JP4824926B2 - エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 - Google Patents
エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4824926B2 JP4824926B2 JP2004374094A JP2004374094A JP4824926B2 JP 4824926 B2 JP4824926 B2 JP 4824926B2 JP 2004374094 A JP2004374094 A JP 2004374094A JP 2004374094 A JP2004374094 A JP 2004374094A JP 4824926 B2 JP4824926 B2 JP 4824926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide film
- hydrofluoric acid
- silicon wafer
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/36—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done before the formation of the materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、エピタキシャルシリコンウェハの製造方法に関する。
従来から、シリコン単結晶の基板と、この基板表面に形成されたエピタキシャル層とを有するエピタキシャルシリコンウェハが知られている。
このようなエピタキシャルシリコンウェハのエピタキシャル層の金属不純物による汚染は、デバイス特性を悪化させるため、エピタキシャル層の金属不純物の汚染をゲッタリングにより排除することが行なわれている。
具体的には、基板に窒素をドープして基板内部に酸素析出核を形成し、この酸素析出核内に金属不純物を捕獲し、金属不純物をゲッタリングにより除去するのである。
このようなエピタキシャルシリコンウェハのエピタキシャル層の金属不純物による汚染は、デバイス特性を悪化させるため、エピタキシャル層の金属不純物の汚染をゲッタリングにより排除することが行なわれている。
具体的には、基板に窒素をドープして基板内部に酸素析出核を形成し、この酸素析出核内に金属不純物を捕獲し、金属不純物をゲッタリングにより除去するのである。
図４（Ａ）に示すように、このような窒素がドープされた基板１１の表面及び内部には微小欠陥であるＣＯＰ（Crystal Originated Particle）１１１が存在しているが、基板１１表面に露出したＣＯＰ１１１（基板表面に向かって開口したＣＯＰ）はエピタキシャル層１２に生じるＳＦ（積層欠陥）の原因となっている。なお、図４（Ａ）の符号１３は酸化膜である。
この基板１１表面に露出したＣＯＰ１１１を除去する方法としては、熱処理があげられる。しかしながら、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、窒素をドープした基板１１では、ＣＯＰ１１１内に残存する内壁酸化膜１１２により、ＣＯＰ１１１の形状が保持されやすくなっており、熱処理だけでは、ＣＯＰ１１１を除去することはできない。そのため、図４（Ｄ）に示すように、エピタキシャル層１２に積層欠陥１２１が生じてしまう。
そこで、ＣＯＰ１１１内の内壁酸化膜１１２を除去するために、フッ酸水溶液により基板１１表面を洗浄し、ＣＯＰ１１１内の内壁酸化膜１１２を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような方法では、フッ酸水溶液により基板１１の表面を洗浄すると、基板１１表面にパーティクルが付着しやすくなる。このパーティクルの付着を防止するために、フッ酸水溶液による洗浄後、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水）で基板１１表面を洗浄し、酸化膜を形成している。
この基板１１表面に露出したＣＯＰ１１１を除去する方法としては、熱処理があげられる。しかしながら、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、窒素をドープした基板１１では、ＣＯＰ１１１内に残存する内壁酸化膜１１２により、ＣＯＰ１１１の形状が保持されやすくなっており、熱処理だけでは、ＣＯＰ１１１を除去することはできない。そのため、図４（Ｄ）に示すように、エピタキシャル層１２に積層欠陥１２１が生じてしまう。
そこで、ＣＯＰ１１１内の内壁酸化膜１１２を除去するために、フッ酸水溶液により基板１１表面を洗浄し、ＣＯＰ１１１内の内壁酸化膜１１２を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような方法では、フッ酸水溶液により基板１１の表面を洗浄すると、基板１１表面にパーティクルが付着しやすくなる。このパーティクルの付着を防止するために、フッ酸水溶液による洗浄後、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水）で基板１１表面を洗浄し、酸化膜を形成している。
しかしながら、このような方法では、フッ酸水溶液によりＣＯＰ１１１内の内壁酸化膜１１２を除去したにもかかわらず、エピタキシャルシリコンウェハのエピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができないという問題がある。
本発明の目的は、エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供することである。
本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、フッ酸水溶液による洗浄を行なった後、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水）で基板表面を洗浄すると、基板の表面がエッチングされることが確認された。
図面を参照してより詳細に説明すると、図５（Ａ）に示すような基板１１をフッ酸水溶液により処理すると、図５（Ｂ）に示すように、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１の表面に開口したＣＯＰ１１１（１１１Ａ）内部の内壁酸化膜１１２が除去されることとなる。
次に、図５（Ｃ）に示すように、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水）で基板１１表面を洗浄すると、基板１１表面に酸化膜１３が形成されると同時に、基板１１の表面がエッチングされ、基板１１内部に存在していたＣＯＰ１１１（１１１Ｂ）が基板１１表面に露出することとなる。
フッ酸水溶液による洗浄を行なう時点で基板１１表面に露出していたＣＯＰ１１１Ａ内部の内壁酸化膜１１２はフッ酸水溶液による洗浄により除去されるが、基板１１内部に存在していたＣＯＰ１１１Ｂの内壁酸化膜１１２はフッ酸水溶液による洗浄により、除去されていない。
図面を参照してより詳細に説明すると、図５（Ａ）に示すような基板１１をフッ酸水溶液により処理すると、図５（Ｂ）に示すように、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１の表面に開口したＣＯＰ１１１（１１１Ａ）内部の内壁酸化膜１１２が除去されることとなる。
次に、図５（Ｃ）に示すように、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水）で基板１１表面を洗浄すると、基板１１表面に酸化膜１３が形成されると同時に、基板１１の表面がエッチングされ、基板１１内部に存在していたＣＯＰ１１１（１１１Ｂ）が基板１１表面に露出することとなる。
フッ酸水溶液による洗浄を行なう時点で基板１１表面に露出していたＣＯＰ１１１Ａ内部の内壁酸化膜１１２はフッ酸水溶液による洗浄により除去されるが、基板１１内部に存在していたＣＯＰ１１１Ｂの内壁酸化膜１１２はフッ酸水溶液による洗浄により、除去されていない。
図５（Ｄ）、（Ｅ）に示すＳＣ−１による洗浄後の熱処理では、内壁酸化膜１１２が除去されたＣＯＰ１１１Ａは消失するものの、内壁酸化膜１１２が除去されていないＣＯＰ１１１Ｂは、形状が保持されてしまい、ＣＯＰ１１１Ｂが消失しない。すなわち、内壁酸化膜１１２は熱処理中に還元されにくいため、内壁酸化膜１１２が消失せず、熱処理時のシリコン原子の移動が阻害されてＣＯＰ１１１Ｂの形状が保持されてしまうのである。
ＣＯＰ１１１Ｂの形状が保持されてしまうと、図５（Ｆ）に示すように、エピタキシャル層１２を形成した際に、このＣＯＰ１１１Ｂに起因してミスフィットが生じ、エピタキシャル層１２中に積層欠陥１２１が生じる。
本発明はこのような知見に基づいて案出されたものである。
ＣＯＰ１１１Ｂの形状が保持されてしまうと、図５（Ｆ）に示すように、エピタキシャル層１２を形成した際に、このＣＯＰ１１１Ｂに起因してミスフィットが生じ、エピタキシャル層１２中に積層欠陥１２１が生じる。
本発明はこのような知見に基づいて案出されたものである。
すなわち、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープしたシリコン単結晶を切り出すことで得られる基板と、この基板上に形成されたエピタキシャル層とを有するエピタキシャルシリコンウェハの製造方法であって、前記基板を、フッ酸を含む液で洗浄するフッ酸洗浄工程と、前記基板の表面に露出していない基板内部の欠陥を、基板表面に露出させずに、基板表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜が形成された基板を水素雰囲気で熱処理した後、前記基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えることを特徴とする。
このような本発明によれば、酸化膜形成工程において、フッ酸を含む液により基板を洗浄した後、基板内部に位置する欠陥を基板表面に露出させずに、基板表面に酸化膜を形成している。換言すると、基板表面を略エッチングせずに、基板表面に酸化膜を形成している。
従って、酸化膜を形成する際に、基板内部の欠陥が基板表面に露出してしまうことがない。
これにより、フッ酸を含む液による洗浄が行なわれていない欠陥が表面に露出することがないので、熱処理を行なうことで、基板表面に露出している欠陥を確実に消失させることが可能となる。
そして、熱処理により、基板表面の欠陥を確実に消失させることができるので、基板上にエピタキシャル層を形成した際に、基板表面に露出した欠陥に起因するエピタキシャル層の積層欠陥の発生を減少させることができる。
従って、酸化膜を形成する際に、基板内部の欠陥が基板表面に露出してしまうことがない。
これにより、フッ酸を含む液による洗浄が行なわれていない欠陥が表面に露出することがないので、熱処理を行なうことで、基板表面に露出している欠陥を確実に消失させることが可能となる。
そして、熱処理により、基板表面の欠陥を確実に消失させることができるので、基板上にエピタキシャル層を形成した際に、基板表面に露出した欠陥に起因するエピタキシャル層の積層欠陥の発生を減少させることができる。
さらに、本発明では、前記酸化膜形成工程では、基板表面を、過酸化水素を含有する溶液又はオゾン水溶液により洗浄することで、基板表面に酸化膜を形成することが好ましい。
このような本発明によれば、酸化膜形成工程で、基板表面を、過酸化水素を含有する溶液（例えば、過酸化水素水や、過酸化水素と塩酸との混合溶液等）又はオゾン水溶液で洗浄することで、基板内部に位置する欠陥を基板表面に露出させずに、酸化膜を形成することができる。
このような本発明によれば、酸化膜形成工程で、基板表面を、過酸化水素を含有する溶液（例えば、過酸化水素水や、過酸化水素と塩酸との混合溶液等）又はオゾン水溶液で洗浄することで、基板内部に位置する欠陥を基板表面に露出させずに、酸化膜を形成することができる。
また、本発明では、前記フッ酸洗浄工程では、回転式洗浄装置を用いて、基板の洗浄を行い、前記回転式洗浄装置は、前記基板の一方の表面にフッ酸を含む液を滴下する滴下手段と、前記基板の他方の表面を支持する支持手段と、この支持手段に支持された前記基板の表面を通る軸を回転中心軸として、前記基板を回転駆動する回転手段とを備え、前記回転手段により基板を、１０回転／分以下の回転数で回転させながら、前記滴下手段からフッ酸を含む液を滴下して基板の洗浄を行なうことが好ましい。
フッ酸洗浄工程において、基板表面にフッ酸を含む液を滴下し、基板表面を洗浄すると、基板表面の酸化膜が除去され、基板表面が撥水性となる。
基板表面が撥水性となった状態で、基板の回転数を１０回転／分を超えるものとした場合には、基板表面に滴下されたフッ酸を含む液が基板の回転により外方に飛ばされることとなり、フッ酸を含む液により、基板表面の酸化膜及び基板表面に開口した欠陥内の内壁酸化膜を確実に除去することができないという問題がある。
これに対し、本発明では、基板の回転数を１０回転／分以下としているので、基板表面に滴下されたフッ酸を含む液が基板外方に飛ばされにくくなり、フッ酸を含む液が基板表面上に存在することとなるので、基板表面の酸化膜及び基板表面の欠陥内の内壁酸化膜を確実に除去することが可能となる。
基板表面が撥水性となった状態で、基板の回転数を１０回転／分を超えるものとした場合には、基板表面に滴下されたフッ酸を含む液が基板の回転により外方に飛ばされることとなり、フッ酸を含む液により、基板表面の酸化膜及び基板表面に開口した欠陥内の内壁酸化膜を確実に除去することができないという問題がある。
これに対し、本発明では、基板の回転数を１０回転／分以下としているので、基板表面に滴下されたフッ酸を含む液が基板外方に飛ばされにくくなり、フッ酸を含む液が基板表面上に存在することとなるので、基板表面の酸化膜及び基板表面の欠陥内の内壁酸化膜を確実に除去することが可能となる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を示すフローチャートであり、図２は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造の各工程を示した模式図である。図３は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法に使用する回転式洗浄装置を示す模式図である。
図１は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を示すフローチャートであり、図２は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造の各工程を示した模式図である。図３は、本発明のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法に使用する回転式洗浄装置を示す模式図である。
図１に示すように、エピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、フッ酸洗浄工程（処理Ｓ１）と、酸化膜形成工程（処理Ｓ２）と、エピタキシャル層形成工程（処理Ｓ３）とを有する。
図２（Ｆ）に示すように、エピタキシャルシリコンウェハ１は、基板１１と、この基板１１上に形成されたエピタキシャル層１２とを備えたものである。
エピタキシャルシリコンウェハ１の基板１１は、ＣＺ法により、窒素をドープしたシリコン単結晶のインゴットを育成させて、このインゴットを切断することで製造される。
基板１１中の窒素の濃度は、基板表面にＯＳＦ核（酸素誘起積層欠陥）が露出しない濃度がよく、特には、１×１０１４atoms/cm3以下であることが好ましい。
ＣＺ法によって育成され、切断された基板には、面取り、平面研削、研磨等の加工が施され、表面が鏡面となった基板１１となる。
図２（Ａ）に示すように、この基板１１の表面には、欠陥であるＣＯＰ１１１（１１１Ａ）が露出している。また、基板１１の内部にもＣＯＰ１１１（１１１Ｂ）が存在している。そして、各ＣＯＰ１１１（１１１Ａ，１１１Ｂ）内には内壁酸化膜１１２が形成されている。
また、基板１１の表面には酸化膜１３が形成されている。
図２（Ｆ）に示すように、エピタキシャルシリコンウェハ１は、基板１１と、この基板１１上に形成されたエピタキシャル層１２とを備えたものである。
エピタキシャルシリコンウェハ１の基板１１は、ＣＺ法により、窒素をドープしたシリコン単結晶のインゴットを育成させて、このインゴットを切断することで製造される。
基板１１中の窒素の濃度は、基板表面にＯＳＦ核（酸素誘起積層欠陥）が露出しない濃度がよく、特には、１×１０１４atoms/cm3以下であることが好ましい。
ＣＺ法によって育成され、切断された基板には、面取り、平面研削、研磨等の加工が施され、表面が鏡面となった基板１１となる。
図２（Ａ）に示すように、この基板１１の表面には、欠陥であるＣＯＰ１１１（１１１Ａ）が露出している。また、基板１１の内部にもＣＯＰ１１１（１１１Ｂ）が存在している。そして、各ＣＯＰ１１１（１１１Ａ，１１１Ｂ）内には内壁酸化膜１１２が形成されている。
また、基板１１の表面には酸化膜１３が形成されている。
（フッ酸洗浄工程）
このようにして加工された基板１１の表面をフッ酸水溶液で洗浄する（処理Ｓ１）。
図２（Ｂ）に示すように、このフッ酸水溶液による洗浄によって、基板１１表面の酸化膜１３が除去されるとともに、基板１１表面に露出しているＣＯＰ１１１Ａ内の酸化膜１１２が除去されることとなる。
このようにして加工された基板１１の表面をフッ酸水溶液で洗浄する（処理Ｓ１）。
図２（Ｂ）に示すように、このフッ酸水溶液による洗浄によって、基板１１表面の酸化膜１３が除去されるとともに、基板１１表面に露出しているＣＯＰ１１１Ａ内の酸化膜１１２が除去されることとなる。
このようなフッ酸洗浄工程では、図３に示す回転式洗浄装置３を使用する。
この回転式洗浄装置３は、基板１１を保持する保持手段３１と、前記保持手段３１を回転駆動する回転手段３２と、基板１１の一方の表面上にフッ酸水溶液３５を滴下する滴下手段３３とを備える。
保持手段３１は、基板１１の他方の表面に当接し、基板１１を保持するインナーチャック３１１と、このインナーチャック３１１の外側に配置されたアウターチャック３１２とを備える。
インナーチャック３１１は中空の円錐台形状となっている。このインナーチャック３１１は、上面（基板１１側の面）が下面よりも大きな径となっている。
この回転式洗浄装置３は、基板１１を保持する保持手段３１と、前記保持手段３１を回転駆動する回転手段３２と、基板１１の一方の表面上にフッ酸水溶液３５を滴下する滴下手段３３とを備える。
保持手段３１は、基板１１の他方の表面に当接し、基板１１を保持するインナーチャック３１１と、このインナーチャック３１１の外側に配置されたアウターチャック３１２とを備える。
インナーチャック３１１は中空の円錐台形状となっている。このインナーチャック３１１は、上面（基板１１側の面）が下面よりも大きな径となっている。
アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１よりも大きな中空の円錐台形状となっており、基板１１側の上面が開口している。従って、アウターチャック３１２とインナーチャック３１１との間には、隙間が形成されることとなる。回転軸３２１内部に注入されたガス３４は、回転軸３２１から、前記隙間に排出される。従って、この隙間が後述するガス３４の吐出経路Ｔの一部を形成することとなる。この吐出経路Ｔの出口Ｔ１からは、インナーチャック３１１上に設置された基板１１の周縁部に向けてガス３４が排出される。
また、アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１に対して、上下方向（矢印Ｙ方向）に相対的に移動できる構造となっている。例えば、アウターチャック３１２に油圧シリンダ３１３等を設け、アウターチャック３１２を上下する。アウターチャック３１２の下面の外面に、油圧シリンダ３１３のシリンダ３１３Ａを取り付け、アウターチャック３１２の下面にピストン３１３Ｂを貫通させる。そして、ピストン３１３Ｂの先端をインナーチャック３１１の下面に固定する。これにより、アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１に対して、上下方向に相対的に移動可能となる。
回転手段３２は、前記保持手段３１のインナーチャック３１１を回転駆動するものである。この回転手段３２は、前記インナーチャック３１１の下面に取り付けられた回転軸３２１と、この回転軸３２１を回転駆動する駆動装置（図示略）とを備える。
回転軸３２１は、中空構造であり、その上端は、インナーチャック３１１の下面に固定されている。回転軸３２１の回転中心軸３２１Ｂは、基板の表面の平面中心位置を通るようになっている。
また、回転軸３２１の上端近傍には孔３２１Ａが形成されており、回転軸３２１の下端から注入されたガス３４は、回転軸３２１内部を通り、前記孔３２１Ａを介して、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間に充填される。そして、出口Ｔ１からガス３４が排出される。すなわち、回転軸３２１の内部及びインナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間がガス３４の吐出経路Ｔを構成することとなる。
なお、このガス３４が吐出経路Ｔの出口Ｔ１から排出されることにより、基板１１の他方の表面側では、負圧が発生する。この負圧により、基板１１の他方の表面がインナーチャック３１１の上面に当接し、基板１１がインナーチャック３１１に固着されることとなる。
ここで、前記ガス３４としては、例えば、乾燥した酸素が使用される。
回転軸３２１は、中空構造であり、その上端は、インナーチャック３１１の下面に固定されている。回転軸３２１の回転中心軸３２１Ｂは、基板の表面の平面中心位置を通るようになっている。
また、回転軸３２１の上端近傍には孔３２１Ａが形成されており、回転軸３２１の下端から注入されたガス３４は、回転軸３２１内部を通り、前記孔３２１Ａを介して、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間に充填される。そして、出口Ｔ１からガス３４が排出される。すなわち、回転軸３２１の内部及びインナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間がガス３４の吐出経路Ｔを構成することとなる。
なお、このガス３４が吐出経路Ｔの出口Ｔ１から排出されることにより、基板１１の他方の表面側では、負圧が発生する。この負圧により、基板１１の他方の表面がインナーチャック３１１の上面に当接し、基板１１がインナーチャック３１１に固着されることとなる。
ここで、前記ガス３４としては、例えば、乾燥した酸素が使用される。
滴下手段３３は、基板１１上にフッ酸水溶液３５を滴下するノズル３３１を備えている。このノズル３３１は、インナーチャック３１１に対向配置されており、ノズル３３１の吐出口は、基板１１の平面中心、つまり回転中心軸３２１Ｂと同軸上に配置されている。
このため、基板１１が回転しつつ、ノズル３３１からフッ酸水溶液３５が滴下されると、フッ酸水溶液３５は、遠心力により、基板１１の中心から周縁部に向かって拡散し、図３に示すように、周縁部に倣って、基板１１の他方の表面側に回りこむ。
ここで、フッ酸水溶液３５の濃度は、特に限定されないが、例えば１％〜１０％程度とすることができる。
このため、基板１１が回転しつつ、ノズル３３１からフッ酸水溶液３５が滴下されると、フッ酸水溶液３５は、遠心力により、基板１１の中心から周縁部に向かって拡散し、図３に示すように、周縁部に倣って、基板１１の他方の表面側に回りこむ。
ここで、フッ酸水溶液３５の濃度は、特に限定されないが、例えば１％〜１０％程度とすることができる。
このような回転式洗浄装置３を用いた基板１１の洗浄方法について説明する。
まず、基板１１をインナーチャック３１１上に設置する。次に、回転軸３２１内部にガス３４を注入し、回転軸３２１内部、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間を介して、ガス３４を出口Ｔ１から排出する。
次に、回転軸３２１を回転駆動し、その後、滴下手段３３のノズル３３１からフッ酸水溶液３５を滴下する。
ここで、回転軸３２１の回転数、すなわち、基板１１の回転数は、１０回転／分以下、好ましくは、２回転／分以下とする。
フッ酸水溶液３５は、基板１１の中心から周縁部に向かって拡散し、周縁部を通って、基板１１の他方の表面側に回りこむ。
なお、フッ酸水溶液３５の基板１１の他方の表面への周り込み量は、基板１１の回転数、フッ酸水溶液３５の吐出量、フッ酸水溶液３５の粘度、ガスの出口Ｔ１からの吐出圧により調整することができる。
まず、基板１１をインナーチャック３１１上に設置する。次に、回転軸３２１内部にガス３４を注入し、回転軸３２１内部、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間を介して、ガス３４を出口Ｔ１から排出する。
次に、回転軸３２１を回転駆動し、その後、滴下手段３３のノズル３３１からフッ酸水溶液３５を滴下する。
ここで、回転軸３２１の回転数、すなわち、基板１１の回転数は、１０回転／分以下、好ましくは、２回転／分以下とする。
フッ酸水溶液３５は、基板１１の中心から周縁部に向かって拡散し、周縁部を通って、基板１１の他方の表面側に回りこむ。
なお、フッ酸水溶液３５の基板１１の他方の表面への周り込み量は、基板１１の回転数、フッ酸水溶液３５の吐出量、フッ酸水溶液３５の粘度、ガスの出口Ｔ１からの吐出圧により調整することができる。
（酸化膜形成工程）
次に、図２（Ｃ）に示すように、基板１１の表面に酸化膜１３を形成する（処理Ｓ２）。
フッ酸水溶液３５で洗浄された基板１１表面には、酸化膜がなく、パーティクルが付着しやすいので、酸化膜１３を形成する必要がある。
この酸化膜形成工程では、フッ酸洗浄工程で使用した回転式洗浄装置３を使用して、酸化膜の形成を行なう。
具体的には、基板１１をインナーチャック３１１上に設置し、回転軸３２１内部にガス３４を注入し、回転軸３２１内部、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間を介して、ガス３４を出口Ｔ１から排出する。
次に、回転軸３２１を回転駆動し、その後、滴下手段３３のノズル３３１からオゾン水を滴下する。
このとき、回転軸３２１の回転数、すなわち、基板１１の回転数は、５００回転／分程度とする。
オゾン水を滴下し始めてから６０秒位経過したら、オゾン水の滴下を停止する。
その後、基板を５００回転／分程度の回転数で回転させ続けて、スピン乾燥を行ない、酸化膜形成工程を終了する。
次に、図２（Ｃ）に示すように、基板１１の表面に酸化膜１３を形成する（処理Ｓ２）。
フッ酸水溶液３５で洗浄された基板１１表面には、酸化膜がなく、パーティクルが付着しやすいので、酸化膜１３を形成する必要がある。
この酸化膜形成工程では、フッ酸洗浄工程で使用した回転式洗浄装置３を使用して、酸化膜の形成を行なう。
具体的には、基板１１をインナーチャック３１１上に設置し、回転軸３２１内部にガス３４を注入し、回転軸３２１内部、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間を介して、ガス３４を出口Ｔ１から排出する。
次に、回転軸３２１を回転駆動し、その後、滴下手段３３のノズル３３１からオゾン水を滴下する。
このとき、回転軸３２１の回転数、すなわち、基板１１の回転数は、５００回転／分程度とする。
オゾン水を滴下し始めてから６０秒位経過したら、オゾン水の滴下を停止する。
その後、基板を５００回転／分程度の回転数で回転させ続けて、スピン乾燥を行ない、酸化膜形成工程を終了する。
（エピタキシャル層形成工程）
次に、基板１１表面にエピタキシャル層１２を形成する(処理Ｓ３)。
まず、図２（Ｅ）に示すように、基板１１の熱処理を行なう。例えば、水素の雰囲気下で基板１１の熱処理を行なう。
この熱処理により基板１１表面の酸化膜１３が除去される。そして、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａが平滑化されて、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａが消失することとなる。
次に、基板１１表面にエピタキシャル層１２を形成する(処理Ｓ３)。
まず、図２（Ｅ）に示すように、基板１１の熱処理を行なう。例えば、水素の雰囲気下で基板１１の熱処理を行なう。
この熱処理により基板１１表面の酸化膜１３が除去される。そして、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａが平滑化されて、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａが消失することとなる。
その後、基板１１の表面にエピタキシャル層１２を形成する。
具体的には、基板１１を図示しないエピタキシャル層成長装置にセットし、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）等を用いて、基板１１上にエピタキシャル層１２を形成する。
これにより、エピタキシャルシリコンウェハ１が完成する。
具体的には、基板１１を図示しないエピタキシャル層成長装置にセットし、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）等を用いて、基板１１上にエピタキシャル層１２を形成する。
これにより、エピタキシャルシリコンウェハ１が完成する。
従って、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）酸化膜形成工程において、フッ酸水溶液３５により基板１１を洗浄した後、オゾン水で基板１１表面を洗浄し、基板１１表面に酸化膜１３を形成している。オゾン水で基板１１表面を洗浄することで、基板１１内部に位置する欠陥であるＣＯＰ１１１Ｂを基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。換言すると、基板１１表面を略エッチングせずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。
従って、酸化膜１３を形成する際に、基板１１内部の欠陥であるＣＯＰ１１１Ｂが基板１１表面に露出してしまうことがない。
このように、フッ酸水溶液３５による洗浄が行なわれていないＣＯＰ１１１Ｂが表面に露出することがないので、後段の熱処理により、基板１１表面にＣＯＰ１１１Ｂが残ってしまうことがない。
熱処理により、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａを確実に消失させることができ、また、基板１１表面に基板１１内部に存在したＣＯＰ１１１Ｂが露出し、残存してしまうことがないので、基板１１上にエピタキシャル層１２を形成した際に、エピタキシャル層１２の欠陥の発生を減少させることができる。
（１）酸化膜形成工程において、フッ酸水溶液３５により基板１１を洗浄した後、オゾン水で基板１１表面を洗浄し、基板１１表面に酸化膜１３を形成している。オゾン水で基板１１表面を洗浄することで、基板１１内部に位置する欠陥であるＣＯＰ１１１Ｂを基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。換言すると、基板１１表面を略エッチングせずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。
従って、酸化膜１３を形成する際に、基板１１内部の欠陥であるＣＯＰ１１１Ｂが基板１１表面に露出してしまうことがない。
このように、フッ酸水溶液３５による洗浄が行なわれていないＣＯＰ１１１Ｂが表面に露出することがないので、後段の熱処理により、基板１１表面にＣＯＰ１１１Ｂが残ってしまうことがない。
熱処理により、基板１１表面のＣＯＰ１１１Ａを確実に消失させることができ、また、基板１１表面に基板１１内部に存在したＣＯＰ１１１Ｂが露出し、残存してしまうことがないので、基板１１上にエピタキシャル層１２を形成した際に、エピタキシャル層１２の欠陥の発生を減少させることができる。
（２）フッ酸洗浄工程において、基板１１表面にフッ酸水溶液３５を滴下し、基板１１表面を洗浄すると、基板１１表面の酸化膜１３が除去され、基板１１表面が撥水性となる。
この状態で、基板１１の回転数を１０回転／分を超えるものとした場合には、基板１１表面に滴下されたフッ酸水溶液３５が基板１１の回転により外方に飛ばされることとなり、フッ酸水溶液３５により、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１表面のＣＯＰ１１１の内壁酸化膜１１２を確実に除去することができないという問題がある。
これに対し、本実施形態では、基板１１の回転数を１０回転／分以下としているので、基板１１表面に滴下されたフッ酸水溶液３５が基板１１外方に飛ばされにくくなり、フッ酸水溶液３５が基板１１表面上に存在することとなるので、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１表面のＣＯＰ１１１の内壁酸化膜１１２を確実に除去することが可能となる。
この状態で、基板１１の回転数を１０回転／分を超えるものとした場合には、基板１１表面に滴下されたフッ酸水溶液３５が基板１１の回転により外方に飛ばされることとなり、フッ酸水溶液３５により、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１表面のＣＯＰ１１１の内壁酸化膜１１２を確実に除去することができないという問題がある。
これに対し、本実施形態では、基板１１の回転数を１０回転／分以下としているので、基板１１表面に滴下されたフッ酸水溶液３５が基板１１外方に飛ばされにくくなり、フッ酸水溶液３５が基板１１表面上に存在することとなるので、基板１１表面の酸化膜１３及び基板１１表面のＣＯＰ１１１の内壁酸化膜１１２を確実に除去することが可能となる。
（３）本実施形態では、フッ酸洗浄工程、酸化膜形成工程で、回転式洗浄装置３を使用している。この回転式洗浄装置３は、基板１１を一枚ずつ処理するものである。
例えば、液槽にフッ酸水溶液を溜めて、この液槽内に複数枚の基板を浸漬させる方法の場合には、基板が隣接する他の基板から排出される不純物等による影響を受けてしまう可能性がある。これに対し、本実施形態では、基板１１を１枚ずつ処理しており、いわゆる枚葉式の回転式洗浄装置３を使用しているため、基板１１が他の基板により、汚染される可能性がない。
また、回転式洗浄装置３は、基板１１を１枚づつ処理するものであるため、基板１１を複数枚、一度に浸漬させるような液槽を設ける場合に比べ、回転式洗浄装置３の小型化を図ることが可能となる。
例えば、液槽にフッ酸水溶液を溜めて、この液槽内に複数枚の基板を浸漬させる方法の場合には、基板が隣接する他の基板から排出される不純物等による影響を受けてしまう可能性がある。これに対し、本実施形態では、基板１１を１枚ずつ処理しており、いわゆる枚葉式の回転式洗浄装置３を使用しているため、基板１１が他の基板により、汚染される可能性がない。
また、回転式洗浄装置３は、基板１１を１枚づつ処理するものであるため、基板１１を複数枚、一度に浸漬させるような液槽を設ける場合に比べ、回転式洗浄装置３の小型化を図ることが可能となる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、図３に示す回転式洗浄装置３を使用して基板１１の洗浄を行なったが、このような回転式洗浄装置３を使用しなくても良い。例えば、槽にフッ素水溶液等を蓄積しておき、この槽内に基板を浸漬させる方法で、洗浄を行なってもよい。
また、槽にオゾン水を蓄積しておき、槽内のオゾン水に基板を浸漬させてもよい。
例えば、前記実施形態では、図３に示す回転式洗浄装置３を使用して基板１１の洗浄を行なったが、このような回転式洗浄装置３を使用しなくても良い。例えば、槽にフッ素水溶液等を蓄積しておき、この槽内に基板を浸漬させる方法で、洗浄を行なってもよい。
また、槽にオゾン水を蓄積しておき、槽内のオゾン水に基板を浸漬させてもよい。
さらに、前記実施形態では、酸化膜形成工程では、オゾン水を用いて、基板表面に酸化膜を形成していたが、これに限られるものではない。すなわち、基板１１の表面に露出していない基板１１内部の欠陥を、基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成するような液であれば任意の液を使用することができる。例えば、過酸化水素水を使用して、基板１１表面に酸化膜１３を形成することもできる。
過酸化水素水を使用することによっても、基板１１の表面に露出していない基板１１内部の欠陥を、基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができるので、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。すなわち、エピタキシャル層１２の積層欠陥の数を十分に減少させることができる。
また、酸化膜形成工程において、過酸化水素水と塩酸とを混合した水溶液による洗浄、いわゆるＳＣ−２洗浄を行なってもよい。この場合にも、基板１１の表面に露出していない基板１１内部の欠陥を、基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。
過酸化水素水を使用することによっても、基板１１の表面に露出していない基板１１内部の欠陥を、基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができるので、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。すなわち、エピタキシャル層１２の積層欠陥の数を十分に減少させることができる。
また、酸化膜形成工程において、過酸化水素水と塩酸とを混合した水溶液による洗浄、いわゆるＳＣ−２洗浄を行なってもよい。この場合にも、基板１１の表面に露出していない基板１１内部の欠陥を、基板１１表面に露出させずに、基板１１表面に酸化膜１３を形成することができる。
次に、本発明の実施例について説明する。
前記実施形態と同様の方法でエピタキシャルシリコンウェハを製造した。
（フッ酸洗浄工程）
窒素を４×１０１３atoms/cm3〜５×１０１３atoms/cm3ドープしたシリコン単結晶の基板を用意した。
このシリコン単結晶の基板は、径が３００ｍｍであり、窒素以外にボロンがドーピングされたＰ型である。抵抗率は、１０Ω・ｃｍである。
この基板を、フッ酸水溶液により洗浄し、基板表面の酸化膜を除去するとともに、基板表面に露出しているＣＯＰ内の内壁酸化膜を除去した。基板の洗浄には、前記実施形態で使用した回転式洗浄装置を使用した。フッ酸水溶液の濃度を１０％とし、基板の回転数を２回転／分とし、さらに、処理時間を９０秒とした。
（酸化膜形成工程）
フッ酸水溶液で洗浄した基板表面をオゾン水で洗浄し、酸化膜を形成した。前記実施形態と同様の回転式洗浄装置を用いて洗浄を行なった。
オゾン水の濃度は、２０ｐｐｍであり、基板の回転速度は、５００回転／分とした。
前記実施形態と同様の方法でエピタキシャルシリコンウェハを製造した。
（フッ酸洗浄工程）
窒素を４×１０１３atoms/cm3〜５×１０１３atoms/cm3ドープしたシリコン単結晶の基板を用意した。
このシリコン単結晶の基板は、径が３００ｍｍであり、窒素以外にボロンがドーピングされたＰ型である。抵抗率は、１０Ω・ｃｍである。
この基板を、フッ酸水溶液により洗浄し、基板表面の酸化膜を除去するとともに、基板表面に露出しているＣＯＰ内の内壁酸化膜を除去した。基板の洗浄には、前記実施形態で使用した回転式洗浄装置を使用した。フッ酸水溶液の濃度を１０％とし、基板の回転数を２回転／分とし、さらに、処理時間を９０秒とした。
（酸化膜形成工程）
フッ酸水溶液で洗浄した基板表面をオゾン水で洗浄し、酸化膜を形成した。前記実施形態と同様の回転式洗浄装置を用いて洗浄を行なった。
オゾン水の濃度は、２０ｐｐｍであり、基板の回転速度は、５００回転／分とした。
（エピタキシャル層形成工程）
基板を水素雰囲気中で１１４５℃で７０秒熱処理した。
次に、基板を１１３０℃で加熱しながら、４μｍの膜厚のエピタキシャル層を形成した。これによりエピタキシャルシリコンウェハを得た。
基板を水素雰囲気中で１１４５℃で７０秒熱処理した。
次に、基板を１１３０℃で加熱しながら、４μｍの膜厚のエピタキシャル層を形成した。これによりエピタキシャルシリコンウェハを得た。
（評価）
得られたエピタキシャルシリコンウェハのエピタキシャル層中のＳＦ（積層欠陥）の個数をカウントしたところ、５個であった。
これにより、エピタキシャル層の積層欠陥の数が非常に少ないことを確認することができた。
得られたエピタキシャルシリコンウェハのエピタキシャル層中のＳＦ（積層欠陥）の個数をカウントしたところ、５個であった。
これにより、エピタキシャル層の積層欠陥の数が非常に少ないことを確認することができた。
本発明は、エピタキシャルシリコンウェハの製造方法に利用することができる。
１…エピタキシャルシリコンウェハ
３…回転式洗浄装置
１１…基板
１２…エピタキシャル層
１３…酸化膜
３１…保持手段
３２…回転手段
３３…滴下手段
３４…ガス
３５…フッ酸水溶液
１１２…内壁酸化膜
１２１…積層欠陥
３１１…インナーチャック
３１２…アウターチャック
３１３…油圧シリンダ
３１３Ａ…シリンダ
３１３Ｂ…ピストン
３２１…回転軸
３２１Ａ…孔
３２１Ｂ…回転中心軸
３３１…ノズル
１１１（１１１Ａ，１１１Ｂ）…ＣＯＰ
Ｔ…吐出経路
Ｔ１…出口
３…回転式洗浄装置
１１…基板
１２…エピタキシャル層
１３…酸化膜
３１…保持手段
３２…回転手段
３３…滴下手段
３４…ガス
３５…フッ酸水溶液
１１２…内壁酸化膜
１２１…積層欠陥
３１１…インナーチャック
３１２…アウターチャック
３１３…油圧シリンダ
３１３Ａ…シリンダ
３１３Ｂ…ピストン
３２１…回転軸
３２１Ａ…孔
３２１Ｂ…回転中心軸
３３１…ノズル
１１１（１１１Ａ，１１１Ｂ）…ＣＯＰ
Ｔ…吐出経路
Ｔ１…出口
Claims (3)
- チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープしたシリコン単結晶を切り出すことで得られる基板と、この基板上に形成されたエピタキシャル層とを有するエピタキシャルシリコンウェハの製造方法であって、
前記基板を、フッ酸を含む液で洗浄するフッ酸洗浄工程と、
前記基板の表面に露出していない基板内部の欠陥を、基板表面に露出させずに、基板表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜が形成された基板を水素雰囲気で熱処理した後、前記基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェハの製造方法。 - 請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法において、
前記酸化膜形成工程では、基板表面を、過酸化水素を含有する溶液又はオゾン水溶液により洗浄することで、基板表面に酸化膜を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェハの製造方法。 - 請求項１又は２に記載のエピタキシャルシリコンウェハの製造方法において、
前記フッ酸洗浄工程では、回転式洗浄装置を用いて、基板の洗浄を行い、
前記回転式洗浄装置は、前記基板の一方の表面にフッ酸を含む液を滴下する滴下手段と、
前記基板の他方の表面を支持する支持手段と、
この支持手段に支持された前記基板の表面を通る軸を回転中心軸として、前記基板を回転駆動する回転手段とを備え、
前記回転手段により基板を、１０回転／分以下の回転数で回転させながら、前記滴下手段からフッ酸を含む液を滴下して基板の洗浄を行なうことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェハの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004374094A JP4824926B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
| TW094137635A TWI267915B (en) | 2004-12-24 | 2005-10-27 | Method of manufacturing epitaxial silicon wafer |
| PCT/JP2005/023342 WO2006068127A1 (ja) | 2004-12-24 | 2005-12-20 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
| DE112005003233.7T DE112005003233B4 (de) | 2004-12-24 | 2005-12-20 | Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Silizium-Wafers |
| US11/793,155 US7537658B2 (en) | 2004-12-24 | 2005-12-20 | Method for producing epitaxial silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004374094A JP4824926B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006179831A JP2006179831A (ja) | 2006-07-06 |
| JP4824926B2 true JP4824926B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=36601727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004374094A Expired - Lifetime JP4824926B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7537658B2 (ja) |
| JP (1) | JP4824926B2 (ja) |
| DE (1) | DE112005003233B4 (ja) |
| TW (1) | TWI267915B (ja) |
| WO (1) | WO2006068127A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649365Y2 (ja) | 1991-11-14 | 1994-12-14 | 通信興業株式会社 | 電線・ケーブル用線条導体の連続製造装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080213418A1 (en) * | 2000-07-18 | 2008-09-04 | Hua Tan | Align-transfer-imprint system for imprint lithogrphy |
| JP4824926B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-11-30 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
| US8021484B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-09-20 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus therefor |
| JP4827587B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-30 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP5275585B2 (ja) | 2007-06-18 | 2013-08-28 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
| US20090189159A1 (en) * | 2008-01-28 | 2009-07-30 | Atmel Corporation | Gettering layer on substrate |
| US7972922B2 (en) | 2008-11-21 | 2011-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor layer |
| US8747092B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-06-10 | Nanonex Corporation | Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold |
| US10105883B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-10-23 | Nanonex Corporation | Imprint lithography system and method for manufacturing |
| WO2014145826A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography |
| US11011355B2 (en) * | 2017-05-12 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168106A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH11274162A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板とその製造方法 |
| KR20010034789A (ko) | 1998-10-14 | 2001-04-25 | 헨넬리 헬렌 에프 | 실질적으로 성장 결점이 없는 에피택시얼 실리콘 웨이퍼 |
| EP1132951A1 (en) | 2000-03-10 | 2001-09-12 | Lucent Technologies Inc. | Process of cleaning silicon prior to formation of the gate oxide |
| JP4573282B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2010-11-04 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| US7182809B2 (en) * | 2000-09-19 | 2007-02-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Nitrogen-doped silicon substantially free of oxidation induced stacking faults |
| JP2004119446A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ |
| JP4164816B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-10-15 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP4824926B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-11-30 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
-
2004
- 2004-12-24 JP JP2004374094A patent/JP4824926B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-10-27 TW TW094137635A patent/TWI267915B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-20 DE DE112005003233.7T patent/DE112005003233B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2005-12-20 WO PCT/JP2005/023342 patent/WO2006068127A1/ja not_active Ceased
- 2005-12-20 US US11/793,155 patent/US7537658B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649365Y2 (ja) | 1991-11-14 | 1994-12-14 | 通信興業株式会社 | 電線・ケーブル用線条導体の連続製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006179831A (ja) | 2006-07-06 |
| TW200623254A (en) | 2006-07-01 |
| TWI267915B (en) | 2006-12-01 |
| US7537658B2 (en) | 2009-05-26 |
| DE112005003233B4 (de) | 2018-08-30 |
| DE112005003233T5 (de) | 2007-10-31 |
| WO2006068127A1 (ja) | 2006-06-29 |
| US20080131605A1 (en) | 2008-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4824926B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法 | |
| JP3662472B2 (ja) | 基板表面の処理方法 | |
| US9230794B2 (en) | Process for cleaning, drying and hydrophilizing a semiconductor wafer | |
| JP5203435B2 (ja) | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 | |
| TWI460782B (zh) | 晶圓表面處理方法 | |
| JP7735853B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP6376072B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| TWI778004B (zh) | 半導體晶圓的洗淨方法 | |
| WO2024176581A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法、半導体ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハ | |
| TWI869134B (zh) | 半導體晶圓的洗淨方法 | |
| JP2005327936A (ja) | 基板の洗浄方法及びその製造方法 | |
| JP6520777B2 (ja) | シリコン単結晶ウエハの評価方法 | |
| JP7556426B1 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法、シリコンウェーハの製造方法、及びシリコンウェーハ | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| JP2025078435A (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
| JP2025094340A (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
| WO2015098699A1 (ja) | 洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071009 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110909 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4824926 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |