JP4847396B2 - Probe, probe device for signal detection, probe device for signal supply, and inspection device - Google Patents
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Description
本発明は、検査対象体の導体パターンに流れる電気信号を非接触で検出する検出用電極と検出用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブ、そのプローブを備えた信号検出用のプローブ装置および信号供給用のプローブ装置(以下、両者を区別しないときには、単にプローブ装置ともいう)、およびそのプローブ装置を備えた検査装置に関するものである。 The present invention includes a probe including a detection electrode for detecting an electric signal flowing through a conductor pattern of a test object in a non-contact manner and a shield electrode provided with an insulator sandwiched around the detection electrode, and the probe. The present invention relates to a probe device for signal detection, a probe device for signal supply (hereinafter, also simply referred to as a probe device when they are not distinguished from each other), and an inspection device including the probe device.
この種の検査装置として、特許第2994259号公報に開示された基板検査装置が知られている。この基板検査装置は、被検査基板の導体パターンの良否を検査(テスト)する装置であって、導体パターンにおける広ピッチ側の電極に接触可能なコンタクトプローブと、導体パターンにおける狭ピッチ側の検査対象電極において発生する電磁界を検出して検出信号を出力する非接触センサと、検出信号を処理する波形処理回路等を備えて構成されている。この基板検査装置では、非接触センサによって検出された電磁界に対応する検出信号の電圧レベルと基準値とを比較することにより、導体パターンの不良の有無を判定することが可能となっている。この場合、非接触センサには、広ピッチ側の電極からの放射波(電磁界)が非接触センサに届くのを防止するシールドが設けられている。このため、この基板検査装置では、狭ピッチ側の検査対象電極以外からの放射波の影響を低減することが可能となっている。
ところが、上記の基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、この基板検査装置では、非接触センサに設けたシールドによって検査対象電極以外からの放射波(外乱)の影響の低減を図っている。この場合、この種のシールドは、一般的に、導電性材料で形成されてグランド電位に接続されると共に、絶縁体を挟んで非接触センサの周囲に設けられている。つまり、非接触センサとシールドとが絶縁体を介して容量結合された状態となっている。このため、非接触センサから出力される検出信号の一部が、非接触センサとシールドとの間の静電容量によってシールド側に流れて、非接触センサから波形処理回路に出力される検出信号の信号レベルが低下(検出信号が減衰)する結果、その分、非接触センサの感度が低下する。 However, the above substrate inspection apparatus has the following problems. That is, in this board inspection apparatus, the influence of radiation waves (disturbances) from other than the inspection target electrode is reduced by the shield provided in the non-contact sensor. In this case, this type of shield is generally formed of a conductive material and connected to the ground potential, and is provided around the non-contact sensor with an insulator interposed therebetween. That is, the non-contact sensor and the shield are capacitively coupled via the insulator. For this reason, part of the detection signal output from the non-contact sensor flows to the shield side due to the capacitance between the non-contact sensor and the shield, and the detection signal output from the non-contact sensor to the waveform processing circuit. As a result of the decrease in the signal level (attenuation of the detection signal), the sensitivity of the non-contact sensor decreases accordingly.
この検出信号の減衰率は、非接触センサとシールドとの間の静電容量が大きいほど大きくなる。また、非接触センサとシールドとの間の静電容量は、両者の距離に反比例する。したがって、検出信号の減衰率を低く抑える、つまり非接触センサの感度を向上させるためには、両者の距離を長くするのが好ましい。しかしながら、非接触センサからシールドまでの距離が長くなるほどシールド効果が低下して、検査対象の以外から外乱の影響を受け易くなる。言い換えると、非接触センサの指向性の向上が困難となる。したがって、この種の非接触センサを用いる上記の基板検査装置には、非接触センサの感度向上および指向性向上の双方を実現するのが困難な結果、検査精度の向上が困難であるという問題点が存在する。 The attenuation rate of the detection signal increases as the capacitance between the non-contact sensor and the shield increases. Further, the capacitance between the non-contact sensor and the shield is inversely proportional to the distance between the two. Therefore, in order to keep the attenuation rate of the detection signal low, that is, to improve the sensitivity of the non-contact sensor, it is preferable to increase the distance between the two. However, the longer the distance from the non-contact sensor to the shield, the lower the shielding effect, and it is more susceptible to disturbance from other than the inspection target. In other words, it becomes difficult to improve the directivity of the non-contact sensor. Therefore, the above-described substrate inspection apparatus using this type of non-contact sensor has a problem that it is difficult to improve both the sensitivity and directivity of the non-contact sensor, resulting in difficulty in improving inspection accuracy. Exists.
一方、電極のピッチが狭いために検査用信号を供給するコンタクトプローブの接触が困難な基板や、コンタクトプローブの接触によって電極が傷付き易い基板の検査を可能とするために、上記した非接触センサと同様の構成の非接触型プローブを用いて非接触で検査用信号を供給する検査装置が知られている。この場合、この種の検査装置においても、上記した非接触センサにおける現象と同様にして、検査用信号の一部がシールド側に流れて、基板の電極に供給される検出信号の信号レベルが低下したり、非接触型のプローブの指向性が低く、供給対象の電極とは異なる電極に検査用信号が供給されたりする結果、検査精度の向上が困難であるという問題点が存在する。 On the other hand, in order to enable inspection of a substrate that is difficult to contact with a contact probe that supplies inspection signals due to a narrow electrode pitch, and a substrate that is easily damaged by contact with the contact probe, the above-described non-contact sensor There is known an inspection apparatus that supplies an inspection signal in a non-contact manner using a non-contact type probe having the same configuration as in FIG. In this case, also in this type of inspection apparatus, in the same manner as the phenomenon in the non-contact sensor described above, a part of the inspection signal flows to the shield side, and the signal level of the detection signal supplied to the electrode of the substrate is lowered. However, the directivity of the non-contact type probe is low, and the inspection signal is supplied to an electrode different from the supply target electrode. As a result, it is difficult to improve the inspection accuracy.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、導体パターンについての検査における検査精度を向上させ得るプローブ、プローブ装置および検査装置を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and a main object of the present invention is to provide a probe, a probe apparatus, and an inspection apparatus that can improve the inspection accuracy in the inspection of a conductor pattern.
上記目的を達成すべく請求項1記載のプローブは、検査用信号が供給されている検査対象体の導体パターンに近接させられた状態において当該検査用信号の供給に伴って当該導体パターンとの間の静電容量を介して流れる電気信号を検出する検出用電極と、当該検出用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブであって、前記検出用電極と前記シールド電極との間には、フローティング状態に維持された中間電極が絶縁体を挟んで設けられている。
In order to achieve the above object, the probe according to
また、請求項2記載のプローブは、請求項1記載のプローブにおいて、前記検出用電極は柱状に形成され、前記中間電極は、筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられ、前記シールド電極は、筒状に形成されると共に前記中間電極を取り囲むようにして設けられている。
The probe according to
また、請求項3記載のプローブは、請求項1記載のプローブにおいて、前記検出用電極は薄板状に形成されると共に基板上に設けられ、前記中間電極は、枠状に形成されると共に前記検出用電極と非接触の状態で当該検出用電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられ、前記シールド電極は、枠状に形成されると共に前記中間電極と非接触の状態で当該中間電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられている。
The probe according to claim 3 is the probe according to
さらに、請求項4記載のプローブは、請求項1から3のいずれかに記載のプローブにおいて、前記絶縁体は、発泡性ポリエチレンで形成されている。
Furthermore, the probe according to claim 4 is the probe according to any one of
この場合、前記導体パターンに近接させられた状態において当該導体パターンに対向する端面の最大幅が当該導体パターンの幅よりも短くなるように前記検出用電極を形成することができる。 In this case, the detection electrode can be formed such that the maximum width of the end face facing the conductor pattern is shorter than the width of the conductor pattern in the state of being close to the conductor pattern.
また、請求項5記載のプローブは、検査対象体の導体パターンに近接させられた状態において当該導体パターンとの間の静電容量を介して検査用信号を供給する供給用電極と、当該供給用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブであって、前記供給用電極と前記シールド電極との間には、フローティング状態に維持された中間電極が絶縁体を挟んで設けられている。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a supply electrode for supplying an inspection signal via an electrostatic capacitance between the probe pattern and the supply electrode in a state where the probe is brought close to the conductor pattern of the inspection object. A probe having a shield electrode provided around an electrode with an insulator interposed therebetween, and an intermediate electrode maintained in a floating state sandwiches the insulator between the supply electrode and the shield electrode Is provided.
また、請求項6記載のプローブは、請求項5記載のプローブにおいて、前記供給用電極は柱状に形成され、前記中間電極は、筒状に形成されると共に前記供給用電極を取り囲むようにして設けられ、前記シールド電極は、筒状に形成されると共に前記中間電極を取り囲むようにして設けられている。
The probe according to claim 6 is the probe according to
さらに、請求項7記載のプローブは、請求項5記載のプローブにおいて、前記供給用電極は薄板状に形成されると共に基板上に設けられ、前記中間電極は、枠状に形成されると共に前記供給用電極と非接触の状態で当該供給用電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられ、前記シールド電極は、枠状に形成されると共に前記中間電極と非接触の状態で当該中間電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられている。
The probe according to claim 7 is the probe according to
また、請求項8記載のプローブは、請求項5から7のいずれかに記載のプローブにおいて、前記絶縁体は、発泡性ポリエチレンで形成されている。
The probe according to
この場合、前記導体パターンに近接させられた状態において当該導体パターンに対向する端面の最大幅が当該導体パターンの幅よりも短くなるように前記供給用電極を形成するのことができる。 In this case, the supply electrode can be formed so that the maximum width of the end surface facing the conductor pattern is shorter than the width of the conductor pattern in the state of being close to the conductor pattern.
また、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置は、請求項1から4のいずれかに記載のプローブと、当該プローブによって検出された前記電気信号に対して所定の処理を実行する処理回路とを備えている。
A probe device for signal detection according to claim 9 is a probe according to any one of
また、請求項10記載の信号供給用のプローブ装置は、請求項5から8のいずれかに記載のプローブと、当該プローブに前記検査用信号を出力する検査用信号出力部とを備えている。 According to a tenth aspect of the present invention, a signal supply probe apparatus includes the probe according to any one of the fifth to eighth aspects, and an inspection signal output unit that outputs the inspection signal to the probe.
また、請求項11記載の検査装置は、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置と、検査対象体の導体パターンに検査用信号を供給する検査用信号供給部と、当該信号検出用のプローブ装置の前記処理回路によって処理された処理信号に基づいて前記導体パターンの検査を実行する検査部とを備えている。 An inspection apparatus according to an eleventh aspect includes a signal detection probe apparatus according to the ninth aspect, an inspection signal supply unit that supplies an inspection signal to a conductor pattern of an inspection object, and the signal detection probe. And an inspection unit for inspecting the conductor pattern based on a processing signal processed by the processing circuit of the apparatus.
さらに、請求項12記載の検査装置は、請求項11記載の検査装置において、複数の前記導体パターンにおける各々の一端部に近接可能に構成された電極板を備え、前記検査用信号供給部は、前記各一端部に近接させられた前記電極板と当該各一端部との間の静電容量を介して前記各導体パターンに前記検査用信号を供給する。
Furthermore, the inspection apparatus according to
また、請求項13記載の検査装置は、請求項10記載の信号供給用のプローブ装置と、当該信号供給用のプローブ装置による前記検査用信号の供給に伴って前記導体パターンを流れる電気信号に対して所定の処理を実行する処理回路と、当該処理回路によって処理された処理信号に基づいて前記導体パターンの検査を実行する検査部とを備えている。 According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a probe apparatus for supplying a signal according to the tenth aspect, and an electric signal flowing through the conductor pattern in accordance with the supply of the inspection signal by the probe apparatus for supplying the signal. A processing circuit for executing a predetermined process, and an inspection unit for inspecting the conductor pattern based on a processing signal processed by the processing circuit.
また、請求項14記載の検査装置は、請求項13記載の検査装置において、複数の前記導体パターンにおける各々の一端部に近接可能に構成された電極板を備え、前記処理回路は、前記各一端部に近接させられた前記電極板と当該各一端部との間の静電容量を介して当該電極板によって検出された前記電気信号に対して前記所定の処理を実行する。 An inspection apparatus according to claim 14 is the inspection apparatus according to claim 13, further comprising an electrode plate configured to be close to one end of each of the plurality of conductor patterns, wherein the processing circuit includes the one end. The predetermined processing is performed on the electric signal detected by the electrode plate via a capacitance between the electrode plate brought close to the part and the one end.
また、請求項15記載の検査装置は、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置と、請求項10記載の信号供給用のプローブ装置と、前記信号供給用のプローブ装置からの前記検査用信号の供給に伴って流れて前記信号検出用のプローブ装置によって処理された処理信号に基づいて前記導体パターンの検査を実行する検査部とを備えている。
An inspection apparatus according to claim 15 is a probe apparatus for signal detection according to claim 9, a probe apparatus for signal supply according to
また、請求項16記載の検査装置は、請求項11から15のいずれかに記載の検査装置において、前記プローブを任意の方向に移動可能な移動機構と、当該移動機構を制御して前記プローブの先端部を前記導体パターンに近接させる制御部とを備えている。
An inspection apparatus according to claim 16 is the inspection apparatus according to any one of
請求項1記載のプローブによれば、検出用電極とシールド電極との間に、フローティング状態に維持された中間電極を設けたことにより、検出用電極とシールド電極との距離を長くして両者間の静電容量を減少させることで検出用電極によって検出された電気信号の減衰率を低減してプローブの感度を向上させたとしても、フローティング電極の存在によって検出範囲を狭い範囲に限定してプローブの指向性を向上させることができる。したがって、このプローブによれば、感度向上および指向性向上の双方を実現することができる結果、検査対象体の導体パターンについての検査における検査精度を十分に向上させることができる。
According to the probe of
また、請求項2記載のプローブによれば、検出用電極を柱状に形成し、筒状に形成した中間電極を検出用電極を取り囲むようにして設け、筒状に形成したシールド電極を中間電極を取り囲むようにして設けたことにより、検出用電極の端面以外の部分をシールド電極で確実に覆うことができるため、外乱の影響を十分少なく抑えることができる。
According to the probe of
また、請求項3記載のプローブによれば、薄板状に形成した検出用電極を基板上に設け、枠状に形成した中間電極を検出用電極を取り囲むようにして基板上に設け、枠状に形成したシールド電極を中間電極を取り囲むようにして基板上に設けたことにより、構成が簡易な分、プローブの作製コストを十分に低減することができる。 According to the probe of claim 3, the detection electrode formed in a thin plate shape is provided on the substrate, and the intermediate electrode formed in a frame shape is provided on the substrate so as to surround the detection electrode. Since the formed shield electrode is provided on the substrate so as to surround the intermediate electrode, the cost of manufacturing the probe can be sufficiently reduced because the configuration is simple.
さらに、請求項4記載のプローブによれば、絶縁体を誘電率の低い発泡性ポリエチレンで形成したことにより、検出用電極とシールド電極との間の静電容量を一層小さく抑えることができる結果、電気信号の減衰率をさらに低減することができる。 Furthermore, according to the probe of claim 4, by forming the insulator with foamable polyethylene having a low dielectric constant, the capacitance between the detection electrode and the shield electrode can be further reduced, The attenuation rate of the electric signal can be further reduced.
この場合、導体パターンに対向する端面の最大幅が導体パターンの幅よりも短くなるように検出用電極を形成することで、例えば、検査対象の導体パターンに隣接する導体パターンに検査用信号が供給されていたとしても、その隣接する導体パターンとの間の静電容量を介して流れる電気信号が検出用電極によって誤検出される事態を確実に防止することができる。 In this case, for example, an inspection signal is supplied to the conductor pattern adjacent to the conductor pattern to be inspected by forming the detection electrode so that the maximum width of the end surface facing the conductor pattern is shorter than the width of the conductor pattern. Even if it has been done, it is possible to reliably prevent a situation in which an electric signal flowing through the capacitance between the adjacent conductor patterns is erroneously detected by the detection electrode.
また、請求項5記載のプローブによれば、供給用電極とシールド電極との間に、フローティング状態に維持された中間電極を設けたことにより、プローブの指向性を十分に向上させることができるため、検査用信号を狭い範囲に集中して供給することができる結果、十分に高いレベルの検査用信号を検査対象の導体パターンに供給することができる。また、プローブの指向性を十分に向上させることができるため、検査対象の導体パターンに隣接する他の導体パターンに検査用信号が供給されることによる影響を十分に低く抑えることができる。したがって、このプローブによれば、検査対象体の導体パターンについての検査における検査精度を十分に向上させることができる。
According to the probe of
また、請求項6記載のプローブによれば、供給用電極を柱状に形成し、筒状に形成した中間電極を供給用電極を取り囲むようにして設け、筒状に形成したシールド電極を中間電極を取り囲むようにして設けたことにより、供給用電極の端面以外の部分をシールド電極で確実に覆うことができるため、検査用信号の漏れ(検査対象以外の導体に対する検査用信号の供給)を確実に防止することができる。 According to the probe of claim 6, the supply electrode is formed in a column shape, the intermediate electrode formed in a cylindrical shape is provided so as to surround the supply electrode, and the shield electrode formed in a cylindrical shape is provided with the intermediate electrode. Since it is provided so as to surround it, the portion other than the end face of the supply electrode can be reliably covered with the shield electrode, so that the leakage of the inspection signal (supply of the inspection signal to the conductor other than the inspection target) is ensured. Can be prevented.
さらに、請求項7記載のプローブによれば、薄板状に形成した供給用電極を基板上に設け、枠状に形成した中間電極を供給用電極を取り囲むようにして基板上に設け、枠状に形成したシールド電極を中間電極を取り囲むようにして基板上に設けたことにより、構成が簡易な分、プローブの作製コストを十分に低減することができる。 Further, according to the probe of claim 7, the supply electrode formed in a thin plate shape is provided on the substrate, and the intermediate electrode formed in a frame shape is provided on the substrate so as to surround the supply electrode, and the frame shape is provided. Since the formed shield electrode is provided on the substrate so as to surround the intermediate electrode, the cost of manufacturing the probe can be sufficiently reduced because the configuration is simple.
また、請求項8記載のプローブによれば、絶縁体を誘電率の低い発泡性ポリエチレンで形成したことにより、供給用電極とシールド電極との間の静電容量を小さく抑えることができる結果、検査用信号の減衰率を十分に低減することができる。
Further, according to the probe of
この場合、導体パターンに対向する端面の最大幅が導体パターンの幅よりも短くなるように供給用電極を形成することで、検査対象の導体パターンに隣接する他の導体パターンに検査用信号が供給される事態を一層確実に防止することができる。 In this case, by forming the supply electrode so that the maximum width of the end face facing the conductor pattern is shorter than the width of the conductor pattern, the inspection signal is supplied to another conductor pattern adjacent to the conductor pattern to be inspected. Can be prevented more reliably.
また、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置によれば、請求項1から4のいずれかに記載のプローブを備えたことにより、これらのプローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。
Further, according to the probe device for signal detection according to claim 9, by providing the probe according to any one of
また、請求項10記載の信号供給用のプローブ装置によれば、請求項5から8のいずれかに記載のプローブを備えたことにより、これらのプローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。
Further, according to the probe device for supplying a signal according to
また、請求項11記載の検査装置によれば、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置を備えたことにより、このプローブ装置に備えられている各プローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。 Further, according to the inspection apparatus of the eleventh aspect, by providing the probe device for signal detection according to the ninth aspect, an effect similar to the effect of each probe included in the probe apparatus is realized. be able to.
さらに、請求項12記載の検査装置によれば、検査用信号供給部が複数の導体パターンにおける各々の一端部に近接させられた電極板と各一端部との間の静電容量を介して各導体パターンに検査用信号を供給することにより、導体パターンの一端部のピッチが極めて狭く、各一端部に対して信号供給用のコンタクトプローブを個別的に接触させるのが困難な場合においても、各導体パターンに検査用信号を確実に供給することができる。
Furthermore, according to the inspection apparatus of
また、請求項13記載の検査装置によれば、請求項10記載の信号供給用のプローブ装置を備えたことにより、このプローブ装置に備えられている各プローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。 In addition, according to the inspection apparatus of the thirteenth aspect, by providing the signal supply probe apparatus according to the tenth aspect, an effect similar to the effect of each probe included in the probe apparatus is realized. be able to.
また、請求項14記載の検査装置によれば、処理回路が複数の導体パターンにおける各々の一端部に近接させられた電極板と各一端部との間の静電容量を介して電極板によって検出された電気信号に対して所定の処理を実行することにより、導体パターンの一端部のピッチが極めて狭く、各一端部に対して信号検出用のコンタクトプローブを個別的に接触させるのが困難であったり、上記の信号検出用のプローブ装置による電気信号の検出が困難であったりする場合においても、電気信号を確実に検出することができる。 Further, according to the inspection apparatus of claim 14, the processing circuit is detected by the electrode plate via the capacitance between the electrode plate brought close to each one end portion of each of the plurality of conductor patterns and each end portion. By performing a predetermined process on the electrical signal, the pitch of one end of the conductor pattern is extremely narrow, and it is difficult to individually contact a signal detection contact probe with each end. Even when it is difficult to detect an electric signal by the above-described probe device for signal detection, the electric signal can be reliably detected.
また、請求項15記載の検査装置によれば、請求項9記載の信号検出用のプローブ装置と請求項10記載の信号供給用のプローブ装置とを備えたことにより、検査用信号の供給および電気信号の検出の双方をプローブを用いて非接触で行うことができる。このため、導体パターンにコンタクトプローブを直接接触させる構成とは異なり、プローブの接触による導体パターンの傷付きを確実に防止することができる。 In addition, according to the inspection apparatus of the fifteenth aspect, since the signal detection probe apparatus of the ninth aspect and the signal supply probe apparatus of the tenth aspect are provided, the supply of the inspection signal and the electricity Both signal detections can be performed in a non-contact manner using a probe. For this reason, unlike the configuration in which the contact probe is brought into direct contact with the conductor pattern, the conductor pattern can be reliably prevented from being damaged by the contact of the probe.
また、請求項16記載の検査装置によれば、プローブを任意の方向に移動可能な移動機構を備えたことにより、導体パターンの形状が互いに異なったり、導体パターンがランダムに配置されている場合においても、導体パターン(導体パターンの一端部や他端部)にプローブを確実に近接させることができる。 According to the inspection apparatus of claim 16, when the probe is provided with a moving mechanism capable of moving in any direction, the shape of the conductor patterns is different from each other or the conductor patterns are randomly arranged. In addition, the probe can be reliably brought close to the conductor pattern (one end or the other end of the conductor pattern).
以下、本発明に係るプローブ、プローブ装置および検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, the best mode of a probe, a probe device, and an inspection device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
最初に、回路基板検査装置1の構成について、図面を参照して説明する。図1に示す回路基板検査装置1は、本発明に係る検査装置の一例であって、例えば、同図に示すフレキシブル基板100に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。ここで、フレキシブル基板100は、本発明における検査対象体の一例であって、同図に示すように、基板本体101上に複数の導体パターン102が設けられて構成されている。この場合、各導体パターン102のピッチは一端部102a(同図における下端部)が広く、他端部102b(同図における上端部)が狭く形成されている。
First, the configuration of the circuit
一方、回路基板検査装置1は、図1に示すように、プローブ装置(本発明に係る信号検出用のプローブ装置)2、移動機構3、検査用信号供給部4、アンプ5、A/D変換部6、操作部7、表示部8、制御部9、記憶部10および載置台50(図3参照)を備えて構成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 1, the circuit
プローブ装置2は、プローブ11およびI/V変換回路12を備えて構成されている。プローブ11は、本発明に係るプローブの一例であって、トライアキシャルケーブル(三重同軸ケーブル)で構成されている。具体的には、プローブ11は、図2,3に示すように、検出用電極21、第1絶縁体22、フローティング電極23、第2絶縁体24、シールド電極25および被覆体26を備えて、全体として円柱状に構成されている。検出用電極21は、導電性を有する材料によって円柱状(本発明における柱状の一例)に形成されると共に、基端部(両図における上端部)がI/V変換回路12の信号入力端子(図示せず)に接続されている。また、検出用電極21は、フレキシブル基板100の導体パターン102における他端部102bの幅よりもその直径が短い円柱状に形成されている。つまり、検出用電極21は、導体パターン102に近接させられた状態において導体パターン102に対向する端面(図2に示す円形の端面)の最大幅(この構成では円形の端面の直径)が導体パターン102における他端部102bの幅よりも短くなるように形成されている。この場合、検出用電極21は、検査時において先端部(両図における下端部)がフレキシブル基板100の導体パターン102に近接されたとき、つまり導体パターン102と容量結合された状態において、後述する検査用信号Seの供給に伴って導体パターン102と検出用電極21との間の静電容量C0を介して流れる電流信号Si(本発明における電気信号)を非接触で検出する。
The
第1絶縁体22は、例えば発泡性ポリエチレンで形成されている。また、第1絶縁体22は、図2,3に示すように、円筒状に形成されると共に、検出用電極21を取り囲むようにして設けられている。フローティング電極23は、本発明における中間電極に相当し、導電性を有する材料によって円筒状に形成されると共に、第1絶縁体22を挟んで検出用電極21を取り囲むようにして設けられている。この場合、フローティング電極23は、両図に示すように、電気的にフローティング状態(グランド電位や他の電極(検出用電極21およびシールド電極25)と電気的に非接続の状態)に維持されており、シールドとして機能することにより、プローブ11の指向性を向上させる機能を有している。
The
第2絶縁体24は、例えば発泡性ポリエチレンで構成されている。また、第2絶縁体24は、図2,3に示すように、円筒状に形成されると共に、フローティング電極23を取り囲むようにして設けられている。シールド電極25は、外乱の影響を防止(シールド)するための電極であって、導電性を有する材料によって形成されると共に、I/V変換回路12を介してグランド電位に接続されている。また、シールド電極25は、両図に示すように、円筒状に形成されると共に、第2絶縁体24を挟んでフローティング電極23を取り囲むようにして設けられている。被覆体26は、絶縁材料(例えば熱可塑性エラストマー)でによって円筒状に形成されると共に、シールド電極25取り囲む(被覆する)ようにして設けられている。
The
ここで、このプローブ11では、検出用電極21とシールド電極25との間に、第1絶縁体22および第2絶縁体24を挟んでフローティング電極23が設けられているため、フローティング電極23を有していない従来のプローブ(図5に示すプローブ311や図6に示すプローブ411)と比較して、感度および指向性の双方を向上させることが可能となっている。具体的に説明すると、検出用電極21とシールド電極25との間の静電容量に起因する電流信号Siの減衰率(プローブ11の感度の低下)は、検出用電極21とシールド電極25との間の静電容量が大きいほど大きい。また、この静電容量は、検出用電極21とシールド電極25との間の距離に反比例する。この場合、図4に示すように、例えば、プローブ11における検出用電極21とフローティング電極23との間の静電容量をC1、フローティング電極23とシールド電極25との間の静電容量をC2、検出用電極21とシールド電極25との間の静電容量、つまりC1とC2との合成静電容量をC3とすると、次の関係式が成り立つ。
1/C3=1/C1+1/C2・・・式(1)
Here, in this
1 / C3 = 1 /
また、図4,5に示すように、プローブ11における第1絶縁体22および第2絶縁体24と、従来のプローブ311の第1絶縁体322とが同じ材質でそれぞれに形成され、かつこれらの各絶縁体22,24,322の厚み(つまり、検出用電極21とフローティング電極23との間の距離L1、フローティング電極23とシールド電極25との間の距離L2、およびプローブ311の検出用電極321とシールド電極325との間の距離L3)が互いに同じ長さとすると、検出用電極321とシールド電極325との間の静電容量C4、および上記した静電容量C1,C2との間には次の関係式が成り立つ。
C1=C2=C4・・・式(2)
上記の式(1)および式(2)からC3およびC4との間には次の関係式が成り立つ。
1/C3=1/C4+1/C4=2/C4
C3=C4/2
つまり、プローブ11では、検出用電極21とシールド電極25との間の合成静電容量C3がプローブ311における検出用電極321とシールド電極325との間の静電容量C4の1/2となる。したがって、プローブ11では、静電容量が少ない分、電流信号Siの減衰率が小さく抑えられて、プローブ11の感度が向上されている。
4 and 5, the
C1 = C2 = C4 Formula (2)
The following relational expression holds between C3 and C4 from the above formulas (1) and (2).
1 / C3 = 1 /
C3 = C4 / 2
That is, in the
また、図4,6に示すように、プローブ11における第1絶縁体22および第2絶縁体24と、従来のプローブ411の第1絶縁体422とが同じ材質でそれぞれに形成され、かつ第1絶縁体422の厚み(つまり、検出用電極421とシールド電極425との間の距離L4)が検出用電極21とフローティング電極23との間の距離L1の2倍とすると、プローブ411における検出用電極421とシールド電極425との間の静電容量C5、および上記した静電容量C1,C2の間には次の関係式が成り立つ。
C1=C2=2×C5となる。・・・式(3)
上記の式(1)および式(3)からC3およびC5との間には次の関係式が成り立つ。
1/C3=1/(2×C5)+1/(2×C5)=1/C5
C3=C5
つまり、プローブ11における検出用電極21とシールド電極25との間の合成静電容量C3と、検出用電極421における検出用電極421とシールド電極425との間の静電容量C5とは互いに同じ値になる。
4 and 6, the
C1 = C2 = 2 × C5. ... Formula (3)
The following relational expressions hold between C3 and C5 from the above formulas (1) and (3).
1 / C3 = 1 / (2 × C5) + 1 / (2 × C5) = 1 / C5
C3 = C5
That is, the combined capacitance C3 between the detection electrode 21 and the
この場合、プローブ411の検出用電極421が導体パターン102との間の静電容量を介して電流信号Siを検出する範囲(導体パターン102を流れる検査用信号Seを検出する範囲)は、図6に示すように、導体パターン102における検出用電極421に対向する部分のうちのシールド電極425によって遮蔽されていない範囲(同図に破線で示す範囲E2)となる。これに対して、プローブ11では、シールドとしても機能するフローティング電極23を備えているため、検出用電極21が電流信号Siを検出する範囲は、図4に示すように、導体パターン102における検出用電極21に対向する部分のうちの、フローティング電極23によって遮蔽されていない範囲(同図に示す範囲E1)となる。この場合、検出用電極21とフローティング電極23との距離L1が検出用電極421とシールド電極425との距離L4の2倍であるため、範囲E1は範囲E2よりも小さな範囲となる。したがって、プローブ11の指向性はプローブ411の指向性よりも十分に向上する。
In this case, the range in which the
I/V変換回路12は、本発明における処理回路に相当し、プローブ11によって検出された電流信号Siを電圧信号Sv(本発明における処理信号)に変換(本発明における所定の処理)して出力する。この場合、電流信号Siの減衰を少なく抑えるために、プローブ11は、I/V変換回路12に直接接続されている。
The I /
移動機構3は、制御部9の制御に従い、載置台50(図3参照)における載置面51(フレキシブル基板100が載置される面)に沿った方向(同図における左右方向、および同図における紙面手前から奥に向かう方向:XY方向)、並びに載置面51に対して接離する方向(同図における上下方向:Z方向)、つまり任意の方向にプローブ装置2を移動させる。検査用信号供給部4は、図1に示すように、電源部31、切替回路32、および複数の信号供給プローブ33を備えて構成されている。電源部31は、検査用信号Se(例えば交流信号)を出力する。切替回路32は、同図に示すように、プローブ11と同数のスイッチ32aを備えて構成され、制御部の制御に従ってオン状態またはオフ状態に移行することにより、各信号供給プローブ33に対する検査用信号Seの出力および出力停止を行う。信号供給プローブ33は、フレキシブル基板100における導体パターン102の一端部102aに接続されて電源部31からの検査用信号Seを導体パターン102に供給する。この場合、この検査用信号供給部4には、フレキシブル基板100における導体パターン102の数と同数の信号供給プローブ33が備えられている。
The moving mechanism 3 is controlled by the control unit 9 in the direction along the placement surface 51 (the surface on which the
アンプ5は、プローブ装置2のI/V変換回路12から出力された電圧信号Svを所定の増幅率で増幅する。A/D変換部6は、アンプ5によって増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力する。操作部7は、電源スイッチや、検査開始スイッチ等の各種スイッチを備えて構成され、これらのスイッチが操作されたときに操作信号Soを出力する。表示部8は、制御部9の制御に従って各種の表示を行う。
The
制御部9は、本発明における検査部に相当し、操作部7からの操作信号Soに従って各種の処理を実行する。具体的には、制御部9は、検査用信号供給部4の電源部31による検査用信号Seの出力を制御すると共に、検査用信号供給部4の切替回路32におけるスイッチ32aのオンオフを制御する。また、制御部9は、A/D変換部6から出力された電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出すると共に、電圧値Vdと記憶部10に記憶されている基準値Vsとを比較することにより、導体パターン102の良否を判定(検査)する。つまり、制御部9は、プローブ11によって検出された電流信号Siに基づいて導体パターン102の良否を判定する。さらに、制御部9は、導体パターン102についての良否判定の結果を表示部8に表示させる。記憶部10は、基準値Vsを記憶すると共に、制御部9によって算出された電圧値Vdを一時的に記憶する。載置台50は、図3に示すように、フレキシブル基板100を載置可能に構成されている。
The control unit 9 corresponds to the inspection unit in the present invention, and executes various processes according to the operation signal So from the operation unit 7. Specifically, the control unit 9 controls the output of the inspection signal Se by the
次に、回路基板検査装置1を用いてフレキシブル基板100の導体パターン102の良否を検査する方法、およびその際の回路基板検査装置1の動作について説明する。
Next, a method for inspecting the quality of the
まず、図3に示すように、載置台50の載置面51にフレキシブル基板100を載置して固定する。次いで、図1に示すように、各導体パターン102の一端部102aに回路基板検査装置1の検査用信号供給部4における信号供給プローブ33をそれぞれ接触させる。続いて、操作部7を操作して、回路基板検査装置1を作動させる。この際に、制御部9が、検査用信号供給部4の電源部31を制御して、検査用信号Seの出力を開始させる。
First, as shown in FIG. 3, the
また、制御部9は、検査用信号供給部4の切替回路32を制御して、各スイッチ32aのうちの1つのスイッチ32a(例えば、同図における左端のスイッチ32a)をオン状態に移行させると共に、そのスイッチ32aを除く他のスイッチ32aをオフ状態に移行させる。これにより、各導体パターン102のうちの1つの導体パターン102における一端部102aに、電源部31からの検査用信号Seが信号供給プローブ33を介して供給される。
Further, the control unit 9 controls the switching
次いで、制御部9は、移動機構3を制御して、検査用信号Seが供給されている導体パターン102(この例では、図1における左端の導体パターン102)の他端部102bにプローブ11の先端部が近接するようにプローブ装置2を移動させる。この場合、図3に示すように、導体パターン102の他端部102bに近接させられたプローブ11は、導体パターン102に対して容量結合された状態となっている。このため、導体パターン102に対する交流の検査用信号Seの供給に伴い、プローブ11の検出用電極21には、導体パターン102との間の静電容量(同図に示す静電容量C0)を介して電流信号Siが流れる(つまり検出用電極21によって電流信号Siが検出される)。この場合、導体パターン102に対向する端面の最大幅が導体パターン102の他端部102bの幅よりも短くなるように検出用電極21が形成されているため、例えば、検査対象の導体パターン102に隣接する導体パターン102に検査用信号Seが供給されていたとしても、その隣接する導体パターン102との間の静電容量を介して流れる電流信号Siが検出用電極21によって検出(誤検出)される事態が確実に防止される。
Next, the control unit 9 controls the moving mechanism 3 to connect the
次いで、プローブ装置2のI/V変換回路12がプローブ11によって検出された電流信号Siを電圧信号Svに変換する。続いて、アンプ5が、電圧信号Svを所定の増幅率で増幅し、A/D変換部6が、増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力する。次いで、制御部9は、電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出して記憶部10に記憶させる。続いて、制御部9は、検査用信号供給部4の切替回路32を制御してオン状態またはオフ状態に移行させるスイッチ32aを順次切り替えると共に、移動機構3を制御してプローブ11を移動させつつ、フレキシブル基板100における全ての導体パターン102についての上記の電圧値Vdの算出および記憶を行う。
Next, the I /
次いで、制御部9は導体パターン102の良否判定処理を実行する。この良否判定処理では、制御部9は、記憶部10に記憶されている全ての導体パターン102についての電圧値Vdと、記憶部10に記憶されている基準値Vsとを比較する。この場合、電圧値Vdが基準値Vs以上のときには、制御部9は、その導体パターン102は断線していない良好な状態であると判定する。一方、電圧値Vdが基準値Vsよりも小さいときには、導体パターン102に断線が発生している可能性があるため、制御部9は、その導体パターン102が不良状態であると判定する。次いで、制御部9は、各導体パターン102についての良否の判定結果を記憶部10に記憶する。これにより、良否判定処理が完了する。
Next, the control unit 9 executes a quality determination process for the
次いで、制御部9は、良否の判定処理の結果を記憶部10から読み出して、表示部8に表示させる。これにより、フレキシブル基板100の導体パターン102の検査が完了する。この場合、上記したように、この回路基板検査装置1では、プローブ11にフローティング電極23が設けられているため、プローブ11における検出用電極21とシールド電極25との間の静電容量が小さく抑えられて、プローブ11の感度が向上されている。また、プローブ11にフローティング電極23が設けられているため、プローブ11の指向性が十分に向上されている。したがって、十分に高いレベルでかつ外乱の影響が十分に小さい電流信号Siに基づいて導体パターン102についての検査を正確に行うことが可能となっている。
Next, the control unit 9 reads the result of the pass / fail determination process from the
このように、このプローブ11、プローブ装置2および回路基板検査装置1によれば、検出用電極21とシールド電極25との間に、第1絶縁体22および第2絶縁体24を挟んでフローティング状態のフローティング電極23を設けたことにより、検出用電極21とシールド電極25との距離を長くして両者間の静電容量を減少させることで電流信号Siの減衰率を低減してプローブ11の感度を向上させたとしても、フローティング電極23の存在によって検出範囲を狭い範囲に限定してプローブ11の指向性を向上させることができる。したがって、このプローブ11、プローブ装置2および回路基板検査装置1によれば、プローブ11の感度向上および指向性向上の双方を実現することができる結果、導体パターン102についての検査における検査精度を十分に向上させることができる。
As described above, according to the
また、このプローブ11、プローブ装置2および回路基板検査装置1によれば、検出用電極21を柱状に形成し、筒状に形成したフローティング電極23を第1絶縁体22を挟んで検出用電極21を取り囲むようにして設け、筒状に形成したシールド電極25を第2絶縁体24を挟んでフローティング電極23を取り囲むようにして設けたことにより、検出用電極21の端面以外の部分をシールド電極25で確実に覆うことができるため、外乱の影響を十分少なく抑えることができる。
Further, according to the
また、このプローブ11、プローブ装置2および回路基板検査装置1によれば、第1絶縁体22および第2絶縁体24を誘電率の低い発泡性ポリエチレンで形成したことにより、検出用電極21とシールド電極25との間の静電容量を一層小さく抑えることができる結果、電流信号Siの減衰率をさらに低減することもきる。
Further, according to the
また、このプローブ11、プローブ装置2および回路基板検査装置1によれば、導体パターン102に対向する端面の最大幅が導体パターン102の他端部102bの幅よりも短くなるように検出用電極21を形成したことにより、例えば、検査対象の導体パターン102に隣接する導体パターン102に検査用信号Seが供給されていたとしても、その隣接する導体パターン102との間の静電容量を介して流れる電流信号Siが検出用電極21によって検出(誤検出)される事態を確実に防止することができる。
In addition, according to the
次に、図8に示す回路基板検査装置1aの構成について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、上記した回路基板検査装置1の各構成要素と同じ構成要素については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。回路基板検査装置1aは、本発明に係る検査装置の他の一例であって、例えば、同図に示すフレキシブル基板500に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。ここで、フレキシブル基板500は、本発明における検査対象体の他の一例であって、同図に示すように、基板本体501上に複数の導体パターン502が設けられて構成されている。この場合、各導体パターン502のピッチは一端部502a(同図における下端部)が極めて狭く、他端部102b(同図における上端部)が広く形成されている。
Next, the configuration of the circuit
一方、回路基板検査装置1aは、図8に示すように、プローブ装置2、移動機構3、検査用信号供給部4a、アンプ5、A/D変換部6、操作部7、表示部8、制御部9、記憶部10および載置台50(図3参照)を備えて構成されている。この場合、検査用信号供給部4aは、図8に示すように、電源部31および電極板34を備えて構成されている。電極板34は、導電性を有する材料によって板状に形成されている。この検査用信号供給部4aは、フレキシブル基板500における各(全ての)導体パターン502の一端部502aに電極板34が近接させられた状態において、電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して各(全ての)導体パターン502に検査用信号Seを供給する。
On the other hand, as shown in FIG. 8, the circuit
この回路基板検査装置1aを用いてフレキシブル基板500の導体パターン502の良否を検査する際には、まず、載置台50にフレキシブル基板500を載置して固定する。次いで、図8に示すように、各導体パターン502の一端部502aに検査用信号供給部4aの電極板34を近接させる。この際に、電源部31から出力された検査用信号Seが電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して各導体パターン502に供給される。
When inspecting the quality of the
次いで、プローブ11における検出用電極21の先端部が各導体パターン502のうちの1つの導体パターン502(例えば、図8における左端の導体パターン502)の他端部502bに近接するように移動機構3がプローブ装置2を移動させ、プローブ装置2のI/V変換回路12がプローブ11によって検出された電流信号Siを電圧信号Svに変換する。続いて、A/D変換部6が、アンプ5によって増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力し、制御部9が、電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出して記憶部10に記憶させる。次いで、制御部9は、移動機構3を制御してプローブ11を移動させつつ、フレキシブル基板500における全ての導体パターン502についての上記の電圧値Vdの算出および記憶を行う。
Next, the moving mechanism 3 so that the tip of the detection electrode 21 in the
続いて、制御部9は、導体パターン502の良否判定処理を実行して、各導体パターン502についての良否の判定結果を記憶部10に記憶させると共に、その判定結果を表示部8に表示させる。これにより、フレキシブル基板500の導体パターン502の検査が完了する。この場合、この回路基板検査装置1aでは、上記したように、フレキシブル基板500における各(全ての)導体パターン502の一端部502aに検査用信号供給部4aの電極板34を近接させることで、電源部31から出力された検査用信号Seが電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して各導体パターン502に供給される。このため、フレキシブル基板500のように、導体パターン502の一端部502aのピッチが極めて狭い場合においても、各導体パターン502に検査用信号Seを確実に供給することが可能となっている。
Subsequently, the control unit 9 executes a pass / fail determination process for the
このように、この回路基板検査装置1aによれば、検査用信号供給部4aが各導体パターン502の一端部502aに近接させられた電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して各導体パターン502に検査用信号Seを供給することにより、導体パターン502の一端部502aのピッチが極めて狭く、各一端部502aに対して信号供給プローブ33を個別的に接触させるのが困難な場合においても、各導体パターン502に検査用信号Seを確実に供給することができる。
As described above, according to the circuit
次に、図9に示す回路基板検査装置1bの構成について、図面を参照して説明する。回路基板検査装置1bは、本発明に係る検査装置の他の一例であって、例えば、上記したフレキシブル基板100に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置1bは、同図に示すように、プローブ装置(本発明に係る信号供給用のプローブ装置)2a、移動機構3、アンプ5、A/D変換部6、操作部7、表示部8、制御部9、記憶部10、I/V変換回路12、切替回路32、信号検査用プローブ33aおよび載置台50(図3参照)を備えて構成されている。
Next, the configuration of the circuit board inspection apparatus 1b shown in FIG. 9 will be described with reference to the drawings. The circuit board inspection device 1b is another example of the inspection device according to the present invention, and is configured to be able to perform a predetermined electrical inspection on the
プローブ装置2aは、プローブ11a、電源部31を備えて構成されている。プローブ11aは、図2,3,4に示すように、上記したプローブ11と同様に構成されている。この場合、プローブ11aの検出用電極21は、フレキシブル基板100の導体パターン102に近接させられた状態において導体パターン102との間の静電容量を介して検査用信号Se供給する。つまり、この回路基板検査装置1bでは、プローブ11aの検出用電極21は、検査用信号Se供給用の電極として機能する(以下、プローブ11aの検出用電極21を「供給用電極21a」ともいう)。
The
また、この回路基板検査装置1bでは、電源部31が、本発明における検査用信号出力部として機能し、プローブ11aに検査用信号Seを出力する。また、この回路基板検査装置1bでは、移動機構3がプローブ装置2aのプローブ11aを任意の方向に移動させる。さらに、この回路基板検査装置1bでは、導体パターン102の一端部102aに接続された信号検査用プローブ33aが、検査用信号Seの供給に伴って導体パターン102を流れる電流信号Siを検出し、切替回路32を介して、その電流信号SiをI/V変換回路12に出力する。
In the circuit board inspection apparatus 1b, the
この回路基板検査装置1bを用いてフレキシブル基板100の導体パターン102の良否を検査する際には、まず、載置台50にフレキシブル基板100を載置して固定する。次いで、図9に示すように、各導体パターン102の一端部102aに信号検査用プローブ33aをそれぞれ接触させる。続いて、制御部9が、切替回路32を制御して、各スイッチ32aのうちの1つのスイッチ32a(例えば、同図における左端のスイッチ32a)をオン状態に移行させると共に、そのスイッチ32aを除く他のスイッチ32aをオフ状態に移行させる。
When inspecting the quality of the
次いで、供給用電極21aの先端部が各導体パターン102のうちの1つの導体パターン102(例えば、図9における左端の導体パターン102)の他端部102bに近接するように、移動機構3がプローブ11aを移動させる。この際に、電源部31から出力された検査用信号Seが、プローブ11aの供給用電極21aと他端部102bとの間の静電容量を介して各導体パターン102に供給される。
Next, the moving mechanism 3 moves the probe so that the tip of the supply electrode 21a is close to the
ここで、プローブ11aにフローティング電極23が設けられているため、プローブ11aの指向性が十分に向上されている。このため、この回路基板検査装置1bでは、フローティング電極23を備えていない上記のプローブ411(図6参照)を用いる構成と比較して、検査用信号Seを狭い範囲に集中して供給することができる。したがって、この回路基板検査装置1bでは、十分に高いレベルの検査用信号Seを検査対象の導体パターン102に供給することが可能となっている。また、プローブ11aの指向性が十分に向上されているため、検査対象の導体パターン102に隣接する他の導体パターン102に対する検査用信号Seの供給が低く抑えられている。この結果、他の導体パターン102に検査用信号Seが供給されることによる影響を十分に低く抑えることが可能となっている。
Here, since the floating
続いて、I/V変換回路12が信号検査用プローブ33aおよび切替回路32を介して入力した電流信号Siを電圧信号Svに変換する(本発明における所定の処理)。次いで、A/D変換部6が、アンプ5によって増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力し、制御部9が、電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出して記憶部10に記憶させる。続いて、制御部9は、切替回路32を制御してオン状態またはオフ状態に移行させるスイッチ32aを順次切り替えると共に、移動機構3を制御してプローブ11aを移動させつつ、フレキシブル基板100における全ての導体パターン102についての上記の電圧値Vdの算出および記憶を行う。
Subsequently, the I /
次いで、制御部9は、導体パターン102の良否判定処理を実行して、各導体パターン102についての良否の判定結果を記憶部10に記憶させると共に、その判定結果を表示部8に表示させる。これにより、フレキシブル基板100の導体パターン102の検査が完了する。
Next, the control unit 9 executes the pass / fail determination process for the
このように、この回路基板検査装置1bによれば、フローティング電極23が設けられたプローブ11aを有するプローブ装置2aを備えたことにより、プローブ11aの指向性が十分に向上されているため、検査用信号Seを狭い範囲に集中して供給することができる。したがって、この回路基板検査装置1bによれば、十分に高いレベルの検査用信号Seを検査対象の導体パターン102に供給することができる。また、プローブ11aの指向性が十分に向上されているため、検査対象の導体パターン102に隣接する他の導体パターン102に検査用信号Seが供給されることによる影響を十分に低く抑えることができる。
As described above, according to the circuit board inspection apparatus 1b, since the
次に、図10に示す回路基板検査装置1cの構成について、図面を参照して説明する。回路基板検査装置1cは、本発明に係る検査装置の他の一例であって、例えば、上記したフレキシブル基板500に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置1cは、同図に示すように、プローブ装置2a、移動機構3、アンプ5、A/D変換部6、操作部7、表示部8、制御部9、記憶部10、I/V変換回路12、電極板34および載置台50(図3参照)を備えて構成されている。この場合、この回路基板検査装置1cでは、フレキシブル基板500における各導体パターン502の一端部502aに電極板34が近接させられた状態において、電極板34が、各導体パターン502に対する検査用信号Seの供給に伴って電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して流れる電流信号Siを検出する。
Next, the configuration of the circuit board inspection apparatus 1c shown in FIG. 10 will be described with reference to the drawings. The circuit board inspection apparatus 1c is another example of the inspection apparatus according to the present invention, and is configured to be able to perform a predetermined electrical inspection on the
この回路基板検査装置1cを用いてフレキシブル基板500の導体パターン502の良否を検査する際には、まず、載置台50にフレキシブル基板500を載置して固定する。次いで、図10に示すように、各導体パターン502の一端部502aに電極板34を近接させる。続いて、供給用電極21aの先端部が各導体パターン502のうちの1つの導体パターン502(例えば、同図における左端の導体パターン502)の他端部502bに近接するように移動機構3がプローブ11aを移動させる。
When inspecting the quality of the
この際に、電源部31から出力された検査用信号Seがプローブ11aの供給用電極21aと他端部502bとの間の静電容量を介して各導体パターン502に供給される。この場合、プローブ11aにフローティング電極23が設けられているため、回路基板検査装置1bと同様にして、検査対象の導体パターン502に対して十分に高いレベルの検査用信号Seが供給されると共に、検査対象の導体パターン502に隣接する他の導体パターン502に対する検査用信号Seの供給が低く抑えられる。
At this time, the inspection signal Se output from the
次いで、電極板34が、導体パターン502に対する検査用信号Seの供給に伴って電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して流れる電流信号Siを検出し、I/V変換回路12が電流信号Siを電圧信号Svに変換する。続いて、A/D変換部6が、アンプ5によって増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力し、制御部9が、電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出して記憶部10に記憶させる。次いで、制御部9は、移動機構3を制御してプローブ11aを移動させつつ、フレキシブル基板500における全ての導体パターン502についての上記の電圧値Vdの算出および記憶を行う。
Next, the
次いで、制御部9は、導体パターン502の良否判定処理を実行して、各導体パターン502についての良否の判定結果を記憶部10に記憶させると共に、その判定結果を表示部8に表示させる。これにより、フレキシブル基板500の導体パターン502の検査が完了する。この場合、この回路基板検査装置1cでは、上記したように、フレキシブル基板500における各導体パターン502の一端部502aに電極板34を近接させることで、検査用信号Seの供給に伴って電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して流れる電流信号Siを検出することが可能となっている。このため、フレキシブル基板500のように、導体パターン502の一端部502aのピッチが極めて狭く、各一端部502aに対して信号検査用プローブ33a(図9参照)を個別的に接触させるのが困難な場合においても、電流信号Siを確実に検出することが可能となっている。
Next, the control unit 9 executes a pass / fail determination process for the
このように、この回路基板検査装置1cによれば、I/V変換回路12が各導体パターン502の一端部502aに近接させられた電極板34と各一端部502aとの間の静電容量を介して電極板34によって検出された電流信号Siを電圧信号Svに変換することにより、導体パターン502の一端部502aのピッチが極めて狭く、各一端部502aに対して信号供給プローブ33を個別的に接触させるのが困難であったり、プローブ11による電流信号Siの検出が困難であったりする場合においても、電流信号Siを確実に検出することができる。
As described above, according to the circuit board inspection apparatus 1c, the I /
次に、図11に示す回路基板検査装置1dの構成について、図面を参照して説明する。回路基板検査装置1dは、本発明に係る検査装置の他の一例であって、例えば、同図に示すフレキシブル基板600に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。ここで、フレキシブル基板600は、本発明における検査対象体の他の一例であって、同図に示すように、互いに形状の異なる複数の導体パターン602a,602b,602c(以下、区別しないときには「導体パターン602」ともいう)が基板本体601上に設けられて構成されている。
Next, the configuration of the circuit
一方、回路基板検査装置1dは、図11に示すように、プローブ装置2,2a、一対の移動機構3a,3b、アンプ5、A/D変換部6、操作部7、表示部8、制御部9、記憶部10および載置台50(図3参照)を備えて構成されている。この場合、移動機構3aは、プローブ装置2(プローブ11)を任意の方向に移動させ、移動機構3bは、プローブ装置2aのプローブ11aを任意の方向に移動させる。
On the other hand, as shown in FIG. 11, the circuit
この回路基板検査装置1dを用いてフレキシブル基板600の導体パターン602の良否を検査する際には、まず、載置台50にフレキシブル基板600を載置して固定する。次いで、例えば、プローブ11の先端部が導体パターン602aの一端部603に近接するように移動機構3aがプローブ装置2を移動させると共に、供給用電極21aの先端部が導体パターン602aの他端部604に近接するように移動機構3bがプローブ11aを移動させる。この際に、電源部31から出力された検査用信号Seがプローブ11aの供給用電極21aと他端部604との間の静電容量を介して導体パターン602aに供給される。
When inspecting the quality of the conductor pattern 602 of the
この場合、この回路基板検査装置1dでは、移動機構3a,3bがプローブ装置2およびプローブ11aをそれぞれ任意の方向に移動させる、このため、フレキシブル基板600のように、導体パターン602の形状が互いに異なる(導体パターン602がランダムに配置されている)場合においても、導体パターン602の一端部603および他端部604にプローブ11,11aをそれぞれ確実に近接させることが可能となっている。また、この回路基板検査装置1dでは、検査用信号Seの供給、および電流信号Siの検出の双方をプローブ11,11aを用いて非接触で行うことができるため、導体パターン602の傷付きを確実に防止することが可能となっている。
In this case, in this circuit
続いて、プローブ装置2のI/V変換回路12がプローブ11によって検出された電流信号Siを電圧信号Svに変換する。次いで、A/D変換部6が、アンプ5によって増幅された電圧信号Svをアナログ/デジタル変換して電圧データDvを出力し、制御部9が、電圧データDvに基づいて電圧値Vdを算出して記憶部10に記憶させる。次いで、制御部9は、移動機構3a,3bを制御してプローブ11,11aを移動させつつ、フレキシブル基板600における全ての導体パターン602についての上記の電圧値Vdの算出および記憶を行う。
Subsequently, the I /
次いで、制御部9は、導体パターン602の良否判定処理を実行して、各導体パターン602についての良否の判定結果を記憶部10に記憶させると共に、その判定結果を表示部8に表示させる。これにより、フレキシブル基板600の導体パターン602の検査が完了する。この場合、例えば、隣り合う一対の導体パターン602の一方における一端部603または他端部604にプローブ11を近接させ、他方の導体パターン602における一端部603または他端部604にプローブ11aを近接させて上記の電圧値Vdの算出を行うことで、その隣接する導体パターン602間の短絡を検査することもできる。
Next, the control unit 9 executes a pass / fail determination process for the conductor pattern 602, stores the pass / fail determination result for each conductor pattern 602 in the
このように、この回路基板検査装置1dによれば、プローブ装置2,2aを備えたことにより、検査用信号Seの供給および電流信号Siの検出の双方をプローブ11,11aを用いて非接触で行うことができる。このため、導体パターン602にコンタクトプローブを直接接触させる構成とは異なり、プローブの接触による導体パターン602の傷付きを確実に防止することができる。
As described above, according to the circuit
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、筒状のプローブ11,11aに本発明を適用した例について上記したが、図7に示すように、板状のプローブ211に適用することもできる。このプローブ211は、同図に示すように、絶縁材料によって形成された基板(絶縁基板)212、並びに基板212上にそれぞれ設けられた(形成された)検出用電極221、フローティング電極223およびシールド電極225を備えて構成されている。
In addition, this invention is not limited to said structure. For example, although an example in which the present invention is applied to the
検出用電極221は、薄板状に形成されると共に、基板212上における中央部に設けられている。また、フローティング電極223は、本発明における中間電極に相当し、枠状に形成されると共に、検出用電極221に対して非接触の状態で検出用電極221を取り囲むようにして基板212上に設けられている。この場合、基板212における検出用電極221とフローティング電極223との間の部位222は、上記した第1絶縁体22と同様にして絶縁体として機能する。また、シールド電極225は、枠状に形成されると共に、フローティング電極223に対して非接触の状態でフローティング電極223を取り囲むようにして基板212上に設けられている。この場合、基板212におけるフローティング電極223とシールド電極225との間の部位224は、上記した第2絶縁体24と同様にして絶縁体として機能する。このプローブ211においても、検出用電極221とシールド電極225との間に絶縁体としての基板212を挟んでフローティング電極223を設けたことにより、プローブ11と同様の効果を実現することができる。また、このプローブ211によれば、構成が簡易な分、プローブ211の作製コストを十分に低減することができる。
The detection electrode 221 is formed in a thin plate shape, and is provided at a central portion on the
また、プローブ211と同様に構成されて、検出用電極221が検査用信号Se供給用の供給用電極221aとして機能するプローブ211a(図7参照)を採用することもできる。このプローブ211aにおいても、プローブ11aと同様の効果を実現することができると共に、構成が簡易な分、作製コストを十分に低減することができる。
Further, a probe 211a (see FIG. 7) that is configured in the same manner as the probe 211 and in which the detection electrode 221 functions as the supply electrode 221a for supplying the inspection signal Se can be employed. In this probe 211a, the same effect as that of the
また、第1絶縁体22および第2絶縁体24を発泡性ポリエチレンで形成した例について上記したが、発泡性ポリエチレンに代えて他の絶縁材料を用いることもできる。さらに、検査対象体としてのフレキシブル基板100,500,600を検査する例について上記したが、検査対象としては、これに限定されず、ベアボード、ハード基板、有機EL用のガラス基板およびフラットパネルディスプレイ用(液晶用)のガラス基板等の任意の基板に対する検査に回路基板検査装置1,1a〜1dを用いることができるのは勿論である。また、上記した回路基板検査装置1,1bにおいて、各スイッチ32aを流れる電流信号Siの大きさを測定して、その測定した電流信号Siの測定値に基づいて各導体パターン102間の短絡を検査する機能を付加することもできる。
In addition, although the example in which the
1,1a,1b,1c,1d, 回路基板検査装置
2,2a プローブ装置
3,3a,3b 移動機構
4,4a 検査用信号供給部
9 制御部
11,11a,211,211a プローブ
12 I/V変換回路
21,221 検出用電極
21a,221a 供給用電極
22 第1絶縁体
23,223 フローティング電極
24 第2絶縁体
25,225 シールド電極
31 電源部
34 電極板
100,500,600 フレキシブル基板
102,502,602a,602b,602c 導体パターン
102a,502a,603 一端部
102b,502b,604 他端部
212 基板
222,224 部位
Se 検査用信号
Si 電流信号
Sv 電圧信号
1, 1a, 1b, 1c, 1d, circuit
Claims (16)
前記検出用電極と前記シールド電極との間には、フローティング状態に維持された中間電極が絶縁体を挟んで設けられているプローブ。 Detection for detecting an electrical signal flowing through a capacitance between the inspection pattern and the conductor pattern when the inspection signal is supplied in proximity to the conductor pattern of the inspection object to which the inspection signal is supplied A probe provided with an electrode for use and a shield electrode provided with an insulator around the detection electrode,
A probe in which an intermediate electrode maintained in a floating state is provided between the detection electrode and the shield electrode with an insulator interposed therebetween.
前記中間電極は、筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられ、
前記シールド電極は、筒状に形成されると共に前記中間電極を取り囲むようにして設けられている請求項1記載のプローブ。 The detection electrode is formed in a columnar shape,
The intermediate electrode is formed in a cylindrical shape and surrounds the detection electrode,
The probe according to claim 1, wherein the shield electrode is formed in a cylindrical shape and surrounds the intermediate electrode.
前記中間電極は、枠状に形成されると共に前記検出用電極と非接触の状態で当該検出用電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられ、
前記シールド電極は、枠状に形成されると共に前記中間電極と非接触の状態で当該中間電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられている請求項1記載のプローブ。 The detection electrode is formed in a thin plate shape and provided on a substrate,
The intermediate electrode is formed on the substrate so as to be formed in a frame shape and surround the detection electrode in a non-contact state with the detection electrode,
The probe according to claim 1, wherein the shield electrode is formed in a frame shape and is provided on the substrate so as to surround the intermediate electrode in a non-contact state with the intermediate electrode.
前記供給用電極と前記シールド電極との間には、フローティング状態に維持された中間電極が絶縁体を挟んで設けられているプローブ。 Provided with a supply electrode for supplying a signal for inspection via a capacitance between the conductor pattern and a conductor pattern of the inspection object, with an insulator around the supply electrode A probe having a shield electrode formed thereon,
A probe in which an intermediate electrode maintained in a floating state is provided between the supply electrode and the shield electrode with an insulator interposed therebetween.
前記中間電極は、筒状に形成されると共に前記供給用電極を取り囲むようにして設けられ、
前記シールド電極は、筒状に形成されると共に前記中間電極を取り囲むようにして設けられている請求項5記載のプローブ。 The supply electrode is formed in a columnar shape,
The intermediate electrode is formed in a cylindrical shape and is provided so as to surround the supply electrode,
The probe according to claim 5, wherein the shield electrode is formed in a cylindrical shape and surrounds the intermediate electrode.
前記中間電極は、枠状に形成されると共に前記供給用電極と非接触の状態で当該供給用電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられ、
前記シールド電極は、枠状に形成されると共に前記中間電極と非接触の状態で当該中間電極を取り囲むようにして前記基板上に設けられている請求項5記載のプローブ。 The supply electrode is formed in a thin plate shape and provided on a substrate,
The intermediate electrode is formed on the substrate so as to surround the supply electrode in a non-contact state with the supply electrode while being formed in a frame shape,
The probe according to claim 5, wherein the shield electrode is formed in a frame shape and is provided on the substrate so as to surround the intermediate electrode in a non-contact state with the intermediate electrode.
前記検査用信号供給部は、前記各一端部に近接させられた前記電極板と当該各一端部との間の静電容量を介して前記各導体パターンに前記検査用信号を供給する請求項11記載の検査装置。 An electrode plate configured to be proximate to one end of each of the plurality of conductor patterns,
The inspection signal supply unit supplies the inspection signal to each conductor pattern via an electrostatic capacitance between the electrode plate and the one end that is brought close to the one end. The inspection device described.
前記処理回路は、前記各一端部に近接させられた前記電極板と当該各一端部との間の静電容量を介して当該電極板によって検出された前記電気信号に対して前記所定の処理を実行する請求項13記載の検査装置。 An electrode plate configured to be proximate to one end of each of the plurality of conductor patterns,
The processing circuit performs the predetermined processing on the electrical signal detected by the electrode plate via a capacitance between the electrode plate and the one end portion that are brought close to the one end portion. The inspection apparatus according to claim 13 to be executed.
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