JP4815250B2

JP4815250B2 - Operation method of hydrogen purifier

Info

Publication number: JP4815250B2
Application number: JP2006091874A
Authority: JP
Inventors: 豊和田中; 幸男平中
Original assignee: Osaka Gas Co Ltd
Current assignee: Osaka Gas Co Ltd
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2011-11-16
Anticipated expiration: 2026-03-29
Also published as: JP2007261909A

Description

本発明は、複数の吸着塔において吸着、均圧、減圧、洗浄、昇圧の各工程を繰り返しながら、水素リッチガスから水素ガスを精製し、前記洗浄工程において洗浄用水素ガスを使用して洗浄する圧力スイング吸着法による水素精製装置の運転方法に関する。 The present invention purifies hydrogen gas from a hydrogen-rich gas while repeating the steps of adsorption, pressure equalization, pressure reduction, washing, and pressure raising in a plurality of adsorption towers, and pressure for washing using the washing hydrogen gas in the washing step The present invention relates to a method for operating a hydrogen purifier using a swing adsorption method.

このような水素精製装置では、吸着塔内の吸着剤が、水素リッチガスから不純物を吸着除去して高純度の水素ガスに精製するのであるが、吸着剤の吸着性能は温度により変化し、そのため、雰囲気温度の変化が水素ガスの純度と水素ガスの回収率に悪影響を及ぼすことが知られている。
このような問題を解消する方法として、従来、雰囲気温度による影響が大きな昇圧工程に着目し、昇圧工程において昇圧用ガスの流量を制御する流量制御法が知られている。しかし、この流量制御法では、水素ガスの回収率が未だ安定せず、特に雰囲気温度が高い場合には、水素ガスの純度が低下するという問題がある。 In such a hydrogen refining device, the adsorbent in the adsorption tower adsorbs and removes impurities from the hydrogen-rich gas and purifies it into high-purity hydrogen gas. However, the adsorption performance of the adsorbent varies depending on the temperature. It is known that changes in ambient temperature adversely affect the purity of hydrogen gas and the recovery rate of hydrogen gas.
As a method for solving such a problem, conventionally, a flow rate control method for controlling the flow rate of the boosting gas in the boosting step has been known, paying attention to the boosting step that is largely influenced by the ambient temperature. However, this flow rate control method has a problem that the hydrogen gas recovery rate is not yet stable, and the purity of the hydrogen gas is lowered particularly when the ambient temperature is high.

そこで、従来、吸着工程において精製される水素ガスの温度を検知し、その検知温度に基づいて、検知温度が高い場合には工程のサイクル時間を短くし、検知温度が低い場合には工程のサイクル時間を長くして、水素ガスの純度と回収率を安定化する運転方法が提案された（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, conventionally, the temperature of hydrogen gas to be purified in the adsorption process is detected, and based on the detected temperature, the cycle time of the process is shortened when the detected temperature is high, and the process cycle when the detected temperature is low. An operation method that stabilizes the purity and recovery rate of hydrogen gas by prolonging the time has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開２００２−３５５５１９号公報JP 2002-355519 A

本発明は、上述した各従来技術とは異なる観点、具体的には、洗浄工程に着目したもので、その目的は、雰囲気温度の変化に伴う水素ガスの純度と回収率の低下を抑制し、雰囲気温度の変化にかかわらず、常に高純度の水素ガスを高い回収率で精製することのできる水素精製装置の運転方法を提供することにある。 The present invention focuses on a viewpoint different from each of the above-described conventional techniques, specifically, a cleaning process, and its purpose is to suppress a decrease in the purity and recovery rate of hydrogen gas accompanying a change in ambient temperature, An object of the present invention is to provide a method for operating a hydrogen purifier capable of always purifying high-purity hydrogen gas at a high recovery rate regardless of changes in ambient temperature.

本発明の第１の特徴構成は、複数の吸着塔において吸着、均圧、減圧、洗浄、昇圧の各工程を繰り返しながら、水素リッチガスから水素ガスを精製し、前記洗浄工程において洗浄用水素ガスを使用して洗浄する圧力スイング吸着法による水素精製装置の運転方法であって、前記吸着塔の外部の雰囲気温度を検知し、その検知した雰囲気温度に基づいて前記洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量を制御するところにある。 The first characteristic configuration of the present invention is to purify hydrogen gas from a hydrogen-rich gas while repeating the steps of adsorption, pressure equalization, decompression, washing, and pressure raising in a plurality of adsorption towers, A method for operating a hydrogen purifier using a pressure swing adsorption method to be used for cleaning, detecting an ambient temperature outside the adsorption tower, and using the cleaning hydrogen gas used in the cleaning step based on the detected ambient temperature It is in place to control the flow rate of

本発明の第１の特徴構成によれば、吸着塔の外部の雰囲気温度を検知し、その検知した雰囲気温度に基づいて洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量を制御する。
具体的には、吸着塔の外部の雰囲気温度が高い場合、吸着剤の吸着性能が低下するとともに、吸着した不純物の脱離も良好に行われず、その状態で水素ガスの精製を続行すると、水素ガスの純度が低下する。
本発明では、雰囲気温度が高い場合、洗浄用水素ガスの流量を増加させるように制御するので、不純物の洗浄が所望どおりに行われ、その結果、水素ガスの純度の低下を抑制することができる。
逆に、雰囲気温度が低い場合には、洗浄用水素ガスの流量を低減させるように制御するので、水素ガスを高純度に維持しながら、洗浄用に使用する水素ガスの低減によって水素ガスの回収率の低下を抑制することができる。 According to the first characteristic configuration of the present invention, the ambient temperature outside the adsorption tower is detected, and the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning process is controlled based on the detected ambient temperature.
Specifically, when the ambient temperature outside the adsorption tower is high, the adsorption performance of the adsorbent decreases, and the adsorbed impurities are not desorbed well. The purity of the gas decreases.
In the present invention, when the ambient temperature is high, control is performed so as to increase the flow rate of the cleaning hydrogen gas, so that impurities are cleaned as desired, and as a result, a decrease in the purity of the hydrogen gas can be suppressed. .
Conversely, when the ambient temperature is low, control is performed to reduce the flow rate of the cleaning hydrogen gas, so that the hydrogen gas is recovered by reducing the hydrogen gas used for cleaning while maintaining high purity of the hydrogen gas. A decrease in rate can be suppressed.

本発明の第２の特徴構成は、前記水素リッチガスの温度を検知し、その検知した水素リッチガス温度を加味して前記洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量を制御するところにある。 A second characteristic configuration of the present invention is that the temperature of the hydrogen rich gas is detected, and the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning step is controlled in consideration of the detected hydrogen rich gas temperature.

本発明の第２の特徴構成によれば、水素精製装置に供給される水素リッチガスの温度を検知し、その検知した水素リッチガス温度を加味して、具体的には、水素リッチガス温度が高い場合には、洗浄用水素ガスの流量を増加させるように、水素リッチガス温度が低い場合には、洗浄用水素ガスの流量を低減させるように制御するので、上述した雰囲気温度に加えて水素リッチガスの温度変化も加味した状態で、水素ガスの純度と回収率の低下を抑制することができる。 According to the second characteristic configuration of the present invention, when the temperature of the hydrogen rich gas supplied to the hydrogen purifier is detected and the detected hydrogen rich gas temperature is taken into account, specifically, when the hydrogen rich gas temperature is high. In order to increase the flow rate of the cleaning hydrogen gas, when the hydrogen rich gas temperature is low, the control is performed to reduce the flow rate of the cleaning hydrogen gas. In addition, it is possible to suppress a decrease in the purity and recovery rate of hydrogen gas in a state that also takes into account.

本発明の第３の特徴構成は、前記吸着工程において精製される水素ガスの温度を検知し、その検知した水素ガス温度を加味して前記洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量を制御するところにある。 The third characteristic configuration of the present invention detects the temperature of the hydrogen gas purified in the adsorption step, and controls the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning step in consideration of the detected hydrogen gas temperature. By the way.

本発明の第３の特徴構成によれば、吸着工程において精製される水素ガスの温度を検知し、その検知した水素ガス温度を加味して、具体的には、精製される水素ガス温度が高い場合には、洗浄用水素ガスの流量を増加させるように、水素ガス温度が低い場合には、洗浄用水素ガスの流量を低減させるように制御するので、上述した雰囲気温度に加えて、場合によっては、水素リッチガスの温度変化を加味した上で、精製される水素ガスの温度変化も加味した状態で、水素ガスの純度と回収率の低下を抑制することができる。 According to the third characteristic configuration of the present invention, the temperature of the hydrogen gas to be purified in the adsorption step is detected, and the detected hydrogen gas temperature is taken into account. Specifically, the purified hydrogen gas temperature is high. In some cases, the flow rate of the cleaning hydrogen gas is increased. When the hydrogen gas temperature is low, the flow rate of the cleaning hydrogen gas is controlled to be reduced. Can suppress the decrease in the purity and recovery rate of hydrogen gas in consideration of the temperature change of the hydrogen-rich gas and the temperature change of the purified hydrogen gas.

本発明による水素精製装置の運転方法について、その実施の形態を図面に基づいて説明する。
この水素精製装置は、吸着、均圧、減圧、洗浄、昇圧の各工程を繰り返しながら、水素リッチガスから高純度の水素ガスを精製する圧力スイング吸着法による水素精製装置で、図１に示すように、第１から第３までの３つの吸着塔１，２，３を備え、各吸着塔１，２，３は、水素リッチガス供給路４に対してそれぞれ供給用分岐路４ａ，４ｂ，４ｃを介して互いに並列に接続され、各供給用分岐路４ａ，４ｂ，４ｃには、それぞれ供給用電磁弁５ａ，５ｂ，５ｃが設けられている。
水素リッチガス供給路４からは、例えば、１３Ａなどの都市ガスを原料とし、昇圧した都市ガスから硫黄分をｐｐｂレベルにまで除去し、水蒸気改質用の触媒によって水素リッチガスに改質するとともに、変成用の触媒によって水素リッチガス中の一酸化炭素を二酸化炭素に変成し、さらに、余分な水分を除去した後の水素リッチガスが供給される。 An embodiment of a method for operating a hydrogen purifier according to the present invention will be described with reference to the drawings.
This hydrogen purifier is a hydrogen purifier using a pressure swing adsorption method that purifies high-purity hydrogen gas from hydrogen-rich gas while repeating the steps of adsorption, pressure equalization, pressure reduction, washing, and pressure increase, as shown in FIG. The first to third adsorption towers 1, 2, 3 are provided, and each of the adsorption towers 1, 2, 3 is connected to the hydrogen rich gas supply path 4 via supply branch paths 4 a, 4 b, 4 c, respectively. The supply branch valves 4a, 4b and 4c are provided with supply solenoid valves 5a, 5b and 5c, respectively.
From the hydrogen rich gas supply path 4, for example, a city gas such as 13A is used as a raw material, the sulfur content is removed from the boosted city gas to the ppb level, reformed to a hydrogen rich gas by a steam reforming catalyst, and transformed. The hydrogen-rich gas after the carbon monoxide in the hydrogen-rich gas is converted to carbon dioxide and the excess water is removed is supplied by the catalyst for use.

各吸着塔１，２，３には、加圧下において水素リッチガスから水、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、窒素などの不純物を吸着除去して高純度の水素ガスを精製する吸着剤が収容されている。それら吸着塔１，２，３は、水素ガス排出路６に対してそれぞれ排出用分岐路６ａ，６ｂ，６ｃを介して互いに並列に接続され、各排出用分岐路６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ排出用電磁弁７ａ，７ｂ，７ｃが設けられ、水素ガス排出路６には高純度の水素ガスを貯蔵する水素ガス貯蔵タンク８が接続されている。
さらに、それら吸着塔１，２，３は、均圧用分岐路９ａ，９ｂ，９ｃを介して均圧路９に互いに並列に接続され、各均圧用分岐路９ａ，９ｂ，９ｃにはそれぞれ均圧用電磁弁１０ａ，１０ｂ，１０ｃが設けられている。そして、均圧路９の端部は、第３吸着塔３における排出用分岐路６ｃとの接続箇所より下流側において水素ガス排出路６に接続され、その接続箇所より上流側の均圧路９には昇圧・洗浄用電磁弁１０ｄが設けられている。 Each adsorption tower 1, 2, 3 contains an adsorbent that adsorbs and removes impurities such as water, carbon dioxide, carbon monoxide, methane, and nitrogen from hydrogen-rich gas under pressure to purify high-purity hydrogen gas. ing. These adsorption towers 1, 2, and 3 are connected in parallel to the hydrogen gas discharge path 6 via discharge branch paths 6a, 6b, and 6c, respectively, and discharged to the discharge branch paths 6a, 6b, and 6c, respectively. Electromagnetic valves 7a, 7b and 7c are provided, and a hydrogen gas storage tank 8 for storing high-purity hydrogen gas is connected to the hydrogen gas discharge path 6.
Further, these adsorption towers 1, 2, and 3 are connected in parallel to the pressure equalizing passage 9 via pressure equalizing branches 9a, 9b, and 9c, and each of the pressure equalizing branches 9a, 9b, and 9c is for pressure equalization. Solenoid valves 10a, 10b, and 10c are provided. The end portion of the pressure equalizing passage 9 is connected to the hydrogen gas discharge passage 6 on the downstream side of the connection portion with the discharge branch passage 6c in the third adsorption tower 3, and the pressure equalizing passage 9 upstream of the connection portion. Is provided with a pressure increasing / cleaning electromagnetic valve 10d.

各吸着塔１，２，３の供給用分岐路４ａ，４ｂ，４ｃには、それぞれオフガス用分岐路１１ａ，１１ｂ，１１ｃが接続され、各オフガス用分岐路１１ａ，１１ｂ，１１ｃにそれぞれオフガス電磁弁１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられて、それらオフガス用分岐路１１ａ，１１ｂ，１１ｃがオフガス排出路１１に互いに並列に接続され、オフガス排出路１１にオフガスタンク１３が接続されている。
このような構成からなる水素精製装置は、その作動の全てが制御手段１４により自動制御され、後述する洗浄工程において使用される洗浄用水素ガスの流量が、吸着塔１，２，３の外部の雰囲気温度、水素リッチガスの温度、および、水素ガスの温度に基づいて制御されるように構成されている。そのため、吸着塔１，２，３の外部近傍に雰囲気温度検出センサＳ１が、水素リッチガス供給路４に水素リッチガス温度センサＳ２が、また、水素ガス排出路６に水素ガス温度センサＳ３が設けられ、各センサＳ１，Ｓ２，Ｓ３からの信号が制御手段１４に入力されるように構成されている。 Off-gas branch paths 11a, 11b, and 11c are connected to the supply branch paths 4a, 4b, and 4c of the adsorption towers 1, 2, and 3, respectively, and off-gas solenoid valves are connected to the off-gas branch paths 11a, 11b, and 11c, respectively. 12a, 12b, and 12c are provided, the off-gas branch paths 11a, 11b, and 11c are connected to the off-gas discharge path 11 in parallel, and the off-gas tank 13 is connected to the off-gas discharge path 11.
In the hydrogen purifier having such a configuration, all of its operations are automatically controlled by the control means 14, and the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning process described later is outside the adsorption towers 1, 2, 3. It is configured to be controlled based on the ambient temperature, the temperature of the hydrogen rich gas, and the temperature of the hydrogen gas. Therefore, an ambient temperature detection sensor S1 is provided in the vicinity of the outside of the adsorption towers 1, 2, and 3, a hydrogen rich gas temperature sensor S2 is provided in the hydrogen rich gas supply path 4, and a hydrogen gas temperature sensor S3 is provided in the hydrogen gas discharge path 6. Signals from the sensors S1, S2, S3 are configured to be input to the control means 14.

つぎに、この圧力スイング吸着法による水素精製装置の運転方法につき、図２の運転工程図と図３の運転説明図を参照しながら説明する。
水素リッチガス供給路４からの水素リッチガスは、第１〜第３の吸着塔１，２，３のいずれかに供給されて高純度の水素ガスに精製される。
例えば、第１吸着塔１において精製される場合であれば、図３の（イ）に示すように、供給用電磁弁５ａの開弁によって第１吸着塔１に水素リッチガスが供給され、加圧下においてその水素リッチガス中に含まれる水、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、窒素などの不純物を吸着剤に吸着させて高純度の水素ガスを精製する吸着工程を実行し、精製された高純度の水素ガスは、排出用電磁弁７ａの開弁に伴って排出用分岐路６ａと水素ガス排出路６を通って水素ガス貯蔵タンク８へ送られて貯蔵される。 Next, the operation method of the hydrogen purifier by this pressure swing adsorption method will be described with reference to the operation process diagram of FIG. 2 and the operation explanatory diagram of FIG.
The hydrogen-rich gas from the hydrogen-rich gas supply path 4 is supplied to one of the first to third adsorption towers 1, 2, and 3 and purified to high-purity hydrogen gas.
For example, in the case of purification in the first adsorption tower 1, as shown in FIG. 3 (a), the hydrogen-rich gas is supplied to the first adsorption tower 1 by opening the supply electromagnetic valve 5a, and the pressure is increased. In the hydrogen-rich gas, an adsorption process for purifying high-purity hydrogen gas by adsorbing impurities such as water, carbon dioxide, carbon monoxide, methane, nitrogen, etc. to the adsorbent is performed. The hydrogen gas is sent to the hydrogen gas storage tank 8 through the discharge branch path 6a and the hydrogen gas discharge path 6 in association with the opening of the discharge electromagnetic valve 7a and stored therein.

この第１吸着塔１における吸着工程実行の際、第２吸着塔２においては、均圧用電磁弁１０ｂ，１０ｃの開弁に伴って均圧工程が実行され、その後、均圧用電磁弁１０ｂ，１０ｃが閉弁されるとともに、排出用電磁弁７ｂが開弁されて、図３の（ロ）に示すように、第１吸着塔１からの高純度の水素ガスが供給されて昇圧工程が実行される。
第３吸着塔３においては、上述した均圧工程が終了した後、オフガス電磁弁１２ｃの開弁に伴って減圧工程が実行され、減圧下において吸着剤に吸着された不純物が脱離されて取り除かれ、その不純物を含むオフガスがオフガス用分岐路１１ｃとオフガス排出路１１を通ってオフガスタンク１３に貯蔵される。その後、図３の（ハ）に示すように、第１吸着塔１からの高純度の水素ガスが、洗浄用水素ガスとして第３吸着塔３に供給されて洗浄工程が実行され、減圧下において吸着剤に吸着された不純物を脱離させて水素ガスで洗浄し、その洗浄工程の実行により発生したオフガスもオフガスタンク１３に貯蔵される。 When performing the adsorption step in the first adsorption tower 1, the pressure equalization process is executed in the second adsorption tower 2 as the pressure equalizing solenoid valves 10b and 10c are opened, and then the pressure equalizing solenoid valves 10b and 10c. Is closed, the discharge solenoid valve 7b is opened, and as shown in FIG. 3B, the high-purity hydrogen gas from the first adsorption tower 1 is supplied and the pressure increasing step is executed. The
In the third adsorption tower 3, after the above-described pressure equalization step is completed, a pressure reduction step is executed as the off-gas solenoid valve 12 c is opened, and impurities adsorbed on the adsorbent are desorbed and removed under reduced pressure. The off gas containing the impurities is stored in the off gas tank 13 through the off gas branch path 11 c and the off gas discharge path 11. After that, as shown in FIG. 3C, high-purity hydrogen gas from the first adsorption tower 1 is supplied to the third adsorption tower 3 as cleaning hydrogen gas, and a washing process is performed. The impurities adsorbed by the adsorbent are desorbed and washed with hydrogen gas, and the offgas generated by the execution of the washing process is also stored in the offgas tank 13.

その後、第１吸着塔１においては、均圧工程、減圧工程、洗浄工程が実行され、減圧工程と洗浄工程時に発生したオフガスがオフガスタンク１３に貯蔵され、そのとき、第２吸着塔２は吸着工程にあり、第３吸着塔３は均圧工程から昇圧工程にある。
その後、第１吸着塔１においては、均圧工程、昇圧工程が実行され、第２吸着塔２においては、均圧工程、減圧工程、洗浄工程が実行され、そのとき、第３吸着塔３においては、吸着工程が実行される。
各吸着塔１，２，３において、このような各工程が繰り返し実行されて、水素リッチガスから高純度の水素ガスが連続的に精製され、洗浄工程においては、精製された高純度の水素ガスが洗浄用水素ガスとして使用され、オフガスタンク１３に貯蔵されたオフガスは、例えば、図外のバーナへ供給されてバーナの燃料に供される。 Thereafter, in the first adsorption tower 1, the pressure equalization process, the pressure reduction process, and the washing process are executed, and the offgas generated during the pressure reduction process and the washing process is stored in the offgas tank 13. At that time, the second adsorption tower 2 is adsorbed. In the process, the third adsorption tower 3 is in the pressure increasing process from the pressure equalizing process.
Thereafter, a pressure equalization step and a pressure increase step are executed in the first adsorption tower 1, and a pressure equalization step, a pressure reduction step and a washing step are executed in the second adsorption tower 2. The adsorption process is executed.
In each of the adsorption towers 1, 2, and 3, each of these steps is repeatedly performed to continuously purify high-purity hydrogen gas from the hydrogen-rich gas. In the cleaning step, the purified high-purity hydrogen gas is purified. Off-gas used as cleaning hydrogen gas and stored in the off-gas tank 13 is supplied to, for example, a burner (not shown) and used as fuel for the burner.

このような水素精製装置の運転は、全て制御手段１４による制御下において実行されるのであり、それに加えて、本発明による水素精製装置では、雰囲気温度検出センサＳ１による検知温度が制御手段１４に入力され、その検知した雰囲気温度に基づいて洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量が制御される。
具体的には、雰囲気温度検出センサＳ１による検知温度が予め定められた基準温度より高い場合、洗浄用水素ガスの流量を増加させるように制御し、検知温度が基準温度より低い場合、洗浄用水素ガスの流量を低減させるように制御する。
それに加えて、水素リッチガス温度センサＳ２と水素ガス温度センサＳ３による検知温度も制御手段１４に入力され、水素リッチガス温度センサＳ２による水素リッチガス温度が予め決められた基準温度より高い場合や水素ガス温度センサＳ３による水素ガス温度が予め決められた基準温度より高い場合には、洗浄用水素ガスの流量を増加させるように、逆に、水素リッチガス温度が基準温度より低い場合や水素ガス温度が基準温度より低い場合には、洗浄用水素ガスの流量を低減させるように制御するので、水素ガスの純度と回収率の低下を抑制することができる。 All of the operations of the hydrogen purification apparatus are executed under the control of the control means 14, and in addition, in the hydrogen purification apparatus according to the present invention, the temperature detected by the ambient temperature detection sensor S1 is input to the control means 14. The flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning process is controlled based on the detected ambient temperature.
Specifically, when the temperature detected by the ambient temperature detection sensor S1 is higher than a predetermined reference temperature, control is performed to increase the flow rate of the cleaning hydrogen gas. When the detection temperature is lower than the reference temperature, the cleaning hydrogen Control to reduce the gas flow rate.
In addition, the detected temperatures of the hydrogen rich gas temperature sensor S2 and the hydrogen gas temperature sensor S3 are also input to the control means 14, and the hydrogen rich gas temperature detected by the hydrogen rich gas temperature sensor S2 is higher than a predetermined reference temperature or the hydrogen gas temperature sensor. When the hydrogen gas temperature by S3 is higher than a predetermined reference temperature, conversely, the hydrogen rich gas temperature is lower than the reference temperature or the hydrogen gas temperature is higher than the reference temperature so as to increase the flow rate of the cleaning hydrogen gas. When it is low, control is performed so as to reduce the flow rate of the cleaning hydrogen gas, so that it is possible to suppress a decrease in the purity and recovery rate of the hydrogen gas.

〔別実施形態〕
（１）先の実施形態では、合計３つの吸着塔１，２，３を備えた水素製造装置を例示して説明したが、吸着塔の塔数は任意であり、２つ以上の吸着塔を備えた水素製造装置であれば適用可能である。 [Another embodiment]
(1) In the previous embodiment, the hydrogen production apparatus including a total of three adsorption towers 1, 2, and 3 has been described as an example. However, the number of adsorption towers is arbitrary, and two or more adsorption towers are used. Any hydrogen production apparatus can be used.

（２）先の実施形態では、雰囲気温度検出センサＳ１に加えて、水素リッチガス温度センサＳ２と水素ガス温度センサＳ３を設けた例を示したが、少なくとも雰囲気温度検出センサＳ１を備え、その雰囲気温度検出センサＳ１による検出温度に基づいて洗浄工程で使用する洗浄用水素ガスの流量を制御するように構成すれば、本発明の目的を達成することができる。 (2) In the previous embodiment, an example in which the hydrogen rich gas temperature sensor S2 and the hydrogen gas temperature sensor S3 are provided in addition to the ambient temperature detection sensor S1 has been described. If the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning process is controlled based on the temperature detected by the detection sensor S1, the object of the present invention can be achieved.

水素精製装置を示す概略構成図Schematic configuration diagram showing a hydrogen purifier 水素精製装置の運転状態を示す工程図Process diagram showing the operating state of the hydrogen purifier 水素精製装置の運転状態を示す説明図Explanatory diagram showing the operating state of the hydrogen purifier

Explanation of symbols

１，２，３吸着塔
４水素リッチガス供給路
６水素ガス排出路
９均圧路
１１オフガス排出路
１４制御手段
Ｓ１雰囲気温度検出センサ
Ｓ２水素リッチガス温度センサ
Ｓ３水素ガス温度センサ 1, 2, 3 Adsorption tower 4 Hydrogen rich gas supply path 6 Hydrogen gas discharge path 9 Pressure equalization path 11 Off gas discharge path 14 Control means S1 Atmospheric temperature detection sensor S2 Hydrogen rich gas temperature sensor S3 Hydrogen gas temperature sensor

Claims

By pressure swing adsorption method in which hydrogen gas is purified from hydrogen-rich gas while washing, pressure equalization, decompression, washing, and pressurization are repeated in a plurality of adsorption towers, and washing is performed using washing hydrogen gas in the washing step. A method for operating a hydrogen purification apparatus,
A method for operating a hydrogen purifier that detects an ambient temperature outside the adsorption tower and controls a flow rate of a cleaning hydrogen gas used in the cleaning step based on the detected ambient temperature.

The operation method of the hydrogen purifier according to claim 1, wherein the temperature of the hydrogen rich gas is detected, and the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning step is controlled in consideration of the detected hydrogen rich gas temperature.

The hydrogen purification according to claim 1 or 2, wherein the temperature of the hydrogen gas purified in the adsorption step is detected, and the flow rate of the cleaning hydrogen gas used in the cleaning step is controlled in consideration of the detected hydrogen gas temperature. How to operate the device.