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JP4786624B2 - Semiconductor wafer processing equipment - Google Patents
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Description

本発明は、半導体ウエハ加工装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus.

従来、半導体ウエハの製造工程及び加工工程では、インゴットから切り出されたウエハ基板に対してラッピング、エッチング、粗研磨、鏡面研磨の各工程が行われた後、洗浄工程が行われ、半導体ウエハ表面の高清浄化が図られている。このような半導体ウエハの製造加工工程において、前記各研磨工程から前記洗浄工程に至る工程を行うための装置の一例が下記の特許文献1に開示されている。   Conventionally, in a manufacturing process and a processing process of a semiconductor wafer, a lapping process, an etching process, a rough polishing process, and a mirror polishing process are performed on a wafer substrate cut out from an ingot, and then a cleaning process is performed. High cleaning is achieved. In such a semiconductor wafer manufacturing process, an example of an apparatus for performing a process from each polishing process to the cleaning process is disclosed in Patent Document 1 below.

この特許文献1には、半導体ウエハの表面研磨を行う研磨装置と、研磨後の半導体ウエハの最終洗浄を行う洗浄装置と、これら研磨装置と洗浄装置の間に介在し、研磨装置から洗浄装置へ研磨後の半導体ウエハを搬送するウエハ搬送部とを備えた半導体ウエハ加工装置が開示されている。この半導体ウエハ加工装置では、前記研磨装置において半導体ウエハが1枚ずつ研磨されるとともに、前記ウエハ搬送部において搬送機構が前記研磨装置と前記洗浄装置の間を直線的に往復移動して研磨後の半導体ウエハを1枚ずつ前記洗浄室へ搬送し、その洗浄装置において前記研磨後の半導体ウエハが1枚ずつ洗浄されるようになっている。   In this patent document 1, a polishing apparatus that performs surface polishing of a semiconductor wafer, a cleaning apparatus that performs final cleaning of a semiconductor wafer after polishing, and a polishing apparatus that is interposed between the polishing apparatus and the cleaning apparatus, are transferred to the cleaning apparatus. A semiconductor wafer processing apparatus including a wafer transfer unit that transfers a polished semiconductor wafer is disclosed. In this semiconductor wafer processing apparatus, each of the semiconductor wafers is polished one by one in the polishing apparatus, and a transfer mechanism linearly reciprocates between the polishing apparatus and the cleaning apparatus in the wafer transfer section, and after polishing. The semiconductor wafers are transferred one by one to the cleaning chamber, and the polished semiconductor wafers are cleaned one by one in the cleaning apparatus.

ところで、前記研磨装置における研磨工程では、半導体ウエハの表面に研磨剤や研磨屑、金属不純物等の汚染物質が付着する。そして、前記ウエハ搬送部での搬送中に半導体ウエハの表面が乾燥すると、前記汚染物質が半導体ウエハの表面に固着し、後に前記洗浄装置で半導体ウエハを洗浄したとしてもその汚染物質を除去することが困難になる。   Incidentally, in the polishing step in the polishing apparatus, contaminants such as abrasives, polishing debris, and metal impurities adhere to the surface of the semiconductor wafer. Then, when the surface of the semiconductor wafer is dried during the transfer by the wafer transfer unit, the contaminant adheres to the surface of the semiconductor wafer, and even if the semiconductor wafer is later cleaned by the cleaning device, the contaminant is removed. Becomes difficult.

そこで、この特許文献1の半導体ウエハ加工装置では、液体を満たすウエハ保持用トレーをウエハ搬送部の搬送機構に設け、前記研磨後の半導体ウエハをそのトレー内で液体中に浸漬させた状態で洗浄装置側へ搬送することにより、半導体ウエハの搬送中の乾燥によって前記汚染物質が半導体ウエハに固着して洗浄工程で除去しにくくなるのを防いでいる。
特開2001−313278号公報
Therefore, in the semiconductor wafer processing apparatus of Patent Document 1, a wafer holding tray that fills with liquid is provided in the transfer mechanism of the wafer transfer unit, and the polished semiconductor wafer is immersed in the liquid and cleaned in the tray. By transporting to the apparatus side, the contaminants are prevented from adhering to the semiconductor wafer due to drying during transport of the semiconductor wafer and becoming difficult to remove in the cleaning process.
JP 2001-313278 A

上記特許文献1に示された半導体ウエハ加工装置では、1枚ごとに半導体ウエハの研磨、搬送、洗浄を行っているため、半導体ウエハの加工能率を向上させることが困難であるという問題点がある。   The semiconductor wafer processing apparatus disclosed in Patent Document 1 has a problem that it is difficult to improve the processing efficiency of the semiconductor wafer because the semiconductor wafer is polished, transported, and cleaned one by one. .

この問題点を解消するためには、研磨装置で同時に複数の半導体ウエハを研磨するとともに、その同時に研磨された複数の半導体ウエハをウエハ搬送部によって同時に洗浄装置へ搬送し、洗浄装置でそれらの半導体ウエハを洗浄することにより半導体ウエハの加工能率を向上させる構成も考えられる。   In order to solve this problem, a plurality of semiconductor wafers are simultaneously polished by a polishing apparatus, and the simultaneously polished semiconductor wafers are simultaneously transferred to a cleaning apparatus by a wafer transfer unit, and these semiconductors are cleaned by the cleaning apparatus. A configuration is also conceivable in which the processing efficiency of the semiconductor wafer is improved by cleaning the wafer.

しかしながら、この構成において、ウエハ搬送部のウエハ保持用トレーに半導体ウエハが残っている状態で洗浄装置が不具合等により異常停止した場合には、多くの不良品の半導体ウエハが生じ、歩留まりが低下する虞がある。すなわち、ウエハ搬送部のウエハ保持用トレーに半導体ウエハが残っている状態で洗浄装置が異常停止すると、そのとき研磨装置で研磨しかかっている半導体ウエハの行き場がなく、研磨後に放置されることとなり、その半導体ウエハに前記汚染物質が固着して不良品となる。そして、この構成では、研磨装置で複数の半導体ウエハを同時に研磨していることに起因して、それらの半導体ウエハが全て不良品となる虞があり、多くの不良品の半導体ウエハが生じることになる。   However, in this configuration, when the cleaning apparatus abnormally stops due to a malfunction or the like with the semiconductor wafer remaining on the wafer holding tray of the wafer transfer unit, many defective semiconductor wafers are generated and the yield is reduced. There is a fear. That is, if the cleaning device abnormally stops with the semiconductor wafer remaining in the wafer holding tray of the wafer transfer unit, there is no place for the semiconductor wafer that is about to be polished by the polishing device, and it will be left after polishing, The contaminants adhere to the semiconductor wafer and become defective. In this configuration, since a plurality of semiconductor wafers are simultaneously polished by the polishing apparatus, all the semiconductor wafers may become defective products, and many defective semiconductor wafers are generated. Become.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体ウエハの加工能率を向上させながら、洗浄装置の異常停止に起因する歩留まりの低下を抑制することが可能な半導体ウエハ加工装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and the object thereof is to improve the processing efficiency of a semiconductor wafer and suppress a decrease in yield due to an abnormal stop of a cleaning apparatus. A semiconductor wafer processing apparatus is provided.

上記目的を達成するために、本発明による半導体ウエハ加工装置は、半導体ウエハの研磨を行った後、その半導体ウエハの洗浄を行う半導体ウエハ加工装置であって、複数の前記半導体ウエハを同時に研磨する研磨装置と、その研磨装置で研磨された前記半導体ウエハを洗浄する洗浄装置と、前記研磨装置と前記洗浄装置の間に介在し、前記研磨装置から前記洗浄装置へ研磨後の前記複数の半導体ウエハを同時に搬送する搬送装置と、前記研磨装置、前記洗浄装置及び前記搬送装置の動作を制御する制御装置とを備え、前記搬送装置は、液体を内部に収容するとともにその液体中に漬かるように研磨後の前記半導体ウエハを収容する一対の搬送槽と、前記研磨装置から前記研磨後の半導体ウエハを受け取る受け取り位置と前記洗浄装置へ前記研磨後の半導体ウエハを受け渡す受け渡し位置との間で前記一対の搬送槽を互いに入れ替えるように移動させる搬送槽移動機構と、前記一対の搬送槽のうち前記受け取り位置にある搬送槽内に前記研磨装置から受け取った前記研磨後の半導体ウエハを装入する装入装置と、前記一対の搬送槽のうち前記受け渡し位置にある搬送槽内から前記研磨後の半導体ウエハを取り出して前記洗浄装置へ受け渡す取出装置とを含み、前記一対の搬送槽は、合計で少なくとも前記研磨装置で一度に処理される最大数の前記半導体ウエハを収容可能な収容量を有し、前記制御装置は、前記洗浄装置が異常停止したときに前記研磨装置で処理中の前記半導体ウエハを研磨後に前記装入装置によって前記一対の搬送槽のうち少なくとも一方に装入させて貯留させる。   In order to achieve the above object, a semiconductor wafer processing apparatus according to the present invention is a semiconductor wafer processing apparatus for polishing a semiconductor wafer and then polishing the semiconductor wafer, and simultaneously polishing a plurality of the semiconductor wafers. A polishing apparatus, a cleaning apparatus for cleaning the semiconductor wafer polished by the polishing apparatus, and the plurality of semiconductor wafers interposed between the polishing apparatus and the cleaning apparatus and polished from the polishing apparatus to the cleaning apparatus And a controller for controlling the operation of the polishing device, the cleaning device, and the transport device, and the transport device stores the liquid therein and polishes the liquid so as to be immersed in the liquid. A pair of transfer tanks for storing the subsequent semiconductor wafer, a receiving position for receiving the polished semiconductor wafer from the polishing apparatus, and the cleaning apparatus; A transfer tank moving mechanism for moving the pair of transfer tanks so that they are interchanged with each other between a transfer position for transferring the semiconductor wafer after polishing, and the polishing in the transfer tank at the receiving position of the pair of transfer tanks A loading device for loading the polished semiconductor wafer received from the apparatus, and the polished semiconductor wafer is taken out of the pair of transfer tanks at the transfer position and transferred to the cleaning apparatus. The pair of transfer tanks has a capacity capable of accommodating a maximum number of the semiconductor wafers to be processed at a time by the polishing apparatus in total, and the control apparatus includes: When the semiconductor wafer is abnormally stopped, the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus is charged and stored in at least one of the pair of transfer tanks by the charging apparatus after polishing.

この半導体ウエハ加工装置では、複数の半導体ウエハを研磨装置で同時に研磨するとともに、その研磨後の複数の半導体ウエハを搬送装置で同時に洗浄装置へ搬送するので、従来のように半導体ウエハ1枚ごとに研磨、搬送、洗浄を行う場合に比べて半導体ウエハの加工能率を向上させることができる。   In this semiconductor wafer processing apparatus, a plurality of semiconductor wafers are simultaneously polished by a polishing apparatus, and the plurality of polished semiconductor wafers are simultaneously transferred to a cleaning apparatus by a transfer apparatus. The processing efficiency of the semiconductor wafer can be improved as compared with the case of polishing, transporting and cleaning.

また、この半導体ウエハ加工装置では、搬送装置において一対の搬送槽を前記受け取り位置と前記受け渡し位置との間で互いに入れ替えながら半導体ウエハを搬送させるので、1つの搬送槽を受け取り位置と受け渡し位置の間で往復移動させて半導体ウエハを搬送させる場合に比べて半導体ウエハの搬送効率を向上させることができる。これにより、半導体ウエハ加工装置全体としての半導体ウエハの加工能率をより向上させることができる。   Further, in this semiconductor wafer processing apparatus, since the semiconductor wafer is transferred while the pair of transfer tanks are interchanged between the receiving position and the delivery position in the transfer apparatus, one transfer tank is placed between the receiving position and the transfer position. As compared with the case where the semiconductor wafer is transported by reciprocating, the semiconductor wafer transport efficiency can be improved. Thereby, the processing efficiency of the semiconductor wafer as the whole semiconductor wafer processing apparatus can be further improved.

さらに、この半導体ウエハ加工装置では、洗浄装置が異常停止したときに研磨装置で処理中の半導体ウエハを研磨後に搬送装置の搬送槽内の液体中で貯留することができるため、洗浄装置が異常停止したときに研磨装置で処理中の複数の半導体ウエハがその後乾燥するのを防ぐことができ、それらの半導体ウエハに研磨剤や研磨屑、金属不純物等の汚染物質が固着するのを防ぐことができる。その結果、洗浄装置の異常停止に起因して多くの不良品の半導体ウエハが生じるのを防ぐことができ、歩留まりの低下を抑制することができる。従って、この半導体ウエハ加工装置では、半導体ウエハの加工能率を向上させながら、洗浄装置の異常停止に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。   Furthermore, in this semiconductor wafer processing apparatus, when the cleaning apparatus stops abnormally, the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus can be stored in the liquid in the transfer tank of the transfer apparatus after polishing, so the cleaning apparatus stops abnormally. Then, it is possible to prevent the plurality of semiconductor wafers being processed by the polishing apparatus from drying afterwards, and to prevent contaminants such as abrasives, polishing debris and metal impurities from adhering to the semiconductor wafers. . As a result, it is possible to prevent many defective semiconductor wafers from being generated due to an abnormal stop of the cleaning apparatus, and to suppress a decrease in yield. Therefore, in this semiconductor wafer processing apparatus, it is possible to suppress a decrease in yield due to an abnormal stop of the cleaning apparatus while improving the processing efficiency of the semiconductor wafer.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記各搬送槽は、前記研磨装置で一度に処理される最大数の前記半導体ウエハを収容可能な収容量をそれぞれ有し、前記制御装置は、前記洗浄装置が異常停止したときに前記研磨装置で処理中の前記半導体ウエハを研磨後に前記装入装置によって前記一対の搬送槽のうち一方の搬送槽内に装入させて貯留させるのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, each of the transfer tanks has a storage capacity capable of storing the maximum number of the semiconductor wafers processed at one time by the polishing apparatus, and the control apparatus has the cleaning apparatus abnormally stopped. Then, it is preferable that the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus is charged and stored in one of the pair of transfer tanks by the charging apparatus after polishing.

洗浄装置が異常停止したときに研磨装置で処理中の複数の半導体ウエハを一対の搬送槽に分けて貯留する場合には、異常停止した洗浄装置の動作が再開されたときに両搬送槽を受け取り位置と受け渡し位置との間で移動させて各搬送槽に貯留された半導体ウエハをそれぞれ洗浄装置へ受け渡す制御を行う必要がある。これに対して、上記構成では、異常停止した洗浄装置の動作が再開されたときに一方の搬送槽からのみ貯留されていた半導体ウエハを取り出して洗浄装置へ受け渡せばよいので、上記のように各搬送槽に分けて半導体ウエハを貯留する場合に比べて洗浄装置の動作が再開されたときに前記貯留されていた半導体ウエハを洗浄装置へ受け渡す制御を簡略化することができる。   When a plurality of semiconductor wafers being processed by the polishing device are stored separately in a pair of transfer tanks when the cleaning apparatus stops abnormally, both transfer tanks are received when the operation of the abnormally stopped cleaning apparatus is resumed. It is necessary to perform control for transferring the semiconductor wafers stored in the respective transfer tanks to the cleaning apparatus by moving between the position and the transfer position. On the other hand, in the above configuration, when the operation of the cleaning apparatus that has stopped abnormally is resumed, the semiconductor wafer stored only from one transfer tank has only to be taken out and delivered to the cleaning apparatus. As compared with the case where the semiconductor wafers are stored separately in the respective transfer tanks, it is possible to simplify the control of transferring the stored semiconductor wafers to the cleaning device when the operation of the cleaning device is resumed.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記搬送装置は、前記各搬送槽を前記受け取り位置と前記受け渡し位置でそれぞれ位置決めするための位置決め装置を含むのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, it is preferable that the transfer device includes a positioning device for positioning the transfer tanks at the receiving position and the delivery position.

このように構成すれば、位置決め装置により各搬送槽を前記受け取り位置と前記受け渡し位置で正確に位置決めすることができ、位置ずれに起因する搬送槽内への半導体ウエハの装入ミスや搬送槽内からの半導体ウエハの取り出しミスの発生を防ぐことができる。   If comprised in this way, each conveyance tank can be correctly positioned by the positioning device in the said receiving position and the said delivery position, the insertion mistake of the semiconductor wafer in the conveyance tank resulting from position shift, and the inside of a conveyance tank It is possible to prevent occurrence of mistakes in taking out the semiconductor wafer from the wafer.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記搬送槽移動機構は、前記一対の搬送槽をともに支持する旋回体と、前記受け取り位置と前記受け渡し位置の間に位置する軸を中心として前記受け取り位置と前記受け渡し位置との間で前記一対の搬送槽を互いに入れ替えるように前記旋回体を回転させる旋回機構とを含むのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, the transfer tank moving mechanism includes the swiveling body that supports the pair of transfer tanks, and the receiving position and the transfer position centered on an axis positioned between the receiving position and the transfer position. It is preferable to include a turning mechanism for rotating the turning body so that the pair of transfer tanks are interchanged with each other.

このように構成すれば、旋回体を回転させるだけで前記受け取り位置と前記受け渡し位置との間で一対の搬送槽を互いにかつ同時に入れ替えることができるので、搬送槽移動機構に一対の搬送槽をそれぞれ移動させるための駆動体を個別に設ける場合に比べて搬送槽移動機構の構成を簡素なものとすることができる。   If comprised in this way, since a pair of conveyance tank can be mutually replaced simultaneously between the said receiving position and the said delivery position only by rotating a turning body, a pair of conveyance tank is each set to a conveyance tank moving mechanism, respectively. The configuration of the transport tank moving mechanism can be simplified as compared with the case where the driving body for moving is individually provided.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記研磨装置は、前記研磨後の半導体ウエハを当該研磨装置から前記搬送装置へ水平方向に搬出する搬出装置を有し、前記洗浄装置は、前記搬送装置によって搬送された前記研磨後の半導体ウエハをその搬送装置内に水平方向に進出して受け取った後、当該洗浄装置内に水平方向に搬入する搬入装置を有し、前記装入装置は、前記搬出装置により前記研磨装置から搬出された前記研磨後の半導体ウエハを把持して受け取った後、前記受け取り位置にある搬送槽内に上方から下方へ向かって装入する装入機構を有し、前記取出装置は、前記受け渡し位置にある搬送槽内の前記研磨後の半導体ウエハを把持して上方に取り出した後、前記洗浄装置から前記搬送装置内に進出している前記搬入装置に受け渡す取出機構を有するのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, the polishing apparatus includes a carry-out device that horizontally carries the polished semiconductor wafer from the polishing device to the transfer device, and the cleaning device is transferred by the transfer device. The semiconductor wafer after polishing is received in the transfer device in the horizontal direction, and then loaded into the cleaning device in the horizontal direction. The loading device uses the unloading device to carry out the polishing. After holding and receiving the polished semiconductor wafer carried out from the apparatus, it has a loading mechanism for loading from the upper side to the lower side into the transfer tank at the receiving position, After the polished semiconductor wafer in the transfer tank at the transfer position is gripped and taken upward, the transfer is transferred from the cleaning device to the carry-in device that has advanced into the transfer device. Preferably has a mechanism.

このように構成すれば、研磨装置から搬送装置が半導体ウエハを受け取る部分の構造と研磨装置から洗浄装置へ半導体ウエハを受け渡す部分の構造を構成することができる。   If comprised in this way, the structure of the part which a conveyance apparatus receives a semiconductor wafer from a grinding | polishing apparatus and the structure of the part which delivers a semiconductor wafer from a grinding | polishing apparatus to a washing | cleaning apparatus can be comprised.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記搬送装置は、前記受け取り位置にある前記搬送槽内に前記液体を充填する液体充填装置を含むのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, it is preferable that the transfer device includes a liquid filling device that fills the transfer tank in the receiving position with the liquid.

搬送槽内の液体は、その中に漬けられる半導体ウエハに付着した汚染物質によって汚れてくるため、入れ替えが必要となるが、上記の構成によれば、搬送槽が前記受け取り位置に配置されたときにその搬送槽内に液体充填装置によってきれいな液体を充填することができ、使用者が搬送槽内の液体を入れ替える場合と異なり、使用者の作業負担を増大させることなく、搬送槽内の液体をきれいな状態に保つことができる。   The liquid in the transfer tank is contaminated by contaminants adhering to the semiconductor wafers immersed in the transfer tank, and thus needs to be replaced. According to the above configuration, when the transfer tank is placed at the receiving position, Unlike the case where the user replaces the liquid in the transport tank, the liquid in the transport tank can be filled with the liquid in the transport tank without increasing the work burden on the user. It can be kept clean.

この場合において、前記液体充填装置は、前記受け取り位置にある前記搬送槽内にその底部付近から前記液体を導入するとともにその搬送槽の上部から前記液体をオーバーフローさせることによってその搬送槽内に前記液体を充填する導入部を有するのが好ましい。   In this case, the liquid filling apparatus introduces the liquid from the vicinity of the bottom into the transfer tank at the receiving position and overflows the liquid from the upper part of the transfer tank to cause the liquid to enter the transfer tank. It is preferable to have an introduction portion that fills.

このように構成すれば、搬送槽内に底部から導入されてその搬送槽の上部からオーバーフローする液体の流れができるため、その液体の流れによって搬送槽内に残留する前記汚染物質を搬送槽の外部へ効果的に排出することができる。このため、搬送槽内の液体をよりきれいな状態に保つことができる。   If comprised in this way, since the flow of the liquid which is introduce | transduced into a conveyance tank from the bottom part and overflows from the upper part of the conveyance tank is made, the said contaminant which remains in a conveyance tank by the flow of the liquid will be outside the conveyance tank Can be effectively discharged. For this reason, the liquid in a conveyance tank can be kept in a cleaner state.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記搬送装置は、前記受け渡し位置において前記搬送槽内の前記液体を排出するための切換操作を行い、その搬送槽が前記受け渡し位置から前記受け取り位置へ移動する過程でその搬送槽から前記液体を排出させる液体排出装置を含むのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, the transfer device performs a switching operation for discharging the liquid in the transfer tank at the transfer position, and the transfer tank moves in the process of moving from the transfer position to the receive position. It is preferable to include a liquid discharge device for discharging the liquid from the transfer tank.

このように構成すれば、搬送槽の移動と搬送槽からの液体の排出を並行して行うことができるので、搬送槽が受け取り位置へ移動した後に液体を排出させる場合に比べて半導体ウエハの搬送効率をさらに向上させることができる。このため、半導体ウエハ加工装置における半導体ウエハの加工能率をさらに向上させることができる。   If comprised in this way, since a movement of a conveyance tank and discharge | emission of the liquid from a conveyance tank can be performed in parallel, compared with the case where a liquid is discharged after a conveyance tank moves to a receiving position, it is conveyed. Efficiency can be further improved. For this reason, the processing efficiency of the semiconductor wafer in the semiconductor wafer processing apparatus can be further improved.

この場合において、前記搬送装置は、前記搬送槽が前記受け渡し位置から前記受け取り位置へ移動する経路に沿ってその搬送槽から排出される前記液体を受ける排液受部を含むのが好ましい。   In this case, it is preferable that the transfer device includes a drainage receiving unit that receives the liquid discharged from the transfer tank along a path along which the transfer tank moves from the delivery position to the receiving position.

このように構成すれば、搬送槽の移動過程で排出される液体を排液受部によって受けてその液体が搬送装置の外部へ漏出するのを防ぐことができる。   If comprised in this way, the liquid discharged | emitted in the movement process of a conveyance tank can be received by the drainage receiving part, and it can prevent that the liquid leaks out of the conveying apparatus.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記制御装置は、異常停止していた前記洗浄装置の動作が再開されたことに応じて、前記半導体ウエハが貯留された前記搬送槽を前記搬送槽移動機構により前記受け渡し位置へ移動させるとともに、前記取出装置によりその搬送槽内に貯留された前記半導体ウエハを貯留された順番で取り出させて前記洗浄装置へ渡させるのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, the control device transfers the transfer tank in which the semiconductor wafer is stored by the transfer tank moving mechanism in response to the operation of the cleaning apparatus that has stopped abnormally being restarted. It is preferable that the semiconductor wafers stored in the transfer tank are taken out in the order in which the semiconductor wafers are stored by the take-out device and transferred to the cleaning device.

このように構成すれば、洗浄装置の異常停止中に搬送槽に貯留された半導体ウエハが同じ順番で洗浄装置の動作が再開された後に洗浄装置へ受け渡されるので、洗浄装置の異常停止に起因して半導体ウエハの加工順番が狂うのを防ぐことができる。   If comprised in this way, since the semiconductor wafer stored in the conveyance tank during the abnormal stop of the cleaning device is delivered to the cleaning device after the operation of the cleaning device is resumed in the same order, it is caused by the abnormal stop of the cleaning device. Thus, it is possible to prevent the processing order of the semiconductor wafers from being out of order.

上記半導体ウエハ加工装置において、前記搬送装置は、当該搬送装置内における前記研磨後の半導体ウエハの汚染を防ぐための汚染防止機構を含み、この汚染防止機構は、前記一対の搬送槽、前記搬送槽移動機構、前記装入装置及び前記取出装置を収容するクリーンブースと、このクリーンブース内に清浄な空気を導入するためのクリーンフィルタユニットと、前記クリーンブース内における前記研磨後の半導体ウエハの帯電を防ぐための除電装置と、前記クリーンブース内から空気を排出するための排気装置とを有するのが好ましい。   In the semiconductor wafer processing apparatus, the transfer device includes a contamination prevention mechanism for preventing contamination of the polished semiconductor wafer in the transfer device, and the contamination prevention mechanism includes the pair of transfer tanks and the transfer tank. A clean booth that houses the moving mechanism, the charging device, and the take-out device, a clean filter unit for introducing clean air into the clean booth, and preventing charging of the semiconductor wafer after polishing in the clean booth It is preferable to have a static eliminating device for exhausting air and an exhaust device for discharging air from the clean booth.

このように構成すれば、クリーンブース内の清浄な空気中で半導体ウエハの搬送及び貯留を行うことができるとともに、除電装置により半導体ウエハの帯電を防止してダストの引き寄せを抑制することができる。これにより、搬送装置での搬送過程及び貯留過程において半導体ウエハの表面が汚染されるのを防ぐことができる。   According to this structure, the semiconductor wafer can be transported and stored in clean air in the clean booth, and the semiconductor wafer can be prevented from being charged by the static eliminator, and dust can be prevented from being attracted. Thereby, it is possible to prevent the surface of the semiconductor wafer from being contaminated during the transfer process and the storage process in the transfer apparatus.

以上説明したように、本発明によれば、半導体ウエハの加工能率を向上させながら、洗浄装置の異常停止に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to suppress a decrease in yield due to an abnormal stop of the cleaning device while improving the processing efficiency of the semiconductor wafer.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態による半導体ウエハ加工装置の全体構成を概略的に示した図である。図2は、図1に示した半導体ウエハ加工装置の搬送装置6内を上方から見た図であり、図3は、搬送装置6内を側方から見た図である。ただし、図2では、装入装置36、取出装置38、支柱49及びアーム部49a,49bを省略している。図4は、図3中の搬送槽32近傍の構造を拡大して示した図であり、図5は、液体充填装置44により搬送槽32内に純水を充填する際の状態を示した図であり、図6は、搬送槽32と液体充填装置44の導入部44bを示した縦断面図である。まず、図1〜図6を参照して、本発明の一実施形態による半導体ウエハ加工装置の構成について説明する。   FIG. 1 is a diagram schematically showing an overall configuration of a semiconductor wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a view of the inside of the transfer device 6 of the semiconductor wafer processing apparatus shown in FIG. 1 as viewed from above, and FIG. 3 is a view of the inside of the transfer device 6 as viewed from the side. However, in FIG. 2, the charging device 36, the take-out device 38, the support column 49, and the arm portions 49a and 49b are omitted. 4 is an enlarged view of the structure in the vicinity of the transfer tank 32 in FIG. 3, and FIG. 5 is a view showing a state when the transfer tank 32 is filled with pure water by the liquid filling device 44. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the transport tank 32 and the introduction part 44 b of the liquid filling device 44. First, with reference to FIGS. 1-6, the structure of the semiconductor wafer processing apparatus by one Embodiment of this invention is demonstrated.

本実施形態による半導体ウエハ加工装置は、半導体ウエハ100の表面研磨を行った後、その半導体ウエハ100の洗浄を行うものである。この半導体ウエハ加工装置は、図1に示すように、研磨装置2と、洗浄装置4と、搬送装置6と、制御装置8とを備えている。   The semiconductor wafer processing apparatus according to the present embodiment cleans the semiconductor wafer 100 after polishing the surface of the semiconductor wafer 100. As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer processing apparatus includes a polishing device 2, a cleaning device 4, a transfer device 6, and a control device 8.

前記研磨装置2は、半導体ウエハ100の表面研磨を行うものであり、複数(本実施系形態では4枚)の半導体ウエハ100を同時に表面研磨できるように構成されている。   The polishing apparatus 2 is for polishing the surface of the semiconductor wafer 100, and is configured to simultaneously polish the surface of a plurality (four in the present embodiment) of the semiconductor wafers 100.

具体的には、この研磨装置2は、供給ロボット12と、ステージ14と、1次研磨テーブル16と、2次研磨テーブル18と、3次研磨テーブル20と、図略の複数の回転ドラムと、搬出ロボット22とを備えている。   Specifically, the polishing apparatus 2 includes a supply robot 12, a stage 14, a primary polishing table 16, a secondary polishing table 18, a tertiary polishing table 20, a plurality of unillustrated rotating drums, And a carry-out robot 22.

前記供給ロボット12は、研磨前の供給カセット23から半導体ウエハ100を1枚ずつ取り出して4枚1組となるように前記ステージ14上に載せるものである。   The supply robot 12 takes out the semiconductor wafers 100 one by one from the supply cassette 23 before polishing and places them on the stage 14 so as to form a set of four.

前記1次研磨テーブル16は、前記図略の回転ドラムによって回転させられた半導体ウエハ100が押し付けられることによりその半導体ウエハ100の表面の粗研磨を行うためのものである。この1次研磨テーブル16は、その上面を覆う研磨布を有しており、その研磨布に研磨剤が塗布される。研磨剤は、アルカリ液と砥粒とを混合させたスラリー状のものであり、この研磨剤のアルカリ成分によるエッチング作用と砥粒による機械的な研磨とによって半導体ウエハ100の表面研磨が行われる。   The primary polishing table 16 is used for rough polishing of the surface of the semiconductor wafer 100 by pressing the semiconductor wafer 100 rotated by a rotary drum (not shown). The primary polishing table 16 has a polishing cloth covering its upper surface, and an abrasive is applied to the polishing cloth. The abrasive is a slurry in which an alkali liquid and abrasive grains are mixed, and surface polishing of the semiconductor wafer 100 is performed by an etching action by the alkali component of the abrasive and mechanical polishing by the abrasive grains.

前記2次研磨テーブル18は、半導体ウエハ100の表面の中仕上げ研磨を行うためのものであり、前記3次研磨テーブル20は、半導体ウエハ100の表面の最終仕上げ研磨を行うためのものである。これら2次研磨テーブル18及び3次研磨テーブル20は、前記1次研磨テーブル16とほぼ同様に構成されている。ただし、2次研磨テーブル18で用いられる研磨剤中の砥粒は、前記1次研磨テーブル16で用いられる研磨剤中の砥粒に比べて細かく、3次研磨テーブル20で用いられる研磨剤中の砥粒は、前記2次研磨テーブル18で用いられる研磨剤中の砥粒に比べてさらに細かくなっている。これにより、1次研磨テーブル16から2次研磨テーブル18を経て3次研磨テーブル20へ行くに従って半導体ウエハ100の表面が段階的に鏡面に仕上られるようになっている。   The secondary polishing table 18 is for performing intermediate finishing polishing of the surface of the semiconductor wafer 100, and the tertiary polishing table 20 is for performing final finishing polishing of the surface of the semiconductor wafer 100. The secondary polishing table 18 and the tertiary polishing table 20 are configured in substantially the same manner as the primary polishing table 16. However, the abrasive grains in the abrasive used in the secondary polishing table 18 are finer than the abrasive grains in the abrasive used in the primary polishing table 16, and the abrasive grains used in the tertiary polishing table 20 The abrasive grains are finer than the abrasive grains in the abrasive used in the secondary polishing table 18. As a result, the surface of the semiconductor wafer 100 is finished to a mirror surface step by step from the primary polishing table 16 through the secondary polishing table 18 to the tertiary polishing table 20.

前記図略の複数の回転ドラムは、半導体ウエハ100を研磨時に回転させるものである。各回転ドラムの下部には、半導体ウエハ100を貼り付けるための取着部が設けられている。回転ドラムは、前記ステージ14上に載せられた4枚の半導体ウエハ100の上面に対して自らの取着部を押し付けることによりその取着部に半導体ウエハ100を貼り付けるように構成されている。   The plurality of unillustrated rotating drums rotate the semiconductor wafer 100 during polishing. An attachment portion for attaching the semiconductor wafer 100 is provided at the bottom of each rotating drum. The rotating drum is configured to affix the semiconductor wafer 100 to the attaching portions by pressing the attaching portions against the upper surfaces of the four semiconductor wafers 100 placed on the stage 14.

そして、回転ドラムは、半導体ウエハ100を貼り付けた状態で前記1次研磨テーブル16上に移動し、その1次研磨テーブル16の研磨剤が塗布された研磨布に半導体ウエハ100の下面を押し付けながら回転させることにより半導体ウエハ100の粗研磨を行う。その後、回転ドラムは、2次研磨テーブル18上で同様にして半導体ウエハ100の中仕上げ研磨を行った後、3次研磨テーブル20上で同様にして半導体ウエハ100の最終仕上げ研磨を行い、前記ステージ14上に戻る。このステージ14上において、回転ドラムの取着部から研磨後の4枚の半導体ウエハ100が剥がされて置かれる。   Then, the rotating drum moves onto the primary polishing table 16 with the semiconductor wafer 100 adhered, and presses the lower surface of the semiconductor wafer 100 against the polishing cloth coated with the abrasive of the primary polishing table 16. By rotating, the semiconductor wafer 100 is roughly polished. Thereafter, the rotary drum performs the intermediate finish polishing of the semiconductor wafer 100 on the secondary polishing table 18 in the same manner, and then performs the final finish polishing of the semiconductor wafer 100 on the tertiary polishing table 20 in the same manner. 14 Return to top. On the stage 14, the four semiconductor wafers 100 after polishing are peeled off from the attaching portion of the rotating drum and placed.

前記ステージ14上で半導体ウエハ100が貼り付けられる工程、1次研磨テーブル16、2次研磨テーブル18及び3次研磨テーブル20での各研磨工程、半導体ウエハ100が剥がされて前記ステージ14上に置かれる工程が複数の回転ドラムのそれぞれによって順番に行われ、それら各工程が各回転ドラムで並行して行われる。   A process in which the semiconductor wafer 100 is affixed on the stage 14, each polishing process in the primary polishing table 16, the secondary polishing table 18, and the tertiary polishing table 20, and the semiconductor wafer 100 is peeled off and placed on the stage 14. The steps to be performed are sequentially performed by each of the plurality of rotating drums, and each of these steps is performed in parallel on each rotating drum.

すなわち、本実施形態による研磨装置2では、前記供給ロボット12によってステージ14上に載せられる4枚の半導体ウエハ100と、1次研磨テーブル16上で研磨される4枚の半導体ウエハ100と、2次研磨テーブル18上で研磨される4枚の半導体ウエハ100と、3次研磨テーブル20上で研磨される4枚の半導体ウエハ100と、研磨後にステージ14上に置かれる4枚の半導体ウエハ100の合計20枚の半導体ウエハ100が同時に処理される。   That is, in the polishing apparatus 2 according to the present embodiment, the four semiconductor wafers 100 placed on the stage 14 by the supply robot 12, the four semiconductor wafers 100 polished on the primary polishing table 16, and the secondary A total of four semiconductor wafers 100 polished on the polishing table 18, four semiconductor wafers 100 polished on the tertiary polishing table 20, and four semiconductor wafers 100 placed on the stage 14 after polishing. Twenty semiconductor wafers 100 are processed simultaneously.

前記搬出ロボット22は、前記回転ドラムから剥がされて前記ステージ14上に置かれた4枚の研磨後の半導体ウエハ100を1枚ずつ前記搬送装置6へ搬出するものである。この搬出ロボット22は、本発明の搬出装置の概念に含まれるものである。搬出ロボット22は、半導体ウエハ100を把持する把持部22aを有しており、その把持部22aによって半導体ウエハ100の周縁部を把持して半導体ウエハ100を前記搬送装置6へ搬出する。   The unloading robot 22 unloads the four polished semiconductor wafers 100 peeled off from the rotating drum and placed on the stage 14 to the transfer device 6 one by one. This unloading robot 22 is included in the concept of the unloading apparatus of the present invention. The unloading robot 22 has a gripping portion 22 a that grips the semiconductor wafer 100, grips the peripheral edge of the semiconductor wafer 100 by the gripping portion 22 a, and unloads the semiconductor wafer 100 to the transfer device 6.

この際、搬出ロボット22は、把持部22aにより前記ステージ14上の半導体ウエハ100を持ち上げた後、前記搬送装置6側へ向きを変えるとともに把持部22aをその軸回りに回動させて水平に寝ていた半導体ウエハ100を鉛直に立てた状態とし、その状態で把持部22a及び半導体ウエハ100を前記搬送装置6内へ水平方向に進出させて半導体ウエハ100を搬出する。   At this time, the unloading robot 22 lifts the semiconductor wafer 100 on the stage 14 by the gripping part 22a, then changes the direction to the transfer device 6 side and rotates the gripping part 22a around its axis to lie horizontally. The held semiconductor wafer 100 is set in a vertical state, and in this state, the gripping portion 22a and the semiconductor wafer 100 are advanced into the transfer device 6 in the horizontal direction, and the semiconductor wafer 100 is unloaded.

なお、研磨装置2と搬送装置6との間を仕切る隔壁3には、シャッタ3aによって開閉される開口部3bが設けられている。この開口部3bは、搬送装置6への半導体ウエハ100の搬出が行われるときのみ開放されて前記把持部22a及び半導体ウエハ100がその開口部3bを通じて搬送装置6内に進出し、それ以外のときは開口部3bは閉じられて研磨装置2内の空間と搬送装置6内の空間との間が遮断されるようになっている。   The partition 3 that partitions the polishing device 2 and the transport device 6 is provided with an opening 3b that is opened and closed by a shutter 3a. The opening 3b is opened only when the semiconductor wafer 100 is carried out to the transfer device 6, and the gripping portion 22a and the semiconductor wafer 100 advance into the transfer device 6 through the opening 3b. The opening 3b is closed so that the space in the polishing apparatus 2 and the space in the transfer apparatus 6 are blocked.

前記洗浄装置4は、前記研磨装置2で研磨された後、前記搬送装置6によって搬送される研磨後の半導体ウエハ100を洗浄するものである。この洗浄装置4は、搬入ロボット24(図3参照)を有している。   The cleaning device 4 cleans the polished semiconductor wafer 100 that is transferred by the transfer device 6 after being polished by the polishing device 2. The cleaning device 4 has a carry-in robot 24 (see FIG. 3).

この搬入ロボット24は、本発明の搬入装置の概念に含まれるものであり、前記搬送装置6によって搬送されてきた半導体ウエハ100を洗浄装置4内へ搬入するものである。また、搬入ロボット24は、半導体ウエハ100を把持する把持部24aを有しており、その把持部24aによって半導体ウエハ100の周縁部を把持して半導体ウエハ100を洗浄装置4内に搬入する。   The carry-in robot 24 is included in the concept of the carry-in device of the present invention, and carries the semiconductor wafer 100 transferred by the transfer device 6 into the cleaning device 4. The loading robot 24 has a gripping portion 24 a that grips the semiconductor wafer 100, grips the peripheral edge of the semiconductor wafer 100 by the gripping portion 24 a, and loads the semiconductor wafer 100 into the cleaning device 4.

この際、搬入ロボット24は、把持部24aを水平方向に搬送装置6内に進出させ、その把持部24aにより搬送装置6の後述する取出装置38の把持部38bによって鉛直に立てられた姿勢で把持された半導体ウエハ100を受け取る。その後、把持部24a及び半導体ウエハ100が洗浄装置4内に退避することによって、洗浄装置4内に半導体ウエハ100が搬入される。洗浄装置4内では、搬入された半導体ウエハ100が各種洗浄工程を経て高度に清浄化された後、図略の収納カセットに加工順番に従って収納されるようになっている。   At this time, the carry-in robot 24 moves the gripping portion 24a into the transport device 6 in the horizontal direction, and grips the gripper 24a in a posture that is vertically set by a gripping portion 38b of a take-out device 38 (to be described later) of the transport device 6. Received semiconductor wafer 100 is received. Thereafter, the gripper 24 a and the semiconductor wafer 100 are retracted into the cleaning device 4, whereby the semiconductor wafer 100 is carried into the cleaning device 4. In the cleaning apparatus 4, the semiconductor wafer 100 carried in is highly cleaned through various cleaning processes, and then stored in a storage cassette (not shown) according to the processing order.

なお、洗浄装置4と搬送装置6との間を仕切る隔壁5には、シャッタ5aによって開閉される開口部5bが設けられている。この開口部5bは、洗浄装置4内への前記半導体ウエハ100の搬入が行われるときのみ開放されて前記把持部44a及び半導体ウエハ100がその開口部5bを通じて進退移動し、それ以外のときは開口部5bは閉じられて洗浄装置4内の空間と搬送装置6内の空間との間が遮断されるようになっている。   The partition wall 5 that partitions the cleaning device 4 and the transport device 6 is provided with an opening 5b that is opened and closed by a shutter 5a. The opening 5b is opened only when the semiconductor wafer 100 is carried into the cleaning apparatus 4, and the gripping portion 44a and the semiconductor wafer 100 are moved forward and backward through the opening 5b. Otherwise, the opening 5b is opened. The part 5b is closed so that the space in the cleaning device 4 and the space in the transport device 6 are blocked.

前記搬送装置6は、前記研磨装置2と前記洗浄装置4の間に介在し、その研磨装置2から洗浄装置4へ研磨後の複数(本実施形態では4枚)の半導体ウエハ100を同時に搬送するものである。この搬送装置6は、図1〜図3に示すように、一対の搬送槽32,32と、搬送槽移動機構34と、位置決め装置35と、装入装置36と、取出装置38と、液体排出装置40と、排液受部42と、液体充填装置44と、汚染防止機構46とを備えている。   The transfer device 6 is interposed between the polishing device 2 and the cleaning device 4 and simultaneously transfers a plurality (four in this embodiment) of semiconductor wafers 100 after polishing from the polishing device 2 to the cleaning device 4. Is. As shown in FIGS. 1 to 3, the transfer device 6 includes a pair of transfer tanks 32, 32, a transfer tank moving mechanism 34, a positioning device 35, a charging device 36, an extraction device 38, and a liquid discharge device. The apparatus 40, the drainage receiving part 42, the liquid filling apparatus 44, and the contamination prevention mechanism 46 are provided.

前記一対の搬送槽32,32は、純水を内部に収容するとともにその純水中に漬かるように前記研磨後の半導体ウエハ100を収容するものである。なお、純水は、本発明における液体の概念に含まれるものである。本実施形態の搬送装置6では、前記研磨後の半導体ウエハ100をこの搬送槽32内に収容した状態で前記洗浄装置4側へ搬送するようになっている。   The pair of transfer tanks 32, 32 contain pure water inside and contain the polished semiconductor wafer 100 so as to be immersed in the pure water. Pure water is included in the concept of liquid in the present invention. In the transfer device 6 of the present embodiment, the polished semiconductor wafer 100 is transferred to the cleaning device 4 while being accommodated in the transfer tank 32.

各搬送槽32は、図4〜図6に示すように、上部が開口した箱形に形成されており、その上部の開口を通じて半導体ウエハ100が装入され、その内部に複数の半導体ウエハ100が鉛直に立てられた姿勢で間隔をあけて収容される。搬送槽32内には、3つの支持部材33が設けられており、各支持部材33により立直状態の半導体ウエハ100の周縁部の下端中央位置と両側部の上下方向中心位置からわずかに下側の位置とがそれぞれ支持される。これにより、搬送槽32内で半導体ウエハ100が純水中に漬かった状態で保持される。   As shown in FIGS. 4 to 6, each transfer tank 32 is formed in a box shape with an upper portion opened, and a semiconductor wafer 100 is inserted through the upper opening, and a plurality of semiconductor wafers 100 are formed therein. It is housed at intervals in a vertical position. Three support members 33 are provided in the transfer tank 32, and each support member 33 is slightly below the center position at the lower end of the peripheral edge of the semiconductor wafer 100 in the upright state and the center positions in the vertical direction on both sides. Each position is supported. As a result, the semiconductor wafer 100 is held in pure water in the transfer tank 32.

また、各搬送槽32は、前記研磨装置2で一度に処理可能な最大数の半導体ウエハ100、すなわち本実施形態では20枚の半導体ウエハ100を収容可能な収容量を有している。ただし、通常の搬送時には、各搬送槽32に前記研磨装置2で同一の回転ドラムに貼り付けられて同時に研磨される4枚の半導体ウエハ100が収容されて搬送される。   Each transfer tank 32 has a capacity capable of accommodating the maximum number of semiconductor wafers 100 that can be processed at once by the polishing apparatus 2, that is, 20 semiconductor wafers 100 in this embodiment. However, during normal transfer, four semiconductor wafers 100 that are affixed to the same rotating drum by the polishing apparatus 2 and polished at the same time are accommodated in each transfer tank 32 and transferred.

前記研磨装置2では、その研磨工程において研磨剤や研磨屑、金属不純物等が付着しており、半導体ウエハ100は研磨された後、それらの汚染物質を付着した状態で搬送装置に運ばれてくる。半導体ウエハ100に研磨剤が長時間付着していると、研磨剤中のアルカリ成分によってエッチングが進行する虞がある。また、研磨剤中の砥粒、研磨屑、金属不純物等は、半導体ウエハ100の搬送中に乾燥して固着し、後の洗浄装置4による洗浄でも除去できなくなる虞がある。そこで、本実施形態では、上記のように搬送槽32内で半導体ウエハ100を純水中に漬けた状態で搬送することにより、前記アルカリ成分によるエッチングの進行を抑制するとともに、半導体ウエハ100の乾燥を防ぎ、前記汚染物質の固着を抑制するようになっている。   In the polishing apparatus 2, abrasives, polishing scraps, metal impurities, and the like are attached in the polishing process, and after the semiconductor wafer 100 is polished, the semiconductor wafer 100 is carried to the transfer device with these contaminants attached. . If the abrasive adheres to the semiconductor wafer 100 for a long time, there is a possibility that etching proceeds due to an alkali component in the abrasive. In addition, abrasive grains, polishing debris, metal impurities, and the like in the abrasive may be dried and fixed while the semiconductor wafer 100 is being transported, and may not be removed by subsequent cleaning by the cleaning device 4. Therefore, in this embodiment, the semiconductor wafer 100 is transported in the transport tank 32 as described above while being immersed in pure water, thereby suppressing the progress of etching due to the alkali component and drying of the semiconductor wafer 100. And the sticking of the contaminants is suppressed.

また、搬送槽32は、その内部に収容された半導体ウエハ100の金属汚染を防ぐために樹脂製である。また、搬送槽32の上縁32aは略水平方向に延びているとともにのこぎり歯状に形成されている。これにより、前記液体充填装置44によって後述するように搬送槽32内に純水が充填されたときに搬送槽32の上縁32a全体から均等に純水がオーバーフローするように構成されており、搬送槽32の上縁32aの特定箇所に偏って純水がオーバーフローしないように構成されている。   Further, the transfer tank 32 is made of resin in order to prevent metal contamination of the semiconductor wafer 100 accommodated therein. Moreover, the upper edge 32a of the conveyance tank 32 extends in a substantially horizontal direction and is formed in a sawtooth shape. As a result, the pure water overflows evenly from the entire upper edge 32a of the transport tank 32 when the transport tank 32 is filled with pure water as will be described later by the liquid filling device 44. It is configured so that pure water does not overflow due to a specific location on the upper edge 32a of the tank 32.

また、搬送槽32の上部には、前記上縁32aからオーバーフローした水を前記排液受部42へ受け流すための溢水受部32bが設けられている。この溢水受部32bは、前記上縁32aからオーバーフローした水を受ける受部32cと、その受部32cで受けた水を前記排液受部42へ導く導水管部32dとからなる。   Further, an overflow receiving part 32 b for passing water overflowing from the upper edge 32 a to the drainage receiving part 42 is provided at the upper part of the transfer tank 32. The overflow receiving portion 32b includes a receiving portion 32c that receives water overflowed from the upper edge 32a, and a water guide pipe portion 32d that guides the water received by the receiving portion 32c to the drainage receiving portion 42.

前記受部32cは、搬送槽32の上部の周りを囲むように設けられている一方、前記導水管部32dは、前記受部32cの底部の所定箇所に形成された孔部に取り付けられるとともに搬送槽32の側面に沿って鉛直方向に延びている。前記オーバーフローした水は、前記受部32cで受けられた後、前記導水管部32d内を通って前記排液受部42へ流されるようになっている。   The receiving part 32c is provided so as to surround the upper part of the transport tank 32, while the water conduit 32d is attached to a hole formed at a predetermined position on the bottom of the receiving part 32c and transported. It extends in the vertical direction along the side surface of the tank 32. The overflowed water is received by the receiving portion 32c and then flows into the drainage receiving portion 42 through the water conduit portion 32d.

また、搬送槽32の底部には、搬送槽32内の純水を排出するための排出コック32eが設けられている。この排出コック32eは、搬送槽32内に純水を貯めておくときは搬送槽32の底部の排出孔32fを塞いでおり、排水する際に引き下げられることによって前記排出孔32fを開放し、その排出孔32fを通じて搬送槽32内の純水が排出されるようになっている。   A discharge cock 32 e for discharging pure water in the transfer tank 32 is provided at the bottom of the transfer tank 32. The discharge cock 32e closes the discharge hole 32f at the bottom of the transfer tank 32 when pure water is stored in the transfer tank 32, and opens the discharge hole 32f by being pulled down when draining. Pure water in the transport tank 32 is discharged through the discharge hole 32f.

また、搬送槽32の下部には、前記排出孔32fを通じて排出された純水を前記排液受部42へ流すための排液誘導部32gが取り付けられている。この排液誘導部32gは、搬送槽32の下部の周りを囲むように設けられているとともに、搬送槽32の底部に対向するように設けられた傾斜部32hを有している。この傾斜部32hは、後述する旋回体34aの径方向内側へ向かって下がるように傾斜しており、前記排出孔32fを通じて排出された純水は、この傾斜部32hの上面を伝って前記排液受部42へ流れ落ちる。   In addition, a drainage guiding part 32 g for flowing pure water discharged through the discharge hole 32 f to the drainage receiving part 42 is attached to the lower part of the transport tank 32. The drainage guiding part 32 g is provided so as to surround the lower part of the transport tank 32, and has an inclined part 32 h provided to face the bottom of the transport tank 32. The inclined portion 32h is inclined so as to descend toward the inner side in the radial direction of the revolving body 34a described later, and the pure water discharged through the discharge hole 32f travels along the upper surface of the inclined portion 32h. It flows down to the receiving part 42.

前記搬送槽移動機構34は、図1に示すように、前記研磨装置2から研磨後の半導体ウエハ100を受け取る受け取り位置Aと前記洗浄装置4へ研磨後の半導体ウエハ100を受け渡す受け渡し位置Bとの間で前記一対の搬送槽32,32を互いに入れ替えるように移動させるものである。この搬送槽移動機構34は、旋回体34aと、旋回機構34bとを備えている。   As shown in FIG. 1, the transfer tank moving mechanism 34 has a receiving position A for receiving the polished semiconductor wafer 100 from the polishing apparatus 2 and a delivery position B for transferring the polished semiconductor wafer 100 to the cleaning apparatus 4. The pair of transfer tanks 32, 32 are moved so as to be interchanged with each other. The transport tank moving mechanism 34 includes a turning body 34a and a turning mechanism 34b.

前記旋回体34aは、前記一対の搬送槽32,32をともに支持する平板状でかつ円環状の部材である。前記一対の搬送槽32,32は、この旋回体34a上の互いに対向する位置に固定されている。旋回体34aの外縁には歯車部34cが設けられている。また、旋回体34aは、前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bの中間位置、すなわち当該旋回体34aの中心の回りに回転可能となっている。   The swivel body 34a is a flat plate-like and annular member that supports the pair of transfer tanks 32 and 32 together. The pair of transfer tanks 32, 32 are fixed at positions facing each other on the revolving structure 34a. A gear portion 34c is provided on the outer edge of the swivel body 34a. Further, the revolving body 34a is rotatable around an intermediate position between the receiving position A and the delivery position B, that is, around the center of the revolving body 34a.

前記旋回機構34bは、前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bの間に位置する軸、すなわち前記旋回体34aの中心軸を中心として前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bとの間で一対の搬送槽32,32を互いに入れ替えるように前記旋回体34aを回転させるものである。この旋回機構34bは、LMガイド34dと、ベアリング34e(図3及び図4参照)と、駆動部34fとを有する。   The turning mechanism 34b is a pair of transport tanks between the receiving position A and the delivery position B around the axis located between the receiving position A and the delivery position B, that is, the central axis of the turning body 34a. The revolving body 34a is rotated so that 32 and 32 are interchanged with each other. The turning mechanism 34b includes an LM guide 34d, a bearing 34e (see FIGS. 3 and 4), and a drive unit 34f.

前記LMガイド34dは、前記旋回体34aの回転を誘導するものである。このLMガイド34dは、旋回体34aの下面と後述するクリーンブース46aの床面上に設置された架台48の上面との間に設けられており、円環状の旋回体34aに沿うように設けられている。   The LM guide 34d guides the rotation of the revolving body 34a. The LM guide 34d is provided between the lower surface of the revolving body 34a and the upper surface of a mount 48 installed on the floor surface of the clean booth 46a described later, and is provided along the annular revolving body 34a. ing.

前記ベアリング34eは、前記旋回体34aを回転可能に支持するものである。このベアリング34eは、旋回体34aの下面と前記架台48の上面との間に設けられているとともに、前記LMガイド34dに沿って円環状にその径方向外側を囲むように配設されている。前記旋回体34aは、このベアリング34eと前記LMガイド34dによって支持されながら回転するように構成されている。   The bearing 34e supports the swivel body 34a in a rotatable manner. The bearing 34e is provided between the lower surface of the swivel body 34a and the upper surface of the gantry 48, and is disposed in an annular shape along the LM guide 34d so as to surround the radially outer side. The revolving body 34a is configured to rotate while being supported by the bearing 34e and the LM guide 34d.

前記駆動部34fは、前記旋回体34aに回転のための駆動力を与えるものであり、旋回体34aの径方向外側の所定箇所に設置されている。この駆動部34fは、サーボモータ34gと、旋回体34aの歯車部34cに噛み合う外歯歯車34hとを有しており、サーボモータ34gの駆動力を外歯歯車34hを介して旋回体34aに伝達することによって旋回体34aを回転させる。そして、この駆動部34fは、前記制御装置8によって駆動制御されており、旋回体34aを180°ごとに回転させることによって、前記一対の搬送槽32,32を前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bとの間で互いに入れ替わるように移動させる。   The drive part 34f gives a driving force for rotation to the revolving structure 34a, and is installed at a predetermined location on the radially outer side of the revolving structure 34a. The drive unit 34f includes a servo motor 34g and an external gear 34h that meshes with the gear unit 34c of the revolving body 34a, and transmits the driving force of the servo motor 34g to the revolving body 34a via the external gear 34h. By doing so, the revolving structure 34a is rotated. And this drive part 34f is drive-controlled by the said control apparatus 8, and rotates the turning body 34a every 180 degrees, and makes the said pair of conveyance tanks 32 and 32 the said receiving position A and the said delivery position B. Move so that they are interchanged with each other.

前記位置決め装置35は、前記各搬送槽32の位置を前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bでそれぞれ位置決めするものである。この位置決め装置35は、搬送装置6内に2つ設けられており、それら2つの位置決め装置35は、前記旋回体34aの径方向外側で互いに対向する位置に配置されている。各位置決め装置35は、図2に示すように、本体部35aと、突出部35bと、突出部受部35cとを有している。   The positioning device 35 positions the positions of the transport tanks 32 at the receiving position A and the delivery position B, respectively. Two positioning devices 35 are provided in the conveying device 6, and the two positioning devices 35 are arranged at positions facing each other on the radially outer side of the revolving body 34 a. As shown in FIG. 2, each positioning device 35 has a main body portion 35a, a protruding portion 35b, and a protruding portion receiving portion 35c.

前記本体部35aは、後述するクリーンブース46aの床面上に固定されており、前記突出部35bを前記旋回体34aの径方向内外へ進退移動させる。   The main body 35a is fixed on the floor surface of a clean booth 46a, which will be described later, and moves the protrusion 35b forward and backward in the radial direction of the revolving body 34a.

前記突出部35bは、前記本体部35aから前記旋回体34aの径方向内側に突出するように移動し、前記突出部受部35cと係合するものである。   The protruding portion 35b moves from the main body portion 35a so as to protrude inward in the radial direction of the revolving body 34a, and engages with the protruding portion receiving portion 35c.

前記突出部受部35cは、前記旋回体34aに取り付けられており、前記突出部35bの先端が嵌り込む凹部35dを有している。   The protrusion receiving part 35c is attached to the revolving body 34a and has a recess 35d into which the tip of the protrusion 35b is fitted.

この位置決め装置35は、前記制御装置8によって制御されており、旋回体34aの回転により各搬送槽32が前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bにそれぞれ配置されると、本体部35aから突出部35bを突出させて突出部受部35cの凹部35dに係合させることにより突出部35bをストッパとして機能させ、旋回体34a及び各搬送槽32の位置決めを行う。   The positioning device 35 is controlled by the control device 8, and when the transport tanks 32 are arranged at the receiving position A and the delivery position B, respectively, by the rotation of the revolving body 34a, the projecting portion 35b from the main body portion 35a. The protrusion 35b functions as a stopper by causing the protrusion 35b to engage with the recess 35d of the protrusion receiving portion 35c, and the revolving body 34a and each transport tank 32 are positioned.

前記装入装置36は、前記一対の搬送槽32,32のうち前記受け取り位置Aにある搬送槽32内に前記研磨装置2から受け取った研磨後の半導体ウエハ100を1枚ずつ装入するものである。この装入装置36は、図3に示すように、搬送装置6内の中央に設置された支柱49から延びる一対のアーム部49a,49bのうち一方のアーム部49aに設けられ、前記受け取り位置A上に配設されている。また、装入装置36は、研磨装置2から搬送装置6内に搬出ロボット22によって搬出された研磨後の半導体ウエハ100を把持して受け取った後、前記受け取り位置Aにある搬送槽32内に上方から下方へ向かって装入する装入機構36aを有している。   The charging device 36 charges the semiconductor wafers 100 after polishing received from the polishing device 2 into the transfer tank 32 at the receiving position A of the pair of transfer tanks 32, 32 one by one. is there. As shown in FIG. 3, the loading device 36 is provided on one arm portion 49 a of a pair of arm portions 49 a and 49 b extending from a support column 49 installed at the center in the transport device 6, and the receiving position A It is arranged on the top. The charging device 36 holds and receives the polished semiconductor wafer 100 carried out by the carry-out robot 22 from the polishing device 2 into the transfer device 6, and then moves upward into the transfer tank 32 at the receiving position A. It has a charging mechanism 36a for charging from the bottom downward.

具体的には、この装入機構36aは、把持部36bを有しており、前記搬出ロボット22の把持部22aによって鉛直に立てられた姿勢で水平方向に運ばれてきた半導体ウエハ100の周縁部を把持部36bによって上下から挟むように把持することでその半導体ウエハ100を搬出ロボット22から受け取る。その後、装入機構36aは降下することによって搬送槽32内に半導体ウエハ100を立てた状態で装入する。また、装入機構36aは、この動作を繰り返すことによって複数の半導体ウエハ100を搬送槽32内に順次装入するが、先の半導体ウエハ100を装入した後、次の半導体ウエハ100を装入する際には、前記搬出ロボット22の進出方向と直交する水平方向にわずかに移動して後の半導体ウエハ100を先の半導体ウエハ100との間に間隔をあけて搬送槽32内に装入する。   Specifically, the loading mechanism 36a has a gripping portion 36b, and the peripheral portion of the semiconductor wafer 100 that has been transported in the horizontal direction in a vertical posture by the gripping portion 22a of the unloading robot 22. Is held by the holding part 36b from above and below, and the semiconductor wafer 100 is received from the unloading robot 22. Thereafter, the charging mechanism 36a descends to load the semiconductor wafer 100 in the transfer tank 32 while standing. The loading mechanism 36a repeats this operation to sequentially load a plurality of semiconductor wafers 100 into the transfer tank 32. After loading the previous semiconductor wafer 100, the next semiconductor wafer 100 is loaded. In this case, the semiconductor wafer 100 is slightly moved in the horizontal direction orthogonal to the advance direction of the carry-out robot 22 and the subsequent semiconductor wafer 100 is charged into the transfer tank 32 with a gap between the semiconductor wafer 100 and the previous semiconductor wafer 100. .

前記取出装置38は、前記一対の搬送槽32,32のうち前記受け渡し位置Bにある搬送槽32内から研磨後の半導体ウエハ100を1枚ずつ取り出して前記洗浄装置4へ受け渡すものである。この取出装置38は、前記一対のアーム部49a,49bのうち他方のアーム部49bに設けられ、前記受け渡し位置B上に配設されている。また、取出装置38は、前記受け渡し位置Bにある搬送槽32内の研磨後の半導体ウエハ100を把持して上方に取り出した後、洗浄装置4から搬送装置6内に進出してくる搬入ロボット24にその半導体ウエハ100を受け渡す取出機構38aを有している。   The take-out device 38 takes the polished semiconductor wafers 100 one by one from the transfer tank 32 at the transfer position B out of the pair of transfer tanks 32, 32 and transfers them to the cleaning device 4. The take-out device 38 is provided on the other arm portion 49b of the pair of arm portions 49a and 49b, and is disposed on the delivery position B. The take-out device 38 holds the polished semiconductor wafer 100 in the transfer tank 32 at the delivery position B and takes it out upward, and then moves into the transfer device 6 from the cleaning device 4. And a take-out mechanism 38a for delivering the semiconductor wafer 100.

具体的には、この取出機構38aは、把持部38bを有しており、受け渡し位置Bにおいて降下することによりその位置にある搬送槽32内に前記把持部38bを挿入してその搬送槽32内の半導体ウエハ100の周縁部を把持部38bで上下から挟むように把持する。その後、取出機構38aは半導体ウエハ100を把持したまま上昇して所定位置で停止し、この状態で、前記搬入ロボット24の把持部24aが半導体ウエハ100の周縁部を水平方向両側から挟むように把持することによってその半導体ウエハ100が受け渡される。   Specifically, the take-out mechanism 38a has a gripping portion 38b. When the takeout mechanism 38a is lowered at the transfer position B, the gripping portion 38b is inserted into the transporting tub 32 at the position, and the inside of the transporting tub 32 is inserted. The peripheral portion of the semiconductor wafer 100 is gripped by the gripping portion 38b from above and below. Thereafter, the take-out mechanism 38a rises while holding the semiconductor wafer 100 and stops at a predetermined position, and in this state, the holding portion 24a of the loading robot 24 holds the peripheral portion of the semiconductor wafer 100 from both sides in the horizontal direction. As a result, the semiconductor wafer 100 is delivered.

前記液体排出装置40は、前記受け渡し位置Bにおいて搬送槽32内の全ての半導体ウエハ100が取り出された後、その搬送槽32内の水を排出させるための切換操作を行い、その搬送槽32が前記受け渡し位置Bから前記受け取り位置Aへ移動する過程で水を排出させるものである。この液体排出装置40は、図4に示すように、操作棒40aと、支持部40bと、操作棒駆動部40cと、ロック機構40dとを有する。   The liquid discharge device 40 performs a switching operation for discharging water in the transfer tank 32 after all the semiconductor wafers 100 in the transfer tank 32 are taken out at the delivery position B. Water is discharged in the process of moving from the delivery position B to the reception position A. As shown in FIG. 4, the liquid discharge device 40 includes an operation rod 40a, a support portion 40b, an operation rod drive portion 40c, and a lock mechanism 40d.

前記操作棒40aは、搬送槽32の排出コック32eによる排出孔32fの開閉を操作するものである。この操作棒40aの一端部が前記排出コック32eに接続されている。   The operation rod 40a is used to open and close the discharge hole 32f by the discharge cock 32e of the transport tank 32. One end of the operation rod 40a is connected to the discharge cock 32e.

前記支持部40bは、前記操作棒40aを揺動可能に支持するものであり、搬送槽32の底面に取り付けられている。   The support portion 40 b supports the operation rod 40 a so as to be swingable, and is attached to the bottom surface of the transport tank 32.

前記操作棒駆動部40cは、前記操作棒40aの他端部を押し上げて操作棒40aを揺動させることにより前記排出コック32eの切換操作を行うものである。操作棒駆動部40cは、2つ設けられており、この2つの操作棒駆動部40c,40cは、図2に示すように、前記旋回体34aの内側で前記受け渡し位置Bに対応する箇所と前記受け取り位置Aに対応する箇所にそれぞれ設置されている。受け渡し位置B側の操作棒駆動部40cは、受け渡し位置Bに配置された搬送槽32に付設の前記操作棒40aの他端部に対して押し上げ可能に当接する一方、受け取り位置A側の操作棒駆動部40cは、受け取り位置Aに配置された搬送槽32に付設の前記操作棒40aの他端部に対して押し上げ可能に当接する。   The operation rod drive unit 40c performs the switching operation of the discharge cock 32e by pushing up the other end of the operation rod 40a and swinging the operation rod 40a. Two operation rod drive units 40c are provided, and the two operation rod drive units 40c and 40c are arranged on the inner side of the revolving body 34a corresponding to the delivery position B, as shown in FIG. Each is installed at a location corresponding to the receiving position A. The operation rod drive unit 40c on the delivery position B side abuts on the other end of the operation rod 40a attached to the transport tank 32 disposed at the delivery position B so as to be pushed up, while the operation rod on the reception position A side. The drive unit 40c abuts against the other end portion of the operation rod 40a attached to the transport tank 32 disposed at the receiving position A so as to be pushed up.

前記ロック機構40dは、前記操作棒40aの姿勢を仮固定するものである。このロック機構40dは、搬送槽32の下部の側面に取り付けられており、操作棒40aの前記支持部40bよりも前記他端部側に接続された接続部40eと、その接続部40eを下方へ弾発するバネ部材40fとを有している。ロック機構40dは、前記接続部40eが一度押し上げられるとその押し上げられた位置で接続部40eを仮固定するとともに、再度接続部40eが押し上げられると仮固定が解除され、バネ部材40fの弾発力で接続部40eを下方に突出させるように構成されている。   The lock mechanism 40d temporarily fixes the posture of the operation rod 40a. The lock mechanism 40d is attached to the lower side surface of the transport tank 32, and the connection portion 40e connected to the other end side of the operation rod 40a from the support portion 40b, and the connection portion 40e downward. And a spring member 40f for repelling. The locking mechanism 40d temporarily fixes the connecting portion 40e at the position where the connecting portion 40e is pushed up once, and releases the temporary fixing when the connecting portion 40e is pushed up again, and the elastic force of the spring member 40f. The connecting portion 40e is configured to protrude downward.

そして、受け渡し位置B側の操作棒駆動部40cにより前記操作棒40aの他端部が押し上げられると、操作棒40aが揺動して前記接続部40eが押し上げられるとともに操作棒40aの一端部によって排出コック32eが引き下げられ、前記接続部40eと操作棒40aはその姿勢でロック機構40dによって仮固定される。その後、受け取り位置A側の操作棒駆動部40cにより操作棒40aの他端部が再度押し上げられると、前記接続部40eも再度押し上げられて仮固定が解除され、バネ部材40fの弾発力により接続部40eと操作棒40aの他端部側が押し下げられるとともに操作棒40aの一端部により排出コック32eが押し上げられて搬送槽32の排出孔32fが塞がれる。   When the other end portion of the operation rod 40a is pushed up by the operation rod drive portion 40c on the delivery position B side, the operation rod 40a swings and the connection portion 40e is pushed up and discharged by one end portion of the operation rod 40a. The cock 32e is pulled down, and the connecting portion 40e and the operating rod 40a are temporarily fixed by the lock mechanism 40d in that posture. Thereafter, when the other end portion of the operation rod 40a is pushed up again by the operation rod drive portion 40c on the receiving position A side, the connection portion 40e is also pushed up again to be temporarily fixed and connected by the elastic force of the spring member 40f. The other end side of the portion 40e and the operation rod 40a is pushed down, and the discharge cock 32e is pushed up by one end portion of the operation rod 40a to close the discharge hole 32f of the transport tank 32.

この液体排出装置40では、前記両操作棒駆動部40c,40cが前記制御装置8によって制御されており、受け渡し位置Bにおいて搬送槽32内の全ての半導体ウエハ100が洗浄装置4へ受け渡された後、その受け渡し位置B側の操作棒駆動部40cと操作棒40a及びロック機構40dの上記動作によって前記排出コック32fが引き下げられて搬送槽32内の水が排出孔32fから排出される。その後、搬送槽32は、受け渡し位置Bから受け取り位置Aへ移動しながらその内部の水を排出する。そして、搬送槽32が受け取り位置Aに到達すると、その受け取り位置A側の操作棒駆動部40cと操作棒40a及びロック機構40dの上記動作によって前記排出コック32fが押し上げられて搬送槽32の排出孔32fが塞がれるようになっている。   In the liquid discharge device 40, the operating rod drive units 40c and 40c are controlled by the control device 8, and all the semiconductor wafers 100 in the transfer tank 32 are transferred to the cleaning device 4 at the transfer position B. Thereafter, the discharge cock 32f is pulled down by the above-described operation of the operation rod drive unit 40c, the operation rod 40a, and the lock mechanism 40d on the delivery position B side, and the water in the transport tank 32 is discharged from the discharge hole 32f. Thereafter, the transfer tank 32 discharges water from the delivery position B to the reception position A while moving. When the transport tank 32 reaches the receiving position A, the discharge cock 32f is pushed up by the above-described operation of the operating rod drive unit 40c, the operating rod 40a, and the lock mechanism 40d on the receiving position A side, and the discharge hole of the transport tank 32 is discharged. 32f is blocked.

前記排液受部42は、搬送槽32が前記受け渡し位置Bから前記受け取り位置Aへ移動する経路においてその搬送槽32から前記液体排出装置40によって排出される純水を受けるものである。この排液受部42は、前記旋回体34aの内周に沿って設けられており、前記架台48に固定されている。前記排液誘導部32gの傾斜部32hの下縁部は、この排液受部42上に配置されており、搬送槽32とともに排液誘導部32gが前記受け渡し位置Bから前記受け取り位置Aへ移動しながら搬送槽32の純水が排液誘導部32gの傾斜部32hの上面を伝って排液受部42に流れ落ちるようになっている。   The drainage receiving unit 42 receives pure water discharged from the transfer tank 32 by the liquid discharging device 40 in a path along which the transfer tank 32 moves from the delivery position B to the receiving position A. The drainage receiving portion 42 is provided along the inner periphery of the swivel body 34 a and is fixed to the gantry 48. The lower edge portion of the inclined portion 32h of the drainage guiding portion 32g is disposed on the drainage receiving portion 42, and the drainage guiding portion 32g moves from the delivery position B to the receiving position A together with the transport tank 32. Meanwhile, the pure water in the transport tank 32 flows down to the drainage receiving part 42 along the upper surface of the inclined part 32h of the drainage guiding part 32g.

前記液体充填装置44は、前記受け取り位置Aにある搬送槽32内に純水を充填するものである。この液体充填装置44は、図5に示すように、供給部44aと導入部44bとを有する。   The liquid filling device 44 fills the transport tank 32 at the receiving position A with pure water. As shown in FIG. 5, the liquid filling apparatus 44 includes a supply unit 44a and an introduction unit 44b.

前記供給部44aは、純水を供給する部分であり、後述するクリーンブース46a内に固定されている。この供給部44aは、上下に移動可能な接続部44cを有している。   The supply part 44a is a part for supplying pure water, and is fixed in a clean booth 46a described later. This supply part 44a has a connection part 44c movable up and down.

前記導入部44bは、各搬送槽32にそれぞれ付設されており、各搬送槽32内に底部付近から純水を導入するとともにその搬送槽32の上部からオーバーフローさせることによってその搬送槽32内に純水を充填するものである。この導入部44bは、縦配管44dと、被接続部44eと、横配管44fとを有している。   The introduction portion 44b is attached to each transport tank 32. Pure water is introduced into each transport tank 32 from the bottom and overflowed from the top of the transport tank 32, so that pure water is introduced into the transport tank 32. It is filled with water. The introduction part 44b has a vertical pipe 44d, a connected part 44e, and a horizontal pipe 44f.

前記縦配管44dは、搬送槽32の側方において鉛直方向に延びる配管である。この縦配管44dの上端に前記被接続部40eが設けられている一方、下端に前記横配管44fが接続されている。   The vertical pipe 44d is a pipe extending in the vertical direction on the side of the transfer tank 32. The connected portion 40e is provided at the upper end of the vertical pipe 44d, while the horizontal pipe 44f is connected to the lower end.

前記被接続部44eは、前記供給部44aの接続部44cと接続される部分である。この被接続部44eは、前記接続部44cが降下して押し付けられることによってその接続部44cと相互に接続するように構成されている。   The connected portion 44e is a portion connected to the connecting portion 44c of the supply portion 44a. The connected portion 44e is configured to be connected to the connecting portion 44c when the connecting portion 44c is lowered and pressed.

前記横配管44fは、図6に示すように、前記縦配管44dの下端から搬送槽32の下部の側壁を貫通してその搬送槽32内の空間に水平方向に延びている。この横配管44fの前記搬送槽32内に位置する部分には、その上部に内外を貫通する複数の貫通孔が設けられており、これら複数の貫通孔は横配管44fの長手方向に並んで設けられている。前記被接続部44eに前記接続部44cが接続されて供給部44aから純水が縦配管44dを通って横配管44fに供給されることにより、横配管44fの貫通孔を通じて純水が上方へ噴出し、搬送槽32内に導入される。   As shown in FIG. 6, the horizontal pipe 44 f extends in the horizontal direction from the lower end of the vertical pipe 44 d through the lower side wall of the transfer tank 32 to the space in the transfer tank 32. A portion of the horizontal pipe 44f located in the transfer tank 32 is provided with a plurality of through holes penetrating inside and outside at the upper portion thereof, and the plurality of through holes are provided side by side in the longitudinal direction of the horizontal pipe 44f. It has been. When the connecting portion 44c is connected to the connected portion 44e and pure water is supplied from the supply portion 44a to the horizontal piping 44f through the vertical piping 44d, the pure water is ejected upward through the through hole of the horizontal piping 44f. And introduced into the transfer tank 32.

この液体充填装置44は、前記制御装置8によって制御されており、搬送槽移動機構34によって受け渡し位置Bから受け取り位置Aに移動させられるとともに前記液体排出装置40によって排水されて空になった搬送槽32に対して、前記供給部44aの接続部44cを降下させてその搬送槽32に付設の前記導入部44bの被接続部44eと接続させるとともに供給部44aから導入部44bの縦配管44d及び横配管44fを通じて純水を搬送槽32内に導入させる。純水は、搬送槽32の上部からオーバーフローするまで供給され、そのオーバーフローした時点で純水の供給が停止されるとともに前記接続部44cと前記被接続部44eの接続が解除されて接続部44cが上昇するようになっている。   The liquid filling device 44 is controlled by the control device 8 and is moved from the transfer position B to the receiving position A by the transfer tank moving mechanism 34 and drained by the liquid discharge apparatus 40 to be emptied. 32, the connecting portion 44c of the supply portion 44a is lowered and connected to the connected portion 44e of the introducing portion 44b attached to the transport tank 32, and the vertical piping 44d and the horizontal pipe 44d of the introducing portion 44b from the supplying portion 44a are connected. Pure water is introduced into the transfer tank 32 through the pipe 44f. The pure water is supplied from the upper part of the transfer tank 32 until it overflows, and when the overflow occurs, the supply of pure water is stopped and the connection between the connecting portion 44c and the connected portion 44e is released, so that the connecting portion 44c It is going to rise.

前記汚染防止機構46は、搬送装置6内における半導体ウエハ100の汚染を防ぐためのものである。この汚染防止機構46は、図1及び図2に示すように、クリーンブース46aと、クリーンフィルタユニット46bと、除電装置46cと、排気装置46dとによって構成されている。   The contamination prevention mechanism 46 is for preventing contamination of the semiconductor wafer 100 in the transfer device 6. As shown in FIGS. 1 and 2, the contamination prevention mechanism 46 includes a clean booth 46a, a clean filter unit 46b, a static eliminator 46c, and an exhaust device 46d.

前記クリーンブース46aは、上記した搬送装置6を構成する各装置、機構及び部材を内部に収容し、その内部空間を外部と隔離するものである。   The clean booth 46a accommodates the devices, mechanisms, and members constituting the above-described transfer device 6 and isolates the internal space from the outside.

前記クリーンフィルタユニット46bは、前記クリーンブース46a内に清浄な空気を導入するためのものである。このクリーンフィルタユニット46bは、クリーンブース46a内の天井部分に設置されている。   The clean filter unit 46b is for introducing clean air into the clean booth 46a. The clean filter unit 46b is installed on the ceiling portion in the clean booth 46a.

前記除電装置46cは、クリーンブース46a内における半導体ウエハ100の帯電を防ぐために除電を行うものである。この除電により半導体ウエハ100の帯電に起因するダストの付着が抑制される。この除電装置46cは、前記クリーンフィルタユニット46bと同様、クリーンブース46a内の天井部分に設置されている。   The neutralization device 46c performs neutralization to prevent the semiconductor wafer 100 from being charged in the clean booth 46a. By this charge removal, the adhesion of dust due to charging of the semiconductor wafer 100 is suppressed. The static eliminator 46c is installed on the ceiling in the clean booth 46a, like the clean filter unit 46b.

前記排気装置46dは、クリーンブース46a内から空気を排出するためのものであり、クリーンブース46aの下部の側面に取り付けられている。この排気装置46dによってクリーンブース46a内の空気がその下部から排気されるとともに、前記クリーンフィルタユニット46bによってクリーンブース46a内に上部から清浄な空気が導入されることによってクリーンブース46a内の空気が清浄な状態に維持されるようになっている。   The exhaust device 46d is for exhausting air from the clean booth 46a, and is attached to the lower side surface of the clean booth 46a. The air in the clean booth 46a is exhausted from the lower part by the exhaust device 46d, and clean air is introduced into the clean booth 46a from the upper part by the clean filter unit 46b, whereby the air in the clean booth 46a is clean. It is designed to be maintained in a state.

前記制御装置8は、前記研磨装置2、前記洗浄装置4及び前記搬送装置6の各部の動作を制御するものである。この制御装置8は、洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の半導体ウエハ100を研磨後に搬送装置6の装入装置36によって前記受け取り位置Aにある搬送槽32内に装入させて貯留させる制御を行う。また、この制御装置8は、異常停止していた洗浄装置4の動作が再開されたことに応じて、その異常停止の間に受け取り位置Aにおいて半導体ウエハ100が貯留された搬送槽32を前記搬送槽移動機構により受け渡し位置へ移動させるとともに、前記取出装置によりその搬送槽32内に貯留された半導体ウエハ100を貯留された順番で取り出させて洗浄装置へ受け渡させる制御を行う。   The control device 8 controls the operation of each part of the polishing device 2, the cleaning device 4, and the transport device 6. The control device 8 charges the semiconductor wafer 100 being processed by the polishing device 2 into the transfer tank 32 at the receiving position A by the charging device 36 of the transfer device 6 after polishing the polishing device 2 when the cleaning device 4 stops abnormally. And control to store. Further, in response to the restart of the operation of the cleaning device 4 that has stopped abnormally, the control device 8 transfers the transfer tank 32 in which the semiconductor wafer 100 is stored at the receiving position A during the abnormal stop. While moving to a delivery position by the tank moving mechanism, the semiconductor wafers 100 stored in the transfer tank 32 are taken out in the order in which they are stored by the take-out device and transferred to the cleaning device.

洗浄装置4が異常停止したときには、研磨装置2で処理中の半導体ウエハ100の行き場がなくなるため、それらの半導体ウエハ100について前記研磨剤のアルカリ成分によるエッチングの進行や前記汚染物質の固着が生じる懸念がある。そこで、本実施形態では、洗浄装置4が異常停止したときには、それらの半導体ウエハ100を搬送装置6の搬送槽32内で純水中に漬かった状態で貯留することによって、前記エッチングの進行や前記汚染物質の固着を抑制するようにしている。そして、洗浄装置4が復帰したときには、その貯留していた半導体ウエハ100を貯留された順番で洗浄装置4へ受け渡すことによって加工順番が狂うことも防いでいる。   When the cleaning apparatus 4 is abnormally stopped, there is no place for the semiconductor wafers 100 being processed by the polishing apparatus 2, so that the semiconductor wafers 100 may be etched due to the alkali component of the abrasive and the contaminants may be fixed. There is. Therefore, in the present embodiment, when the cleaning device 4 is abnormally stopped, the semiconductor wafer 100 is stored in pure water in the transfer tank 32 of the transfer device 6 to store the progress of the etching or the We try to suppress the sticking of pollutants. When the cleaning device 4 returns, the processing order is prevented from being out of order by transferring the stored semiconductor wafers 100 to the cleaning device 4 in the stored order.

次に、本実施形態による半導体ウエハ加工装置の動作について説明する。   Next, the operation of the semiconductor wafer processing apparatus according to the present embodiment will be described.

本実施形態による半導体ウエハ加工装置では、まず、研磨装置2において半導体ウエハ100の表面研磨が行われる。この際、4枚の半導体ウエハ100を1組として回転ドラムへの貼り付け工程、1次研磨テーブル16、2次研磨テーブル18、3次研磨テーブル20での各研磨工程、研磨後の半導体ウエハ100の回転ドラムからの剥離工程が並行して行われ、合計20枚の半導体ウエハ100が同時に処理される。研磨後の半導体ウエハ100は、搬出ロボット22によって1枚ずつ搬送装置6へ搬出される。   In the semiconductor wafer processing apparatus according to the present embodiment, first, the surface polishing of the semiconductor wafer 100 is performed in the polishing apparatus 2. At this time, the four semiconductor wafers 100 as a set are attached to the rotating drum, the primary polishing table 16, the secondary polishing table 18, the polishing steps at the tertiary polishing table 20, and the polished semiconductor wafer 100. The peeling process from the rotating drum is performed in parallel, and a total of 20 semiconductor wafers 100 are processed simultaneously. The polished semiconductor wafers 100 are unloaded one by one by the unloading robot 22 to the transfer device 6.

搬送装置6では、液体充填装置44が受け取り位置Aにある搬送槽32内に純水を充填する。この際、液体充填装置44の導入部44bにより搬送槽32内にその底部付近から純水が導入され、搬送槽32の上縁32aからオーバーフローするまで純水が充填される。これにより、搬送槽32内の底部から上部へ向かう水の流れによって搬送槽32内に残留した前記汚染物質が排出される。   In the transport device 6, the liquid filling device 44 fills the transport tank 32 in the receiving position A with pure water. At this time, pure water is introduced into the transport tank 32 from the vicinity of the bottom thereof by the introduction part 44b of the liquid filling device 44, and is filled with pure water until it overflows from the upper edge 32a of the transport tank 32. Thereby, the contaminants remaining in the transfer tank 32 are discharged by the flow of water from the bottom to the top in the transfer tank 32.

そして、搬送槽32に純水が充填された状態でその搬送槽32内に前記研磨装置2から搬出された研磨後の半導体ウエハ100が1枚ずつ装入される。この際、研磨装置2の搬出ロボット22の把持部22aによって鉛直に立てられた姿勢で保持されている半導体ウエハ100の周縁部を搬送装置6の装入装置36の把持部36bが上下から挟むように把持してその半導体ウエハ100を受け取る。その後、装入装置36の装入機構36aが降下して半導体ウエハ100を搬送槽32内に装入し、離すことによって半導体ウエハ100が搬送槽32内で純水中に漬かるように収容される。   Then, the polished semiconductor wafers 100 unloaded from the polishing apparatus 2 are loaded one by one into the transfer tank 32 in a state where the transfer tank 32 is filled with pure water. At this time, the gripping portion 36b of the loading device 36 of the transfer device 6 is sandwiched from above and below the peripheral portion of the semiconductor wafer 100 held in a vertical position by the gripping portion 22a of the unloading robot 22 of the polishing apparatus 2. The semiconductor wafer 100 is received. Thereafter, the charging mechanism 36a of the charging device 36 is lowered to load the semiconductor wafer 100 into the transfer tank 32, and when released, the semiconductor wafer 100 is accommodated in the transfer tank 32 so as to be immersed in pure water. .

装入機構36aは、半導体ウエハ100を搬送槽32内に装入した後、上昇し、次に研磨装置2から搬出ロボット22によって搬出されてきた半導体ウエハ100を受け取って上記と同様にして搬送槽32内に装入する。装入機構36aは、この動作を繰り返して研磨装置2で同時に研磨された4枚の半導体ウエハ100を搬送槽32内に装入する。   The charging mechanism 36a moves up after charging the semiconductor wafer 100 into the transfer tank 32, and then receives the semiconductor wafer 100 that has been unloaded by the unloading robot 22 from the polishing apparatus 2 and receives the transfer tank in the same manner as described above. 32 is charged. The loading mechanism 36 a repeats this operation and loads the four semiconductor wafers 100 polished simultaneously by the polishing apparatus 2 into the transfer tank 32.

次に、搬送槽移動機構34の旋回体34aが180°回転し、受け取り位置Aと受け渡し位置Bとの間で一対の搬送槽32,32が互いに入れ替わるように移動する。これにより、上記操作によって4枚の半導体ウエハ100を収容した搬送槽32が受け取り位置Aから受け渡し位置Bへ移動する一方、空の搬送槽32が受け渡し位置Bから受け取り位置Aへ移動する。   Next, the revolving body 34a of the transport tank moving mechanism 34 is rotated by 180 °, and the pair of transport tanks 32 and 32 are moved between the receiving position A and the delivery position B so as to be interchanged. As a result, the transfer tank 32 containing the four semiconductor wafers 100 moves from the receiving position A to the transfer position B, while the empty transfer tank 32 moves from the transfer position B to the receiving position A.

受け渡し位置Bでは、取出装置38が搬送槽32内の半導体ウエハ100を1枚ずつ取り出す。具体的には、取出装置38の取出機構38aが降下して把持部38bを搬送槽32内に挿入し、その把持部38bによって搬送槽32内の半導体ウエハ100の周縁部を上下から挟むように把持する。その後、取出機構38aが上昇することによって搬送槽32内から半導体ウエハ100を取り出す。   At the transfer position B, the take-out device 38 takes out the semiconductor wafers 100 in the transfer tank 32 one by one. Specifically, the take-out mechanism 38a of the take-out device 38 is lowered so that the gripping part 38b is inserted into the transfer tank 32, and the peripheral part of the semiconductor wafer 100 in the transfer tank 32 is sandwiched from above and below by the gripping part 38b. Grab. Thereafter, the semiconductor wafer 100 is taken out from the transfer tank 32 by raising the take-out mechanism 38a.

この後、洗浄装置4から搬入ロボット24が搬送装置6内に水平方向に進出し、その搬入ロボット24の把持部24aが前記取出装置38の把持部38bに把持された半導体ウエハ100の周縁部を水平方向両側から挟むように把持する。これによって、半導体ウエハ100が受け渡される。半導体ウエハ100を受け取った搬入ロボット24は、洗浄装置4内に移動し、図略の洗浄器内にその半導体ウエハ100をセットする。受け渡し位置Bでは、これらの動作が繰り返されることによって、搬送槽32内の4枚の半導体ウエハ100が1枚ずつ洗浄装置4へ受け渡される。洗浄装置4では、半導体ウエハ100について各種洗浄工程が行われ、その後、半導体ウエハ100が収納カセットに収納される。   Thereafter, the carry-in robot 24 advances from the cleaning device 4 into the transfer device 6 in the horizontal direction, and the gripping portion 24a of the carry-in robot 24 moves around the peripheral portion of the semiconductor wafer 100 gripped by the gripping portion 38b of the take-out device 38. Grab it from both sides in the horizontal direction. As a result, the semiconductor wafer 100 is delivered. The carry-in robot 24 that has received the semiconductor wafer 100 moves into the cleaning device 4 and sets the semiconductor wafer 100 in a cleaner not shown. At the delivery position B, these operations are repeated, so that the four semiconductor wafers 100 in the transfer tank 32 are delivered to the cleaning device 4 one by one. In the cleaning apparatus 4, various cleaning processes are performed on the semiconductor wafer 100, and then the semiconductor wafer 100 is stored in a storage cassette.

前記受け渡し位置Bでの受け渡し動作と並行して前記受け取り位置Aでは、移動してきた空の搬送槽32に対して上記した研磨後の半導体ウエハ100の装入が行われる。そして、受け渡し位置Bでの4枚の半導体ウエハ100の受け渡しと、受け取り位置Aでの4枚の半導体ウエハ100の装入とが完了すると、受け渡し位置Bにある搬送槽32内の水を排出するための切換操作が液体排出装置40によって行われる。これにより、搬送槽32の底部の排出コック32eが引き下げられて排出孔32fから搬送槽32内の水の排出が開始される。   In parallel with the delivery operation at the delivery position B, at the delivery position A, the semiconductor wafer 100 after polishing is loaded into the empty transport tank 32 that has moved. When the delivery of the four semiconductor wafers 100 at the delivery position B and the loading of the four semiconductor wafers 100 at the delivery position A are completed, the water in the transfer tank 32 at the delivery position B is discharged. The switching operation for this purpose is performed by the liquid discharge device 40. As a result, the discharge cock 32e at the bottom of the transfer tank 32 is pulled down, and the discharge of water in the transfer tank 32 is started from the discharge hole 32f.

その後、再び旋回体34aが180°回転し、受け渡し位置Bと受け取り位置Aの間で両搬送槽32,32が互いに入れ替わるように移動する。この際、受け渡し位置Bから受け取り位置Aへ移動する搬送槽32では、移動しながらその内部の水が排出される。この排出される水は、搬送槽32に付設の排液誘導部32gの傾斜部32h上を伝って排液受部42に流れ落ちる。そして、受け取り位置Aに移動し、水が排出された後の搬送槽32に対して排出コック32eが液体排出装置40によって押し上げられて排出孔32fが塞がれる。   Thereafter, the revolving body 34a rotates again by 180 °, and moves between the delivery position B and the reception position A so that the two transfer tanks 32 and 32 are interchanged with each other. At this time, in the transfer tank 32 that moves from the delivery position B to the reception position A, the water in the inside is discharged while moving. This discharged water flows down on the inclined portion 32 h of the drainage guiding portion 32 g attached to the transport tank 32 and flows down to the drainage receiving portion 42. And it moves to the receiving position A, the discharge cock 32e is pushed up with respect to the conveyance tank 32 after water was discharged | emitted by the liquid discharge apparatus 40, and the discharge hole 32f is obstruct | occluded.

この後、上記と同様にして液体充填装置44により受け取り位置Aにある搬送槽32内に純水が充填された後、研磨装置2から搬出された4枚の研磨後の半導体ウエハ100が装入されるとともに、受け渡し位置Bにある搬送槽32から半導体ウエハ100が取り出されて洗浄装置4に受け渡され、上記した一連の動作が繰り返し行われる。   Thereafter, after the pure water is filled in the transfer tank 32 at the receiving position A by the liquid filling device 44 in the same manner as described above, the four polished semiconductor wafers 100 unloaded from the polishing device 2 are loaded. At the same time, the semiconductor wafer 100 is taken out from the transfer tank 32 at the transfer position B and transferred to the cleaning device 4, and the series of operations described above are repeated.

そして、本実施形態では、洗浄装置4が異常停止した場合に、制御装置8がその異常停止を検知してそのとき研磨装置2で処理中の20枚の半導体ウエハ100を研磨後に装入装置36によって前記受け取り位置Aにある搬送槽32に装入させて貯留させる。   In the present embodiment, when the cleaning device 4 is abnormally stopped, the control device 8 detects the abnormal stop, and the 20 semiconductor wafers 100 being processed by the polishing device 2 at that time are loaded after the polishing. Is loaded into the transfer tank 32 at the receiving position A and stored.

具体的には、制御装置8は、洗浄装置4が不具合等により異常停止すると、それを検知し、研磨装置2で処理中の前記20枚の半導体ウエハ100について研磨装置2の搬出ロボット22と搬送装置6の装入装置36に上記搬出・装入動作と同様の動作を行わせる。これにより、前記20枚の半導体ウエハ100が前記受け取り位置Aにある搬送槽32内に1枚ずつ装入されて純水中に漬かった状態で貯留される。このため、洗浄装置4の異常停止中におけるそれら半導体ウエハ100の前記汚染物質の固着や研磨剤中のアルカリ成分によるエッチングの進行が回避される。   Specifically, the control device 8 detects that the cleaning device 4 has stopped abnormally due to a malfunction or the like, and transfers the 20 semiconductor wafers 100 being processed by the polishing device 2 with the carry-out robot 22 of the polishing device 2. The charging device 36 of the device 6 is caused to perform the same operation as the above-described unloading / charging operation. As a result, the 20 semiconductor wafers 100 are loaded one by one into the transfer tank 32 at the receiving position A and stored in the pure water. Therefore, the contamination of the semiconductor wafer 100 during the abnormal stop of the cleaning device 4 and the progress of etching due to the alkali component in the abrasive are avoided.

そして、異常停止していた洗浄装置4の動作が再開されると、制御装置8はそれに応じて搬送槽移動機構34に前記両搬送槽32,32の入れ替え動作を行わせ、前記20枚の半導体ウエハ100が貯留された搬送槽32を前記受け渡し位置Bへ移動させる。その後、制御装置8は、取出装置38と洗浄装置4の搬入ロボット24に上記した搬送槽32内からの半導体ウエハ100の取り出し、その半導体ウエハ100の受け渡し及びその半導体ウエハ100の洗浄装置4内への搬入の各動作と同様の動作を行わせる。これにより、搬送槽32内の20枚の半導体ウエハ100が貯留された順番で取り出されて洗浄装置4へ受け渡される。   Then, when the operation of the cleaning device 4 that has stopped abnormally is restarted, the control device 8 causes the transfer tank moving mechanism 34 to perform the replacement operation of the transfer tanks 32 and 32 accordingly, and the 20 semiconductors. The transfer tank 32 in which the wafer 100 is stored is moved to the delivery position B. Thereafter, the control device 8 takes out the semiconductor wafer 100 from the transfer tank 32 to the take-in robot 38 and the loading robot 24 of the cleaning device 4, transfers the semiconductor wafer 100, and enters the semiconductor wafer 100 cleaning device 4. The same operation as each operation of carrying in is performed. Thus, the 20 semiconductor wafers 100 in the transfer tank 32 are taken out in the order in which they are stored and transferred to the cleaning device 4.

なお、異常停止していた洗浄装置4の動作が前記20枚の半導体ウエハ100の研磨から搬送槽32内への装入終了までの間に再開された場合には、制御装置8は、前記搬出ロボット22と前記装入装置36による受け取り位置Aにある搬送槽32内への半導体ウエハ100の装入動作を一旦停止させ、その時点で受け取り位置Aにある搬送槽32内に装入された分の半導体ウエハ100を搬送槽移動機構34によって受け渡し位置Bへ搬送させるとともに、その半導体ウエハ100を前記取出装置38と前記搬入ロボット24により洗浄装置4へ受け渡させる。   When the operation of the cleaning device 4 that has stopped abnormally is resumed between the polishing of the 20 semiconductor wafers 100 and the end of the loading into the transfer tank 32, the control device 8 The operation of temporarily loading the semiconductor wafer 100 into the transfer tank 32 at the receiving position A by the robot 22 and the charging device 36 is temporarily stopped, and the portion of the transfer into the transfer tank 32 at the receiving position A at that time is temporarily stopped. The semiconductor wafer 100 is transferred to the transfer position B by the transfer tank moving mechanism 34, and the semiconductor wafer 100 is transferred to the cleaning device 4 by the take-out device 38 and the carry-in robot 24.

以上のようにして、本実施形態の半導体ウエハ加工装置における各動作が行われる。   As described above, each operation in the semiconductor wafer processing apparatus of this embodiment is performed.

以上説明したように、本実施形態では、複数の半導体ウエハ100を研磨装置2で同時に研磨するとともに、その研磨後の複数の半導体ウエハ100を搬送装置6で同時に洗浄装置4へ搬送するので、従来のように半導体ウエハ1枚ごとに研磨、搬送、洗浄を行う場合に比べて半導体ウエハ100の加工能率を向上させることができる。   As described above, in this embodiment, a plurality of semiconductor wafers 100 are simultaneously polished by the polishing apparatus 2 and the polished semiconductor wafers 100 are simultaneously transferred to the cleaning apparatus 4 by the transfer apparatus 6. Thus, the processing efficiency of the semiconductor wafer 100 can be improved as compared with the case where polishing, transporting and cleaning are performed for each semiconductor wafer.

また、本実施形態では、搬送装置6において一対の搬送槽32,32を受け取り位置Aと受け渡し位置Bとの間で互いに入れ替えながら半導体ウエハ100を搬送させるので、1つの搬送槽を受け取り位置と受け渡し位置の間で往復移動させて半導体ウエハ100を搬送させる場合に比べて半導体ウエハ100の搬送効率を向上させることができる。これにより、半導体ウエハ加工装置全体としての半導体ウエハ100の加工能率をより向上させることができる。   In this embodiment, since the semiconductor wafer 100 is transferred while the pair of transfer tanks 32 and 32 are interchanged between the receiving position A and the transfer position B in the transfer device 6, one transfer tank is transferred to and from the receiving position. Compared with the case where the semiconductor wafer 100 is transferred by reciprocating between the positions, the transfer efficiency of the semiconductor wafer 100 can be improved. Thereby, the processing efficiency of the semiconductor wafer 100 as the entire semiconductor wafer processing apparatus can be further improved.

さらに、本実施形態では、洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の半導体ウエハ100を研磨後に搬送装置6の搬送槽32内の純水中で貯留することができるため、洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の複数の半導体ウエハ100について乾燥による前記汚染物質の固着や前記研磨剤のアルカリ成分によるエッチングの進行を防ぐことができる。その結果、洗浄装置4の異常停止に起因して多くの不良品の半導体ウエハ100が生じるのを防ぐことができ、歩留まりの低下を抑制することができる。従って、本実施形態では、半導体ウエハ100の加工能率を向上させながら、洗浄装置4の異常停止に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。   Furthermore, in this embodiment, when the cleaning apparatus 4 is abnormally stopped, the semiconductor wafer 100 being processed by the polishing apparatus 2 can be stored in pure water in the transfer tank 32 of the transfer apparatus 6 after polishing. When the apparatus 4 is abnormally stopped, the contamination of the plurality of semiconductor wafers 100 being processed by the polishing apparatus 2 can be prevented from adhering due to drying and the progress of etching due to the alkali component of the abrasive. As a result, it is possible to prevent many defective semiconductor wafers 100 from being generated due to the abnormal stop of the cleaning device 4, and to suppress a decrease in yield. Therefore, in this embodiment, it is possible to suppress a decrease in yield due to the abnormal stop of the cleaning device 4 while improving the processing efficiency of the semiconductor wafer 100.

また、本実施形態では、洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の全ての半導体ウエハ100を研磨後に一方の搬送槽32内に貯留するので、両搬送槽32,32に分けて貯留する場合のように洗浄装置4が復帰したときに両搬送槽32,32を受け取り位置Aと受け渡し位置Bとの間で移動させて各搬送槽32に貯留された半導体ウエハ100をそれぞれ洗浄装置4へ受け渡す制御を行う必要がない。このため、洗浄装置4が復帰したときに前記貯留されていた半導体ウエハ100を洗浄装置4へ受け渡す制御を簡略化することができる。   In the present embodiment, when the cleaning device 4 is abnormally stopped, all the semiconductor wafers 100 being processed by the polishing device 2 are stored in one transfer tank 32 after being polished. When the cleaning device 4 is restored as in the case of storing the wafers, the two transfer tanks 32, 32 are moved between the receiving position A and the delivery position B, and the semiconductor wafers 100 stored in the transfer tanks 32 are respectively cleaned. There is no need to perform control to be transferred to the device 4. For this reason, it is possible to simplify the control of transferring the stored semiconductor wafer 100 to the cleaning device 4 when the cleaning device 4 is restored.

また、本実施形態では、各搬送槽32を受け取り位置Aと受け渡し位置Bでそれぞれ位置決めするための位置決め装置35が設けられているので、位置決め装置35により各搬送槽32を受け取り位置Aと受け渡し位置Bで正確に位置決めすることができ、位置ずれに起因する搬送槽32内への半導体ウエハ100の装入ミスや搬送槽32内からの半導体ウエハ100の取り出しミスの発生を防ぐことができる。   In the present embodiment, since the positioning device 35 is provided for positioning each transport tank 32 at the receiving position A and the delivery position B, respectively, the transport tank 32 is received by the positioning device 35 from the receiving position A and the delivery position. B can be accurately positioned, and it is possible to prevent a mistake in loading the semiconductor wafer 100 into the transfer tank 32 and a mistake in taking out the semiconductor wafer 100 from the transfer tank 32 due to the positional deviation.

また、本実施形態では、搬送槽移動機構34が一対の搬送槽32,32をともに支持する旋回体34aと、受け取り位置Aと受け渡し位置Bとの間で一対の搬送槽32,32を互いに入れ替えるように旋回体34aを回転させる旋回機構34bとを有するので、旋回体34aを回転させるだけで受け取り位置Aと受け渡し位置Bとの間で一対の搬送槽32,32を互いにかつ同時に入れ替えることができる。このため、搬送槽移動機構34に一対の搬送槽32,32をそれぞれ移動させるための駆動体を個別に設ける場合に比べて搬送槽移動機構34の構成を簡素なものとすることができる。   Further, in the present embodiment, the pair of transport tanks 32 and 32 are interchanged between the swivel body 34a in which the transport tank moving mechanism 34 supports the pair of transport tanks 32 and 32 and the receiving position A and the delivery position B. Thus, the pair of transport tanks 32 and 32 can be exchanged between the receiving position A and the delivery position B at the same time by simply rotating the turning body 34a. . For this reason, the structure of the conveyance tank moving mechanism 34 can be simplified compared with the case where the drive body for moving each of a pair of conveyance tanks 32 and 32 is provided in the conveyance tank movement mechanism 34 separately.

また、本実施形態では、搬送装置6が受け取り位置Aにある搬送槽32内に純水を充填する液体充填装置44を有するので、搬送槽32が受け取り位置Aに配置されたときにその搬送槽32内にきれいな純水を充填することができ、使用者が搬送槽32内の水を入れ替える場合と異なり、使用者の作業負担を増大させることなく、搬送槽32内の水をきれいな状態に保つことができる。   Moreover, in this embodiment, since the conveyance apparatus 6 has the liquid filling apparatus 44 which fills the pure water in the conveyance tank 32 in the reception position A, when the conveyance tank 32 is arrange | positioned in the reception position A, the conveyance tank Unlike the case where the user replaces the water in the transport tank 32, the water in the transport tank 32 can be kept clean without increasing the work burden on the user. be able to.

また、本実施形態では、液体充填装置44が受け取り位置Aにある搬送槽32内にその底部付近から純水を導入するとともにその搬送槽32の上縁32aから純水をオーバーフローさせることによってその搬送槽32内に純水を充填する導入部44bを有する。これにより、搬送槽32内に底部から上部への純水の流れができるため、その純水の流れによって搬送槽32内に残留する前記汚染物質を外部へ効果的に排出することができる。このため、搬送槽32内の水をよりきれいな状態に保つことができる。   In the present embodiment, the liquid filling device 44 introduces pure water from the vicinity of the bottom into the transport tank 32 at the receiving position A, and overflows the pure water from the upper edge 32a of the transport tank 32 to transport the liquid. The tank 32 has an introduction portion 44b for filling pure water. Accordingly, since pure water flows from the bottom to the top in the transport tank 32, the contaminants remaining in the transport tank 32 can be effectively discharged to the outside by the pure water flow. For this reason, the water in the conveyance tank 32 can be kept in a cleaner state.

また、本実施形態では、搬送装置6が、受け渡し位置Bにおいて搬送槽32内の水を排出するための切換操作を行い、その搬送槽32が受け渡し位置Bから受け取り位置Aへ移動する過程でその搬送槽32から水を排出させる液体排出装置40を有する。このため、搬送槽32の移動と搬送槽32からの水の排出を並行して行うことができるので、搬送槽32が受け取り位置へ移動した後に水を排出させる場合に比べて半導体ウエハ100の搬送効率をさらに向上させることができる。このため、半導体ウエハ加工装置における半導体ウエハ100の加工能率をさらに向上させることができる。   In the present embodiment, the transfer device 6 performs a switching operation for discharging water in the transfer tank 32 at the transfer position B, and the transfer tank 32 moves from the transfer position B to the receive position A in the process. A liquid discharge device 40 that discharges water from the transfer tank 32 is provided. For this reason, since the movement of the transfer tank 32 and the discharge of the water from the transfer tank 32 can be performed in parallel, the transfer of the semiconductor wafer 100 can be performed as compared with the case where the water is discharged after the transfer tank 32 moves to the receiving position. Efficiency can be further improved. For this reason, the processing efficiency of the semiconductor wafer 100 in the semiconductor wafer processing apparatus can be further improved.

また、本実施形態では、搬送装置6が、搬送槽32が受け渡し位置Bから受け取り位置Aへ移動する経路に沿ってその搬送槽32から排出される水を受ける排液受部42を有するので、搬送槽32の移動過程で排出される水が搬送装置6の外部へ漏出するのを防ぐことができる。   Further, in the present embodiment, the transport device 6 includes the drainage receiving unit 42 that receives water discharged from the transport tank 32 along a path along which the transport tank 32 moves from the transfer position B to the receive position A. It is possible to prevent water discharged during the transfer process of the transfer tank 32 from leaking out of the transfer device 6.

また、本実施形態では、異常停止していた洗浄装置4の動作が再開されたことに応じて、半導体ウエハ100が貯留されていた搬送槽32を受け渡し位置Bへ移動させるとともに、その搬送槽32内の半導体ウエハ100を貯留された順番で取り出させて洗浄装置4へ受け渡させるので、洗浄装置4の異常停止に起因して半導体ウエハ100の加工順番が狂うのを防ぐことができる。   In the present embodiment, in response to the restart of the operation of the cleaning apparatus 4 that has stopped abnormally, the transfer tank 32 in which the semiconductor wafer 100 is stored is moved to the delivery position B, and the transfer tank 32 is moved. Since the semiconductor wafers 100 are taken out in the order in which they are stored and transferred to the cleaning device 4, it is possible to prevent the processing order of the semiconductor wafers 100 from being out of order due to the abnormal stop of the cleaning device 4.

また、本実施形態では、搬送装置6がクリーンブース46a、クリーンフィルタユニット46b、除電装置46c及び排気装置46dを含む汚染防止機構46を備えているので、クリーンブース46a内の清浄な空気中で半導体ウエハ100の搬送及び貯留を行うことができるとともに、除電装置46cにより半導体ウエハ100の帯電を防止してダストの引き寄せを抑制することができる。これにより、搬送装置6での搬送過程及び貯留過程において半導体ウエハ100の表面が汚染されるのを防ぐことができる。   In the present embodiment, since the transfer device 6 includes the contamination prevention mechanism 46 including the clean booth 46a, the clean filter unit 46b, the charge removal device 46c, and the exhaust device 46d, the semiconductor wafer is contained in clean air inside the clean booth 46a. 100 can be transported and stored, and the neutralization device 46c can prevent the semiconductor wafer 100 from being charged and suppress dust from being drawn. Thereby, it is possible to prevent the surface of the semiconductor wafer 100 from being contaminated during the transfer process and the storage process in the transfer device 6.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes meanings equivalent to the scope of claims for patent and all modifications within the scope.

上記実施形態では、搬送槽32に充填する液体として純水を用いたが、これ以外の液体を用いてもよい。例えば、半導体ウエハ100の表面から前記汚染物質を離脱させる効果を有するオゾン水等の各種機能水を適宜選択して搬送槽32に充填してもよい。この場合には、複数種類の液体から所望の液体を選択して搬送槽32に充填するための液体切換機構を前記液体充填装置44に具備させれば、搬送槽32に充填する液体の変更を容易に行えるとともに、各種液体の混合調整も行うことができる。   In the above embodiment, pure water is used as the liquid filling the transport tank 32, but other liquids may be used. For example, various functional waters such as ozone water having an effect of detaching the contaminants from the surface of the semiconductor wafer 100 may be appropriately selected and filled in the transfer tank 32. In this case, if the liquid filling device 44 is provided with a liquid switching mechanism for selecting a desired liquid from a plurality of types of liquids and filling the transport tank 32, the liquid filled in the transport tank 32 can be changed. It can be easily performed, and various liquids can be mixed and adjusted.

また、前記液体として前記研磨剤中のエッチング作用を有する成分の中和が可能な液体を用いてもよい。例えば、上記実施形態のように研磨装置2においてアルカリ液を含む研磨剤を用いている場合には、前記純水の代わりに酸性の液体を搬送槽32に充填し、搬送槽32での搬送中及び貯留中に半導体ウエハ100に付着した前記アルカリ液を中和するようにしてもよい。また、上記実施形態と異なり、研磨装置2において酸性の研磨剤を用いる場合もあり、この場合には、アルカリ性の液体を搬送槽32に充填し、搬送槽32での搬送中及び貯留中に半導体ウエハ100に付着した前記酸性の研磨剤を中和するようにしてもよい。   Further, a liquid capable of neutralizing a component having an etching action in the abrasive may be used as the liquid. For example, when a polishing agent containing an alkaline liquid is used in the polishing apparatus 2 as in the above-described embodiment, an acidic liquid is filled in the transfer tank 32 instead of the pure water, and is being transferred in the transfer tank 32. In addition, the alkaline liquid adhering to the semiconductor wafer 100 during storage may be neutralized. Further, unlike the above embodiment, an acidic abrasive may be used in the polishing apparatus 2, and in this case, an alkaline liquid is filled in the transport tank 32, and the semiconductor is being transported and stored in the transport tank 32. The acidic abrasive attached to the wafer 100 may be neutralized.

また、上記実施形態では、搬送装置6が一対の搬送槽32,32のみを備える場合を例示したが、搬送装置6が一対の搬送槽32,32に限らずさらに多くの搬送槽を備えていてもよい。この場合には、例えば、各搬送槽を前記搬送槽移動機構34の旋回体34a上に所定角度ごとに離間して設置し、それら各搬送槽を搬送槽移動機構34により所定角度ごとに旋回させながら前記受け取り位置Aと前記受け渡し位置Bとの間で搬送槽を入れ替えて研磨後の半導体ウエハ100を搬送または貯留するようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the case where the conveying apparatus 6 was equipped with only a pair of conveying tanks 32 and 32 was illustrated, the conveying apparatus 6 is equipped with not only a pair of conveying tanks 32 and 32 but many more conveying tanks. Also good. In this case, for example, the respective transport tanks are spaced apart from each other by a predetermined angle on the revolving body 34a of the transport tank moving mechanism 34, and the respective transport tanks are swung by the predetermined transport angle by the transport tank moving mechanism 34. However, the transfer tank may be exchanged between the receiving position A and the delivery position B so that the polished semiconductor wafer 100 is transferred or stored.

また、上記実施形態では、各搬送槽32が研磨装置2で一度に処理される最大数の半導体ウエハ100を収容可能な収容量を有しており、洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の半導体ウエハ100を一方の搬送槽32にのみ貯留したが、本発明はこの構成に限らない。   Moreover, in the said embodiment, each conveyance tank 32 has the accommodation capacity which can accommodate the maximum number of semiconductor wafers 100 processed at once by the polishing apparatus 2, and when the cleaning apparatus 4 stops abnormally, the polishing apparatus The semiconductor wafer 100 being processed in 2 is stored only in one transfer tank 32, but the present invention is not limited to this configuration.

すなわち、一対の搬送槽が合計で少なくとも研磨装置2で一度に処理される最大数の半導体ウエハ100を収容可能な収容量を有していればよく、さらに洗浄装置4が異常停止したときに研磨装置2で処理中の半導体ウエハ100を両搬送槽に分けて貯留してもよい。この場合には、一方の搬送槽が半導体ウエハ100で一杯になったら、前記搬送槽移動機構34によって両搬送槽を入れ替えてもう一方の搬送槽に残りの半導体ウエハ100を貯留するのが好ましい。そして、洗浄装置4の動作が再開されたときには、半導体ウエハ100が貯留された順番で洗浄装置4へ受け渡されるように両搬送槽を移動させながら前記取出装置38による前記搬入ロボット24への半導体ウエハ100の受け渡しが行われるように制御するのが好ましい。   That is, it is sufficient that the pair of transfer tanks have a capacity capable of accommodating the maximum number of semiconductor wafers 100 processed at a time by the polishing apparatus 2 in total, and the polishing is performed when the cleaning apparatus 4 is abnormally stopped. The semiconductor wafer 100 being processed by the apparatus 2 may be stored separately in both transfer tanks. In this case, when one of the transfer tanks is filled with the semiconductor wafers 100, it is preferable to replace both transfer tanks by the transfer tank moving mechanism 34 and store the remaining semiconductor wafers 100 in the other transfer tank. Then, when the operation of the cleaning device 4 is resumed, the semiconductor to the loading robot 24 by the take-out device 38 is moved while moving both transfer tanks so that the semiconductor wafers 100 are delivered to the cleaning device 4 in the order in which they are stored. It is preferable to control the wafer 100 to be delivered.

本発明の一実施形態による半導体ウエハ加工装置の全体構成を概略的に示した図である。1 is a diagram schematically showing an overall configuration of a semiconductor wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示した半導体ウエハ加工装置の搬送装置内を上方から見た図である。It is the figure which looked at the inside of the conveyance apparatus of the semiconductor wafer processing apparatus shown in FIG. 1 from upper direction. 搬送装置内を側方から見た図である。It is the figure which looked at the inside of a conveying apparatus from the side. 図3中の搬送槽近傍の構造を拡大して示した図である。It is the figure which expanded and showed the structure of the conveyance tank vicinity in FIG. 液体充填装置により搬送槽内に液体を充填する際の状態を示した図である。It is the figure which showed the state at the time of filling a liquid in a conveyance tank with a liquid filling apparatus. 搬送槽と液体充填装置の導入部を示した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which showed the introducing | transducing part of the conveyance tank and the liquid filling apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

2 研磨装置
4 洗浄装置
6 搬送装置
8 制御装置
22 搬出ロボット(搬出装置)
24 搬入ロボット(搬入装置)
32 搬送槽
34 搬送槽移動機構
34a 旋回体
34b 旋回機構
35 位置決め装置
36 装入装置
36a 装入機構
38 取出装置
38a 取出機構
40 液体排出装置
42 排液受部
44 液体充填装置
44b 導入部
46 汚染防止機構
46a クリーンブース
46b クリーンフィルタユニット
46c 除電装置
46d 排気装置
100 半導体ウエハ
A 受け取り位置
B 受け渡し位置
2 Polishing device 4 Cleaning device 6 Transport device 8 Control device 22 Unloading robot (unloading device)
24 Carry-in robot (carry-in device)
32 Transport tank 34 Transport tank moving mechanism 34a Rotating body 34b Rotating mechanism 35 Positioning device 36 Loading device 36a Loading mechanism 38 Extracting device 38a Extracting mechanism 40 Liquid discharging device 42 Liquid drainage receiving portion 44 Liquid filling device 44b Introducing portion 46 Contamination prevention Mechanism 46a Clean booth 46b Clean filter unit 46c Static eliminator 46d Exhaust device 100 Semiconductor wafer A Reception position B Delivery position

Claims (11)

半導体ウエハの研磨を行った後、その半導体ウエハの洗浄を行う半導体ウエハ加工装置であって、
複数の前記半導体ウエハを同時に研磨する研磨装置と、
その研磨装置で研磨された前記半導体ウエハを洗浄する洗浄装置と、
前記研磨装置と前記洗浄装置の間に介在し、前記研磨装置から前記洗浄装置へ研磨後の前記複数の半導体ウエハを同時に搬送する搬送装置と、
前記研磨装置、前記洗浄装置及び前記搬送装置の動作を制御する制御装置とを備え、
前記搬送装置は、液体を内部に収容するとともにその液体中に漬かるように研磨後の前記半導体ウエハを収容する一対の搬送槽と、前記研磨装置から前記研磨後の半導体ウエハを受け取る受け取り位置と前記洗浄装置へ前記研磨後の半導体ウエハを受け渡す受け渡し位置との間で前記一対の搬送槽を互いに入れ替えるように移動させる搬送槽移動機構と、前記一対の搬送槽のうち前記受け取り位置にある搬送槽内に前記研磨装置から受け取った前記研磨後の半導体ウエハを装入する装入装置と、前記一対の搬送槽のうち前記受け渡し位置にある搬送槽内から前記研磨後の半導体ウエハを取り出して前記洗浄装置へ受け渡す取出装置とを含み、
前記一対の搬送槽は、合計で少なくとも前記研磨装置で一度に処理される最大数の前記半導体ウエハを収容可能な収容量を有し、
前記制御装置は、前記洗浄装置が異常停止したときに前記研磨装置で処理中の前記半導体ウエハを研磨後に前記装入装置によって前記一対の搬送槽のうち少なくとも一方に装入させて貯留させる、半導体ウエハ加工装置。
A semiconductor wafer processing apparatus for cleaning a semiconductor wafer after polishing the semiconductor wafer,
A polishing apparatus for simultaneously polishing a plurality of the semiconductor wafers;
A cleaning device for cleaning the semiconductor wafer polished by the polishing device;
A transfer device that is interposed between the polishing device and the cleaning device and simultaneously transfers the plurality of semiconductor wafers after polishing from the polishing device to the cleaning device;
A controller for controlling operations of the polishing apparatus, the cleaning apparatus, and the transport apparatus;
The transfer device contains a pair of transfer tanks for storing the semiconductor wafer after polishing so as to store the liquid therein and soaked in the liquid; a receiving position for receiving the semiconductor wafer after polishing from the polishing device; A transfer tank moving mechanism that moves the pair of transfer tanks to be exchanged with each other between a delivery position for delivering the polished semiconductor wafer to a cleaning device; and a transfer tank at the receiving position of the pair of transfer tanks A charging device for loading the polished semiconductor wafer received from the polishing device, and the cleaning of the paired transfer tanks from the transfer tank at the transfer position, and removing the polished semiconductor wafer Including a take-out device for delivery to the device,
The pair of transfer tanks has a capacity capable of accommodating a maximum number of the semiconductor wafers processed at a time by the polishing apparatus in total,
The control device is configured to store the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus in at least one of the pair of transfer tanks after polishing by the charging apparatus when the cleaning apparatus is abnormally stopped. Wafer processing equipment.
前記各搬送槽は、前記研磨装置で一度に処理される最大数の前記半導体ウエハを収容可能な収容量をそれぞれ有し、
前記制御装置は、前記洗浄装置が異常停止したときに前記研磨装置で処理中の前記半導体ウエハを研磨後に前記装入装置によって前記一対の搬送槽のうち一方の搬送槽内に装入させて貯留させる、請求項1に記載の半導体ウエハ加工装置。
Each of the transfer tanks has a storage capacity capable of storing the maximum number of the semiconductor wafers processed at one time by the polishing apparatus,
The control device stores the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus in one of the pair of transfer tanks after the polishing by polishing the semiconductor wafer being processed by the polishing apparatus when the cleaning apparatus abnormally stops. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein
前記搬送装置は、前記各搬送槽を前記受け取り位置と前記受け渡し位置でそれぞれ位置決めするための位置決め装置を含む、請求項1または2に記載の半導体ウエハ加工装置。   The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer device includes a positioning device for positioning the transfer tanks at the receiving position and the delivery position. 前記搬送槽移動機構は、前記一対の搬送槽をともに支持する旋回体と、前記受け取り位置と前記受け渡し位置の間に位置する軸を中心として前記受け取り位置と前記受け渡し位置との間で前記一対の搬送槽を互いに入れ替えるように前記旋回体を回転させる旋回機構とを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。   The transfer tank moving mechanism includes a revolving body that supports the pair of transfer tanks, and a pair of the pair of transfer tanks between the receiving position and the transfer position around an axis positioned between the receiving position and the transfer position. The semiconductor wafer processing apparatus of any one of Claims 1-3 containing the turning mechanism which rotates the said turning body so that a conveyance tank may mutually be replaced. 前記研磨装置は、前記研磨後の半導体ウエハを当該研磨装置から前記搬送装置へ水平方向に搬出する搬出装置を有し、
前記洗浄装置は、前記搬送装置によって搬送された前記研磨後の半導体ウエハをその搬送装置内に水平方向に進出して受け取った後、当該洗浄装置内に水平方向に搬入する搬入装置を有し、
前記装入装置は、前記搬出装置により前記研磨装置から搬出された前記研磨後の半導体ウエハを把持して受け取った後、前記受け取り位置にある搬送槽内に上方から下方へ向かって装入する装入機構を有し、
前記取出装置は、前記受け渡し位置にある搬送槽内の前記研磨後の半導体ウエハを把持して上方に取り出した後、前記洗浄装置から前記搬送装置内に進出している前記搬入装置に受け渡す取出機構を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。
The polishing apparatus has a carry-out device for carrying out the polished semiconductor wafer from the polishing apparatus to the transfer device in a horizontal direction,
The cleaning device has a carry-in device for horizontally receiving the polished semiconductor wafer transported by the transport device in advance in the transport device, and then carrying the semiconductor wafer into the cleaning device in a horizontal direction.
The charging device grips and receives the polished semiconductor wafer unloaded from the polishing device by the unloading device, and then loads it into the transfer tank at the receiving position from above to below. Has an input mechanism,
The take-out device grips and removes the polished semiconductor wafer in the transfer tank at the transfer position, and then transfers it from the cleaning device to the carry-in device that has advanced into the transfer device. The semiconductor wafer processing apparatus of any one of Claims 1-4 which has a mechanism.
前記搬送装置は、前記受け取り位置にある前記搬送槽内に前記液体を充填する液体充填装置を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。   The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer device includes a liquid filling device that fills the liquid into the transfer tank at the receiving position. 前記液体充填装置は、前記受け取り位置にある前記搬送槽内にその底部付近から前記液体を導入するとともにその搬送槽の上部から前記液体をオーバーフローさせることによってその搬送槽内に前記液体を充填する導入部を有する、請求項6に記載の半導体ウエハ加工装置。   The liquid filling apparatus introduces the liquid into the transport tank at the receiving position by introducing the liquid from near the bottom and overflowing the liquid from the top of the transport tank. The semiconductor wafer processing apparatus of Claim 6 which has a part. 前記搬送装置は、前記受け渡し位置において前記搬送槽内の前記液体を排出するための切換操作を行い、その搬送槽が前記受け渡し位置から前記受け取り位置へ移動する過程でその搬送槽から前記液体を排出させる液体排出装置を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。   The transfer device performs a switching operation for discharging the liquid in the transfer tank at the transfer position, and discharges the liquid from the transfer tank in the process of moving the transfer tank from the transfer position to the receive position. The semiconductor wafer processing apparatus of any one of Claims 1-7 containing the liquid discharge apparatus to be made. 前記搬送装置は、前記搬送槽が前記受け渡し位置から前記受け取り位置へ移動する経路に沿ってその搬送槽から排出される前記液体を受ける排液受部を含む、請求項8に記載の半導体ウエハ加工装置。   The semiconductor wafer processing according to claim 8, wherein the transfer device includes a drainage receiving unit that receives the liquid discharged from the transfer tank along a path along which the transfer tank moves from the delivery position to the receiving position. apparatus. 前記制御装置は、異常停止していた前記洗浄装置の動作が再開されたことに応じて、前記半導体ウエハが貯留された前記搬送槽を前記搬送槽移動機構により前記受け渡し位置へ移動させるとともに、前記取出装置によりその搬送槽内に貯留された前記半導体ウエハを貯留された順番で取り出させて前記洗浄装置へ渡させる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。   The control device moves the transfer tank storing the semiconductor wafer to the transfer position by the transfer tank moving mechanism in response to the operation of the cleaning apparatus that has been abnormally stopped being restarted, and 10. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafers stored in the transfer tank are taken out by the take-out device in the order in which the semiconductor wafers are stored and passed to the cleaning device. 前記搬送装置は、当該搬送装置内における前記研磨後の半導体ウエハの汚染を防ぐための汚染防止機構を含み、
この汚染防止機構は、前記一対の搬送槽、前記搬送槽移動機構、前記装入装置及び前記取出装置を収容するクリーンブースと、このクリーンブース内に清浄な空気を導入するためのクリーンフィルタユニットと、前記クリーンブース内における前記研磨後の半導体ウエハの帯電を防ぐための除電装置と、前記クリーンブース内から空気を排出するための排気装置とを有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体ウエハ加工装置。
The transfer device includes a contamination prevention mechanism for preventing contamination of the polished semiconductor wafer in the transfer device,
The contamination prevention mechanism includes a clean booth that houses the pair of transfer tanks, the transfer tank moving mechanism, the charging device, and the take-out device, and a clean filter unit for introducing clean air into the clean booth, 11. The apparatus according to claim 1, further comprising: a static eliminator for preventing charging of the semiconductor wafer after polishing in the clean booth, and an exhaust device for discharging air from the clean booth. Semiconductor wafer processing equipment.
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