JP4802995B2 - 磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子 - Google Patents
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Description
本発明は、磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子に関する。
ファラデー回転子は、透過する光の偏光面を回転させる機能を有する光学素子であり、通信用光アイソレータ、光アッテネータ、光サーキュレータ、光磁界センサ等の光デバイスに使用される。ファラデー回転子は、一般に板状のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶を用いて作製される。Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶は、フラックス法の一種である液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成される。フラックス法による単結晶育成は、大気圧中で行われる。
フラックス法等の溶液法によりＢｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する際には、過飽和状態を保ちながらガーネット単結晶を安定に成長させるために、一般に酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）が溶媒として用いられる。このため磁性ガーネット単結晶の育成時には結晶中に少量の鉛（Ｐｂ）が混入する。従来、通信用光デバイスに使用されるファラデー回転子には、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２においてＰｂの量ｙが０．０３〜０．０６程度である磁性ガーネット単結晶が用いられている。
特開２００１−０４４０２６号公報
特開２００１−０４４０２７号公報
特公平６−０４６６０４号公報
ところが近年の環境保護運動の高まりと共に、全ての工業製品で環境負荷物質であるＰｂの含有量を削減する努力がなされている。従って、ＬＰＥ法により育成する磁性ガーネット単結晶においても、少量ではあるが混入するＰｂが環境汚染の要因になり得るとして問題になってきた。そこでファラデー回転子を構成する材料である磁性ガーネット単結晶に含有するＰｂの量を削減又は除去する必要が生じている。
本発明の目的は、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子を提供することにある。
上記目的は、化学式ＢｉαＮａβＭ１３−α−βＦｅ5-γＭ２γＯ１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ≦１．６）で示されることを特徴とする磁性ガーネット単結晶によって達成される。
上記本発明の磁性ガーネット単結晶であって、前記γは、０．００７≦γ≦１．６であることを特徴とする。
また上記目的は、上記本発明の磁性ガーネット単結晶を用いて作製されることを特徴とする光学素子によって達成される。
さらに上記目的は、Ｎａ、Ｆｅ、Ｍ１及びＭ２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素）を含む材料から融液を生成し、前記融液を用いて磁性ガーネット単結晶を育成することを特徴とする磁性ガーネット単結晶の製造方法によって達成される。
上記本発明の磁性ガーネット単結晶の製造方法であって、前記材料における前記Ｍ２のＦｅに対するモル比は、０．００４以上であることを特徴とする。
上記本発明の磁性ガーネット単結晶であって、前記β及びγは、０＜β≦０．１、０＜γ≦０．２であることを特徴とする。さらには、前記β及びγは、０＜β≦０．０５、０＜γ≦０．１であることを特徴とする。また、前記Ｍ２は、少なくともＳｉを含む１種類以上の元素であることを特徴とする。
さらに上記目的は、化学式ＢｉαＮａβＭ１３−α−βＦｅ5-γ-σＭ２γＭ３δＯ１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３はＰｔであり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ＋δ≦１．６、０≦γ＜１．６、０＜δ＜０．１６）で示されることを特徴とする磁性ガーネット単結晶によって達成される。
また上記目的は、上記本発明の磁性ガーネット単結晶から作製されることを特徴とするファラデー回転子によって達成される。
さらに上記目的は、化学式ＢｉαＮａβＭ１３−α−βＦｅ5-γ-σＭ２γＭ３δＯ１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３はＰｔであり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ＋δ≦１．６、０≦γ＜１．６、０＜δ＜０．１６）で示されることを特徴とする磁性ガーネット単結晶によって達成される。
また上記目的は、上記本発明の磁性ガーネット単結晶から作製されることを特徴とするファラデー回転子によって達成される。
本発明によれば、磁性ガーネット単結晶に含まれるＰｂ量を削減し、あるいは完全に除去することができる。
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について図１及び図２を用いて説明する。本実施の形態では、従来の溶媒に含まれるＰｂをナトリウム（Ｎａ）で代替し、Ｎａ及び鉄（Ｆｅ）を含む溶媒から磁性ガーネット単結晶を育成する。Ｎａと酸素とを含有する物質は他の酸化物に比べて低い温度で溶解するものが多いため、磁性ガーネット単結晶を育成する際の溶媒としても有効である。例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む溶媒から育成された磁性ガーネット単結晶は、欠陥や割れのない優れた品質が得られる。そのため溶媒の材料からＰｂＯを除外し、Ｎａを含む物質とＢｉ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３を溶媒に用いることにより、従来磁性ガーネット単結晶に微量含まれていたＰｂをほぼ完全に除去できる。
本発明の第１の実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について図１及び図２を用いて説明する。本実施の形態では、従来の溶媒に含まれるＰｂをナトリウム（Ｎａ）で代替し、Ｎａ及び鉄（Ｆｅ）を含む溶媒から磁性ガーネット単結晶を育成する。Ｎａと酸素とを含有する物質は他の酸化物に比べて低い温度で溶解するものが多いため、磁性ガーネット単結晶を育成する際の溶媒としても有効である。例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む溶媒から育成された磁性ガーネット単結晶は、欠陥や割れのない優れた品質が得られる。そのため溶媒の材料からＰｂＯを除外し、Ｎａを含む物質とＢｉ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３を溶媒に用いることにより、従来磁性ガーネット単結晶に微量含まれていたＰｂをほぼ完全に除去できる。
ところが、Ｎａを含む溶媒から育成したガーネット単結晶は、光通信で使用される１３００〜１６００ｎｍの波長帯域での光吸収が極めて大きいということが判明した。大きな光吸収を持つガーネット単結晶を加工してファラデー回転子等の光学素子を作製すると、光学素子の光損失（挿入損失）が高くなってしまうという問題が生じ得る。したがって、Ｐｂがほぼ完全に除去された光学素子の光損失を低減させるために、Ｎａを含む溶媒を用いて育成されるガーネット単結晶の光吸収を減少させる必要がある。
ここで、ＮａＯＨ、Ｂｉ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３を含む溶媒からＬＰＥ法により育成した（ＢｉＧｄＹｂ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶を加工して、ファラデー回転子を作製した。このファラデー回転子の波長１．５５μｍの光に対する光損失は３ｄＢであった。また、Ｐｂを含む溶媒からＬＰＥ法により育成した（ＢｉＧｄＹｂ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶を加工して、別のファラデー回転子を作製した。このファラデー回転子の波長１．５５μｍの光に対する光損失は０．０５ｄＢ以下であった。したがって、Ｎａを含む溶媒を用いて作製されたファラデー回転子の光損失は、Ｐｂを含む溶媒を用いて作製されたファラデー回転子の光損失と比較して極めて高いことが分かった。蛍光Ｘ線分析で組成を調べたところ、Ｎａを含む溶媒から育成したガーネット単結晶からは１００〜３００ｐｐｍ程度のＮａが検出された。Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットを構成するカチオン（陽イオン）は、基本的に３価である。このため、１価が安定な価数であるＮａのカチオンがガーネット単結晶中に入ると、電荷のバランスが崩れてガーネット単結晶が半導体となる。これにより、Ｎａを含むガーネット単結晶では光吸収が発生していると考えられる。
本実施の形態では、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）及び酸化白金（ＰｔＯ２）のうち少なくとも１種をＮａと共に配合材料に加え、ガーネット単結晶を育成した。育成したガーネット単結晶をファラデー回転子に加工して光損失を評価したところ、光損失が低下する傾向が認められた。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔはガーネット中で４価のカチオンが安定となるため、ガーネット中に含有されるＮａの１価のカチオンを補償することにより、ガーネット単結晶の電荷のバランスがとれるようになったためと考えられる。
さらに本実施の形態では、Ｎａを含む配合材料にＧｅＯ２を種々の配合量で加えて、複数種類のガーネット単結晶を育成した。本実施の形態では、配合材料中におけるＧｅのＦｅに対するモル比（Ｇｅ／Ｆｅモル比）をパラメータとして用い、Ｇｅ／Ｆｅモル比を０〜０．０２の範囲内で種々の値に設定した。育成した複数種類のガーネット単結晶をそれぞれファラデー回転子に加工し、光損失を評価した。その結果、配合材料にＧｅＯ２をわずかに添加するだけでもファラデー回転子の光損失は大幅に低下し、Ｇｅ／Ｆｅモル比が０．００４の配合材料を用いて作製したファラデー回転子の光損失は、０〜０．０１ｄＢと極めて低くなることが分かった。Ｇｅ／Ｆｅモル比を０．００４より大きくしても、ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢで変化はなかった。
Ｇｅ／Ｆｅモル比が０．００４である配合材料から育成したガーネット単結晶を蛍光Ｘ線分析及びＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ；高周波誘導結合プラズマ）分析により組成分析したところ、化学式（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９６Ｎａ０．００４Ｆｅ４．９９３Ｇｅ０．００７Ｏ１２が得られた。したがって、Ｇｅのようにガーネット中で４価が安定な元素がガーネット単結晶中に入ることによってファラデー回転子の光損失が低下し、特にガーネット単結晶中のＧｅ量を化学式で０．００７にするとファラデー回転子の光損失を最低にすることができることが分かった。そしてガーネット単結晶中のＧｅ量をさらに増加させてもファラデー回転子の光損失は最低値のままである。
Ｇｅ以外のＳｉ、Ｔｉ及びＰｔなどのガーネット中で４価が安定な元素についても、上記と同様の条件でファラデー回転子の光損失を低減できることが分かった。また、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＰｔのうち２種以上を組み合わせて用いても、上記と同様の条件でファラデー回転子の光損失を低減できることが分かった。すなわち、Ｎａ、Ｆｅ及びＭ２（Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素）を含む配合材料から育成したガーネット単結晶を用いることにより、低損失のファラデー回転子が得られる。さらに、Ｍ２のＦｅに対するモル比（Ｍ２／Ｆｅモル比）が０．００４以上である配合材料から育成したガーネット単結晶を用いることにより、さらに低損失のファラデー回転子が得られる。
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔなどのガーネット中で４価が安定な元素と、２価の状態でガーネット中に入るＰｂとで電荷補償させて光損失を低減する技術は、従来から知られている（例えば、特許文献１乃至３参照）。しかし、ＰｂとＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔから選択される少なくとも１種の元素とで電荷補償させたガーネット単結晶から作製されるファラデー回転子の光損失は０．０１〜０．０５ｄＢ程度である。それに対し、ＮａとＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔから選択される少なくとも１種の元素とで電荷補償させたガーネット単結晶から得られるファラデー回転子の損失は０〜０．０１ｄＢである。したがって本実施の形態によれば、Ｐｂを含む従来のファラデー回転子よりもさらに低損失で優れた特性が得られることが分かった。これは、ＮａとＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔとの組合せの方が完全に電荷を補償できるためと考えられる。
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔが所定量以上ガーネット単結晶中に入り電荷のバランスが崩れると、電荷を補償するようにＮａがガーネット中に入る。そのためＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔでＦｅを多量に置換した場合でも、Ｎａがガーネットに入ることで電荷は補償される。しかしながら、磁性ガーネット単結晶においてＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔの置換量が１．６より大きくなると、キュリー点が室温付近まで低下するためファラデー回転子としての使用が困難になる。したがって、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔの置換量の上限は化学式で１．６となる。４価が安定な元素と１価が安定な元素とが１：２の比率でガーネット単結晶に入れば電荷のバランスをとることができるため、ガーネット単結晶にＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＰｔが化学式で１．６だけ入るとき、Ｎａは化学式で０．８だけ入る。すなわち、ファラデー回転子に使用可能な磁性ガーネット単結晶に含まれるＮａの上限は化学式で０．８となる。
Ｎａを含む溶媒で磁性ガーネット単結晶を育成する場合には、Ｎａを含まない溶媒に比して溶液の過飽和状態をより安定に保つことができる。そのためＢｉは、化学式で２．０程度まで安定してガーネット単結晶に入ることができる。一方、ファラデー回転子として十分な回転係数（ｄｅｇ／μｍ）を得るためには、Ｂｉは化学式で０．５以上は必要である。
また本実施の形態では、磁性ガーネット単結晶に含まれる希土類元素として、単独又は組合せにより安定してＦｅとガーネット単結晶を作ることができるイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテチウム（Ｌｕ）が用いられる。
以上説明したように、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶は、化学式ＢｉαＮａβＭ１３−α−βＦｅ5-γＭ２γＯ１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ≦１．６）で表される。本実施の形態によれば、Ｐｂをほぼ完全に除去した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を実現できる。また本実施の形態によれば、光学素子の光損失を低減できる。
以下、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
以下、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
（実施例１−１）
図１は、磁性ガーネット単結晶育成工程の一部を示している。まず、金（Ａｕ）製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。融液８から磁性ガーネット単結晶膜を育成するための基板には、引き上げ法により育成したガーネット単結晶のインゴットから作製された単結晶ウエハを用いる。本実施例では単結晶育成用基板１０として、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）単結晶基板（（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２）を用いている。
図１は、磁性ガーネット単結晶育成工程の一部を示している。まず、金（Ａｕ）製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。融液８から磁性ガーネット単結晶膜を育成するための基板には、引き上げ法により育成したガーネット単結晶のインゴットから作製された単結晶ウエハを用いる。本実施例では単結晶育成用基板１０として、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）単結晶基板（（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２）を用いている。
ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｇｅ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−２）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００４とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９３Ｇｅ０．００７Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９６Ｎａ０．００４（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００４とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９３Ｇｅ０．００７Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９６Ｎａ０．００４（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−３）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００８とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところＮａが検出され、組成はＢｉ１．２９３Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．００７Ｆｅ４．９８７Ｇｅ０．０１３Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００８とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところＮａが検出され、組成はＢｉ１．２９３Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．００７Ｆｅ４．９８７Ｇｅ０．０１３Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−４）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．０１２とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．２９０Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．０１０Ｆｅ４．９８０Ｇｅ０．０２０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．０１２とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．２９０Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．０１０Ｆｅ４．９８０Ｇｅ０．０２０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−５）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．０２０とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．２８３Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．０１７Ｆｅ４．９６７Ｇｅ０．０３３Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．０２０とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．２８３Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｎａ０．０１７Ｆｅ４．９６７Ｇｅ０．０３３Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−６）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００２とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９７Ｇｅ０．００３Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．２〜０．２５ｄＢであった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００２とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９７Ｇｅ０．００３Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．２〜０．２５ｄＢであった。
（実施例１−７）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００３とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９４Ｇｅ０．００６Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９７Ｎａ０．００３（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０７ｄＢであった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ／Ｆｅモル比を０．００３とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９４Ｇｅ０．００６Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９７Ｎａ０．００３（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０７ｄＢであった。
（実施例１−８）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＳｉ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｓｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＳｉ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｓｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−９）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＴｉ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｔｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＴｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＴｉ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｔｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＴｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例１−１０）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｐｔ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＰｔ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔ／Ｆｅモル比を０．００６とした。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ４．９９０Ｐｔ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＰｔ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（比較例１−１）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は３．０〜３．５ｄＢであり、極めて高損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶膜１２を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．３００Ｇｄ１．２００Ｙｂ０．５００Ｆｅ５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は３．０〜３．５ｄＢであり、極めて高損失であった。
図２は、上記の実施例及び比較例について、配合材料のＭ２／Ｆｅモル比、育成したガーネット単結晶のＮａ量β及びＭ２量γ、並びに作製したファラデー回転子の光損失（ｄＢ）をまとめて示している。図２に示すように、Ｎａ及びＭ２を含む磁性ガーネット単結晶を用いたファラデー回転子（実施例１−１乃至１−１０）では、Ｎａを含みＭ２を含まない磁性ガーネット単結晶を用いたファラデー回転子（比較例１−１）よりも光損失を低減できることが分かる。特に、磁性ガーネット単結晶のＭ２量γが０．００７以上である場合（実施例１−１乃至１−５及び１−８乃至１−１０）、Ｐｂを含む溶媒から育成した磁性ガーネット単結晶を用いて作製した従来のファラデー回転子（例えば光損失０．０５ｄＢ以下）と比較しても極めて低損失のファラデー回転子が得られる。
また、Ｎａ、Ｆｅ、Ｍ１及びＭ２を含む材料から育成した磁性ガーネット単結晶を用いることによって、低損失のファラデー回転子が得られることが分かる。特に、Ｍ２／Ｆｅモル比が０．００４以上である場合には、極めて低損失のファラデー回転子が得られる。
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について図１及び図３を用いて説明する。Ｎａは希土類やＢｉと比べてイオン半径が大きな元素であり、ガーネットの結晶構造で希土類、Ｂｉと同じサイトを占める。ガーネット膜の育成では単結晶割れを防ぐため、基板と膜の格子定数をほぼ同じにする必要がある。そこでＮａがガーネット中に入った場合に格子定数を一定の値に維持するため、ＢｉやＧｄ、Ｔｂなどの比較的大きなイオン半径を持つ元素の量を減らし、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｙなどの比較的小さなイオン半径を持つ元素を増やす必要が出てくる。Ｂｉは回転子の厚さに大きな影響を与え、ＧｄやＴｂなどは回転子の飽和磁界に影響を与える。そこでガーネット中のＮａ量が増えると格子定数を一定に保つため、希土類、Ｂｉの組成が変わることになり、飽和磁界や厚さなどの回転子の特性がＰｂを含有する従来の回転子と異なってくる。Ｐｂ含有の従来回転子は同じ特性を持つ非鉛回転子で代替することが望ましい。そのためにはＮａ量βは少ない方が好ましく、実用的には少なくとも０．１以下とすることが必要となる。さらに非鉛の回転子の特性を従来の回転子に同等まで近づけるにはＮａ量βは０．０５以下とすることがさらに望ましい。また、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉの中でもＳｉはイオン半径の小さな元素であり、Ｓｉをガーネットに加えると大きなイオン半径を持つＮａがガーネットに入る効果を緩和する効果がある。そのためＳｉをガーネット中に添加して電荷補償することが望ましい。ＰｔはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉと同じく４価が安定な陽イオンの状態でガーネット中のＮａと電荷補償し光吸収を抑制する効果がある。しかし、Ｐｔは安定な複合酸化物を作りやすい元素であり、Ｐｔ量δが０．１６より大きいガーネット膜の育成を試みると、ガーネット膜の育成と同時に溶液中でＰｔを含有する複合酸化物の析出が起き、溶液の過飽和状態を安定に維持できなくなる。そのためファラデー回転子の作製に必要な厚さ数百μｍで結晶欠陥の少ないガーネット膜を育成することは困難となる。従って、Ｐｔ量δは０．１６より小さいことが望ましい。
以下、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
本発明の第２の実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について図１及び図３を用いて説明する。Ｎａは希土類やＢｉと比べてイオン半径が大きな元素であり、ガーネットの結晶構造で希土類、Ｂｉと同じサイトを占める。ガーネット膜の育成では単結晶割れを防ぐため、基板と膜の格子定数をほぼ同じにする必要がある。そこでＮａがガーネット中に入った場合に格子定数を一定の値に維持するため、ＢｉやＧｄ、Ｔｂなどの比較的大きなイオン半径を持つ元素の量を減らし、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｙなどの比較的小さなイオン半径を持つ元素を増やす必要が出てくる。Ｂｉは回転子の厚さに大きな影響を与え、ＧｄやＴｂなどは回転子の飽和磁界に影響を与える。そこでガーネット中のＮａ量が増えると格子定数を一定に保つため、希土類、Ｂｉの組成が変わることになり、飽和磁界や厚さなどの回転子の特性がＰｂを含有する従来の回転子と異なってくる。Ｐｂ含有の従来回転子は同じ特性を持つ非鉛回転子で代替することが望ましい。そのためにはＮａ量βは少ない方が好ましく、実用的には少なくとも０．１以下とすることが必要となる。さらに非鉛の回転子の特性を従来の回転子に同等まで近づけるにはＮａ量βは０．０５以下とすることがさらに望ましい。また、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉの中でもＳｉはイオン半径の小さな元素であり、Ｓｉをガーネットに加えると大きなイオン半径を持つＮａがガーネットに入る効果を緩和する効果がある。そのためＳｉをガーネット中に添加して電荷補償することが望ましい。ＰｔはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉと同じく４価が安定な陽イオンの状態でガーネット中のＮａと電荷補償し光吸収を抑制する効果がある。しかし、Ｐｔは安定な複合酸化物を作りやすい元素であり、Ｐｔ量δが０．１６より大きいガーネット膜の育成を試みると、ガーネット膜の育成と同時に溶液中でＰｔを含有する複合酸化物の析出が起き、溶液の過飽和状態を安定に維持できなくなる。そのためファラデー回転子の作製に必要な厚さ数百μｍで結晶欠陥の少ないガーネット膜を育成することは困難となる。従って、Ｐｔ量δは０．１６より小さいことが望ましい。
以下、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
（実施例２−１）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｇｅ０．００５Ｓｉ０．００５Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｇｅ０．００５Ｓｉ０．００５Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶膜１２の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−２）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００４である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であり、ＧｅとＳｉ量は確定できずＮａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９６Ｎａ０．００４Ｆｅ４．９９３Ｇｅ０．００４Ｓｉ０．００３Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００４である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であり、ＧｅとＳｉ量は確定できずＮａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９６Ｎａ０．００４Ｆｅ４．９９３Ｇｅ０．００４Ｓｉ０．００３Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−３）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００８である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところＮａが検出され、組成はＢｉ０．９９０Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９３Ｎａ０．００７Ｆｅ４．９８７Ｇｅ０．００８Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００８である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところＮａが検出され、組成はＢｉ０．９９０Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９３Ｎａ０．００７Ｆｅ４．９８７Ｇｅ０．００８Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−４）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０１２である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９８６Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９４Ｎａ０．０１０Ｆｅ４．９８０Ｇｅ０．０１５Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１５μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１７Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０１２である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９８６Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９４Ｎａ０．０１０Ｆｅ４．９８０Ｇｅ０．０１５Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１５μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１７Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−５）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０２０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９９０Ｇｄ１．５９０Ｙｂ０．４０３Ｎａ０．０１７Ｆｅ４．９６７Ｇｅ０．０２８Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６２６Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０２０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９９０Ｇｄ１．５９０Ｙｂ０．４０３Ｎａ０．０１７Ｆｅ４．９６７Ｇｅ０．０２８Ｓｉ０．００５Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６２６Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−６）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０６０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ９．５００Ｇｄ１．５８０Ｙｂ０．４２０Ｎａ０．０５０Ｆｅ４．９００Ｇｅ０．０８０Ｓｉ０．０２０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４３１μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６３１Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．０６０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ９．５００Ｇｄ１．５８０Ｙｂ０．４２０Ｎａ０．０５０Ｆｅ４．９００Ｇｅ０．０８０Ｓｉ０．０２０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４３１μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６３１Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−７）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．１２０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９２３Ｇｄ１．５１０Ｙｂ０．４６７Ｎａ０．１００Ｆｅ４．８００Ｇｅ０．１６０Ｓｉ０．０４０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４４３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６６２Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．１２０である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９２３Ｇｄ１．５１０Ｙｂ０．４６７Ｎａ０．１００Ｆｅ４．８００Ｇｅ０．１６０Ｓｉ０．０４０Ｏ１２であった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４４３μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６６２Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−８）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００２である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ４．９９７Ｇｅ０．００２Ｓｉ０．００１Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．２〜０．２５ｄＢであった。Ｇｅを添加しない回転子よりは低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅ、ＳｉとＦｅのモル比（Ｇｅ＋Ｓｉ）／Ｆｅは０．００２である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０（ＦｅＧｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ４．９９７Ｇｅ０．００２Ｓｉ０．００１Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．２〜０．２５ｄＢであった。Ｇｅを添加しない回転子よりは低損失であった。
（実施例２−９）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＳｉとＦｅのモル比Ｓｉ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．５２０Ｙｂ０．４８０Ｆｅ４．９９０Ｓｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＳｉとＦｅのモル比Ｓｉ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．５２０Ｙｂ０．４８０Ｆｅ４．９９０Ｓｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＳｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−１０）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅとＦｅのモル比Ｇｅ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｇｅ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＧｅとＦｅのモル比Ｇｅ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｇｅ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＧｅ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−１１）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＴｉとＦｅのモル比Ｔｉ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｔｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＴｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＴｉとＦｅのモル比Ｔｉ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｔｉ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＴｉ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（実施例２−１２）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔとＦｅのモル比Ｐｔ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｐｔ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＰｔ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔとＦｅのモル比Ｐｔ／Ｆｅは０．００６である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ４．９９０Ｐｔ０．０１０Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９５Ｎａ０．００５（ＦｅＰｔ）５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０〜０．０１ｄＢであり、極めて低損失であった。
（比較例２−１）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は３．０〜３．５ｄＢであり、極めて高損失であった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．０００Ｇｄ１．６１０Ｙｂ０．３９０Ｆｅ５．０００Ｏ１２であり、Ｎａは検出できなかった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、Ｎａの含有量を確定できた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であることが分かった。育成した単結晶膜１２を加工して、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板を作製した。その単結晶板の研磨面に無反射コートを成膜し、ファラデー回転子を作製した。回転子の厚さは４１０μｍ、１ｍｍ角の形状での飽和磁界は６１８Ｏｅであった。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は３．０〜３．５ｄＢであり、極めて高損失であった。
（比較例２−２）
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔとＦｅのモル比Ｐｔ／Ｆｅは０．１００である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。育成した表面に多数の結晶欠陥のある膜厚３６５μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９５０Ｇｄ１．５９０Ｙｂ０．３８０Ｎａ０．０８０Ｆｅ４．８４０Ｐｔ０．１６０Ｏ１２であった。単結晶膜の厚さが不足したため、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板は作製できなかった。
Ａｕ製のルツボ４にＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＰｔＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填して、電気炉に配置した。このときのＰｔとＦｅのモル比Ｐｔ／Ｆｅは０．１００である。９５０℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を溶解して融液８を生成し、Ａｕ製の攪拌用冶具を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ基板１０をＡｕ製の固定冶具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。育成した表面に多数の結晶欠陥のある膜厚３６５μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ０．９５０Ｇｄ１．５９０Ｙｂ０．３８０Ｎａ０．０８０Ｆｅ４．８４０Ｐｔ０．１６０Ｏ１２であった。単結晶膜の厚さが不足したため、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなる単結晶板は作製できなかった。
図３は、上記の実施例及び比較例について、配合材料の（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｆｅモル比、育成したガーネット単結晶のＮａ量β、Ｍ２量γ、及びＭ３量δ、並びに作製したファラデー回転子の光損失（ｄＢ）をまとめて示している。図３に示すように、Ｎａ、Ｍ２及びＭ３を含む磁性ガーネット単結晶を用いたファラデー回転子（実施例２−１乃至２−１２）では、Ｍ２及びＭ３を含まない磁性ガーネット単結晶を用いたファラデー回転子（比較例２−１）よりも光損失を低減できることが分かる。特に、磁性ガーネット単結晶のＮａ量βが０．１以下であってＧｅ及びＳｉからなるＭ２量γ（Ｍ３量δ＝０）が０．２以下である場合（実施例２−１乃至２−８）、好ましくはＮａ量βが０．０５以下であって、Ｍ２量γ（Ｍ３量δ＝０）が０．１以下である場合（実施例２−１乃至２−６及び２−８）極めて低損失のファラデー回転子が得られる。
２ 固定冶具
４ ルツボ
８ 融液
１０ 基板
１２ 単結晶膜
４ ルツボ
８ 融液
１０ 基板
１２ 単結晶膜
Claims (7)
- 化学式ＢｉαＮａβＭ１３−α−βＦｅ5-γＭ２γＯ１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β≦０．８、０．２≦３−α−β＜２．５、０＜γ≦１．６）
で示されること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 請求項１記載の磁性ガーネット単結晶であって、
前記γは、０．００７≦γ≦１．６であること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 請求項１又は２に記載の磁性ガーネット単結晶を用いて作製されることを特徴とする光学素子。
- 請求項１記載の磁性ガーネット単結晶であって、
前記β及びγは、０＜β≦０．１、０＜γ≦０．２であること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 請求項４記載の磁性ガーネット単結晶であって、
前記β及びγは、０＜β≦０．０５、０＜γ≦０．１であること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 請求項４又は５に記載の磁性ガーネット単結晶であって、
前記Ｍ２は、少なくともＳｉを含む１種類以上の元素であること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 請求項１、２又は４乃至６のいずれか１項に記載の磁性ガーネット単結晶から作製されることを特徴とするファラデー回転子。
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