JP4834249B2 - Method for analyzing accuracy of exposure apparatus - Google Patents

Description

【０００５】
このとき、各モードの係数推定値Ｄ_x ，Ｍ_x ，Ｒ_y は回帰分析により、以下の式（１）〜（３）のように求めていた。
【０００６】
【数２】

【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の分析方法では、計測データに付随する位置情報を利用した回帰分析を行っていたが、誤差の二乗平均を定量的に分析していなかったため、定量的に評価することはできない、誤差に占めるさまざまな要因があった。例えば、ステッパの重ね合せ精度では第１露光過程で、レチクルに描画された複数の主尺バーニヤを一括転写し、第２露光過程では、これらの主尺バーニヤに副尺バーニヤが重なるよう、ステージ位置に一定のオフセット距離を与えて露光する。このとき、ウエハ毎にシフトやウエハ倍率などを求めるだけでは、誤差の二乗平均に占めるこれらの成分を定量的に把握できなかった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の問題を解決し、計測データに付随する位置情報と属性情報によって、各種精度のデータを系統的に分析し、精度の内訳を定量的に且つ詳細に把握することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明は、基板に形成された重ね合わせマークから得られる情報に基づいて、分析対象を形状モードベクトルとモードゲインとの積を含む分析対象ベクトルとして取得し、前記形状モードベクトルと前記分析対象ベクトルとから前記モードゲインを抽出することで行われる露光装置の精度分析方法であって、複数の基板に形成された重ね合わせマークから前記マークの位置および属性に関する情報を取得する工程と、分析対象を前記マークの位置および属性に関する情報に基づいた形状モードベクトルおよびモードゲインの積を含む分析対象ベクトルとして取得する工程と、前記分析対象ベクトルの全自乗和または自乗平均値からモードゲインを抽出するための直交モード分析と、前記分析によって得られたモードゲインを直交配置モードに分離する分散分析とを行う工程と、前記得られた分析結果から露光装置の精度を評価する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明は別の観点では、複数の基板に形成されたマークから得られる情報に基づいて、露光装置の精度を分析する精度分析方法であって、マークが属する基板を表す情報、マークが属するショットを表す情報、およびマークの種別を表す情報のうち少なくともいずれかを含むマークの属性に関する情報および前記マークの位置計測データを取得する工程と、前記マークの位置計測データにもとづいて、前記位置計測データの自乗平均値を前記マークの属性および形状モードに対応づけて分析する工程と、分析結果にもとづいて露光装置の精度を分析する工程を備えることを特徴とする。
【００１０】
つまり、計測データの自乗平均に対し、例えば、データが属するウエハ、ショット、マークというデータの付随情報も利用した分析を行い、装置性能の評価や装置調整に有効な情報を提供することが可能となる。
【００１１】
ここで、自乗平均値を分析する工程を、具体的に説明すると、例えば、各マーク（ｉ＝１〜Ｎ）位置に関する情報（ｘ_i ，ｙ_i ）をＮ行２列の列ベクトルに表わし、これから派生した様々な形状モード、例えば各要素を自乗したベクトルなどを加え、これらの形状モードを用いた回帰分析によって各モード毎のモード係数を求める。つまり、これらの形状モードベクトルに基づいて互いに直交する列ベクトルを求め、これにより分析対象の計測値の全自乗和または自乗平均を抽出する。
【００１２】
さらに、得られたモード係数について、属性情報から直交配置によって求めた主効果や交互作用の直交配置ベクトルで分散分析を行い、データ全体の自乗平均値を各形状モードと各種属性に分離する。
【００１３】
本発明の半導体デバイス製造方法は、露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、上記本発明の方法により露光装置の精度を分析する工程とを有し、この製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする。これにより、装置性能の評価や装置調整を細かく行うことが可能となり、精密な半導体デバイスを製造することができるようになる。この際、製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワークと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信してもよい。また、製造装置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベースに外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行ってもよい。
【００１４】
本発明のデバイス製造装置の保守方法は、半導体製造工場に設置された露光装置の保守方法であって、露光装置のベンダーまたはユーザーが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベースを提供する工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介して保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
【作用】
以上の方法により露光装置の精度を分析することにより、データの自乗平均値は、データに付随する位置情報と属性情報によって詳細に分析することができるため、誤差の主要因を定量的に把握することが可能となる。
【００１６】
【実施例】
（第１実施例）
本発明の第１実施例について述べる。図１は配列再現精度を評価するときのショットレイアウト例である。同図において、１は配列再現精度を評価するための重ね合せマーク、２は配列再現精度を評価するためのウエハである。
【００１７】
配列再現精度の評価において、第１露光過程では、１枚のウエハにつき１６個のショットをステップピッチ２２ｍｍで転写する。続いて行われる第２露光過程では、第１露光過程で転写されたショット内１点の主尺に副尺を重ね合せ、重ね合せマーク１を形成する。これを、４枚のウエハ２に連続して行い、重ね合せ誤差を計測する。
表１および表２に、このときに得られたデータを示す。
【００１８】
【表１】

【００１９】
【表２】

【００２０】
各行に１つの重ね合せマークから得られる情報が記録されていて、１列目が重ね合せマークの番号である。ウエハ枚数はＫ（＝４）枚、ウエハ当リショット数はＪ（＝１６）ショットであるから、マークの数はＫ×Ｊ（＝６４）個ある。そして、２列目（ｋ）がウエハの番号、３列目（ｊ）がショット番号、４列目（Ｘ）と５列目（Ｙ）がウエハ中心を原点とするマークの位置座標Ｘ_j ，Ｙ_j 、６列目（ｘ）と７列目（ｙ）が重ね合せ誤差のＸ，Ｙ各方向計測値である。つまり、得られた重ね合せマークの情報には、ウエハ中心を原点とするマーク位置座標（Ｘ_j ，Ｙ_j ）の位置情報、データの属するウエハｋ、ショットｊの属性情報が付随している。次に、従来と同様に計測値ｘ_j ，ｙ_j を形状モードベクトル毎に分析する。ここでは例として、計測値ｘ_j を分析する。
【００２１】
表３は、形状モードに０次（シフト）、Ｘ１次（ウエハ倍率）、Ｙ１次（ウエハ回転）、Ｘ２次、Ｘ３次を設定した場合の原形モードベクトルを示している。
【００２２】
【表３】

【００２３】
この原形モードベクトルを本実施例の分析に用いる際は、各列ベクトルは互いに直交していなくてはならない。それは、直交化しなければ、計測値の自乗平均値ｍｅａｎ（ｘ² ）を形状モード毎に独立して分離できないからである。なお、形状モードベクトルに位置座標の高次ベクトル（例えば、Ｘ² ）を設定した場合や、ショット配列が対称でない場合は、全ての形状モードベクトルが互いに直交するとは限らないため、その場合はモードに優先順位をつけ（通常は単純なモードを優先している) 優先順位の高いモード成分を除いた残差を新しいモードにする方法で直交化し、各形状モードベクトルの内積が要素数Ｎになるようにする。あるいは、シュミット（Ｓｈｕｍｉｄｔ）の直交化法を用いて正規直交ベクトルに変換し、要素数Ｎの平方根を乗じてもよい。表４は表３に示した原形モードベクトルを直交化したものである。
【００２４】
【表４】

【００２５】
今、分析対象である計測値ｘが、Ｎ次元のベクトルとして与えられ、ベクトルｘはｎ個の形状モードベクトルΦ_i （ｉ＝１〜ｎ）と誤差ｅの線形和で表わされるとする。ここで、計測値ｘに含まれる各形状モードベクトルの量を「モードゲイン（ａ）」と呼ぶことにする。
【００２６】
【数３】

【００２７】
式（５）中、ＥはＮ個の要素全てが１の列ベクトル、ｅは残差（列ベクトル）である。さて、分析によって求めたいものは各モードゲインａである。そこで、上の式（５）について、単位ベクトルＥとの内積をとれば、
【００２８】
【数４】

となり、また、形状モードベクトルΦ_k との内積をとれば、
【００２９】
【数５】

【００３０】
よって、（５）（６）式から、容易に各モードゲインａ_iが得られる。このとき、ベクトルｘの自乗平均値は、
【００３１】
【数６】

となる。
【００３２】
このように、「直交ベクトル」を用いれば、分析対象のデータ（ベクトル）の自乗平均値（分散と平均値の自乗の和）に含まれる各モードゲインを抽出できる。
【００３３】
表５は、図１に示したウエハの計測データｘを表４の形状モードベクトルで分析したモードゲインをウエハ毎に求めた結果である。
【００３４】
【表５】

【００３５】
直交ベクトルによるモード分析は、１セットのデータ（例えば、１枚のウエハから得られるデータ）を分析する方法であるから、その成分は１セットにつき１つ得られる。しかし、枚数を増やすと成分値も枚数分得られる。さらに複数台の装置でデータをとると「台数×枚数」の成分値が得られる。このようにして得た成分値も１セットのデータであるが、もはや位置情報による形状モードベクトルでは説明できない。そこで、さらに各モードゲインと残差を分散分析の手法で、２種類の属性（ウエハ、ショット）をもったＫ×Ｊ個のデータを、ｎ個の統計的な直交配置ベクトルで分析する。このとき、データのモデルは、各原因を示す形状モードが様々な割合で重畳してできていると考える。
【００３６】
【数７】

このとき、データの自乗和は次のようになる。
【００３７】
【数８】

【００３８】
上の式（１０）をみると、各形状モードの成分と残差に分類されていることが分かるので、各モードゲインを次の式（１１）のように表現する。
【００３９】
【数９】

次に、各形状モードベクトルの自乗和を求める。
【００４０】
【数１０】

続いて、残差を次の式（１３）のように表現する。
【００４１】
【数１１】

【００４２】
同様に、残差の自乗和を求める。各括孤内に示された直交配置ベクトルは互いに直交するので、多くの項が零になる。
【００４３】
【数１２】

【００４４】
（１２），（１４）式から、データの自乗和は次のように表わされる。なお、データの自乗平均はこれをデータ数（ＫＪ）で割ればよい。
【００４５】
【数１３】

【００４６】
表６は、図１に示したウエハの計測データｘの自乗平均値を分析した結果である。分析表は縦横の合計が右下に表示されていて、それ（８９．６０ｎｍ²)が計測データｘの自乗平均値になっている。縦系は位置情報による形状モードによる分析であり、上の項目ほど優先順位の高いモードであり、Ｏｔｈｅｒという項目は形状モードで分析した残差を示している。一方、横系は統計的な直交配置モードである。縦系のモードも横系のモードも、各々の系で互いに直交したベクトルであるが、縦系の形状モードは、分析者の洞察などから定めたモードで、元来は直交しないモードも強制的に直交化している。一方、横系の直交配置モードはデータ属性の種類（ウエハ・ショット) から決定されるもので、２を属性の種類数だけ累乗した数だけ存在する。なお、各列の統計的モードの意味は、［＊，＊］が全平均、［ｋ，＊］が第１因子の級間変動、［＊，ｊ］が第２因子の級間変動であり、［ｋ，ｊ］が残差である。
【００４７】
【表６】

【００４８】
（第２実施例）
次に、本発明の第２実施例について述べる。図２は重ね合せ精度を評価するときのショットレイアウト例である。同図において、１は重ね合せ精度を評価するための重ね合せマーク、４は重ね合せ精度を評価するためのウエハを示す。本例では、第１露光過程で１枚のウエハにつき５２個のショットをステップピッチ２２ｍｍで５枚のウエハに連続して転写し、これらを現像した後、１枚づつウエハをステージにチャッキングし、チャッキングに際して生じたウエハのシフト誤差、ウエハ回転誤差、現像プロセスによって生じたウエハの倍率誤差を補正するため、抽出された複数のアライメントマークを計測し、ウエハのシフト誤差、ウエハ回転誤差、ウエハの倍率誤差を補正するグローバルアライメントが行われ、続いて行われる第２露光過程では、第１露光過程で転写されたショット内５点の主尺に対し、副尺の重ね合せ露光が行われ、重ね合せマーク３が形成される。そして、これを４枚のウエハ４に連続して行い、重ね合せ誤差を計測している。このとき、ウエハ枚数はＫ（＝５）、ウエハ当りショット数はＪ（＝５２）、ショット内のマーク数はＩ（＝５）であるから、マークの総数はＫ×Ｊ×Ｉ（＝１３００）個あり、各データには、ショット中心位置座標（Ｘ_j ，Ｙ_j ）、ショット中心を原点とするマーク位置座標（Ｕ_i ，Ｖ_i ）の位置情報、データの属するウエハｋ、ショットｊおよびマークｉ、の属性情報が付随している。
【００４９】
ここで、第１実施例と同様にマークやショットの位置情報を用いた直交モード分析と、分析で得たモードゲインおよび残差の直交配置ベクトルによる分散分析によって、表７に示す分析表が得られる。この場合も、右下の値（１７０．５１ｎｍ² ）が計測データｘの自乗平均値である。なお、各列の統計的モードの意味は、［＊，＊，＊］が全平均、［ｋ，＊，＊］が第１因子の級間変動、［＊，j ，＊］が第２因子の級問変動、［＊，＊，ｉ］が第３因子の級間変動、［ｋ，j ，＊］が第１因子と第２因子の交互作用、［ｋ，＊，ｉ］が第１因子と第３因子の交互作用、［＊，j ，ｉ］が第２因子と第３因子の交互作用、［ｋ，ｊ，ｉ］が残差である。
【００５０】
【表７】

【００５１】
（半導体生産システムの実施例）
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００５２】
図３は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００５３】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５４】
さて、図４は本実施形態の全体システムを図３とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図４では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００５５】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図５に一例を示す様な画面のユーザーインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザーインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した露光精度の分析方法に関する情報も含まれ、また前記ソフトウエアライブラリは露光精度を分析するための最新のソフトウエアも提供する。
【００５６】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００５７】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造装置では、ウエハやレジストの精密な位置決めが必要なところに上記説明した、光学式エンコーダを用いているため、半導体デバイス製造における歩留を向上することができる。また、上記説明した遠隔保守システムによって各製造装置の保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、データに付随する位置情報と属性情報によって、各種精度のデータを系統的に分析できるので、精度の内訳を定量的に且つ詳細に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 配列再現精度を評価する検査ウエハのショット配列を示す図。
【図２】 重ね合せ精度を評価する検査ウエハのショット配列を示す図。
【図３】 半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図。
【図４】 半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図。
【図５】 ユーザーインタフェースの具体例。
【図６】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する図。
【図７】 ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
１：重ね合せマーク、２：ウエハ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to, for example, an exposure apparatus (so-called stepper) that projects and exposes a circuit pattern on a reticle surface on a wafer surface in a step-and-repeat manner when manufacturing a semiconductor element such as an IC or LSI. The present invention relates to an analysis method for data measured in order to examine various accuracies of an apparatus in an exposure apparatus (so-called scanner) that projects and exposes a circuit pattern on the surface in order by step-and-scan on a wafer surface.
[0002]
[Prior art]
Various accuracies of the exposure apparatus are measured by a method of measuring the deviation of the overlay mark transferred onto the wafer, or a method of sequentially measuring the grating marks transferred onto the entire surface of the wafer with a microscope by moving the wafer stage. Conventionally, the accuracy of the apparatus has been evaluated from the average value and standard deviation of the measurement data, and the apparatus has been adjusted based on various offset values obtained by regression analysis.
[0003]
For example, as the overlay accuracy data, data having an alignment error of shift Dx, wafer magnification Mx, and wafer rotation Ry in the X direction is assumed.
[0004]
[Expression 1]

[0005]
At this time, the coefficient estimated values D _x , M _x , and R _y of each mode were obtained as shown in the following formulas (1) to (3) by regression analysis.
[0006]
[Expression 2]

[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional analysis method, regression analysis was performed using position information attached to the measurement data, but since the square mean of the error was not analyzed quantitatively, it cannot be evaluated quantitatively, accounting for errors There were various factors. For example, in the stepper overlay accuracy, a plurality of main scale verniers drawn on the reticle are transferred at a time in the first exposure process, and in the second exposure process, the stage position is set so that the vernier verniers overlap these main scale verniers. Is exposed with a certain offset distance. At this time, these components occupying the mean square error cannot be quantitatively grasped only by obtaining the shift, wafer magnification, etc. for each wafer.
[0008]
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, systematically analyzes data of various precisions based on position information and attribute information attached to measurement data, and grasps the breakdown of precision quantitatively and in detail. Objective.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention acquires an analysis target as an analysis target vector including a product of a shape mode vector and a mode gain based on information obtained from an overlay mark formed on a substrate, and the shape An accuracy analysis method for an exposure apparatus, which is performed by extracting the mode gain from a mode vector and the analysis target vector, and acquires information on the position and attribute of the mark from overlay marks formed on a plurality of substrates Obtaining an analysis target as an analysis target vector including a product of a shape mode vector and a mode gain based on information on the position and attribute of the mark, and a sum of squares or a mean square value of the analysis target vectors. Orthogonal mode analysis to extract the mode gain and the mode obtained by the analysis And performing the analysis of variance for separating the gain to the orthogonal arrangement mode, characterized in that it comprises a and a step of evaluating the accuracy of the analysis results obtained from the exposure apparatus.
According to another aspect of the present invention, there is provided an accuracy analysis method for analyzing the accuracy of an exposure apparatus based on information obtained from marks formed on a plurality of substrates. Information on the attribute of the mark including at least one of the information representing the shot to which the shot belongs and the information representing the type of the mark and the position measurement data of the mark, and the position based on the position measurement data of the mark The method includes a step of analyzing the mean square value of the measurement data in association with the attribute and shape mode of the mark, and a step of analyzing the accuracy of the exposure apparatus based on the analysis result.
[0010]
In other words, for example, it is possible to perform analysis using the accompanying information of the wafer, shot, and mark data to which the data belongs, and provide effective information for evaluation of apparatus performance and apparatus adjustment for the square average of measurement data. Become.
[0011]
Here, the step of analyzing the mean square value will be specifically described. For example, information (x _i , y _i ) regarding the position of each mark (i = 1 to N) is represented in a column vector of N rows and 2 columns, Various shape modes derived from this, for example, a vector that squares each element, is added, and a mode coefficient for each mode is obtained by regression analysis using these shape modes. That is, column vectors that are orthogonal to each other are obtained based on these shape mode vectors, thereby extracting the sum of squares or the mean of squares of the measurement values to be analyzed.
[0012]
Further, the obtained mode coefficient is subjected to an analysis of variance using the orthogonal arrangement vector of the main effect or interaction obtained from the orthogonal arrangement from the attribute information, and the mean square value of the entire data is separated into each shape mode and various attributes.
[0013]
The semiconductor device manufacturing method of the present invention includes a step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including an exposure apparatus in a semiconductor manufacturing factory, and a step of analyzing the accuracy of the exposure apparatus by the method of the present invention. And a process of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using a manufacturing apparatus group. As a result, it is possible to finely evaluate the apparatus performance and adjust the apparatus, and to manufacture a precise semiconductor device. At this time, information relating to at least one of the manufacturing apparatus groups may be data-communicated between the process of connecting the manufacturing apparatus groups via the local area network and the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing factory. In addition, access to the database provided by the vendor or user of the manufacturing equipment via an external network to obtain maintenance information of the manufacturing equipment through data communication, or an external network between the semiconductor manufacturing factory and another semiconductor manufacturing factory Production management may be performed through data communication.
[0014]
A device manufacturing apparatus maintenance method according to the present invention is a maintenance method for an exposure apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory, and a vendor or user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing factory. A process, a process of permitting access to the maintenance database from the semiconductor manufacturing factory via an external network, and a process of transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory via the external network. It is characterized by.
[0015]
[Action]
By analyzing the accuracy of the exposure apparatus by the above method, the mean square value of the data can be analyzed in detail by the position information and attribute information accompanying the data, so that the main cause of the error can be grasped quantitatively. It becomes possible.
[0016]
【Example】
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is an example of a shot layout when evaluating the array reproduction accuracy. In the figure, reference numeral 1 denotes an overlay mark for evaluating the array reproduction accuracy, and 2 denotes a wafer for evaluating the array reproduction accuracy.
[0017]
In the evaluation of the array reproduction accuracy, in the first exposure process, 16 shots per wafer are transferred at a step pitch of 22 mm. In the subsequent second exposure process, an overlay mark 1 is formed by superimposing a vernier on the main scale at one point in the shot transferred in the first exposure process. This is performed continuously on the four wafers 2 and the overlay error is measured.
Tables 1 and 2 show the data obtained at this time.
[0018]
[Table 1]

[0019]
[Table 2]

[0020]
Information obtained from one overlay mark is recorded in each row, and the first column is the overlay mark number. Since the number of wafers is K (= 4) and the number of reshots per wafer is J (= 16), the number of marks is K × J (= 64). The second column (k) is the wafer number, the third column (j) is the shot number, the fourth column (X) and the fifth column (Y) are the mark position coordinates X _j , with the wafer center as the origin. Y _j , the sixth column (x) and the seventh column (y) are measurement values in the X and Y directions of the overlay error. That is, the information of the obtained overlay mark is accompanied by the position information of the mark position coordinates (X _j , Y _j ) with the wafer center as the origin, the attribute information of the wafer k to which the data belongs, and the shot j. Next, the measurement values x _j and y _j are analyzed for each shape mode vector as in the conventional case. Here, as an example, the measured value x _j is analyzed.
[0021]
Table 3 shows original mode vectors when the 0th order (shift), X1st order (wafer magnification), Y1st order (wafer rotation), X2nd order, and X3th order are set as the shape mode.
[0022]
[Table 3]

[0023]
When this original mode vector is used in the analysis of this embodiment, the column vectors must be orthogonal to each other. This is because the mean square value mean (x ² ) of the measured values cannot be separated independently for each shape mode unless orthogonalization is performed. If a higher-order vector (for example, X ² ) of position coordinates is set as the shape mode vector, or if the shot arrangement is not symmetric, not all shape mode vectors are orthogonal to each other. (Normally, simple modes are prioritized.) The residuals excluding high-priority mode components are orthogonalized using a new mode, and the inner product of each shape mode vector becomes N elements. Like that. Alternatively, it may be converted to an orthonormal vector using the Schmidt orthogonalization method and multiplied by the square root of the number N of elements. Table 4 is an orthogonalization of the original mode vector shown in Table 3.
[0024]
[Table 4]

[0025]
Now, it is assumed that a measurement value x to be analyzed is given as an N-dimensional vector, and the vector x is represented by a linear sum of n shape mode vectors Φ _i (i = 1 to n) and an error e. Here, the amount of each shape mode vector included in the measurement value x is referred to as “mode gain (a)”.
[0026]
[Equation 3]

[0027]
In Equation (5), E is a column vector in which all N elements are 1, and e is a residual (column vector). Now, what is desired by analysis is each mode gain a. Therefore, for the above equation (5), if the inner product with the unit vector E is taken,
[0028]
[Expression 4]

Also, if the inner product with the shape mode vector Φ _k is taken,
[0029]
[Equation 5]

[0030]
Therefore, each mode gain a _i can be easily obtained from the equations (5) and (6). At this time, the mean square value of the vector x is
[0031]
[Formula 6]

It becomes.
[0032]
As described above, by using the “orthogonal vector”, it is possible to extract each mode gain included in the mean square value (the sum of the variance and the square of the mean value) of the data (vector) to be analyzed.
[0033]
Table 5 shows a result of obtaining a mode gain obtained by analyzing the wafer measurement data x shown in FIG. 1 using the shape mode vector shown in Table 4 for each wafer.
[0034]
[Table 5]

[0035]
Since the mode analysis by the orthogonal vector is a method of analyzing one set of data (for example, data obtained from one wafer), one component is obtained for each set. However, if the number of sheets is increased, component values can be obtained for the number of sheets. Further, when data is taken by a plurality of apparatuses, a component value “number × number of sheets” is obtained. The component values obtained in this way are also a set of data, but can no longer be explained by shape mode vectors based on position information. Therefore, each mode gain and residual are analyzed by a variance analysis technique, and K × J data having two kinds of attributes (wafer, shot) are analyzed by n statistical orthogonal arrangement vectors. At this time, it is considered that the data model is formed by superimposing the shape modes indicating the causes at various ratios.
[0036]
[Expression 7]

At this time, the sum of squares of the data is as follows.
[0037]
[Equation 8]

[0038]
Looking at the above equation (10), it can be seen that it is classified into components and residuals of each shape mode, so each mode gain is expressed as in the following equation (11).
[0039]
[Equation 9]

Next, the sum of squares of each shape mode vector is obtained.
[0040]
[Expression 10]

Subsequently, the residual is expressed as the following equation (13).
[0041]
[Expression 11]

[0042]
Similarly, the sum of squares of the residual is obtained. Since the orthogonal arrangement vectors shown in each arc are orthogonal to each other, many terms become zero.
[0043]
[Expression 12]

[0044]
From the equations (12) and (14), the sum of squares of the data is expressed as follows. Note that the mean square of data may be divided by the number of data (KJ).
[0045]
[Formula 13]

[0046]
Table 6 shows the result of analyzing the root mean square value of the wafer measurement data x shown in FIG. In the analysis table, the vertical and horizontal totals are displayed in the lower right, and (89.60 nm ² ) is the mean square value of the measurement data x. The vertical system is the analysis in the shape mode based on the position information, and the upper item is the higher priority mode, and the item “Other” indicates the residual analyzed in the shape mode. On the other hand, the horizontal system is a statistical orthogonal arrangement mode. Both vertical and horizontal modes are vectors that are orthogonal to each other, but the vertical shape mode is determined by the analyst's insight and other modes that are not orthogonal are forced. Is orthogonalized. On the other hand, the horizontal orthogonal mode is determined from the type of data attribute (wafer shot), and there are as many as 2 raised to the power of the number of attribute types. The meaning of the statistical mode of each column is [*, *] is the total average, [k, *] is the inter-class variation of the first factor, and [*, j] is the inter-class variation of the second factor. , [K, j] are residuals.
[0047]
[Table 6]

[0048]
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 shows an example of a shot layout when the overlay accuracy is evaluated. In the figure, 1 is an overlay mark for evaluating overlay accuracy, and 4 is a wafer for evaluating overlay accuracy. In this example, in the first exposure process, 52 shots per wafer are continuously transferred to 5 wafers at a step pitch of 22 mm, developed, and then wafers are chucked on the stage one by one. In order to correct the wafer shift error, wafer rotation error, and wafer magnification error caused by the developing process, a plurality of extracted alignment marks are measured to measure the wafer shift error, wafer rotation error, and wafer. In the second exposure process that is performed subsequently, the sub-scale overlay exposure is performed on the five main scales in the shot transferred in the first exposure process. An overlay mark 3 is formed. This is continuously performed on the four wafers 4 to measure the overlay error. At this time, since the number of wafers is K (= 5), the number of shots per wafer is J (= 52), and the number of marks in a shot is I (= 5), the total number of marks is K × J × I (= 1300). And each piece of data includes shot center position coordinates (X _j , Y _j ), position information of mark position coordinates (U _i , V _i ) with the shot center as the origin, wafer k to which the data belongs, shot j and The attribute information of the mark i is attached.
[0049]
Here, as in the first embodiment, an analysis table shown in Table 7 is obtained by orthogonal mode analysis using position information of marks and shots and analysis of variance by orthogonal arrangement vectors of the mode gain and residual obtained in the analysis. It is done. Also in this case, the lower right value (170.51 nm ² ) is the root mean square value of the measurement data x. The statistical mode of each column means that [*, *, *] is the total average, [k, *, *] is the interclass variation of the first factor, and [*, j, *] is the second factor. Class variation, [*, *, i] is the inter-class variation of the third factor, [k, j, *] is the interaction between the first factor and the second factor, and [k, *, i] is the first. The interaction between the factor and the third factor, [*, j, i] is the interaction between the second factor and the third factor, and [k, j, i] is the residual.
[0050]
[Table 7]

[0051]
(Example of semiconductor production system)
Next, an example of a production system for semiconductor devices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micromachines, etc.) will be described. In this method, maintenance services such as troubleshooting, periodic maintenance, and software provision for manufacturing apparatuses installed in a semiconductor manufacturing factory are performed using a computer network outside the manufacturing factory.
[0052]
FIG. 3 shows the entire system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business office of a vendor (apparatus supply manufacturer) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing factory, for example, equipment for a pre-process (lithography apparatus such as an exposure apparatus, a resist processing apparatus, an etching apparatus, a heat treatment apparatus, a film forming apparatus, and a planarization Equipment) and post-process equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.). The office 101 includes a host management system 108 that provides a maintenance database for manufacturing apparatuses, a plurality of operation terminal computers 110, and a local area network (LAN) 109 that connects these to construct an intranet. The host management system 108 includes a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the office, and a security function for restricting access from the outside.
[0053]
On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of semiconductor manufacturers as users of manufacturing apparatuses. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers, or may belong to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 that connects them to construct an intranet, and host management as a monitoring apparatus that monitors the operating status of each manufacturing apparatus 106 are provided. A system 107 is provided. The host management system 107 provided in each factory 102 to 104 includes a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, it becomes possible to access the host management system 108 on the vendor 101 side from the LAN 111 of each factory via the Internet 105, and only a limited user is permitted to access by the security function of the host management system 108. Specifically, status information (for example, a symptom of a manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) indicating the operating status of each manufacturing apparatus 106 is notified from the factory side to the vendor side via the Internet 105, and corresponding to the notification. Maintenance information such as response information (for example, information for instructing a coping method for trouble, coping software or data), latest software, help information, etc. can be received from the vendor side. A communication protocol (TCP / IP) generally used on the Internet is used for data communication between the factories 102 to 104 and the vendor 101 and data communication on the LAN 111 in each factory. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a high-security dedicated line network (such as ISDN) without being accessible from a third party. The host management system is not limited to the one provided by the vendor, and the user may construct a database and place it on an external network, and allow access to the database from a plurality of factories of the user.
[0054]
FIG. 4 is a conceptual diagram showing the overall system of this embodiment cut out from an angle different from that in FIG. In the previous example, a plurality of user factories each equipped with a manufacturing apparatus and a management system of a vendor of the manufacturing apparatus are connected via an external network, and production management of each factory or at least one unit is performed via the external network. Data communication of manufacturing equipment was performed. On the other hand, in this example, a factory equipped with a plurality of vendors' manufacturing devices and a management system of each vendor of the plurality of manufacturing devices are connected via an external network outside the plant, and maintenance information for each manufacturing device is obtained. Data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing factory of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing apparatus that performs various processes on the manufacturing line of the factory. 204 has been introduced. In FIG. 4, only one manufacturing factory 201 is depicted, but actually, a plurality of factories are similarly networked. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, vendors (apparatus supply manufacturers) such as an exposure apparatus manufacturer 210, a resist processing apparatus manufacturer 220, and a film forming apparatus manufacturer 230 have host management systems 211, 221 for remote maintenance of supplied devices. 231 and these comprise a maintenance database and an external network gateway as described above. The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the vendor management systems 211, 221, and 231 of each device are connected by the external network 200, which is the Internet or a dedicated line network. In this system, if a trouble occurs in any one of a series of production equipment on the production line, the operation of the production line is suspended, but remote maintenance via the Internet 200 is received from the vendor of the troubled equipment. This enables quick response and minimizes production line outages.
[0055]
Each manufacturing apparatus installed in the semiconductor manufacturing factory includes a display, a network interface, and a computer that executes network access software stored in a storage device and software for operating the apparatus. The storage device is a built-in memory, a hard disk, or a network file server. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 5 on the display. The operator who manages the manufacturing apparatus in each factory refers to the screen while referring to the screen of the manufacturing apparatus (401), serial number (402), trouble subject (403), date of occurrence (404), urgency (405), Information such as symptom (406), coping method (407), progress (408), etc. is input to the input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and appropriate maintenance information as a result is returned from the maintenance database and presented on the display. The user interface provided by the web browser further realizes a hyperlink function (410 to 412) as shown in the figure, and the operator can access more detailed information on each item or use the software library provided by the vendor for the manufacturing apparatus. The latest version of software can be pulled out, and operation guides (help information) can be pulled out for reference by factory operators. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes information on the above-described exposure accuracy analysis method, and the software library also provides the latest software for analyzing the exposure accuracy.
[0056]
Next, a semiconductor device manufacturing process using the production system described above will be described. FIG. 6 shows the flow of the entire manufacturing process of the semiconductor device. In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask on which the designed circuit pattern is formed is produced. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and is an assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), etc. Process. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the remote maintenance system described above. In addition, information for production management and apparatus maintenance is communicated between the pre-process factory and the post-process factory via the Internet or a dedicated network.
[0057]
FIG. 7 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed onto the wafer by exposure using the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing apparatus used in each process uses the optical encoder described above where precise positioning of the wafer and resist is necessary, the yield in semiconductor device manufacturing can be improved. In addition, since each manufacturing apparatus is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented in advance and rapid recovery is possible even if troubles occur. Can be improved.
[0058]
【The invention's effect】
According to the present invention, since data of various accuracy can be systematically analyzed based on position information and attribute information accompanying the data, the breakdown of accuracy can be grasped quantitatively and in detail.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a shot arrangement of inspection wafers for evaluating arrangement reproduction accuracy.
FIG. 2 is a view showing a shot arrangement of an inspection wafer for evaluating overlay accuracy.
FIG. 3 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from an angle.
FIG. 4 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from another angle.
FIG. 5 is a specific example of a user interface.
FIG. 6 is a diagram for explaining a flow of a device manufacturing process.
FIG. 7 is a diagram illustrating a wafer process.
[Explanation of symbols]
1: Overlay mark, 2: Wafer.

Claims (8)

A step of measuring an overlay error of a mark formed on the substrate, and acquiring it in association with information related to a preset mark position and information;
When the overlay error of a plurality of marks is expressed by a polynomial including a vector and a coefficient determined by information on the position of the mark,
Calculating the coefficient by regression analysis based on the measurement result of the overlay error of a plurality of marks and information on the position of the marks;
By the analysis of variance based on the calculated coefficient and information on the attribute of the mark, the sum of squares or the mean square value of the overlay error of the plurality of marks is set as a plurality of values corresponding to the attribute of the mark for each coefficient. Extracting, and
An accuracy analysis method for an exposure apparatus, comprising: The accuracy analysis method according to claim 1, wherein the accuracy of the exposure apparatus is at least one of overlay accuracy, alignment accuracy, array reproducibility, stepping accuracy, lens distortion accuracy , and telecentricity. 3. The accuracy analysis method according to claim 1, wherein the information on the mark position includes at least one of a shot center position coordinate on a wafer plane and a mark position coordinate having each shot center as an origin. . 4. The information relating to the attribute of the mark includes at least one of information representing a wafer to which the mark belongs, information representing a shot to which the mark belongs, and information representing a mark type in the shot. The accuracy analysis method according to any one of the above. The accuracy analysis method according to claim 1, wherein the vectors of the polynomials are orthogonal to each other . 2. The method according to claim 1, wherein when the analysis of variance is performed, column vectors orthogonal to each other are obtained based on information on the attribute of the mark, and the coefficients are separated into a plurality of values using the column vector. The accuracy analysis method described. When the test pattern of the original is imaged on the substrate by the projection optical system and the accuracy of the exposure apparatus is analyzed by measuring a plurality of marks transferred to the substrate, information on the position and attributes of the mark is used. An accuracy analysis method comprising a step of separating a mean square value of mark measurement data transferred to the substrate in association with an attribute and a shape mode of the mark . A step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus in a semiconductor manufacturing factory, and a step of analyzing the accuracy of the exposure apparatus by the method according to claim 1. A device manufacturing method, wherein a semiconductor device is manufactured by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group.

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