエネルギ線制御手段22と、電子線EBを通過させて照射し、試料Wから生じる光Lを集光するミラー面23と、それらを保持する鏡筒部24とを備えている。なお本実施形態では前記電子銃21に熱電界放出型のものを用いている。   The electron beam irradiation apparatus 2 is, for example, a scanning type, and an electron beam EB together with an electron gun 21 that is an energy beam generating unit and a lens mechanism that converges the electron beam EB emitted from the electron gun 21 to the measurement site of the sample W. An energy beam control means 22 comprising a scanning mechanism for scanning the light, a mirror surface 23 for condensing the light L emitted from the sample W through the electron beam EB, and a lens barrel 24 for holding them. And. In the present embodiment, the electron gun 21 is a thermal field emission type.

具体的に鏡筒部24は、図2及び図3に示すように、鏡筒本体24Aと、その鏡筒本体24Aに支持される集光ミラー部24Bとを備えている。   Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the lens barrel portion 24 includes a lens barrel main body 24A and a condensing mirror portion 24B supported by the lens barrel main body 24A.

鏡筒本体24Aは、高抵抗導電性を有する筒状のセラミックスコラムであり、内部に電子銃21が設けられるフランジ部24A1と、そのフランジ部24A1から下方に延出した円筒部24A2とからなる。   The lens barrel main body 24A is a cylindrical ceramic column having high resistance conductivity, and includes a flange portion 24A1 in which the electron gun 21 is provided, and a cylindrical portion 24A2 extending downward from the flange portion 24A1.

円筒部24A2は、その内壁(内周)にエネルギ線制御手段22を備えている。具体的に円筒部24A2の内壁には、電子銃21から電子を引き出すためのガンレンズ221、電子線量をモニタするためのアパーチャ用電極222、電子線EBの非点収差を補正するための非点補正器(スティグメータ)223、電子線EBを偏光させるための偏向器(デフレクタ)224、が上部からこの順で形成されており、さらに、偏向器(デフレクタ)224の下側には、電子線EBを収束させるための静電型レンズである対物レンズ225の一部を構成する2つのリング状の電極2251、2252が形成されている。   The cylindrical portion 24A2 includes energy beam control means 22 on its inner wall (inner circumference). Specifically, on the inner wall of the cylindrical portion 24A2, a gun lens 221 for extracting electrons from the electron gun 21, an aperture electrode 222 for monitoring the electron dose, and an astigmatism for correcting astigmatism of the electron beam EB. A corrector (stigmeter) 223 and a deflector (deflector) 224 for polarizing the electron beam EB are formed in this order from the top, and further below the deflector (deflector) 224, an electron beam Two ring-shaped electrodes 2251 and 2252 constituting a part of an objective lens 225 that is an electrostatic lens for converging EB are formed.

ガンレンズ221はトライオード型の電極であり、アパーチャ用電極222、非点補正器(スティグメータ)223及び偏向器(デフレクタ)224はそれぞれ周方向に沿って配置された8個の電極片を備えている。また、それぞれの電極及び電極片は、配線25を介して外部に設けた電源(図示しない)により所定の電圧が印加され、又はアースに接続されている。その配線25は円筒部内部を通って電極及び電極片それぞれに接続されている。なお、図3には配線25は図示していない。   The gun lens 221 is a triode-type electrode, and the aperture electrode 222, the astigmatism corrector (stigmeter) 223, and the deflector (deflector) 224 each include eight electrode pieces arranged along the circumferential direction. Yes. In addition, each electrode and electrode piece is applied with a predetermined voltage by a power source (not shown) provided outside via the wiring 25, or is connected to the ground. The wiring 25 is connected to the electrode and the electrode piece through the inside of the cylindrical portion. Note that the wiring 25 is not shown in FIG.

上記対物レンズ225を構成する2つの電極2251、2252は、後述する集光ミラー部24Bが鏡筒本体24Aに取り付けられることによって、集光ミラー部24Bとともにトライオード型の電極を構成するようにしている。2つの電極2251、2252は、薄厚のリング状電極であり、上の電極2251には、0V(アース)が接続され、下の電極2252には、適切な高電圧(必要なレンズを生成できる電圧)が印加されるようにしている。その作製方法は、円筒部24A2の内壁にセラミックメタライズ処理を行い、先ずニッケル層22aを形成して、その上に金層22bを形成することによって行う。なお、ガンレンズ221、アパーチャ用電極222、非点補正器(スティグメータ)223及び偏向器(デフレクタ)224を構成する電極及び電極片も同様の処理によって作製する。   The two electrodes 2251 and 2252 constituting the objective lens 225 constitute a triode type electrode together with the condensing mirror portion 24B by attaching a condensing mirror portion 24B described later to the barrel main body 24A. . The two electrodes 2251 and 2252 are thin ring electrodes, and 0 V (ground) is connected to the upper electrode 2251, and an appropriate high voltage (voltage that can generate a necessary lens) is connected to the lower electrode 2252. ) Is applied. The manufacturing method is performed by performing ceramic metallization on the inner wall of the cylindrical portion 24A2, first forming the nickel layer 22a, and then forming the gold layer 22b thereon. The electrodes and electrode pieces constituting the gun lens 221, the aperture electrode 222, the astigmatism corrector (stigmeter) 223, and the deflector (deflector) 224 are also manufactured by the same process.

集光ミラー部24Bは、鏡筒本体24A及び試料Wの間に設けられ、試料Wから発生するルミネッセンスLを最小限の損失で集め後述する分光部32に導くものであり、鏡筒本体24Aで収束された電子線EBを通過させ、その電子線EBを試料Wに照射するためのエネルギ線通路24B1と、その通路24B1の軸線上に焦点Fが設定されたミラー面23とを有するものである。さらに、集光ミラー部24Bは、複数(本実施形態では3つ)のボルトで締結されることにより、鏡筒本体24Aに固定支持されるための孔24B2を有している。   The condensing mirror unit 24B is provided between the lens barrel body 24A and the sample W, collects the luminescence L generated from the sample W with a minimum loss, and guides it to the spectroscopic unit 32 described later. It has an energy beam path 24B1 for passing the converged electron beam EB and irradiating the sample W with the electron beam EB, and a mirror surface 23 having a focal point F set on the axis of the path 24B1. . Furthermore, the condensing mirror part 24B has a hole 24B2 for being fixedly supported by the barrel main body 24A by fastening with a plurality of (three in the present embodiment) bolts.

また、集光ミラー部24Bは、アルミニウムから形成されている。これは、集光ミラー部24Bをセラミックスにより成形すると、ミラー面23を切削する時に生じる粒塊によって、光が散乱してしまうからである。この点アルミニウムにより成形しているので、ミラー面23に粒塊が生じることはない。また、集光ミラー部24Bをアースに接続することによって、前記対物レンズ225を構成する2つの電極2251、2252とともに、トライオード型の対物レンズ225を構成する。これによって、対物レンズ225の最下端(試料側先端)は、エネルギ線通路24B1の試料側出口となる。つまり、対物レンズ225の少なくとも一部(本実施形態では、対物レンズ225を構成する電極のうち最も試料側のもの)を、ミラー面23における電子線入射側端部231(ミラー面23の上端部)よりも試料側に設けていることになる。   Moreover, the condensing mirror part 24B is formed from aluminum. This is because if the condensing mirror portion 24B is formed of ceramics, light is scattered by agglomerates generated when the mirror surface 23 is cut. Since this point is formed of aluminum, no agglomeration occurs on the mirror surface 23. Further, the triode-type objective lens 225 is configured together with the two electrodes 2251 and 2252 constituting the objective lens 225 by connecting the condenser mirror portion 24B to the ground. As a result, the lowermost end (sample-side tip) of the objective lens 225 becomes the sample-side outlet of the energy beam passage 24B1. In other words, at least a part of the objective lens 225 (in this embodiment, the electrode on the most sample side among the electrodes constituting the objective lens 225) is connected to the electron beam incident side end portion 231 (the upper end portion of the mirror surface 23) of the mirror surface 23. ) On the sample side.

ミラー面23は、放物面鏡又は楕円面鏡などが考えられるが本実施形態では楕円面鏡を用いている。楕円面鏡23はそれ自体が受光と集光の作用をし、楕円面により焦点Fを自由に設定できる利点を有している。その一方で楕円面鏡23は、結像倍率が機械的配置条件から決まるため、分光部32とのカップリングがうまくいかない欠点を有する。そこでこれを解消し、なおかつ光軸調整を簡単にするということから光ファイバ321を用い、楕円面鏡23で集光したルミネッセンスLを分光部32に転送するようにしている。ここで、上記光軸調節は、楕円面鏡23の焦点Fに併せて、図示しない調節機構により光ファイバ321の光入射部321Aを調節することにより行う。   The mirror surface 23 may be a parabolic mirror or an ellipsoidal mirror, but an ellipsoidal mirror is used in this embodiment. The ellipsoidal mirror 23 itself has the advantages of receiving and condensing light and can set the focal point F freely by the ellipsoid. On the other hand, the ellipsoidal mirror 23 has a disadvantage that the coupling with the spectroscopic unit 32 is not successful because the imaging magnification is determined by the mechanical arrangement condition. In order to solve this problem and simplify the optical axis adjustment, the luminescence L collected by the ellipsoidal mirror 23 is transferred to the spectroscopic unit 32 using the optical fiber 321. Here, the optical axis adjustment is performed by adjusting the light incident portion 321A of the optical fiber 321 by an adjustment mechanism (not shown) in conjunction with the focal point F of the ellipsoidal mirror 23.

エネルギ線通路24B1は、特に図3に示すように、鏡筒本体24Aから射出された電子線EBを試料Wに照射するためのものであり、このエネルギ線通路24B1を通過した電子線EBが試料Wに照射される。また、エネルギ線通路24B1は、通過した電子線EBが試料Wに照射される照射位置Pが集光ミラー部24Bの焦点F内に入るように形成されている。   As shown in FIG. 3 in particular, the energy beam path 24B1 is for irradiating the sample W with the electron beam EB emitted from the lens barrel body 24A, and the electron beam EB passing through the energy beam path 24B1 W is irradiated. The energy beam path 24B1 is formed so that the irradiation position P where the sample W is irradiated with the electron beam EB that has passed passes into the focal point F of the condenser mirror portion 24B.

しかして、本実施形態の電子線測定装置は、エネルギ線EBの軸Oと焦点Fとを一致させるように、鏡筒本体24Aに集光ミラー部24Bを支持させることにより、それらを一体的に構成し、鏡筒本体24Aと集光ミラー部24Bとの相対位置が一定となるようにしている。本実施形態では、鏡筒本体24Aと集光ミラー部24Bとは互いに分離可能なものであるので、鏡筒本体24A及び集光ミラー部24Bを一体的に構成するために位置決め構造5を備えている。   Thus, the electron beam measuring apparatus according to the present embodiment supports the condensing mirror unit 24B on the barrel main body 24A so that the axis O and the focal point F of the energy beam EB coincide with each other. In this configuration, the relative position between the barrel main body 24A and the condensing mirror portion 24B is constant. In the present embodiment, the barrel main body 24A and the condensing mirror portion 24B are separable from each other, and therefore the positioning structure 5 is provided to integrally configure the lens barrel main body 24A and the condensing mirror portion 24B. Yes.

位置決め構造5は、鏡筒本体24A及び集光ミラー部24Bをそれぞれ着脱可能にする一方で、エネルギ線制御手段22の軸線と前記エネルギ線通路24B1の軸線とを同軸に位置決めして、エネルギ線EBの軸Oと焦点Fとを一致させるように、前記鏡筒本体24Aに前記集光ミラー部24Bを支持させるものである。   The positioning structure 5 enables the lens barrel main body 24A and the condensing mirror portion 24B to be detachable, while the axis of the energy beam control means 22 and the axis of the energy beam passage 24B1 are positioned coaxially to thereby adjust the energy beam EB. The condensing mirror portion 24B is supported by the barrel main body 24A so that the axis O and the focal point F coincide with each other.

そして、位置決め構造5は、鏡筒本体24A又は集光ミラー部24Bの一方に設けた凸構造と、他方に設けられ前記凸構造に対応する凹構造とから構成され、具体的には、集光ミラー部上面24B3に形成され、鏡筒本体24Aの下端部が嵌め込まれる凹部24B4と、その凹部24B4の内周面24B41と略同一に形成された鏡筒本体24Aの下端部外周面とから構成されている。そして、鏡筒本体24Aの下端部の外周面を凹部24B4に嵌め合わせて埋め込み、複数(本実施形態では3つ)のボルトで締結することにより、鏡筒本体24Aに固定支持するようにしている。   The positioning structure 5 includes a convex structure provided on one of the lens barrel main body 24A and the condensing mirror portion 24B and a concave structure provided on the other and corresponding to the convex structure. A concave portion 24B4 is formed on the upper surface 24B3 of the mirror portion and into which the lower end portion of the lens barrel main body 24A is fitted. ing. Then, the outer peripheral surface of the lower end portion of the lens barrel main body 24A is fitted and embedded in the recess 24B4, and fastened with a plurality of (three in this embodiment) bolts to be fixedly supported on the lens barrel main body 24A. .

凹部24B4は、その内径が鏡筒本体24Aの円筒部24A2の下端部外周面の外径と略同一であり、その深さは任意に設定することができる。円筒部24A2の外径と凹部24B4の内径とを公差指定することによって、単に両者を嵌合し、凹部内に鏡筒本体24Aの下端部を設けるだけで、エネルギ線制御手段22の軸線と前記エネルギ線通路24B1の軸線との同軸度を出すようにして、エネルギ線EBの軸Oと焦点Fとを一致させるようにしている。   The inner diameter of the recess 24B4 is substantially the same as the outer diameter of the outer peripheral surface of the lower end portion of the cylindrical portion 24A2 of the barrel main body 24A, and the depth thereof can be set arbitrarily. By specifying a tolerance between the outer diameter of the cylindrical portion 24A2 and the inner diameter of the concave portion 24B4, simply fitting them together and providing the lower end portion of the barrel main body 24A within the concave portion, the axis of the energy beam control means 22 and the aforementioned The axis of the energy beam EB and the focal point F are made to coincide with each other so as to be coaxial with the axis of the energy beam path 24B1.

このように構成した電子線測定装置によれば、作動距離(WD)を、たとえ対物レンズ225の高電圧を印加する電極を基準にしたとしても、可及的に小さくすることができるので、試料測定装置の空間分解能の劣化を抑制することができ、高精度な測定を行うことができるようになる。また、鏡筒本体24Aに集光ミラー部24Bを支持させているので、測定毎に一々集光ミラー部24Bの位置調節をする必要がなくなり、簡単な構成でありながら、電子線EBの照射位置Pを集光ミラー部24Bの焦点F内に簡易に位置調節できること及び振動などによる集光ミラー部24Bの位置ずれを防ぐことができる。したがって、常に電子線EBの照射位置Pが焦点F内に収まるので、照射位置Pにおいて励起されて生じる光Lを全て効率よく集光することができ、検出信号の減少を可及的に抑えることができる。   According to the electron beam measuring apparatus configured as described above, the working distance (WD) can be made as small as possible even if the electrode to which the high voltage of the objective lens 225 is applied is used as a reference. Deterioration of the spatial resolution of the measuring device can be suppressed, and high-precision measurement can be performed. Further, since the condensing mirror portion 24B is supported by the lens barrel main body 24A, it is not necessary to adjust the position of the condensing mirror portion 24B for each measurement, and the irradiation position of the electron beam EB is simple in structure. It is possible to easily adjust the position of P within the focal point F of the condensing mirror unit 24B and to prevent the positional deviation of the condensing mirror unit 24B due to vibration or the like. Therefore, since the irradiation position P of the electron beam EB is always within the focal point F, all the light L generated by being excited at the irradiation position P can be efficiently collected, and the decrease in the detection signal is suppressed as much as possible. Can do.

特に5kV以下の低加速電圧又は1kV以下の超低加速電圧による電子線照射装置2を設け、外乱影響を比較的受けやすい場合であれば、特に効果的である。   This is particularly effective when the electron beam irradiation apparatus 2 is provided with a low acceleration voltage of 5 kV or less or an ultra-low acceleration voltage of 1 kV or less and is relatively susceptible to disturbance.

また、位置決め構造5を、凹部24B4と鏡筒本体24A下端部とから構成し、鏡筒本体24Aの下端部を凹部24B4に嵌め合わせて埋め込むことにより連続一体化するので、一体化と位置決めとを同時に行うことができ、位置決めの手間を省くことができる。   Further, the positioning structure 5 is composed of the recess 24B4 and the lower end portion of the lens barrel main body 24A, and the lower end portion of the lens barrel main body 24A is fitted and embedded in the recess 24B4, so that the integration and positioning are performed. This can be done at the same time, eliminating the need for positioning.

なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。   The present invention is not limited to the above embodiment.

例えば、対物レンズ225の少なくとも一部をミラー面23におけるエネルギ線EBの入射側端部よりも試料側に設けることに関して言うと、例えば図4に示すように、集光ミラー部24Bのエネルギ線通路24B1の内壁(内周)に対物レンズ225を設けることにより、対物レンズ225の少なくとも一部を、ミラー面23におけるエネルギ線EBの入射側端部よりも試料側に設けるようにしてもよい。このとき、集光ミラー部をセラミックス等で形成し、粒界を可及的に抑えて処理し、金属を蒸着するなどしてミラー面を形成するとともに、エネルギ線通路34B1の内壁にセラミックメタライズ処理を施すことにより電極2251、2252、2253を作成して静電型レンズ225を設ける。   For example, regarding the provision of at least a part of the objective lens 225 closer to the sample side than the incident side end of the energy beam EB in the mirror surface 23, for example, as shown in FIG. 4, the energy beam path of the condensing mirror unit 24B By providing the objective lens 225 on the inner wall (inner circumference) of 24B1, at least a part of the objective lens 225 may be provided on the sample side with respect to the incident side end of the energy beam EB in the mirror surface 23. At this time, the condensing mirror part is formed of ceramics or the like, the grain boundary is suppressed as much as possible, the mirror surface is formed by evaporating metal or the like, and the metallization process is performed on the inner wall of the energy beam passage 34B1. The electrodes 2251, 2252, 2253 are prepared to provide the electrostatic lens 225.

その他にも、図5に示すように、鏡筒本体24Aの円筒部24A2の下端に、その内壁に対物レンズ225が形成された筒状凸部24A3を設け、集光ミラー部24Aの上面24B3に設けた凹部24B4にその筒状凸部24A3を埋め込むことによって、対物レンズ225の少なくとも一部を、ミラー面23におけるエネルギ線EBの入射側端部よりも試料側に設けるようにしてもよい。   In addition, as shown in FIG. 5, a cylindrical convex portion 24A3 having an objective lens 225 formed on the inner wall thereof is provided at the lower end of the cylindrical portion 24A2 of the barrel main body 24A, and the upper surface 24B3 of the condensing mirror portion 24A is provided. By embedding the cylindrical convex portion 24A3 in the provided concave portion 24B4, at least a part of the objective lens 225 may be provided on the sample side with respect to the incident side end portion of the energy beam EB in the mirror surface 23.

また、前記実施形態では位置決め機構5が、集光ミラー部24Bの上面24B3に設けた凹部24B4と鏡筒本体24Aの円筒部24A2の下端部の外周面とから構成されるものであったが、その他にも、図4に示すように、集光ミラー部上面24B3に形成され、内周面で前記エネルギ線通路24B1を規定した筒状凸部24B5と、その筒状凸部24B5の外周面と略同一に形成された鏡筒本体24Aの円筒部24A2の内周面と、から構成するようにしても良い。   In the above embodiment, the positioning mechanism 5 is composed of the concave portion 24B4 provided on the upper surface 24B3 of the condensing mirror portion 24B and the outer peripheral surface of the lower end portion of the cylindrical portion 24A2 of the barrel main body 24A. In addition, as shown in FIG. 4, a cylindrical convex portion 24B5 formed on the condensing mirror portion upper surface 24B3 and defining the energy ray passage 24B1 on the inner peripheral surface, and an outer peripheral surface of the cylindrical convex portion 24B5 You may make it comprise from the internal peripheral surface of cylindrical part 24A2 of the barrel main body 24A formed substantially the same.

さらに、前記実施形態では位置決め構造を鏡筒本体の円筒部の下端部及び凹部から構成したが、これに限られることはなく、集光ミラー部を直接的又は間接的に鏡筒部に支持させればよい。その一法として、鏡筒部及び集光ミラー部以外に連結部材を設け、この連結部材を用いて鏡筒部及び集光ミラー部を連結するようにしても良い。   Furthermore, in the above-described embodiment, the positioning structure is configured by the lower end portion and the concave portion of the cylindrical portion of the barrel main body. However, the positioning structure is not limited to this, and the condensing mirror portion is directly or indirectly supported by the barrel portion. Just do it. As one of the methods, a connecting member may be provided in addition to the lens barrel portion and the condensing mirror portion, and the lens barrel portion and the condensing mirror portion may be connected using this connecting member.

さらに、前記実施形態ではミラー面23として、楕円面鏡を用いたがこれに限られず、例えば放物面鏡を用いても良い。この場合、放物面鏡の特性により試料Wからの光Lを反射すると平行光となるので、図6に示すように、この平行光を光ファイバ321の光入射部321Aに集光させるために凸レンズ314を集光ミラー部24Bと光ファイバ321との間に設けている。   Furthermore, in the said embodiment, although the ellipsoidal mirror was used as the mirror surface 23, it is not restricted to this, For example, you may use a parabolic mirror. In this case, when the light L from the sample W is reflected due to the characteristics of the parabolic mirror, it becomes parallel light. Therefore, as shown in FIG. 6, in order to collect the parallel light on the light incident portion 321A of the optical fiber 321. A convex lens 314 is provided between the condenser mirror portion 24B and the optical fiber 321.

加えて、前記実施形態の集光ミラー部は、アルミニウムを用いて成形したものであったが、その他にも、パーマロイ、鉄、珪素鋼板などの電磁シールド材料を用いることができる。このようなものであれば、エネルギ線通路を含めた集光ミラー部は試料直前に至るまで電磁シールドが可能となる。   In addition, although the condensing mirror part of the said embodiment was shape | molded using aluminum, electromagnetic shielding materials, such as a permalloy, iron, a silicon steel plate, can be used for others. If it is such, the condensing mirror part including the energy beam path can be electromagnetically shielded until just before the sample.

その上、前記実施形態の集光ミラー部に設けたエネルギ線通路を差動排気用アパーチャとしても良い。つまり、生態試料を測定する場合などは、鏡筒部内を高真空に排気しつつ、集光ミラー部及び試料台を設けたチャンバー内は低真空に排気する必要があり、この両室の差圧を保ちながら排気するためのアパーチャとしても機能させるようにしても良い。   In addition, the energy line passage provided in the condensing mirror portion of the embodiment may be a differential exhaust aperture. In other words, when measuring biological samples, it is necessary to evacuate the interior of the lens barrel to a high vacuum while evacuating the chamber with the collector mirror and sample stage to a low vacuum. It may be made to function as an aperture for exhausting while maintaining the above.

さらに加えて、カソードルミネッセンス(CL)測定とラマン分光又はフォトルミネッセンス(PL)測定とを行う複合装置の場合、集光ミラー部のミラー面をレーザ光照射用として使用しても良い。   In addition, in the case of a composite apparatus that performs cathodoluminescence (CL) measurement and Raman spectroscopy or photoluminescence (PL) measurement, the mirror surface of the condensing mirror portion may be used for laser light irradiation.

また、カソードルミネッセンス(CL)での測定も応力測定に限られず、特定又は複数の波長でのCLによる光に基づいて、単一波長帯の強度像又は波長分布像などを取得し、半導体組成又は結晶成長等の欠陥検査等を行うこともできる。   In addition, the measurement by cathode luminescence (CL) is not limited to the stress measurement, and an intensity image or a wavelength distribution image of a single wavelength band is acquired based on light by CL at a specific wavelength or a plurality of wavelengths. It is also possible to perform defect inspection such as crystal growth.

検出装置に関していうと、前記実施形態では分光部及びセンシング部を備えたものであったが、その他にも分光部によって分光せずとも光学フィルタ等により単一の波長域の光のみをセンシング部(検出器)へと導出するようにしても良い。   Regarding the detection device, in the above-described embodiment, the spectroscopic unit and the sensing unit are provided. In addition, only the light in a single wavelength region is detected by the optical filter or the like without performing the spectroscopic unit. It may be derived to a detector.

その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてよいし、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。   In addition, some or all of the above-described embodiments and modified embodiments may be combined as appropriate, and the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. .

本発明の一実施形態に係る試料測定装置(光学測定装置)を示す模式的構成図。1 is a schematic configuration diagram showing a sample measurement device (optical measurement device) according to an embodiment of the present invention. 同実施形態における鏡筒本体及び集光ミラー部を主として示す拡大断面図。The expanded sectional view which mainly shows the lens-barrel main body and condensing mirror part in the embodiment. 同実施形態における鏡筒本体及び集光ミラー部の部分拡大断面斜視図。The partial expanded sectional perspective view of the lens-barrel main body and the condensing mirror part in the embodiment. その他の実施形態における鏡筒本体、集光ミラー部及び対物レンズを示す部分拡大断面図。The partial expanded sectional view which shows the lens-barrel main body in another embodiment, a condensing mirror part, and an objective lens. さらに異なる実施形態における鏡筒本体、集光ミラー部及び対物レンズを示す部分拡大断面図。Furthermore, the elements on larger scale which show the lens-barrel main body in a different embodiment, a condensing mirror part, and an objective lens. 本発明のその他の実施形態に係る光学測定装置を示す模式的構成図。The typical block diagram which shows the optical measuring device which concerns on other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

EB ・・・エネルギ線(電子線)
W ・・・試料
21 ・・・エネルギ線発生部(電子銃)
225 ・・・対物レンズ
23 ・・・ミラー面
24 ・・・鏡筒部
24B ・・・集光ミラー部
24B1・・・エネルギ線通路
24A ・・・鏡筒本体
EB: Energy beam (electron beam)
W ... Sample 21 ... Energy ray generator (electron gun)
225 ... objective lens 23 ... mirror surface 24 ... lens barrel part 24B ... condensing mirror part 24B1 ... energy beam passage 24A ... lens barrel body

Claims (2)

エネルギ線を試料に照射することにより生じる光を測定する試料測定装置であって、
エネルギ線を発生させるエネルギ線発生部と、
前記エネルギ線発生部で発生したエネルギ線を収束させるエネルギ線制御手段を有し、当該エネルギ線制御手段によりそのエネルギ線制御手段の軸線に対し、エネルギ線をその軸が一致するように収束させる鏡筒部と、
前記鏡筒部及び前記試料の間に設けられ、前記鏡筒部で収束されたエネルギ線を通過させ、そのエネルギ線を前記試料に照射するためのエネルギ線通路と、その通路の軸線上に焦点が設定されたミラー面とを有し、前記試料から生じる光を前記ミラー面により集光する集光ミラー部と、
前記鏡筒部及び前記集光ミラー部をそれぞれ着脱可能にする一方、前記エネルギ線制御手段の軸線と前記エネルギ線通路の軸線とを同軸に位置決めして、前記エネルギ線の軸と前記焦点とを一致させるように、前記鏡筒部に前記集光ミラー部を支持させる位置決め構造とを備え、
前記位置決め機構が、前記鏡筒部の下端に形成された凸部と、前記集光ミラー部の上面に形成され前記凸部の外周面と略同一に形成された凹部とから構成される試料測定装置。
A sample measuring device for measuring light generated by irradiating a sample with energy rays,
An energy ray generating unit for generating energy rays;
A mirror that has energy beam control means for converging the energy beam generated by the energy beam generator, and that causes the energy beam control means to converge the energy beam so that its axis coincides with the axis of the energy beam control unit; A tube part;
An energy beam path provided between the lens barrel portion and the sample and passing through the energy beam focused by the lens barrel portion and irradiating the energy beam to the sample, and a focal point on the axis of the channel A collecting mirror part that collects the light generated from the sample by the mirror surface,
While allowing the lens barrel and the condensing mirror to be detachable, the axis of the energy beam control means and the axis of the energy beam passage are positioned coaxially so that the axis of the energy beam and the focal point are aligned. A positioning structure for supporting the light collecting mirror part in the lens barrel part so as to match,
Sample measurement in which the positioning mechanism is composed of a convex portion formed at the lower end of the barrel portion and a concave portion formed on the upper surface of the condenser mirror portion and formed substantially the same as the outer peripheral surface of the convex portion. apparatus.
前記凸部が前記鏡筒部のエネルギ線射出口を有するとともに、前記凹部の底面に前記エネルギ線通路が連通している請求項1記載の試料測定装置。  The sample measuring apparatus according to claim 1, wherein the convex portion has an energy ray exit of the lens barrel portion, and the energy ray passage communicates with a bottom surface of the concave portion.
JP2006150952A 2005-06-29 2006-05-31 Sample measuring device Expired - Fee Related JP4724604B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006150952A JP4724604B2 (en) 2006-05-31 2006-05-31 Sample measuring device
EP06013357A EP1739715A3 (en) 2005-06-29 2006-06-28 Sample measuring device
US11/477,085 US7589322B2 (en) 2005-06-29 2006-06-28 Sample measuring device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006150952A JP4724604B2 (en) 2006-05-31 2006-05-31 Sample measuring device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007322189A JP2007322189A (en) 2007-12-13
JP4724604B2 true JP4724604B2 (en) 2011-07-13

Family

ID=38855152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006150952A Expired - Fee Related JP4724604B2 (en) 2005-06-29 2006-05-31 Sample measuring device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4724604B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5507177B2 (en) * 2009-09-25 2014-05-28 株式会社堀場製作所 Photodetector
JP7072458B2 (en) * 2018-07-12 2022-05-20 株式会社堀場製作所 Luminescence analyzer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2535772B2 (en) * 1994-03-24 1996-09-18 広島大学長 Narrow-band high-sensitivity photodetector for inverse photoemission spectroscopy
JPH1064467A (en) * 1996-08-23 1998-03-06 Toshiba Corp electronic microscope
JP2003157789A (en) * 2001-11-20 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corp Cathodoluminescence detector such as scanning electron microscope
JP2006010585A (en) * 2004-06-28 2006-01-12 National Institute For Materials Science Cathode luminescence dedicated measuring device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007322189A (en) 2007-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7589322B2 (en) Sample measuring device
US8357894B2 (en) Microcalorimetry for X-ray spectroscopy
JP5292128B2 (en) Scanning probe microscope and sample observation method using the same
JP5033609B2 (en) Scanning probe microscope and sample observation method using the same
US9535020B2 (en) Analyzing an object using a particle beam apparatus
US8648301B2 (en) Particle beam system having a hollow light guide
JP6208198B2 (en) Adaptive cathodoluminescence detection system and microscope employing such a system
JP2008270056A (en) Scanning transmission electron microscope
WO2019224896A1 (en) Charged particle beam device and detector position adjustment method for charged particle beam device
CN110208301A (en) A kind of X-ray of depth resolution causes the device and method of radioluminescence measurement
US9417262B2 (en) Scanning probe microscope and sample observation method using same
JP4724604B2 (en) Sample measuring device
JP5159068B2 (en) Total reflection X-ray fluorescence analyzer
JP5507177B2 (en) Photodetector
US20160011110A1 (en) System for Electron Beam Detection
JP4696197B2 (en) Cathode luminescence detection device
JP4587887B2 (en) Sample measuring device
JP4920539B2 (en) Cathodoluminescence measuring device and electron microscope
CN108195824B (en) A laser-induced breakdown spectroscopy detection system
JP6640531B2 (en) Measuring device and measuring method of electron energy
JP6309194B2 (en) Noise reduction electron beam apparatus and electron beam noise reduction method
RU2452052C1 (en) Nano-resolution x-ray microscope
US20260036535A1 (en) System and method for scanning electron beam image-formation with elemental analysis
TW202613542A (en) System and method for scanning electron beam image-formation with elemental analysis
JP2005241466A (en) Method and apparatus for measuring stress

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110405

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110411

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4724604

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees