JP4840117B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

Description

本発明は、ボールボンディング法により、被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法に関する。

従来より、この種の一般的なワイヤボンディング方法は、振動を行う振動子に取り付けられたボールボンディング用のキャピラリの内部にＡｕやＣｕなどよりなるワイヤを挿入し、キャピラリの先端部から導出されたワイヤの部分を、被接合部材に押し当てた状態で、キャピラリを振動させることにより、ワイヤを被接合部材に接合するようにしたものである（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００３−７７５６号公報

しかしながら、このようなワイヤボンディング方法では、ワイヤを被接合部材に押し当てキャピラリを振動させるときに、被接合部材の表面が擦れてキャピラリに付着することがある。

具体的には、被接合部材の表面は、配線基板、ＩＣ素子、及びリードフレーム等の電極であり、これらの電極材料がキャピラリの先端部に多量に付着した場合、その付着した汚れの厚さの分、キャピラリ形状が見かけ上、変形することになる。すると、この変形したキャピラリによって、ワイヤボンディング性が低下する。

このような場合、従来では、振動子からキャピラリを取り外し、王水（硝酸１：塩酸３）または、逆王水（硝酸３：塩酸１）などの薬品を用い、付着したＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの汚れを除去している。

しかしながら、このような薬品による汚れ除去を実施するためには、キャピラリの取り外しが必要であるため、当該キャピラリの取り外しや、キャピラリの交換の手間がかかる。そして、汚れ付着量の多い被接合部材の場合には、キャピラリの交換に関わるコストおよび工数が増大する。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ボールボンディング用のキャピラリにより被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法において、キャピラリを交換することなく、キャピラリに付着した汚れを除去できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、キャピラリ（１００）の先端部を、当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材（３０、４１、５０）に押し当てた状態で、キャピラリ（１００）を振動させることにより、キャピラリ（１００）の先端部に付着した汚れを擦り落とすクリーニング工程を備え、
被接合部材（２０）は基板（１０）の一面上に配置されたものであり、基板（１０）にはワイヤ（４０）が接合されない配線（５０）が設けられており、クリーニング工程では、配線（５０）に対してワイヤ（４０）によるボールボンディングを行ってクリーニング部材としてのボール（４１）を形成するとともに、このボール（４１）にキャピラリ（１００）の先端部を押し当てて前記汚れを擦り落とすための振動を行うようにすることを特徴とする。

それによれば、キャピラリ（１００）の先端部を、クリーニング部材（４１）に押し当てた状態で振動させることにより、キャピラリ（１００）の先端部に付着した汚れを擦り落とすため、キャピラリ（１００）を交換することなく、キャピラリ（１００）に付着した汚れを除去することができる。

また、請求項２に記載の発明のように、キャピラリ（１００）の先端部を、当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材（３０、４１、５０）に押し当てた状態で、キャピラリ（１００）を振動させることにより、キャピラリ（１００）の先端部に付着した汚れを擦り落とすクリーニング工程を備え、
被接合部材（２０）が基板（１０）の一面上に配置されたものであり、且つ同じ基板（１０）にはワイヤ（４０）が接合されない配線（５０）が設けられており、クリーニング工程では、配線（５０）をクリーニング部材として兼用し、配線（５０）に対してワイヤ（４０）による１次ボンディングおよび２次ボンディングを行うとともに、当該２次ボンディングにおいて配線（５０）にキャピラリ（１００）の先端部を押し当てて前記汚れを擦り落とすための振動を行うようにしてもよい。

これら請求項１および請求項２の方法によれば、既存部材をクリーニング工程に利用できる。そのため、クリーニング部材を特別に準備する手間が省けるなど、工程の複雑化を極力抑制できるなどのメリットが期待できる。

また、ここまでの手段においては、請求項４に記載の発明のように、クリーニング工程におけるキャピラリ（１００）の振動パワーを、ワイヤ（４０）を被接合部材（２０、３０）に接合する工程におけるキャピラリ（１００）の振動パワーよりも大きなものとすることが、好ましい。

また、請求項３に記載の発明のように、クリーニング部材（４１、５０）としては、金または銅よりなるものであることが好ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置Ｓ１の概略断面図である。

この電子装置Ｓ１において、基板１０は、セラミック基板、プリント基板、リードフレーム、ヒートシンクなどであり、この基板１０の一面には、被接合部材としてのＩＣチップ２０が搭載されている。そして、ＩＣチップ２０は、図示しないダイボンド材などにより基板１０に接合されている。

このＩＣチップ２０は、シリコン半導体などにトランジスタ素子などによりＩＣ回路を形成してなる一般的なものである。また、ＩＣチップ２０の近傍には、被接合部材としてのＡｕやＣｕなどよりなる導体部材３０が設けられている。

この導体部材３０は、たとえば基板１０とは別体のリードフレームなどよりなる。なお、図１では、基板１０と導体部材３０とは別体のものとして表されているが、基板１０と導体部材３０とは一体のものでもよい。たとえば、導体部材３０は、基板１０の一面上に設けられたパッドなどであってもよい。

そして、ＩＣチップ２０と導体部材３０とは、ボンディングワイヤ４０により結線されており、このワイヤ４０を介して互いに電気的に接続されている。このボンディングワイヤ４０は、ボールボンディング法を用いたワイヤボンディングにより形成されたものであり、たとえばＡｕやＣｕなどよりなる。

また、図１に示されるように、基板１０の一面には、ボンディングワイヤ４０が接合されない配線５０すなわちワイヤボンディングが行われない配線５０が設けられている。この配線５０は、検査を行ったり大電流を流したりするための配線５０であり、その表面がＡｕメッキやＣｕメッキなどよりなる。

次に、本実施形態の電子装置Ｓ１におけるボンディングワイヤ４０の形成方法すなわちワイヤボンディング方法について、図２を参照して述べる。図２は、本実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるワイヤ４０を被接合部材２０、３０に接合する工程（ワイヤ接合工程）を示す工程図である。

本実施形態では、ＩＣチップ２０のアルミニウムなどよりなるパッド２１を１次ボンディング側、導体部材３０を２次ボンディング側として、これら両接合部材２０、３０がボールボンディング法によりワイヤボンドされている。

なお、本実施形態におけるワイヤボンディング装置は、一般的なボールボンディングを行うことのできるボールボンディング装置であり、超音波により振動する振動子に対して図２に示されるキャピラリ１００を取り付けたものである。そして、キャピラリ１００は、その内孔にワイヤ４０を挿入して当該ワイヤ４０を保持するとともに、先端部にワイヤ４０を繰り出すものである。

まず、図２（ａ）に示されるように、当該ボールボンディング装置におけるキャピラリ１００の内部に挿入されたワイヤ４０において、キャピラリ１００の先端部から導出された部分の先端に、放電加工によって球形状をなすボール（イニシャルボール）４１を形成する。

次に、このボール４１をＩＣチップ２０のパッド２１に押し当てて、図２（ｂ）中の矢印Ｙに示されるように、超音波振動を加えながら接合し、１次ボンディングを行う。その後、ワイヤ４０を、キャピラリ１００の先端部から繰り出して導体部材３０まで引き回す（図２（ｃ）参照）。

次に、導体部材３０まで引き回されたワイヤ４０を、キャピラリ１００の先端部にて当該導体部材３０に押しつけて、図２（ｄ）中の矢印Ｙに示されるように、超音波振動を加えながら接合し、２次ボンディングを行う。

そして、図２（ｅ）の矢印に示す順に、キャピラリ１００を上方へ移動させ、２次ボンディング側である導体部材３０からワイヤ４０を切り離す。こうして、本ワイヤボンディング方法におけるワイヤ接合工程が完了する。

なお、このワイヤ４０を切り離したとき、キャピラリ１００の先端部からは、ワイヤ４０が突出してテール４２として残るが、このテール４２に再び上記同様に放電加工を行い、上記ボール４１を形成する。こうして、ボールボンディングの１サイクルが完了し、次のサイクルを行う。

ここで、このようなワイヤボンディング方法においては、ワイヤ４０をＩＣチップ２０のパッド２１や導体部材３０に押し当てキャピラリ１００を振動させるときに、これら被接合部材２０、３０の表面が擦れ、被接合部材２０、３０から削り取られた部分が汚れとしてキャピラリ１００に付着する。

そこで、本実施形態のワイヤボンディング方法では、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れを擦り落とすクリーニング工程を備えている。このクリーニング工程は、上記図２において、（ｅ）に示されるワイヤ４０の切り離しと（ａ）に示されるボール４１の形成との間に行う。

すなわち、本実施形態のクリーニング工程は、ワイヤ接合工程の前後に行うものであるが、本クリーニング工程は、キャピラリ１００の汚れ度合に応じて行えばよく、上記ワイヤ接合工程の１サイクル、つまり上記図２に示されるボールボンディングの１サイクル毎に行ってもよいし、複数サイクル毎に行ってもよい。

ここで、図３は、本実施形態におけるクリーニング工程の第１の方法を示す工程図であり、図４は、本実施形態におけるクリーニング工程のもう一つの方法としての第２の方法を示す工程図である。

上述したように、本実施形態の電子装置Ｓ１においては、基板１０は、その一面に被接合部材としてのＩＣチップ２０を配置するとともに、ボンディングワイヤ４０が接合されない配線５０を備えたものである。

そして、これら図３に示される第１の方法および図４に示される第２の方法は、いずれも、この配線５０を利用してクリーニング工程を行うものである。つまり、本実施形態のワイヤボンディング方法では、クリーニング工程としては、上記第１の方法および第２の方法のいずれか一方を適宜選択して採用すればよい。

まず、図３に示される第１の方法について述べる。具体的には、ボンディングワイヤ４０による被接合部材２０、３０の接合を行った後に、第１の方法を行う。このとき、まず、上記図２（ａ）と同様にして、キャピラリ１００の先端部から導出されたワイヤ４０の部分の先端に、ボール４１を形成し、これを配線５０の上までキャピラリ１００を移動させる。

そして、図３（ａ）に示されるように、このボール４１を配線５０に押し当てて、図中の矢印Ｙ方向に超音波振動を加えながら接合する。また、このとき、振動パワーは、ワイヤ接合工程における振動パワーよりも大きいものとする。たとえば、このクリーニング工程における振動パワーは、ワイヤ接合工程における振動パワーの２倍以上とする。振動パワーの調整は、ボンディング装置において振動の振幅などを調整することにより、行うことができる。

それにより、配線５０に対してワイヤ４０によるボールボンディングを行うことで、当該配線５０の上には、クリーニング部材としてのボール４１が形成される。また、このボール４１にキャピラリ１００の先端部を押し当てて振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫが擦り落とされる。

その後は、キャピラリ１００を上方へ移動させ、図３（ｂ）に示されるように、ボール４１からワイヤ４０を切り離すと、キャピラリ１００の先端部に付着していた汚れＫは、キャピラリ１００から除去され、クリーニング部材としてのボール４１の表面に残る。こうして、第１の方法としてのクリーニング工程が完了する。

なお、その後は、キャピラリ１００の先端部に残るワイヤ４０のテール４２に対して、上記同様に放電加工によってボール４１を形成し、再びワイヤ接合工程（上記図２参照）を行う。また、この第１の方法では、配線５０の上に汚れＫが付着したボール４１が残るが、検査や大電流用の配線であるため、実質的な影響はない。

次に、図４に示される第２の方法について述べる。ボンディングワイヤ４０による被接合部材２０、３０の接合を行った後、第２の方法を行う。ここで、上記第１の方法では、配線５０の上に形成したボール４１をクリーニング部材として用いたが、第２の方法では、配線５０そのものをクリーニング部材として兼用する。

この第２の方法においても、まず、上記図２（ａ）と同様に、キャピラリ１００の先端部から導出されたワイヤ４０の部分の先端に、ボール４１を形成し、配線５０の上までキャピラリ１００を移動させる。

次に、第２の方法では、図４（ａ）に示されるように、ボール４１を配線５０に押し当てて、図中の矢印Ｙ方向に超音波振動を加えながら接合し、１次ボンディングを行い、その後、ワイヤ４０を、配線５０上の２次ボンディング部まで引き回す。

そして、この配線５０上の２次ボンディング部に対してキャピラリ１００の先端部を押し当て、超音波振動を加えながら接合し、２次ボンディングを行う。このときの振動パワーも、ワイヤ接合工程における振動パワーよりも大きい（たとえば２倍以上）ものとする。それにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫが擦り落とされる。

その後、図４（ｂ）に示されるように、キャピラリ１００を上方へ移動させ、配線５０からワイヤ４０を切り離すと、汚れＫはキャピラリ１００から除去され、クリーニング部材としての配線５０の表面に残る。

こうして、第２の方法としてのクリーニング工程が完了する。このように、第２の方法では、クリーニング部材としての配線５０に対して、ボールボンディング法によってワイヤ４０による１次ボンディングおよび２次ボンディングを行うとともに、当該２次ボンディングにおいて汚れＫを擦り落とすための振動を行っている。

なお、この第２の方法としてのクリーニング工程の後は、上記第１の方法と同様に、キャピラリ１００の先端部に残るワイヤ４０のテール４２に対してボール４１を形成し、再びワイヤ接合工程（上記図２参照）を行う。また、この第２の方法では、配線５０の上に汚れＫおよびボンディングワイヤ４０が残るが、検査や大電流用の配線であるため、実質的な影響はない。

このように、本実施形態のワイヤボンディング方法は、ボールボンディング法によるワイヤ接合工程（上記図２参照）に加えて、キャピラリ１００の先端部をクリーニング部材４１、５０に押し当てた状態で、キャピラリ１００を振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫを擦り落とすというクリーニング工程を備えるものとなっている。

それによれば、キャピラリ１００の先端部を、クリーニング部材４１、５０に押し当てた状態で振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫを擦り落とすため、従来のように、キャピラリ１００を交換して薬品で洗浄するといった手間が不要となる。

そのため、本実施形態によれば、ボンディング工程を中断することなく、キャピラリ１００に付着した汚れを除去することができる。また、キャピラリ１００の交換回数も大幅に低減することができ、交換用キャピラリの本数も低減できるため、コストの面からも有利である。

また、本実施形態のクリーニング工程は、上記第１の方法および第２の方法として示したように、通常のボールボンディング工程における動作を利用してクリーニングを行えるものであり、ボンディング工程を中断することがない。

また、本実施形態のクリーニング工程では、もともと存在する基板１０上の配線５０を利用してクリーニングを行うことができるため、クリーニング部材を特別に準備する手間が省けるというメリットも期待できる。

次に、上記したように、本実施形態のクリーニング部材は、ＡｕメッキやＣｕメッキなどよりなる配線５０や、ＡｕワイヤやＣｕワイヤなどにより形成されたボール４１であるが、本発明者の検討によれば、クリーニング部材の材質としては、このようなＡｕやＣｕなどであることが望ましい。

図５は、本実施形態のクリーニング工程を模式的に示した図であり、ワイヤ４０などは省略してある。図５（ａ）に示されるように、汚れＫは、キャピラリ１００の先端部のうちワイヤ接合工程における被接合部材２０、３０との接触部位に付着する。

この先端部は、一般的なボールボンディング用のキャピラリと同じくキャピラリ１００の中心から周囲に向かうにしたがって、Ｒ面となっている。そして、キャピラリ１００の先端部においては、たとえば径寸法Ｔが１３５μｍのキャピラリ１００の場合少なくとも中心１００ａから５０μｍ以上の範囲にて、汚れＫを除去する必要がある。

この寸法範囲は、キャピラリ１００の外形寸法及びワイヤ接合時にキャピラリ１００が被接合部材２０、３０に接触する範囲によって異なるが、おおむねキャピラリ１００の中心部の７５％の領域に相当する。

この領域の汚れを除去するためには、図５（ｂ）に示されるように、キャピラリ１００の先端部をクリーニング部材４１、５０に押し当てて擦るときに、キャピラリ１００が、ある程度クリーニング部材４１、５０に沈み込む必要がある。また、擦り付けの後では、図５（ｃ）に示されるように、クリーニング部材４１、５０側に汚れＫが付着することも必要である。

つまり、クリーニング部材４１、５０の材質としては、キャピラリ１００が多少沈み込む程度に軟らかく、且つ、この種のボールボンディングにおいて発生する汚れが付着しやすいものであることが必要条件となる。

本発明者は、種々の材質について実験検討を行い、その結果として、クリーニング部材４１、５０としては、ブリネル硬度（Ｂ．Ｈ．Ｎ）が２６〜４６程度のもの、具体的には、上述したようなＡｕメッキ、Ｃｕメッキ、またはＡｕやＣｕのボールなどよりなるものが好ましいことを確認した。ちなみに、クリーニング部材が硬すぎると、キャピラリ１００の先端部の一部しか接触せず、汚れ全体を除去できない。

また、上記したように、クリーニング工程におけるキャピラリ１００の振動パワーを、ワイヤ接合工程におけるキャピラリ１００の振動パワーよりも大きなもの、好ましくは２倍以上としているが、これについても、本発明者の行った実験検討の結果、わかったものである。

図６は、本発明者が行ったクリーニング工程の条件について行った実験検討の一例を示す図表である。ここでは、クリーニング部材としては、ＡｕめっきやＣｕめっきよりなるものを用い、振動パワー（超音波パワー）と荷重とを変えたときのクリーニングの効果を調査した。

振動パワーおよび荷重はワイヤ接合工程における通常の接合条件を１とし、振動パワーについては、通常の接合条件の１倍、１．５倍、２倍、２．５倍、３倍と変えていき、荷重については、通常の接合条件の０．５倍、１倍、２倍と変えていった。そして、クリーニングの効果は、キャピラリ１００の先端部の汚れがすべて除去できた場合を「○」とし、当該汚れが残っている場合は「×」とした。

この図６に示される結果によれば、荷重によらず、クリーニング工程におけるキャピラリ１００の振動パワーを、通常のワイヤ接合工程におけるキャピラリ１００の振動パワーの２倍以上とすれば、クリーニングの効果があることがわかる。

（第２実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置Ｓ２の概略断面図であり、図７（ｂ）は（ａ）中の丸で囲んだＡ部の拡大図である。

この電子装置Ｓ２において、基板１０およびＩＣチップ２０は上記図１のものと同様である。また、導体部材３０は、基板１０の一面上に設けられたＡｕめっきやＣｕめっきよりなるパッド３０であり、このパッド３０とＩＣチップ２０とは、ボンディングワイヤ４０により結線され電気的に接続されている。

本実施形態も、上記実施形態と同様に、ＩＣチップ２０を１次ボンディング側、パッド３０を２次ボンディング側として、これら両接合部材２０、３０がボールボンディング法によりワイヤボンドされている。

ここで、本実施形態では、図７（ｂ）に示されるように、２次ボンディング側となるパッド３０にはバンプ６０が形成されている。そして、本実施形態におけるワイヤ４０によるＩＣチップ２０とパッド３０との接合工程は、２次ボンディングにおいて、ボンディングワイヤ４０をバンプ６０に対して接合すること以外は、上記図２に示される工程と同様である。

本実施形態においては、ワイヤ４０を被接合部材に接合する工程は、基板１０のパッド３０を被接合部材３０とし、ボールボンディング法によって当該パッド３０にバンプ６０を形成する工程、すなわちバンプ形成工程である。

図８は、この本実施形態のバンプ形成工程を説明する工程図である。本工程では、図８（ａ）、（ｂ）に示されるように、パッド３０に対して、上記図２と同様にして、１次ボンディングおよび２次ボンディングを行うことにより、パッド３０に接合されたワイヤ４０としてのバンプ６０を形成する。

このとき、本実施形態では、クリーニング工程を、バンプ形成工程における２次ボンディングを行うときに同時に行う。被接合部材としてのパッド３０上にボールボンディング法によりバンプ６０を形成する場合、実質的に１次ボンディング部分がバンプ６０として構成され、２次ボンディング部分はバンプ６０における接合品質に寄与しない。

そこで、本クリーニング工程では、パッド３０のうちバンプ６０形成時の２次ボンディングが行われる部位をクリーニング部材とする。そして、この部位にキャピラリ１００の先端部を押し当てて、図８（ａ）中の矢印Ｙに示されるように、キャピラリ１００を振動させる。

つまり、本実施形態のクリーニング工程は、バンプ形成工程における２次ボンディングの振動を利用して行うものである。このときの振動パワーは、一般的なボールボンディングによるバンプ形成における２次ボンディングのパワーよりも大きいものとする。それにより、図８（ｂ）に示されるように、キャピラリ１００の汚れＫは、パッド３０に擦り付けられてキャピラリ１００から取り除かれる。

また、この汚れＫの除去と同時に、２次ボンディングが終了し、バンプ６０が形成される。その後は、上記ＩＣチップ２０と当該パッド３０上のバンプ６０との間で、ワイヤボンディングを行い、これらの間をワイヤ４０により結線する。

このように、本実施形態によっても、キャピラリ１００の先端部を、クリーニング部材としてのパッド３０に押し当てた状態で振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫを擦り落とすため、キャピラリ１００を交換することなく、キャピラリ１００に付着した汚れを除去することができる。

また、本実施形態においても、上記実施形態と同様に、キャピラリ１００の交換回数の低減による効果が発揮される。また、本実施形態では、この種のボールボンディングによるバンプの形成工程における動作を利用してクリーニングを行うことから、上記実施形態と同様に、ボンディング工程を中断しないという効果が発揮される。

また、本実施形態のクリーニング工程では、もともと存在するパッド３０の２次ボンディング部位を利用してクリーニングを行うことができるため、上記実施形態と同様に、クリーニング部材を特別に準備する手間が省けるというメリットが期待できる。さらに、本実施形態では、ボンディングの打点数は、従来の方法と変わらないため、コストアップにはならない。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、上記配線５０（図１参照）や上記パッド３０（上記図７、図８参照）など、電子装置における既存の部材を利用して、クリーニング工程を行ったが、別途、クリーニング部材を用意してもよい。たとえば、Ａｕめっきされたプレートなどを別途用意してもよい。

本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。 上記第１実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるワイヤ接合工程を示す工程図である。 上記第１実施形態におけるクリーニング工程の第１の方法を示す工程図である。 上記第１実施形態におけるクリーニング工程の第２の方法を示す工程図である。 上記第１実施形態のクリーニング工程を模式的に示した図である。 クリーニング工程の条件について本発明者が行った実験結果の一例を示す図表である。 ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ部拡大図である。 上記第２実施形態のバンプ形成工程を説明する工程図である。

符号の説明

１０…基板、２０…被接合部材としてのＩＣチップ、
３０…被接合部材としての導体部材（パッド）、４０…ボンディングワイヤ、
４１…ボール、５０…配線、６０…バンプ、１００…キャピラリ。

Claims (4)

1. ボールボンディング用のキャピラリ（１００）の内部にワイヤ（４０）を挿入し、
   前記キャピラリ（１００）の先端部から導出された前記ワイヤ（４０）を、被接合部材（２０、３０）に押し当てた状態で、前記キャピラリ（１００）を振動させることにより、前記ワイヤ（４０）を前記被接合部材（２０、３０）に接合するようにしたワイヤボンディング方法において、
   前記キャピラリ（１００）の先端部を、当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材（４１）に押し当てた状態で、前記キャピラリ（１００）を振動させることにより、前記キャピラリ（１００）の先端部に付着した汚れを擦り落とすクリーニング工程を備え、
   前記被接合部材（２０）は基板（１０）の一面上に配置されたものであり、前記基板（１０）には前記ワイヤ（４０）が接合されない配線（５０）が設けられており、
   前記クリーニング工程では、前記配線（５０）に対して前記ワイヤ（４０）によるボールボンディングを行って前記クリーニング部材としてのボール（４１）を形成するとともに、このボール（４１）に前記キャピラリ（１００）の先端部を押し当てて前記汚れを擦り落とすための振動を行うようにすることを特徴とするワイヤボンディング方法。
2. ボールボンディング用のキャピラリ（１００）の内部にワイヤ（４０）を挿入し、
   前記キャピラリ（１００）の先端部から導出された前記ワイヤ（４０）を、被接合部材（２０、３０）に押し当てた状態で、前記キャピラリ（１００）を振動させることにより、前記ワイヤ（４０）を前記被接合部材（２０、３０）に接合するようにしたワイヤボンディング方法において、
   前記キャピラリ（１００）の先端部を、当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材（５０）に押し当てた状態で、前記キャピラリ（１００）を振動させることにより、前記キャピラリ（１００）の先端部に付着した汚れを擦り落とすクリーニング工程を備え、
   前記被接合部材（２０）は基板（１０）の一面上に配置されたものであり、前記基板（１０）には前記ワイヤ（４０）が接合されない配線（５０）が設けられており、
   前記クリーニング工程では、前記配線（５０）を前記クリーニング部材として兼用し、前記配線（５０）に対して前記ワイヤ（４０）による１次ボンディングおよび２次ボンディングを行うとともに、当該２次ボンディングにおいて前記配線（５０）に前記キャピラリ（１００）の先端部を押し当てて前記汚れを擦り落とすための振動を行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
3. 前記クリーニング部材（４１、５０）は金または銅よりなるものであることを特徴とする請求項１または２に記載のワイヤボンディング方法。
4. 前記クリーニング工程における前記キャピラリ（１００）の振動パワーを、前記ワイヤ（４０）を前記被接合部材（２０、３０）に接合する工程における前記キャピラリ（１００）の振動パワーよりも大きなものとすることを特徴とする請求項１または２に記載のワイヤボンディング方法。

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