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JP4725253B2 - Winding-type composite vacuum surface treatment apparatus and film surface treatment method - Google Patents
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JP4725253B2 - Winding-type composite vacuum surface treatment apparatus and film surface treatment method - Google Patents

Winding-type composite vacuum surface treatment apparatus and film surface treatment method Download PDF

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Description

本発明は、フィルムに乾燥、前処理、薄膜形成などの各種の表面処理を施すことができる巻取式複合表面処理装置、並びにこの装置を用いてフィルムの表面処理を行う方法に関する。   The present invention relates to a roll-up type composite surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as drying, pretreatment, and thin film formation on a film, and a method for performing film surface treatment using this apparatus.

近年、プラスチック等のフィルムを基材とし、その表面に薄膜を形成した機能性フィルムの開発が盛んに行われている。例えば、パッケージ分野では、フィルム表面にSiOx、MgO、AlOx等から選ばれた少なくとも1種の金属酸化物からなる薄膜を形成することによって、透明で且つ酸素や水蒸気等の気体遮断性を有する食品保存性に優れたガスバリヤーフィルムが提供されている。   In recent years, a functional film having a thin film formed on the surface of a plastic film or the like as a base material has been actively developed. For example, in the packaging field, by forming a thin film made of at least one metal oxide selected from SiOx, MgO, AlOx, etc. on the film surface, it is transparent and food preservation that has a gas barrier property such as oxygen and water vapor. A gas barrier film having excellent properties is provided.

また、エレクトロニクス分野においては、ディスプレイ用途として、ディスプレイ表面の反射を防止し、視認性を向上した反射防止フィルム等が広く使用されている。この反射防止フィルムは、TiO、ZrO、Nb等の高屈折率層、Al等の中屈折率層、SiO等の低屈折率層を積層した、異なる屈折率からなる多層薄膜をフィルム上に形成したものである。 In the electronics field, antireflection films and the like that prevent reflection on the display surface and improve visibility are widely used as display applications. This antireflective film has a different refractive index in which a high refractive index layer such as TiO 2 , ZrO, and Nb 2 O 5 , a middle refractive index layer such as Al 2 O 3 , and a low refractive index layer such as SiO 2 are laminated. A multilayer thin film is formed on a film.

また、液晶ディスプレイでは、画素の小型化が進むに伴って、それに接続されるフレキシブル回路基板には高精度のパターンが必須となり、同時に狭ピッチに伴う電気的な信頼性の確保が一層要望されている。そのため、最近では、ポリイミドフィルム上にスパッタリングや蒸着等により下地としてニッケル、クロム等の異種の金属層を設け、その上に電解銅めっきを施すことによって、接着剤を用いずに、高い接着力を有する銅ポリイミドフレキシブル基板を作製することが重要になってきている。   In addition, with the progress of miniaturization of pixels in a liquid crystal display, a highly accurate pattern is essential for a flexible circuit board connected to the liquid crystal display, and at the same time, electrical reliability associated with a narrow pitch is further demanded. Yes. Therefore, recently, dissimilar metal layers such as nickel and chromium are provided on the polyimide film by sputtering, vapor deposition, etc., and electrolytic copper plating is applied on the metal layer. It has become important to produce a copper polyimide flexible substrate.

これらの機能性フィルムを製造する場合、基材となるフィルムに機能性を付与するため各種の薄膜を形成する必要があるが、枚葉式では生産性や製造コストに劣るため、プラスチックフィルムを連続的に移動させながら薄膜を形成することが望ましい。そのための装置として、一般に、真空環境下においてフィルムをロール間で移動させながら、連続的に薄膜形成を行う巻取式真空成膜装置が用いられている。   When manufacturing these functional films, it is necessary to form various thin films in order to impart functionality to the base film. However, the single-wafer type is inferior in productivity and manufacturing cost. It is desirable to form a thin film while moving it periodically. As an apparatus for that purpose, a winding type vacuum film forming apparatus that continuously forms a thin film while moving a film between rolls in a vacuum environment is generally used.

従来から使用されている最も基本的な巻取式真空成膜装置としては、特開2002−060931号公報に記載された構造のものがある。即ち、図1に示すように、真空チャンバ1の内部に、フィルム2の搬送手段と共に、薄膜形成手段(図示せず)を具備した薄膜形成部3が設置され、真空チャンバ1の内部は真空ポンプ等から構成される排気系4により高真空まで排気される。巻出ロール5から連続的に送り出されたフィルム2は、巻取ロール6で巻き取られる間に、1つの成膜ドラム7上において薄膜形成部2により成膜されるようになっている。   As the most basic winding-type vacuum film forming apparatus used conventionally, there is one having a structure described in JP-A-2002-060931. That is, as shown in FIG. 1, a thin film forming section 3 having a thin film forming means (not shown) is installed in a vacuum chamber 1 together with a film 2 conveying means, and the inside of the vacuum chamber 1 is a vacuum pump. It is exhausted to a high vacuum by an exhaust system 4 composed of, for example. The film 2 continuously fed from the unwinding roll 5 is formed into a film by the thin film forming unit 2 on one film forming drum 7 while being wound by the winding roll 6.

上記の薄膜形成手段については、物理的成膜法として真空蒸着法、スパッタリング法等があり、化学的成膜法として化学的気相成長法(CVD)等が用いられている。真空蒸着法は、抵抗加熱や電子銃照射により成膜材料を加熱蒸発させ、基材上に薄膜を形成する方法である。蒸着の際に、薄膜の密着性、緻密化を目的として、蒸発源と基材の間にプラズマを形成させるプラズマアシスト蒸着法も知られている。尚、プラズマの形成は、真空成膜装置内に設置した放電用の電極に直流又は交流の電圧を印加したり、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射したりすることによって形成することができる。   As for the above thin film forming means, there are a vacuum deposition method and a sputtering method as a physical film formation method, and a chemical vapor deposition method (CVD) or the like is used as a chemical film formation method. The vacuum deposition method is a method of forming a thin film on a substrate by heating and evaporating a film forming material by resistance heating or electron gun irradiation. A plasma-assisted vapor deposition method is also known in which plasma is formed between an evaporation source and a substrate for the purpose of adhesion and densification of a thin film during vapor deposition. The plasma is formed by applying a DC or AC voltage to a discharge electrode installed in a vacuum film forming apparatus or irradiating a microwave with a microwave using a waveguide. can do.

また、スパッタリング法は、成膜材料をプレート状に成形したターゲットを用い、このターゲットを放電用電極として上記プラズマ発生方法を用いて基材とターゲットの間にプラズマを発生させ、電位勾配を用いてターゲット表面にイオンを照射衝突させることによって、ターゲット物質を叩き出して基材上にターゲット物質の薄膜を形成する方法である。更に、化学的気相成長法(CVD)は、基材近傍に無機又は有機若しくはこれらの混合物を原料ガスとして気化導入し、加熱やプラズマを用いて化学反応させることによって、基材上に薄膜を形成する方法である。プラズマを用いた場合、スパッタリングと同様の装置構成を用いることも可能である。   In addition, the sputtering method uses a target obtained by forming a film forming material into a plate shape, generates plasma between the substrate and the target using the plasma generation method using the target as a discharge electrode, and uses a potential gradient. In this method, a target material is knocked out by irradiating and colliding ions with a target surface to form a thin film of the target material on a substrate. Furthermore, chemical vapor deposition (CVD) is a method in which an inorganic or organic material or a mixture thereof is vaporized and introduced as a raw material gas in the vicinity of a substrate, and a thin film is formed on the substrate by a chemical reaction using heating or plasma. It is a method of forming. When plasma is used, an apparatus configuration similar to sputtering can be used.

上記の薄膜形成手段のいずれにおいても、成膜の際にプラズマを用いることによって、薄膜の密着性や緻密化に効果があることが確認されている。従って、プラズマを用いる薄膜形成手段は、ガスバリヤーフィルムでは気体遮断性の向上等に、反射防止フィルムでは光学特性の改善等に、また銅ポリイミドフレキシブル基板ではフィルムと銅層との密着性の向上等に対し、それぞれ有効な方法として実用化されている。   In any of the above-described thin film forming means, it has been confirmed that the use of plasma during film formation has an effect on the adhesion and densification of the thin film. Therefore, the means for forming a thin film using plasma is to improve gas barrier properties for gas barrier films, to improve optical properties for antireflection films, and to improve adhesion between the film and copper layer for copper polyimide flexible substrates, etc. On the other hand, it has been put to practical use as an effective method.

