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JP4839019B2 - Substrate processing system, substrate processing method, program, and storage medium - Google Patents
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JP4839019B2 - Substrate processing system, substrate processing method, program, and storage medium - Google Patents

Substrate processing system, substrate processing method, program, and storage medium Download PDF

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Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体に関し、特に、所定の枚数の基板を格納する密閉容器を用いる基板処理システム、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing system, the substrate processing method, a flop Rogura arm及 beauty storage medium, in particular, a substrate processing system using a closed vessel for storing a substrate of a predetermined number, the substrate processing method, flop Rogura arm及 beauty storage medium About.

成膜処理、エッチング処理等のプラズマ処理が施される半導体ウエハ等の基板の搬送は、基板への塵芥の付着を防止するため、清浄な雰囲気中で行う必要がある。したがって、従来の基板処理システムは、空気清浄機等によって全体が清浄な雰囲気に維持される室内、例えば、クリーンルームに配置されていた。   A substrate such as a semiconductor wafer subjected to plasma processing such as film formation or etching needs to be transported in a clean atmosphere in order to prevent dust from adhering to the substrate. Therefore, the conventional substrate processing system is disposed in a room, for example, a clean room, which is maintained in a clean atmosphere by an air cleaner or the like.

ところが、近年、半導体ウエハの回路の微細化が飛躍的に進んだため、クリーンルームの清浄度の要求レベルが急激に高まり、例えば、除去すべき塵芥の大きさは0.1μm程度にまで微小化しているが、従来のクリーンルームでは空気清浄機の能力の限界及びコストの観点から、上記要求レベルまで清浄度を高めることが困難であった。   However, in recent years, the miniaturization of the circuit of the semiconductor wafer has progressed drastically, and the required level of cleanliness in the clean room has rapidly increased. For example, the size of dust to be removed has been reduced to about 0.1 μm. However, it has been difficult to increase the cleanliness to the required level in the conventional clean room from the viewpoint of the limit of the capacity of the air cleaner and the cost.

そこで、基板を搬送するときは、所定の枚数、例えば、25枚の基板を格納して周辺雰囲気から隔離するポッド(pod)を用い、基板へプラズマ処理を施すときは、プラズマ処理装置内への塵芥の進入を防止しつつ、ポッドから基板を取り出してプラズマ処理装置内へ搬入する基板処理システムが用いられている。この基板処理システムは、クリーンルームの清浄度を上記要求レベルまで高めることなく、0.1μm程度の塵芥が基板に付着するのを防止できる。   Therefore, when transporting the substrates, a pod that stores a predetermined number of, for example, 25 substrates and isolates them from the surrounding atmosphere is used. 2. Description of the Related Art A substrate processing system that removes a substrate from a pod and carries it in a plasma processing apparatus while preventing dust from entering is used. This substrate processing system can prevent dust of about 0.1 μm from adhering to the substrate without raising the cleanliness of the clean room to the required level.

上述した基板処理システムではポッドから基板を取り出す装置として、SMIF(Standard of Mechanical Interface)が用いられる。図9(A)において、SMIF70は、プラズマ処理装置(図示せず)が有するカセットチャンバ(以下「C/C」という。)71の前面に配置され、該C/C71に連通する箱状の密閉室であるエンクロージャ72と、該エンクロージャ72の前面に配置されるポッド載置部73と、エンクロージャ72内の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット(図示せず)とを備える(例えば、非特許文献1参照。)。   In the substrate processing system described above, a SMIF (Standard of Mechanical Interface) is used as an apparatus for taking out a substrate from a pod. 9A, the SMIF 70 is disposed in front of a cassette chamber (hereinafter referred to as “C / C”) 71 included in a plasma processing apparatus (not shown), and is a box-shaped hermetically communicating with the C / C 71. An enclosure 72 that is a chamber, a pod placement unit 73 disposed on the front surface of the enclosure 72, and a fan filter unit (not shown) that keeps the atmosphere in the enclosure 72 clean (for example, Non-Patent Document 1). reference.).

ポッド載置部73は、図中上方にスライドする逆升状のスライドカバー74と、ポッド75が載置されるポッド台76とを有し、エンクロージャ72は、後述の基板カセット77をポッド載置部73及びC/C71の間で搬送する搬送アーム78を有する。   The pod placement unit 73 includes an inverted saddle-shaped slide cover 74 that slides upward in the drawing and a pod stand 76 on which the pod 75 is placed. The enclosure 72 places a substrate cassette 77 described later on the pod. It has the conveyance arm 78 conveyed between the part 73 and C / C71.

SMIF70では、図9(B)及び(C)に示すように、ポッド75から基板を取り出す際、スライドカバー74が上方にスライドしてポッド75からポッドカバー79を持ち上げて、ポッド75から基板カセット77を分離させる。このとき、基板カセット77が留め置かれる、スライドカバー74とポッド台76で形成される空間は、エンクロージャ72の前面に配置されたスライドドア(図示せず)を介してエンクロージャ72内部と連通し、ファンフィルタユニットによって清浄化される。その後、搬送アーム78がポッド台76上の基板カセット77をC/C71内へ搬入する。また、プラズマ処理済みの基板が格納される基板カセット77は上述した手順と逆の手順でポッド75に格納され、該ポッド75はポッド台76に載置される。
“CX−PAL47号”、[online]、ソニー株式会社、[平成16年7月22日検索]、インターネット<URL:http://www.sony.co.jp/Products/SC-HP/cx_pal/vol47/pdf/cxeye.pdf >
In the SMIF 70, as shown in FIGS. 9B and 9C, when taking out the substrate from the pod 75, the slide cover 74 slides upward to lift the pod cover 79 from the pod 75, and from the pod 75 to the substrate cassette 77. To separate. At this time, the space formed by the slide cover 74 and the pod stand 76 in which the substrate cassette 77 is retained communicates with the inside of the enclosure 72 via a slide door (not shown) disposed on the front surface of the enclosure 72. It is cleaned by the fan filter unit. Thereafter, the transfer arm 78 carries the substrate cassette 77 on the pod stand 76 into the C / C 71. Further, the substrate cassette 77 in which the plasma-treated substrate is stored is stored in the pod 75 in the reverse order of the above-described procedure, and the pod 75 is placed on the pod stand 76.
"CX-PAL47", [online], Sony Corporation, [searched July 22, 2004], Internet <URL: http://www.sony.co.jp/Products/SC-HP/cx_pal/ vol47 / pdf / cxeye.pdf>

しかしながら、上述した基板処理システムでは、作業者がポッド台76に載置されたプラズマ処理済みの基板が格納されるポッド(以下「処理済みのポッド」という。)75を未処理の基板が格納されるポッド(以下「未処理のポッド」という。)75と手作業によって交換する必要がある。   However, in the substrate processing system described above, an unprocessed substrate is stored in a pod (hereinafter referred to as “processed pod”) 75 in which an operator stores a plasma-processed substrate placed on a pod stand 76. Pod (hereinafter referred to as “unprocessed pod”) 75 must be replaced manually.

特に、基板処理のスループットを向上させるためには、処理済みのポッド75と未処理のポッド75とを素早く交換する必要があるために、基板処理システムが基板にプラズマ処理を施している間、作業者は未処理のポッド75を抱えてSMIF70の側に待機する必要があるが、近年、基板のサイズが大きくなり、1つのポッド75の重量が増加したため、作業者の負担が増えるという問題があった。   In particular, in order to improve the throughput of the substrate processing, it is necessary to quickly exchange the processed pod 75 and the unprocessed pod 75. Therefore, while the substrate processing system is performing plasma processing on the substrate, the work is performed. Although it is necessary for a person to hold the unprocessed pod 75 and wait on the SMIF 70 side, in recent years, the size of the substrate has increased, and the weight of one pod 75 has increased, which increases the burden on the operator. It was.

一方で、作業者の負担を増やさないために、作業者がSMIF70の側に待機しない場合、処理済みのポッド75がポッド台76に載置された後、作業者が複数の未処理のポッド75が格納されているストッカ(図示せず)から1の未処理のポッド75を運び出し、該ポッド75を処理済みのポッド75と交換するため、基板処理のスループットが著しく低下するという問題がある。   On the other hand, in order not to increase the burden on the worker, when the worker does not stand by on the SMIF 70 side, after the processed pod 75 is placed on the pod stand 76, the worker has a plurality of unprocessed pods 75. Since one unprocessed pod 75 is carried out from a stocker (not shown) in which is stored, and the pod 75 is replaced with a processed pod 75, there is a problem that the substrate processing throughput is significantly reduced.

本発明の目的は、クリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく、基板を収容したカセットを円滑に搬送して、基板処理のスループットを向上することができる基板処理システム、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体を提供することにある。 The purpose of the present invention is to prevent dust from adhering to the substrate without increasing the cleanliness of the clean room to a predetermined level , and smoothly transport the cassette containing the substrate without increasing the burden on the operator , the substrate processing system capable of improving the throughput of the substrate processing substrate processing method to provide a flop Rogura arm及 beauty storage medium.

上記目的を達成するために、請求項1記載の基板処理システムは、所定の雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、前記基板処理装置で処理する複数の基板又は処理された複数の基板を収容したカセットが格納される密閉容器を収容する密閉容器保管装置と、前記基板処理装置に接続される密閉室、前記密閉室の内部の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット、及び、前記密閉室を経由して前記密閉容器保管装置と前記基板処理装置との間で前記カセットを搬送する基板搬送アーム、を備える基板搬出入装置と、を備える基板処理システムにであって前記密閉容器保管装置は、前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うために前記密閉容器が載置される載置台と、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管手段と、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第2の密閉容器保管手段と、前記密閉容器を、前記第1の密閉容器保管手段前記載置台の間、及び、前記載置台前記第2の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを有し、前記基板搬送アームは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動によって前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing system according to claim 1 is a substrate processing apparatus for performing plasma processing on a substrate in a predetermined atmosphere, and a plurality of substrates processed by the substrate processing apparatus or a plurality of processed substrates. a closed container storage device for containing the closed container cassette accommodating the substrate is stored, tightly closed from said Ru is connected to the substrate processing apparatus, a fan filter unit to maintain the internal atmosphere of the sealed chamber clean, and the sealing a is a substrate processing system including through the chamber and the hermetic container storage apparatus, and a substrate loading and unloading apparatus comprising a substrate transport arm, which transports the cassette between the substrate processing apparatus, the sealed container storage apparatus, the mounting table in which the sealed container is placed in order to perform the storage of the cassette into the take-out and the sealed container of the cassette from the sealed container, Storing a first closed container storage means for storing said sealed container for storing the cassette accommodating the substrate whose serial plasma processing has not been performed, the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment has been performed a second closed container storage means for storing said closed container, said closed container, between the first closed container storage means and the mounting table, and, said mounting base and said second closed container storage means possess a closed container transfer means for transferring between the said substrate transport arm has a portal shape, provided with a mounting portion for mounting the cassette in a lower portion, a fulcrum provided in the upper portion The cassette is placed on the mounting portion and transported between the mounting table and the substrate processing apparatus by a pendulum motion centered .

請求項2記載の基板処理システムは、請求項1記載の基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に接続され、前記プラズマ処理の処理内容を設定する処理内容設定装置と、前記基板処理装置に接続され、前記処理内容設定装置において設定された処理内容に基づいて前記基板処理装置の動作を制御し、且つ前記基板処理装置を介した通信によって前記基板搬出入装置及び前記密閉容器保管装置の動作を制御する制御装置とを備えることを特徴とする。   The substrate processing system according to claim 2 is the substrate processing system according to claim 1, connected to the substrate processing apparatus, connected to the substrate processing apparatus, and a processing content setting device for setting processing contents of the plasma processing. The operation of the substrate processing apparatus is controlled based on the processing content set in the processing content setting apparatus, and the operations of the substrate carry-in / out apparatus and the sealed container storage apparatus are controlled by communication via the substrate processing apparatus. And a control device.

請求項3記載の基板処理システムは、請求項1又は2記載の基板処理システムにおいて、前記密閉容器保管装置及び前記基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び前記基板処理装置は互いに通信可能に接続され、前記密閉容器保管装置が、前記密閉容器が前記第1の密閉容器保管手段から前記載置台に移送されたことを、前記基板搬出入装置を介して前記基板処理装置に通知すると、前記制御装置は、前記基板処理装置に前記処置内容設定装置において他の前記密閉容器に格納される基板に施される前記プラズマ処理の処理内容を設定可能にさせることを特徴とする。   The substrate processing system according to claim 3 is the substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein the sealed container storage device and the substrate carry-in / out device, and the substrate carry-in / out device and the substrate processing device can communicate with each other. Connected and when the closed container storage device notifies the substrate processing apparatus via the substrate carry-in / out device that the closed container has been transferred from the first closed container storage means to the mounting table, The control device enables the substrate processing apparatus to set the processing content of the plasma processing applied to the substrate stored in another sealed container in the treatment content setting device.

請求項4記載の基板処理方法は、基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、ファンフィルタユニットによって内部が清浄雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法であって、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し保管する第2の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管され前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする。 The substrate processing method according to claim 4, wherein, in a closed container storage device storing a closed container for storing a cassette accommodating a substrate, is placed on the mounting table said closed container, taken out of the cassette from the sealed container and wherein the cassette is taken out storing step and stores this in the cassette into the closed container, the mounting table of the hermetic container storage apparatus the cassette via a sealed chamber inside is maintained in a clean atmosphere by the fan filter unit and the substrate a cassette conveying step of conveying between the processing device, the substrate taken out from the cassette is carried into the substrate processing apparatus comprising a substrate processing method and a substrate processing step of performing up plasma treatment, the sealed container storage in the apparatus, the sealed containers for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma processing has not been performed A first closed container storage step storing, in the hermetic container storage device, the storing the sealed vessel for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment has been performed by removing from the mounting table and 2 of the sealed container storage step, in the hermetic container storage device, before the sealed container to store the cassette in which the plasma treatment has been stored in said first closed container storage step accommodating the substrate not subjected possess a sealed container transfer step of transferring to the mounting table, in the cassette carrying step, it has a portal shape, provided with a mounting portion for mounting the cassette on the bottom, about a fulcrum provided in the upper portion the cassette carrying arm to carry out a pendulum motion to, benzalkonium be conveyed by placing the cassette on the placement section between the mounting table the substrate processing apparatus The features.

請求項記載のプログラムは、基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、ファンフィルタユニットによって内部が清浄雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記基板処理方法は、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し保管する第2の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管され前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする。 Claim 5, wherein the program is in a closed container storage device storing a closed container for storing a cassette accommodating a substrate, wherein the sealed container was placed on the stage, extraction and the sealing of the cassette from the sealed container a cassette take-out storage step performs storing of the cassette into the vessel, the mounting table and the substrate processing apparatus prior to the hermetic container storage apparatus the cassette via a sealed chamber inside is maintained in a clean atmosphere by the fan filter unit a program for executing a substrate processing method in a computer having a substrate processing step of a cassette conveying step of conveying, the flop plasma process on a substrate taken out from the substrate processing apparatus in the loaded the cassette applied in between, the substrate processing method, in the sealed container storage device, said have plasma treatment is performed And have the sealed container first closed container storage step storing of storing the cassette accommodating the substrate, in the hermetic container storage device for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment has been performed a second closed container storage step storing and removing the closed container from the mounting table, wherein in a sealed container storage device, the said first of said plasma processing stored in a sealed container storage step is not performed It possesses a sealed container transfer step of transferring the sealed container for storing the cassette accommodating the substrate to the mounting table, in the cassette conveying step has a gate-like shape, placing the cassette in the lower The mounting table and the substrate processing apparatus are provided by a cassette transfer arm that includes a mounting portion and performs a pendulum motion around a fulcrum provided at an upper portion. It characterized that you conveyed by placing the cassette on the placement section between.

請求項記載の記憶媒体は、基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、ファンフィルタユニットによって内部が清浄雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理方法は、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し保管する第2の密閉容器保管ステップと、前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管され、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする。 Storage medium according to claim 6, wherein, in a closed container storage device storing a closed container for storing a cassette accommodating a substrate, is placed on the mounting table said closed container, taken out of the cassette from the sealed container and the a cassette take-out storage step performs storing of the cassette into the sealed container, the mounting table and the substrate processing before the closed container storage apparatus the cassette via a sealed chamber inside is maintained in a clean atmosphere by the fan filter unit storing a cassette conveying step of conveying between the device, the program for executing a substrate processing method in a computer having a substrate processing step of performing up plasma process on a substrate taken out from the cassette is carried into the substrate processing apparatus a computer-readable storage medium, the substrate processing method, the sealed container storage In location, and the sealed container first closed container storage step storing of storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma processing has not been performed, in the hermetic container storage apparatus, the plasma processing is performed a second closed container storage step storing and removing the closed container for storing the cassette accommodating the substrate from the mounting table in the hermetic container storage device, stored in the first closed container storage step It was, possess a sealed container transfer step of transferring the sealed container for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment is not subjected to the mounting table, in the cassette conveying step, the gate-shape A cassette carrying part that has a placement part for placing the cassette in the lower part and performs a pendulum motion around a fulcrum provided in the upper part By the arm, it characterized that you conveyed by placing the cassette on the placement section between the mounting table the substrate processing apparatus.

請求項1記載の基板処理システム、請求項4記載の基板処理方法、請求項5記載のプログラム及び請求項6記載の記憶媒体によれば、基板を収容したカセットの搬送を清浄に保持された雰囲気内で円滑に行うことができ、基板搬出入装置の載置台に載置されている密閉容器に格納されていた基板にプラズマ処理が施されている間、作業者はプラズマ処理が施されていない基板を格納する密閉容器を第1の密閉容器保管手段に保管させることができ、プラズマ処理が施された基板が密閉容器に格納され、該密閉容器が載置台に載置されると、該密閉容器は載置台から除去されて第2の密閉容器保管手段に保管され、作業者は、該第2の密閉容器保管手段に保管された密閉容器を回収することができる。したがって、基板処理システムが配置されるクリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が基板に付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなく基板処理のスループットを向上することができる。 According to the substrate processing system according to claim 1, the substrate processing method according to claim 4, the program according to claim 5, and the storage medium according to claim 6, the atmosphere in which the conveyance of the cassette containing the substrate is kept clean. While the plasma processing is being performed on the substrate stored in the sealed container mounted on the mounting table of the substrate carry-in / out device, the operator is not performing the plasma processing. The sealed container for storing the substrate can be stored in the first sealed container storage means. When the substrate subjected to the plasma treatment is stored in the sealed container and the sealed container is mounted on the mounting table, the sealed container is stored. The container is removed from the mounting table and stored in the second sealed container storage means, and the operator can recover the sealed container stored in the second sealed container storage means. Therefore, dust can be prevented from adhering to the substrate without increasing the cleanliness of the clean room in which the substrate processing system is arranged to a predetermined level, and the throughput of the substrate processing can be improved without increasing the burden on the operator. .

請求項2の基板処理システムによれば、制御装置が、設定された処理内容に基づいて基板処理装置の動作を制御し、且つ基板処理装置を介した通信によって基板搬出入装置及び密閉容器保管装置の動作を制御するので、通信手段や他の制御装置を設けることなく、基板処理システム全体の動作の制御を行うことができる。   According to the substrate processing system of claim 2, the control device controls the operation of the substrate processing device based on the set processing content, and the substrate carry-in / out device and the sealed container storage device by communication via the substrate processing device. Therefore, the operation of the entire substrate processing system can be controlled without providing communication means or other control devices.

請求項3記載の基板処理システムによれば、密閉容器保管装置及び基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び基板処理装置は互いに通信可能に接続され、密閉容器保管装置が、密閉容器が第1の密閉容器保管手段から載置台に移送されたことを、基板搬出入装置を介して基板処理装置に通知すると、制御装置は、基板処理装置に、処置内容設定装置において他の密閉容器に格納される基板に施されるプラズマ処理の処理内容を設定可能にさせるので、基板にプラズマ処理が施されている間において、該基板が格納されていた密閉容器とは他の密閉容器に格納される基板に施されるプラズマ処理の処理内容を設定することができる。   According to the substrate processing system of the third aspect, the closed container storage device and the substrate carry-in / out device, and the substrate carry-in / out device and the substrate processing device are connected so as to be communicable with each other. When the substrate processing apparatus is informed via the substrate carry-in / out device that it has been transferred from the one closed container storage means to the mounting table, the control apparatus stores the substrate processing apparatus in another sealed container in the treatment content setting apparatus. Since the processing contents of the plasma processing performed on the substrate to be set can be set, the sealed container in which the substrate is stored is stored in another sealed container while the substrate is subjected to the plasma processing. The processing content of the plasma processing performed on the substrate can be set.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の実施の形態に係る基板処理システム及び密閉容器保管装置について説明する。   First, a substrate processing system and an airtight container storage device according to an embodiment of the present invention will be described.

図1は、本実施の形態に係る基板処理システムとしてのプラズマ処理システムの概略構成を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma processing system as a substrate processing system according to the present embodiment.

図1において、プラズマ処理システム1は、基板としての半導体ウエハWにプラズマ処理、例えばエッチング処理を施すプラズマ処理装置(基板処理装置)2と、該プラズマ処理装置2に隣接して配置され、後述のポッド3からエッチング処理が施されていない半導体ウエハ(以下「未処理の半導体ウエハ」という。)Wを取り出し、又はポッド3にエッチング処理が施された半導体ウエハ(以下「処理済みの半導体ウエハ」という。)Wを格納するSMIF(基板搬出入装置)4と、該SMIF4に隣接して配置され、SMIF4へ未処理の半導体ウエハWを格納するポッド(密閉容器)(以下、「未処理のポッド」という)3を供給し、且つSMIF4から処理済みの半導体ウエハWを格納するポッド(以下、「処理済みのポッド」という)3を回収する予備ローダ(密閉容器保管装置)5とを備える。ポッド3は、略箱状の密閉容器であり、逆升状のポッドカバーと底面が分離可能に構成され、所定の枚数、例えば、25枚の半導体ウエハWを収容するウエハカセット7を格納する。これにより、ポッド3は半導体ウエハWを周辺雰囲気から隔離する。また、ポッド3がポッドカバーと底面とに分離したとき、ウエハカセット7は底面に載置される。   In FIG. 1, a plasma processing system 1 is disposed adjacent to a plasma processing apparatus (substrate processing apparatus) 2 for performing plasma processing, for example, etching processing, on a semiconductor wafer W as a substrate, and described later. A semiconductor wafer that has not been subjected to an etching process (hereinafter referred to as “unprocessed semiconductor wafer”) W is taken out from the pod 3 or a semiconductor wafer that has been subjected to an etching process on the pod 3 (hereinafter referred to as “processed semiconductor wafer”). .) SMIF (substrate loading / unloading device) 4 for storing W and a pod (sealed container) that is arranged adjacent to SMIF 4 and stores unprocessed semiconductor wafer W in SMIF 4 (hereinafter referred to as “unprocessed pod”) 3) and a pod for storing the processed semiconductor wafer W from the SMIF 4 (hereinafter referred to as “processed pod”) ) And a pre-loader (closed container storage device) 5 for recovering 3. The pod 3 is a substantially box-shaped hermetic container. The pod 3 has a reverse pod-shaped pod cover and a bottom surface that can be separated from each other. The pod 3 stores a predetermined number, for example, a wafer cassette 7 that contains 25 semiconductor wafers. Thereby, the pod 3 isolates the semiconductor wafer W from the ambient atmosphere. When the pod 3 is separated into the pod cover and the bottom surface, the wafer cassette 7 is placed on the bottom surface.

プラズマ処理装置2は、半導体ウエハWにエッチング処理を施す処理室としてのプロセスチャンバ(以下「P/C」という。)6と、SMIF4から後述のウエハカセット7を受け取るカセットチャンバ(以下「C/C」という。)8と、半導体ウエハWを搬送する搬送アーム9を有するトランスファチャンバ(以下「T/C」という。)10とを備える。このプラズマ処理装置2では、P/C6、C/C8及びT/C10の内部の雰囲気は全て清浄化されている。なお、図1には示されないが、プラズマ処理装置2は、4つのP/C6と、1つのT/C10と、2つのC/C8とからなる。   The plasma processing apparatus 2 includes a process chamber (hereinafter referred to as “P / C”) 6 as a processing chamber for performing an etching process on the semiconductor wafer W and a cassette chamber (hereinafter referred to as “C / C”) that receives a wafer cassette 7 described later from the SMIF 4. 8) and a transfer chamber (hereinafter referred to as “T / C”) 10 having a transfer arm 9 for transferring the semiconductor wafer W. In this plasma processing apparatus 2, the atmosphere inside P / C6, C / C8, and T / C10 is all cleaned. Although not shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 2 includes four P / C 6, one T / C 10, and two C / C 8.

P/C6は、例えば、アルミニウム等の導電性材料により円筒状に形成された処理室11と、該処理室11の下部に接続された排気管14と、処理室11内の底面に配置され、半導体ウエハWを載置する下部電極としてのサセプタ12と、該サセプタ12に接続される高周波電源15と、サセプタ12に対向して配置され、扁平な中空円盤状に形成された上部電極としてのシャワーヘッド13と、シャワーヘッド13に接続され、処理室11の上面中央を貫通しエッチングガス供給源16に連通する供給管17と、処理室11の周囲全周に亘って周方向等間隔に配置される、永久磁石により形成された複数の円筒型磁石(図示せず)とを備える。   For example, the P / C 6 is disposed on the processing chamber 11 formed in a cylindrical shape by a conductive material such as aluminum, an exhaust pipe 14 connected to a lower portion of the processing chamber 11, and a bottom surface in the processing chamber 11. A susceptor 12 as a lower electrode on which the semiconductor wafer W is placed, a high-frequency power source 15 connected to the susceptor 12, and a shower as an upper electrode that is disposed facing the susceptor 12 and is formed in a flat hollow disk shape. A head 13, a supply pipe 17 that is connected to the shower head 13, passes through the center of the upper surface of the processing chamber 11 and communicates with the etching gas supply source 16, and is arranged at equal intervals in the circumferential direction around the entire circumference of the processing chamber 11. A plurality of cylindrical magnets (not shown) formed of permanent magnets.

処理室11は気密構造に構成され、排気管14を介して図示しない真空ポンプにより真空引きされて、例えば、1.33Pa(10−2Torr)以下の真空雰囲気を形成する。 The processing chamber 11 has an airtight structure and is evacuated by a vacuum pump (not shown) through the exhaust pipe 14 to form a vacuum atmosphere of 1.33 Pa (10 −2 Torr) or less, for example.

サセプタ12は、上面に取り付けられた静電チャック(図示せず)等のクーロン力により半導体ウエハWを吸着保持する。また、サセプタ12の半導体ウエハWが吸着保持される面の周りには、後述するプラズマを半導体ウエハWに向けて収束するフォーカスリング18が配置される。このサセプタ12には、プラズマ処理中において、高周波電源15から13.56MHzの高周波電圧が印加される。   The susceptor 12 sucks and holds the semiconductor wafer W by a Coulomb force such as an electrostatic chuck (not shown) attached to the upper surface. In addition, a focus ring 18 for converging plasma to be described later toward the semiconductor wafer W is disposed around the surface of the susceptor 12 on which the semiconductor wafer W is attracted and held. A high frequency voltage of 13.56 MHz is applied to the susceptor 12 from the high frequency power supply 15 during the plasma processing.

シャワーヘッド13は接地されており、プラズマ処理中においてグランド電位を維持する。また、供給管17から供給されたエッチングガスを処理室11内全体へ均等に噴出する。   The shower head 13 is grounded and maintains a ground potential during plasma processing. Further, the etching gas supplied from the supply pipe 17 is uniformly ejected into the entire processing chamber 11.

P/C6において、半導体ウエハWにエッチング処理を施すときは、処理室11内のサセプタ12に半導体ウエハWを載置し、処理室11内を真空引きし、静電チャックのクーロン力により半導体ウエハWをサセプタ12上に吸着保持する。次いで、供給管17からのエッチングガスをシャワーヘッド13を介して処理室11内へ供給し、エッチングガスのガス圧を例えば、1.33Pa(10−2Torr)以下の真空度に設定する。 In P / C 6, when performing an etching process on the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is placed on the susceptor 12 in the processing chamber 11, the inside of the processing chamber 11 is evacuated, and the semiconductor wafer is subjected to the Coulomb force of the electrostatic chuck. W is sucked and held on the susceptor 12. Next, the etching gas from the supply pipe 17 is supplied into the processing chamber 11 through the shower head 13, and the gas pressure of the etching gas is set to, for example, 1.33 Pa (10 −2 Torr) or less.

その後、高周波電源15からサセプタ12に13.56MHzの高周波電圧を印加し、エッチングガスを介してサセプタ12とシャワーヘッド13間でグロー放電を行い、エッチングガスからプラズマを発生させる。この時、プラズマ中の電子は反応性イオン、ラジカル(活性種)と比較して遥かに軽いため、サセプタ12へ優先的に流入し、これにより、サセプタ12が負に自己バイアスされて、サセプタ12の自己バイアス電位とプラズマ電位間で電位差が生じ、該電位差によりプラズマとサセプタ12間に上下方向の電界が形成される。   After that, a high frequency voltage of 13.56 MHz is applied from the high frequency power supply 15 to the susceptor 12, and glow discharge is performed between the susceptor 12 and the shower head 13 via the etching gas to generate plasma from the etching gas. At this time, since electrons in the plasma are much lighter than reactive ions and radicals (active species), the electrons preferentially flow into the susceptor 12, which causes the susceptor 12 to be negatively self-biased, and thus the susceptor 12. A potential difference is generated between the self-bias potential and the plasma potential, and an electric field in the vertical direction is formed between the plasma and the susceptor 12 due to the potential difference.

さらに、全円筒型磁石によって処理室11内に、水平磁場を印加し、該印加された水平磁場が上述した上下方向に形成された電界に直交して直交電磁界を形成し、直交電磁界の作用によりプラズマ中の電子がサセプタ12の近傍でサイクロイド運動をし、プラズマ中の反応性イオン等の活性種を更に活性化して高密度化されたマグネトロンによるプラズマの発生を実現する。そして、発生したプラズマは半導体ウエハWの表面をエッチングする。   Further, a horizontal magnetic field is applied to the processing chamber 11 by an all-cylindrical magnet, and the applied horizontal magnetic field forms an orthogonal electromagnetic field orthogonal to the electric field formed in the vertical direction described above. Due to the action, electrons in the plasma perform a cycloidal motion in the vicinity of the susceptor 12, and active species such as reactive ions in the plasma are further activated to generate plasma by a magnetron that has been densified. The generated plasma etches the surface of the semiconductor wafer W.

C/C8は、SMIF4における後述のウエハカセット搬送アーム27によって搬送されたウエハカセット7を受け取る受け取り台19を有する。また、C/C8は、SMIF4における後述のエンクロージャ23と連通し、さらに、ゲートバルブ20を介してT/C10に接続される。ゲートバルブ20はスライドバルブであり、ゲートバルブ20が開いたときは、C/C8とT/C10が連通し、ゲートバルブ20が閉じたときは、C/C8とT/C10との連通が遮断される。   The C / C 8 has a receiving table 19 for receiving a wafer cassette 7 transferred by a wafer cassette transfer arm 27 described later in the SMIF 4. C / C 8 communicates with an enclosure 23 (described later) in SMIF 4, and is further connected to T / C 10 via a gate valve 20. The gate valve 20 is a slide valve. When the gate valve 20 is opened, C / C8 and T / C10 communicate. When the gate valve 20 is closed, communication between C / C8 and T / C10 is cut off. Is done.

T/C10は、搬送アーム9と、T/C10内を減圧する排気管21とを有する。搬送アーム9は、スカラ型のアームであり、複数の腕部材と半導体ウエハWを担持するピックとを有し、未処理の半導体ウエハWを受け取り台19に載置されたウエハカセット7から取り出してサセプタ12に搬送し、また、処理済みの半導体ウエハWをサセプタ12から回収してウエハカセット7に格納する。排気管21は、搬送アーム9が半導体ウエハWをT/C10及びP/C6の間において搬出入するときは、T/C10内を処理室11内と同等のレベルまで減圧し、搬送アーム9が半導体ウエハWをT/C10及びC/C8の間において搬出入するときは、T/C10内をほぼ大気圧に維持する。   The T / C 10 includes a transfer arm 9 and an exhaust pipe 21 that decompresses the inside of the T / C 10. The transfer arm 9 is a SCARA-type arm, has a plurality of arm members and a pick for holding the semiconductor wafer W, takes out the unprocessed semiconductor wafer W from the wafer cassette 7 placed on the receiving table 19. The processed semiconductor wafer W is transferred to the susceptor 12 and is collected from the susceptor 12 and stored in the wafer cassette 7. When the transfer arm 9 loads and unloads the semiconductor wafer W between the T / C 10 and P / C 6, the exhaust pipe 21 depressurizes the inside of the T / C 10 to a level equivalent to that in the processing chamber 11. When the semiconductor wafer W is loaded / unloaded between T / C 10 and C / C 8, the inside of the T / C 10 is maintained at substantially atmospheric pressure.

また、T/C10は、ゲートバルブ22を介してP/C6に接続される。ゲートバルブ22はスライドバルブであり、ゲートバルブ22が開いたときは、T/C10とP/C6の処理室11が連通し、ゲートバルブ22が閉じたときは、T/C10と処理室11との連通が遮断される。   The T / C 10 is connected to the P / C 6 via the gate valve 22. The gate valve 22 is a slide valve. When the gate valve 22 is opened, the T / C 10 and the processing chamber 11 of the P / C 6 communicate with each other. When the gate valve 22 is closed, the T / C 10 and the processing chamber 11 are connected. Is disconnected.

SMIF4は、C/C8に連通する箱状の密閉室であるエンクロージャ(密閉室)23と、該エンクロージャ23の前面に配置されるポッド載置部(基板取り出し格納手段)24と、エンクロージャ23内の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット(図示せず)とを備える。   The SMIF 4 includes an enclosure (sealed chamber) 23 that is a box-like sealed chamber communicating with the C / C 8, a pod mounting portion (substrate take-out storage means) 24 disposed on the front surface of the enclosure 23, A fan filter unit (not shown) for keeping the atmosphere clean.

ポッド載置部24は、図中上方にスライドする逆升状のスライドカバー25と、ポッド3が載置されるポッド台(載置台)26とを有し、エンクロージャ23は、ウエハカセット7を搬送するウエハカセット搬送アーム(基板搬送手段)27を有する。該ウエハカセット搬送アーム27は、門型のアームであり、下部にウエハカセット7を載置する載置部を有する。また、ウエハカセット搬送アーム27は上部に設けられた支点を中心に振り子運動が可能であり、且つ支点は図中上下方向に関し、エンクロージャ23に対して移動自在であるため、ウエハカセット7を、エンクロージャ23を経由してポッド載置部24及びC/C8の間で円滑に搬送する。   The pod mounting unit 24 includes an inverted saddle-shaped slide cover 25 that slides upward in the drawing, and a pod base (mounting base) 26 on which the pod 3 is placed. The enclosure 23 transports the wafer cassette 7. A wafer cassette transfer arm (substrate transfer means) 27 is provided. The wafer cassette transfer arm 27 is a gate-shaped arm, and has a mounting portion on which the wafer cassette 7 is mounted. Further, the wafer cassette transfer arm 27 is capable of pendulum movement around a fulcrum provided at the upper part, and the fulcrum is movable with respect to the enclosure 23 in the vertical direction in the figure. 23 is smoothly transported between the pod placement unit 24 and the C / C 8 via 23.

SMIF4では、ポッド3から半導体ウエハWを取り出すときには、スライドカバー25が上方にスライドしてポッド3からポッドカバーを持ち上げて、ポッド3からウエハカセット7を分離させる。このとき、ウエハカセット7は、ポッド3の底面と共にポッド台26上に留め置かれる。また、ポッド3へ半導体ウエハWを格納するときには、分離したポッドカバーを載置するスライドカバー25が下方にスライドして、ポッド台26に載置されたウエハカセット7及び底面にポッドカバーを被せる。   In the SMIF 4, when the semiconductor wafer W is taken out from the pod 3, the slide cover 25 slides upward to lift the pod cover from the pod 3 and separate the wafer cassette 7 from the pod 3. At this time, the wafer cassette 7 is held on the pod base 26 together with the bottom surface of the pod 3. When the semiconductor wafer W is stored in the pod 3, the slide cover 25 on which the separated pod cover is placed slides downward to cover the wafer cassette 7 placed on the pod stand 26 and the bottom surface.

なお、プラズマ処理システム1は、2つのSMIF4を有し、該2つのSMIF4はそれぞれ2つのC/C8に対応して配置される。   The plasma processing system 1 has two SMIFs 4, and the two SMIFs 4 are arranged corresponding to two C / Cs 8 respectively.

予備ローダ5は、未処理のポッド3を載置して保管する台状の未処理ポッドポート(第1の密閉容器保管手段)28と、処理済みのポッド3を載置して保管する棚状の処理済みポッドポート(第2の密閉容器保管手段)29と、予備ローダ5の側面に立設され且つSMIF4におけるポッド載置部24の上部空間にまで延設される板状のポッド移送基部30とを備える。   The spare loader 5 has a table-like unprocessed pod port (first sealed container storage means) 28 for mounting and storing the unprocessed pod 3, and a shelf shape for mounting and storing the processed pod 3. Processed pod port (second hermetically sealed container storage means) 29 and a plate-shaped pod transfer base 30 which is provided upright on the side surface of the auxiliary loader 5 and extends to the upper space of the pod mounting portion 24 in the SMIF 4. With.

ポッド移送基部30は、ポッド3を保持するポッドアーム(密閉容器移送手段)31と、該ポッドアーム31を未処理ポッドポート28、処理済みポッドポート29又はポッド載置部24に載置されたポッド3まで導くガイド溝31Aとを有し、ポッドアーム31は、ガイド溝31Aに沿って未処理のポッド3を未処理ポッドポート28からポッド台26へ移送し、また、処理済みのポッド3をポッド台26から処理済みポッドポート29へ移送する。   The pod transfer base 30 includes a pod arm (sealed container transfer means) 31 that holds the pod 3 and a pod mounted on the unprocessed pod port 28, the processed pod port 29, or the pod mounting unit 24. The pod arm 31 transports the unprocessed pod 3 from the unprocessed pod port 28 to the pod base 26 along the guide groove 31A, and also transfers the processed pod 3 to the pod. Transfer from the table 26 to the processed pod port 29.

未処理ポッドポート28及び処理済みポッドポート29は、作業者が作業を行う作業環境、例えばクリーンルーム内の雰囲気に暴露されているため、作業者は、所望のタイミングで、未処理のポッド3をストッカから持ち出して未処理ポッドポート28に保管させることができ、また、処理済みポッドポート29に保管されている処理済みのポッド3を回収することができる。   Since the unprocessed pod port 28 and the processed pod port 29 are exposed to a work environment in which the worker performs work, for example, an atmosphere in a clean room, the worker stockers the unprocessed pod 3 at a desired timing. Can be taken out and stored in the unprocessed pod port 28, and the processed pod 3 stored in the processed pod port 29 can be recovered.

なお、プラズマ処理システム1は、2つの予備ローダ5を有し、該2つの予備ローダ5はそれぞれ2つのSMIF4に対応して配置される。   The plasma processing system 1 has two spare loaders 5, and the two spare loaders 5 are arranged corresponding to the two SMIFs 4, respectively.

また、プラズマ処理システム1は、プラズマ処理装置2、SMIF4、及び予備ローダ5の動作を制御する図4で後述するシステムコントローラを備える。   The plasma processing system 1 also includes a system controller, which will be described later with reference to FIG. 4, for controlling the operations of the plasma processing apparatus 2, the SMIF 4, and the auxiliary loader 5.

次に、本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法について説明する。   Next, a plasma processing method as a substrate processing method according to the present embodiment will be described.

図2は、本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法を説明する図であり、図2(A)〜(F)はプラズマ処理方法における各動作を説明する図である。   FIG. 2 is a diagram illustrating a plasma processing method as a substrate processing method according to the present embodiment, and FIGS. 2A to 2F are diagrams illustrating each operation in the plasma processing method.

まず、作業者が未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置し(図2(A)参照)、ポッドアーム31が載置されたポッド3をポッド台26へ移送して載置する(密閉容器移送ステップ)(図2(B)参照)。その後、作業者は所望のタイミングで他の未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置する(図2(C)参照)。該載置された他の未処理のポッド3は、ポッド台26に載置されたポッド3が除去されるまで、未処理ポッドポート28において保管される(第1の密閉容器保管ステップ)。   First, the operator places the unprocessed pod 3 on the unprocessed pod port 28 (see FIG. 2A), and transfers the pod 3 on which the pod arm 31 is mounted to the pod base 26 for placement. (Airtight container transfer step) (see FIG. 2B). Thereafter, the operator places another unprocessed pod 3 on the unprocessed pod port 28 at a desired timing (see FIG. 2C). The other unprocessed pod 3 placed is stored in the unprocessed pod port 28 until the pod 3 placed on the pod stand 26 is removed (first sealed container storage step).

次いで、ポッド載置部24は、スライドカバー25を上方にスライドさせて未処理のポッド3をポッドカバーと底面とに分離する(基板取り出し格納ステップ)(図2(D)参照)。このとき、スライドカバー25とポッド台26とで形成される空間はファンフィルタユニットによって清浄化されるので、底面及びウエハカセット7は清浄化された雰囲気中において、ポッド台26に載置される。   Next, the pod placement unit 24 slides the slide cover 25 upward to separate the unprocessed pod 3 into a pod cover and a bottom surface (substrate removal and storage step) (see FIG. 2D). At this time, since the space formed by the slide cover 25 and the pod base 26 is cleaned by the fan filter unit, the bottom surface and the wafer cassette 7 are placed on the pod base 26 in the cleaned atmosphere.

次いで、ウエハカセット搬送アーム27がウエハカセット7をC/C8における受け取り台19へ搬送し(基板搬出入ステップ)(図2(D),(E)参照)、搬送アーム9がウエハカセット7から未処理の半導体ウエハWを枚葉毎に取り出してP/C6の処理室11へ搬入し、P/C6は搬入された半導体ウエハWにエッチング処理を施す(基板処理ステップ)。半導体ウエハWにエッチング処置が施されると、搬送アーム9が処理室11から半導体ウエハWを回収してウエハカセット7に格納する。以上の搬送アーム9による半導体ウエハWの搬出入と、P/C6によるエッチング処理とはウエハカセット7に収容された半導体ウエハWの枚数分だけ繰り返される。   Next, the wafer cassette transfer arm 27 transfers the wafer cassette 7 to the receiving table 19 in the C / C 8 (substrate transfer step) (see FIGS. 2D and 2E), and the transfer arm 9 is not moved from the wafer cassette 7. The semiconductor wafer W to be processed is taken out for each wafer and loaded into the processing chamber 11 of the P / C 6, and the P / C 6 performs an etching process on the loaded semiconductor wafer W (substrate processing step). When the semiconductor wafer W is etched, the transfer arm 9 collects the semiconductor wafer W from the processing chamber 11 and stores it in the wafer cassette 7. The carry-in / out of the semiconductor wafer W by the transfer arm 9 and the etching process by the P / C 6 are repeated by the number of semiconductor wafers W accommodated in the wafer cassette 7.

受け取り台19に載置されたウエハカセット7に収容された半導体ウエハWの全てにエッチング処理が施されると、ウエハカセット搬送アーム27が、ウエハカセット7をポッド台26へ搬送して載置する(基板搬出入ステップ)(図2(E),(D)参照)。そして、分離したポッドカバーを載置するスライドカバー25が下方にスライドして、ポッド台26に載置されたウエハカセット7及び底面にポッドカバーを被せる(基板取り出し格納ステップ)(図2(C)参照)。これにより、ウエハカセット7はポッド3に密閉される。   When all the semiconductor wafers W accommodated in the wafer cassette 7 placed on the receiving table 19 are etched, the wafer cassette carrying arm 27 carries the wafer cassette 7 to the pod table 26 and places it thereon. (Substrate carry-in / out step) (see FIGS. 2E and 2D). Then, the slide cover 25 on which the separated pod cover is placed slides downward, and the pod cover is placed on the wafer cassette 7 and the bottom surface placed on the pod base 26 (substrate removal and storage step) (FIG. 2C). reference). Thereby, the wafer cassette 7 is sealed in the pod 3.

次いで、ポッドアーム31がポッド台26から処理済みのポッド3を除去し、処理済みポッドポート29に移送して載置する(密閉容器移送ステップ)(図2(F)参照)。該載置された処理済みのポッド3は、作業者が回収するまで、処理済みポッドポート29において保管される(第2の密閉容器保管ステップ)。そして、作業者は所望のタイミングで保管された処理済みのポッド3を回収する。   Next, the pod arm 31 removes the processed pod 3 from the pod base 26, and transfers and places the processed pod 3 on the processed pod port 29 (sealed container transfer step) (see FIG. 2F). The placed processed pod 3 is stored in the processed pod port 29 until the operator collects it (second sealed container storage step). Then, the worker collects the processed pod 3 stored at a desired timing.

次いで、ポッドアーム31が未処理ポッドポート28において保管されている他の未処理のポッド3をポッド台26へ移送して載置する(図2(A),(B)参照)。その後、作業者は所望のタイミングでさらに他の未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置する(図2(C)参照)。   Next, the pod arm 31 transfers the other unprocessed pod 3 stored in the unprocessed pod port 28 to the pod base 26 and mounts it (see FIGS. 2A and 2B). Thereafter, the operator places another unprocessed pod 3 on the unprocessed pod port 28 at a desired timing (see FIG. 2C).

そして、以上の処理をロット終了まで繰り返す。   Then, the above processing is repeated until the end of the lot.

本実施の形態に係る基板処理システム、密閉容器保管装置及び基板処理方法によれば、半導体ウエハWはポッド3に格納され、該半導体ウエハWがSMIF4のポッド台26に載置されたポッド3から取り出された後は、清浄化された雰囲気中において搬送され、且つプラズマ処理が施され、さらに、作業者が所望のタイミングで未処理ポッドポート28に載置した未処理のポッド3が未処理ポッドポート28において保管され、処理済みのポッド3がポッド台26から除去されて処理済みポッドポート29において保管され、その後、未処理ポッドポート28において保管されている未処理のポッド3がポッド台26に移送されるので、SMIF4のポッド台26に載置されているポッド3に格納されていた半導体ウエハWにプラズマ処理が施されている間、作業者は、未処理のポッド3を未処理ポッドポート28において保管させることができ、また、作業者は所望のタイミングで処理済みポッドポート29において保管されている処理済みのポッド3を回収することができる。したがって、プラズマ処理システムが配置される作業環境、例えば、クリーンルームの清浄度を所定レベルまで高めることなく塵芥が半導体ウエハWに付着するのを防止できると共に、作業者の負担を増やすことなくプラズマ処理のスループットを向上することができる。   According to the substrate processing system, the closed container storage device, and the substrate processing method according to the present embodiment, the semiconductor wafer W is stored in the pod 3, and the semiconductor wafer W is removed from the pod 3 placed on the pod base 26 of the SMIF 4. After being taken out, it is transported in a cleaned atmosphere and subjected to plasma treatment. Further, the untreated pod 3 placed on the untreated pod port 28 by the operator at a desired timing is untreated pod. The processed pod 3 stored in the port 28 is removed from the pod table 26 and stored in the processed pod port 29, and then the unprocessed pod 3 stored in the unprocessed pod port 28 is transferred to the pod table 26. Since the wafer is transferred, the plasma processing is performed on the semiconductor wafer W stored in the pod 3 placed on the pod base 26 of the SMIF 4. While being applied, the operator can store the unprocessed pod 3 in the unprocessed pod port 28, and the operator can store the processed pod 3 stored in the processed pod port 29 at a desired timing. The pod 3 can be collected. Accordingly, it is possible to prevent the dust from adhering to the semiconductor wafer W without increasing the cleanliness of the work environment where the plasma processing system is disposed, for example, the clean room to a predetermined level, and without increasing the burden on the operator. Throughput can be improved.

次に、上述したプラズマ処理システム1における各装置間の通信系について説明する。   Next, a communication system between the devices in the plasma processing system 1 described above will be described.

図3は、図1のプラズマ処理システムにおける装置間の通信系を示す図である。   FIG. 3 is a diagram showing a communication system between apparatuses in the plasma processing system of FIG.

図3において、プラズマ処理システム1では、予備ローダ5及びSMIF4、並びにSMIF4及びプラズマ処理装置2が互いに通信ケーブル等を介して通信可能に接続され、さらに、プラズマ処理装置2には、ホストコンピュータ(制御装置)32及びレシピ設定装置(処理内容設定装置)33がそれぞれ通信ケーブル等を介して通信可能に接続される。   In FIG. 3, in the plasma processing system 1, the spare loader 5 and the SMIF 4, and the SMIF 4 and the plasma processing apparatus 2 are communicably connected to each other via a communication cable or the like. Device) 32 and recipe setting device (processing content setting device) 33 are communicably connected via a communication cable or the like.

レシピ設定装置33は、図5に示すような、レシピ入力GUI(Graphical User Interface)34を表示する表示パネル(図示せず)を有する。該レシピ入力GUI34は、現在の処理ロットにおけるエッチング処理のレシピを入力可能な処理ロット入力部35と、以降の処理ロットにおけるエッチング処理のレシピを入力可能な予約ロット入力部36とを有し、作業者はレシピ入力GUI34においてP/C6に実行させるエッチング処理のレシピを設定する。   The recipe setting device 33 has a display panel (not shown) for displaying a recipe input GUI (Graphical User Interface) 34 as shown in FIG. The recipe input GUI 34 includes a processing lot input unit 35 that can input an etching processing recipe in the current processing lot, and a reserved lot input unit 36 that can input an etching processing recipe in a subsequent processing lot. The person sets the recipe for the etching process to be executed by the P / C 6 in the recipe input GUI 34.

ホストコンピュータ32は、レシピ設定装置33においてレシピ入力GUI34を通じて設定されたレシピに基づいてプラズマ処理装置2の動作を制御する。また、プラズマ処理装置2を介した通信によってSMIF4及び予備ローダ5の動作も制御する。   The host computer 32 controls the operation of the plasma processing apparatus 2 based on the recipe set through the recipe input GUI 34 in the recipe setting device 33. Further, the operations of the SMIF 4 and the backup loader 5 are also controlled by communication via the plasma processing apparatus 2.

プラズマ処理システム1では、ホストコンピュータ32が、プラズマ処理装置2の動作を制御し、且つプラズマ処理装置2を介した通信によってSMIF4及び予備ローダ5の動作を制御するので、他の通信手段、例えば、ホストコンピュータ32とSMIF4、若しくは予備ローダ5を直接的に通信可能に接続する通信ケーブル等を敷設する必要が無く、また、プラズマ処理システム1を設置・改修し、又はメンテナンスする際に、他のコンピュータ、例えば、プラズマ処理システム1が設置される工場全体を統括するコンピュータ(後述する図4のPC88)の設定を変更する必要がないので、プラズマ処理システム1の設置・改修コストを削減することができ、プラズマ処理システム1のメンテナンスも容易に行うことができる。   In the plasma processing system 1, the host computer 32 controls the operation of the plasma processing apparatus 2 and controls the operations of the SMIF 4 and the standby loader 5 through communication via the plasma processing apparatus 2, so that other communication means, for example, There is no need to lay a communication cable or the like that connects the host computer 32 and the SMIF 4 or the spare loader 5 so that they can communicate directly with each other, and when installing, modifying, or maintaining the plasma processing system 1, other computers For example, since it is not necessary to change the setting of a computer (PC 88 in FIG. 4 to be described later) that supervises the entire factory where the plasma processing system 1 is installed, the installation / repair cost of the plasma processing system 1 can be reduced. The maintenance of the plasma processing system 1 can be easily performed.

次に、上述したプラズマ処理システム1における各装置間の通信系についてより具体的に説明する。   Next, the communication system between the devices in the plasma processing system 1 described above will be described more specifically.

図4は、プラズマ処理システム1におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。   FIG. 4 is a diagram illustrating a schematic configuration of a system controller in the plasma processing system 1.

図4において、システムコントローラは、EC(Equipment Controller)89と、複数、例えば、3つのMC(Module Controller)90,91,92と、EC89及び各MCを接続するスイッチングハブ93とを備える。該システムコントローラはEC89からLAN(Local Area Network)101を介して、プラズマ処理システム1が設置されている工場全体の製造工程を管理するMES(Manufacturing Execution System)としてのPC88に接続されている。MESは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム(図示しない)にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。   4, the system controller includes an EC (Equipment Controller) 89, a plurality of, for example, three MCs (Module Controllers) 90, 91, 92, and a switching hub 93 that connects the EC 89 and each MC. The system controller is connected from the EC 89 via a LAN (Local Area Network) 101 to a PC 88 as a MES (Manufacturing Execution System) that manages the manufacturing process of the entire factory where the plasma processing system 1 is installed. The MES cooperates with the system controller to feed back real-time information relating to processes in the factory to a core business system (not shown) and makes a determination relating to the process in consideration of the load of the entire factory.

EC89は、各MCを統括してプラズマ処理システム1全体の動作を制御する統括制御部である。また、EC89は、CPU、RAM、HDD等を有し、レシピ設定装置33においてユーザ等によって指定されたウエハWの処理方法のメニュー、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてCPUが各MCに制御信号を送信することにより、プラズマ処理装置2、SMIF4、及び予備ローラ5の動作を制御する。   The EC 89 is a central control unit that controls each MC to control the entire operation of the plasma processing system 1. The EC 89 has a CPU, RAM, HDD, etc., and the CPU controls each MC according to a menu of a processing method of the wafer W designated by the user or the like in the recipe setting device 33, that is, a program corresponding to the recipe. By transmitting a signal, the operations of the plasma processing apparatus 2, the SMIF 4, and the spare roller 5 are controlled.

スイッチングハブ93は、EC89からの制御信号に応じてEC89の接続先としてのMCを切り替える。   The switching hub 93 switches the MC as a connection destination of the EC 89 in accordance with a control signal from the EC 89.

MC90,91,92は、プラズマ処理装置2のP/C6、C/C8、及びT/C10、並びにSMIF4、及び予備ローダ5の動作を制御する制御部である。各MCも、CPU、RAM、HDD等を有し、後述するエンドデバイスへ制御信号を送信する。なお、図1のプラズマ処理システム1が有するシステムコントローラは、複数のP/C6、C/C8、及びSMIF4、並びにT/C10を制御するために、P/C6、C/C8、SMIF4、及びT/C10の数に対応した数のMCを有するが、図4では3つのMCが示されている。また、予備ローダ5は、HUB(図示しない)を介してSMIF4に接続されており、SMIF4を制御するMCによって制御される。   MCs 90, 91, and 92 are control units that control operations of the P / C 6, C / C 8, and T / C 10, the SMIF 4, and the backup loader 5 of the plasma processing apparatus 2. Each MC also has a CPU, RAM, HDD, etc., and transmits a control signal to an end device described later. Note that the system controller included in the plasma processing system 1 in FIG. 1 includes P / C6, C / C8, SMIF4, and T in order to control a plurality of P / C6, C / C8, and SMIF4, and T / C10. Although there are a number of MCs corresponding to the number of / C10, FIG. 4 shows three MCs. The spare loader 5 is connected to the SMIF 4 via a HUB (not shown) and is controlled by the MC that controls the SMIF 4.

各MCは、DIST(Distribution)ボード96によってGHOSTネットワーク95を介して各I/O(入出力)モジュール97,98,99にそれぞれ接続される。GHOSTネットワーク95は、MCが有するMCボードに搭載されたGHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver)と称されるLSIによって実現されるネットワークである。GHOSTネットワーク95には、最大で31個のI/Oモジュールを接続可能であり、GHOSTネットワーク95では、MCがマスタに該当し、I/Oモジュールがスレーブに該当する。   Each MC is connected to each I / O (input / output) module 97, 98, 99 via a GHOST network 95 by a DIST (Distribution) board 96. The GHOST network 95 is a network realized by an LSI called GHOST (General High-Speed Optimum Scalable Transceiver) mounted on an MC board included in the MC. A maximum of 31 I / O modules can be connected to the GHOST network 95. In the GHOST network 95, the MC corresponds to the master and the I / O module corresponds to the slave.

I/Oモジュール97は、1つのP/C6における各構成要素(以下、「エンドデバイス」という。)に接続された複数のI/O部100からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。I/Oモジュール97においてI/O部100に接続されるエンドデバイスには、例えば、P/C6におけるエッチングガス供給源16の各構成要素等が該当する。   The I / O module 97 includes a plurality of I / O units 100 connected to each component (hereinafter referred to as “end device”) in one P / C 6, and includes a control signal to each end device and each end device. The output signal from the device is transmitted. For example, each component of the etching gas supply source 16 in the P / C 6 corresponds to the end device connected to the I / O unit 100 in the I / O module 97.

なお、I/Oモジュール98,99は、I/Oモジュール97と同様の構成を有し、C/C8やT/C10、SMIF4に対応するMC91,92及びI/Oモジュール98,99の夫々の接続関係も、上述したMC90及びI/Oモジュール97の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。   The I / O modules 98 and 99 have the same configuration as the I / O module 97, and each of the MC 91 and 92 and the I / O modules 98 and 99 corresponding to C / C8, T / C10, and SMIF4. Since the connection relationship is the same as the connection relationship between the MC 90 and the I / O module 97 described above, description thereof will be omitted.

また、各GHOSTネットワーク95には、I/O部100におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するI/Oボード(図示しない)も接続される。   Each GHOST network 95 is also connected to an I / O board (not shown) that controls input / output of digital signals, analog signals, and serial signals in the I / O unit 100.

プラズマ処理システム1において、上述のプラズマ処理を実行する際には、該処理に対応するプログラムに応じてEC89のCPUが、スイッチングハブ93、MC90(MC91,92)、GHOSTネットワーク95及びI/Oモジュール97(I/Oモジュール98,99)におけるI/O部100を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することにより、プラズマ処理を実行する。   In the plasma processing system 1, when performing the above-described plasma processing, the CPU of the EC 89 performs switching hub 93, MC90 (MC91, 92), GHOST network 95, and I / O module according to a program corresponding to the processing. The plasma processing is executed by transmitting a control signal to a desired end device via the I / O unit 100 in 97 (I / O modules 98 and 99).

具体的には、CPUが、P/C6、C/C8、T/C10、及びSMIF4の各エンドデバイスに制御信号を送信することにより、上述のようにプラズマ処理システム1を制御する。   Specifically, the CPU controls the plasma processing system 1 as described above by transmitting control signals to the end devices of P / C6, C / C8, T / C10, and SMIF4.

図4のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがEC89に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたI/O部100がモジュール化されてI/Oモジュールを構成し、該I/OモジュールがMC及びスイッチングハブ93を介してEC89に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。   In the system controller of FIG. 4, the plurality of end devices are not directly connected to the EC 89, but the I / O unit 100 connected to the plurality of end devices is modularized to form an I / O module. Since the / O module is connected to the EC 89 via the MC and the switching hub 93, the communication system can be simplified.

また、EC89のCPUが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたI/O部100のアドレス、及び当該I/O部100を含むI/Oモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ93は制御信号におけるI/Oモジュールのアドレスを参照し、MCのGHOSTが制御信号におけるI/O部100のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ93やMCがCPUに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。   Further, the control signal transmitted by the CPU of the EC 89 includes the address of the I / O unit 100 connected to the desired end device and the address of the I / O module including the I / O unit 100. The switching hub 93 refers to the address of the I / O module in the control signal, and the GHOST of the MC refers to the address of the I / O unit 100 in the control signal, so that the switching hub 93 and the MC transmit the control signal to the CPU. It is possible to eliminate the necessity of making the previous inquiry, thereby realizing smooth transmission of the control signal.

次に、上述したプラズマ処理システム1における動作及び通信シーケンスについて説明する。   Next, the operation and communication sequence in the plasma processing system 1 described above will be described.

図6は、図1のプラズマ処理システムにおける動作及び通信シーケンスを示す図である。   FIG. 6 is a diagram showing an operation and a communication sequence in the plasma processing system of FIG.

図6において、作業者がプラズマ処理システム1を起動すると、プラズマ処理装置2がホストコンピュータ32に1ロット目のエッチング処理のレシピ(以下「1ロット目のレシピ」という)を問い合わせ(1)、ホストコンピュータ32はレシピ設定装置33における処理ロット入力部35において設定されたレシピをプラズマ処理装置2に返信する(2)。   In FIG. 6, when the operator activates the plasma processing system 1, the plasma processing apparatus 2 inquires the host computer 32 about the recipe for the first lot etching process (hereinafter referred to as “the first lot recipe”) (1), and the host. The computer 32 returns the recipe set in the processing lot input unit 35 in the recipe setting device 33 to the plasma processing device 2 (2).

そして、作業者が1ロット目の未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置し(3)、ポッドアーム31が載置されたポッド3をポッド台26に移送すると、予備ローダ5はSMIF4にポッド3の移送(ロード)が完了した旨を連絡し(4)、該連絡を受けたSMIF4はプラズマ処理装置2にポッド3がポッド台26に載置済みである旨を連絡する(5)。ここで、(5)以降の通信において、1ロット目のレシピのキャンセルが可能であると、(2)の通信において既にプラズマ処理装置2には1ロット目のレシピが送信されているため、レシピ入力GUI34の処理ロット入力部35から1ロット目のレシピが消去されても、プラズマ処理装置2に1ロット目のレシピが残留したままになり、プラズマ処理装置2がコンフリクトを起こす可能性がある。そこで、プラズマ処理システム1では、(5)以降の通信において、ホストコンピュータ32が、プラズマ処理装置2を介してレシピ設定装置33において1ロット目のレシピのキャンセルが不可能となるように制御する。具体的には、処理ロット入力部35において新たなレシピの入力及び設定されたレシピの消去を不可能にする。   Then, when the worker places the unprocessed pod 3 of the first lot on the unprocessed pod port 28 (3) and transfers the pod 3 on which the pod arm 31 is mounted to the pod base 26, the spare loader 5 The SMIF 4 is notified that the transfer (loading) of the pod 3 has been completed (4), and the SMIF 4 which has received the notification notifies the plasma processing apparatus 2 that the pod 3 has already been placed on the pod base 26 (5). ). Here, if the recipe of the first lot can be canceled in the communication after (5), the recipe of the first lot has already been transmitted to the plasma processing apparatus 2 in the communication of (2). Even if the recipe of the first lot is deleted from the processing lot input unit 35 of the input GUI 34, the recipe of the first lot remains in the plasma processing apparatus 2, and the plasma processing apparatus 2 may cause a conflict. Therefore, in the plasma processing system 1, in the communication after (5), the host computer 32 performs control so that the recipe setting apparatus 33 cannot cancel the recipe of the first lot via the plasma processing apparatus 2. Specifically, the processing lot input unit 35 makes it impossible to input a new recipe and erase the set recipe.

次いで、未処理ポッドポート28から1ロット目のポッド3が移送されると、作業者は、2ロット目の未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置する(6)。載置された2ロット目のポッド3は、後述する1ロット目の処理済みのポッド3のポッド台26からの除去(アンロード)が完了した旨のSMIF4から予備ローダ5への連絡(21)が行われるまで、未処理ポッドポート28において保管される。   Next, when the pod 3 of the first lot is transferred from the unprocessed pod port 28, the worker places the unprocessed pod 3 of the second lot on the unprocessed pod port 28 (6). The placed pod 3 in the second lot is notified from the SMIF 4 to the spare loader 5 that the removal (unloading) of the processed pod 3 in the first lot, which will be described later, from the pod stand 26 is completed (21). Until unprocessed pod port 28 is stored.

次いで、ホストコンピュータ32が、プラズマ処理装置2にレシピ設定装置33において2ロット目のエッチング処理のレシピ(以下「2ロット目のレシピ」という)の入力を可能にさせる予約(キューイング)開始の旨を連絡し(7)、該連絡を受けたプラズマ処理装置2は、レシピ入力GUI34における予約ロット入力部36において2ロット目のレシピの入力を可能にする。   Next, the host computer 32 starts reservation (queuing) that allows the plasma processing apparatus 2 to input the recipe for the second lot etching process (hereinafter referred to as “the recipe for the second lot”) in the recipe setting apparatus 33. (7), the plasma processing apparatus 2 that has received the notification enables the second lot recipe to be input in the reserved lot input unit 36 in the recipe input GUI 34.

そして、プラズマ処理装置2は、SMIF4に、ポッド台26に対するポッド3のロック(固定)を要求し(8)、さらに、ウエハカセット7のC/C8へのロードを要求する(9)。これらの要求を受けたSMIF4は、ポッド3からウエハカセット7を取り出し、該ウエハカセット7をC/C8へロードする。そして、ウエハカセット7のC/C8へのロードが完了すると、その旨をプラズマ処理装置2へ連絡する(10)。該連絡を受けたプラズマ処理装置2は、1ロット目のエッチング処理を開始し、その旨をホストコンピュータ32に報告する(11)。   Then, the plasma processing apparatus 2 requests the SMIF 4 to lock (fix) the pod 3 with respect to the pod base 26 (8), and further requests the loading of the wafer cassette 7 to the C / C 8 (9). Upon receiving these requests, the SMIF 4 takes out the wafer cassette 7 from the pod 3 and loads the wafer cassette 7 into the C / C 8. When the loading of the wafer cassette 7 to C / C 8 is completed, the fact is notified to the plasma processing apparatus 2 (10). The plasma processing apparatus 2 having received the notification starts the etching process for the first lot and reports to that effect to the host computer 32 (11).

次いで、プラズマ処理装置2がホストコンピュータ32に2ロット目のレシピを問い合わせ(12)、ホストコンピュータ32は予約ロット入力部36において設定されたレシピをプラズマ処理装置2に返信し(13)、さらに、レシピ設定装置33において2ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にさせるキューイング開始の旨を再度連絡する(14)。   Next, the plasma processing apparatus 2 inquires the host computer 32 about the recipe of the second lot (12), the host computer 32 returns the recipe set in the reserved lot input unit 36 to the plasma processing apparatus 2 (13), and The recipe setting device 33 is notified again of the start of queuing to enable the input of the recipe for the second lot etching process (14).

その後、プラズマ処理装置2は、1ロット目のエッチング処理が終了すると、その旨をホストコンピュータ32に報告し(15)、さらに、SMIF4にC/C8内のウエハカセット7のアンロードを要求し(16)、該要求を受けたSMIF4は、ウエハカセット7をC/C8からポッド台26へアンロードを開始し、まず、その旨をプラズマ処理装置2に連絡し(17)、さらに、当該アンロードが完了し、ポッド3のポッド台26からのアンロックが完了すると、その旨をプラズマ処理装置2に連絡する(18,19)。   Thereafter, when the etching process for the first lot is completed, the plasma processing apparatus 2 reports the fact to the host computer 32 (15), and further requests the SMIF 4 to unload the wafer cassette 7 in the C / C 8 ( 16) The SMIF 4 that has received the request starts unloading the wafer cassette 7 from the C / C 8 to the pod base 26. First, the SMIF 4 informs the plasma processing apparatus 2 to that effect (17). When the unlocking from the pod base 26 of the pod 3 is completed, the fact is notified to the plasma processing apparatus 2 (18, 19).

次いで、予備ローダ5がSMIF4にポッド台26に載置された1ロット目の処理済みのポッド3の処理済みポッドポート29へのアンロード(移送)を要求し(20)、ポッドアーム31が当該アンロードを完了すると、SMIF4がその旨を予備ローダ5及びプラズマ処理装置2にそれぞれ連絡する(21,22)。そして、作業者は処理済みポッドポート29に載置されて保管されている1ロット目の処理済みのポッド3を回収する(23)。   Next, the spare loader 5 requests the unloading (transfer) of the first processed pod 3 placed on the pod base 26 to the processed pod port 29 in the SMIF 4 (20), and the pod arm 31 When the unloading is completed, the SMIF 4 notifies that to the auxiliary loader 5 and the plasma processing apparatus 2 (21, 22). Then, the worker collects the processed pod 3 of the first lot placed on the processed pod port 29 and stored (23).

その後、ポッドアーム31が未処理ポッドポート28に保管されている2ロット目の未処理のポッド3をポッド台26に移送すると、予備ローダ5はSMIF4にポッド3の移送(ロード)が完了した旨を連絡し(24)、該連絡を受けたSMIF4はプラズマ処理装置2にポッド3がポッド台26に載置済みである旨を連絡する(25)。ここで、(25)以降の通信において、ホストコンピュータ32が、プラズマ処理装置2を介してレシピ設定装置33において2ロット目のレシピのキャンセルが不可能となるように制御する。   Thereafter, when the pod arm 31 transports the second unprocessed pod 3 stored in the unprocessed pod port 28 to the pod base 26, the auxiliary loader 5 has completed the transfer (loading) of the pod 3 to the SMIF 4. (24), and the SMIF 4 that has received the notification notifies the plasma processing apparatus 2 that the pod 3 is already placed on the pod base 26 (25). Here, in the communication after (25), the host computer 32 performs control so that the recipe setting apparatus 33 cannot cancel the recipe of the second lot via the plasma processing apparatus 2.

次いで、未処理ポッドポート28から2ロット目のポッド3が移送されると、作業者は、3ロット目の未処理のポッド3を未処理ポッドポート28に載置する(26)。載置された3ロット目のポッド3は、後述する2ロット目の処理済みのポッド3のポッド台26からのアンロードが完了した旨のSMIF4から予備ローダ5への連絡(38)が行われるまで、未処理ポッドポート28において保管される。   Next, when the pod 3 of the second lot is transferred from the unprocessed pod port 28, the worker places the unprocessed pod 3 of the third lot on the unprocessed pod port 28 (26). The placed pod 3 in the third lot is notified (38) from the SMIF 4 to the spare loader 5 that the unloading from the pod stand 26 of the processed pod 3 in the second lot described later has been completed. Until the raw pod port 28 is stored.

次いで、ホストコンピュータ32が、プラズマ処理装置2にレシピ設定装置33において3ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にさせるキューイング開始の旨を連絡し(27)、該連絡を受けたプラズマ処理装置2は、レシピ入力GUI34における予約ロット入力部36において3ロット目のエッチング処理のレシピの入力を可能にする。   Next, the host computer 32 informs the plasma processing apparatus 2 of the start of queuing that allows the recipe setting apparatus 33 to input the recipe for the third lot etching process (27), and receives the received plasma processing. The apparatus 2 makes it possible to input the recipe for the third lot etching process in the reserved lot input unit 36 in the recipe input GUI 34.

そして、プラズマ処理装置2は、SMIF4に、ポッド台26に対するポッド3のロックを要求し(28)、さらに、ウエハカセット7のC/C8へのロードを要求する(29)。これらの要求を受けたSMIF4は、ポッド3からウエハカセット7を取り出し、該ウエハカセット7をC/C8へロードする。そして、ウエハカセット7のC/C8へのロードが完了すると、その旨をプラズマ処理装置2へ連絡する(30)。該連絡を受けたプラズマ処理装置2は、2ロット目のエッチング処理を開始し、その旨をホストコンピュータ32に報告する(31)。   Then, the plasma processing apparatus 2 requests the SMIF 4 to lock the pod 3 with respect to the pod base 26 (28), and further requests the loading of the wafer cassette 7 to the C / C 8 (29). Upon receiving these requests, the SMIF 4 takes out the wafer cassette 7 from the pod 3 and loads the wafer cassette 7 into the C / C 8. When the loading of the wafer cassette 7 to C / C 8 is completed, the fact is notified to the plasma processing apparatus 2 (30). The plasma processing apparatus 2 that has received the communication starts the etching process for the second lot and reports to that effect to the host computer 32 (31).

その後、プラズマ処理装置2は、2ロット目のエッチング処理が終了すると、その旨をホストコンピュータ32に報告し(32)、さらに、SMIF4にC/C8内のウエハカセット7のアンロードを要求し(33)、該要求を受けたSMIF4は、ウエハカセット7のC/C8からポッド台26へアンロードを開始し、まず、その旨をプラズマ処理装置2に連絡し(34)、さらに、当該アンロードが完了し、ポッド3のポッド台26からのアンロックが完了すると、その旨をプラズマ処理装置2に連絡する(35,36)。   Thereafter, when the etching process for the second lot is completed, the plasma processing apparatus 2 reports the fact to the host computer 32 (32), and further requests the SMIF 4 to unload the wafer cassette 7 in the C / C 8 ( 33) The SMIF 4 that has received the request starts unloading from the C / C 8 of the wafer cassette 7 to the pod base 26. First, the SMIF 4 informs the plasma processing apparatus 2 to that effect (34), and further performs the unloading. When the unlocking from the pod base 26 of the pod 3 is completed, the fact is notified to the plasma processing apparatus 2 (35, 36).

次いで、予備ローダ5がSMIF4にポッド台26に載置された2ロット目の処理済みのポッド3の処理済みポッドポート29へのアンロードを要求し(37)、ポッドアーム31が当該アンロードを完了すると、SMIF4がその旨を予備ローダ5及びプラズマ処理装置2にそれぞれ連絡する(38,39)。そして、作業者は処理済みポッドポート29に載置されて保管されている2ロット目の処理済みのポッド3を回収する(40)。   Next, the spare loader 5 requests the unloading of the second processed pod 3 placed on the pod base 26 in the SMIF 4 to the processed pod port 29 (37), and the pod arm 31 performs the unloading. When completed, the SMIF 4 notifies the reserve loader 5 and the plasma processing apparatus 2 accordingly (38, 39). Then, the worker collects the processed pod 3 of the second lot placed and stored in the processed pod port 29 (40).

そして、3ロット目以降は、上述した動作及び通信を繰り返す。   Then, after the third lot, the above-described operation and communication are repeated.

上述した図6の動作及び通信シーケンスによれば、予備ローダ5が、ポッド3が未処理ポッドポート28からポッド台26に移送されたことを、SMIF4を介してプラズマ処理装置2に連絡する(4,5,24,25)と、ホストコンピュータ32は、プラズマ処理装置2に、レシピ設定装置33における予約ロット入力部36において次ロットのエッチング処理におけるレシピ(以下「次ロットのレシピ」という。)の入力を可能にするので、これにより、作業者は所望のタイミングで次ロットのレシピを設定することができる。   According to the operation and communication sequence of FIG. 6 described above, the reserve loader 5 notifies the plasma processing apparatus 2 via the SMIF 4 that the pod 3 has been transferred from the unprocessed pod port 28 to the pod base 26 (4). 5, 24, 25) and the host computer 32 sends the recipe for the next lot etching process (hereinafter referred to as “recipe for the next lot”) to the plasma processing apparatus 2 in the reserved lot input unit 36 in the recipe setting apparatus 33. This allows the operator to set a recipe for the next lot at a desired timing.

上述した実施の形態では、予備ローダ5が備える未処理ポッドポート28と処理済みポッドポート29の数はそれぞれ1つであったが、未処理ポッドポートと処理済みポッドポートの数はこれに限られず、例えば、図7に示すように、予備ローダ50が2つの処理済みポッドポート51と、1つの未処理ポッドポート28とを備えていてもよく、これにより、作業者による処理済みのポッド3の回収のタイミングの自由度を増すことができる。また、予備ローダが複数の未処理ポッドポートを備えていてもよく、これにより、作業者による未処理のポッド3の載置のタイミングの自由度を増すことができる。   In the embodiment described above, the number of the unprocessed pod ports 28 and the processed pod ports 29 included in the spare loader 5 is one, but the number of the unprocessed pod ports and the processed pod ports is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, the reserve loader 50 may include two processed pod ports 51 and one unprocessed pod port 28. The degree of freedom of the collection timing can be increased. Further, the spare loader may be provided with a plurality of unprocessed pod ports, thereby increasing the degree of freedom in placing the unprocessed pod 3 by the operator.

また、上述した実施の形態では、プラズマ処理システム1は、プラズマ処理装置2、SMIF4、予備ローダ5、ホストコンピュータ32及びレシピ設定装置33で構成されたが、プラズマ処理システムを構成する装置はこれに限られず、図8に示すように、プラズマ処理システムは、さらに、ポッド3を搬送する自律制御型の搬送ロボットであるAGV(Automated Guided Vehicle)60を備えていてもよく、これにより、作業者の負担をより軽減することができる。また、このプラズマ処理システムにおいて、AGV60はホストコンピュータ32によって動作が制御されるが、AGV60は、光通信を介して予備ローダ5と通信可能に接続されるため、予備ローダ5、SMIF4及びプラズマ処理装置2を介してホストコンピュータ32と通信可能であり、ホストコンピュータ32との通信のために、新たな通信手段、例えば、通信ケーブル等を敷設する必要がない。   In the above-described embodiment, the plasma processing system 1 includes the plasma processing apparatus 2, the SMIF 4, the spare loader 5, the host computer 32, and the recipe setting apparatus 33. Without being limited thereto, as shown in FIG. 8, the plasma processing system may further include an AGV (Automated Guided Vehicle) 60 that is an autonomous control type transport robot that transports the pod 3. The burden can be further reduced. In this plasma processing system, the operation of the AGV 60 is controlled by the host computer 32. Since the AGV 60 is communicatively connected to the standby loader 5 via optical communication, the backup loader 5, SMIF 4, and plasma processing apparatus are connected. 2, communication with the host computer 32 is possible, and it is not necessary to install new communication means such as a communication cable for communication with the host computer 32.

上述した実施の形態では、半導体ウエハWにエッチング処理を施したが、半導体ウエハWに施すプラズマ処理はこれに限られず、例えば、メタルCVD処理等の成膜処理であってもよい。   In the embodiment described above, the etching process is performed on the semiconductor wafer W, but the plasma process performed on the semiconductor wafer W is not limited to this, and may be a film forming process such as a metal CVD process.

また、上述した実施の形態では、被処理基板が半導体ウエハであったが、被処理基板はこれに限られず、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)やFPD(Flat Panel Display)等のガラス基板であってもよい。   In the above-described embodiment, the substrate to be processed is a semiconductor wafer. However, the substrate to be processed is not limited to this, and is, for example, a glass substrate such as an LCD (Liquid Crystal Display) or an FPD (Flat Panel Display). May be.

また、本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ、例えば、EC89に供給し、コンピュータのCPUが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。   Another object of the present invention is to supply a computer, for example, the EC 89, a storage medium that records software program codes for realizing the functions of the above-described embodiment, and the computer CPU stores the program in the storage medium. It is also achieved by reading and executing the code.

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。   In this case, the program code itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiment, and the program code and the storage medium storing the program code constitute the present invention.

また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、RAM、NV−RAM、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD(DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW)、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のROM等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。   Examples of the storage medium for supplying the program code include RAM, NV-RAM, floppy (registered trademark) disk, hard disk, optical disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, and DVD. (DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD + RW), magnetic tape, non-volatile memory card, other ROM, etc. may be used as long as they can store the program code. Alternatively, the program code may be supplied to the computer by downloading from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, a local area network, or the like.

また、CPUが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、CPU上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。   Further, by executing the program code read by the CPU, not only the functions of the present embodiment are realized, but also an OS (operating system) running on the CPU based on the instruction of the program code. Includes a case where part or all of the actual processing is performed and the above-described functions of the present embodiment are realized by the processing.

更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。  Further, after the program code read from the storage medium is written in a memory provided in a function expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the function expansion is performed based on the instruction of the program code. This includes a case where the CPU or the like provided in the board or the function expansion unit performs part or all of the actual processing, and the above-described functions of the present embodiment are realized by the processing.

上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、OSに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。   The form of the program code may include an object code, a program code executed by an interpreter, script data supplied to the OS, and the like.

本発明の実施の形態に係る基板処理システムとしてのプラズマ処理システムの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the plasma processing system as a substrate processing system which concerns on embodiment of this invention. 本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマ処理方法を説明する図であり、図2(A)〜(F)はプラズマ処理方法における各動作を説明する図である。It is a figure explaining the plasma processing method as a substrate processing method concerning this embodiment, and Drawing 2 (A)-(F) is a figure explaining each operation in a plasma processing method. 図1のプラズマ処理システムにおける装置間の通信系を示す図である。It is a figure which shows the communication system between apparatuses in the plasma processing system of FIG. 図1のプラズマ処理システムにおけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the system controller in the plasma processing system of FIG. 図3におけるレシピ設定装置が有するレシピ入力GUIを示す図である。It is a figure which shows the recipe input GUI which the recipe setting apparatus in FIG. 3 has. 図1のプラズマ処理システムにおける動作及び通信シーケンスを示す図である。It is a figure which shows the operation | movement and communication sequence in the plasma processing system of FIG. 図1のプラズマ処理システムの変形例の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the modification of the plasma processing system of FIG. 図3の装置間の通信系の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the communication system between the apparatuses of FIG. 従来の基板処理システムで用いられるSMIFの概略構成を示す図であり、図9(A)はポッドがSMIFに載置されたときの図であり、図9(B)はポッドから基板カセットが分離したときの図であり、図9(C)は基板カセットがカセットチャンバに搬送されたときの図である。FIG. 9A is a diagram showing a schematic configuration of the SMIF used in the conventional substrate processing system, FIG. 9A is a diagram when the pod is placed on the SMIF, and FIG. 9B is a diagram in which the substrate cassette is separated from the pod. FIG. 9C is a diagram when the substrate cassette is transferred to the cassette chamber.

符号の説明Explanation of symbols

1 プラズマ処理システム
2 プラズマ処理装置
3 ポッド
4 SMIF
5 予備ローダ
6 プロセスチャンバ
7 ウエハカセット
8 カセットチャンバ
9 搬送アーム
10 トランスファチャンバ
23 エンクロージャ
24 ポッド載置部
25 スライドカバー
26 ポッド台
27 ウエハカセット搬送アーム
28 未処理ポッドポート
29,51 処理済みポッドポート
30 ポッド移送基部
31 ポッドアーム
32 ホストコンピュータ
33 レシピ設定装置
34 レシピ入力GUI
35 処理ロット入力部
36 予約ロット入力部
60 AGV
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma processing system 2 Plasma processing apparatus 3 Pod 4 SMIF
5 Preloader 6 Process chamber 7 Wafer cassette 8 Cassette chamber 9 Transfer arm 10 Transfer chamber 23 Enclosure 24 Pod placement unit 25 Slide cover 26 Pod table 27 Wafer cassette transfer arm 28 Unprocessed pod ports 29 and 51 Processed pod ports 30 Pod Transfer base 31 Pod arm 32 Host computer 33 Recipe setting device 34 Recipe input GUI
35 Processing lot input part 36 Reserved lot input part 60 AGV

Claims (6)

所定の雰囲気中において基板にプラズマ処理を施す基板処理装置と、
前記基板処理装置で処理する複数の基板又は処理された複数の基板を収容したカセットが格納される密閉容器を収容する密閉容器保管装置と、
前記基板処理装置に接続される密閉室、前記密閉室の内部の雰囲気を清浄に保つファンフィルタユニット、及び、前記密閉室を経由して前記密閉容器保管装置と前記基板処理装置との間で前記カセットを搬送する基板搬送アーム、を備える基板搬出入装置と、を備える基板処理システムであって
前記密閉容器保管装置は、
前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うために前記密閉容器が載置される載置台と、
前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管手段と、
前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第2の密閉容器保管手段と、
前記密閉容器を、前記第1の密閉容器保管手段前記載置台の間、及び、前記載置台前記第2の密閉容器保管手段の間において移送する密閉容器移送手段とを有し、
前記基板搬送アームは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動によって前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする基板処理システム。
A substrate processing apparatus for performing plasma processing on the substrate in a predetermined atmosphere;
A sealed container storage device for storing a sealed container storing a plurality of substrates to be processed by the substrate processing apparatus or a cassette storing a plurality of processed substrates;
Tight closed from said Ru is connected to the substrate processing apparatus, the fan filter unit to maintain the internal atmosphere to clean the sealed chamber, and said between via the sealed chamber and the sealed container storage apparatus and the substrate processing apparatus the substrate processing system and a substrate loading and unloading apparatus comprising a substrate transport arm, which transports the cassettes,
The sealed container storage device is:
A mounting table on which the hermetic container is placed for taking out the cassette from the hermetic container and storing the cassette in the hermetic container;
First sealed container storage means for storing the sealed container for storing the cassette containing the substrate not subjected to the plasma treatment;
Second sealed container storage means for storing the sealed container storing the cassette containing the substrate subjected to the plasma treatment;
Wherein the sealed container, between the first closed container storage means and the mounting table, and possess a closed container transfer means for transferring between the mounting table and the second closed container storage means,
The substrate transfer arm has a gate shape, includes a mounting portion for mounting the cassette at a lower portion, and the mounting table, the substrate processing apparatus, and the like by a pendulum movement centering on a fulcrum provided at the upper portion. The substrate processing system characterized in that the cassette is placed on the placement section and conveyed between the two.
前記基板処理装置に接続され、前記プラズマ処理の処理内容を設定する処理内容設定装置と、
前記基板処理装置に接続され、前記処理内容設定装置において設定された処理内容に基づいて前記基板処理装置の動作を制御し、前記基板処理装置を介した通信によって前記基板搬出入装置及び前記密閉容器保管装置の動作を制御する制御装置とを備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
A processing content setting device connected to the substrate processing apparatus for setting the processing content of the plasma processing;
Connected to said substrate processing apparatus, the processing to control the operation of the substrate processing apparatus based on the processing contents set in the content setting device, the substrate loading and unloading device and said sealed by communication via the pre-Symbol substrate processing apparatus The substrate processing system according to claim 1, further comprising a control device that controls an operation of the container storage device.
前記密閉容器保管装置及び前記基板搬出入装置、並びに該基板搬出入装置及び前記基板処理装置は互いに通信可能に接続され、
前記密閉容器保管装置が前記密閉容器が前記第1の密閉容器保管手段から前記載置台に移送されたことを前記基板搬出入装置を介して前記基板処理装置に通知すると、前記制御装置は、前記基板処理装置に前記処置内容設定装置において他の前記密閉容器に格納される基板に施される前記プラズマ処理の処理内容を設定可能にさせることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理システム。
The closed container storage device and the substrate carry-in / out device, and the substrate carry-in / out device and the substrate processing apparatus are connected to be communicable with each other,
When the hermetic container storage device before Symbol sealed container is notifying the substrate processing apparatus through a pre Symbol substrate loading and unloading apparatus that is transferred to the mounting table from the first closed container holding means, wherein the control device 3. The substrate according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured to set the processing content of the plasma processing applied to the substrate stored in the other sealed container in the treatment content setting device. Processing system.
基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置し、前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、
ファンフィルタユニットによって内部が清浄な雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、
前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法であって、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去して保管する第2の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管された、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、
前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする基板処理方法
In an airtight container storage device for storing an airtight container for storing a cassette containing a substrate, the airtight container is placed on a mounting table, the cassette is removed from the airtight container, and the cassette is stored in the airtight container. A cassette removal and storage step to be performed;
A cassette conveying step for conveying the cassette between the mounting table and the substrate processing apparatus of the hermetic container storage device via a hermetic chamber whose interior is maintained in a clean atmosphere by a fan filter unit;
A substrate processing method having a substrate processing step of performing plasma processing on a substrate taken out from the cassette carried into the substrate processing apparatus,
In the sealed container storage device, a first sealed container storage step for storing the sealed container that stores the cassette containing the substrate that has not been subjected to the plasma treatment;
In the sealed container storage device, a second sealed container storage step of removing and storing the sealed container for storing the cassette containing the substrate subjected to the plasma treatment from the mounting table;
In the sealed container storage device, the sealed container for transporting the sealed container storing the cassette storing the substrate not subjected to the plasma treatment, stored in the first sealed container storage step, to the mounting table. A transfer step,
In the cassette carrying step, the mounting table is provided by a cassette carrying arm having a gate shape, having a placing portion for placing the cassette at a lower portion, and performing a pendulum motion around a fulcrum provided at the upper portion. A substrate processing method , wherein the cassette is placed on the mounting portion and transported between the apparatus and the substrate processing apparatus.
基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、
ファンフィルタユニットによって内部が清浄雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、
前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記基板処理方法は、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し保管する第2の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管され前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、
前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とするプログラム。
In a closed container storage device storing a closed container for storing a cassette accommodating a substrate, it is placed on the mounting table the sealed container, the storage of the cassette into the take-out and the sealed container of the cassette from the sealed container A cassette removal and storage step to be performed;
A cassette conveying step of conveying between the mounting table and the substrate processing apparatus prior to the hermetic container storage apparatus the cassette via a sealed chamber inside is maintained in a clean atmosphere by the fan filter unit,
A program for executing a substrate processing method and a substrate processing step of the substrate taken out performing flop plasma processing from the cassette, which is carried into the substrate processing apparatus to the computer,
The substrate processing method includes:
In the sealed container storage device, a first sealed container storage step for storing the sealed container that stores the cassette containing the substrate that has not been subjected to the plasma treatment;
In the hermetic container storage device, a second closed container storage step storing said sealed container for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment has been performed by removing from the mounting table,
In the hermetic container storage device, a sealed container transfer transferring the sealed container to store the cassette in which the plasma treatment has been stored in said first closed container storage step accommodating the substrate not subjected to the loading table and a step to Yes,
In the cassette carrying step, the mounting table is provided by a cassette carrying arm having a gate shape, having a placing portion for placing the cassette at a lower portion, and performing a pendulum motion around a fulcrum provided at the upper portion. program characterized that you conveyed by placing the cassette on the placement section between said substrate processing apparatus.
基板を収容したカセットを格納する密閉容器を保管する密閉容器保管装置において、前記密閉容器を載置台に載置前記密閉容器からの前記カセットの取り出し及び前記密閉容器への前記カセットの格納を行うカセット取り出し格納ステップと、
ファンフィルタユニットによって内部が清浄雰囲気に保持された密閉室を経由して前記カセットを前記密閉容器保管装置の前記載置台と基板処理装置との間で搬送するカセット搬送ステップと、
前記基板処理装置に搬入された前記カセットから取り出した基板にプラズマ処理を施す基板処理ステップとを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を保管する第1の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記プラズマ処理が施された前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台から除去し保管する第2の密閉容器保管ステップと、
前記密閉容器保管装置において、前記第1の密閉容器保管ステップで保管され、前記プラズマ処理が施されていない前記基板を収容した前記カセットを格納する前記密閉容器を前記載置台に移送する密閉容器移送ステップとを有し、
前記カセット搬送ステップでは、門型の形状を有し、下部に前記カセットを載置する載置部を備え、上部に設けられた支点を中心にした振り子運動を行うカセット搬送アームによって、前記載置台と前記基板処理装置との間で前記カセットを前記載置部に載置して搬送することを特徴とする記憶媒体。
In a closed container storage device storing a closed container for storing a cassette accommodating a substrate, it is placed on the mounting table the sealed container, the storage of the cassette into the take-out and the sealed container of the cassette from the sealed container A cassette removal and storage step to be performed;
A cassette conveying step of conveying between the mounting table and the substrate processing apparatus prior to the hermetic container storage apparatus the cassette via a sealed chamber inside is maintained in a clean atmosphere by the fan filter unit,
A computer-readable storage medium storing a program for executing a substrate processing method in a computer having a substrate processing step of performing up plasma process on a substrate taken out from the cassette is carried into the substrate processing apparatus,
The substrate processing method includes:
In the sealed container storage device, a first sealed container storage step for storing the sealed container that stores the cassette containing the substrate that has not been subjected to the plasma treatment;
In the hermetic container storage device, a second closed container storage step storing said sealed container for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment has been performed by removing from the mounting table,
In the hermetic container storage device, wherein stored in the first closed container storage step, a closed container for transporting the closed container for storing the cassette accommodating the substrate on which the plasma treatment is not subjected to the loading table possess and transfer step,
In the cassette carrying step, the mounting table is provided by a cassette carrying arm having a gate shape, having a placing portion for placing the cassette at a lower portion, and performing a pendulum motion around a fulcrum provided at the upper portion. It said substrate processing storage medium characterized that you conveyed by placing the cassette on the placement section with the device.
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