JP4779906B2 - LSI test system - Google Patents
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Description
本発明は、LSIテストシステムに関し、詳しくは、テストの高速化に関するものである。 The present invention relates to an LSI test system, and more particularly to speeding up a test.
LSIテストシステムでは、テスト対象半導体(以下DUTという)に対するテストとして、電圧・電流値測定による直流テストやパターン走行によるファンクションテストなどが行われる。図3は各テスト系統のブロック図であり、(A)は直流テスト系統、(B)はファンクションテスト系統を示している。図4は各テスト系統の波形図であり、(A)は直流テスト系統、(B)はファンクションテスト系統を示している。 In the LSI test system, as a test for a semiconductor to be tested (hereinafter referred to as DUT), a direct current test by voltage / current value measurement, a function test by pattern running, and the like are performed. FIG. 3 is a block diagram of each test system, where (A) shows a DC test system and (B) shows a function test system. FIG. 4 is a waveform diagram of each test system, where (A) shows a DC test system and (B) shows a function test system.
直流テストにおいて、テストシステム10の制御部11により制御されるソース・メジャー部12の出力端子からDUT20の所定のピンに電圧出力VFおよび電流出力IFが入力されると、これら電圧出力VFおよび電流出力IFに基づきDUT20の所定のピンからソース・メジャー部12の入力端子に電圧出力VFおよび電流出力IFに基づく電圧入力VSおよび電流入力ISが出力される。ここで、電圧出力VFおよび電流出力IFを印加してから所定時間経過後のソース・メジャー部12における電圧入力VSおよび電流入力ISの測定結果が規定範囲内の値であれば、制御部11はDUT20が良品と判定する。
In the DC test, when the voltage output VF and the current output IF are input to the predetermined pins of the
ファンクションテストにおいて、テストシステム10のパターン発生部13の所定の出力端子からピン・エレクトロニクス部14を介してDUT20の所定のピンにパターン出力PO1およびパターン出力PO2が入力されると、これらパターン出力PO1およびパターン出力PO2に基づきDUT20の所定のピンからピン・エレクトロニクス部14の所定の入力端子を介して図示しない比較器にパターン入力PIが出力される。ここで、パターン出力PO1およびパターン出力PO2を印加して所定時間経過した時点でピン・エレクトロニクス部14に入力されるパターン入力PIがパターン発生部13から出力される期待パターンと一致すると、ピン・エレクトロニクス部14はDUT20が良品と判定する。
In the function test, when the pattern output PO1 and the pattern output PO2 are input from the predetermined output terminal of the
図5はこれらテスト系統におけるテスト実行処理のフローチャートであり、(A)は直流テスト系統、(B)はファンクションテスト系統を示している。なお図5において、実行処理の流れに沿って、テストプログラム記述と制御処理と時間計測とを併記している。 FIG. 5 is a flowchart of the test execution processing in these test systems, where (A) shows a DC test system and (B) shows a function test system. In FIG. 5, along with the flow of execution processing, test program description, control processing, and time measurement are shown together.
直流テストにおいて、制御処理の流れに着目すると、直流テストに必要なパラメータを各種レジスタに設定した後(ステップSP1)、一定の後処理時間を設定する(ステップSP2)。次に所定の待ち時間を設定する(ステップSP3)。その後、測定準備処理を行い(ステップSP4)、測定開始処理を実行する(ステップSP5)。これにより、ソース・メジャー部12から所定の電圧出力VFおよび電流出力IFをDUT20に加え、ソース・メジャー部12はDUT20からソース・メジャー部12に出力される電圧入力VSおよび電流入力ISを測定するという一連の直流テストの測定処理を終了する(ステップSP6)。
Focusing on the flow of control processing in the DC test, after setting parameters necessary for the DC test in various registers (step SP1), a fixed post-processing time is set (step SP2). Next, a predetermined waiting time is set (step SP3). Thereafter, measurement preparation processing is performed (step SP4), and measurement start processing is executed (step SP5). As a result, a predetermined voltage output VF and a current output IF are added from the source /
ここで、直流テストのテストプログラム記述に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定」、ステップSP3は「待ち時間設定」、ステップSP4からステップSP6は「電圧・電流測定」になる。 Here, paying attention to the test program description of the DC test, step SP1 and step SP2 of the control process are “setting”, step SP3 is “waiting time setting”, and steps SP4 to SP6 are “voltage / current measurement”.
さらに、直流テストの時間計測に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定時間」、ステップSP3は「無処理時間」、ステップSP4からステップSP6は「測定時間」になる。 Further, paying attention to the time measurement of the DC test, the control processing steps SP1 and SP2 are “set time”, step SP3 is “no processing time”, and steps SP4 to SP6 are “measurement time”.
ファンクションテストにおいて、制御処理の流れに着目すると、ファンクションテストに必要なパラメータを各種レジスタに設定した後(ステップSP1)、一定の後処理時間を設定する(ステップSP2)。次に所定の待ち時間を設定する(ステップSP3)。その後、前処理を行い(ステップSP4)、パターン走行準備処理を実行した後(ステップSP5)、パターン走行開始処理を実行し(ステップSP6)、所定時間後に各種レジスタに設定されたファンクションテストに必要なパラメータに基づく一連のパターン走行処理を終了する(ステップSP7)。 Focusing on the flow of control processing in the function test, after setting parameters necessary for the function test in various registers (step SP1), a fixed post-processing time is set (step SP2). Next, a predetermined waiting time is set (step SP3). Thereafter, preprocessing is performed (step SP4), pattern running preparation processing is executed (step SP5), pattern running start processing is executed (step SP6), and necessary for function tests set in various registers after a predetermined time. A series of pattern travel processing based on the parameters is terminated (step SP7).
ここで、ファンクションテストのテストプログラム記述に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定」、ステップSP3は「待ち時間設定」、ステップSP4からステップSP7は「パターン走行」になる。 Here, paying attention to the test program description of the function test, steps SP1 and SP2 of the control process are “setting”, step SP3 is “waiting time setting”, and steps SP4 to SP7 are “pattern running”.
さらに、ファンクションテストの時間計測に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定時間」、ステップSP3は「無処理時間」、ステップSP4からステップSP7は「パターン走行時間」になる。 Further, paying attention to the time measurement of the function test, step SP1 and step SP2 of the control processing are “set time”, step SP3 is “no processing time”, and steps SP4 to SP7 are “pattern running time”.
図6は図5のファンクションテストのフローチャートに対応するタイミングチャート例である。各種レジスタ設定が時刻t2で実行されるものとすると、ソフト処理時間は時刻t2に先行する時刻t1から開始されてセトリング時間に対応する後処理時間Teが経過する時刻t3に終了する。後処理時間Teに続く時刻t4までの前処理時間Tsはソフト処理時間に対して無処理時間になる。時刻t4から所定のパターン走行が開始する時刻t5まではパターン走行準備時間Tpである。 FIG. 6 is a timing chart example corresponding to the function test flowchart of FIG. Assuming that various register settings are executed at time t2, the soft processing time starts from time t1 preceding time t2 and ends at time t3 when the post-processing time Te corresponding to the settling time elapses. The preprocessing time Ts up to the time t4 following the postprocessing time Te is a non-processing time with respect to the soft processing time. The pattern travel preparation time Tp is from time t4 to time t5 when the predetermined pattern travel starts.
ところで、テストシステム10のユーザーがテストプログラム記述により設定したい待ち時間は、指定した電気的条件が整ってからテスト開始直前までの時間であり、これらの関係を式で表すと次のようになる。
直流テストの待ち時間設定値=
DUT20仕様待ち時間−(後処理時間Te+測定準備時間Tm)
ファンクションテストの待ち時間設定値=
DUT20仕様待ち時間−(後処理時間Te+前処理時間Ts+準備時間Tp)
By the way, the waiting time that the user of the test system 10 wants to set by the test program description is the time from when the specified electrical condition is met until immediately before the start of the test.
DC test wait time setting value =
DUT20 specification wait time-(post-processing time Te + measurement preparation time Tm)
Function test wait time setting value =
DUT20 specification waiting time-(post-processing time Te + pre-processing time Ts + preparation time Tp)
ところが、図5のテストプログラム記述における「待ち時間設定」は、DUT20の電気的仕様によって決まる値になっている。すなわち、図5の制御処理における「前処理」、「後処理」、「測定準備」、「パターン走行準備」に要する時間は、いずれもユーザーが設定したい待ち時間以外の無駄時間であってDUT20をテストするためのテストプログラムプログラム実行時間を長くするものであり、生産性向上の阻害要因の一因になっている。
However, the “waiting time setting” in the test program description of FIG. 5 is a value determined by the electrical specifications of the
本発明は、このような従来の問題点に着目したものであり、その目的は、テストプログラム記述における「待ち時間設定」を最適化してテストプログラムプログラム実行時間を短縮することにより生産性を改善できるLSIテストシステムを提供することにある。 The present invention pays attention to such a conventional problem, and the purpose thereof is to optimize the “waiting time setting” in the test program description to improve the productivity by shortening the test program program execution time. The object is to provide an LSI test system.
このような課題を達成する請求項1の発明は、
テスト対象半導体のテストに必要なパラメータが各種レジスタに設定され、テスト対象半導体について指定された電気的条件が整ってから所定のテストを実行するように構成されたLSIテストシステムにおいて、
前記指定された電気的条件が整ってから所定のテスト開始直前までの時間を待ち時間としてテストプログラム記述により設定するのにあたり、
直流テストにおける後処理時間Teと測定準備時間Tmおよびファンクションテストにおける後処理時間Teと前処理時間Tsと準備時間Tpを測定する時間測定部と、
この時間測定部の測定結果に基づき、前記指定した電気的条件が整ってからテスト開始直前までの時間を表す次式の演算を行う制御部と、
直流テストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−(後処理時間T e+測定準備時間Tm)
ファンクションテストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−(後 処理時間Te+前処理時間Ts+準備時間Tp)
この制御部の演算結果を各種レジスタ設定から測定開始までの無駄時間として表示する表示部を設け、
これら測定表示される無駄時間に基づいて、直流テストおよびファンクションテストのテストプログラム記述における最適な待ち時間を次式のように設定することにより、テストプログラムプログラム実行時間を短縮することを特徴とする。
直流テストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−無駄時間
ファンクションテストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−無駄 時間
The invention of
In an LSI test system configured to execute a predetermined test after parameters required for the test of a test target semiconductor are set in various registers and electrical conditions specified for the test target semiconductor are prepared,
In setting the time from when the specified electrical condition is met to immediately before the start of a predetermined test as a waiting time by the test program description,
A time measuring unit for measuring the post-processing time Te and the measurement preparation time Tm in the DC test and the post-processing time Te, the pre-processing time Ts and the preparation time Tp in the function test ;
Based on the measurement result of this time measurement unit , a control unit that performs the calculation of the following equation representing the time from when the specified electrical condition is met until just before the start of the test;
DC test waiting time set value = specification waiting time of the test target semiconductor− (post-processing time T e + measurement preparation time Tm)
Wait time setting value of the function test = the test semiconductor Specifications latency - (trailing processing time Te + pretreatment time Ts + preparation time Tp)
A display unit is provided to display the calculation results of this control unit as dead time from various register settings to the start of measurement ,
Based on these measured and displayed dead times, the test program program execution time is shortened by setting the optimum waiting time in the test program description of the DC test and the function test as follows .
DC test wait time setting value = specification wait time of the semiconductor to be tested-dead time
Function test wait time set value = Specification wait time of the test target semiconductor-Waste time
これらにより、テストプログラム記述における「待ち時間設定」を最適化してテストプログラムプログラム実行時間を短縮できるLSIテストシステムを実現できる。 As a result, it is possible to realize an LSI test system capable of optimizing the “waiting time setting” in the test program description and reducing the test program program execution time.
以下、本発明について、図面を用いて説明する。図1は本発明の一実施例の主要部を示すブロック図であり、図3と共通する部分には同一の符号を付けている。設定部15により、各種レジスタ16に所望の直流テストやファンクションテストに必要な所定のパラメータを設定格納する。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the main part of one embodiment of the present invention, and the same reference numerals are given to the parts common to FIG. The setting
時間測定部17は、図5に示した直流テストにおける後処理時間Teと測定準備時間Tmおよびファンクションテストにおける後処理時間Teと前処理時間Tsと準備時間Tpを測定し、これらの測定結果をファイル格納部18に格納する。
The
制御部11は、ファイル格納部18に格納されたこれらの測定結果に基づき、前述のようなテストシステム10のユーザーがテストプログラム記述により設定したい待ち時間である指定した電気的条件が整ってからテスト開始直前までの時間を表す次式の演算を行い、演算結果をファイル格納部18に格納するとともに「無駄時間」として表示部19に表示する。
直流テストの待ち時間設定値=
DUT20仕様待ち時間−(後処理時間Te+測定準備時間Tm)
ファンクションテストの待ち時間設定値=
DUT20仕様待ち時間−(後処理時間Te+前処理時間Ts+準備時間Tp)
Based on these measurement results stored in the
DC test wait time setting value =
DUT20 specification wait time-(post-processing time Te + measurement preparation time Tm)
Function test wait time setting value =
DUT20 specification waiting time-(post-processing time Te + pre-processing time Ts + preparation time Tp)
テストシステム10のユーザーは、時間測定部17の実測により表示部19に表示される無駄時間を目視確認するとともに、これらの無駄時間を反映させたこれらの演算結果に基づき、直流テストおよびファンクションテストのテストプログラム記述における最適な待ち時間を設定する。
直流テストの待ち時間設定値=DUT20仕様待ち時間−無駄時間
ファンクションテストの待ち時間設定値=DUT20仕様待ち時間−無駄時間
The user of the test system 10 visually confirms the dead time displayed on the
DC test wait time set value = DUT20 specification wait time-dead time Function test wait time set value = DUT20 specification wait time-dead time
これにより、テストプログラム記述における最適な待ち時間は、直流テストについては従来のDUT20仕様待ち時間よりも(後処理時間Te+測定準備時間Tm)の無駄時間を短縮でき、ファンクションテストについては従来のDUT20仕様待ち時間よりも(後処理時間Te+前処理時間Ts+準備時間Tp)の無駄時間を短縮できるので、テストプログラムプログラム実行時間を短縮できて生産性を高めることができる。
As a result, the optimum waiting time in the test program description can shorten the dead time of (post-processing time Te + measurement preparation time Tm) for the DC test than the
図2は本発明に基づくテスト実行処理のフローチャートであり、(A)は直流テスト系統、(B)はファンクションテスト系統を示している。なお図2においても、図5と同様に実行処理の流れに沿って、テストプログラム記述と制御処理と時間計測とを併記している。 FIG. 2 is a flowchart of a test execution process based on the present invention, where (A) shows a DC test system and (B) shows a function test system. In FIG. 2, the test program description, the control process, and the time measurement are shown along the execution process flow as in FIG.
直流テストにおいて、制御処理の流れに着目すると、直流テストに必要なパラメータを各種レジスタに設定した後(ステップSP1)、一定の後処理時間を設定する(ステップSP2)。その後、測定準備処理を行い(ステップSP3)、測定開始処理を実行する(ステップSP4)。これにより、ソース・メジャー部12から所定の電圧出力VFおよび電流出力IFをDUT20に加え、ソース・メジャー部12はDUT20からソース・メジャー部12に出力される電圧入力VSおよび電流入力ISを測定するという一連の直流テストの測定処理を終了する(ステップSP5)。
Focusing on the flow of control processing in the DC test, after setting parameters necessary for the DC test in various registers (step SP1), a fixed post-processing time is set (step SP2). Thereafter, measurement preparation processing is performed (step SP3), and measurement start processing is executed (step SP4). As a result, a predetermined voltage output VF and a current output IF are added from the source /
ここで、直流テストのテストプログラム記述に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定」、ステップSP3からステップSP5は「電圧・電流測定」になる。 Here, paying attention to the test program description of the DC test, step SP1 and step SP2 of the control processing are “setting”, and steps SP3 to SP5 are “voltage / current measurement”.
さらに、直流テストの時間計測に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定時間」、ステップSP3からステップSP5は「測定時間」になり、ステップSP2とステップSP3は本発明に基づく設定から測定までの間の「無駄時間計測」になる。 Further, when paying attention to the time measurement of the DC test, step SP1 and step SP2 of the control process become “set time”, step SP3 to step SP5 become “measurement time”, and step SP2 and step SP3 are set based on the setting according to the present invention. It becomes “dead time measurement” until measurement.
ファンクションテストにおいて、制御処理の流れに着目すると、ファンクションテストに必要なパラメータを各種レジスタに設定した後(ステップSP1)、一定の後処理時間を設定する(ステップSP2)。その後、前処理を行い(ステップSP3)、パターン走行準備処理を実行した後(ステップSP4)、パターン走行開始処理を実行し(ステップSP5)、所定時間後に各種レジスタに設定されたファンクションテストに必要なパラメータに基づく一連のパターン走行処理を終了する(ステップSP6)。 Focusing on the flow of control processing in the function test, after setting parameters necessary for the function test in various registers (step SP1), a fixed post-processing time is set (step SP2). Thereafter, pre-processing is performed (step SP3), pattern travel preparation processing is performed (step SP4), pattern travel start processing is performed (step SP5), and necessary for function tests set in various registers after a predetermined time. A series of pattern travel processing based on the parameters is terminated (step SP6).
ここで、ファンクションテストのテストプログラム記述に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定」、ステップSP3からステップSP6は「パターン走行」になる。 Here, paying attention to the test program description of the function test, steps SP1 and SP2 of the control processing are “setting”, and steps SP3 to SP6 are “pattern running”.
さらに、ファンクションテストの時間計測に着目すると、制御処理のステップSP1とステップSP2は「設定時間」、ステップSP3からステップSP6は「パターン走行時間」になり、ステップSP2からステップSP4は本発明に基づく設定からパターン走行開始までの間の「無駄時間計測」になる。 Further, when paying attention to the time measurement of the function test, step SP1 and step SP2 of the control process are “set time”, step SP3 to SP6 are “pattern travel time”, and step SP2 to step SP4 are set according to the present invention. It becomes "dead time measurement" from the start to the pattern running.
以上説明したように、本発明によれば、テストプログラム記述における「待ち時間設定」を最適化してテストプログラムプログラム実行時間を短縮することにより生産性を改善できるLSIテストシステムを提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an LSI test system capable of improving the productivity by optimizing the “waiting time setting” in the test program description and reducing the test program program execution time.
10 テストシステム
11 制御部
12 ソース・メジャー部
13 パターン発生部
14 ピン・エレクトロニクス部
15 各種レジスタ
16 設定部
17 時間測定部
18 時間データ格納部
19 表示部
20 DUT
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
Claims (1)
前記指定された電気的条件が整ってから所定のテスト開始直前までの時間を待ち時間としてテストプログラム記述により設定するのにあたり、
直流テストにおける後処理時間Teと測定準備時間Tmおよびファンクションテストにおける後処理時間Teと前処理時間Tsと準備時間Tpを測定する時間測定部と、
この時間測定部の測定結果に基づき、前記指定した電気的条件が整ってからテスト開始直前までの時間を表す次式の演算を行う制御部と、
直流テストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−(後処理時間T e+測定準備時間Tm)
ファンクションテストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−(後 処理時間Te+前処理時間Ts+準備時間Tp)
この制御部の演算結果を各種レジスタ設定から測定開始までの無駄時間として表示する表示部を設け、
これら測定表示される無駄時間に基づいて、直流テストおよびファンクションテストのテストプログラム記述における最適な待ち時間を次式のように設定することにより、テストプログラムプログラム実行時間を短縮することを特徴とするLSIテストシステム。
直流テストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−無駄時間
ファンクションテストの待ち時間設定値=前記テスト対象半導体の仕様待ち時間−無駄 時間 In an LSI test system configured to execute a predetermined test after parameters required for the test of a test target semiconductor are set in various registers and electrical conditions specified for the test target semiconductor are prepared,
In setting the time from when the specified electrical condition is met to immediately before the start of a predetermined test as a waiting time by the test program description,
A time measuring unit for measuring the post-processing time Te and the measurement preparation time Tm in the DC test and the post-processing time Te, the pre-processing time Ts and the preparation time Tp in the function test ;
Based on the measurement result of this time measurement unit , a control unit that performs the calculation of the following equation representing the time from when the specified electrical condition is met until just before the start of the test;
DC test waiting time set value = specification waiting time of the test target semiconductor− (post-processing time T e + measurement preparation time Tm)
Wait time setting value of the function test = the test semiconductor Specifications latency - (trailing processing time Te + pretreatment time Ts + preparation time Tp)
A display unit is provided to display the calculation results of this control unit as dead time from various register settings to the start of measurement ,
An LSI characterized in that the test program program execution time is shortened by setting the optimum waiting time in the test program description of the DC test and the function test based on the dead time measured and displayed as follows: Test system.
DC test wait time setting value = specification wait time of the semiconductor to be tested-dead time
Function test wait time set value = Specification wait time of the test target semiconductor-Waste time
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