JP4848310B2 - Microscope with probe and probe driving method - Google Patents
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Description
本発明は、プローブ付き顕微鏡に関する。 The present invention relates to a microscope with a probe.
マイクロプロセッサや半導体メモリなどの半導体集積回路の製造過程において、製品特性の調査のために、電子顕微鏡による配線寸法の計測や、配線パターン上の異物・欠陥の検出などが行われている。半導体試料を構成するトランジスタ個々の電気特性異常個所の検査には、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)装置を用いることがある。SEMによる検査の際、半導体試料を予め削り、トランジスタの1つの電極を露出させ、先端半径約50nmの微細なプローブ(探針)を上記トランジスタの電極に直接接触させる。 In the process of manufacturing semiconductor integrated circuits such as microprocessors and semiconductor memories, measurement of wiring dimensions using an electron microscope and detection of foreign matter / defects on a wiring pattern are performed to investigate product characteristics. A scanning electron microscope (SEM) apparatus may be used for inspecting abnormal electrical characteristics of individual transistors constituting a semiconductor sample. At the time of inspection by SEM, a semiconductor sample is shaved in advance, one electrode of the transistor is exposed, and a fine probe (probe) having a tip radius of about 50 nm is brought into direct contact with the electrode of the transistor.
プローブを用いてトランジスタ個々の電気特性を測定するために、プローブ先端と、プローブ先端を接触させたい試料部位との位置関係を、電子顕微鏡像から把握し、プローブが試料に接触するまでプローブを駆動する。つまり、プローブを試料や試料固定台に接近させ、プローブが試料や試料固定台に接触したのを検知したらすぐにプローブの移動を停止させる。 In order to measure the electrical characteristics of each transistor using a probe, the positional relationship between the probe tip and the sample part to be contacted with the probe tip is grasped from the electron microscope image, and the probe is driven until the probe contacts the sample. To do. That is, the probe is brought close to the sample or the sample fixing base, and the movement of the probe is stopped as soon as it is detected that the probe has contacted the sample or the sample fixing base.
プローブを試料や試料台に接近又は接触させる際に注意すべきことは、プローブ速度の設定と接触の検知である。従来は、プローブ速度の設定は作業者が電子顕微鏡像を目視して行っていた。接触の検知方法としては、接触抵抗の変化や、プローブに流す電流の変化などの電気信号から接触を検知する方法や、電子顕微鏡像のコントラスト変化を捉えて接触を検知する方法があった。 What should be noted when bringing the probe close to or in contact with the sample or the sample stage is to set the probe speed and detect the contact. Conventionally, the probe speed is set by an operator viewing an electron microscope image. As a method for detecting contact, there are a method for detecting contact from an electrical signal such as a change in contact resistance and a change in current flowing through the probe, and a method for detecting contact by detecting a contrast change in an electron microscope image.
本発明者が鋭意検討した結果、作業者が電子顕微鏡像を目視してプローブ速度の設定を行う場合、プローブと試料との距離が既知でないと、プローブ速度の決定が難しいことが判明した。もし、プローブと試料との距離が近いにもかかわらず、プローブ速度を速く設定した場合、プローブや試料片が試料や試料台に急速に接近し、プローブや試料片が破損してしまうおそれがある。また、もし、プローブと試料との距離が遠いにもかかわらず、プローブ速度を遅く設定した場合、接触までの時間が長くなりすぎる。このため、プローブと試料との距離に応じて、プローブを望ましい速度で駆動する必要がある。 As a result of intensive studies by the inventor, it has been found that when the operator sets the probe speed by visually observing an electron microscope image, it is difficult to determine the probe speed unless the distance between the probe and the sample is known. If the probe speed is set high even though the distance between the probe and the sample is short, the probe or sample piece may rapidly approach the sample or sample stage and the probe or sample piece may be damaged. . In addition, if the probe speed is set to be slow although the distance between the probe and the sample is long, the time until contact becomes too long. For this reason, it is necessary to drive the probe at a desired speed in accordance with the distance between the probe and the sample.
接触抵抗の変化や電流変化を用いる接触検知は、試料や試料片が絶縁体の場合には非常に難しくなる。また、電子顕微鏡像からのコントラスト変化による接触検知は、作業者が電子顕微鏡像を目視して接触の判断を行うために、接触瞬間の検出が曖昧である。もし接触したことに気づかずにプローブ駆動を続ければ、プローブや試料片が破損するおそれがある。 Contact detection using a change in contact resistance or a change in current becomes very difficult when the sample or sample piece is an insulator. Further, the contact detection based on the contrast change from the electron microscope image is ambiguous because the operator visually determines the contact by visually checking the electron microscope image. If the probe is continuously driven without noticing contact, the probe and the sample piece may be damaged.
本発明の目的は、プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができるプローブ付き顕微鏡を提供することに関する。 An object of the present invention relates to providing a microscope with a probe that can quickly bring a probe tip into contact with a sample without fear of damaging the probe or the sample.
本発明のプローブ付き顕微鏡は、プローブが試料方向に接近している最中に、顕微鏡から得られる画像を認識して、認識領域内のプローブ面積を計算することによってプローブから試料までの距離を計算する。 The microscope with a probe of the present invention calculates the distance from the probe to the sample by recognizing the image obtained from the microscope while the probe is approaching the sample direction and calculating the probe area in the recognition region. To do.
本発明によれば、プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができる。 According to the present invention, there is no fear of damaging the probe or the sample, and the tip of the probe can be brought into contact with the sample quickly.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。理解を容易にするために、以下の図において、同様の部材には同じ符号を付して説明する。プローブの位置や数は任意であるが、以下では説明を簡単にするため、プローブの数は1つとして説明する。また、各実施の形態において、例えば顕微鏡には走査型電子顕微鏡(SEM)を用いることを想定する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In order to facilitate understanding, the same reference numerals are given to the same members in the following drawings. The position and number of the probes are arbitrary, but in the following description, in order to simplify the description, the number of probes will be described as one. In each embodiment, it is assumed that a scanning electron microscope (SEM) is used as a microscope, for example.
