Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4802097B2 - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4802097B2 - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 - Google Patents

ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4802097B2
JP4802097B2 JP2006528575A JP2006528575A JP4802097B2 JP 4802097 B2 JP4802097 B2 JP 4802097B2 JP 2006528575 A JP2006528575 A JP 2006528575A JP 2006528575 A JP2006528575 A JP 2006528575A JP 4802097 B2 JP4802097 B2 JP 4802097B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
paste composition
semiconductor substrate
silicon semiconductor
type silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006528575A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006003830A1 (ja
Inventor
隆 和辻
晴三 加藤
健 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Aluminum KK
Original Assignee
Toyo Aluminum KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Aluminum KK filed Critical Toyo Aluminum KK
Priority to JP2006528575A priority Critical patent/JP4802097B2/ja
Publication of JPWO2006003830A1 publication Critical patent/JPWO2006003830A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4802097B2 publication Critical patent/JP4802097B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes
    • H10F77/206Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

この発明は、一般的にはペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子に関し、特定的には、結晶系シリコン太陽電池を構成するp型シリコン半導体基板の上に裏面アルミニウム電極を形成する際に用いられるペースト組成物、およびそれを用いた太陽電池素子に関するものである。
太陽電池は、安全でかつ環境に悪影響を与えないクリーンエネルギー源としてより広範囲に実用化が望まれている。
図1は、太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
図1に示すように、厚みが300〜600μmのp型シリコン半導体基板1の受光面側には、厚みが0.3〜0.5μmのn型不純物層2、反射防止膜3およびグリッド電極4が順に形成されている。
また、p型シリコン半導体基板1の裏面側には、裏面電極としてアルミニウム電極層8が形成されている。アルミニウム電極層8は、アルミニウム焼結層5とアルミニウムシリコン混合層6とから構成され、アルミニウム粉末、ガラスフリットおよび有機質ビヒクルからなるペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥した後、660℃(アルミニウムの融点)以上の温度にて焼成することによって形成される。この焼成の際にアルミニウムがp型シリコン半導体基板1の内部に拡散することにより、アルミニウム焼結層5とp型シリコン半導体基板1との間にアルミニウムシリコン混合層6が形成されると同時に、アルミニウム原子の拡散による拡散層としてp+層(またはp++層)7が形成される。このp+層7の存在により、生成キャリアの収集効率を向上させるBSF(Back Surface Field)効果が得られる。実際の裏面電極は、焼成後のアルミニウム焼結層5、アルミニウムシリコン混合層6およびp+層7の三層をそのままで使用する場合と、電気抵抗を低減させるために、焼成後のアルミニウム焼結層5、または焼成後のアルミニウム焼結層5とアルミニウムシリコン混合層6を化学的方法等によって除去した後、その表面上に銀や銅からなる電極層を形成して使用する場合がある。いずれの場合においても、p+層7がBSF効果を発揮する。
裏面電極としてアルミニウム電極層8を形成するために用いられるペースト組成物は、一般に、アルミニウム粉末、ガラスフリットおよび有機質ビヒクルからなる。
アルミニウム粉末は、アルミニウム焼結層5、アルミニウムシリコン混合層6およびアルミニウム原子の拡散によるp+層7を形成する目的で、60〜80質量%程度添加される。
ガラスフリットは、焼成時に揮発することなく溶解し、冷却時に再凝固する作用を利用して、アルミニウム電極層8とp型シリコン半導体基板1との結合を強化する目的で、1〜5質量%程度添加される。
有機質ビヒクルは、ペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布する際の塗布性および印刷性を向上させる目的で、15〜40重量%程度添加される。
太陽電池は安全でかつ環境に悪影響を与えないクリーンエネルギー源として注目されているために、環境に悪影響を与える物質を太陽電池の構成物から除去または低減することが広範囲な実用化に向けて一つの課題になっている。
ところで、太陽電池の裏面電極として所望の機能を維持しつつ、焼成時におけるp型シリコン半導体基板の反りまたは割れの発生を防止するためにペースト組成物について種々検討されている。
特開2000−90734号公報(特許文献1)には、太陽電池の裏面電極として所望の機能を維持しつつ、焼成時におけるp型シリコン半導体基板の反りまたは割れの発生を防止するためにアルミニウム電極層を薄くすることが可能な導電性ペーストとして、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらにアルミニウム含有有機化合物を含有するものが開示されている。
また、特開2003−223813号公報(特許文献2)には、p型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のBSF効果を十分達成することができ、かつ焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物として、アルミニウム粉末、有機質ビヒクルに加えて、さらに熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物を含むものが開示されている。
さらに、特開2004−134775号公報(特許文献3)には、太陽電池の裏面電極として所望の機能を維持しつつ、焼成時におけるアルミニウム電極層の収縮を小さくして反りまたは割れの発生を防止するための導電性ペーストの組成物として、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらに該有機質ビヒクルに難溶解性または不溶解性の有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種を含有するものが開示されている。
しかしながら、これらの公報に開示されたペースト組成物においても、ガラスフリットが必須の成分とされているのが現状である。従来から、ガラスフリットとして環境に悪影響を与える鉛含有ガラスが用いられている。
そこで、環境に悪影響を与えないという観点から、SiO−PbO系、SiO−B−PbO系などの鉛含有ガラスの代替物として、Bi−SiO−B系、ZnO系などの鉛フリーガラスを用いることが検討されている。
しかしながら、鉛フリーガラスは融点が高く、均一に溶解させるためには焼成温度が上昇し、また焼成時間が長くなるという問題がある。
特開2000−90734号公報 特開2003−223813号公報 特開2004−134775号公報
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解決することであり、環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットを含ませなくても、または環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットの含有量を低減しても、太陽電池の裏面電極として所望の機能を維持することができるとともに、アルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。
本発明者らは、従来技術の問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するペースト組成物を使用することにより、上記の目的を達成できることを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
この発明の一つの局面に従ったペースト組成物は、p型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、金属アルコキシドとを含む。ここで、「金属アルコキシド」とは、「金属」として金属、半金属または半導体を含むアルコキシドのことをいう。
この発明の一つの局面に従ったペースト組成物は、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属アルコキシドを0.1質量%以上20質量%以下含むのが好ましい。
この発明のもう一つの局面に従ったペースト組成物は、p型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルとを含む。ここで、「金属アルコキシド」とは、「金属」として金属、半金属または半導体を含むアルコキシドのことをいう。
この発明のもう一つの局面に従ったペースト組成物は、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルを0.1質量%以上20質量%以下含むのが好ましい。
好ましくは、本発明の一つの局面に従ったペースト組成物、または本発明のもう一つの局面に従ったペースト組成物において、金属アルコキシドは金属としてケイ素を含む金属アルコキシドである。
また、好ましくは、本発明の一つの局面に従ったペースト組成物、または本発明のもう一つの局面に従ったペースト組成物は、無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子からなる群より選ばれた少なくとも1種の粒子をさらに含む。この場合、無機化合物粒子および/または有機化合物粒子の平均粒径は10μm以下であるのが好ましい。炭素粒子の平均粒径は1μm以下であるのが好ましい。
さらに、好ましくは、本発明の一つの局面に従ったペースト組成物、または本発明のもう一つの局面に従ったペースト組成物はガラスフリットをさらに含む。
この発明に従った太陽電池素子は、上述のいずれかの特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備える。この場合、p型シリコン半導体基板と電極との間には、金属アルコキシドに含まれていた金属の化合物が形成されているのが好ましい。
以上のように、この発明によれば、金属アルコキシド、または金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルを含むペースト組成物を塗布したp型シリコン半導体基板を焼成することにより、環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットを含ませなくても、または環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットの含有量を低減しても、太陽電池の裏面電極として所望のBSF効果と太陽電池の所望のエネルギー変換効率とを維持することができるとともに、アルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を得ることができる。
一つの実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。 実施例と従来例においてアルミニウム電極層を形成した焼成後のp型シリコン半導体基板の変形量を測定する方法を模式的に示す図である。
符号の説明
1:p型シリコン半導体基板、2:n型不純物層、3:反射防止膜、4:グリッド電極、5:アルミニウム焼結層、6:アルミニウムシリコン混合層、7:p+層、8:アルミニウム電極層。
この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末、有機質ビヒクルに加えて、さらに金属アルコキシド、または金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルを含有することを特徴としている。金属アルコキシドは、金属有機化合物の一種であり、少なくとも一つのM−O−C(M:金属、半金属または半導体)結合を有する化合物である。金属アルコキシドには、金属元素の種類とその価数の違い、アルコキシ基の種類とその組み合わせの違いにより、異なった化合物となるもの、さらに二種の金属からなるダブルアルコキシドや他の有機基で一部置換されたものも含めて多くの種類の化合物が存在する。
この発明のペースト組成物においては、常態の他、加水分解して重縮合させることによって得られたゾルおよび/またはゲルの状態で金属アルコキシドを含ませてもよい。たとえば、テトラメトキシシラン、水、メタノールおよびアンモニアを、1:10:2.2:3.7×10−4のモル比で混合し加水分解して重縮合させることにより、シロキサンが生成し、そのゾルの状態のものが得られ、さらに反応が進行するとゲルの状態のものが得られる。
金属アルコキシドを含有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板に塗布して焼成して冷却する際に、形成されるアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との間には、金属アルコキシドが熱分解し生成した金属酸化物などの金属化合物が緻密に形成され、アルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化することができる。
したがって、従来、焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化するためには、ペースト組成物中にガラスフリットを添加すること以外に実質的に有効な手段はなかったが、本発明のペースト組成物を用いると、ガラスフリットを含ませることなく、またはガラスフリットを含ませたとしてもガラスフリットの含有量を低減させて、上記の結合を強化することができる。
近年、太陽電池素子の薄型化の要求に応じてシリコン半導体基板を薄くするとともに導電性ペーストを薄膜で塗布すると、平均粒径が1〜2μm程度の通常使用されているガラスフリットでは、ペースト組成物中にガラスフリットが点在しているため、図1に示す焼結後のアルミニウム電極層8とp型シリコン半導体基板1との結合が弱い箇所が生じ、結合力が不均一になるという問題も発生している。その結果、アルミニウム電極層8が剥離する恐れがある。
また、環境に悪影響を与えないようにするためにガラスフリットとして融点の高い鉛フリーガラスを使用すると、粒子状ガラスの溶解と再凝固がさらに不均一となり、アルミニウム電極層8が剥離する恐れが大きくなる。さらに、鉛フリーガラスフリットは融点が高いので、粒子状ガラスの溶解と再凝固を均一にするためには焼成温度を高くし、焼成時間を長くすることが必要になる。このため、アルミニウム焼結層5の焼結が過度に進行し、またアルミニウムシリコン混合層6が過度に形成されるために、p型シリコン半導体基板1の反り等の変形量が増大すること、アルミニウム焼結層5がふくれること(ブリスター)、表面にアルミニウム玉が発生すること等が起こり、結果として太陽電池素子として使用できなくなる。
この発明のペースト組成物では、焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化するためにガラスフリットを含ませる必要がなく、または焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化するために寄与するガラスフリットの含有量を低減させることができるので、環境に悪影響を与える物質を使用する可能性をなくすることができ、または環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットを含ませたとしても環境に悪影響を与える物質の含有量を低減させることができる。また、この発明のペースト組成物では、融点の高い鉛フリーガラスを使用する必要がなく、または鉛フリーガラスを含ませたとしても鉛フリーガラスの含有量を低減させることができるので、アルミニウム電極層が剥離することがなく、焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との密着性を高めることができ、鉛フリーガラスを使用する場合に比べてp型シリコン半導体基板の反り等の変形を抑制することができる。
本発明のペースト組成物に含められる金属アルコキシドとしては、アルミニウムブトキシド、またはチタンプロポキシド等の他、ボロンメトキシド等のいずれの材料も好適に使用することができる。特に、テトラエトキシシラン等のケイ素を含む金属アルコキシドを使用することが好ましい。また、これらの金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルの状態として金属アルコキシドを本発明のペースト組成物に含ませてもよい。たとえば、テトラエトキシシランを加水分解して重縮合させることにより、シロキサンが生成し、そのゾルの状態のものが得られ、さらに反応が進行するとゲルの状態のものが得られる。
本発明のペースト組成物に含められる金属アルコキシドの含有量、または金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルの含有量は、0.1質量%以上20質量%以下であることが好ましい。金属アルコキシドの含有量、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルの含有量が0.1質量%未満では、焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化するほどの十分な添加効果を得ることができない。金属アルコキシドの含有量、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルの含有量が20質量%を越えると、焼成後に生成される金属化合物によってアルミニウム焼結層の電気抵抗が高くなり、太陽電池素子の特性が低下する。
さらに、本発明のペースト組成物に含められる金属アルコキシド、または金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルは、そのアルコキシ基の性質を利用して、一部、有機質ビヒクルの代替としても利用できる。
本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末は、平均粒径が10μm以下であることが好ましい。平均粒径が10μmを越えると、ペースト組成物の塗布時においてアルミニウム粉末とシリコン半導体基板との接触点が少なくなり、焼成後に均一なアルミニウムシリコン合金層が得られない場合がある。
また、本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末の含有量は、60質量%以上75質量%以下であることが好ましい。アルミニウム粉末の含有量が60質量%未満では、焼成後のアルミニウム電極層の表面抵抗が増大し、エネルギー変換効率の低下を招く恐れがある。アルミニウム粉末の含有量が75質量%を越えると、スクリーン印刷時におけるペーストの塗布性が低下する。
本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルとしては、溶剤に、必要に応じて各種添加剤および樹脂を溶解したものが使用される。
溶剤としては公知のものが使用可能であり、具体的には、ジエチレングリコール モノ ブチルエーテル、ジエチレングリコール モノ ブチルエーテル アセテート、ジプロピレングリコール モノ メチルエーテル等がある。
各種添加剤としては、たとえば、酸化防止剤、腐食抑制剤、消泡剤、増粘剤、可塑剤、分散剤、タックファイヤー、カップリング剤、静電付与剤、重合禁止剤、チキソトロピー剤、沈降防止剤等が使用できる。
具体的には、たとえば、ポリエチレングリコールエステル化合物、ポリエチレングリコールエーテル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンエステル化合物、ソルビタンアルキルエステル化合物、脂肪族多価カルボン酸化合物、燐酸エステル化合物、ポリエステル酸のアマイドアミン塩、酸化ポリエチレン系化合物、脂肪酸アマイドワックス等が使用できる。
樹脂としては公知のものが使用可能であり、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニールブチラール、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート化合物、シアネート化合物などの熱硬化樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ4フッ化エチレン、シリコン樹脂等の一種または二種以上を組み合わせることができる。なお、本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルは、樹脂を溶解しないものも含まれる。
有機質ビヒクルの含有量は、10質量%以上35質量%以下であることが好ましい。有機質ビヒクルの含有量が10質量%未満になると、または35質量%を越えると、ペーストの印刷性が低下する。
さらに、本発明のペースト組成物は、アルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合をさらに強化するために、ガラスフリットを含んでもよい。ガラスフリットの含有量は、5質量%以下であることが好ましい。ガラスフリットの含有量が5質量%を越えると、ガラスの偏析が生じる恐れがある。なお、この場合、ガラスフリットとしては、環境に悪影響を与えない鉛フリーガラスを用いるのが最も好ましいが、鉛フリーガラスフリットの融点が高いことによる上述の問題をできるだけ緩和するために鉛含有ガラスを用いてもよい。ガラスフリットとして鉛含有ガラスを用いたとしても、本発明のペースト組成物では従来に比べて上記の結合に寄与する鉛含有ガラスの含有量を低減させることができるので、環境に悪影響を与える物質の含有量を低減させることができる。
本発明のペースト組成物は、アルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との熱膨張係数の差異による焼成後の太陽電池素子の反り等の変形を防止するために、無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子のいずれか1種以上をさらに含んでもよい。無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子のいずれか1種以上の含有量は、総量で0.1質量%以上10質量%以下であることが好ましい。無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子のいずれか1種以上の含有量が総量で0.1質量%未満であると、反りを防止するほどの十分な添加効果を得ることができない。また、10質量%を越えると、アルミニウム電極層の電気抵抗値が増大し、ペーストの焼結性が阻害される可能性がある。
無機化合物粒子としては、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末であればいずれの材料も好適に使用することができる。無機化合物粒子の平均粒径は10μm以下、好ましくは5μm以下である。
有機化合物粒子としてはポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等がある。有機化合物粒子の平均粒径は10μm以下、好ましくは5μm以下である。
炭素粉末としては、特にカーボンブラック等の他、炭素繊維、ガラス状炭素等の平均粒径が1μm以下、好ましくは0.5μm以下の微細粉末であればいずれの材料もより好適に使用することができる。
以下、本発明の一つの実施例について説明する。
まず、有機質ビヒクルに、アルミニウム粉末を70質量%、金属アルコキシド、添加粒子およびガラスフリットを表1に示す割合で含有させた各種のペースト組成物を作製した。
具体的には、グリコールエーテル系有機溶剤を用いた有機質ビヒクルに、各種の金属アルコキシドを加えて、アルミニウム粉末、添加粒子およびガラスフリットを表1に示す割合で加え、周知の混合機にて混合し、ペースト組成物を得た。
ここで、アルミニウム粉末は、p型シリコン半導体基板との反応性の確保、塗布性、および塗布膜の均一性の点から、平均粒径0.5〜10μmの球形、または球形に近い形状を有する粒子からなる粉末を用いた。
また、粒子を添加する場合は、平均粒径0.025μmの炭素粒子または平均粒径0.3μmの酸化珪素を使用した。
また、ガラスフリットを添加する場合は、鉛フリーガラスとして平均粒径1.5μmのBi−SiO−B系ガラスを使用した。
上記の各種のペースト組成物を、大きさが2インチ(50.8mm)×2インチ(50.8mm)で厚みが280μmのp型シリコン半導体基板に、180メッシュのスクリーン印刷版を用いて塗布・印刷した。塗布量は、焼成後のアルミニウム電極層の厚みが40〜50μmになるように設定した。
ペーストが印刷されたp型シリコン半導体基板を乾燥した後、赤外線焼成炉にて、空気雰囲気で400℃/分の昇温速度で加熱し、温度700℃で30秒間保持する条件で焼成した。焼成後、冷却することにより図1に示すようにp型シリコン半導体基板1に裏面電極となるアルミニウム電極層8を形成した各試料を得た。
各試料の特性を次のように評価し、表1に示した。
(密着性)
アルミニウム電極層を形成した焼成後のアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板の密着性は、セロファンテープによるはく離テストによって次のように評価した。
○:はく離なし、△:若干はく離、×:大きくはく離。
(外観)
アルミニウム電極層を形成した焼成後のアルミニウム電極層の外観は、目視によって次のように評価した。
○:気泡または割れなし、△:気泡または割れが若干あり、×:気泡または割れが著しくあり。
(変形量)
アルミニウム電極層を形成した焼成後のp型シリコン半導体基板の変形量は、焼成、冷却後に、図2に示すようにアルミニウム電極層を上にして基板の四隅の一端を矢印で示すように押さえて、その対角に位置する一端の浮き上がり量(基板の厚みを含む)xを測定することによって評価した。その浮き上がり量xを「変形量(mm)」に示す。
(アルミニウム電極層表面抵抗)
太陽電池素子としたときのエネルギー変換効率の指標として、アルミニウム電極層の表面抵抗を、4探針式表面抵抗測定器(ナプソン社製RG−5型シート抵抗測定器)で測定した。測定条件は電圧を4mV,電流を100mA、表面に与えられる荷重を200grf(1.96N)とした。その測定値を電極層表面抵抗(mΩ/□)に示す。
(p+層表面抵抗)
その後、上記のアルミニウム電極層を形成したp型シリコン半導体基板を塩酸水溶液に浸漬することによって、アルミニウム電極層8を溶解除去した後、BSF効果の指標として、p+層7が形成されたp型シリコン半導体基板1の表面抵抗を、4探針式表面抵抗測定器で測定した。その測定値をp+層表面抵抗(Ω/□)に示す。

Figure 0004802097
従来例1と2の試料の密着性を改善するために、温度750℃で30秒間保持する条件で焼成した試料を作成し、評価した。結果を表2に示す。
Figure 0004802097
表1および2の結果から、実施例では従来例に比べて、アルミニウム電極層表面抵抗とp+層表面抵抗をほぼ同程度に維持した上でアルミニウム電極層の密着性を改善することができることがわかる。さらに、実施例では従来例に比べて、焼結後のp型シリコン半導体基板の変形量も低減させることができることがわかる。
以上に開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものである。
この発明のペースト組成物は、結晶系シリコン太陽電池を構成するp型シリコン半導体基板の上に裏面アルミニウム電極を形成する際に用いられ、環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットを含ませなくても、または環境に悪影響を与える物質としてガラスフリットの含有量を低減しても、太陽電池の裏面電極として所望のBSF効果と太陽電池の所望のエネルギー変換効率とを維持することができるとともに、太陽電池素子においてアルミニウム電極層とp型シリコン半導体基板との結合を強化することが可能である。

Claims (15)

  1. p型シリコン半導体基板(1)の上に電極(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属としてケイ素を含む金属アルコキシドを0.1質量%以上20質量%以下含む、ペースト組成物。
  2. 無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子からなる群より選ばれた少なくとも1種の粒子をさらに含む、請求項1に記載のペースト組成物。
  3. 前記無機化合物粒子および/または前記有機化合物粒子の平均粒径が10μm以下である、請求項に記載のペースト組成物。
  4. 前記炭素粒子の平均粒径が1μm以下である、請求項に記載のペースト組成物。
  5. ガラスフリットをさらに含む、請求項1に記載のペースト組成物。
  6. p型シリコン半導体基板(1)の上に電極(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルを0.1質量%以上20質量%以下含む、ペースト組成物。
  7. 前記金属アルコキシドは金属としてケイ素を含む金属アルコキシドである、請求項に記載のペースト組成物。
  8. 無機化合物粒子、有機化合物粒子および炭素粒子からなる群より選ばれた少なくとも1種の粒子をさらに含む、請求項に記載のペースト組成物。
  9. 前記無機化合物粒子および/または前記有機化合物粒子の平均粒径が10μm以下である、請求項に記載のペースト組成物。
  10. 前記炭素粒子の平均粒径が1μm以下である、請求項に記載のペースト組成物。
  11. ガラスフリットをさらに含む、請求項に記載のペースト組成物。
  12. p型シリコン半導体基板(1)の上に電極(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属としてケイ素を含む金属アルコキシドを0.1質量%以上20質量%以下含むペースト組成物をp型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極(8)を備えた、太陽電池素子。
  13. 前記p型シリコン半導体基板(1)と前記電極(8)との間には、前記金属アルコキシドに含まれていた金属の化合物が形成されている、請求項12に記載の太陽電池素子。
  14. p型シリコン半導体基板(1)の上に電極(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末を60質量%以上75質量%以下、有機質ビヒクルを10質量%以上35質量%以下、金属アルコキシドを加水分解して重縮合させることにより得られたゾルおよび/またはゲルを0.1質量%以上20質量%以下含むペースト組成物をp型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極(8)を備えた、太陽電池素子。
  15. 前記p型シリコン半導体基板(1)と前記電極(8)との間には、前記金属アルコキシドに含まれていた金属の化合物が形成されている、請求項14に記載の太陽電池素子。
JP2006528575A 2004-07-01 2005-06-23 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 Expired - Fee Related JP4802097B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006528575A JP4802097B2 (ja) 2004-07-01 2005-06-23 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004195469 2004-07-01
JP2004195469 2004-07-01
PCT/JP2005/011511 WO2006003830A1 (ja) 2004-07-01 2005-06-23 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2006528575A JP4802097B2 (ja) 2004-07-01 2005-06-23 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006003830A1 JPWO2006003830A1 (ja) 2008-07-31
JP4802097B2 true JP4802097B2 (ja) 2011-10-26

Family

ID=35782641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006528575A Expired - Fee Related JP4802097B2 (ja) 2004-07-01 2005-06-23 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7938988B2 (ja)
EP (1) EP1739690B1 (ja)
JP (1) JP4802097B2 (ja)
KR (1) KR100825880B1 (ja)
CN (1) CN100538915C (ja)
TW (1) TWI258223B (ja)
WO (1) WO2006003830A1 (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
JP4975338B2 (ja) * 2006-03-01 2012-07-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
WO2007125879A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corporation 太陽電池電極用導電性ペースト
WO2008047580A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-24 Kyocera Corporation Solar battery element and method for manufacturing the same
JP4697194B2 (ja) * 2006-10-13 2011-06-08 日立化成工業株式会社 太陽電池セルの接続方法及び太陽電池モジュール
JP2008160018A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
DE102007012277A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
ATE486370T1 (de) * 2007-05-07 2010-11-15 Georgia Tech Res Inst Herstellung eines hochwertigen rückseitigen kontakts mit lokaler rückseitiger siebdruckfläche
JP2008306023A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
GB2451497A (en) * 2007-07-31 2009-02-04 Renewable Energy Corp Asa Contact for solar cell
US20090120497A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Schetty Iii Robert A Method of metallizing solar cell conductors by electroplating with minimal attack on underlying materials of construction
KR20110107411A (ko) * 2007-11-15 2011-09-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 태양 전지셀
JP2009129600A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
US7833808B2 (en) * 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
JP2009290105A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール
CN102341866A (zh) * 2009-03-06 2012-02-01 东洋铝株式会社 导电糊组合物和使用该导电糊组合物形成的导电膜
CN102460602B (zh) * 2009-04-07 2015-05-06 Lg伊诺特有限公司 浆料和采用该浆料的太阳能电池
US20100294353A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for solar cell electrode
KR101194064B1 (ko) * 2009-06-08 2012-10-24 제일모직주식회사 에칭 및 도핑 기능을 가지는 페이스트 조성물
KR20110025614A (ko) * 2009-09-04 2011-03-10 동우 화인켐 주식회사 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트
DE102009044038A1 (de) * 2009-09-17 2011-03-31 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils
EP2490228B1 (en) * 2009-10-13 2016-03-23 LG Chem, Ltd. Silver paste composition and solar cell using same
US20110180139A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180137A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180138A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
CN102142467B (zh) * 2010-01-29 2013-07-03 比亚迪股份有限公司 一种太阳电池背电场铝浆及其制备方法
FR2959870B1 (fr) * 2010-05-06 2012-05-18 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique comportant une zone suspendue par un motif conducteur et procede de realisation.
CN101882636B (zh) * 2010-05-12 2011-10-19 中国科学院半导体研究所 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法
KR101181190B1 (ko) * 2010-07-30 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물
DE102010037319B4 (de) * 2010-09-03 2013-11-14 Hanwha Q.CELLS GmbH Solarzelle mit verbesserter Rückseitenmetallisierungsschicht
US8778231B2 (en) 2010-12-16 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells
US20120152343A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum paste compositions comprising siloxanes and their use in manufacturing solar cells
US9224517B2 (en) 2011-04-07 2015-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP2012226830A (ja) * 2011-04-14 2012-11-15 Sony Corp 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法
US9337363B2 (en) * 2011-05-11 2016-05-10 International Business Machines Corporation Low resistance, low reflection, and low cost contact grids for photovoltaic cells
CN102243901B (zh) * 2011-06-28 2013-07-17 陈晓东 不含无机粘接剂硅太阳能电池铝背场用浆料及其制备方法
CN102324266B (zh) * 2011-08-18 2012-10-03 江苏泓源光电科技有限公司 无玻璃粉晶体硅太阳能电池铝浆及其制备方法
US9076919B2 (en) * 2011-11-04 2015-07-07 E I Du Pont De Nemours And Company Process of forming an aluminum p-doped surface region of a semiconductor substrate
US8927428B2 (en) * 2011-11-04 2015-01-06 E I Du Pont De Nemours And Company Process of forming an aluminum p-doped surface region of an n-doped semiconductor substrate
DE102011086302A1 (de) * 2011-11-14 2013-05-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur und photovoltaische Solarzelle
KR101350706B1 (ko) 2011-11-24 2014-01-17 한국화학연구원 졸―겔 공정을 이용한 나노사이즈 글래스 프릿의 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지 전극 형성 방법
JP5134722B1 (ja) * 2011-12-02 2013-01-30 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池とこれに用いるペースト材料
CN103426496A (zh) * 2012-05-25 2013-12-04 比亚迪股份有限公司 太阳能电池用铝背场浆料及其制备方法、太阳能电池片的制备方法以及太阳能电池片
CN104471720A (zh) * 2012-07-19 2015-03-25 日立化成株式会社 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池
JP6202939B2 (ja) * 2013-08-23 2017-09-27 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物と太陽電池素子
JP2015170548A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 東京応化工業株式会社 電極形成用ペースト組成物並びにこれを用いた電極の製造方法及び太陽電池
US20190135681A1 (en) * 2016-04-06 2019-05-09 Ceramicoat International Limited Sprayable alumino-silicate coatings, resins, their compositions and products
US11565973B2 (en) 2016-04-06 2023-01-31 Ceramicoat International Limited Sprayable silicate-based coatings and methods for making and applying same
CN110289121B (zh) * 2019-06-19 2021-10-26 南通天盛新能源股份有限公司 一种用于perc太阳能电池背面的合金铝浆

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
JP2004134775A (ja) * 2002-09-19 2004-04-30 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413689A (en) * 1992-06-12 1995-05-09 Moltech Invent S.A. Carbon containing body or mass useful as cell component
JP3510761B2 (ja) * 1997-03-26 2004-03-29 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
US6525468B1 (en) * 1998-06-18 2003-02-25 Futaba Corporation Fluorescent display device with conductive layer comprising aluminum paste
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
WO2003023790A1 (en) * 2001-09-06 2003-03-20 Noritake Co.,Limited Conductor composition and method for production thereof
JP3910072B2 (ja) * 2002-01-30 2007-04-25 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
JP2003069056A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
JP2004134775A (ja) * 2002-09-19 2004-04-30 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト

Also Published As

Publication number Publication date
EP1739690A4 (en) 2009-05-27
EP1739690A1 (en) 2007-01-03
US7938988B2 (en) 2011-05-10
CN100538915C (zh) 2009-09-09
CN1981346A (zh) 2007-06-13
KR100825880B1 (ko) 2008-04-28
TW200608589A (en) 2006-03-01
US20070221270A1 (en) 2007-09-27
WO2006003830A1 (ja) 2006-01-12
KR20070028579A (ko) 2007-03-12
EP1739690B1 (en) 2015-04-01
JPWO2006003830A1 (ja) 2008-07-31
TWI258223B (en) 2006-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4802097B2 (ja) ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP3910072B2 (ja) ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
KR101203460B1 (ko) 알루미늄 페이스트 조성물 및 그것을 이용한 태양 전지소자
TWI759447B (zh) 太陽電池用膏狀組成物
KR101031060B1 (ko) 페이스트 조성물 및 그것을 이용한 태양 전지 소자
CN101151681B (zh) 糊浆组成物、电极和具有该电极的太阳电池元件
JP6896506B2 (ja) 太陽電池用ペースト組成物
JP7803746B2 (ja) TOPCon型太陽電池電極用導電性アルミニウムペースト組成物及びその焼成物である電極が積層されているTOPCon型太陽電池
JP2005317898A (ja) ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2011243598A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2012074655A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
WO2007004281A1 (ja) ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2012074652A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2012074654A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2012074653A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110705

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110802

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110808

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4802097

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees