JP4734836B2 - 電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、電界発光素子に関する。

表示素子、バックライト、照明光源、電子写真用露光装置、標識、看板等の分野では、電気エネルギーを光に変換して発光する素子として電界発光素子（以下、場合により「ＥＬ素子」という）が知られている。ＥＬ素子は、自発光性の全固体素子であり、視認性が高く衝撃にも強いため、広く応用が期待されている。

ＥＬ素子は、発光材料の種類によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに大別される。このうち、有機ＥＬ素子は、有機色素等の発光材料を含む発光層を備えるもので、陰極から電子が、陽極から正孔がそれぞれ発光層に注入されることにより、発光層中の発光材料が高いエネルギー準位に励起され、励起された発光材料が基底状態に戻る際の余分なエネルギーを光として放出する現象を利用したものである。

有機ＥＬ素子に関する研究は、発光材料としてアントラセン等の単結晶を用いて始められた。しかし、開発当初の有機ＥＬ素子は、発光層の膜厚が１ｍｍ程度と厚く、１００Ｖ以上の駆動電圧を必要とした。

そこで、素子特性の改善を図るべく蒸着法による発光層の薄膜化が試みられた（例えば、非特許文献１を参照）。しかし、蒸着法により形成された発光層であっても駆動電圧は未だ高いものであり（例えば３０Ｖ程度）、さらに、発光層中のキャリア（電子又は正孔）の密度が低く、キャリアの再結合によるフォトンの生成確率が低いため十分な輝度が得られず、実用化には至らなかった。

このような背景の下、Ｔａｎｇらにより、機能分離型の有機ＥＬ素子が開発された（例えば、特許文献１及び非特許文献２を参照）。この有機ＥＬ素子は、透明基板上に、陽極、正孔輸送層、電子輸送性発光層、陰極を順次積層して構成されたもので、正孔輸送層及び電子輸送性発光層は真空蒸着法により形成された極めて薄い層である。この有機ＥＬ素子における発光は、陽極から正孔輸送層に注入される正孔と、陰極から電子輸送性発光層に注入される電子との再結合によるもので、１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２以上の輝度を得ることができると報告されている。

上述のＴａｎｇらの報告以来、有機ＥＬ素子の研究・開発が盛んに行われており、その一環として、有機ＥＬ素子の構成材料に関する検討がなされている。例えば、有機発光体としては８−キノリノールアルミニウム錯体、クマリン化合物等、蛍光を発する有機色素等が知られており、また、正孔輸送層や発光層に用いられる電荷輸送性材料としては、Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンや１，１−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル］シクロヘキサン等のジアミノ化合物や４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル）アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン化合物等が知られている。
特開昭５９−１９４３９３号公報 Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，９４，１７１（１９８２） Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）

しかしながら、上記従来の有機ＥＬ素子であっても、発光時の安定性及び保存安定性の点で改善の余地がある。

より具体的には、発光層や正孔輸送層が非常に薄く形成されるため（例えば、数十〜数百ｎｍ）、単位厚さ当りに加わる電圧は非常に高くなる。そのため、駆動時の電流密度が高くなり（例えば数ｍＡ／ｃｍ^２）、大量のジュール熱が発生して素子特性が損なわれてしまう。また、非駆動時には、発光層や正孔輸送層の構成材料が経時的に変質したり、雰囲気中の酸素や水分等の影響により劣化したりすることがある。

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、発光時の安定性及び保存安定性に優れ、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を得ることが可能な有機電界発光素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の電界発光素子は、互いに対向して配置された陽極及び陰極からなる電極対と、該電極対間に設けられた、下記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を含有する第１の有機層と、を有することを特徴とする。

［一般式（Ｉ−１）中、Ａｒ^２ は未置換のビフェニル基、Ｒ^３は水素原子、又は未置換のフェニル基、Ｒ^４はメチル基又は（イソ）プロピル基で置換されたフェニル基、Ｒ^７は水素原子、をそれぞれ表す。］
上記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物は、電荷注入特性及び電荷輸送性に優れており、さらに、これらの特性を長期にわたって高水準に維持するための十分な耐電特性及び化学的安定性を有している。したがって、本発明の電界発光素子によれば、上記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を含有する第１の有機層を設けることで、発光時の安定性及び保存安定性が十分に高められ、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を得ることが可能となる。

上記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物は、上述のように電荷注入特性及び電荷輸送性に優れるが、特に正孔輸送性に優れるため、本発明の電界発光素子としては下記（Ａ）又は（Ｂ）に示す態様のものが好ましい。
（Ａ）第１の有機層の陽極と反対側に、発光用ドーパント材料を含有する発光層を更に備える電界発光素子。
（Ｂ）第１の有機層が発光用ドーパント材料を更に含有する電界発光素子。

上記（Ａ）に示した電界発光素子は、換言すれば、陽極、第１の有機層（正孔輸送層）、第２の有機層（発光層）及び陰極がこの順序で配置された積層構造を有するものである。電界発光素子（Ａ）においては、正孔輸送層である第１の有機層に一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を含有することにより、陽極から正孔輸送層への電荷注入特性及び正孔輸送性から発光層への正孔輸送性が高水準で達成され、また、それらの特性が長期にわたって安定的に維持される。したがって、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を示す電界発光素子が有効に実現可能となる。

