JP4780924B2

JP4780924B2 - マトリクスアレイ基板の製造方法

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Publication number: JP4780924B2
Application number: JP2004109113A
Authority: JP
Inventors: 秀樹吉永; 辰美庄司; 毅小島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2004-04-01
Filing date: 2004-04-01
Publication date: 2011-09-28
Anticipated expiration: 2024-04-01
Also published as: JP2005292580A

Description

本発明は、絶縁層又は絶縁体により絶縁された導電性基板上にマトリクス配線を有するマトリクスアレイ基板の製造方法に関する。

薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と記す。）は、液晶表示素子やエレクトロルミネッセント（ＥＬ）表示素子、または電気泳動表示装置などに用いられる表示装置用基板(アクティブマトリクス基板)に用いられ、例えば電気泳動表示装置においては、各画素において泳動液内に封入されたトナーに電界をかけるために制御電極電位を制御するための素子として用いられる。

各画素に設けたＴＦＴに用いられる半導体膜には非晶質のシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ薄膜）や多結晶のシリコン薄膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜）がある。

従来、これらの技術では、例えば表示装置である液晶ディスプレイ用途ではガラスを基板として用いることが多く、それゆえ、使用用途にもよるが、表示装置は耐衝撃性や柔軟性が十分ではない。

また、昨今では、上述したような電気泳動表示装置を用いた、従来では実現し得なかった、薄く、丈夫で、かつ紙のようなしなやかさを備えたディスプレイの開発も盛んに行われている。それに伴い、表示素子を駆動するためのＴＦＴバックプレーンを、従来のガラス基板ではなく、割れにくく丈夫な、可撓性のある薄い金属板やプラスチック板の上に形成することが考えられている。

ところで、導電性材料の一つであるステンレス鋼（以下、ＳＵＳ（Steel Use Stainless）と記す。）からなる導電性基板を用いた場合は、現在多く用いられているガラス基板や、現在検討が進められているプラスチック板やプラスチックフィルムを基板とした場合と大きく異なる点がある。すなわち、導電性基板を前述したような表示装置用の基板として用いる場合には、少なくとも導電性基板の機能面を絶縁加工する必要がある。

導電性基板を絶縁加工する方法としては、酸化膜を成膜するなどの幾つかの方法が考えられる。その他にも、例えば、窒化シリコン層を導電性基板上に成膜し、その上に走査電極または情報電極を形成する方法が考えられる。

例えば特許文献１には、ＳＵＳ基板の機能面を絶縁加工してＳＵＳ基板上にＴＦＴバックプレーンを構成する技術が開示されている。
特開平９−１７９１０６号公報

しかしながら、特許文献１のように基板の機能面、さらにはその裏面に絶縁層を形成した状態で、その基板の機能面に配線等を形成する場合、基板の端面で金属が露出していると、配線形成のためのエッチング工程時に、基板そのものもエッチングされてしまうおそれがある。

通常は、製造工程の簡略化を図るという理由や、半導体素子を搭載する際には半導体層の形成温度が高いという理由などから、いわゆる走査信号線と情報信号線とは互いに異なる材料からなる配線で構成されることが多い。

製造工程の簡略化を図るには、例えば、互いに異なるエッチャントによってエッチングを行うことが可能な配線材料を各信号線の配線材料に用いることが可能である。例えば、先に走査信号線を形成した後に情報信号線の形成を行う場合に、先に形成する走査信号線の配線材料が、後に情報信号線の配線形成を行う際に用いられるエッチャントでエッチングされない配線材料であれば、後に情報信号線の配線形成を行う際に走査信号線の実装端子等を窒化膜等で保護する必要がなく、その分だけ製造工程を簡略化することができる。

また、例えば、半導体層として通常のアモルファスシリコン層を採用した場合、アモルファスシリコン層の形成時には基板温度が３００℃から３５０℃程度まで上昇するため、アモルファスシリコン層より先に形成される層（例えば配線層）の材料には、基板温度が上記温度にまで上昇した際においても特性及び形状が変化しないものが求められる。

そのため、例えば、アモルファスシリコン層より先に形成される配線層の材料に耐熱性は高いが抵抗値の大きいクロムが用いられ、アモルファスシリコン層より後に形成される配線層の材料に耐熱性は低いが抵抗値の低いアルミ系材料が用いられることがある。クロムのエッチャントは酸性であり、アルミ系材料のエッチャントはアルカリ性である。これらの配線層材料用のエッチャントはこのように互いに異なるので、上述したように製造工程を簡略化することは可能である。しかしながら、基板の素材にもよるが、基板がアルミ系材料やＳＵＳなどからなる場合には、アルミ系材料からなる配線層をエッチングする際に用いられるエッチャントによって基板自体もエッチングされてしまうという問題が生じうる。

また、基板がＳＵＳからなる場合は、ＳＵＳの種類によって特性も異なり、例えばＳＵＳ４３０等は耐腐食性に優れていないため基板の腐食等が生じ、その結果として、アルミ系材料からなる配線層をエッチングする際に用いられるエッチャントを著しく汚染してしまうという問題が生じうる。

さらに、上述したような金属基板を用いる場合には、表示装置の性能を決める上で基板の平坦性が重要となる。例えば、金属基板としてＳＵＳ基板を用いた場合には、平坦性を高めるための表面処理方法として、ブライト・アニールやバフ研磨などが挙げられる。いずれの方法においても基板表面の凹凸を１００ｎｍ以下にすることができるので、基板の平坦性は非常に良好になる。

しかしながら、このように表面処理を行ったＳＵＳ基板を検討した結果、ＳＵＳ基板を広い範囲で観察した場合には、ＳＵＳ板の圧延工程で生じる異物の挟み込みにより生じたと考えられる５００ｎｍ程度のランダムな溝がＳＵＳ基板上に存在することが分かった。そのため、そのようなＳＵＳ基板上に、基板絶縁膜として窒化膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜すると、窒化膜が基板上の上記溝をトレースしてしまう。その結果として、そのようなＳＵＳ基板を用いて最終的に表示装置を製造したときには、ある確率で画素欠陥等が生じてしまう。

そこで、基板上の溝や表面粗さを予め改善するための策として、基板表面にポリイミド等を塗布して基板表面を平坦化した後、その上に絶縁膜を形成する手法が考えられているが、基板表面にポリイミド膜等を形成する手法による基板の平坦化は、基板自体のコストアップ、ひいてはそのような基板を用いて製造される表示装置のコストアップの要因となる。

そこで本発明は、導電性基板がエッチングされてしまうことを防ぐとともに、導電性基板の表面に形成される絶縁膜を平坦化することを可能にするマトリクスアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の、圧延工程で成形されたステンレス鋼からなる導電性基板上に走査電極と情報電極とがマトリクス状に形成されたマトリクスアレイ基板の製造方法において、前記導電性基板の両面および各端面を含む全面に、ゾル状もしくはゲル状の材料を用いたウェットプロセスによって絶縁膜を形成する工程を有している。ゾル状もしくはゲル状の材料を用いたウェットプロセスによって絶縁膜を形成する工程は、導電性基板をゾル状もしくはゲル状の材料中に浸漬させる浸漬工程と、ゾル状もしくはゲル状の材料中に浸漬した導電性基板を材料中から引き上げる引き上げ工程と、引き上げられた導電性基板に付着したゾル状もしくはゲル状の材料を焼成する焼成工程と、をこの順で少なくとも２回繰り返して前記絶縁膜を所望の厚さに形成する工程である。後の回の前記引き上げ工程は、先の回の引き上げ工程とは異なる向きで導電性基板を引き上げ、絶縁膜を平坦化する。

本発明の表示装置用基板の製造方法によれば、導電性基板の全面が絶縁膜で覆われることから、導電性基板の機能面が絶縁加工されることに加え、後工程において導電性基板がエッチングされてしまうことを防ぐことができる。さらに、絶縁膜を形成する工程では、浸漬工程と、引き上げ工程と、焼成工程とを、この順で少なくとも２回繰り返し行い、さらに、後の回の引き上げ工程は、先の回の引き上げ工程とは異なる向きで導電性基板を引き上げるので、導電性基板の表面に圧延工程等で生じた溝が存在する場合であっても、導電性基板の表面に形成される絶縁膜を上記溝が存在している箇所を含めて略均一に平坦化することができる。加えて、本発明の表示装置用基板の製造方法によれば、導電性基板の表面にポリイミド等を塗布して導電性基板の表面を平坦化する必要がないことから少ない工数で製造することができ、その結果として製造コストを抑えることができる。

本発明のマトリクスアレイ基板の製造方法によれば、導電性基板の機能面が絶縁加工されることに加え、後工程において導電性基板がエッチングされてしまうことを防ぐことができ、さらに、導電性基板の表面に形成される絶縁膜を平坦化することができる。

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

図１は本発明の一実施形態に係る表示装置におけるマトリクスアレイ基板の一部の断面を模式的に示す図である。

図１に示すように、本実施形態に係る表示装置は、導電性基板としての薄型の金属基板１００上に酸化シリコン膜１０１が形成されている。この酸化シリコン膜１０１は、酸化シリコンのゾル−ゲル溶液中に金属基板１００を浸すディッピング法を用いて形成されており、したがって、金属基板１００の全面（両面および各端面を含む）が酸化シリコン膜１０１によって覆われている。

表示装置が例えばボトムゲート構成のＴＦＴを備えた構成の場合には、金属基板１００の一表面上の酸化シリコン膜１０１上に、走査電極としてのゲート配線１０６とＣｓ（補助容量）配線１０７とが形成されている。

ここで、これらの配線１０６，１０７の形成方法について簡単に説明すると、これらの配線の材料として例えば抵抗率の低いＡｌを用いて配線層を形成し、その後のプロセスにＡｌの融点を超えるようなプロセスがある場合は、その配線層の上にＣｒ、Ｔａ、あるいはＡｌ−Ｎｄをスパッタリングによって蒸着させて導電膜を形成する。続いて、その導電膜の上にレジストを塗布してこれを選択的に露光および現像し、導電膜をエッチングによって所定の形状にパターニングする。以上により、配線１０６，１０７が形成される。

これらの配線１０６，１０７の上には絶縁層１０８が形成され、さらにその上にはアモルファス半導体層１０９が形成されている。さらに、絶縁層１０８上には、例えばイオン注入法によって形成された後に選択除去されたオーミック接触層１１０が形成されている。さらに、オーミック接触層１１０の上には、情報電極としてのソース配線１１１とドレイン電極１１２が形成されている。さらに、これらの配線１１１，１１２および一部が露出したアモルファス半導体層１０９の上にはパッシベーション層１１３が形成されている。

このように、本実施形態の表示装置は、導電性基板である導電性の薄型の金属基板１００の全面が、ウェットプロセス（ディッピング法）を用いて形成された基板絶縁層としての酸化シリコン膜１０１によって覆われているので、その後の製造工程において金属基板１００がエッチングされることがない。そのため、ＴＦＴバックプレートの基板として導電性を有する金属基板１００を用いた場合であっても、従来のようにガラス基板を用いた場合と同様に、エッチャント等を著しく汚染することなく基板１００上にＴＦＴ等を作製することが可能である。なお、金属基板１００の全面が基板絶縁層としての酸化シリコン膜１０１によって絶縁されるのは、もちろんのことである。

図２は本実施形態に係る表示装置における３００行×２５０列のＴＦＴアクティブマトリクスアレイ基板の一部分を示す模式図である。

図２に示すように、本実施形態の表示装置におけるＴＦＴマトリクスアレイ基板には、複数のゲート配線１０６と複数のソース配線１１１とがマトリクス状に配置されており、さらに、走査電極であるゲート配線１０６を駆動する第１の駆動手段であるゲート線駆動回路１２５と、情報電極であるソース配線１１１を駆動する第２の駆動手段であるソース線駆動回路１２６とが備えられている。例えば、ゲート線駆動電圧はオン電圧が＋２０Ｖでオフ電圧が−２０Ｖであり、ソース線駆動電圧は０Ｖ〜１５Ｖである。ゲート配線１０６とソース配線１１１とに囲まれた各領域には、アクティブ素子であるＴＦＴ１３０が設けられている。各ＴＦＴ１３０のドレイン電極側には画素電極１１４が接続されている。

次に、上述した本実施形態の表示装置について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。

図３は、図１に示した金属基板とその全面を覆う絶縁層とを示す断面図である。また、図４（ａ）は本発明の一実施形態に係る表示装置の一部の表示画素の断面を模式的に示す図であり、図４（ｂ）は主に図４（ａ）におけるＡ部を拡大して示す断面図である。

図４（ａ）に示すように、本実施形態の表示装置は、金属基板１００上に構成された表示装置用基板であるＴＦＴバックプレーン１２４上の隔壁１１９に、第２の基板１２２が接合されている。隔壁１１９によって仕切られた各画素空間には、媒質としての絶縁性液体１２０中に電気泳動粒子１２１を分散させてなる分散液（光学変調素子）が設けられている。各画素の光学変調素子は、ＴＦＴバックプレーン１２４上に各画素ごとに設けられた画素電極１１４とＴｉ層１１７とからなる一対の電極によって駆動される。より具体的に説明すると、本実施形態の表示装置は、画素電極１１４とＴｉ層１１７とに正負の電圧を印加して、電気泳動粒子１２０を画素電極１１４の形成面と隔壁１１９の近傍との間を移動させることによって光学変調素子を駆動し、表示を行う。なお、図４（ａ）は、電気泳動粒子１２１がＴｉ層１１７に引き寄せられて隔壁１１９の近傍に移動した状態を示している。

（第１の実施例）
以下に、図３および図４を参照しながら、本実施形態の第１の実施例に係る表示装置の製造工程について説明する。
（１）まず、厚さ０．２ｍｍのＳＵＳからなる導電性基板としての金属基板１００上に、ディッピング法によって、絶縁層としてのＳｉＯ₂膜１０１を５００ｎｍの厚さに成膜した。

具体的には、酸化シリコンのゾル−ゲル溶液中に浸漬した金属基板１００を４０ｃｍ／ｍｉｎの引き上げ速度でその溶液中から引き上げた後、２５０℃、６０分でＳｉＯ₂膜１０１の焼成工程を行った。さらに、金属基板１００を再び酸化シリコンのゾル−ゲル溶液中に浸漬し、金属基板１００を同じ引き上げ速度であるが前回とは異なる向きで上記溶液中から引き上げ、同条件の焼成工程を行った。このように、本実施例におけるＳｉＯ₂膜１０１の成膜プロセスは、浸漬と焼成とを複数回行うことを含んでいる。ここで、ゾル−ゲル溶液とは、半固体状のものであって、ゾル状もしくはゲル状もしくはそれらの中間体の材料を有するものである。

これにより、図３に示すように、金属基板１００の全面（両面および各端面を含む）が、所定の厚さ（本実施例では５００ｎｍ）の絶縁層であるＳｉＯ₂膜１０１によって覆われる。
（２）ＳｉＯ₂膜１０１上に、Ａｌ−Ｎｄをスパッタリングによって２００ｎｍの厚さに成膜して第１の導電層を形成し、フォトマスク（不図示）を用いてこの第１の導電層をウェットエッチングすることにより、ゲート配線１０６およびＣｓ配線１０７を含むＴＦＴ１３０の下電極を形成した。なお、本実施例のような電気泳動表示装置はＴＦＴ１３０の保持駆動を行う際の補助容量を必要とするため、ゲート配線１０６と同じ導電層にＣｓ（補助容量）配線１０７を形成している。
（３）それらの配線１０６，１０７の上に、層間絶縁膜としてＳｉＮ膜１０８を２５０ｎｍの厚さにＣＶＤによって成膜し、さらにその上に、アモルファス半導体層としてａ−Ｓｉ膜１０９を２００ｎｍの厚さにＣＶＤによって成膜した。
（４）絶縁層１０８およびアモルファス半導体層１０９上の所定の領域に、オーミック接触層として、ａ−Ｓｉ（ｎ⁺）膜１１０を２０ｎｍの厚さにＣＶＤによって成膜した。
（５）オーミック接触層１１０の上にＡｌを２００ｎｍの厚さにスパッタリングによって成膜して、第２の導電層を形成した。
（６）この第２の導電層をフォトマスク（不図示）を用いてウェットエッチングすることによって、ＴＦＴ部分を含むソース配線１１１およびドレイン電極１１２を形成した。引き続いて、所定のレジストパターンを用いたドライエッチングによってＴＦＴチャネル部のａ−Ｓｉ（ｎ⁺）層１１０を除去して半導体層１０９の一部を露出させ、上記配線１１１，１１２および一部が露出した半導体層１０９の上にパッシベーション層としてのＳｉＮ膜１１３を３００ｎｍの厚さに成膜した。
（７）ＳｉＮ膜１１３に、ドライエッチングによって図４（ｂ）のＸ部に示すようにコンタクトホールを作成し、ドレイン電極１１２の一部を露出させた。
（８）一部が露出したドレイン電極１１２およびＳｉＮ膜１１３の上にＡｌを２００ｎｍの厚さにスパッタリングによって成膜し、第３の導電層を形成した。
（９）フォトマスク（不図示）を用い、この第３の導電層をウェットエッチングによってパターニングして画素電極１１４を形成した。
（１０）金属基板１００上の上記構成の最上面上に、ＴｉＯ₂を含有したアクリル樹脂を４μｍの厚さに塗布し、白色散乱層１１５を形成する。
（１１）白色散乱層１１５の上にアクリル系の樹脂を１μｍの厚さに成膜して、絶縁層１１６を形成した。
（１２）絶縁層１１６の上に、Ｔｉを３００ｎｍの厚さに成膜して金属層としてのＴｉ層１１７を形成し、さらにその上に、第１のフォトレジスト層としてカーボンを含有したフォトレジスト層１１８を３００ｎｍの厚さに成膜した。
（１３）次に、フォトレジスト層１１８の上に第２のフォトレジスト層として厚膜フォトレジスト層を１５μｍの厚さに形成し、厚膜フォトレジスト層が画素間の隔壁１１９を構成するように、この厚膜フォトレジスト層を画素間の部分を残して現像除去した。
（１５）厚膜フォトレジスト層で形成された隔壁１１９を用いて、Ｔｉ層１１７とフォトレジスト層１１８とをエッチングし、ＴＦＴバックプレーン１２４を形成した。
（１６）最後に、パラフィン系炭化水素溶媒を主成分とする絶縁性液体１２０中に、カーボンブラックを含有したポリスチレン樹脂から成る黒色の電気泳動粒子１２０を分散させた分散液を、隔壁１１９で区画された空間内に充填し、透明な第２の基板１２２を隔壁１１９上に接着剤（不図示）によって固定した。

以上により、本実施例の表示装置の製造工程が完了する。

本実施例によれば、ＳＵＳからなる金属基板１００の全面が基板絶縁層であるＳｉＯ₂膜１０１によって覆われており、金属基板１００は露出している領域がない。そのため、その後の製造工程において金属基板１００がエッチングされることはなかった。また、製造工程中における、配線層のエッチング時のエッチャントによる導電性基板のエッチングを防止するためには、少なくとも製造工程中(配線層のエッチング工程)において、導電性基板の全面が絶縁層で被覆されていればよい。そのあとの工程で、例えば端部はスライスラインによって切断されていても、工程中の導電性基板のエッチングという点からは適用できる。
また、金属基板１００上に基板絶縁層１０１をウェットプロセス（ディッピング法）を用いて５００ｎｍの膜厚に形成したことで、基板１００の表面に形成される絶縁層１０１を金属基板１００の圧延工程等で生じた溝が存在している箇所を含めて略均一に平坦化することができた。その結果、圧延されたＳＵＳからなる金属基板１００を用いた場合においても、画素欠陥等が生じることなく、画質が良好な表示装置を製造することができた。

（第２の実施例）
第１の実施例では金属基板１００の全面を覆う基板絶縁膜としてＳｉＯ₂膜を用いていたが、本実施例では、厚さ０．２ｍｍのＳＵＳからなる導電性基板としての金属基板１００上に、ディッピング法によって、絶縁層としてのＴｉＯ₂膜を５００ｎｍの厚さに成膜した。

具体的には、酸化チタンのゾル−ゲル溶液中に浸漬した金属基板１００を３５ｃｍ／ｍｉｎの引き上げ速度でその溶液中から引き上げた後、２７０℃、４５分でＴｉＯ₂膜の焼成工程を行った。さらに、金属基板１００を再び酸化チタンのゾル−ゲル溶液中に浸漬し、金属基板１００を同じ引き上げ速度であるが前回とは異なる向きでその溶液中から引き上げ、同条件の焼成工程を行った。ここでも上述したように、ゾル−ゲル溶液とは、半固体状のものであって、ゾル状もしくはゲル状もしくはそれらの中間体の材料を有するものである。このような浸漬と焼成とを、金属基板１００を引き上げる時の向きを交互に替えて５回繰り返し、ＴｉＯ₂膜を上記の５００ｎｍの厚さに成膜した。

ＳｉＯ₂膜に代えてＴｉＯ₂膜で金属基板の全面を覆った構成においても、その後の製造工程において金属基板１００がエッチングされることはなく、エッチャント等を著しく汚染することなく基板１００上にＴＦＴ等を作製することができた。また、金属基板１００上に基板絶縁層１０１をウェットプロセス（ディッピング法）を用いて５００ｎｍの膜厚に形成したことで、基板１００の表面に形成される絶縁層１０１を金属基板１００の圧延工程等で生じた溝が存在している箇所を含めて略均一に平坦化することができた。その結果、圧延されたＳＵＳからなる金属基板１００を用いた場合においても、画素欠陥等が生じることなく、画質が良好な表示装置を製造することができた。なお、金属基板１００の全面が基板絶縁層としてのＴｉＯ₂膜によって絶縁されるのは、もちろんのことである。

なお、ＳｉＯ₂膜やＴｉＯ₂膜に代えて、ゾルゲル状の窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて金属基板１００の基板絶縁膜を形成し、かつ基板１００の表面に形成される絶縁層１０１の平坦化を図る構成とした場合においても、ＳｉＯ₂膜やＴｉＯ₂膜の場合と同様の効果をえることが可能である。ここで、ゾルゲル状とは、半固体状のものであって、ゾル状もしくはゲル状もしくはそれらの中間体の材料を有するものである。

なお、本実施形態では電気泳動表示装置のＴＦＴバックプレーンの場合について説明したが、本発明を適用できるのはこれに留まらず、例えば反射型の液晶表示装置に応用することも可能である。この場合、例えば第２の基板１２２にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜のような透明な導電膜を形成してコモン電極を構成し、ドレイン電極との間に液晶を挟持し、ドレイン電極−コモン電極間に所望の電界をかけることで表示を行うことが可能である。

また、本実施形態ではアモルファスシリコンを用いた逆スタガー型のいわゆるボトムゲート型の構成を採用しているが、これに代えて、例えばトップゲート型の構成等を採用しても何ら問題はない。加えて、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴに限らず、例えば、レーザーアニールを用いたポリシリコンＴＦＴや、単結晶ＴＦＴの転写技術を用いても良い。

また、上記の製造方法によって製造した本実施形態の電気泳動表示装置は、薄く形成することができ、また、ある程度の折り曲げに対応できるようなフレキシブルな構成になっているため、各種の情報機器用の表示装置として好適に用いられる。例えば、紙媒体に置き換えられるような用途や、情報携帯端末（ＰＤＡ）のような情報端末の表示用ディスプレイとしても用いることができる。

本発明は、薄型でフレキシブルな表示装置用の基板およびその製造方法、そのような表示装置用基板を備えた表示装置、およびその表示装置を有する情報機器に適用可能である。

本発明の一実施形態に係る表示装置におけるマトリクスアレイ基板の一部の断面を模式的に示す図である。本発明の一実施形態に係る表示装置における３００行×２５０列のＴＦＴアクティブマトリクスアレイ基板の一部分を示す模式図である。図１に示した金属基板とその全面を覆う絶縁層とを示す断面図である。図（ａ）は本発明の一実施形態に係る表示装置の一部の表示画素の断面を模式的に示す図であり、図（ｂ）は主に図（ａ）におけるＡ部を拡大して示す断面図である。

符号の説明

１００金属基板（ＳＵＳ基板）
１０１絶縁層（酸化シリコン膜）
１０６ゲート配線
１０７Ｃｓ配線
１０８絶縁層（ＳｉＮ膜）
１０９アモルファス半導体層（ａ−Ｓｉ膜）
１１０オーミック接触層（ａ−Ｓｉ（ｎ⁺）膜）
１１１ソース配線
１１２ドレイン電極
１１３パッシベーション層（ＳｉＮ膜）
１１４画素電極
１１５白色散乱層
１１６絶縁層
１１７Ｔｉ層
１１８フォトレジスト層
１１９隔壁
１２０絶縁性液体
１２１電気泳動粒子
１２２第２の基板
１２４ＴＦＴバックプレーン
１２５ゲート線駆動回路
１２６ソース線駆動回路
１３０ＴＦＴ

Claims

圧延工程で成形されたステンレス鋼からなる導電性基板上に走査電極と情報電極とがマトリクス状に形成されたマトリクスアレイ基板の製造方法において、
前記導電性基板の両面および各端面を含む全面に、ゾル状もしくはゲル状の材料を用いたウェットプロセスによって絶縁膜を形成する工程を有し、
前記ゾル状もしくはゲル状の材料を用いたウェットプロセスによって絶縁膜を形成する工程は、前記導電性基板を前記ゾル状もしくはゲル状の材料中に浸漬させる浸漬工程と、前記ゾル状もしくはゲル状の材料中に浸漬した前記導電性基板を前記材料中から引き上げる引き上げ工程と、引き上げられた前記導電性基板に付着した前記ゾル状もしくはゲル状の材料を焼成する焼成工程と、をこの順で少なくとも２回繰り返して前記絶縁膜を所望の厚さに形成する工程であり、
後の回の前記引き上げ工程は、先の回の前記引き上げ工程とは異なる向きで前記導電性基板を引き上げ、前記絶縁膜を平坦化する、マトリクスアレイ基板の製造方法。
前記ゾル状もしくはゲル状の材料を用いたウェットプロセスによって絶縁膜を形成する工程は、前記浸漬工程と、前記引き上げ工程と、前記焼成工程と、をこの順で少なくとも３回以上繰り返して前記絶縁膜を所望の厚さに形成する工程である、請求項１に記載のマトリクスアレイ基板の製造方法。