JP4800710B2 - 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 - Google Patents
光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4800710B2 JP4800710B2 JP2005248485A JP2005248485A JP4800710B2 JP 4800710 B2 JP4800710 B2 JP 4800710B2 JP 2005248485 A JP2005248485 A JP 2005248485A JP 2005248485 A JP2005248485 A JP 2005248485A JP 4800710 B2 JP4800710 B2 JP 4800710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical filter
- layer
- correction layer
- spectrum correction
- dielectric multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
Description
しかし、現在のプロセスでは単に誘電体多層膜を成膜するだけで、その均一性制御には限界がある。そのため、その均一性を向上させるために様々な研究がなされている。例えば、ECRスパッタ装置を利用して高い面内均一性を実現している研究成果として、非特許文献1〜3が知られている。これらの技術では、SiO2/Ta2O5の誘電体多層膜において、膜厚の精度として±0.65%(8インチウェハー)、屈折率分布として±0.16%(8インチウェハー)である。
応用物理学会2003年秋1p-YK-2 K. Saito, Y. Jin, and M. Shimada, Appl. Phys. Lett. 81, 3582 (2002) 斎藤國夫、神好人、小野俊郎、天澤敬生、Semiconductor FPD World、2001年10月号、pp.57-61.
そこで、本発明の目的は、蒸着装置を利用して一度に何枚ものウェハー処理を行って製造でき、しかも、透過スペクトルが光学フィルタの透過位置により異なることを防止できるようにすることである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光学フィルタにおいて、前記誘電体多層膜を複数備え、複数の前記誘電体多層膜間にスペーサー層を備え、前記スペクトル補正層は、前記スペーサー層を構成する材料又は前記誘電体多層膜を構成する複数の材料のうちの一つと同じ材料で構成されていることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の光学フィルタにおいて、前記スペクトル補正層は、樹脂によって構成されていることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一項に記載の光学フィルタにおいて、前記スペクトル補正層は、その膜厚Dmが、Dm=λ/4n×N(ただし、N:偶数、n:屈折率、λ:入射光波長)の条件を満たすことを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の光学フィルタにおいて、前記スペクトル補正層は、前記スペーサー層に隣接して形成されていることを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項4又は5に記載の光学フィルタにおいて、前記スペーサー層は、電気光学材料、又はフォトリフラクティブ材料で形成されていることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれかの光学フィルタを製造する光学フィルタの製造方法において、前記スペクトル補正層の膜厚をドライエッチングによって制御することを特徴とする光学フィルタの製造方法である。
請求項8に記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれかの光学フィルタを製造する光学フィルタの製造方法において、前記スペクトル補正層の膜厚をフォトリソグラフィーによって制御することを特徴とする光学フィルタの製造方法である。
本発明の光学フィルタは蒸着装置を利用して製造でき一度に何枚ものウェハーが処理できるので製造コストを低減できる。蒸着装置での面内分布によって膜厚が設計値からずれ、不良品として歩留まりを下げ、製造コストを上げる原因となる点も、スペクトル補正層により補正することができる。
また、透過スペクトルが本光学フィルタの透過位置により異なることをスペクトル補正層の膜厚で補正することができる。
請求項2に記載の発明によれば、同じ材質で製造することで、その製造コストを大幅に低減できる。
また、キャビティー型の光学フィルタとすることで狭帯域のバンドパスフィルタが実現することができる。
請求項3に記載の発明によれば、樹脂は蒸着などの気相成長と異なり簡便に成膜が可能であるので、製造コストを低減できる。
請求項4に記載の発明によれば、スペクトル補正層の透過率を向上させることができる。
請求項6に記載の発明によれば、スペーサー層を電気光学材料又はフォトリフラクティブ材料にすることで、外部の電圧もしくは光によって、屈折率を制御することができる。スペーサー層の屈折率を変えることは光学長を制御することと等価であり、これにより光学フィルタとしての光学特性が変わる。スペーサー層は最も光学特性に影響する部分であり、スペーサー層の屈折率を変えることで効率的に光学特性を制御できる。また、この屈折率変化は高精度の制御することが可能で、フォトリソやエッチングによって制御するより高精度な制御が可能である。
請求項7に記載の発明によれば、蒸着では面内を一様に単に厚くなる方向にしか制御できないのに対して、エッチングを用いているので、成膜した膜の膜厚を少なくなる方向に加工することができる。また、エッチングはエッチングガスを任意の位置でプラズマ化することが可能であり、任意の位置に制御されたプラズマはその位置での膜を削り取る。膜は面内において制御された膜厚にすることができる。
請求項8に記載の発明によれば、フォトリソグラフィーを用いるので、任意の位置にマスクをかけ、任意の形に感光性のレジストを形成できる。これにより面内において制御された位置にマスクを残し、その上からエッチングを行うことで、任意の面内分布を持った膜を形成することができる。この任意の厚みをもった膜はスペクトル補正層として働く。
[実施形態1]
図1は、従来の光学フィルタの拡大縦断面図(a)、本実施形態の光学フィルタの拡大縦断面図(b)、この両者の光学フィルタの測定位置と中心波長との関係を説明するグラフ(c)である。
図1(a)に示す従来の光学フィルタ101は、下から順に基板2、誘電体多層膜3、スペーサー層4、誘電体多層膜5が積層されてなる。誘電体多層膜3、5は、屈折率の異なる複数の誘電体を周期的に積層してなるものである。
図1(b)に示す本実施形態の光学フィルタ1が従来の光学フィルタ101と相違する点は、誘電体多層膜5とスペーサー層4との間にスペクトル補正層6が介装されている点である。
すなわち、図1(c)に示すように、従来の光学フィルタ101は、光を利用する範囲においては、光学スペクトルが位置によって異なる(図1(c)a)。この要因はそれぞれの膜厚が位置によって異なるために生じている。
そこで、本実施形態では、この膜厚変動を補正するために、スペクトル補正層6を導入し、スペクトルを補正している。よって、本実施形態では、光学スペクトルが位置によって異なることが抑制されている(図1(c)b)。すなわち、スペクトル補正層の膜厚又は屈折率が面内で分布を有している。
誘電体多層膜3、5は屈折率の異なる複数の誘電体を周期的に積層してなる。本例では、基板2に近い層から順にSiO2層11とTiO2層12が交互に積層されて構成されている。誘電体多層膜3、5はSiO2層11、TiO2層12の膜厚をそれぞれ、基準波長を632.8nmの光学波長の1/4として、70nm、45nmとした。誘電体多層膜3、5はそれぞれSiO2層11、TiO2層12を6ペアとした。
このように設計されたバンドパスフィルタである光学フィルタを作製すると、前述のように、図1(c)に示すような光を透過させる領域に膜厚の分布が生じてしまう。この膜厚分布は成膜装置によるもので、この精度を上げることは難しい。図1ではスペーサー層4のみが分布をしているように描かれているが、実際には誘電体多層膜3、5にも分布が生じている。ただし、誘電体多層膜3、5の膜厚分布は光学特性上、それほど影響を与えるものではなく、スペーサー4層が与える影響の1/10程度である。
スペクトル補正層6の材料は、有機材料の樹脂や無機材料など様々な選択ができる。今回は引き続き成膜設備を利用することができることから、スペーサー層4と同じSiO2とした。このようにスペーサー層4と同じ材質でも問題ない。このスペクトル補正層6の厚さは500nm程度とする。このスペクトル補正層6は面内において、その膜厚を調整されており、透過スペクトルが面内においてほぼ同一になることを実現している。
スペクトル補正層6の膜厚Dmは、
Dm=λ/4n×N
(ただし、N:偶数、n:屈折率、λ:入射光波長)
の条件を満たすようにする。
スペクトル補正層6の上には誘電体多層膜5が構成されており、光学フィルタ1は、誘電体多層膜3、5で挟まれたキャビティー型の光学フィルタとなっている。この光学フィルタ1は狭帯域のバンドパスフィルタとして機能し、その面内分布は非常に小さいものとなっている。
なお、スペクトル補正層6は、その屈折率が面内で分布を有していることにより透過スペクトルが本実施形態の光学フィルタ1の透過位置により異なることを補正するようにしてもよい。この場合にスペクトル補正層6の屈折率は任意の不純物をドーピングすることで制御でき、面内分布を制御することが可能である。屈折率は光学フィルタの構成において、光学長としてフィルタの光学特性を制御できる。
光学フィルタ1は、以下の各工程を順次実施することにより製造することができる。
(1)工程1(図2(a)を参照)
まず、SiO2製の基板2に誘電体多層膜3及びスペーサー層4を順次形成する。この場合の成膜方法は真空チャンバー内での電子ビーム蒸着法を採用する。
(2)工程2(図2(b)を参照)
続いてスペクトル補正層6を成膜する。この状態ではスペクトル補正層5は及びスペーサー層4は面内分布を引きずっており、面内において光学特性が異なる。
(3)工程3
次に、スペーサー層4及びスペクトル補正層6の膜厚の面内分布を測定する。測定方法は光の干渉現象を利用した手段などを用いれば、測定精度が高く、今回の測定に適している。
(4)工程4
このデーターを集計し、そのデーターを元にグレースケールマスクを設計する。グレースケールマスクは写真乾板と同様に作製され、液晶などの空間変調素子を用いて、任意のグレースケールパターンを転写することができる。このグレースケールパターンは先に測定した膜厚分布を反映し、スペクトル補正層6として機能するように、設計する。この際には、後続の工程であるフォトリソ、エッチングによって、変形することを見こんで設計している。
(5)工程5
次に、フォトレジスト21を塗布し(図2(c)を参照)、その上からグレースケールマスク22に通して露光を行う(図3(a)を参照)。
(6)工程6(図3(b)を参照)
そして、露光されたフォトレジスト21を現像することで、任意形状に加工されたフォトレジストとなる。
(7)工程7(図3(c)を参照)
そして、この上からドライエッチングすることで、フォトレジスト21の形状をスペクトル補正層6に転写することができる。
(8)工程8(図3(d)を参照)
最後に、この任意の形状に加工されたスペクトル補正層6の上に誘電体多層膜5を形成する。
図4は、本実施形態の光学フィルタ1の部分拡大縦断面図である。なお、実施形態1と共通の部材については同一符号を用い、詳細な説明は省略する。
図4に示すように、本実施形態の光学フィルタ1は、スペーサー層4に電気光学材料を用い、スペーサー層4と誘電体多層膜3との間、さらにはスペクトル補正層6と誘電体多層膜5との間に介装された透明電極31、32による電圧印加によって、スペクトル補正層6の屈折率を任意に制御できるようにしている。屈折率を変えることで、光学特性を制御できる。
本実施形態では誘電体多層膜3、5で形成されたミラーによってスペーサー層4を挟みこむキャビティー型狭帯域バンドパスフィルタであり、光学特性として、透過スペクトルの中心波長が重要な項目となる。この中心波長が面内において、分布を持たないように実施形態1と同様にスペクトル補正層6が導入されている。しかし、スペクトル補正層6では補正しきれない部分は電気光学材料(スペーサー層4)によって、微調整を行う。
電気光学材料で面内分布が微調整できるように透明電極31、32はマトリクス状になっている。つまり上下に配置される透明電極31、32とも短冊状になっており、上下の短冊が垂直に交わるようにできている。これにより、電気光学材料であるスペーサー層4の屈折率をマトリクス状に制御できる。
電圧を印加する面内分布は上下の電極31、32の構成に制約を受けるが、中心が大きな電圧をうけ、端の方が小さい電圧をかけるなど、単純な連続分布を作ることは容易である。また、電気光学材料(スペーサー層4)に印加する電圧は時間的に変化することもでき、外部要因などによって変動する光学フィルタ1の特性を安定させることも可能である。特に熱などによるスペーサーの膨張などが最も起こりやすい外部要因の一つである。
誘電体多層膜3、5は基板2に近い層から順にSiO2層11、TiO2層12によって構成されている。誘電体多層膜3、5はSiO2層11、TiO2層12とそれぞれ、基準波長を632.8nmの光学波長の1/4として、70nm、45nmとした。誘電体多層膜3、5はいずれもSiO2層11、TiO2層12を6ペアとしている。
本例ではスペーサー層4にPLZTを用い、膜厚は入射波長の1/4の偶数倍2Nになるようにしている。整数Nは40程度として、膜厚は10nm程度とした。PLZTはその2次電気光学係数を“9E−16[m2V−2]”とし、10Vの電圧印加で、その屈折率変化は約0.0001程度となる。この屈折率変化で、透過率のピーク位置の移動量λmは約1.5nm。この移動量λmは印加電圧や欠陥層の膜厚整数Nによっても制御することができる。
スペーサー層4の上部にはスペクトル補正層6を成膜する。本例では樹脂を材料としている。樹脂はどのようなものでも問題なく、その製造の簡便性から、エポキシ系のUV硬化樹脂を利用するのが望ましい。このスペクトル補正層6の厚さを500nm程度とする。このスペクトル補正層6は面内において、その膜厚を調整されており、透過スペクトルが面内においてほぼ同一になることを実現している。
スペーサー層4及びスペクトル補正層6の両端には電極31、32として透明電極を利用している。透明電極はITOとして、スパッタによって形成できる。ITOは通常のフォトリソ工程でパターニングされている。ITOのパターニングは10nmピッチの短冊とする。
スペクトル補正層6の上には誘電体多層膜5が構成されており、誘電体多層膜3と5で挟まれたキャビティー型の光学フィルタとなっている。この光学フィルタ1は狭帯域のバンドパスフィルタとして機能し、その面内分布は非常に小さい。
3、5 誘電体多層膜
4 スペーサー層(電気光学材料)
6 スペクトル補正層
Claims (8)
- 屈折率の異なる複数の誘電体を周期的に積層してなる誘電体多層膜を備えた光学フィルタにおいて、
透過スペクトルが透過位置により異なることを補正するスペクトル補正層を備え、
前記スペクトル補正層は、膜厚が面内で分布を有していることにより透過スペクトルが透過位置により異なることを補正することを特徴とする光学フィルタ。 - 前記誘電体多層膜を複数備え、
複数の前記誘電体多層膜間にスペーサー層を備え、
前記スペクトル補正層は、前記スペーサー層を構成する材料又は前記誘電体多層膜を構成する複数の材料のうちの一つと同じ材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルタ。 - 前記スペクトル補正層は、樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学フィルタ。
- 前記スペクトル補正層は、その膜厚Dmが、
Dm=λ/4n×N
(ただし、N:偶数、n:屈折率、λ:入射光波長)
の条件を満たすことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光学フィルタ。 - 前記スペクトル補正層は、前記スペーサー層に隣接して形成されていることを特徴とする請求項4に記載の光学フィルタ。
- 前記スペーサー層は、電気光学材料、又はフォトリフラクティブ材料で形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の光学フィルタ。
- 請求項1乃至6のいずれか一項の光学フィルタを製造する光学フィルタの製造方法において、
前記スペクトル補正層の膜厚をドライエッチングによって制御することを特徴とする光学フィルタの製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項の光学フィルタを製造する光学フィルタの製造方法において、
前記スペクトル補正層の膜厚をフォトリソグラフィーによって制御することを特徴とする光学フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005248485A JP4800710B2 (ja) | 2005-08-29 | 2005-08-29 | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005248485A JP4800710B2 (ja) | 2005-08-29 | 2005-08-29 | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007065096A JP2007065096A (ja) | 2007-03-15 |
| JP4800710B2 true JP4800710B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=37927411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005248485A Expired - Fee Related JP4800710B2 (ja) | 2005-08-29 | 2005-08-29 | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4800710B2 (ja) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2602035B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1997-04-23 | 株式会社堀場製作所 | 帯域透過光学フィルター |
| JP2000321420A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | バンドパス光学フィルタ |
| JP2001215325A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 狭帯域光フィルタおよびその製造方法 |
| JP2002072010A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 波長選択性を有する光学素子 |
| JP2002350626A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Sharp Corp | カラーフィルタおよびその製造方法 |
| JP2003215329A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 多層膜光フィルタ及びその製造方法とそれを用いる光学部品 |
| JP3493019B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2004-02-03 | サンテック株式会社 | 波長可変バンドパスフィルタモジュール、波長可変合波器、波長可変分波器、及び波長可変合分波器 |
| JP2003248116A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Ntt Afty Corp | 多層膜フィルタ及びその製造方法並びにその製造装置 |
| JP2003279914A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長可変光学素子 |
| JP4043836B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2008-02-06 | 古河電気工業株式会社 | 多層膜光学フィルタの製造方法およびシステム、ならびに多層膜光学フィルタ |
| JP2004317701A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Alps Electric Co Ltd | 多層膜光フィルタ及び光学部品 |
| JP4329989B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2009-09-09 | 古河電気工業株式会社 | 光学多層膜フィルタの設計方法 |
| JP2005037762A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sun Tec Kk | 光学素子、波長可変光フィルタ、光アドドロップモジュールおよび波長可変光源 |
-
2005
- 2005-08-29 JP JP2005248485A patent/JP4800710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007065096A (ja) | 2007-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6091533B2 (ja) | ブランクマスク及びこれを用いるフォトマスク | |
| JP7474103B2 (ja) | 光学素子の製造方法、及び、光学素子 | |
| KR20080084620A (ko) | 유기 el 소자 | |
| US12044960B2 (en) | EUV photo masks and manufacturing method thereof | |
| TWI748495B (zh) | 用於平板光學元件製造之光阻劑負載方案 | |
| US20180203170A1 (en) | Structural color filter and method of manufacturing the structural color filter | |
| JP5468018B2 (ja) | 有機el素子、有機el表示装置および有機el素子の製造方法 | |
| JP2010072591A (ja) | 偏光素子、及びその製造方法 | |
| KR20220052908A (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| JP4961990B2 (ja) | マスクブランクおよび階調マスク | |
| US9874694B2 (en) | Production method for mounting structure for grating elements | |
| JP4800710B2 (ja) | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 | |
| GB2440635A (en) | Method of Manufacturing a Patterned Colour Conversion Layer, a Colour Conversion Filter and an Organic EL Display that Use the Colour Conversion Layer | |
| US7642040B2 (en) | Method of fabricating periodic domain inversion structure | |
| WO2014148541A1 (ja) | レーザ光源装置 | |
| JP4538254B2 (ja) | Euvリソグラフィー用マスク基板及びその製造方法 | |
| KR100746619B1 (ko) | 오버레이 버니어 키 및 오버레이 버니어 키의 형성방법 | |
| KR20210036770A (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 | |
| CN105137517A (zh) | 一种远紫外宽带反射式介质滤光片及其制备方法 | |
| JP2814847B2 (ja) | 多段位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JP5133967B2 (ja) | Euv露光方法 | |
| US10325777B2 (en) | Utilizing multiple layers to increase spatial frequency | |
| KR102880853B1 (ko) | 투명 유전체 기판 상에 광학 소자의 제조 방법 | |
| KR100762204B1 (ko) | 광학 다층 박막 제조방법 | |
| JP4920956B2 (ja) | 光スイッチ及び光スイッチシステム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110804 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4800710 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |