JP4804764B2 - Small magnetic sensor element that detects magnetic field in three dimensions - Google Patents
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Description
本発明は、ナビゲーションや姿勢制御等に用いられる電子コンパスに使用される磁気センサー素子に関し、特に磁界を3次元で検出するフラックスゲート型の磁気センサー素子に関する。 The present invention relates to a magnetic sensor element used in an electronic compass used for navigation, attitude control, and the like, and more particularly to a fluxgate type magnetic sensor element that detects a magnetic field in three dimensions.
従来、フラックスゲート素子等の細長い形状の磁気検出素子を使って磁界を3次元で検出する磁気センサーを構成しようとした場合、第1、第2、第3のフラックスゲート素子を用い、第1と第2のフラックスゲート素子は、任意の水平面の2軸方向(X軸、Y軸とする)に90°の交差角をつけて配置するが、第3のフラックスゲート素子はその水平面に対し直角に立てた軸(Z軸とする)の方向に配置していた(例えば特許文献1参照。)。ここでフラックスゲート素子とは、磁性材の棒よりなる磁心にコイルを回捲してなるものであり、コイルの出力により、磁心の方向の磁界の強さを検出するものである。 Conventionally, when trying to configure a magnetic sensor that detects a magnetic field in three dimensions using an elongated magnetic detection element such as a fluxgate element, the first, second, and third fluxgate elements are used, The second fluxgate element is arranged with a crossing angle of 90 ° in any two horizontal planes (X axis and Y axis), but the third fluxgate element is perpendicular to the horizontal plane. They are arranged in the direction of the upright axis (referred to as the Z axis) (see, for example, Patent Document 1). Here, the fluxgate element is formed by rotating a coil around a magnetic core made of a magnetic material rod, and detects the strength of the magnetic field in the direction of the magnetic core based on the output of the coil.
ここで、上記のような従来の3次元磁気センサーの作用の原理を説明する。図10のモデル図に示すように、互い直交するX、Y、Zの3軸に沿ってフラックスゲート素子111、112、113がそれぞれ配置されている。これらのフラックスゲート素子は、図11に示す3次元の磁界Hが存在する場所に配置される。図11に示すように、磁界HのX方向成分をHx、Y方向成分をHy、Z方向成分をHzで表す。ここで、3次元の磁界のベクトルHは、X軸方向のベクトルHxとY方向のベクトルHyとZ方向のベクトルHzが合成されて出来たベクトルとみなすことが出来る。ところで、一般に磁界の方向とフラックスゲート素子のなす角がθであるときは、その磁界の強さにcosθを乗じたものが検出の対象となる。よって、X軸方向に配されたフラックスゲート111の検出対象となる磁界の強さをA1とすれば
A1=Hxcos0°+Hycos90°+Hzcos90°=Hx
Y軸方向に配されたフラックスゲート112の検出対象となる磁界の強さをB1とすれば
B1=Hxcos90°+Hycos0°+Hzcos90°=Hy
Z軸方向に配されたフラックスゲート112の検出対象となる磁界の強さをC1とすれば
C1=Hxcos90°+Hycos90°+Hzcos0°=Hz
となる。このようにして、フラックスゲート111、112、113により、それぞれに
磁界Hの3次元成分Hx、Hy、Hzを検出することができる。
Here, the principle of operation of the conventional three-dimensional magnetic sensor as described above will be described. As shown in the model diagram of FIG. 10,
If the strength of the magnetic field to be detected by the
B1 = Hx cos 90 ° + Hy
C1 = Hxcos 90 ° + Hycos 90 ° +
It becomes. In this manner, the
ここで、参考までに電子コンパス等の磁気方位測定手段において、磁界Hの3次元成分Hx、Hy、Hzより、磁界Hの方位を求める方法を説明する。例えば、Hx、Hy、Hzを順次合成することにより3次元の磁界のベクトルHの方位および大きさを求めることができる。すなわち、図11に示すように、HxとHyの合成ベクトルH1を考え、そのXY面におけるX軸からの角度をφ1とすれば、
φ1=tan−1(Hy/Hx)・・・・(1)
H1の絶対値は
(H1)2=Hx2+Hy2
となる。次に、ベクトルH1にベクトルHzを合成した3次元ベクトルHを考え、H1からHへの回転角をφ2とすると、
φ2=tan−1(Hz/H1)
=tan−1[Hz/(Hx2+Hy2 )−1/2]・・・・(2)
となる。3次元ベクトルHの絶対値は
H2=(H1)2 +Hz2=Hx2+Hy2+Hz2・・・・(3)
となる。このようにして、3次元磁気センサーにより磁界のベクトルHのX、Y、Z方向の成分Hx、Hy、Hzを検出し、この値を電子コンパス等の磁気方位測定手段に入力し計算手段により演算を行うことにより、(1)、(2)式より前記のφ1およびφ2を算出し、磁界ベクトルHの3次元の方位を特定することができ、また、(3)式よりその大きさを求めることができる。
Here, for reference, a method for obtaining the orientation of the magnetic field H from the three-dimensional components Hx, Hy, Hz of the magnetic field H in a magnetic orientation measuring means such as an electronic compass will be described. For example, the direction and magnitude of the three-dimensional magnetic field vector H can be obtained by sequentially combining Hx, Hy, and Hz. That is, as shown in FIG. 11, if a combined vector H1 of Hx and Hy is considered and the angle from the X axis on the XY plane is φ1,
φ1 = tan −1 (Hy / Hx) (1)
The absolute value of H1 is (H1) 2 = Hx 2 + Hy 2
It becomes. Next, considering a three-dimensional vector H obtained by combining the vector H1 with the vector H1, and assuming that the rotation angle from H1 to H is φ2,
φ2 = tan −1 (Hz / H1)
= Tan −1 [Hz / (Hx 2 + Hy 2 ) −1/2 ] (2)
It becomes. The absolute value of the three-dimensional vector H is H 2 = (H1) 2 + Hz 2 = Hx 2 + Hy 2 + Hz 2 ... (3)
It becomes. In this way, the components Hx, Hy, and Hz in the X, Y, and Z directions of the magnetic field vector H are detected by the three-dimensional magnetic sensor, and these values are input to the magnetic direction measuring means such as an electronic compass and calculated by the calculating means. By performing the above, φ1 and φ2 can be calculated from the equations (1) and (2), and the three-dimensional orientation of the magnetic field vector H can be specified, and the magnitude can be obtained from the equation (3). be able to.
このようにして、従来のフラックスゲート素子を使用した3次元磁気センサーは3次元の磁界をそのX、Y、Z方向の成分を直接に検出することにより検出することができ、この検出結果に基づいて電子コンパス等の磁気方位測定手段において3次元の磁気の方位を検出する等の利用をすることができる。しかしながら、かかる従来の3次元磁気センサーにおけるフラックスゲート素子の配置においては、図10に示すように、第3のフラックスゲート素子(113)は、第1および第2のフラックスゲート素子により決められる水平面(XY面)に対して立てて配置しなければならず、3次元磁気方位検出センサーの高さ方向に、フラックスゲート素子の長さと同等以上のスペースを必要としていた。このため、磁気センサー装置の形状をキュービック型としていたが、これでは部品の高さに制限のある携帯情報機器等においては搭載が不可能であった。そこでフラックスゲート素子を用いた3次元磁気方位検出センサーの薄型化を図るに手段として、Z軸用のフラックスゲート素子のみを半導体型のフラックスゲート素子等(素子の面に垂直方向の磁界を検出する性質を有するフラックスゲート素子)とすることも考えられるが、種類の違う素子を搭載することにより、その素子用の駆動回路が別途必要となり、製造工程が複雑となる等の問題があった。 In this way, a three-dimensional magnetic sensor using a conventional fluxgate element can detect a three-dimensional magnetic field by directly detecting the components in the X, Y, and Z directions, and based on the detection result. Thus, it is possible to use a magnetic orientation measuring means such as an electronic compass to detect a three-dimensional magnetic orientation. However, in the arrangement of the fluxgate elements in such a conventional three-dimensional magnetic sensor, as shown in FIG. 10, the third fluxgate element (113) is a horizontal plane determined by the first and second fluxgate elements ( It has to be arranged upright with respect to the (XY plane), and requires a space equal to or greater than the length of the fluxgate element in the height direction of the three-dimensional magnetic orientation detection sensor. For this reason, although the shape of the magnetic sensor device was a cubic type, it could not be mounted on a portable information device or the like where the height of the parts is limited. Therefore, as a means to reduce the thickness of a three-dimensional magnetic direction detection sensor using a fluxgate element, only a fluxgate element for Z-axis is used as a semiconductor type fluxgate element (detects a magnetic field perpendicular to the element surface). Although it is conceivable to use a fluxgate element having a characteristic, there is a problem that mounting a different type of element requires a separate drive circuit for the element and complicates the manufacturing process.
本発明は上記したようなフラックスゲート素子を用いた3次元磁気出センサーにおいて、製造工程の特別の複雑化を招くことなく、その厚み方向の寸法を従来よりも減少させ、部品の高さに制限のある携帯情報機器等への搭載を可能とするように改善することを課題とする。 The present invention is a three-dimensional magnetic output sensor using a fluxgate element as described above, and reduces the dimension in the thickness direction compared to the conventional one without causing any special complication of the manufacturing process. It is an object to improve so that it can be mounted on a portable information device or the like.
上記の課題を解決するための第1の手段として、本発明は、フラックスゲート素子を使用して磁界を3次元で検出する磁気センサー素子において、
水平面に配置した磁気センサー素子の基板と、前記基板上に固定されたコントロールICと、前記基板上に配置された直方体で1方向に長い柱状をする台座と、前記台座の垂直の側面に固定されたフラックスゲート素子とを有し、水平面に配置されるX軸とY軸の少なくとも一軸についてはフラックスゲート素子2個を一組として、それぞれのフラックスゲート素子を水平面に対しプラスおよびマイナス方向に1°から45°の範囲の傾斜角で傾斜を持たせて配置するとともに、前記2個を一組としたフラックスゲート素子の一方のフラックスゲート素子が水平面に対しプラス方向に傾斜し、他方のフラックスゲート素子が水平方向に対しマイナス方向に傾斜し、そのプラス方向の傾斜角とマイナス方向の傾斜角の絶対値を等しくして、一方のフラックスゲート素子と出力と他方のフラックスゲート素子と出力の和を用いてX軸又はY軸方向の磁界成分の強度を算出し、出力の差を用いて前記水平面に直交するZ軸方向の磁界成分の強度を算出する演算手段を備えたことを特徴とする。
As a first means for solving the above problems , the present invention provides a magnetic sensor element that detects a magnetic field in three dimensions using a fluxgate element.
A magnetic sensor element substrate arranged on a horizontal plane, a control IC fixed on the substrate, a pedestal arranged in a rectangular parallelepiped on the substrate and having a columnar shape in one direction, and fixed to a vertical side surface of the pedestal. With respect to at least one of the X axis and the Y axis arranged on the horizontal plane, two flux gate elements are set as a set, and each flux gate element is 1 ° in the plus and minus directions with respect to the horizontal plane. And one fluxgate element of the fluxgate element that is a set of the two is inclined in the plus direction with respect to the horizontal plane, and the other fluxgate element Is tilted in the minus direction with respect to the horizontal direction, and the absolute value of the tilt angle in the plus direction is equal to the absolute value of the tilt angle in the minus direction. The intensity of the magnetic field component in the X-axis or Y-axis direction is calculated using the sum of the fluxgate element and the output and the other fluxgate element and the output, and the magnetic field component in the Z-axis direction orthogonal to the horizontal plane is calculated using the difference in output. And a calculating means for calculating the intensity of .
上記の課題を解決するための第2の手段として、本発明は、前記第1の手段において、前記2個を一組としたフラックスゲート素子がそれぞれ固定された第1の台座と第2の台座の間に前記コントロールICが固定され、他のフラックスゲート素子が固定された第3の台座を前記第1の台座と第2の台座に直交して配置し、この3個の台座で前記コントロールICを3方から囲むように配置されていることを特徴とする。
As a second means for solving the above-mentioned problems , the present invention provides a first pedestal and a second pedestal to which the flux gate elements, each of which is a set of the two, are fixed. A third pedestal to which the control IC is fixed and another fluxgate element is fixed is arranged perpendicularly to the first pedestal and the second pedestal, and the three pedestals are used to control the control IC. Is arranged so as to surround from three directions .
上記の課題を解決するための第3の手段として、本発明は、前記第1の手段において、前記2個を一組としたフラックスゲート素子が第1の台座の両側面に固定され、他のフラックスゲート素子が前記第1の台座に直交して配置された第3の台座に固定され、前記第1の台座と前記第3の台座とからなるL字形の内部にコントロールICが配置されていることを特徴とする。
As third means for solving the above problems, the present invention is Oite the first hand stage, the two pair and the fluxgate element are fixed to both side surfaces of the first seat The other fluxgate element is fixed to the third pedestal arranged orthogonal to the first pedestal, and the control IC is arranged inside the L-shape composed of the first pedestal and the third pedestal. It is characterized by being.
前記第1の手段によれば、水平面に配置されるX軸とY軸の少なくとも一軸についてはフラックスゲート素子2個を一組として、それぞれのフラックスゲート素子を水平面に対しプラスおよびマイナス方向に1°から45°の範囲の傾斜角で傾斜を持たせているので、厚み方向の寸法を軽減することができる。しかも、このように傾斜を持たせていても、各フラックスゲート素子の出力の和を用いてX軸又はY軸方向の磁界成分の強度を算出し、差を用いて前記水平面に直交するZ軸方向の磁界成分の強度を算出することが出来、これらより3次元の磁界を特定することができる。このように、本発明によれば、ハード面およびソフト面からの対処により3次元の磁界の成分を検知する磁気センサー素子の厚み寸法の低減が可能となる。
According to the first hand stage, as a set of two fluxgate element for at least uniaxial X and Y axes are arranged in a horizontal plane, each of the flux-gate elements in the plus and minus directions with respect to the
前記第1の手段によれば、各フラックスゲート素子の出力から、磁界の水平方向および垂直方向の成分を求める演算が簡単となる。
According to the first means, it is easy to calculate the horizontal and vertical components of the magnetic field from the output of each fluxgate element.
前記第2の手段および第3の手段によれば、フラックスゲート素子同士の間隔が確保され、フラックスゲート素子間の干渉が阻止でき、動作の安定性が確保できる。
According to the second means and the third means, the spacing between flux gate element is secured, the interference between the flux gate element can be prevented, stable operation can be ensured.
本発明を実施するための最良の形態は、フラックスゲート素子を使用して磁界を3次元で検出する磁気センサーを、水平面に配置されるX軸とY軸の少なくとも一軸についてはフラックスゲート素子2個を一組として、それぞれのフラックスゲート素子を水平面に対しプラスおよびマイナス方向に1°から45°の範囲で傾斜を持たせて配置するとともに、
前記フラックスゲート素子のそれぞれの出力と前記傾斜角の正弦又は余弦とに基づく演算により磁界の3次元成分を算出する演算手段を備えた構成とする。
The best mode for carrying out the present invention is to use a magnetic sensor for detecting a magnetic field in three dimensions using a fluxgate element, and two fluxgate elements for at least one of the X axis and the Y axis arranged on the horizontal plane. As a set, each fluxgate element is arranged with an inclination in the range of 1 ° to 45 ° in the plus and minus directions with respect to the horizontal plane,
A configuration is provided that includes calculation means for calculating a three-dimensional component of the magnetic field by calculation based on each output of the fluxgate element and the sine or cosine of the tilt angle.
上記の最良の形態に基づき、本発明の具体的な形態である実施例を説明するに先立ち、本発明の原理を説明する。本発明は、従来のようにこのような互いに直交する3個のフラックスゲート素子を使用する方式(図10参照)とは異なる方式により、図4に示すような磁界HのX、Y、Z軸方向の成分であるHx、Hy、Hzを検知するものである。すなわち本発明によれば、複数のフラックスゲート素子のうち少なくとも2個のフラックスゲート素子はX軸とY軸を含む水平面(XY面)に対し絶対値が1°以上で45°以下の傾斜角をなすものである。例えば、図5に示すようにX軸とZ軸(水平面に垂直な軸)を含む平面であるXZ面において、X軸に対しθ1だけ傾斜したフラックスゲート素子11とθ2だけ傾斜したフラックスゲート素子12があり、θ1もθ2絶対値が1°から45°の範囲にあるとする。ここで、一般に磁界の方向とフラックスゲート素子のなす角をθとするとフラックスゲート素子の出力は kcosθ で表される。ここでkは検出定数である。フラックスゲート素子11は図4に示す磁界Hxに対してはθ1だけ傾斜しているのでこれにより k・Hx・cosθ1 の出力を生ずる。磁界Hz対しては(90°−θ1)だけ傾斜しているのでこれにより k・Hz・sinθ1 の出力を生ずる。そして、フラックスゲート素子11は(XZ面にあるため)磁界Hyに対する角度は90°となるので、これによる出力は k・Hy・cos90°=0 となり、出力は生じない。よって、Hx、Hy、Hzの成分を有する磁界Hにより生ずるフラックスゲート出素子11の出力Aは
A=k(Hx・cosθ1+Hz・sinθ1)・・・・(4)
となる。同様にしてフラックスゲート素子12の出力Bは
B=k(Hx・cosθ2+Hz・sinθ2)・・・・(5)
となる。
なお、図6に示すように、フラックスゲート出素子11および12がYZ面にあるときは、同様の原理により、フラックスゲート出素子11の出力は(4)式においてHxをHyに置き換えたものとなり、フラックスゲート出素子12の出力は(5)式においてHxをHyに置き換えたものとなる。
Based on the above-described best mode, the principle of the present invention will be described before describing an embodiment which is a specific mode of the present invention. The present invention is different from the conventional method using three fluxgate elements orthogonal to each other (see FIG. 10), so that the X, Y and Z axes of the magnetic field H as shown in FIG. Hx, Hy, and Hz, which are direction components, are detected. That is, according to the present invention, at least two fluxgate elements among the plurality of fluxgate elements have an inclination angle of 1 ° to 45 ° with respect to a horizontal plane (XY plane) including the X axis and the Y axis. It is what you make. For example, as shown in FIG. 5, in the XZ plane, which is a plane including the X axis and the Z axis (axis perpendicular to the horizontal plane), the
It becomes. Similarly, the output B of the fluxgate element 12 is B = k (Hx · cos θ2 + Hz · sin θ2) (5)
It becomes.
As shown in FIG. 6, when the
なお、参考までに述べると、上記のようにフラックスゲート素子11とフラックスゲート素子12が共にXZ平面にあるときは、磁界のY成分であるHyを検出することがないので、フラックスゲート素子11の出力は、図7(a)に示すようなHxとHzの2次元の合成ベクトルの磁界H0を図7(b)に示すように、フラックスゲート素子11により検出する場合と同様となる。ここで、H0もフラックスゲート素子11も共にXZ面にある。この場合、H0のX軸に対する傾斜角をθ0とすれば
sinθ0=Hz/H0 cosθ0=Hx/H0 となる。又、磁界H0とフラックスゲート素子のなす角θは θ=θ0−θ1 となる。よって、フラックスゲート素子11の出力Aは
A=k・H0・cosθ=k・H0・cos(θ0−θ1)
=k・H0(cosθ0・cosθ1+sinθ0・sinθ1)
=k・H0[(Hx/H0)・cosθ1+(Hz/H0)・sinθ1]
=k(Hx・cosθ1+Hz・sinθ1)
となって、(4)式と一致する。同様にして、フラックスゲート素子1の出力Bについても、
B=k・H0・cos(θ0−θ2)=k(Hx・cosθ2+Hz・sinθ2)
となって(5)式と一致した式が成立つ。
For reference, when the
= K · H0 (cos θ0 · cos θ1 + sin θ0 · sin θ1)
= K · H0 [(Hx / H0) · cos θ1 + (Hz / H0) · sin θ1]
= K (Hx · cos θ1 + Hz · sin θ1)
Which is in agreement with equation (4). Similarly, for the output B of the
B = k · H0 · cos (θ0−θ2) = k (Hx · cos θ2 + Hz · sin θ2)
As a result, an expression that matches the expression (5) is established.
次に、フラックスゲート素子11の出力Aおよびフラックスゲート素子12の出力Bとから磁界のX、Z軸方向の成分Hx、Hzを求める方法につき説明する。図5に示すようにフラックスゲート素子11とフラックスゲート素子12がXZ面に配されているときは、(4)式および(5)式より連立方程式を解くことにより
Hz=(Acosθ2−Bcosθ1)/ksin(θ1−θ2)・・・・(6)
Hx=(Asinθ2−Bsinθ1)/ksin(θ2−θ1)・・・・(7)
となる。(6)式、(7)式より傾斜角θ1、θ2が任意の場合であっても出力Aおよび出力Bに基づいて、HzおよびHxを算出することができる。なお、ここで特殊な例として 傾斜角の方向が逆で絶対値が等しい場合すなわち θ2=−θ1 の場合は(6)式および(7)式より、それぞれ
Hz=(A−B)/2ksinθ1・・・・(8)
Hx=(A+B)/2kcosθ1・・・・(9)
が成立する。いずれにしても、フラックスゲート素子11の出力Aおよびフラックスゲート素子12の出力Bとから磁界のX、Z軸方向の成分Hx、Hzを求めることができる。
Next, a method for obtaining the magnetic field X and Z-axis components Hx and Hz from the output A of the
Hx = (Asin θ2-Bsin θ1) / ksin (θ2-θ1) (7)
It becomes. From equations (6) and (7), Hz and Hx can be calculated based on the output A and the output B even when the inclination angles θ1 and θ2 are arbitrary. As a special example, when the direction of the inclination angle is opposite and the absolute values are equal, that is, θ2 = −θ1, Hz = (A−B) / 2 ksin θ1 · ... (8)
Hx = (A + B) / 2 kcos θ1 (9)
Is established. In any case, the components Hx and Hz in the X and Z axis directions of the magnetic field can be obtained from the output A of the
ここで、図6に示すように、フラックスゲート素子11およびフラックスゲート素子12が共にYZ面に配置され、Y軸に対しそれぞれθ1、θ2の傾斜角で傾斜している場合は、Hzについては、(6)式又は(8)式を適用して、これを求めることが出来、Y方向の磁界成分Hyについては、(7)式においてHxをHyに置き換えた式
Hy=(Asinθ2−Bsinθ1)/ksin(θ2−θ1)・・・・(10)
によりこれを求めることができる。特に θ2=−θ1 の場合は(9)式においてHxをHyに置き換えた式
Hy=(A+B)/2kcosθ1・・・・(11)
によりこれを求めることができる。以上のようにして、磁界のX、Y、Z成分Hx、Hy、Hzを演算により求めることにより、磁界を3次元で検出することができる。
なお、例えばXZ面に配置したフラックスゲート素子11およびフラックスゲート素子12の出力からHxとHzを算出し、さらにHyを求めるには、図6に示すようなYZ面に配置され1対のフラックスゲート素子を用いることなく、図8に示すように第3のフラックスゲート素子13をY軸方向に配し、その出力Cから直ちに
Hy=C/k・・・・(12)
としてHyを求めることもできる。このようにして、磁界のX、Y、Z成分であるHx、Hy、Hzが全て求められると、すでに説明した(1)式及び(2)式より磁界の3次元の方位を求めることができる。又、必要に応じて(3)式より磁界の強さを求めることができる。
Here, as shown in FIG. 6, when both the
Hy = (Asin θ2-Bsin θ1) / ksin (θ2-θ1) (10)
This can be obtained by: In particular, in the case of θ2 = −θ1, the equation Hy = (A + B) / 2 kcos θ1 (11) in which Hx is replaced with Hy in the equation (9).
This can be obtained by: As described above, the magnetic field can be detected in three dimensions by obtaining the X, Y, and Z components Hx, Hy, and Hz of the magnetic field by calculation.
For example, in order to calculate Hx and Hz from the outputs of the
Hy can also be obtained. In this way, when all of the X, Y, and Z components of the magnetic field, Hx, Hy, and Hz, are obtained, the three-dimensional orientation of the magnetic field can be obtained from the equations (1) and (2) already described. . If necessary, the strength of the magnetic field can be obtained from equation (3).
なお、上記に説明した例に限らず、例えば図9に示すように、XZ面に配置した1対のフラックスゲート素子11、12ののうちのフラックスゲート素子11は水平であり、フラックスゲート素子12のみがX軸に対し角度θ2で傾斜しているときは、(6)、(7)式より
Hz=(B−Acosθ2)/ksinθ2・・・・(11)
Hx=A/k・・・・(12)
としてHzとHxを求めることができる。
以上に、本発明の原理につき説明を行ったが、本発明のより具体的な実施の態様につき、実施例を用いて以下に説明する。
In addition to the example described above, for example, as shown in FIG. 9, the
Hz = (B−Acos θ2) / ksin θ2 (11)
Hx = A / k (12)
Hz and Hx can be obtained as follows.
The principle of the present invention has been described above, but more specific embodiments of the present invention will be described below using examples.
以下に図面を参照して本発明の実施例1に係る3次元磁気センサー素子(又は3次元磁界センサーユニット)を説明する。図1は実施例1に係る3次元磁界センサー素子10を示す図であり、図1(a)はXY面で見た上面図、図1(b)はYZ面で見た側面図、図1(c)はXZ面で見た側面図である。図1において1は基板、2は第1の台座、3は第2の台座、4は第3の台座、5はコントロールIC、11は第1のフラックスゲート素子、12は第2のフラックスゲート素子、13は第3のフラックスゲート素子である。これらのフラックスゲート素子は、例えば磁性材の柱状の磁心にコイルが回捲されており、磁心を通る磁界に比例した出力をコイルの端子より発生することにより、磁心の方向(フラックスゲート素子の長手方向)の磁界の成分を検出するようになっている。台座2、3、4は略直方体で1方向に長い柱状をなしている。X、Y、Zは互いに直交する軸であり、基板1の面はX軸とY軸により規定されるXY面(水平面)と平行である。そして、台座2および台座3は基板1上に間隔をおいてX軸に平行な方向が長手方向となるように固定されている。台座2および3の間の基板1上にはコントロールIC5が固定されている。台座4は装置基板1上で台座2および台座3の端面から若干離れた位置において、長手方向がY軸に平行となる方向に固定されている。そして、台座2、3、4によりコントロールIC5をの3方から囲むような位置関係となっている。
A three-dimensional magnetic sensor element (or a three-dimensional magnetic field sensor unit) according to
台座2の外側の側面2bはXZ面となっているが、この面に、X軸に対しプラス方向にθ1だけ傾斜した状態でフラックスゲート素子11が固定されている。台座3の外側の側面3bもXZ面となっているが、この面に、X軸に対しマイナス方向にθ2だけ傾斜した状態でフラックスゲート素子12が固定されている。ここで、θ1とθ2の絶対値は1°より大で45°以下となっている。台座4の外側の側面4bはYZ面となっているが、この面にY軸方向に平行にフラックスゲート素子13が固定されている。フラックスゲート素子11、12、13からはリード線が引き出され台座2、3、4に設けられた対応する素子接続端子7に接続されている。8は装置基板1上で、コントロールIC5の周辺に設けられたIC用接続端子である。IC用接続端子はワイヤー等の接続手段によりコントロールIC5に接続されるとともに、図示しない配線手段により前記の素子接続端子7に接続されている。なおコントロールIC5の内部にはフラックスゲート素子11、12、13に検出動作をさせるための検出駆動手段および後述する演算をするための演算手段が設けられている。
The outer side surface 2b of the
ここで、上記の3次元磁気センサー素子10が3次元の磁界Hの中に置かれた場合、フラックスゲート素子11、12、13からの出力を夫々A、B、Cとすると、これらの出力は前記の素子接続端子7、IC用接続端子8を経てコントロールIC5に入力される。そしてコントロールIC5に設けた演算手段において、前記の出力A、B、Cに基づき、磁界HのX、Z、Y成分であるHx、Hz、Hyがすでに説明した原理により、それぞれ、(7)、(6)、(12)式により算出される。なお、前記θ1とθ2の絶対値が等しい場合はHxとHzはそれぞれ(8)、(9)式により算出される。そして更に必要に応じて、コントロールIC5内の演算手段によって、前記の算出されたHx、Hz、Hyの値に基づき、(1)式および(2)式により磁界Hの方位角φ1およびφ2を算出し、磁界Hの3次元の方向を特定することもできる。このように3次元磁気センサー素子10はハード的な磁気検出手段である複数のフラックスゲート素子と、ソフト的な演算作用をなすコントロールICとが組み合わされて、3次元で磁界を検出する機能を有する磁気センサー素子が構成されるものである。この場合は水平面に直立するフラックスゲート素子を使用する必要がない。よって本実施例1によれば、Z方向(厚み方向)の占有スペースの小さい薄型の3次元磁気センサーを構成することができ、携帯電話機、小型のナビゲータ等に使用する上で有利となる。又、フラックスゲート素子11、12、13は距離をおいて配置されているので、互いに干渉し合うことはなく、正確な検出ができる。
Here, when the above-described three-dimensional
以下に図面を参照して本発明の実施例2に係る3次元磁氣センサー素子を説明する。図2は実施例2に係る3次元磁気センサー素子20を示す図であり、図2(a)はXY面で見た上面図、図2(b)はXZ面で見た側面図、図2(c)はYZ面で見た側面図である。図2(a)においては横方向をX方向にとっている。図2に示すように、3次元磁気センサー20には図1に示した3次元磁気センサー素子10から台座3を省き、台座2の一方の側面2bにフラックスゲート素子11を固定し、これと対向する他方の側面2cにフラックスゲート素子12を固定している。この場合もフラックスゲート素子11およびフラックスゲート素子12のX軸に対する傾斜角度θ1、θ2は、図1に示した装置ユニット10の場合と同様である。他の構成は図1に示した磁気センサーの装置ユニット10の場合と同様である。本実施例2の場合も、フラックスゲート素子11、12、13からはそれぞれ実施例1の場合と同様の出力A、B、CがコントロールIC5に入力され、ここで、実施例1と同様の演算が行われて、磁界Hを3次元で検出することができる。本実施例2の場合は台座3が2個ですむので、実施例1に比較して平面寸法を小さくすることができる。
A three-dimensional magnetic sensor element according to
なお、本実施例2の変形例として、図示は省略するが、図2に示す3次元磁気センサー素子20からフラックスゲート素子13を除き、代わりに台座4の対向する2つの側面4b、4cのZY面にY軸に対し異なる角度で傾斜する1対のフラックスゲート素子をそれぞれ配置したものがある。この例においては、この1対のフラックスゲート素子の出力に基づき(10)式の演算を行い磁界HのY成分であるHyを求めることができる。なお、この場合、Hx、Hzは図2に示す3次元磁気センサー20と同様に、台座2に固定したフラックスゲート素子11およびフラックスゲート素子12の出力に基づき演算により求めるものである。
As a modification of the second embodiment, although not shown, the flux gate element 13 is removed from the three-dimensional
以下に図面を参照して本発明の実施例3に係る3次元磁氣センサー素子を説明する。図3は実施例3に係る3次元磁気センサー素子30を示す図であり、図3(a)はXY面で見た上面図、図3(b)はXZ面で見た側面図、図3(c)はYZ面で見た側面図である。図3において、6は上面の幅の広い幅広台座であり、14は上面用フラックスゲート素子である。図3に示すように3次元磁気センサー素子30においては、基板1上にX方向に幅広台座6を固定し、台座6の一方の側面6bのXZ面にフラックスゲート素子11を固定し、これと対向する他の一方の側面6cにフラックスゲート素子12を固定し、更に台座6の上面6dのXY面に上面用フラックスゲート素子14がX軸に対してθ3の傾斜角をなして固定される。この場合もフラックスゲート素子11およびフラックスゲート素子12のX軸に対する傾斜角度θ1、θ2は、図1に示した3次元磁気センサー素子10場合と同様であり、フラックスゲート素子11、12からは実施例1の場合と同様の出力A、Bが出力する。ここで、上面用フラックスゲート素子14の出力をDとすると、すでに説明したのと基本的には同様の原理((4)式又は(5)式の原理を参照)により
D=K(Hxcosθ3+Hysinθ3)
となる。これより、Hyは
Hy=[(D/K)−Hxcosθ3]/sinθ3・・・・(13)
となり、(13)式を用いてHyを求めることができる。すなわち、本実施例3においては、フラックスゲート素子11の出力A、フラックスゲート素子12の出力B、フラックスゲート素子14の出力DをコントロールIC5に入力すると、先ずA、Bにより(6)式および(7)式を用いてHzとHxが算出される。次に算出されたHxと出力Dにより(13)式を用いてHyが算出される。このようにして算出されたHz、Hx、HyとよりコントロールIC5において、すでに説明した計算により、磁界の方位を算出することもできる。本実施例3においては、台座としては1個の台座6のみを使用するので、装置の平面寸法を更に小さくすることができる。又、フラックスゲート素子11、12、14を接触せずに、台座2を介して離して配置できるのでフラックスゲート素子間の干渉を防ぐことができる。
A three-dimensional magnetic sensor element according to
D = K (Hx cos θ3 + Hysin θ3)
It becomes. From this, Hy
Hy = [(D / K) −Hxcos θ3] / sin θ3 (13)
Thus, Hy can be obtained using equation (13). That is, in the third embodiment, when the output A of the
1 基板
2 第1の台座
2b、2c、3b、4b、4c、6b、6c 台座の側面
3 第2の台座
4 第3の台座
5 コントロールIC
6 幅広台座
6d 台座の上面
7 素子接続端子
8 IC用接続端子
10、20、30 3次元磁気センサー素子
11 第1のフラックスゲート素子
12 第2のフラックスゲート素子
13 第3のフラックスゲート素子
14 上面用フラックスゲート素子
DESCRIPTION OF
6 Wide pedestal 6d Upper surface of
13 Third fluxgate element
14 Fluxgate element for top surface
Claims (3)
水平面に配置した磁気センサー素子の基板と、前記基板上に固定されたコントロールICと、前記基板上に配置された直方体で1方向に長い柱状をする台座と、前記台座の垂直の側面に固定されたフラックスゲート素子とを有し、
水平面に配置されるX軸とY軸の少なくとも一軸についてはフラックスゲート素子2個を一組として、それぞれのフラックスゲート素子を水平面に対しプラスおよびマイナス方向に1°から45°の範囲の傾斜角で傾斜を持たせて配置するとともに、
前記2個を一組としたフラックスゲート素子の一方のフラックスゲート素子が水平面に対しプラス方向に傾斜し、他方のフラックスゲート素子が水平方向に対しマイナス方向に傾斜し、そのプラス方向の傾斜角とマイナス方向の傾斜角の絶対値を等しくして、一方のフラックスゲート素子と出力と他方のフラックスゲート素子と出力の和を用いてX軸又はY軸方向の磁界成分の強度を算出し、出力の差を用いて前記水平面に直交するZ軸方向の磁界成分の強度を算出する演算手段を備えたことを特徴とする磁気センサー素子。 In a magnetic sensor element that detects a magnetic field in three dimensions using a fluxgate element,
A magnetic sensor element substrate arranged on a horizontal plane, a control IC fixed on the substrate, a pedestal arranged in a rectangular parallelepiped on the substrate and having a columnar shape in one direction, and fixed to a vertical side surface of the pedestal. A fluxgate element,
For at least one of the X-axis and Y-axis arranged on the horizontal plane, two fluxgate elements are used as a set, and each fluxgate element is inclined at a tilt angle in the range of 1 ° to 45 ° in the plus and minus directions with respect to the horizontal plane. While arranging with an inclination,
One fluxgate element of the two fluxgate elements as a set is inclined in the plus direction with respect to the horizontal plane, and the other fluxgate element is inclined in the minus direction with respect to the horizontal direction. The absolute value of the inclination angle in the minus direction is made equal, and the intensity of the magnetic field component in the X-axis or Y-axis direction is calculated using the sum of one fluxgate element and output and the other fluxgate element and output, and the output A magnetic sensor element comprising a computing means for calculating the intensity of a magnetic field component in the Z-axis direction orthogonal to the horizontal plane using the difference .
The flux gate element as a set of the two is fixed to both side surfaces of the first pedestal, and the other flux gate element is fixed to a third pedestal arranged orthogonal to the first pedestal, The magnetic sensor according to claim 1, wherein a control IC is disposed inside an L-shape including the first pedestal and the third pedestal .
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