しかし、図1に示すような巻取式真空成膜装置では、単層の薄膜の形成は簡単であるが、複数の薄膜を積層する場合には、フィルムの走行方向に沿って複数の薄膜形成手段を配置するか、若しくはフィルムを往復して走行可能にし、積層に必要な回数に応じて複数の薄膜形成手段を通過させることが必要となる。   However, in the winding type vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 1, it is easy to form a single layer thin film. However, when laminating a plurality of thin films, a plurality of thin film formations are performed along the running direction of the film. It is necessary to arrange the means or to make the film reciprocate so that a plurality of thin film forming means can be passed depending on the number of times required for lamination.

このような薄膜の積層形成に用いる巻取式真空成膜装置として、特開2003−178436号公報には、図2に示すように、真空チャンバ1の内部に複数の成膜ドラム7a、7bを配置した成膜装置が記載されている。この成膜装置によれば、巻出ロール5から送り出されて巻取ロール6で巻き取られるフィルム2は、複数の成膜ドラム7a、7bを通過する間に、各成膜ドラム7a、7bの円周面に対向して設けた複数のカソード組立体8により、フィルム2上に異なる材質の薄膜を順次低温で成膜することができる。
特開2002−060931号公報 特開2003−178436号公報
As a winding-type vacuum film forming apparatus used for forming such a thin film, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-178436 discloses a plurality of film forming drums 7a and 7b in a vacuum chamber 1 as shown in FIG. An arranged film forming apparatus is described. According to this film forming apparatus, the film 2 fed from the unwinding roll 5 and taken up by the take-up roll 6 passes through the plurality of film forming drums 7a and 7b. Thin films of different materials can be sequentially formed on the film 2 at a low temperature by the plurality of cathode assemblies 8 provided to face the circumferential surface.
JP 2002-060931 A JP 2003-178436 A

上記した従来の巻取式真空表面処理装置の場合、1つの装置で同時に複数の表面処理を行うことは難しかった。例えば、各種の表面処理手段を装置内の成膜ドラムの周辺各所に連続して接するように配置し、複数の処理を異なったフィルム処理位置において実施しようとすると、装置が大型化するだけでなく、フィルムにしわが発生したり、品質が低下したりする問題があった。そのため、フィルムに複数の表面処理を施すためには、複数の異なる処理装置を用いる必要があった。しかし、複数の異なる処理装置を用いる方法では、処理工数やコストの増加を招くと同時に、装置間を移送する間にフィルムが大気に触れるため、形成する薄膜にピンホールが発生したり密着性が低下したりしやすいという問題があった。   In the case of the conventional winding type vacuum surface treatment apparatus described above, it has been difficult to perform a plurality of surface treatments simultaneously with one apparatus. For example, if various surface treatment means are arranged so as to be continuously in contact with the peripheral portions of the film formation drum in the apparatus and a plurality of processes are to be carried out at different film processing positions, the apparatus is not only enlarged. There are problems that the film is wrinkled and the quality is deteriorated. Therefore, in order to perform a plurality of surface treatments on the film, it is necessary to use a plurality of different processing apparatuses. However, in the method using a plurality of different processing apparatuses, the processing man-hours and costs are increased, and at the same time, the film is exposed to the air while being transferred between the apparatuses. There was a problem that it was easily lowered.

本発明は、このような従来の事情に鑑み、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができるうえ、形成された薄膜にピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥が発生したり、フィルムにしわが発生したりすることがなく、しかも多機能化により小型化且つ低コスト化が可能な巻取式複合真空表面処理装置を提供することを目的とする。   In view of such a conventional situation, the present invention can perform a plurality of surface treatments simultaneously with the same apparatus, and defects such as pinholes and reduced adhesion occur in the formed thin film. It is an object of the present invention to provide a roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus that does not cause wrinkles in the film and that can be reduced in size and cost by being multifunctional.

上記目的を達成するため、本発明が提供する巻取式複合真空表面処理装置は、真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なキャンロールと、キャンロールに対向して配置された表面処理手段とを備え、フィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理を施す表面処理装置であって、
真空容器底板に設置した回転軸にキャンロールに対向する側が180°より大きな角度となるように固定された2つの表面処理手段からなり、キャンロールに略対向して回動可能に配置された複数の表面処理手段対と、これらの表面処理手段対が回転軸を中心に回動可能なように真空容器外側に拡張された真空容器周壁の周壁突出部と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように、真空容器底板に固定され、表面処理手段対が配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロールから分離する一対の第1遮蔽板と、真空容器底板に固定されてキャンロール近くから真空容器周壁近くまで延長し、処理ゾーン内を1つの表面処理手段対を含む複数の処理室に区画する複数の第2遮蔽板と、キャンロール前で真空容器底板、第1遮蔽板、第2遮蔽板のいずれかに固定され、各処理室内において表面処理手段対に略対向するフィルム処理位置以外を覆う複数のマスク板とを備えると共に、
処理ゾーン内の各処理室において、回転軸を中心に表面処理手段対を回動させ、表面処理手段対の一方の表面処理手段をキャンロールに略対向させ且つ他方の表面処理手段を周壁突出部内に移動させることにより、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する表面処理手段を変えることができることを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus provided by the present invention includes a pair of film take-up and unwinding units in a substantially cylindrical vacuum vessel provided with a vacuum pump for evacuating the entire vacuum vessel. A roll, a rotatable can roll whose axial center substantially coincides with the center of the vacuum container, and a surface treatment means disposed opposite the can roll, and is unwound or wound between the film winding and unwinding rolls. A surface treatment apparatus for performing a surface treatment on a film moving along a can roll,
A plurality of surface treatment means that are fixed to a rotating shaft installed on the bottom plate of the vacuum vessel so that the side facing the can roll is at an angle larger than 180 °, and arranged so as to be substantially opposed to the can roll. A pair of surface treatment means, a protrusion on the peripheral wall of the vacuum vessel that is extended to the outside of the vacuum vessel so that the pair of surface treatment means can rotate about the rotation axis, and a space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll A pair of first shielding plates that are fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to be substantially shielded and separate the processing zone in which the surface treatment means pair is disposed from the pair of film winding and unwinding rolls, and are fixed to the vacuum vessel bottom plate. A plurality of second shielding plates that extend from near the can roll to near the vacuum vessel peripheral wall and divide the inside of the treatment zone into a plurality of treatment chambers including a pair of surface treatment means, a vacuum vessel bottom plate, and a first shielding plate before the can roll. Plate, is fixed to one of the second shielding plate provided with a plurality of mask plate covering the non-film processing position substantially opposed to the surface treatment unit pair in each processing chamber,
In each treatment chamber in the treatment zone, the pair of surface treatment means is rotated about the rotation axis so that one surface treatment means of the pair of surface treatment means is substantially opposed to the can roll and the other surface treatment means is placed in the peripheral wall protrusion. The surface treatment means that substantially opposes the film processing position in each processing chamber can be changed by moving the film to the position.

上記本発明の巻取式複合真空表面処理装置においては、前記複数の第2遮蔽板によって各処理室がほぼ気密状態に遮蔽されると共に、各処理室は真空容器周壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種での表面処理を行うことができることができる。また、前記表面処理手段は、フィルム乾燥用のヒータ手段、表面処理用のイオン源、フィルム前処理用のプラズマ発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段のいずれかである。更に、前記キャンロールが加熱冷却手段を有し、キャンロール表面の温度制御が可能であることが好ましい。   In the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, each processing chamber is shielded in an almost airtight state by the plurality of second shielding plates, and each processing chamber is installed on the peripheral wall of the vacuum vessel. The surface treatment can be performed with different pressures and gas types in each processing chamber. The surface treatment means is any one of a heater means for film drying, an ion source for surface treatment, a plasma generation means for film pretreatment, and a sputtering means for thin film formation. Furthermore, it is preferable that the said can roll has a heating-cooling means and the temperature control of the can roll surface is possible.