さらに、一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物は十分な電子注入特性及び電子輸送性をも有するものであるため、電界発光素子（Ａ）において、一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を第２の有機層に含有させてもよい。これにより、第２の有機層の電子輸送性発光層としての機能が高められ、素子特性を更に改善することができるようになる。

一方、上記（Ｂ）に示した電界発光素子においては、第１の有機層が発光層として機能する。かかる発光層が一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を含有することで、陽極からの正孔及び陰極からの電子の発光層への注入特性、並びに発光層内での正孔及び電子の輸送性が十分に高められ、また、それらの特性が長期にわたって安定的に維持される。したがって、この場合も、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を示す電界発光素子が有効に実現可能となる。

さらに、本発明の電界発光素子は、陰極と発光層との間に電子輸送層を更に備えるものであってもよい。この場合、上記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物は、上述の通り十分な電子注入特性及び電子輸送性を示すため、当該化合物を電子輸送層に含有させることで電子輸送層の機能を向上させることができる。

また、一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物は、それ自身が発光特性を有するため、発光材料として用いることもできる。例えば、第１の有機層が本発明の電界発光素子においては、一般式（Ｉ−１）発光材料として用いてもよい。

本発明においては、一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を用いることで、電荷注入特性及び電荷輸送性を一層高水準で達成することができ、また、それらの特性をより長期にわたって安定的に維持することができるようになる。

また、本発明の電界発光素子においては、第１の有機層が結着樹脂を更に含有することを特徴としてもよい。

電荷輸送材料又は発光材料を結着樹脂に分散させた有機層は、塗布法により形成可能であるため、製造の簡略化、加工性の改善、素子の大面積化、コスト低減などの点で有効である。しかし、従来の電界発光素子の場合、その構成材料（特に電荷輸送材料）の結着樹脂に対する相溶性、あるいは塗布液の溶剤に対する溶解性が不十分であり、結晶化しやすいなどの問題がある。これに対して本発明では、上記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物が結着樹脂に対する相溶性及び塗布液の溶剤に対する溶解性に優れるため、一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物及び結着樹脂を含有する第１の有機層を塗布法により有効に形成することができ、所望の特性を有する電界発光素子を効率よく且つ簡便に得ることができる。

本発明によれば、発光時の安定性及び保存安定性に優れ、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を得ることが可能な有機電界発光素子を提供することが可能となる。

以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。

本発明では、下記一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物の特に好適な態様である、下記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を用いることを要する。

［一般式（Ｉ）中、Ａｒ ^１ は−Ｒ ^５ −ＣＯＯ−Ｒ ^６ （Ｒ ^５ は炭素数１〜４のアルキレン基を表し、Ｒ ^６ は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）で表される基で置換されたフェニル基、置換若しくは未置換の１価多環芳香族基又は置換若しくは未置換の１価ヘテロ環基、Ａｒ ^２ は置換若しくは未置換のアリーレン基、Ｒ ^１ は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基又は置換若しくは未置換のアルキル基、Ｒ ^２ は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基、Ｒ ^３ ，Ｒ ^４ は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基（但し、Ｒ ^３ 又はＲ ^４ の少なくとも一方は置換若しくは未置換のアリール基を表し、Ｒ ^３ とＲ ^４ とは単結合又は２価の基により結合して環を形成してもよい。）、ｍは０〜４の整数、をそれぞれ表す。］

［一般式（Ｉ−１）中、Ａｒ ^２ は置換若しくは未置換のビフェニル骨格を有する基、Ｒ ^３ は水素原子、又は未置換のフェニル、Ｒ ^４ は置換若しくは未置換のアリール基、Ｒ ^７ は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基又は置換若しくは未置換のアルキル基、をそれぞれ表す。］

一般式（Ｉ）中のＡｒ ¹ で表される基の好ましい例は以下のとおりである。
−Ｒ^５−ＣＯＯ−Ｒ^６で表される基で置換されたフェニル基は、下記一般式（Ａｒ１−１）で表される。一般式（Ａｒ１−１）において、Ｒ^５は炭素数１〜３のアルキレン基が好ましく炭素数の１〜２のアルキレン基がより好ましい。Ｒ^６は炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素数の１〜２のアルキル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。

置換若しくは未置換の１価多環芳香族炭化水素基として好適な、置換若しくは未置換の１価縮合多環式炭化水素基は、２〜３個のベンゼン環を有するものが好ましく、下記一般式（Ａｒ１−２）、（Ａｒ１−３）、（Ａｒ１−４）で表される基が特に好ましい。なお、以下の一般式におけるＲ^９、Ｒ^１０及びＲ^１１は各々独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。

置換若しくは未置換の１価多環芳香族炭化水素基として好適な、置換若しくは未置換のフェニル基で置換されたビフェニル基としては、下記一般式（Ａｒ１−５）で表される基が挙げられ；炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換されてもよいビフェニル基としては、下記一般式（Ａｒ１−６）で表される基が挙げられる。なお、以下の一般式におけるＲ^７は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基又は置換若しくは未置換のアルキル基であり、このＲ^７は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

置換若しくは未置換の１価ヘテロ環基として好適な、置換若しくは未置換の１価縮合へテロ環基としては、以下の一般式（Ａｒ１−７）で表される基が特に好ましい。また、３〜６員のヘテロ環の少なくとも１つとベンゼン環の少なくとも１つが単結合又は２価の基（炭素数１〜３のアルキレン基、炭素数１〜３のアルケニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−等）により結合したヘテロ環状化合物からなる１価基としては、ヘテロ原子がイオウ原子であるものがよく、このような基としては、以下の一般式（Ａｒ１−８）、（Ａｒ１−９）で表される基が挙げられる。

上述した基Ａｒ^１の中では、一般式（Ａｒ１−６）で表される基（ビフェニル骨格を有する基）又は一般式（Ａｒ１−４）で表される基（フルオレン骨格を有する基）が、上記化合物を電荷輸送材料として用いたときの電荷注入性及び電荷移動度の高さから特に好ましい。

一般式（Ｉ）中のＡｒ^２で表される基の好適な実施形態は以下の通りであり、一般式（Ｉ−１）におけるＡｒ^２で表される基は、未置換のビフェニル基である。

Ａｒ^２として好適な、置換若しくは未置換のフェニレン基としては、以下の一般式（Ａｒ２−１）で表される基が挙げられ；置換若しくは未置換の２価縮合多環式炭化水素基としては、下記一般式（Ａｒ２−２）、（Ａｒ２−３）、（Ａｒ２−４）、（Ａｒ２−５）で表される基が好適である。なお、下記一般式中のＲ^１３、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^２０は各々独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコシキ基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基又はハロゲン原子を意味する。

Ａｒ^２として好適な、２価縮合複素環基としては、下記一般式（Ａｒ２−６）で表される基が挙げられ；置換若しくは未置換のフェニル基の２つが単結合又は２価の基により結合してなる２価基としては、下記一般式（Ａｒ２−７）で表される基が好適である。なお、以下の一般式におけるＲ^１４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９は各々独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコシキ基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基又はハロゲン原子を表す。

一般式（Ａｒ２−７）中のｃは０又は１を表し、ｃが０である場合は単結合を意味する。また、ｃが１である場合のＶは、以下の（Ｖ−１）〜（Ｖ−１１）のいずれかを表す。なお、以下の一般式におけるｄは１〜１０の整数、ｅは１〜３の整数である。

上述した基Ａｒ^２の中では、一般式（Ｉ−１）におけるＡｒ ^２ である、一般式（Ａｒ２−７）で表される基においてｃが０である基（ビフェニル骨格を有する基）が、上記化合物を電荷輸送材料として用いたときの電荷注入特性及び電荷移動度の高さから特に好ましい。

一般式（Ｉ）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の好ましい例は以下の通りである。一般式（Ｉ）の好適な態様である一般式（Ｉ−１）においては、Ｒ^３は水素原子、又は未置換のフェニル基であり、Ｒ^４はメチル基又は（イソ）プロピル基で置換されたフェニル基である。

Ｒ^１としては、水素原子、ハロゲン原子（例えば塩素、フッ素）、炭素数１〜４のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）又は炭素数１〜４の置換若しくは未置換のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等）が好ましい。

Ｒ^２としては、水素原子、炭素数１〜４の置換若しくは未置換のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基）又は炭素数６〜１２のアリール基（例えば、フェニル、２-メチルフェニル、3-メチルフェニル、４−メチルフェニル）が好ましく、これらの中では水素原子が特に好ましい。

Ｒ^３及びＲ^４としては、各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基）又はアリール基が好ましい。ここで、Ｒ_３及びＲ_４の少なくとも一方は、置換若しくは未置換のアリール基（例えば、フェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−ｔ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基）である。

Ｒ^３及びＲ^４は、単結合又は２価の基により結合して環を形成してもよく、当該２価の基としては、炭素数１〜３のアルキレン基又は炭素数１〜３のアルケニレン基が好ましい。Ｒ₃及びＲ₄が単結合又は２価の基により結合して環を形成した構造（構造（ａ）〜（ｅ））を以下に示す。なお、以下の構造ではＲ^３及びＲ^４が結合している炭素−炭素二重結合も同時に示してある。

一般式（Ｉ）又は（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物では、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で置換されたビニル基がベンゼン環１個当たり１個ずつ存在するが、当該ビニル基のベンゼン環における置換位置は互いに同一であることが好ましい。すなわち、当該２個のビニル基はベンゼン環の窒素結合位を基準として、共にｏ位、ｍ位又はｐ位であることが好ましい。

また、Ｒ^１はベンゼン環１個当たりｍ個ずつ存在するが、Ｒ¹のベンゼン環における置換位置は互いに同一であることが好ましい。例えば、Ｒ^１がベンゼン環１個当たり１個ずつ存在する場合、２個のＲ^１はベンゼン環の窒素結合位を基準として、共にｏ位、ｍ位又はｐ位であることが好ましい。

Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で置換されたビニル基の好適な置換位置はｐ位であり、Ｒ^１の好適な置換位置はｍ位である。

一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物の具体例（化合物１〜６４）を表１〜８に示す。これらの具体例中、一般式（Ｉ−１）表されるアリールアミン化合物に相当する具体例は、化合物９〜１１、１５である。なお、表１〜８には、各化合物について、一般式（Ｉ）におけるＡｒ^１、Ａｒ^２、ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４の具体的構造及びビニル基の位置を示した。ここでいう「ビニル基の位置」とは、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で置換されたビニル基の置換位置を意味する。

（アリールアミン化合物の製造方法）
一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉ−１）で表わされるアリールアミン系化合物は、公知の方法を用いて製造できる。例えば、公知のアリールアミン原料化合物をとして用いて、公知なカルボニル導入反応を行い（アシル化工程）、次いで、Ｗｉｔｔｉｇ反応を行う（炭素−炭素二重結合導入工程）ことにより、目的の化合物を得る方法である。

以下の式は、アリールアミン原料化合物（Ｉ−ａ）にカルボニル基を導入して、アシル化アリールアミン（Ｉ−ｂ）を得るアシル化工程を示すものである。なお、アリールアミン原料化合物（Ｉ−ａ）中のＡｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１、ｍ、及びアシル化アリールアミン（Ｉ−ｂ）のＡｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、ｍは、一般式（Ｉ）中のＡｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、ｍと同義である。

アシル化工程においては、導入するアシル基がホルミル基（Ｒ^２が水素原子の場合）である場合と、ホルミル基以外のアシル基（Ｒ^２が水素原子以外の場合）である場合とで、例えば、以下のように反応条件を変えることが好ましい。

（ｉ）Ｒ^２が水素原子の場合：
アリールアミン原料化合物（Ｉ−ａ）をオキシ塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させることで、アシル化アリールアミン（Ｉ−ｂ）（ビスホルミル体）が得られる。この場合、ホルミル化剤を過剰に用いて、反応溶媒を兼ねることもできるが、ｏ−ジクロロベンゼン、ベンゼン、塩化メチレン等の反応に不活性な溶媒を用いることもできる。反応温度は０℃から用いる溶媒の沸点の範囲で任意に設定可能である。好ましくは室温から、１５０℃以下である。

（ｉｉ）Ｒ^２が水素原子以外の場合：
アリールアミン原料化合物（Ｉ−ａ）を塩化アルミニウム、塩化鉄、塩化亜鉛等のルイス酸存在下、ニトロベンゼン、塩化メチレン、四塩化炭素等の溶媒中、一般式Ｃｌ−ＣＯ−Ｒ_２ で表わされる酸塩化物と反応させることにより、いずれでもアシル化アリールアミン（Ｉ−ｂ）（ケトン体）が得られる。この場合の反応温度は、０℃から用いる溶媒の沸点の範囲で任意に設定可能である。好ましくは室温から、１５０℃以下である。

次に、炭素−炭素二重結合導入工程を実施するが、本工程では、上記アルデヒド体又はケトン体の化合物と下記亜燐酸ジアルキルエステル化合物（Ｉ−ｃ）を塩基の存在下で室温から１００℃程度の温度でＷｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応させて、目的化合物の一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を得る。なお、亜燐酸ジアルキルエステル化合物（Ｉ−ｃ）中のＲ^３、Ｒ^４は一般式（Ｉ）中のＲ^３、Ｒ^４と同義であり、Ｒ^２１はメチル、エチル等の低級アルキル基を示す。

炭素−炭素二重結合導入工程において用いられる塩基としては、水素化ナトリウム；水酸化ナトリウム；ナトリウムアミド；ナトリウムメトキシド；ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の金属アルコキシドが使われる。溶媒としては、メタノール、エタノール等の低級アルコール；１，２−ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；トルエン、キシレン等の炭化水素；ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒；又はこれら混合物を用いることができる。

反応後、一般式（Ｉ）のアリールアミン化合物は公知の方法で精製することが可能であり、精製には、例えば、シリカゲル、アルミナ、活性白土等の吸着を用いることができる。活性白土の場合、トルエン等の非極性溶媒中で１００℃以上で吸着処理することが好ましく、これにより高純度の目的物質が得やすくなる。

次に、本発明の電界発光素子について詳述する。

図１は本発明の電界発光素子にかかる第１実施形態を示す模式断面図である。図１に示した電界発光素子は、絶縁性基板１上に、下部電極（陽極）２、正孔輸送層３、発光層４、及び上部電極（陰極）６がこの順に形成されたもので、正孔輸送層３は上記一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有する有機層である。

絶縁性基板１は、発光層４からの発光を絶縁性基板１の側から取り出すために、その発光に対する光透過性を有していること（透明又は半透明であること）が好ましく、ガラス基板、プラスチックフィルム等が好適に用いられる。なお、ここでいう光透過性とは、可視領域の光に対する透過率が１０％以上であることを意味し、当該透過率は７５％以上であることが好ましい。絶縁性基板１の厚みは、０．１〜１００μｍが好適である。

下部電極２は、後述する上部電極６と共に電極対を構成し、各電極には交流電源が接続される。図１に示した電界発光素子の場合、下部電極２は正孔輸送層３に正孔を注入する陽極として機能し、他方、上部電極６は発光層４に電子を注入する陰極として機能する。

図１に示した電界発光素子においては、絶縁性基板１の側から発光が取り出されるため、下部電極２が光透過性を有していることが好ましく、具体的には、可視領域の光に対する透過率が１０％以上であることが好ましく、７５％以上であることがより好ましい。また、下部電極２としては、正孔の注入を行うため仕事関数の大きなものがよく、仕事関数が４ｅＶ以上のものが好ましい。さらに、下部電極２のシート抵抗は、低いほど好ましく、数百Ω／ｃｍ^２以下が好ましく、１０Ω／ｃｍ^２以下がより好ましい。下部電極２の構成材料としては、具体的には、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の酸化物、並びに金、白金、パラジウム等が挙げられる。下部電極２は、蒸着法、スパッタ法などにより上記材料を用いて形成することができる。下部電極２の厚みは、好ましくは０．０１〜０．５μｍである。

下部電極２、並びに後述する上部電極６の形状は特に制限されない。例えば、下部電極２及び上部電極６の個々を帯状とし、互いに交差する方向にそれぞれ延在し且つそれぞれ複数のストライプ状に設けてもよい。この場合、下部電極２及び上部電極６の一方が行電極、他方が列電極となり、両者の延在方向が互い直交するように配置することによりマトリクス電極が構成される。このマトリクス電極によって構成される各画素に所定電圧を印可することにより、発光層４が電界発光する。印可電圧は直流電圧又は交流電圧のいずれであってもよい。また、印可電圧の大きさは適宜選定されるが、例えば直流電圧を印可する場合、その電圧は４〜２０Ｖが好ましく、また、電流密度は１〜２００ｍＡ／ｃｍ^２が好ましい。

正孔輸送層３は、上述の通り、上記一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有する有機層であり、下部電極２（陽極）と発光層４との間に設けられる。これにより、下部電極（陽極）２から注入される正孔が、正孔輸送層３を通って発光層４に移動し、上部電極（陰極）６から発光層４に注入される電子と再結合して電界発光する。

正孔輸送層３は、陽極２と正孔輸送層３は、一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物のみで構成されていてもよいが、必要に応じて他の材料を含んでいてもよい。

例えば、正孔輸送層３における正孔移動度を調節する点からは、正孔輸送層３がテトラフェニレンジアミン誘導体を更に含有することが好ましい。フェニレンジアミン誘導体の含有量は、正孔輸送層３の固形分全量を基準として、１〜５０重量％であることが好ましい。

また、成膜性の向上、ピンホールの防止等の点から、正孔輸送層３に適切な樹脂（ポリマー）及び／又は添加剤を加えてもよい。樹脂としては、具体的には、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリシラン樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などが挙げられる。また、添加剤としては、従来公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。

正孔輸送層３がフェニレンジアミン誘導体、樹脂又は添加剤を更に含有する場合、一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物の含有量は、正孔輸送層３の固形分全量を基準として、好ましくは１〜５０重量％、より好ましくは１０〜４０重量％である。

正孔輸送層３の形成は、真空蒸着などの蒸着法、あるいは一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含む塗布液を用いた塗布法により行うことができる。

塗布法としては、より具体的には、スピンコーティング法、キャスト法、ディップ法等などが挙げられる。また、塗布法において用いられる塗布液の溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ベンジルアルコール、アセトン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン等が挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

正孔輸送層３の厚みは、材料に応じて適宜選定されるが、好ましくは０．０１〜２μｍ、より好ましくは０．０３〜０．２μｍである。正孔輸送層３の厚みが０．０１未満であると、ピンホールが発生しやすくなり、発光素子においてダークスポットが発生しやすくなる傾向にある。また、正孔輸送層３の厚みが２μｍを超えると、正孔輸送層３の内部抵抗が上昇し、駆動電圧が大きくなる傾向にある。

発光層４は発光材料を含んで構成される。発光材料としては、固体状態で高い蛍光量子収率を示す化合物が好適であり、例えば、キレート型有機金属錯体、多核又は縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体等が、高分子の場合、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体等が挙げられる。

発光層４に含まれる発光材料の好適な例としては、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１５）で表される化合物が挙げられる。

また、有機電界発光素子の耐久性向上或いは発光効率の向上を目的として、上記の発光材料をホスト材料とし、そのホスト材料と異なる色素化合物をゲスト材料としてドーピングしてもよい。ゲスト材料のドーピングの割合は、発光層４中の固形物全量を基準として、好ましくは０．００１〜４０重量％、より好ましくは０．００１〜１０重量％である。

ゲスト材料としての色素化合物は、発光材料との相容性がよく、かつ発光層の良好な薄膜形成を妨げない有機化合物が好ましく、具体的には、ＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン））誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、ポルフィリン等が用いられる。前記色素化合物の好適な具体例として、下記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−４）で表される化合物が挙げられる。

また、発光層４における電荷輸送性（正孔輸送性及び電子輸送性）の向上、更には上部電極６から発光層４への電荷注入特性の向上を目的として、発光層４に一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有させることができる。

更に、上部電極４から発光層４への電子注入特性及び電子輸送性を向上させる点から、発光層４に他の電子輸送材料を含有させることができる。電子輸送材料の好ましい例としては、下記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）で表される化合物、並びに下記式（Ｖ）で表される化合物が挙げられる。発光層４が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物と他の電子輸送材料との双方を含有する場合、当該アリールアミン化合物と電子輸送材料との電子相互作用を抑制する点から、電子輸送材料としては下記式（Ｖ）で表される化合物が好ましい。

発光層４の形成は、真空蒸着などの蒸着法、あるいは上記材料を含む塗布液を用いた塗布法により行うことができる。

塗布法としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ベンジルアルコール、アセトン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン等を用いることができる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

発光層４の層厚は、材料に応じて適宜選定されるが、好ましくは０．０１〜２μｍ、より好ましくは０．０３〜０．２μｍである。発光層４の厚みが０．０１未満であると、ピンホールが発生しやすくなり、発光素子においてダークスポットが発生しやすくなる傾向にある。また、発光層４の厚みが２μｍを超えると、正孔輸送層３の内部抵抗が上昇し、駆動電圧が大きくなる傾向にある。

また、発光層４の形成工程において、発光材料へのゲスト材料のドープは以下の方法により行うことができる。先ず、真空蒸着によって発光層４を形成する場合は、共蒸着によってドーピングを行う。また、塗布法により発光層を形成する場合は、ホスト材料を含む塗布液（溶液又は分散液）中にゲスト材料を混合することでドーピングを行う。

また、発光層４が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物と発光材料としての有機低分子化合物とを含有する場合、その有機低分子化合物としては、真空蒸着法により、又は低分子と樹脂を含む塗布液を塗布・乾燥することにより、良好な薄膜形成が可能であるものが好ましい。また、塗布法による場合、使用される樹脂としては、正孔輸送層３の説明において例示された樹脂を適用することができる。一方、発光層４が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物と発光材料としての有機高分子化合物とを含有する場合、その有機高分子高分子としては、それ自身を含む塗布液を塗布・乾燥することにより、良好な薄膜形成が可能であるものが好ましい。

上部電極６は、下部電極２に対する背面電極であり、発光層４に電子を注入する陰極として機能する。上部電極６は、真空蒸着可能で、電子注入を行うため仕事関数の小さな金属又は合金が好ましく使用される。特に好ましい材料としては、マグネシウム、アルミニウム、銀、インジウム及びこれらの合金である。

第１実施形態にかかる電界発光素子においては、電極２、６間に所定の電圧を印可することにより、陽極２から正孔輸送層３に正孔が、陰極６から発光層４に電子がそれぞれ注入される。そして、正孔と電子とが発光層４中で再結合することにより、発光層４中の発光材料が高いエネルギー準位に励起され、励起された発光材料が基底状態に戻る際の余分なエネルギーが光として放出される（電界発光現象）。発光層４からの発光は、正孔輸送層３及び下部電極２を通って絶縁性基板１側の面から取り出される。このとき、正孔輸送層３が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有することにより、発光時の安定性及び保存安定性が十分に高められ、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を得ることが可能となる。

図２は、本発明の電界発光素子にかかる第２実施形態を示す模式断面図である。図２に示した電界発光素子は、絶縁性基板１上に、下部電極２、電荷輸送性を有する発光層５、及び上部電極６がこの順に形成されたもので、発光層５は発光材料と一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物とを含有する有機層である。なお、本実施形態においては、発光層が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を必須成分として含有する点、並びに下部電極２と発光層５との間に正孔輸送層３が設けられていない点が異なるだけで、他の構成は第１実施形態の場合と同様である。以下、発光層５について詳述する。

発光層５は、上述の通り、発光材料と一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物とを含有する有機層であり、正孔及び電子の双方に対する電荷輸送性を有する。発光材料としては、第１実施形態の発光層４に含まれる発光材料と同様のものが挙げられ、中でも、上記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１５）で表される化合物が好ましく使用される。

発光材料の含有量は、発光層５中の固形分全量を基準として、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。また、一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物の含有量は、発光層５中の固形分全量を基準として、好ましくは１０〜９０重量％、より好ましくは３０〜６０重量％である。

また、第１実施形態における発光層４の場合と同様に、発光層５の発光材料に、その発光材料と異なる色素化合物をドーピングしてもよい。

発光層５は、上述の通り、一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有するために、正孔及び電子の双方に対する電荷輸送性を有するが、発光層５に注入される正孔と電子のバランスを調節するために、当該アリールアミン化合物以外の電子輸送材料を更に含有してもよい。電子輸送材料としては、上記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）で表される化合物、並びに上記式（Ｖ）で表される化合物が挙げられ、中でも、一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物との電子相互作用を抑制する点から、式（Ｖ）で表される化合物が好ましい。電子輸送材料の含有量は、発光層５中の固形分全量を基準として、１〜５０重量％であることが好ましい。

また、発光層５は、電荷移動度を調節するために、テトラフェニレンジアミン誘導体を更に含有してもよい。また更に、第１実施形態における正孔輸送層３と同様に、適切な樹脂、添加剤を更に含有させることができる。発光層５に用いる樹脂としては、正孔輸送層の場合に例示したものが適用できる。

電子輸送性を有する発光層５の厚みは、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．０１〜０．８μｍである。発光層５の厚みが１μｍを超えると、内部抵抗が上昇し、駆動電圧が大きくなる傾向にある。また、発光層５の厚みが０．０１μｍ未満であると、ピンホールが発生しやすくなり、素子においてダークスポットを発生しやすくなる傾向にある。

第２実施形態にかかる電界発光素子においては、電極２、６間に所定の電圧を印可することにより、陽極２からの正孔と、陰極６からの電子とが発光層５にそれぞれ注入される。そして、正孔と電子とが発光層５中で再結合することにより、発光層４中の発光材料が高いエネルギー準位に励起され、励起された発光材料が基底状態に戻る際の余分なエネルギーが光として放出される（電界発光現象）。発光層４からの発光は、正孔輸送層３及び下部電極２を通って絶縁性基板１側の面から取り出される。このとき、発光層５が一般式（Ｉ）で表されるアリールアミン化合物を含有することにより、発光時の安定性及び保存安定性が十分に高められ、長期間又は繰り返し駆動した場合であっても十分な発光強度を得ることが可能となる。

なお、本発明は上記第１及び第２実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、図１、２に示した電界発光素子はいずれも正孔輸送層３並びに発光層４又は５が単層構造のものであるが、本発明の電界発光素子においては正孔輸送層及び／又は発光層を多層構造としてもよい。

また、図１、２に示した電界発光素子はいずれも発光層４又は５と上部電極６とが密接して配置されたものであるが、本発明の電界発光素子は発光層と上部電極との間に電子輸送層を更に備えていてもよい。電子輸送層を形成することは、電界発光素子の耐久性及び発光効率が向上する点で好ましく、特に、発光層４又は５の発光材料として蒸着法又は塗布法による成膜性が低い材料を用いた場合、あるいは発光層４又は５の電子注入特性又は電子輸送性が低い場合に、これらを改善する手段として非常に有効である。

電子輸送層の構成材料としては、上述した電子輸送材料が好適に使用される。電子輸送層の厚みは、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．０１〜０．８μｍである。電子輸送層の厚みが１μｍを超えると、内部抵抗が上昇し、駆動電圧が大きくなる傾向にある。また、電子輸送層の厚みが０．０１μｍ未満であると、ピンホールが発生しやすくなり、素子においてダークスポットを発生しやすくなる傾向にある。

また、素子の水分や酸素による劣化を防ぐために、上部電極６側の面上に保護層を更に設けてもよい。保護層の構成材料としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ポリエチレン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、コーティング法などが適用可能である。保護層の厚みは、好ましくは０．０１〜１０μｍである。

また、上記実施形態では、絶縁性基板１に近い側に配置される下部電極２を陽極とし、上部電極６を陰極としたが、本発明では、陽極と発光層との間に正孔輸送層が配置される限りにおいて、上部電極又は下部電極のいずれを陽極としてもよい。例えば、絶縁性基板上に、陰極、発光層、正孔輸送層、陽極をこの順序で積層し、陰極を透明電極とすることにより、発光層からの発光を絶縁性基板の側から取り出すことができる。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、例示化合物の番号は表１〜８中の化合物番号を意味し、例えば「例示化合物１０」は表２中の化合物番号１０を示している。

［アリールアミン化合物の合成］
（合成例１）
まず、Ｎ，Ｎ’−ビス（1−ビフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン５重量部とＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド６０重量部とを混合し、その懸濁液に、室温で１時間かけてオキシ塩化リン５重量部を滴下した。その後、９０℃で２４時間加熱撹拌した。反応物をゆっくり水５００ｍｌに注ぎ入れ、５０℃で２時間加熱撹拌後、室温下でトルエン２００ｍｌで抽出した。トルエン溶液を水洗いし、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ別後、トルエン溶液に活性白土２０重量部を加え、１時間、還流後、活性白土をろ過した。得られたトルエン溶液を濃縮後、トルエンから２度再結晶を行い、ビスホルミル化物３．５重量部を得た。

次に、得られたビスホルミル化物３重量部をトルエン５０重両部、３−メチルベンジルホスホン酸ジエチル２．９重量部を加え溶解した。その後、カリウム‐ｔ−ブトキシド１．３８重量部を加え、室温で１０時間撹拌した。反応後、トルエン５０ｍｌ、水１００ｍｌを加え、不溶物をろ過した。トルエン層を乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的の例示化合物１０を３．５重量部得た。

（合成例２）
合成例１における３−メチルベンジルホスホン酸ジエチル２．９重量部の代わりに、４−イソプロピルベンジルホスホン酸ジエチル３．３重量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして合成を行い、例示化合物１１を３．７重量部得た。

（合成例３）
合成例１における３−メチルベンジルホスホン酸ジエチル２．９重量部の代わりに、３−メチルベンジルホスホン酸ジエチル３．６重量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして合成を行い、例示化合物１２を２．９重量部得た。

［電界発光素子の作製］
（実施例１）
ガラス基板上にＩＴＯ膜を備えるＩＴＯガラス複合基板を用意し、そのＩＴＯ膜を２ｍｍ幅の帯状にエッチングして、ストライプ状のＩＴＯ電極（陽極）を形成した。このＩＴＯガラス複合基板をイソプロパノール（電子工業用、関東化学製）で超音波洗浄した後、スピンコーターで乾燥させた。

次に、ＩＴＯガラス複合基板のＩＴＯ電極が形成された面上に、昇華精製した銅フタロシアニンを真空蒸着することにより０．０１５μｍ厚の薄膜を形成し、次いで、アリールアミン化合物（例示化合物１０）を真空蒸着することにより０．０５０μｍ厚の薄膜を形成した。このようにして、ＩＴＯ電極上に２層構造の正孔輸送層を形成した。

次に、正孔輸送層上に、発光材料として上記式（ＩＩ−１）で表される化合物を真空蒸着することにより０．０６５μｍ厚の発光層を形成した。

更に、発光層上に、Ｍｇ−Ａｇ合金を共蒸着により真空蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚のストライプ状のＭｇ−Ａｇ電極（陰極）を形成した。ＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極とは、それぞれの延在方向が直交するように配置した。このようにして得られた有機電界発光素子の有効面積は０．０４ｃｍ^２であった。

（実施例２）
実施例１と同様にして、ＩＴＯガラス複合基板をエッチングしてＩＴＯ電極（陽極）を形成し、洗浄及び乾燥を行った。

次に、実施例１と同様のアリールアミン化合物（例示化合物１０）１重量部と、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４重量部と、発光材料としての上記式（ＩＩ−１）で表される化合物０．１重量部とを、固形分が１０重量％となるようにジクロロエタンに加えて溶液を調製した。その溶液を０．１μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液をＩＴＯガラス複合基板のＩＴＯ電極が形成された面上にスピンコーター法により塗布し、乾燥させて、膜厚約０．１５μｍの発光層を形成した。

更に、発光層上に、Ｍｇ−Ａｇ合金を共蒸着により蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚のストライプ状のＭｇ−Ａｇ電極（陰極）を形成した。ＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極とは、それぞれの延在方向が直交するように配置した。このようにして得られた有機電界発光素子の有効面積は０．０４ｃｍ^２であった。

（実施例３）
実施例１と同様にして、ＩＴＯ電極及び正孔輸送層の形成を行った。

次に、正孔輸送層上に、上記式（ＩＩＩ−１）で表される化合物を真空蒸着することにより、厚さ０．０６５μｍの発光層を形成した。

次に、発光層上に、上記式（ＩＶ−１）で表される化合物を真空蒸着することにより、厚さ０．０３０μｍの電子輸送層を形成した。

更に、発光層上に、Ｍｇ−Ａｇ合金を共蒸着により真空蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚のストライプ状のＭｇ−Ａｇ電極（陰極）を形成した。ＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極とは、それぞれの延在方向が直交するように配置した。このようにして得られた有機電界発光素子の有効面積は０．０４ｃｍ^２であった。

（実施例４）
実施例１における例示化合物１０の代わりに例示化合物１１を用いたこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

（実施例５）
実施例２における例示化合物１０の代わりに例示化合物１１を用いたこと以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製した。

（実施例６）
実施例１における例示化合物１０の代わりに例示化合物１２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

（比較例１）
実施例１における例示化合物１０の代わりに下記式（ＶＩＩ）で表される化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

（比較例２）
実施例１と同様にして、ＩＴＯガラス複合基板をエッチングしてＩＴＯ電極（陽極）を形成し、洗浄及び乾燥を行った。

次に、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）２重量部と、上記式（ＩＩＩ−１）で表される化合物０．１重量部と、上記式（ＩＶ−１）で表される化合物１重量部とを、それらの合計が１０重量％となるようにジクロロエタンに加えて溶液を調製した。その溶液を０．１μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液をＩＴＯガラス複合基板のＩＴＯ電極が形成された面上にディップ法により塗布し、乾燥させて、約０．１５μｍ厚の発光層を形成した。

更に、発光層上に、Ｍｇ−Ａｇ合金を共蒸着により真空蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚のストライプ状のＭｇ−Ａｇ電極（陰極）を形成した。ＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極とは、それぞれの延在方向が直交するように配置した。得られた有機電界発光素子の有効面積は０．０４ｃｍ^２であった。

（素子特性の評価）
実施例１〜６及び比較例１〜２の各有機電界発光素子について、以下のようにして素子特性を評価した。

真空中（０．１３３Ｐａ）でＩＴＯ電極とＭｇ−Ａｇ電極との間に直流電圧を印加して発光させ、そのときの最高輝度、及び発光色を評価した。それらの結果を表９に示す。

また、乾燥窒素中で有機電界発光素子の発光寿命の測定を行った。発光寿命の評価は、初期輝度が５０ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定し、定電流駆動により輝度が初期値から半減するまでの時間を素子寿命とした。この時の駆動電流密度を素子寿命と共に下記表６に示す。

表９に示したように、実施例１〜６の有機電界発光素子は、高輝度であり、素子寿命が長いことがわかる。

本発明の電界発光素子の好適な一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の電界発光素子の他の実施形態を示す模式断面図である。

符号の説明

１…絶縁性基板、２…下部電極（陽極）、３…正孔輸送層、４、５…発光層、６…上部電極（陰極）。

Claims (4)

1. 互いに対向して配置された陽極及び陰極からなる電極対と、該電極対間に設けられた、下記一般式（Ｉ−１）で表されるアリールアミン化合物を含有する第１の有機層と、を有することを特徴とする電界発光素子。
   
   
   ［式中、Ａｒ^２ は未置換のビフェニル基、Ｒ^３は水素原子、又は未置換のフェニル基、Ｒ^４はメチル基又は（イソ）プロピル基で置換されたフェニル基、Ｒ^７は水素原子、をそれぞれ表す。］
2. 前記第１の有機層の前記陽極と反対側に、発光用ドーパント材料を含有する第２の有機層を更に備えることを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
3. 前記第１の有機層が発光用ドーパント材料を更に含有することを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
4. 前記第１の有機層が結着樹脂を更に含有することを特徴とする、請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の電界発光素子。