図1は、プローブ付き顕微鏡の一例を示す概念図である。プローブ付き顕微鏡は、走査型電子顕微鏡1と、プローブ2と、信号検出器3と、アナログ信号線4と、A/D変換器8と、画像表示器9と、倍率変更部10と、画像処理部11と、測長処理部12と、測長データ処理部13と、記憶部14と、プローブ駆動コントローラ15と、プローブ駆動機構16と、試料台17を備える。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing an example of a microscope with a probe. The microscope with a probe includes a
試料5は、試料台17に載置されて移動可能である。図1に示した通り、顕微鏡は試料面に対して垂直方向(Z方向)に位置する。プローブ2の先端を試料5の部位6に接触させる方法について説明する。プローブ2の先端を試料5の部位6に接触させる操作は、プローブ2を試料5に対して垂直方向上方から接近させることにより行う。つまり、本例のプローブ付き顕微鏡では、プローブ2を試料5に接触させる際にプローブ2を移動させる方向(Z軸方向)と顕微鏡の光軸とが一致している。
The sample 5 is mounted on the
走査型電子顕微鏡1を使用して信号検出器3で得た2次電子や反射電子などのアナログ情報は、アナログ信号線4を経て、A/D変換部8に伝送され、デジタル変換される。このデジタル変換されたデータは、画像表示器9に伝送され、2次元画像として表示される。この画像を、以下SEM像と呼ぶ。画像表示器9に表示されるSEM像は、倍率変更部10によって拡大縮小することができる。
Analog information such as secondary electrons and reflected electrons obtained by the signal detector 3 using the
プローブ付き顕微鏡では、SEM像を用いて、プローブ2の先端7がプローブ2の先端7に接触させたい試料5の部位6の真上になるように試料5もしくはプローブ2を移動させ、その後、SEM像を用いて、プローブ2の先端7から試料部位6までの距離を計算しながら、プローブ2を下方に駆動し、試料部位6に接触させる。プローブ2の先端7から試料部位6までの距離の計算は、画像表示器9で得られたSEM像を画像処理部11で解析し、その解析結果を元に測長処理部12及び測長データ処理部13が行い、記憶部14に記憶する。また、プローブ速度は前記解析結果に基づいてプローブ駆動コントローラ15によって決定され、プローブ駆動機構16はそのプローブ駆動速度でプローブ2をZ軸方向に駆動する。
In the microscope with a probe, using the SEM image, the sample 5 or the
プローブ駆動前に、顕微鏡1による画像を見ながら、図2(a)に示すように、プローブ2の先端7を接触させる試料5の部位6を見つけて画像認識領域枠18で囲む。
Before the probe is driven, the
本発明のプローブ付き顕微鏡における試料部位にプローブ先端を接触させる動作について、まず図3のフローチャートにより以下説明をする。まずステップS101で、図2(b)に示すように、画像処理部11はSEM像を認識し、試料部位6が画像中心19に来るように試料位置や顕微鏡を調整する。この結果、画像表示器9によって表示されるSEM像は、最初例えば図2(a)のように、画像中心19から外れていた試料部位6が、図2(b)に示すように、画像中心19に位置するようになる。この操作により、顕微鏡の倍率を拡大しても縮小しても、顕微鏡の画像中心19にプローブ先端7を接触させたい試料部位6が常に位置していることになる。
The operation of bringing the probe tip into contact with the sample site in the microscope with a probe of the present invention will be described below with reference to the flowchart of FIG. First, in step S101, as shown in FIG. 2B, the
次に、ステップS102で、測長処理部12は、試料部位6にフォーカスを合わせて、試料部位7のZ軸情報WD0を検出する。このZ軸情報WD0は、顕微鏡1の対物レンズから試料部位7までの距離であるワーキングディスタンスである。次に、ステップS103で、プローブ2が入っていない状態の試料部位6の画像を取得し、記憶部14に記憶する。
Next, in step S102, the length
次に、ステップS103で、図4に示すように試料台17もしくはプローブ2の移動軸の一つ(Y’軸)が画像中心方向であるとすると、画像中心19方向に対して垂直の方向(他の移動軸であるX’軸方向)に試料5もしくはプローブ2を動かし、図4(b)のように、Y’軸上でプローブの先端7が画像中心19の方向を示すような状態にする。ステップS104で、プローブ先端7が画像中心19に達したかどうかを画像処理部18によって確認する。達していなければ、ステップS105で、Y’軸方向に試料位置もしくはプローブ2を移動する。この移動と確認を例えば数ミリ秒ごとに行う。プローブ先端7が画像中心19に達したら、ステップS107で、画像処理部11は、プローブ2が入った状態の試料部位6の画像を取得し、記憶部14に記憶する。ステップS108で、画像処理部11は、ステップS103で取得したプローブ2が入っていない状態の試料部位6の画像と、ステップS107で取得したプローブ2が入った状態の試料部位6の画像とを比較して差分をとり、差分となった画像をプローブ2として認識し、プローブ2の輝度を記憶部14に記憶する。その後、図5のフローチャートへ進む。
Next, in step S103, if one of the movement axes (Y ′ axis) of the
続いて、図5のフローチャートにより以下説明する。ステップS201で、画像処理部11は、画像認識領域18内のプローブ2の輝度を有する領域、すなわちプローブ2が、画像認識領域18の20%以上かどうかを判定する。これは、以下で説明するように、画像認識領域18内のプローブ2が占める面積を元にプローブ先端7と試料部位6との間の距離を計算するため、計算精度を向上させるためである。20%以上の場合、ステップS207で、画像処理部11で焦点合成を行い、プローブ先端7と試料部位6の両方に焦点を合わせた状態の画像を画像表示器11に表示する。その後、図7のフローチャートへ進む。
Next, a description will be given below with reference to the flowchart of FIG. In step S <b> 201, the
ステップS201で、図6(a)に示すように20%未満の場合は、ステップS202で、顕微鏡1の現在の倍率が最大倍率かどうかを判定する。最大倍率でない場合、ステップS203で、倍率変更部10によって倍率を拡大する。例えば、図6(b)に示すように1000倍から3000倍に拡大する。次に、ステップS204で、オートフォーカス機能を用いて、プローブ先端7の高さに焦点を合わせ、ステップS201に戻り、再び、画像認識領域18内のプローブ2の輝度を有する領域が、画像認識領域18の20%以上かどうかを判定する。ステップS202で、顕微鏡の現在の倍率が最大倍率である場合、ステップS205で、現在の画像認識領域18が始めの面積の1/64であるかどうかを判定する。1/64にはなっていない場合、ステップS206で、画像認識領域18の面積を1/2にし、ステップS201に戻り、再び、画像認識領域18におけるプローブ2の輝度を有する領域が、画像認識領域18の20%以上かどうかを判定する。ステップS205で、現在の画像認識領域18が始めの面積の1/64である場合、画像認識領域18内のプローブ2の輝度を有する領域を画像認識領域18の20%以上にすることはあきらめ、ステップS207に進む。
In step S201, if it is less than 20% as shown in FIG. 6A, it is determined in step S202 whether the current magnification of the
続いて、図7のフローチャートにより以下説明する。本発明のプローブ付き顕微鏡では、画像認識領域18内のプローブ2が占める面積を元に、プローブ先端7と試料部位6との間の距離を計算し、プローブ駆動速度を決定する。図8は、プローブ先端7と試料部位6との位置関係を説明する図である。この図を参照しながら以下説明する。
Next, a description will be given below with reference to the flowchart of FIG. In the microscope with a probe of the present invention, the distance between the
まず、図8(a)に示すプローブ2をZ軸方向に駆動していない状態で、測長処理部12は、プローブ先端7に焦点を合わせてプローブ先端7のZ軸情報WD1を検出する。WD1は、プローブ先端7のワーキングディスタンスである。これは、走査型電子顕微鏡に備わるフォーカス機能における所定の位置に焦点を合わせるのに必要な電流値から求めることができる。そして、記憶部14に記憶されている試料部位6のワーキングディスタンスWD0との差分をとり、プローブ先端7と試料部位6との間の距離Z1を求める。
First, in a state where the
次に、ステップS302で、画像処理部11は、画像認識領域18内のプローブ2(プローブ2の輝度を持つ領域)が占める面積A1を測定する。ステップS303で、プローブ駆動コントローラ15は、距離Z1に対応するプローブ駆動速度v1をプローブ駆動機構16に送り、プローブ駆動機構16は、プローブ2をZ軸方向下方に速度v1で所定の時間T秒間駆動させる。この際、プローブ駆動速度の情報を測長データ処理部13にも送る。
Next, in step S <b> 302, the
次に、ステップS304で、プローブ駆動後の画像認識領域18内のプローブ2が占める面積Aiを測定する。ステップS305で、測長データ処理部13は、面積Aiの変化からプローブ先端7と試料部位6との間の距離を計算する。以下、このような計算方法について図8を参照して説明する。
Next, in step S304, the area Ai occupied by the
図8(a)はプローブ駆動前の状態であり、左に画像表示器9に表示される平面図を示し、右に平面図のa−a’線に沿った断面図を示す。図8(a)の断面図において、プローブ2の断面における端とZ軸情報の基準点(例えば、顕微鏡の対物レンズ)とを結ぶ線分と、基準点から試料部位6に下ろした(すなわちZ軸と平行の)垂線とが成す角θ1と、基準点とプローブ先端7との間の距離、すなわちプローブ先端7のワーキングディスタンスWD1との関係は、次式(1)のように求まる。
θ1=tan−1((L/2)WD1) (1)
ここでLは画像認識領域18の端におけるプローブ2の太さを表す。
FIG. 8A shows a state before the probe is driven, a plan view displayed on the image display 9 is shown on the left, and a cross-sectional view along the line aa ′ in the plan view is shown on the right. In the cross-sectional view of FIG. 8A, a line segment connecting the end of the cross section of the
θ1 = tan −1 ((L / 2) WD1) (1)
Here, L represents the thickness of the
図8(b)はプローブ駆動後の状態であり、図8(a)と同様に、左に画像表示器9に表示される平面図を示し、右に平面図のa−a’線に沿った断面図を示す。図8(b)の断面図において、プローブ2の断面における端とZ軸情報の基準点(例えば、顕微鏡の対物レンズ)とを結ぶ線分と、基準点から試料部位6に下ろした(すなわちZ軸と平行の)垂線とが成す角θiと、基準点とプローブ先端7との間の距離、すなわちプローブ先端7のワーキングディスタンスWiとの関係は、次式(2)のように求まる。
θi=tan−1((L/2)WDi) (2)
FIG. 8B shows a state after the probe is driven. As in FIG. 8A, the left side is a plan view displayed on the image display 9, and the right side is along the aa ′ line of the plan view. FIG. In the cross-sectional view of FIG. 8B, a line segment connecting the end of the cross section of the
θi = tan −1 ((L / 2) WDi) (2)
ここで、Aを画像認識領域18内でプローブ2が占める面積とし、φを電子銃からプローブを見た立体角とすると、
A∝φ (3)
の関係があり、また、θをプローブ2の断面図の端とZ軸情報の基準点とを結ぶ線分と、Z軸情報の基準点から試料部位6に下ろした垂線との成す角とし、プローブ2を円で近似すると、
φ=α×2π(1−cosθ) (4)
の関係がある。ここでαは定数である。
Here, A is an area occupied by the
A∝φ (3)
In addition, θ is an angle formed by a line segment connecting the end of the cross-sectional view of the
φ = α × 2π (1-cos θ) (4)
There is a relationship. Here, α is a constant.
したがって、図8(a)のプローブ駆動前の状態における画像認識領域18内でプローブ2が占める面積をA1とし、図8(b)のプローブ駆動後の状態における画像認識領域18内でプローブ2が占める面積をAiとすると、以下の関係が導ける。
A1=β×2π(1−cosθ1) (5)
Ai=β×2π(1−cosθi) (6)
ここで、βは比例定数である。
Therefore, the area occupied by the
A1 = β × 2π (1-cos θ1) (5)
Ai = β × 2π (1-cos θi) (6)
Here, β is a proportionality constant.
したがって、式(1)〜(6)より、
WDi=(L/2)/tan(cos−1(1−(Ai/A1)(1−cos(tan−1((L/2)/WD1))) (7)
の関係が導ける。
また、図8(b)の状態におけるプローブ先端7と試料部位6との間の距離Ziは、次式(8)のように求まる。
Zi=WD0−WDi (8)
したがって、式(7)及び(8)を用いて、画像認識領域18内でプローブ2が占める面積から、プローブ先端7と試料部位6との間の距離Ziの値を求めることができる。
Therefore, from the equations (1) to (6),
WDi = (L / 2) / tan (cos −1 (1- (Ai / A1) (1-cos (tan −1 ((L / 2) / WD1)))) (7)
The relationship can be guided.
Further, the distance Zi between the
Zi = WD0-WDi (8)
Therefore, the value of the distance Zi between the
再び図7のフローチャートに戻って説明する。ステップS305で、測長データ処理部13は、以上説明したようにZiを計算し、プローブ駆動コントローラ15に送る。ステップS306で、プローブ駆動コントローラ15は、距離Ziに対応するプローブ駆動速度viを決定し、プローブ駆動機構16と測長データ処理部12に送る。ステップS307で、プローブ駆動機構16は、プローブ2をZ軸方向下方に速度viで所定の時間T秒間駆動させる。
Returning to the flowchart of FIG. In step S305, the length measurement
ステップS308で、測長データ処理部13は、プローブ駆動速度viが最低速度vminかどうかを判定する。最低速度の場合、図10のフローチャートに進む。最低速度ではない場合、ステップS309で、画像処理部11はプローブ先端7の位置を確認し、図9(a)に示すように観察画像中心からずれていたら、図9(b)に示すように画像中心19に来るように試料位置や顕微鏡やプローブ2の水平方向の位置を調整する。その後、ステップS320でiを1だけインクリメントし、ステップS304に戻る。
In step S308, the length measurement
続いて、図10のフローチャートにより以下説明する。プローブ駆動速度が最低速度のvminとなったら、測長データ処理部13は、プローブ先端7と試料部位6との接触を画像認識領域18内でプローブ2が占める面積に基づいて検知する。ステップS401でiを1だけインクリメントし、ステップS402で、画像処理部11は、画像認識領域18内のプローブ2が占める面積Aiを測定する。ステップ403で、測長データ処理部13は、前回に測定した画像認識領域18内でプローブ2が占める面積A(i−1)より面積Aiが小さいかどうかを判定する。面積が小さくなっている場合、プローブ2はZ軸方向下方に移動しており、プローブ先端7はまだ試料部位6と接触していないことを意味するため、ステップS404で、プローブ駆動機構16は、プローブ2をZ軸方向下方に速度vminで所定の時間T秒間駆動させ、ステップS401に戻る。ステップS403で、面積が前回と同じか大きくなっている場合、プローブ先端7が試料部位6と接触し、プローブ2がそれ以上Z軸方向下方に移動しないことを意味していると判断し、ステップS405でプローブ2の駆動を終了し、プローブ先端7を試料部位6に接触させる動作を終了する。このような自動接触検知により、試料やプローブの損傷を最小にして、プローブ先端を試料部位に接触させることが可能になる。
Next, description will be made below with reference to the flowchart of FIG. When the probe drive speed reaches the minimum speed vmin, the length measurement
上述したような面積変化による接触検知方法と併用して、従来からプローブと試料の接触検知に用いられている接触抵抗の測定や、試料からプローブに流れる電流の測定などの接触検知を実行してもよい。 In combination with the contact detection method based on area changes as described above, contact detection such as measurement of contact resistance, which has been used for detecting contact between the probe and the sample, and current flowing from the sample to the probe is performed. Also good.
本発明は、プローブ付き顕微鏡に利用可能である。 The present invention can be used for a microscope with a probe.
1 走査型電子顕微鏡
2 プローブ
3 信号検出器
4 アナログ信号線
5 試料
6 試料部位
7 プローブ先端
8 A/D変換器
9 画像表示器
10 倍率変更部
11 画像処理部
12 測長処理部
13 測長データ処理部
14 記憶部
15 プローブ駆動コントローラ
16 プローブ駆動機構
17 試料台
18 画像認識領域
19 画像中心
DESCRIPTION OF
Claims (9)
試料を観察する顕微鏡と、
プローブと、
前記プローブを駆動するプローブ駆動手段と、
前記顕微鏡による観察画像を処理し、所定の画像認識領域内で前記プローブが占める面積を測定する画像処理手段と、
基準位置から前記プローブの先端と前記画像認識領域内の試料部位の各々までの距離をフォーカス条件に基づいて測定する測長処理手段と、
前記画像認識領域内で前記プローブが占める面積の前記プローブの駆動による変化と、前記基準位置から前記プローブの先端と前記画像認識領域内の試料部位の各々までの距離とに基づいて、前記プローブの先端と、前記画像認識領域内の試料部位との間の距離を計算する測長データ処理手段とを備えることを特徴とするプローブ付き顕微鏡。 A sample stage on which the sample is placed;
A microscope for observing the sample;
A probe,
Probe driving means for driving the probe;
Image processing means for processing an image observed by the microscope and measuring an area occupied by the probe in a predetermined image recognition region;
A length measurement processing means for measuring a distance from a reference position to each of the tip of the probe and each of the sample parts in the image recognition area based on a focus condition;
Based on the change of the area occupied by the probe in the image recognition region due to the driving of the probe and the distance from the reference position to the tip of the probe and each of the sample parts in the image recognition region, A microscope with a probe, comprising: a length measurement data processing means for calculating a distance between a tip and a sample part in the image recognition region.
試料を観察する顕微鏡と、
プローブと、
前記プローブを駆動するプローブ駆動機構と、
前記顕微鏡による観察画像を処理し、所定の画像認識領域内で前記プローブが占める面積を計算し、
基準位置から前記プローブの先端と前記画像認識領域内の試料部位の各々までの距離をフォーカス条件に基づいて計算し、
前記画像認識領域内で前記プローブが占める面積の前記プローブの駆動による変化と、前記基準位置から前記プローブの先端と前記画像認識領域内の試料部位の各々までの距離とに基づいて、前記プローブの先端と、前記画像認識領域内の試料部位との間の距離を計算する演算装置とを備えることを特徴とするプローブ付き顕微鏡。 A sample stage on which the sample is placed;
A microscope for observing the sample;
A probe,
A probe driving mechanism for driving the probe;
Process the observation image by the microscope, calculate the area occupied by the probe in a predetermined image recognition region,
Calculate the distance from the reference position to the tip of the probe and each of the sample parts in the image recognition area based on the focus condition,
Based on the change of the area occupied by the probe in the image recognition region due to the driving of the probe and the distance from the reference position to the tip of the probe and each of the sample parts in the image recognition region, A microscope with a probe, comprising: an arithmetic unit that calculates a distance between a tip and a sample portion in the image recognition region.
前記画像認識領域の直上にプローブの先端を配置し、
前記プローブ先端の前記顕微鏡画像に対して垂直方向における位置をフォーカス条件に基づいて測定し、
前記プローブを前記プローブを前記試料部位に接近する方向に駆動させ、
顕微鏡画像において前記画像認識領域内で前記プローブが占める面積を測定し、
前記画像認識領域内で前記プローブが占める面積の前記プローブの駆動による変化と、前記プローブ先端と前記試料部位の垂直方向の位置とに基づいて、前記プローブの先端と前記試料部位との間の距離を計算することを特徴とするプローブ駆動方法。 Measure the position in a direction perpendicular to the microscope image of a predetermined part of the sample selected as the image recognition area in the microscope image based on the focus condition,
Place the tip of the probe directly above the image recognition area,
Measure the position of the probe tip in the direction perpendicular to the microscope image based on the focus condition,
Driving the probe in a direction in which the probe approaches the sample site;
Measure the area occupied by the probe in the image recognition region in the microscope image,
The distance between the tip of the probe and the sample part based on the change in the area occupied by the probe in the image recognition region due to the driving of the probe and the vertical position of the probe tip and the sample part A probe driving method characterized by:
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007128448A JP4848310B2 (en) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | Microscope with probe and probe driving method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008281535A JP2008281535A (en) | 2008-11-20 |
| JP4848310B2 true JP4848310B2 (en) | 2011-12-28 |
Family
ID=40142460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007128448A Expired - Fee Related JP4848310B2 (en) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | Microscope with probe and probe driving method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4848310B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG184008A1 (en) | 2010-03-12 | 2012-10-30 | Cascade Microtech Inc | System for testing semiconductors |
| JP5324534B2 (en) * | 2010-07-29 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Inspection method and apparatus |
| JP5604355B2 (en) * | 2011-04-06 | 2014-10-08 | 新電元工業株式会社 | Semiconductor chip inspection and sorting apparatus and inspection and sorting method |
| TW201247374A (en) | 2011-05-18 | 2012-12-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Robot arm and detection device having same |
| CN102785252A (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | Manipulator and detection device |
| CN116168996B (en) * | 2023-04-24 | 2023-06-27 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | Electron microscope and working method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001228071A (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Olympus Optical Co Ltd | Scanning type probe microscope combined with surface measuring instrument |
| JP4675615B2 (en) * | 2003-12-05 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Defect inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method |
| JP4520905B2 (en) * | 2005-06-10 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Analysis device, probe control method, and analysis system |
| JP2007018935A (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | Microscope with probe and probe contact method |
-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007128448A patent/JP4848310B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008281535A (en) | 2008-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110909 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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