本発明は、また、上記した本発明の巻取式複合真空表面処理装置を用い、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内で表面処理手段対のフィルム処理位置に略対向する一方の表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、回転軸を中心に表面処理手段対を回動させ、先に用いた一方の表面処理手段を周壁突出部に移動させ且つ他方の表面処理手段をキャンロールに略対向させることにより、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する表面処理手段を変え、再びフィルムをキャンロールに沿って移動させながら、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する他方の表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法を提供する。   The present invention also uses the above-described winding-type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, and moves the film in one direction along the can roll while roughly positioning the film treatment position of the surface treatment means pair in each treatment chamber. The surface treatment of the film is performed by the one surface treatment means facing each other, and after the surface treatment is finished, the pair of surface treatment means is rotated around the rotation axis, and the one surface treatment means used previously is the peripheral wall protrusion. And the other surface treatment means is substantially opposed to the can roll, thereby changing the surface treatment means substantially opposite the film treatment position in each treatment chamber, and moving each film while moving the film along the can roll again. Provided is a film surface treatment method characterized in that the surface treatment of the film is performed by the other surface treatment means substantially opposite to the film treatment position in the room.

本発明によれば、装置の多機能化によって、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、比較的小型で低コストの巻取式複合真空表面処理装置を提供することができる。また、同一装置内で複数の表面処理を完結でき、処理途中のフィルムを他の装置に付け替える必要がなくなるため、処理工程が短縮され且つ処理コストを低く抑えることが可能となるだけでなく、処理途中のフィルムが大気中に曝されることがなくなるので、形成される薄膜におけるピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥をなくすことができる。   According to the present invention, it is possible to perform a plurality of surface treatments simultaneously with the same apparatus by providing multifunctional apparatuses, and it is possible to provide a relatively compact and low-cost roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus. . In addition, a plurality of surface treatments can be completed in the same apparatus, and it is not necessary to replace a film in the middle of processing with another apparatus, so that not only the processing steps can be shortened and the processing cost can be kept low, but also the processing. Since the intermediate film is not exposed to the atmosphere, defects such as pinholes and reduced adhesion in the formed thin film can be eliminated.

更に、区画された各処理室をほぼ気密状態に遮蔽し、それぞれの処理室に処理室用真空ポンプを設置すれば、各処理室を差動排気することが可能となり、各々の処理室において異なる圧力やガス種の処理条件を選択して、より一層多様な表面処理を行うことができる。   Furthermore, if each of the partitioned processing chambers is shielded in an almost airtight state and a processing chamber vacuum pump is installed in each processing chamber, each processing chamber can be differentially evacuated. Even more various surface treatments can be performed by selecting treatment conditions of pressure and gas type.

本発明の巻取式複合真空表面処理装置及びそれを用いたフィルムの処理法について、図面を用いて詳しく説明する。本発明の表面処理装置は、例えば、図3〜4に示すように、装置全体用の真空ポンプ(図示せず)を備えた略円筒状の真空容器10の内部に、一対のフィルム巻取巻出ロール11a、11bと、真空容器10と軸中心をほぼ一致させて回転可能に設けたキャンロール12と、その他フィルム搬送ガイド用ロールと、複数の表面処理手段とを備えている。フィルム13は、例えば片方のフィルム巻取巻出ロール11aから巻き出されて他方のフィルム巻取巻出ロール11bに巻き取られる間に、キャンロール12の回転に合わせて移動しながら表面処理が施されるようになっている。   The winding type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention and a film processing method using the same will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 3 to 4, for example, the surface treatment apparatus of the present invention has a pair of film winding and winding inside a substantially cylindrical vacuum vessel 10 equipped with a vacuum pump (not shown) for the entire apparatus. Out rolls 11a and 11b, a can roll 12 which is rotatably provided with the axial center of the vacuum container 10 being substantially coincident, a film transport guide roll, and a plurality of surface treatment means are provided. For example, the film 13 is surface-treated while being moved in accordance with the rotation of the can roll 12 while being unwound from one film winding / unwinding roll 11a and being wound around the other film winding / unwinding roll 11b. It has come to be.

真空容器10は、略円筒状の真空容器周壁10aと、真空容器底板10bと、真空容器天板(図示せず)とからなる。この真空容器10の内部には、キャンロール12に略対向して、それぞれ2つの表面処理手段からなる複数の表面処理手段対15a、15b、15cが配置され、それぞれ真空容器底板10bに固定した回転軸16を中心に回動可能に設けてある。各表面処理手段対15a、15b、15cは、後述するように、それぞれの回転軸16に固定された2つの表面処理手段で構成されている。そして、これらの表面処理手段対15a、15b、15cが回動可能なように、その配置位置の真空容器周壁10aにはそれぞれ周壁突出部14が設けてある。   The vacuum vessel 10 includes a substantially cylindrical vacuum vessel peripheral wall 10a, a vacuum vessel bottom plate 10b, and a vacuum vessel top plate (not shown). Inside the vacuum vessel 10, a plurality of surface treatment means pairs 15a, 15b, 15c each consisting of two surface treatment means are arranged substantially opposite to the can roll 12, and each of the rotations is fixed to the vacuum vessel bottom plate 10b. A shaft 16 is provided so as to be rotatable. Each surface treatment means pair 15a, 15b, 15c is composed of two surface treatment means fixed to the respective rotary shafts 16 as will be described later. And the peripheral wall protrusion part 14 is provided in the vacuum vessel surrounding wall 10a of the arrangement position so that these surface treatment means pair 15a, 15b, 15c can rotate.

また、真空容器底板10bには、一対の第1遮蔽板20が真空容器周壁10aとキャンロール12の表面と真空容器天板(図示せず)にほぼ接するように配置固定され、複数の表面処理手段対15a、15b、15cが配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロール11a、11bから分離して、ほぼ気密状態なるように遮蔽している。更に、複数の表面処理手段対15a、15b、15cが配置された処理ゾーン内は、真空容器底板10bに固定され、且つ真空容器周壁10aとキャンロール12の表面と真空容器天板(図示せず)にほぼ接するように配置された複数の第2遮蔽板21によって気密状態になるよう遮蔽され、それぞれ1つの表面処理手段対15a、15b、15cを含む複数の処理室A、B、Cに区画されている。   In addition, a pair of first shielding plates 20 are disposed and fixed on the vacuum vessel bottom plate 10b so as to substantially contact the vacuum vessel peripheral wall 10a, the surface of the can roll 12 and the vacuum vessel top plate (not shown), and a plurality of surface treatments are performed. The processing zone in which the means pair 15a, 15b, 15c is arranged is separated from the pair of film winding / unwinding rolls 11a, 11b and shielded so as to be almost airtight. Further, the inside of the processing zone in which a plurality of pairs of surface processing means 15a, 15b, 15c are arranged is fixed to the vacuum vessel bottom plate 10b, and the vacuum vessel peripheral wall 10a, the surface of the can roll 12, and the vacuum vessel top plate (not shown). ) Are sealed in a hermetic state by a plurality of second shielding plates 21 arranged so as to be substantially in contact with each other, and are partitioned into a plurality of processing chambers A, B, and C each including a pair of surface treatment means 15a, 15b, and 15c. Has been.

上記の各処理室A、B、Cには、それぞれ2つの表面処理手段からなる表面処理手段対15a、15b、15cが配置されている。各表面処理手段対15a、15b、15cを構成する2つの表面処理手段は、キャンロール12に対向する側が180°より大きな角度となるように配置された状態で、真空容器底板10bに設置した各回転軸16にそれぞれ固定されている。表面処理手段としては、例えば、フィルム乾燥用のヒータ手段、表面処理用のイオン源、フィルム前処理用のプラズマ発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段などがある。例えば、図3の処理室Aにおける表面処理手段対15aは、フィルム乾燥用のヒータ手段17aと薄膜形成用のスパッタリング手段18aとで構成されている。   In each of the processing chambers A, B, and C, surface treatment means pairs 15a, 15b, and 15c each including two surface treatment means are disposed. The two surface treatment means constituting each surface treatment means pair 15a, 15b, and 15c are arranged on the vacuum vessel bottom plate 10b in a state where the side facing the can roll 12 is disposed at an angle larger than 180 °. Each is fixed to the rotary shaft 16. Examples of the surface treatment means include a heater means for film drying, an ion source for surface treatment, a plasma generation means for film pretreatment, and a sputtering means for thin film formation. For example, the surface treatment means pair 15a in the treatment chamber A of FIG. 3 is composed of a heater means 17a for drying a film and a sputtering means 18a for forming a thin film.

上記2つの表面処理手段からなる表面処理手段対15a、15b、15cは、それぞれ回転軸16を中心に回動することができる。従って、キャンロール12に対向する側が180°より大きな角度で保持された2つの表面処理手段は、回転軸16を中心に回動させることによって、一方の表面処理手段をキャンロール12に略対向させ、同時に他方の表面処理手段はキャンロール12に対向しないように周壁突出部14内に移動させることができるので、各処理室A、B、Cのフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができる。   The pair of surface treatment means 15a, 15b, and 15c composed of the two surface treatment means can be rotated around the rotation shaft 16, respectively. Accordingly, the two surface treatment means whose sides facing the can roll 12 are held at an angle larger than 180 ° are rotated about the rotating shaft 16 so that one surface treatment means is substantially opposed to the can roll 12. At the same time, the other surface treatment means can be moved into the peripheral wall protruding portion 14 so as not to face the can roll 12, so that the surface treatment means facing the film treatment position of each treatment chamber A, B, C can be changed. Can do.

例えば、図3に示す状態の処理室Aでは、表面処理手段対15aの一方の表面処理手段であるフィルム乾燥用のヒータ手段17aがキャンロール12に略対向したフィルム処理位置にあり、他方の表面処理手段である薄膜形成用のスパッタリング手段18aは周壁突出部14内に移動してキャンロール12と対向しないように配置選択されている。次に、表面処理手段対15aを回動させることにより、一方の表面処理手段であるヒータ手段17aは周壁突出部14内に移動し、同時に他方の表面処理手段であるスパッタリング手段18aがキャンロール12に略対向したフィルム処理位置に来る。   For example, in the processing chamber A in the state shown in FIG. 3, the heater means 17a for film drying, which is one surface processing means of the surface processing means pair 15a, is at the film processing position substantially opposite to the can roll 12, and the other surface The thin film forming sputtering means 18a, which is a processing means, is arranged and selected so as to move into the peripheral wall protruding portion 14 and not to face the can roll 12. Next, by rotating the surface treatment means pair 15a, the heater means 17a, which is one surface treatment means, moves into the peripheral wall projection 14, and at the same time, the sputtering means 18a, which is the other surface treatment means, moves to the can roll 12. The film processing position is approximately opposite to the film processing position.

一方、キャンロール12の表面は、各表面処理手段対15a、15b、15cに略対向するフィルム処理位置を除いて、複数のマスク板22で覆われている。これらのマスク板22は、キャンロール12の前で、真空容器底板10b、第1遮蔽板20、第2遮蔽板21のいずれかに固定されている。従って、キャンロール12に伴って移動するフィルム13は、マスク板22で覆われていないフィルム処理位置のみで表面処理がなされ、マスク板22で覆われた位置では表面処理が行われない。例えば、図3に示す状態の処理室Aでは、フィルム乾燥用のヒータ手段17aによる乾燥処理の効果は、マスク板22で覆われていないフィルム処理位置でのみ得られる。   On the other hand, the surface of the can roll 12 is covered with a plurality of mask plates 22 except for a film processing position that is substantially opposite to each pair of surface processing means 15a, 15b, 15c. These mask plates 22 are fixed to any one of the vacuum vessel bottom plate 10 b, the first shielding plate 20, and the second shielding plate 21 in front of the can roll 12. Accordingly, the film 13 that moves with the can roll 12 is subjected to surface treatment only at the film processing position not covered with the mask plate 22 and is not subjected to surface treatment at the position covered with the mask plate 22. For example, in the processing chamber A in the state shown in FIG. 3, the effect of the drying process by the heater means 17 a for drying the film can be obtained only at the film processing position that is not covered with the mask plate 22.

上記した本発明の表面処理装置を用いることによって、同一ガス種及び同一圧力下で可能な処理であれば、真空容器内を1方向にフィルムを連続的に搬送させながら、処理ゾーン内の各処理室において複数の表面処理手段を適宜変えながら用いることによって、異なる処理を同時に実施したり、複数の処理室で同じ処理を実施したりすることができる。   By using the surface treatment apparatus of the present invention described above, each treatment in the treatment zone can be carried out continuously in one direction in the vacuum vessel if the treatment is possible under the same gas type and the same pressure. By using a plurality of surface treatment means while appropriately changing in a chamber, different treatments can be performed simultaneously or the same treatment can be performed in a plurality of treatment chambers.

例えば、図3の状態において、処理ゾーン内の各処理室でのフィルム処理位置には、処理室Aではヒータ手段17aが、処理室Bではプラズマ発生手段19bが、及び処理室Cではプラズマ発生手段19cが、それぞれ略対向している。従って、真空容器10内又はその処理ゾーン内を同一ガス種及び同一圧力とし、片方のフィルム巻取巻出ロール11aから巻き出されたフィルム13を他方のフィルム巻取巻出ロール11bに巻き取る間に、キャンロール12に沿って移動するフィルム13に対して、処理室Aではヒータ手段17aによる乾燥処理を行い、処理室BとCではプラズマ発生手段19b、19cによりプラズマでフィルム表面を前処理することができる。その際、真空容器10内は全体用真空ポンプによって排気し、更にプラズマ処理用のガスを真空容器10内に流して所定の圧力に保持することができる。   For example, in the state of FIG. 3, the heater 17a in the processing chamber A, the plasma generating means 19b in the processing chamber B, and the plasma generating means in the processing chamber C are located at the film processing positions in the processing chambers. 19c substantially oppose each other. Therefore, the inside of the vacuum vessel 10 or its processing zone is set to the same gas type and the same pressure, and the film 13 unwound from one film winding / unwinding roll 11a is wound around the other film winding / unwinding roll 11b. In addition, the film 13 moving along the can roll 12 is subjected to a drying process by the heater means 17a in the processing chamber A, and in the processing chambers B and C, the film surface is pretreated with plasma by the plasma generating means 19b and 19c. be able to. At that time, the inside of the vacuum vessel 10 can be evacuated by a vacuum pump for the whole, and further a gas for plasma processing can be flowed into the vacuum vessel 10 and maintained at a predetermined pressure.

次に、1巻のフィルムロールに対して上記の表面処理が終了した後、各処理室A、B、Cの表面処理手段対15a、15b、15cをそれぞれの回転軸16を中心に反時計回りに回動させることによって、例えば、処理室Aの場合、スパッタリング手段18aをキャンロール12に略対向させ、ヒータ手段17aはキャンロール12と対向しないように周壁突出部14内に移動させる。同様に、処理室B、Cでも表面処理手段対15b、15cを回動させることにより、他方の表面処理手段をキャンロール12に略対向させる。これにより、処理室A、B、Cのフィルム処理位置には、それぞれスパッタリング手段18a、18b、18cが対向するようになり、図4に示す状態が得られる。   Next, after the above surface treatment is completed for one roll of film roll, the surface treatment means pairs 15a, 15b, 15c of the treatment chambers A, B, C are rotated counterclockwise around the respective rotation shafts 16. For example, in the case of the processing chamber A, the sputtering means 18a is substantially opposed to the can roll 12, and the heater means 17a is moved into the peripheral wall protruding portion 14 so as not to face the can roll 12. Similarly, in the processing chambers B and C, the other surface processing means is made substantially opposite to the can roll 12 by rotating the surface processing means pair 15b and 15c. Thereby, the sputtering means 18a, 18b, and 18c are opposed to the film processing positions of the processing chambers A, B, and C, respectively, and the state shown in FIG. 4 is obtained.

その後、上記1巻のフィルムロールのフィルム13を逆方向に、即ちフィルム巻取巻出ロール11bからフィルム巻取巻出ロール11aに向かって移動させながら、処理室A、B、Cの各スパッタリング手段18a、18b、18cにより、フィルム13の表面に薄膜を形成することができる。その際、真空容器10内は、全体用真空ポンプによって排気し、更にスパッタリング用のアルゴンガスなどを真空容器10内に流して所定の圧力に保持する。また、必要に応じてキャンロール12の表面の温度制御を行うため、キャンロール12には加熱冷却手段を設けることができる。   Thereafter, the sputtering means of each of the processing chambers A, B, and C is moved while moving the film 13 of the one roll of film roll in the reverse direction, that is, from the film winding / unwinding roll 11b toward the film winding / unwinding roll 11a. A thin film can be formed on the surface of the film 13 by 18a, 18b, and 18c. At that time, the inside of the vacuum vessel 10 is evacuated by a vacuum pump for the whole, and further, argon gas for sputtering or the like is caused to flow into the vacuum vessel 10 to be kept at a predetermined pressure. Moreover, in order to control the temperature of the surface of the can roll 12 as needed, the can roll 12 can be provided with heating and cooling means.

このようにして、複数の異なる表面処理手段を備えた本発明の表面処理装置においては、同一の装置でフィルムに同時に複数の表面処理を施すことができる。従って、複雑なプロセスの複合処理が可能であり、また同一種の薄膜形成を行う場合であっても、1つのカソードのターゲットが消耗しても別のターゲットを用いて成膜することができるなど、長時間処理あるいは厚膜化処理を実施することができる。   Thus, in the surface treatment apparatus of the present invention provided with a plurality of different surface treatment means, a plurality of surface treatments can be simultaneously applied to the film with the same apparatus. Therefore, complex processing of complex processes is possible, and even when the same kind of thin film is formed, even if one cathode target is consumed, a film can be formed using another target. , A long-time treatment or a thickening treatment can be performed.

本発明の他の表面処理装置について、図5〜6を参照して説明する。この表面処理装置では、2枚の第1遮蔽板20と複数の第2遮蔽板21によって、各処理室A、B、Cを区画すると同時にほぼ気密状態に遮蔽し、しかも各処理室A、B、Cには処理室用真空ポンプ23a、23b、23cが設置してある。また、真空容器10の各処理室A、B、C以外の部分を真空排気するため、上記した装置と同様に全体用真空ポンプ(図示せず)も設置してある。尚、図5〜6に示す装置は、特に言及しない部分は図4〜5の装置と同じであり、同一部分には図4〜5と同一の符号を付してある。   Another surface treatment apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. In this surface treatment apparatus, the processing chambers A, B, and C are partitioned by the two first shielding plates 20 and the plurality of second shielding plates 21 and simultaneously shielded in an airtight state. , C are provided with processing chamber vacuum pumps 23a, 23b, 23c. Further, in order to evacuate the portions other than the processing chambers A, B, and C of the vacuum vessel 10, an overall vacuum pump (not shown) is also installed as in the above-described apparatus. The devices shown in FIGS. 5 to 6 are the same as those in FIGS. 4 to 5 unless otherwise specified, and the same portions are denoted by the same reference numerals as those in FIGS.

この図5〜6の表面処理装置によれば、ほぼ気密状態に遮蔽され且つ区画された各処理室A、B、Cごとに、処理室用真空ポンプ23a、23b、23cをそれぞれ有しているので、これらの処理室用真空ポンプ23a、23b、23cにより差動排気を行い、各々の処理室A、B、Cにおいて異なる圧力やガス種を選択して、更に複雑な表面処理を行うことが可能である。しかも、全体用真空ポンプを用いて、真空容器10内の各処理室A、B、C以外の部分の真空排気を行うと共に、各処理室A、B、C内の異なるガス種が混在しないようにすることができる。   According to the surface treatment apparatus of FIGS. 5 to 6, the process chamber vacuum pumps 23 a, 23 b, and 23 c are provided for each of the process chambers A, B, and C that are shielded and partitioned substantially in an airtight state. Therefore, differential evacuation is performed by the vacuum pumps 23a, 23b, and 23c for the processing chambers, and different pressures and gas types are selected in the processing chambers A, B, and C to perform more complicated surface treatment. Is possible. In addition, the entire vacuum pump is used to evacuate the portions other than the processing chambers A, B, and C in the vacuum vessel 10, and different gas types in the processing chambers A, B, and C are not mixed. Can be.

例えば、図5の状態においては、片方のフィルム巻取巻出ロール11aから他方のフィルム巻取巻出ロール11bに向かうフィルム13がキャンロール12に沿って移動する間に、処理室Aでは真空雰囲気中でヒータ手段17aによる乾燥処理を行い、処理室BとCではプラズマ処理用のガス雰囲気中でプラズマ発生手段19b、19cによりプラズマでのフィルム表面の前処理を行うことができる。その後、各処理室A、B、Cの表面処理手段対15a、15b、15cを、それぞれ回転軸16を中心に反時計回りに回動させることにより、それぞれの表面処理手段を変えて図6の状態とする。   For example, in the state of FIG. 5, while the film 13 heading from one film winding / unwinding roll 11 a to the other film winding / unwinding roll 11 b moves along the can roll 12, a vacuum atmosphere is formed in the processing chamber A. In the processing chambers B and C, the film surface can be pretreated with plasma by the plasma generating means 19b and 19c in a plasma processing gas atmosphere. Thereafter, the surface treatment means pair 15a, 15b, 15c of each treatment chamber A, B, C is rotated counterclockwise about the rotation shaft 16 to change the respective surface treatment means as shown in FIG. State.

即ち、処理室Aでは、上記のヒータ手段17aをキャンロール12と対向しないように周壁突出部14内に移動させると共に、スパッタリング手段18aをキャンロール12に略対向させる。同様に、処理室BとCでは、プラズマ発生手段19b、19cをそれぞれ周壁突出部14内に移動させ、同時にスパッタリング手段18b、18cをキャンロール12に略対向させる。このとき、処理室A、B、Cの雰囲気を一定圧力のアルゴン雰囲気として、キャンロール12に沿って移動するフィルム13の表面に、それぞれスパッタリング手段18a、18b、18cにより薄膜形成を行う。   That is, in the processing chamber A, the heater unit 17 a is moved into the peripheral wall protruding portion 14 so as not to face the can roll 12, and the sputtering unit 18 a is substantially opposed to the can roll 12. Similarly, in the processing chambers B and C, the plasma generation means 19b and 19c are moved into the peripheral wall protrusion 14, respectively, and at the same time, the sputtering means 18b and 18c are substantially opposed to the can roll 12. At this time, a thin film is formed on the surface of the film 13 moving along the can roll 12 by sputtering means 18a, 18b, and 18c, respectively, with the atmosphere in the processing chambers A, B, and C being an argon atmosphere of a constant pressure.

このようにして、図5〜6に示す複数の異なる表面処理手段と複数の処理室用真空ポンプを備えた本発明の表面処理装置においては、フィルムに同一の装置で同時に複数の表面処理を施すことができるだけでなく、各処理室において各々別々のガス種あるいは圧力下で表面処理を行うことができるため、図3〜4の装置に比べて更に各種の表面処理を重ね合わせて実施することが可能となる。   Thus, in the surface treatment apparatus of the present invention having a plurality of different surface treatment means and a plurality of treatment chamber vacuum pumps as shown in FIGS. 5 to 6, a plurality of surface treatments are simultaneously performed on the film by the same apparatus. In addition, it is possible to perform surface treatment under different gas types or pressures in each processing chamber, so that various surface treatments can be performed in an overlapping manner as compared with the apparatus shown in FIGS. It becomes possible.

[実施例1]
図3〜4の巻取式複合真空表面処理装置において、処理室Aにはスパッタリング手段18aとヒータ手段17aからなる表面処理手段対15aを、処理室Bにはスパッタリング手段18bとプラズマ発生手段19bからなる表面処理手段対15bを、及び処理室Cにはスパッタリング手段18cとプラズマ発生手段19cからなる表面処理手段対15cを、それぞれ取り付けた。尚、各表面処理手段対15a、15b、15cの2つの表面処理手段は、キャンロール12に対向する側を210°の角度となるように保持した。また、スパッタリング手段18a、18bには共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段18cにはCrのスパッタリングターゲットを装着した。
[Example 1]
3-4, the processing chamber A includes a surface processing means pair 15a composed of a sputtering means 18a and a heater means 17a, and the processing chamber B includes a sputtering means 18b and a plasma generation means 19b. A pair of surface treatment means 15b and a pair of surface treatment means 15c consisting of a sputtering means 18c and a plasma generation means 19c were attached to the processing chamber C, respectively. The two surface treatment means of each pair of surface treatment means 15a, 15b, 15c held the side facing the can roll 12 at an angle of 210 °. The sputtering means 18a and 18b were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 18c was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図3の状態において、片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドからなるフィルム13を装着し、真空容器10の内部を真空容器底板10bに設置した全体用真空ポンプで真空排気した後、Oガスを導入して真空容器10の内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。片方の巻取巻出ロール11aから毎分10mの速さで巻き出したフィルム13を他方の巻取巻出ロール11bに巻き取りながら、各処理室A、B、Cにてキャンロール12の回転に合わせて移動するフィルム13に表面処理を施した。 First, in the state shown in FIG. 3, the whole vacuum pump in which a film 13 made of polyimide having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 11 a and the inside of the vacuum vessel 10 is installed on the vacuum vessel bottom plate 10 b. Then, O 2 gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 10 at 6.7 Pa (50 mm Torr). Rotating the can roll 12 in each of the processing chambers A, B, C while winding the film 13 unwound at a speed of 10 m / min from the one winding / unwinding roll 11a to the other winding / unwinding roll 11b. A surface treatment was applied to the film 13 moving in accordance with the above.

即ち、処理室Aでは、ヒータ手段17aに電力を供給して150℃の温度に保持することにより、フィルム13を加熱して乾燥処理した。また、処理室BとCでは、プラズマ発生手段19b、19cの各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給し、プラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドからなるフィルム13の処理を終え、フィルム13を他方の巻取巻出ロール11bに巻き取った。   That is, in the processing chamber A, the film 13 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 17a and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chambers B and C, the surface of the film 13 is activated or roughened by supplying 3 kW of power from the high frequency power source to each plasma electrode of the plasma generating means 19b and 19c to generate plasma discharge. Pretreatment was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to finish the treatment of the film 13 made of one roll of polyimide, and the film 13 was wound around the other winding / unwinding roll 11b.

次に、真空容器10の真空状態を破ることなく、各処理室の表面処理手段対15a、15b、15cを、それぞれ回転軸16を中心に反時計回りに回動させ、それぞれの表面処理手段を入れ替えた。例えば、処理室Aの場合、スパッタリング手段18aをキャンロール12に略対向させ、ヒータ手段14aはキャンロール12と対向しないように周壁突出部14内に移動させた。処理室B、Cも同様にして、図4の状態とした。その後、真空容器10の内部を全体用真空ポンプで真空排気した後、アルゴンガスを導入して真空容器10の内部を2.7Pa(20mmTorr)の圧力に保持した。この状態で、巻取巻出ロール11bに巻き取られているポリイミドからなるフィルム13を巻取巻出ロール11aに毎分5mの速さで搬送しながら、各処理室A、B、Cにおいて、キャンロール12の回転に合わせて移動するフィルム13に薄膜を形成した。   Next, without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 10, the surface treatment means pair 15a, 15b, 15c of each treatment chamber is rotated counterclockwise around the rotation shaft 16, and the respective surface treatment means are moved. Replaced. For example, in the case of the processing chamber A, the sputtering means 18 a is substantially opposed to the can roll 12, and the heater means 14 a is moved into the peripheral wall protrusion 14 so as not to face the can roll 12. The processing chambers B and C were similarly set to the state shown in FIG. Thereafter, the inside of the vacuum vessel 10 was evacuated with a vacuum pump for the whole, and then argon gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 10 at a pressure of 2.7 Pa (20 mm Torr). In this state, while conveying the film 13 made of polyimide wound around the winding / unwinding roll 11b to the winding / unwinding roll 11a at a speed of 5 m / min, in each processing chamber A, B, C, A thin film was formed on the film 13 that moved in accordance with the rotation of the can roll 12.

即ち、各処理室A、B、Cのスパッタリング手段18a、18b、18cに電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム13上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の成膜処理により、最初に処理室Cでスパッタリング手段18cにより厚さ約20nmのCrの薄膜を、次に処理室BとAでスパッタリング手段18b、18aにより合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   That is, power was supplied to the sputtering means 18 a, 18 b, and 18 c in each of the processing chambers A, B, and C, and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 13. Specifically, by a film forming process for about 200 minutes, a thin Cr film having a thickness of about 20 nm is first formed in the processing chamber C by the sputtering means 18c, and then in the processing chambers B and A by the sputtering means 18b and 18a. A thin film of Cu having a thickness of about 200 nm was sequentially stacked.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドのフィルム13は、真空容器10から取り出し、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することにより、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生が少なく、金属層のポリイミドフィルムへの密着力も良好であった。   The polyimide film 13 having been subjected to the above surface treatment is taken out of the vacuum vessel 10, and a Cu layer is further formed on the laminated thin film of Cr and Cu by a wet plating method to a thickness of 8 μm. A substrate was used. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film was not exposed to the air during the surface treatment, the occurrence of pinholes was small, and the adhesion of the metal layer to the polyimide film was also good.

[実施例2]
図5〜6の巻取式複合真空表面処理装置において、処理室用真空ポンプ23aを備えた処理室Aにはスパッタリング手段18aとヒータ手段17aを、処理室用真空ポンプ23bを備えた処理室Bにはスパッタリング手段18bとプラズマ発生手段19bを、処理室用真空ポンプ23cを備えた処理室Cにはスパッタリング手段18cとプラズマ発生手段19cを、それぞれ取り付けた。また、スパッタリング手段18a、18bには共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段18cにはCrのスパッタリングターゲットを装着した。
[Example 2]
5-6, the processing chamber A provided with the processing chamber vacuum pump 23a is provided with the sputtering means 18a and the heater means 17a, and the processing chamber B provided with the processing chamber vacuum pump 23b. The sputtering means 18b and the plasma generation means 19b were attached to the processing chamber C, and the sputtering means 18c and the plasma generation means 19c were attached to the processing chamber C provided with the processing chamber vacuum pump 23c. The sputtering means 18a and 18b were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 18c was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図5の状態において、片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドからなるフィルム13を装着し、真空容器底板10bに設けた全体用真空ポンプ(図示せず)を用いて真空容器10の各処理室A、B、C以外の部分を真空排気し、更に各処理室用真空ポンプ23a、23b、23cを用いて真空容器10の各処理室A、B、Cを真空排気した。その後、ヒータ手段17aを有する処理室Aは真空排気したままの状態とし、他の処理室B、CにはOガスを導入して内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。 First, in the state shown in FIG. 5, a film 13 made of polyimide having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 11a, and an overall vacuum pump (not shown) provided on the vacuum vessel bottom plate 10b. The portions other than the processing chambers A, B, and C of the vacuum vessel 10 are evacuated, and the processing chambers A, B, and C of the vacuum vessel 10 are further evacuated using the vacuum pumps 23a, 23b, and 23c for the processing chambers. Evacuated. Thereafter, the processing chamber A having the heater means 17a was kept evacuated, and O 2 gas was introduced into the other processing chambers B and C to keep the inside at 6.7 Pa (50 mm Torr).

この状態で、巻取巻出ロール11aから毎分10mの速さで巻き出したフィルム13を他方の巻取巻出ロール11bに巻き取りながら、各処理室A、B、Cでキャンロール12の回転に合わせて移動するフィルム13に表面処理を施した。即ち、処理室Aでは、ヒータ手段17aに電力を供給して150℃の温度に保持することにより、フィルム13を加熱して乾燥処理した。処理室Bでは、プラズマ発生手段19bのプラズマ電極に高周波電源から2kWの電力を供給し、及び処理室Cではプラズマ発生手段19bのプラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給して、それぞれプラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドからなるフィルム13を表面処理した。   In this state, while winding the film 13 unwound at a speed of 10 m / min from the winding / unwinding roll 11a onto the other winding / unwinding roll 11b, each processing chamber A, B, C A surface treatment was applied to the film 13 that moved in accordance with the rotation. That is, in the processing chamber A, the film 13 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 17a and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chamber B, 2 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 19b, and in the processing chamber C, 3 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 19b. By performing the above, a pretreatment for activating or roughening the surface of the film 13 was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to surface-treat the film 13 made of one roll of polyimide.

次に、真空容器10の真空状態を破ることなく、各処理室A、B、Cの表面処理手段対15a、15b、15cを、それぞれ回転軸4を中心に反時計回りに回動させ、それぞれの表面処理手段を入れ替えた。例えば、処理室Aの場合、スパッタリング手段18aをキャンロール12に略対向させ、ヒータ手段14aはキャンロール12と対向しないように周壁突出部14内に移動させた。処理室B、Cも同様にして、図6の状態とした。その後、真空容器10を全体用真空ポンプで真空排気した後、アルゴンガスを導入して真空容器10の内部を2.7Pa(20mmTorr)の圧力に保持した。   Next, without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 10, the surface processing means pairs 15a, 15b, 15c of the processing chambers A, B, C are respectively rotated counterclockwise around the rotation shaft 4, respectively. The surface treatment means was replaced. For example, in the case of the processing chamber A, the sputtering means 18 a is substantially opposed to the can roll 12, and the heater means 14 a is moved into the peripheral wall protrusion 14 so as not to face the can roll 12. The processing chambers B and C were similarly set to the state shown in FIG. Thereafter, the vacuum vessel 10 was evacuated with a vacuum pump for the whole, and then argon gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 10 at a pressure of 2.7 Pa (20 mm Torr).

この状態で、巻取巻出ロール11bに巻き取られているポリイミドのフィルム13を巻取巻出ロール11aに毎分5mの速さで搬送しながら、キャンロール12の回転に合わせて移動するフィルム13に、各処理室A、B、Cで薄膜を形成した。即ち、各スパッタリング手段18a、18b、18cに電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム13上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、まず処理室Cではスパッタリング手段18cにより厚さ約20nmのCrの薄膜を、次に処理室BとAではスパッタリング手段18b、18aにより合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   In this state, while the polyimide film 13 wound on the winding / unwinding roll 11b is conveyed to the winding / unwinding roll 11a at a speed of 5 m / min, the film moves in accordance with the rotation of the can roll 12. 13, a thin film was formed in each of the processing chambers A, B, and C. That is, power was supplied to each sputtering means 18 a, 18 b, 18 c and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 13. Specifically, by processing for about 200 minutes, first, a thin film of about 20 nm in thickness is formed in the processing chamber C by the sputtering means 18c, and then in the processing chambers B and A, the total thickness is about 200 nm by the sputtering means 18b and 18a. Cu thin films were sequentially laminated.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドからなるフィルム13は、真空容器10から取り出した後、実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することにより、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生が少なく、金属層のポリイミドフィルムへの密着力は実施例1の場合よりも更に向上していた。   The film 13 made of polyimide after the above surface treatment was taken out of the vacuum vessel 10 and then, similarly to Example 1, a Cu layer was further formed on the laminated thin film of Cr and Cu by a wet plating method to a thickness of 8 μm. By forming this, a copper polyimide flexible substrate was obtained. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film is not exposed to the air during the surface treatment, the occurrence of pinholes is small, and the adhesion of the metal layer to the polyimide film is more than in the case of Example 1. It was further improved.

[比較例]
途中で真空状態を破らなければ複数の表面処理を行うことができない従来一般の巻取式真空表面処理装置での処理例として、各処理室に1つの表面処理手段が固定されていること以外は上記上記実施例1と基本的に同様の構造を有する図7〜8の表面処理装置を用いて、下記のごとく表面処理を実施した。尚、図7〜8において、図3〜4と同一部分には同一の符号を付してある。
[Comparative example]
As an example of processing in a conventional general winding type vacuum surface processing apparatus in which a plurality of surface treatments cannot be performed unless the vacuum state is broken in the middle, except that one surface processing means is fixed in each processing chamber. Surface treatment was carried out as follows using the surface treatment apparatus shown in FIGS. 7 to 8 having basically the same structure as in Example 1 above. 7-8, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 3-4 and an identical part.

即ち、まず、図7の状態において、真空容器10の表面処理手段として、処理室Aにはヒータ手段17aを、処理室Bにはプラズマ発生手段19bを、処理室Cにはプラズマ発生手段19cを、それぞれ取り付けた。片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドからなるフィルム13を装着し、真空容器10の内部を真空排気した後、Oガスを導入して真空容器10の内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。 That is, first, in the state of FIG. 7, as the surface treatment means of the vacuum vessel 10, the processing chamber A has the heater means 17a, the processing chamber B has the plasma generation means 19b, and the processing chamber C has the plasma generation means 19c. , Each attached. A film 13 made of polyimide having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 11a, and the inside of the vacuum vessel 10 is evacuated, and then O 2 gas is introduced to make the inside of the vacuum vessel 10 6 It was held at 0.7 Pa (50 mm Torr).

巻取巻出ロール11aから巻き出したポリイミドのフィルム13をキャンロール12に沿わせて毎分10mの速さで移動させながら、処理室Aではヒータ手段17aを150℃の温度に保持してフィルム13を乾燥処理し、処理室BとCではプラズマ発生手段19b、19cの各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給して、プラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドからなるフィルム13の処理を終了した。   While the polyimide film 13 unwound from the winding / unwinding roll 11a is moved along the can roll 12 at a speed of 10 m / min, in the processing chamber A, the heater means 17a is maintained at a temperature of 150 ° C. In the processing chambers B and C, the surface of the film 13 is activated or activated by supplying plasma power to the plasma electrodes of the plasma generating means 19b and 19c from a high frequency power source to generate plasma discharge. A pretreatment for roughening was performed. These surface treatments were continuously performed for about 100 minutes, and the treatment of the film 13 made of one roll of polyimide was completed.

その後、真空容器10を真空リークして大気圧に戻し、上記のごとく乾燥及びプラズマ処理されたポリイミドのフィルム13を取り出した。取り出したフィルム13を図8の装置に移して、巻取巻出ロール11bに装着した。また、真空容器10の表面処理手段として、処理室AとBにはCuのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段18a、18bを、処理室CにはCrのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段18cを、それぞれ取り付けた。   Thereafter, the vacuum vessel 10 was vacuum leaked to return to atmospheric pressure, and the polyimide film 13 dried and plasma-treated as described above was taken out. The film 13 taken out was transferred to the apparatus shown in FIG. 8 and mounted on the winding / unwinding roll 11b. Further, as the surface treatment means of the vacuum vessel 10, the treatment chambers A and B have sputtering means 18a and 18b having a Cu sputtering target, and the treatment chamber C has sputtering means 18c having a Cr sputtering target. Attached.

この状態で、真空容器10の内部を真空排気した後、Arガスを導入して真空容器10の内部を2.7Pa(20mmTorr)の圧力に保持した。巻取巻出ロール11bからフィルム13を巻取巻出ロール11aに毎分5mの速さで搬送しながら、各処理室A、B、Cでキャンロール12の回転に合わせて移動するフィルム13に薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、まず処理室Cで厚さ約20nmのCrの薄膜を、次に処理室BとAで合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   In this state, the inside of the vacuum vessel 10 was evacuated and then Ar gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 10 at a pressure of 2.7 Pa (20 mm Torr). While the film 13 is transported from the winding / unwinding roll 11b to the winding / unwinding roll 11a at a speed of 5 m / min, the film 13 moves in accordance with the rotation of the can roll 12 in each processing chamber A, B, C. A thin film was formed. Specifically, by processing for about 200 minutes, a Cr thin film having a thickness of about 20 nm is first formed in the processing chamber C, and then a Cu thin film having a total thickness of about 200 nm is sequentially stacked in the processing chambers B and A. did.

上記の表面処理を終了したポリイミドからなるフィルム13は、実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成して、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、一旦処理されたフィルムを途中で大気中に曝していることから、上記実施例1の場合に比べて、ピンホールの発生が多く、且つ金属層のポリイミドフィルムへの密着力も若干劣っていた。   The film 13 made of polyimide after the above surface treatment was formed by forming a Cu layer to a thickness of 8 μm on the laminated thin film of Cr and Cu by wet plating as in Example 1 to obtain a copper polyimide flexible substrate. It was. Since the obtained copper polyimide flexible substrate exposes the film once processed to the air in the middle, the occurrence of pinholes is larger than in the case of Example 1, and the polyimide film has a metal layer. The adhesion was slightly inferior.

従来の巻取式真空成膜装置の最も基本的な構成を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the most basic structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 従来の巻取式真空成膜装置の他の構成を示す概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing which shows the other structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 本発明の巻取式複合真空表面処理装置の一具体例を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one specific example of the winding type composite vacuum surface treatment apparatus of this invention. 図3の装置の表面処理手段を移動した状態を示す概略の断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state where the surface treatment means of the apparatus of FIG. 3 is moved. 本発明の巻取式複合真空表面処理装置の他の具体例を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other specific example of the winding type composite vacuum surface treatment apparatus of this invention. 図5の装置の表面処理手段を移動した状態を示す概略の断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a state in which the surface treatment means of the apparatus of FIG. 5 is moved. 比較例の巻取式複合真空表面処理装置を示す概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing which shows the winding type composite vacuum surface treatment apparatus of a comparative example. 図7の装置の表面処理手段を交換した状態を示す概略の断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a state where the surface treatment means of the apparatus of FIG. 7 is replaced.

符号の説明Explanation of symbols

1 真空チャンバ
2 フィルム
3 薄膜形成部
7、7a、7b 成膜ドラム
8 カソード組立体
10 真空容器
10a 真空容器周壁
10b 真空容器底板
11a、11b 巻取巻出ロール
12 キャンロール
13 フィルム
14 周壁突出部
15a、15b、15c 表面処理手段対
16 回転軸
17a ヒータ手段
18a、18b、18c スパッタリング手段
19b、19c プラズマ発生手段
20 第1遮蔽板
21 第2遮蔽板
22 マスク板
23a、23b、23c 処理室用真空ポンプ


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Film 3 Thin film formation part 7, 7a, 7b Film-forming drum 8 Cathode assembly 10 Vacuum container 10a Vacuum container surrounding wall 10b Vacuum container bottom plate 11a, 11b Winding unwinding roll 12 Can roll 13 Film 14 Circumferential wall protrusion 15a 15b, 15c Surface treatment means pair 16 Rotating shaft 17a Heater means 18a, 18b, 18c Sputtering means 19b, 19c Plasma generating means 20 First shielding plate 21 Second shielding plate 22 Mask plate 23a, 23b, 23c Vacuum pump for processing chamber


Claims (5)

真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なキャンロールと、キャンロールに対向して配置された表面処理手段とを備え、フィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理を施す表面処理装置であって、
真空容器底板に設置した回転軸にキャンロールに対向する側が180°より大きな角度となるように固定された2つの表面処理手段からなり、キャンロールに略対向して回動可能に配置された複数の表面処理手段対と、これらの表面処理手段対が回転軸を中心に回動可能なように真空容器外側に拡張された真空容器周壁の周壁突出部と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように、真空容器底板に固定され、表面処理手段対が配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロールから分離する一対の第1遮蔽板と、真空容器底板に固定されてキャンロール近くから真空容器周壁近くまで延長し、処理ゾーン内を1つの表面処理手段対を含む複数の処理室に区画する複数の第2遮蔽板と、キャンロール前で真空容器底板、第1遮蔽板、第2遮蔽板のいずれかに固定され、各処理室内において表面処理手段対に略対向するフィルム処理位置以外を覆う複数のマスク板とを備えると共に、
処理ゾーン内の各処理室において、回転軸を中心に表面処理手段対を回動させ、表面処理手段対の一方の表面処理手段をキャンロールに略対向させ且つ他方の表面処理手段を周壁突出部内に移動させることにより、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する表面処理手段を変えることができる巻取式複合真空表面処理装置。
In a substantially cylindrical vacuum vessel equipped with a vacuum pump that evacuates the entire vacuum vessel, a pair of film winding and unwinding rolls, a rotatable can roll having an axial center substantially coincided with the vacuum vessel, and a can roll And a surface treatment device arranged to face the film, and is a surface treatment device for performing a surface treatment on the film that is unwound or wound between the film winding and unwinding rolls and moves along the can roll,
A plurality of surface treatment means that are fixed to a rotating shaft installed on the bottom plate of the vacuum vessel so that the side facing the can roll is at an angle larger than 180 °, and arranged so as to be substantially opposed to the can roll. A pair of surface treatment means, a protrusion on the peripheral wall of the vacuum vessel that is extended to the outside of the vacuum vessel so that the pair of surface treatment means can rotate about the rotation axis, and a space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll A pair of first shielding plates that are fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to be substantially shielded and separate the processing zone in which the surface treatment means pair is disposed from the pair of film winding and unwinding rolls, and are fixed to the vacuum vessel bottom plate. A plurality of second shielding plates that extend from near the can roll to near the vacuum vessel peripheral wall and divide the inside of the treatment zone into a plurality of treatment chambers including a pair of surface treatment means, a vacuum vessel bottom plate, and a first shielding plate before the can roll. Plate, is fixed to one of the second shielding plate provided with a plurality of mask plate covering the non-film processing position substantially opposed to the surface treatment unit pair in each processing chamber,
In each treatment chamber in the treatment zone, the pair of surface treatment means is rotated about the rotation axis so that one surface treatment means of the pair of surface treatment means is substantially opposed to the can roll and the other surface treatment means is placed in the peripheral wall protrusion. A roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus capable of changing the surface treatment means that is substantially opposite to the film processing position in each processing chamber by being moved to the position.
前記複数の第2遮蔽板によって各処理室がほぼ気密状態に遮蔽されると共に、各処理室は真空容器周壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種での表面処理を行うことができることを特徴とする、請求項1に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   Each processing chamber is shielded in an almost airtight state by the plurality of second shielding plates, and each processing chamber has a processing chamber vacuum pump installed on the peripheral wall of the vacuum vessel, and each processing chamber has a different pressure. The wind-up type composite vacuum surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment can be performed with a gas type. 前記表面処理手段が、フィルム乾燥用のヒータ手段、表面処理用のイオン源、フィルム前処理用のプラズマ発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段のいずれかであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The surface treatment means is any one of a heater means for film drying, an ion source for surface treatment, a plasma generation means for film pretreatment, and a sputtering means for thin film formation. The winding type composite vacuum surface treatment apparatus according to 2. 前記キャンロールが加熱冷却手段を有し、キャンロール表面の温度制御が可能であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The winding type composite vacuum surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the can roll has a heating / cooling means, and the temperature of the can roll surface can be controlled. 請求項1〜4に記載のいずれかの巻取式複合真空表面処理装置を用い、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内で表面処理手段対のフィルム処理位置に略対向する片方の表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、回転軸を中心に表面処理手段対を回動させ、先に用いた一方の表面処理手段を周壁突出部に移動させ且つ他方の表面処理手段をキャンロールに略対向させることにより、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する表面処理手段を変え、再びフィルムをキャンロールに沿って移動させながら、各処理室内のフィルム処理位置に略対向する他方の表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法。


Using the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, while moving the film in one direction along the can roll, the film treatment position of the pair of surface treatment means is approximately set in each treatment chamber. The surface treatment of the film is performed by one surface treatment means facing each other, and after the surface treatment is finished, the pair of surface treatment means is rotated around the rotation axis, and the one surface treatment means used earlier is the peripheral wall protrusion. And the other surface treatment means is substantially opposed to the can roll, thereby changing the surface treatment means substantially opposite the film treatment position in each treatment chamber, and moving each film while moving the film along the can roll again. A surface treatment method for a film, characterized in that the surface treatment of the film is performed by the other surface treatment means substantially opposite to the film processing position in the room.


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