JP4813755B2 - 有機反射防止膜をプラズマエッチングする方法 - Google Patents

Description

発明の分野
本発明は、集積回路の製造において有機反射防止膜をプラズマエッチングするための改善された方法に関する。

発明の背景
集積回路の製造において共通して要求されるのは、誘電体材料にコンタクト及びビア等の開口部をエッチングすることである。この誘電体材料は、ＦＳＧ（fluorinated silicon oxide）、ＳｉＯ_２（silicon dioxide）等のアンドープシリコン酸化物（undoped silicon oxide）、ＢＰＳＧ（boron phosphate silicate glass）及びＰＳＧ（phosphate silicate glass）等のケイ酸塩ガラス（silicate glass）、ドープされた熱成長シリコン酸化物（thermally grown silicon oxide）及びドープされていない熱成長シリコン酸化物、ドープされたＴＥＯＳが堆積されたシリコン酸化物又はドープされていないＴＥＯＳが堆積されたシリコン酸化物等を含む。誘電体は、多結晶シリコン等の導電層又は半導体層、アルミニウム（aluminum）、銅（copper）、チタニウム（titanium）、タングステン（tungsten）、モリブデン（molybdenum）又はこれらの合金等の金属、窒化チタン（titanium nitride）等の窒化物、チタンシリサイド（titanium silicide）、コバルトシリサイド（cobalt silicide）、タングステンシリサイド（tungsten silicide）、モリデンシリサイド（molybdenum silicide）等の金属シリサイド（metal silicides）の上に重なって配置されうる。

シリコン酸化物に開口部をエッチングするための、様々なプラズマエッチング技術が、米国特許第５,０１３,３９８号；同５,０１３,４００号；同５,０２１,１２１号；同５,０２２,９５８号；同５,２６９,８７９号；同５,５２９,６５７号；同５,５９５,６２７号；同５,６１１,８８８号；及び同５,７８０,３３８号に開示されている。プラズマエッチングは、‘３９８特許に記載された平行平板プラズマ反応室チャンバ若しくは‘４００特許に記載された３極反応室（triode type reactors）等の中密度反応室（medium density reactors）又は‘６５７特許に記載された誘導結合反応室等の高密度反応室で実行されうる。米国特許第６,０９０,３０４号は、２周波プラズマ反応室で半導体基板をプラズマエッチングする方法を開示している。この２周波プラズマ反応室では、第１の高周波（ＲＦ）源がＲＦマッチング回路網（ＲＦ matching network）を通じて上部シャワーヘッド電極に結合され、下部電極（半導体ウエハがその上に支持される）が第２のマッチング回路網を通して結合される。

半導体ウエハの処理では、フォトレジストに開口部（例えば、コンタクトホール）のパターンを現像するために用いられる照射（radiation）の光の反射を最小限にする目的で、フォトレジストの下に有機性下部反射防止膜（ＢＡＲＣ；bottom antireflective coating）を提供することが一般的である。有機アーク（organic arc）をＢＡＲＣと称し、無機ＡＲＣを“誘電体”ＡＲＣ又はＤＡＲＣと称することが一般的である。また、フォトレジストパターンをＢＡＲＣに移すために、レジストに形成された開口部を通してＢＡＲＣをプラズマエッチングすることが一般的である。有機ＡＲＣ材料をプラズマエッチングするためのエッチングガス混合物は、米国特許第５,７７３,１９９号；同５,９１０,４５３号；同６,０３９,８８８号；同６,０８０,６７８号；及び同６,０９０,７２２号に開示されている。これらのうちで‘１９９特許はＣＨＦ_３＋ＣＦ_４＋Ｏ_２W＋Ａｒのガス混合物を開示し、‘４５３特許はＮ_２＋Ｈｅ＋Ｏ_２又はＮ_２＋Ｏ_２又はＮ_２＋Ｈｅのガス混合物を開示し、‘８８８特許はＯ_２＋ＣＯのガス混合物を開示し、‘６７８特許はＯ_２＋ＳＯ_２のガス混合物を開示し、‘７２２特許はＣ_２Ｆ_６＋Ａｒのガス混合物を開示する。

デバイスの形状寸法（device geometries）がますます小さくなるにつれて、クリティカルディメンジョン（ＣＤ；critical dimensions）を維持する一方で、有機反射防止膜（antireflective coatings）を通して開口部をプラズマエッチングすることを実現するために高いエッチング選択性（high etch selectivity）への要求がさらに大きくなってきている。したがって、高いエッチング選択性を提供し、及び／又は、このような層を所望の速度でエッチングする、プラズマエッチング技術に対する技術的な要求がある。

発明の要約
本発明は、下層に対して選択性を有する有機反射防止膜をエッチングする方法を提供するものであって、プラズマエッチング反応室で、下層の上に有機反射防止膜を有する半導体基板を支持する工程と、硫黄を含有するガスとキャリアガスとを含み、Ｏ_２を含まないエッチングガスにエネルギを与えてプラズマ状態にし、前記有機反射防止膜に開口部をエッチングする工程と、を含む。

好適な実施の形態によれば、前記開口部は、デュアルダマシンのビア、コンタクト及び／又はトレンチ、自己整合されたコンタクト構造又は自己整合されたトレンチ構造を含む。前記開口部は、ゲート電極のための導電体ラインのパターンを含んでもよい。前記有機反射防止膜は、パターニングされたフォトレジストの下層のポリマー膜であってもよい。前記エッチングガスは、該フォトレジスト中の開口部の側壁を皮膜で保護し（passivate）、エッチングガスがフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化することによって、該フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する。

前記プラズマエッチング反応室は、ＥＣＲプラズマ反応室、誘導結合プラズマ反応室、容量結合プラズマ反応室、ヘリコンプラズマ反応室又はマグネトロンプラズマ反応室を含みうる。好適なプラズマエッチング反応室は、ＲＦエネルギを誘電体ウインドを通してチャンバに結合させる平面アンテナを含む誘導結合プラズマ反応室である。

前記硫黄を含有するガスはＳＯ_２であるのが好ましく、前記キャリアガスはＨｅ又はＡｒであることが好ましい。前記エッチングガスは、更に、ＨＢｒを含んでもよい。エッチング工程中では、前記プラズマエッチングチャンバ内の圧力は最大で１００ｍＴｏｒｒ、及び／又は、前記基板支持体の温度は−２０℃〜＋８０℃であってもよい。一例として、前記硫黄を含有するガスは、５〜２００ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されるＳＯ_２ガスを含み、前記キャリアガスは、５〜１５０ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されるＨｅ又は／又はＡｒガスを含んでもよい。前記エッチングガスにＨＢｒが含まれる場合は、該ＨＢｒは、５〜１５０ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されてもよい。より望ましくは、ＳＯ_２、ＨＢｒ及びＨｅの流量は、ＳＯ_２が５〜２００ｓｃｃｍ、ＨＢｒが１０〜５０ｓｃｃｍ並びにＨｅが５０〜１５０ｓｃｃｍである。

前記エッチング工程は、続いて付加的なエッチング工程が行われてもよいし、金属で開口部を充填する工程がその後に行われてもよい。本発明の方法は、前記基板上に前記フォトレジスト層を形成する工程と、前記有機反射防止膜に導電体ラインの金属パターン、ビア開口部又はコンタクト開口部をエッチングする工程が後に続く、複数の前記開口部を形成するフォトレジスト層をパターニングする工程と、と、をも含むことができる。

発明の詳細な説明
本発明は、半導体製造プロセスを提供するものである。この半導体製造プロセスでは、上層（overlying）のフォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョン（ＣＤ；critical dimensions）を維持する一方で、薄い有機反射防止膜（ＢＡＲＣ）に開口部がプラズマエッチングされうる。有機反射防止膜は、約２００ｎｍ又はそれ以下の所望の厚さを有する炭化水素膜（hydrocarbon film）である。有機反射防止膜は、フォトリソグラフィプロセスで、より優れた制御を行うために用いられる。このフォトリソグラフィプロセスでは、ビア、コンタクト又はトレンチ等の開口部のパターンが、フォトレジストに形成される。従来、Ｏ_２を用いてＢＡＲＣをエッチングすることが一般的であった。しかしながら、Ｏ_２を用いてプラズマエッチングする間、分子酸素（molecular oxygen）が酸素原子（oxygen atoms）に解離（dissociate）する。この酸素原子（oxygen atoms）は、上層のフォトレジストを横方向にエッチングし、クリティカルディメンジョンを変化させる。本発明によれば、Ｏ_２を含まないが（Ｏ_２-free）硫黄を含有するエッチングガスを用いることによって、フォトレジストの横方向エッチングが最小化されうる。

ＢＡＲＣ中のＣＤの損失（ＣＤ loss）は、エッチングフィーチャ（etching features）が小さいライン幅（small line widths）を持つときには望ましくない。ＢＡＲＣ開口部をエッチングする間に、ＣＤを維持するフッ素（fluorine）を含有するガスを用いると、プラズマ中のフッ素による下層（underlying layer）の攻撃（attack）によって、プロファイルと均一性の問題が生じうる。本発明によれば、このような問題は、硫黄を含有するエッチングガスを用いることによって避けられうる。この硫黄を含有するエッチングガスは、アルゴン又はヘリウム等のキャリアガス（carrier gas）と混合したＳＯ_２を用いることが好適である。好適な実施の形態によれば、エッチングガスは、フッ素を含まない（F-free）が、ＨＢｒ等の他のハロゲンガスを含むものであってもよい。

プロセスは、エッチングガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして、ＢＡＲＣに開口部をエッチングすることによって実行される。ＢＡＲＣのエッチング中にＣＤの損失を最小限にするために、ＢＡＲＣにエッチングされた開口部の側壁と上層のフォトレジストとを保護膜で覆うのが望ましい。フッ素とＯ_２とを含有するエッチングガスは、上述したＣＤ、プロファイル及び均一性の問題の原因となりうるが、ＳＯ_２はエッチングガスとして様々な利点を与える。例えば、プラズマ内部でＳＯ_２を有害な酸素原子（harmful oxygen atoms）に解離させることは難しく、フォトレジストを攻撃する（attack）ことができる自由酸素原子（free oxygen atoms）が少ないため、ＣＤの損失が最小化されうる。更に、ＳＯ_２は、保護膜をその上に形成することによって、フォトレジストの開口部の側壁を保護するために用いられうる。均一性及びプロファイルの改善が具現されうるが、これはＢＡＲＣエッチングは下層の誘電体、導電体、半導体層に対して選択性（selectivity）を持つイオンアシストエッチング（ion assisted etch）であるからである。選択性を得ることができるのは、ＳＯ_２がエッチングされるＢＡＲＣの表面に吸収され、照射イオンによってＳＯ_２からＯ_２が放出されるからである。放出されたＯ_２は、開口部の下側でＢＡＲＣの炭素と水素の構成要素（components）を攻撃し、下層の誘電体層に達すると、フッ素を含有するエッチングガスが用いられる場合よりも遅い速度で下層がエッチングされる。

本願の譲受人（assignee）であるラムリサーチコーポレーション（Lam Research Corporation）から入手可能なＴＣＰ（登録商標）誘導結合高密度プラズマエッチング反応室（TCP^TM inductively coupled high density plasma etch reactor）内で試験を行った。反応室は、ＲＦエネルギを誘電ウインド（dielectric window）を通して反応室に誘導結合させる平面アンテナを含み、ＲＦバイアスを基板に与えることができる下部電極上に、エッチングされる半導体基板が支持される。以下の表では、Ｐは反応室内の真空圧力をｍＴｏｒｒで示したもの、ＴＣＰ（登録商標）はアンテナに与えられるパワーをワットで示したもの、ＢＰは下部電極に与えられるパワーを示してたものであり、ガス流量はｓｃｃｍの単位でリストにされ、Ｄ−ＣＤはナノメートル単位で密集したライン（dense lines）のＣＤバイアスであり、Ｉ−ＣＤはナノメートル単位で分離されたライン（isolated lines）のＣＤバイアスである。

上記の試験結果は、Ｏ_２を含有するプラズマエッチングガス（Ｒｕｎ番号１及び２）が、最も高いＣＤの損失であり、Ｏ_２を含まないがＳＯ_２をＨＢｒと混合したときの量がより多いエッチングガス（Ｒｕｎ番号３）が、より高いＣＤの損失であったこと示す。ＨＢｒを含有するエッチングガス（Ｒｕｎ番号４及び５）に対して、ＳＯ_２流量を減少させた場合は、許容できるＣＤ損失であった。Ｏ_２もＨＢｒも含まないガス（Ｒｕｎ番号６〜１２）は、ＳＯ_２流量が１００ｓｃｃｍより低いときに、わずかであるがより良いＣＤの損失値が得られた。アルゴン（Ｒｕｎ番号１０）を用いた場合は、キャリアガスがヘリウム（Ｒｕｎ番号６−９、１１及び１２）である場合と比較して、同様のＣＤの損失結果が得られた。これらの結果は、下部電極によって与えられるＲＦバイアスを増加させることによって、ＣＤの損失が減少されうることをも示している。

表２は、前述したＴＣＰ（登録商標）エッチングチャンバを用いたときの、ＢＡＲＣエッチング速度（Å／分の単位でのＥＲ）を示す。このエッチングチャンバでは、チャンバ圧力は５ｍＴｏｒｒであり、ＴＣＰ（登録商標）パワー（ワット）、下部パワー（ワット）、Ｈｅ又はＡｒ流量（ｓｃｃｍ）、ＳＯ_２流量（ｓｃｃｍ）及びＨＢｒ流量（ｓｃｃｍ）を表２に示した。ＢＡＲＣは薄いので（２００ｎｍより薄い）、Ａｒ及び／又はＨｅ等のキャリアガスは、ＢＡＲＣの望ましいエッチング速度を実現するのに効果的な量だけ与えられる。

表２で示される結果は、許容できるＢＡＲＣエッチング速度は、ＳＯ_２及びＡｒ又はＨｅ等のキャリアガスだけを用いた場合に実現されうる。Ｈｅを増加させると（Ｒｕｎ番号１４）、より低い流量のＡｒ及びＨｅが用いられたときに比べて、ＢＡＲＣエッチング速度が若干落ちる。

Ｏ_２を用いてプラズマエッチングしたときをＳＯ_２と比較してパフォーマンス（performance）の違いを調べるために行った試験では、ＢＡＲＣ開口部の中に酸素原子からの発光（optical emission）が観察された。酸素プラズマ中の酸素原子からの発光（７７７．４ｎｍ及び８４４ｎｍ波長）は、ＳＯ_２プラズマよりも極めて強いことが分かった。酸素原子はフォトレジストとＢＡＲＣを等方的に（isotropically）エッチングするため、Ｏ_２を用いたプラズマエッチングはＣＤの損失につながる。

本発明の一実施形態に係る集積回路におけるフィーチャをエッチングする場合では、ＢＡＲＣは、窒化シリコン又は酸化シリコン、ＳｉＬＫ、ＢＰＳＧ、ＯＳＧ及び低誘電率材料（low-k materials）等の誘電体層の上に配置される。このような構造を製造する間には、コンタクト、ビア、導電ライン等のフィーチャは、集積回路の製造中に酸化物層等の誘電体材料にエッチングされる。本発明は、従来のエッチング技術が抱える問題点を解決するものである。このようなエッチング技術では、ＢＡＲＣエッチングが、ＢＡＲＣエッチング後に誘電体層をエッチングする間に、ＣＤの損失、均一性の欠如及びプロファイルの劣化（loss of profile）をまねく。

本発明の第１の側面によれば、ＢＡＲＣエッチングは、シングルダマシン又はデュアルダマシンエッチングプロセスに組み込まれうる。これらのシングルダマシン又はデュアルダマシンエッチングプロセスでは、ドープされた酸化膜及びドープされていない酸化膜（ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＴＥＯＳ）が０．２５μｍ又はそれ以下の形状寸法（geometry）から、少なくとも１．８μｍのエッチング深さ（etch depth）までエッチングされる。これらのプロセスは、小さな若しくは逆のＲＩＥエッチング遅れ（a low or reversed ＲＩＥ lag）を提供し、多層の誘電体エッチングへの応用（applications）を可能にし、デュアルダマシンデバイスの製造を可能にする。

図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明に従って、ビアファースト・デュアルダマシン構造（via-first dual-damascene structure）がどのようにエッチングされうるかを示す図である。図１（ａ）は、プリエッチング（pre etch）状態を示す図であり、ビアに対応する開口部１０がフォトレジストマスク層１２に設けられる。このフォトレジストマスク層１２は、ＢＡＲＣ１３、シリコン酸化物等の第１の誘電体層１４、窒化シリコン等の第１の停止層１６、シリコン酸化物等の第２の誘電体層１８、窒化シリコン等の第２の停止層２０、シリコンウエハ等の基板２２のスタック（stack）の上に位置する。図１（ｂ）は、エッチング後の構造を示す図であり、ここでは開口部１０が、誘電体層１４、１８及び第１の停止層１６を通って第２の停止層２０まで延びる。図１（ｃ）は、トレンチ２４のためのマスク層を再びパターニングした後の構造を示す図である。図１（ｄ）は、エッチング後の構造を示す図であり、ここでは第１の誘電体層１４が第１の停止層１６まで下方にエッチングされる。

図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明に従って、トレンチファースト・デュアルダマシン構造（trench-first dual-damascene structure）がどのようにエッチングされうるかを示す図である。図２（ａ）は、プリエッチング（pre etch）状態を示す図であり、トレンチに対応する開口部３０がフォトレジストマスク層３２に設けられる。このフォトレジストマスク層３２は、ＢＡＲＣ３３、シリコン酸化物等の第１の誘電体層３４、窒化シリコン等の第１の停止層３６、シリコン酸化物等の第２の誘電体層３８、窒化シリコン等の第２の停止層４０及びシリコンウエハ等の基板４２の積み重ね（stack）の上に位置する。図２（ｂ）は、エッチング後の構造を示す図であり、ここでは開口部３０が誘電体層３４を通って第１の停止層３６まで延びる。図２（ｃ）は、ビア４４のためのマスク層を再びパターニングした後の構造を示す図である。図２（ｄ）は、エッチング後の構造を示す図であり、ここでは第２の誘電体層３８が第２の停止層４０まで下方にエッチングされる。

図３Ａ、Ｂは、本発明に従って、１つの工程で、デュアルダマシン構造（dual-damascene structure）がどのようにエッチングされうるかを示す図である。図３Ａは、プリエッチング（pre etch）状態を示す図であり、トレンチに対応する開口部５０がフォトレジストマスク層５２に設けられる。このフォトレジストマスク層５２は、ＢＡＲＣ５３、シリコン酸化物等の第１の誘電体層５４、窒化シリコン等の第１の停止層５６、シリコン酸化物等の第２の誘電体層５８、窒化シリコン等の第２の停止層６０及びシリコンウエハ等の基板６２のスタック（stack）の上に位置する。１回のエッチング工程で第１の停止層５６を通ってビアをエッチングするために、第１の停止層５６は、開口部６４を含む。図２（ｂ）は、エッチング後の構造を示す図であり、ここでは開口部５０が誘電体層５４を通って第１の停止層５６まで延びて、開口部６４が第２の誘電体層５８を通って第２の停止層６０まで延びる。このような構成は、“自己整合デュアルダマシン”構造と呼ばれることがある。

本発明のプロセスは、ＦＳＧ（fluorinated silicon oxide）等のドープされたシリコン酸化物、ＢＰＳＧ（boron phosphate silicate glass）及びＰＳＧ（phosphate silicate glass）等のケイ酸塩ガラス（silicate glass）、ポリイミド（polyimide）等の有機ポリマー材料、有機シロキサンポリマー（organic siloxane polymer）、ポリアリーレンエーテル（poly-arylene ether）、炭素がドープされたケイ酸塩ガラス（carbon-doped silicate glass）、シルセスオキサンガラス（silsesquioxane glass）、フッ素化された又はフッ素化されていないケイ酸塩ガラス（silicate glass）、ダイヤモンドライク・アモルファスカーボン（diamond-like amorphous carbon）、ＳｉＬＫ（Dow Chemical社から入手可能な製品）等の芳香族炭化水素ポリマー（aromatic hydrocarbon polymer）、ＣＯＲＡＬ（Novellus Systemsから入手可能な製品）等の炭素がドープされた石英ガラス（silica glass）又は４．０以下、好適には３．０以下の誘電率を持つ他の適当な誘電材料を含む、様々な低誘電率層を覆うＢＡＲＣ層のエッチングに適用できる。低誘電率の誘電体（low-k dielectric）は、バリア層（barrier layer）等の中間層（intermediate layer）、多結晶シリコン等の導電層又は半導体層、アルミニウム（aluminum）、銅（copper）、チタニウム（titanium）、タングステン（tungsten）、モリブデン（molybdenum）又はこれらの合金等の金属、窒化チタン（titanium nitride）等の窒化物、チタンシリサイド（titanium silicide）、コバルトシリサイド（cobalt silicide）、タングステンシリサイド（tungsten silicide）、モリデンシリサイド（molybdenum silicide）等の金属シリサイド（metal silicides）の上に重なって配置されうる。

他の実施形態では、ＢＡＲＣは、多結晶シリコン等の導電層又は半導体層、アルミニウム（aluminum）、銅（copper）、チタニウム（titanium）、タングステン（tungsten）、モリブデン（molybdenum）又はこれらの合金等の金属、窒化チタン（titanium nitride）等の窒化物、チタンシリサイド（titanium silicide）、コバルトシリサイド（cobalt silicide）、タングステンシリサイド（tungsten silicide）、モリデンシリサイド（molybdenum silicide）等の金属シリサイド（metal silicides）の上に重なって配置されうる。例えば、下層は、ゲート電極の一部を形成しうる。一例として、ＢＡＲＣは、１０００〜３０００Åの厚さを持つ導電性のポリシリコン層の上に形成されうる。このポリシリコン層は、５０Å以下の厚さを持つＳｉＯ_２（silicon dioxide）等のゲート酸化物の上に配置され、ゲート酸化物はシリコン基板の上に配置される。ゲート電極のパターンを形成する場合には、フォトレジストがパターニングされ、本発明のプロセスに従ってＢＡＲＣがプラズマエッチングされる。これによって、所望の導電体パターン（conductor pattern）がポリシリコン層の上に残るまでＢＡＲＣの一部が取り除かれる。その後、ポリシリコンの一部がエッチングされてシリコン基板上に所望の導電体パターンを形成する。必要に応じて、シリサイド層（silicide layer）（例えば、タングステンシリサイド（tungsten silicide））等の付加的な導電体層がポリシリコン上に設けられ、本発明のプロセスはシリサイド層の上に開いた、ＢＡＲＣ中の導電体ラインパターンをエッチングするために用いられうる。

本発明の更に他の実施形態によれば、ＢＡＲＣは、アルミニウム、銅又はこれらの合金等の金属導電体層の上に設けられうる。導電体ライン等のパターンを金属層に移す場合には、ＢＡＲＣの上層のフォトレジストが開口部の所望の導電体パターンを備えて、ＢＡＲＣは、金属層上に開口部のパターンが開くまで、ＢＡＲＣ中の開口部のパターンをエッチングする発明に従ってエッチングされうる。

プラズマは、様々なタイプのプラズマ反応室で生成されうる。このようなプラズマ反応室は、典型的には、中密度を高密度プラズマにするための、ＲＦエネルギ、マイクロ波エネルギ、磁界等のエネルギ源を有する。例えば、ラムリサーチコーポレーション（Lam Research Corporation）から入手可能な、誘導結合プラズマ反応室、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ反応室、ヘリコンプラズマ反応室などとも呼ばれる変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ（登録商標））で作られた高密度プラズマが生成されうる。高密度プラズマを提供する高流速（high flow）プラズマ反応室の例は、本願と同じ出願人による米国特許第5,820,723号に開示されており、この開示は本願に参照によって組み込まれる。本願と同じ出願人による米国特許第６,０９０,３０４号に開示された２周波プラズマエッチング反応室等の平行平板エッチング反応室でもプラズマが生成されることができ、この開示は本願に参照によって組み込まれる。

本発明のプロセスは、図４に示す反応室１００等の誘導結合プラズマ反応室で行われうる。反応室１００は、その反応室の下方の壁の中のアウトレット（outlet）１０４に接続された真空ポンプによって所望の真空圧力が維持された内部１０２を含む。誘電体ウインド１１０の下側の周りに延びるプレナム（plenum）１０８にガス供給部１０６からガスを供給するシャワーヘッド装置（showerhead arrangement）にエッチングガスが供給されうる。反応室の上部の誘電体ウインド１１０の外側に１つ又は複数の巻数を有する平板スパイラルコイル（planar spiral coil）等の外部ＲＦアンテナ１１４に、ＲＦ源１１２からのＲＦエネルギを供給することによって、高密度プラズマが反応室内に生成されうる。プラズマ生成源は、反応室の上端の上に真空気密で（in a vacuum tight manner）取り外し可能に実装された、モジュラー実装機構（modular mounting arrangement）一部であってもよい。

ウエハ等の半導体基板１１６は、基板支持体／支持アームアセンブリ全体が反応室の側壁の開口部を通してアセンブリを通すことによって反応室から取り除くことができるように、反応室の側壁からモジュラー実装機構によって取り外し可能に指示されたカンチレバーの方法で（in a cantilever fashion）実装された支持アームの一端にある。基板支持体１１８は、静電チャック１２０等のチャッキング装置（chucking apparatus）を含み、基板は誘電体フォーカスリング１２２によって取り囲まれうる。チャックは、エッチング処理中に基板にＲＦバイアスを加えるためのＲＦバイアス電極（ＲＦ biasing electrode）を含むことができる。ガス供給部１０６によって供給されるエッチングガスは、チャネルを通って、ウインド１１０と下層のガス供給プレート（gas distribution plate）１２４との間を流れて、プレート１２４内のガスアウトレットを通って内部１０２に入る。反応室は、プレート１２４から円錐状に延びている円筒型又は円錐型のライナー１２６も含むことができる。

本発明のプロセスは、図５に示す反応室２００等の平行平板プラズマ反応室においても実行されうる。反応室２００は、その反応室の壁の中のアウトレット２０４に接続された真空ポンプによって所望の真空圧力に維持された内部２０２を含む。エッチングガスは、ガス供給部２０６からガスを供給することによってシャワーヘッド電極に供給されうる。ＲＦエネルギをＲＦ源２１２からシャワーヘッド電極に供給することによって反応室内に中密度プラズマが生成されて、２つの異なる周波数でＲＦエネルギが下部電極に供給されうる。他の容量結合エッチング反応室（capacitively coupled etch reactors）は、シャワーヘッド若しくは上部電極にだけ又は下部電極にだけ供給されるＲＦ電力を有する等のようにして用いられうる。

一実施形態では、本発明は、半導体基板上の誘電体層、導電層又は半導体層に、導電体ライン、ビア及び自己整合コンタクト（ＳＡＣ）を含むコンタクト等の０．３μｍかそれ以下の高アスペクト比を持つフィーチャをエッチングする前に、ＢＡＲＣ層をプラズマエッチングするためのプロセスを提供するものである。本プロセスでは、硫黄を含有するガスとキャリアガス（例えば、アルゴン）とを含んだ、Ｏ_２を含まないガスの混合物が、プラズマエッチング反応室内でエネルギを与えられてプラズマ状態になる。エッチングプロセス中は、エネルギを与えられたキャリアガスと、ＢＡＲＣに吸収されたＳＯ_２と、キャリアガスの照射イオンによって吸収されたＳＯ_２から放出されたＯ_２によってエッチングされるＢＡＲＣの中のＨ及びＣのと、を混合したものによってエッチングされる。

本発明によれば、エッチングガス成分（etching gas chemistry）のエッチング速度の選択性を制御するのに効果的な量でＳＯ_２が加えられる。すなわち、ＳＯ_２を含有するエッチングガスを用いると、ＳＯ_２は上層のフォトレジストを等方的に攻撃することなくＢＡＲＣをエッチングする。エッチングガス混合物は、不活性キャリアガスとＨＢｒ等の随意的な他のガスとを含むのが望ましい。アルゴンは、特に、ＢＡＲＣを攻撃するときにＳＯ_２を助ける有用な内部キャリアガスである。Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ及び／又はＸｅ等の他の不活性ガスが不活性キャリアガスとして用いられうる。プラズマエッチング反応室内で低い圧力を維持するためには、反応室に導入されるキャリアガスの量は低流量であってもよい。例えば、中密度から高密度プラズマの反応室に対しては、アルゴンが２５〜３００ｓｃｃｍの量で反応室に供給されうる。

等方性エッチングを提供するためには、基板支持体によって半導体基板にＲＦバイアスを供給するのが効果的である。例えば、基板支持体中のＲＦバイアス電極は、５０〜１０００ワットのオーダーで電力が供給されて、６、８又は１２インチウエハでさえ適切にＲＦバイアスをかける。

反応室圧力は、反応室内でプラズマを維持するために適したレベルで維持されるのが望ましい。一般的には、反応室圧力が低すぎるとプラズマの消滅につながるが、高密度エッチング反応室において反応室圧力が高すぎるとエッチング停止（etch stop）の問題につながりうる。高密度プラズマ反応室に対しては、反応室は３０ｍＴｏｒｒ以下の圧力であるのが望ましく、１０ｍＴｏｒｒ以下であるのが更に望ましい。中密度プラズマ反応室に対しては、反応室は３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力であるのが望ましく、８０ｍＴｏｒｒ以上であるのが更に望ましい。半導体基板で行われているエッチングでのプラズマ閉じ込め（plasma confinement）のために、基板表面での真空圧力は反応室に対して定められる真空圧力よりも高くなるであろう。

エッチング中に半導体基板を支持する基板支持体は、基板上の任意のフォトレジストが燃えることを防ぐのに十分に（例えば、基板を１４０℃以下に保つ）基板を冷却するのが望ましい。高密度及び中密度プラズマ反応室では、基板支持体を−２０℃から＋８０℃に冷却すれあ十分である。基板支持体は、その処理中に基板にＲＦバイアスを供給するための下部電極と基板をクランピングするためのＥＳＣとを含むことができる。例えば、基板は、シリコンウエハを含む。このシリコンウエハは、静電的にクランプされ、ウエハとＥＳＣの上面との間に所望の圧力でヘリウムを供給することによって冷却される。ウエハを、例えば、０〜１００℃の所望の温度に保つために、Ｈｅは、ウエハとチャックとの間の空間に２〜３０Ｔｏｒｒの圧力に保たれうる。

半導体ウエハの処理中では、以下の工程のうちの１つ又は複数の工程を実行することが望ましいであろう。すなわち、薄いフォトレジストを用いている間にクリティカルディメンジョン（ＣＤ）を維持して任意の酸化物を取り除くのが望ましいＢＡＲＣエッチング、１０００ÅのＳｉＬＫを残すのが望ましいＳｉＬＫビアエッチング、酸化物層に対して選択性を有する窒化物に開口部がエッチングされるスルーマスクエッチング（Through Mask Etch）（窒化物）、平滑なフロント（smooth front）と極小のファセット（minimal faceting）を持つＣＤを維持するのが望ましい第２のＳｉＬＫエッチングと、エッチングが酸化物、ＳｉＬＫ及び銅に対して選択性を有する窒化物完成エッチング（Nitride Finish Etch）である。

前述のものは、本発明に係る原理、好適な実施の形態及び動作モードを示したものである。しかしながら、本発明は、前述した特定の実施の形態に限定するように解釈すべきではない。したがって、上述の実施形態は、限定的ではなく例示的なものであると考えるべきであり、特許請求の範囲に定義されるように、本発明の範囲を逸脱しない限り、当業者によって変形なされうると認識すべきである。

図１(ａ)〜（ｄ）は、本発明のプロセスに従ってエッチングされうる、ビアファースト・デュアルダマシン構造を示す図である。図１(ａ)は、プリエッチング状態を示し、図１(ｂ)は、ビアがエッチングされたポストエッチング（post etch）状態を示す図であり、図１(ｃ)は、トレンチのためにマスク層を再びパターニングした構造を示す図であり、図１(ｄ)は、トレンチがエッチングされたポストエッチング状態を示す図である。 図２(ａ)〜(ｄ)は、本発明のプロセスに従ってエッチングされうる、トレンチファースト・デュアルダマシン構造を示す図である。図２(ａ)は、プリエッチング状態を示し、図２(ｂ)は、トレンチがエッチングされたポストエッチング状態を示す図であり、図２(ｃ)は、ビアエッチングのためにパターニングされた構造を示す図であり、図２(ｄ)は、ビアがエッチングされたポストエッチング状態を示す図である。 、 図３Ａ、Ｂは、本発明のプロセスに従ってエッチングされうる、自己整合されたデュアルダマシン構造を示す図である。図３Ａは、プリエッチング状態を示す図であり、図３Ｂは、トレンチとビアとがエッチングされたポストエッチングの状態を示す図である。 本発明のプロセスを実行するために用いられることができる誘導結合高密度プラズマ反応室を示す図である。 本発明のプロセスを実行するために用いられることができる中密度平行平板プラズマ反応室を示す図である。

Claims (17)

1. 下層に対して選択性を有する有機反射防止膜をエッチングする方法であって、
   プラズマエッチング反応室内で、下層の上に有機反射防止膜を有する半導体基板を支持する工程と、
   ＳＯ_２とＨＢｒとキャリアガスとを含みＯ_２ 分子を含まないエッチングガスに、エネルギを与えてプラズマ状態にし、前記有機反射防止膜に開口部をエッチングする工程と、
   を含み、
   前記有機反射防止膜は、その上にパターニングされたフォトレジストを有するポリマー膜であり、前記エッチングガスは、前記フォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化して前記フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持することを特徴とする方法。
2. 前記開口部には、デュアルダマシンのビア、コンタクト及びトレンチの少なくとも１つ又は自己整合されたコンタクト若しくは自己整合されたトレンチ構造が形成されるか、又は、前記開口部には、ゲート電極の導電体ラインが形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記プラズマエッチング反応室は、ＥＣＲプラズマ反応室、誘導結合プラズマ反応室、容量結合プラズマ反応室、ヘリコンプラズマ反応室又はマグネトロンプラズマ反応室を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記プラズマエッチング反応室は高密度誘導結合プラズマ反応室を含み、該高密度誘導結合プラズマ反応室では、平面アンテナが誘電体部材を通して該反応室にＲＦエネルギを誘導結合することを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記キャリアガスはＨｅ又はＡｒであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記プラズマエッチング反応室内の圧力は５０ｍＴｏｒｒ以下であり、かつ、前記基板を支持する基板支持体の温度は−２０℃〜＋８０℃であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記プラズマエッチング反応室は、アンテナとパワーが与えられる下部電極とを有する誘導結合プラズマ反応室であり、該アンテナは２００〜１０００ワットのＲＦエネルギが供給され、該下部電極は５０〜２００ワットのＲＦエネルギが供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記ＳＯ_２は、５〜２００ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記キャリアガスは、５〜１５０ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されるＨｅ又はＡｒガスを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 前記エッチングガスは、０〜１５０ｓｃｃｍの流量で前記プラズマエッチング反応室に供給されるＨＢｒを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. ＳＯ_２、ＨＢｒ及びＨｅの前記流量は、ＳＯ_２が５〜２００ｓｃｃｍ、ＨＢｒが１０〜５０ｓｃｃｍ並びにＨｅが５０〜１５０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記有機反射防止膜中の前記開口部は、ドープされた多結晶若しくは単結晶シリコン及びドープされていない多結晶若しくは単結晶シリコン、アルミニウム若しくはその合金、銅若しくはその合金、チタニウム若しくはその合金、タングステン若しくはその合金、モリブデン若しくはその合金、窒化チタン、チタンシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、並びにモリブデンシリサイドで構成されるグループから選択される導電層若しくは半導体層の上に開いていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
13. 前記開口部は、０．２５ミクロン又はそれより小さいサイズの開口部であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
14. 前記キャリアガスは、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ又はこれらの混合物で構成されるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
15. 前記エッチング工程の間に、前記半導体基板にＲＦバイアスを加える工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
16. 前記エッチング工程の後に、前記開口部に金属を充填する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
17. 前記エッチング工程は、ダマシン構造を製造する工程の一部として実行され、
    該方法は、
    前記有機反射防止膜の上層にマスク層としてフォトレジスト層を形成する工程と、
    前記フォトレジスト層をパターニングしてビア又はコンタクトの位置に対応する複数の開口部を形成する工程と、
    前記下層をエッチングして前記開口部の下に延びるビア又はコンタクトを形成する工程と、
    を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。

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