JP4852283B2 - Gas sensor - Google Patents
Gas sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP4852283B2 JP4852283B2 JP2005253126A JP2005253126A JP4852283B2 JP 4852283 B2 JP4852283 B2 JP 4852283B2 JP 2005253126 A JP2005253126 A JP 2005253126A JP 2005253126 A JP2005253126 A JP 2005253126A JP 4852283 B2 JP4852283 B2 JP 4852283B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- temperature
- vibrating piece
- gas
- quartz crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 99
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 95
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 95
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 78
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 27
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 36
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
本発明は、ガスと触媒媒質による発熱を温度として検出するガスセンサに関する。 The present invention relates to a gas sensor that detects heat generated by a gas and a catalyst medium as a temperature.
従来から、用途に応じたガスを検出するガスセンサが実用化されている。特に可燃性ガ
スを検出するガスセンサは、使用上の安全性を確保する上での重要なセンサと位置付けら
れている。
例えば近年、環境負荷を低減するために自動車用、家庭用として燃料電池の開発が進ん
でいる。燃料電池は水素を燃料とするため、水素ガスのガス漏れを検知することが燃料電
池を安全に使用する際の重要な事項である。このガス漏れの検知は水素センサによって行
われ、水素ガスだけに応答し、約0.05%から5%程度の水素濃度を定量的に検知する
水素センサが必要である。
Conventionally, a gas sensor for detecting a gas corresponding to a use has been put into practical use. In particular, a gas sensor that detects flammable gas is positioned as an important sensor for ensuring safety in use.
For example, in recent years, fuel cells have been developed for automobiles and households in order to reduce the environmental load. Since a fuel cell uses hydrogen as a fuel, detecting a gas leak of hydrogen gas is an important matter when using the fuel cell safely. This gas leak is detected by a hydrogen sensor, and a hydrogen sensor that responds only to hydrogen gas and quantitatively detects a hydrogen concentration of about 0.05% to 5% is required.
現在、水素センサとして金属酸化物焼結体型半導体センサ、接触燃焼式センサなどが知
られている。
金属酸化物焼結体型半導体センサは、半導体表面のガスの吸着現象による電気抵抗の変
化を利用し、固定抵抗と対にしたブリッジ回路を構成して、この変化を電圧として検出す
るものである。
また、接触燃焼式センサは、ガスの検出機能を持つ物質の表面での接触燃焼現象による
発熱を利用し、この温度変化から電気抵抗の変化を固定抵抗と対にしたブリッジ回路から
電圧として検出するものである。
Currently, metal oxide sintered semiconductor sensors, contact combustion sensors, and the like are known as hydrogen sensors.
The metal oxide sintered semiconductor sensor utilizes a change in electrical resistance due to gas adsorption on the semiconductor surface, forms a bridge circuit paired with a fixed resistance, and detects this change as a voltage.
In addition, the contact combustion type sensor uses heat generated by the contact combustion phenomenon on the surface of a substance having a gas detection function, and detects a change in electrical resistance from this temperature change as a voltage from a bridge circuit paired with a fixed resistance. Is.
例えば、接触燃焼式水素センサの一例として特許文献1に示すように、触媒媒質として
の水素反応用触媒層と該水素反応触媒層の発熱温度を検知する薄膜サーミスタが絶縁層を
介して積層され、この素子を用いてブリッジ回路を構成し、ブリッジ電圧を検出すること
で水素濃度を検知可能としている。
For example, as shown in
しかしながら、従来の水素センサなどのガスセンサはブリッジ回路などから検出される
電圧が微小なため、ガス濃度を感度良く検知できないという問題があった。
However, the conventional gas sensor such as a hydrogen sensor has a problem that the gas concentration cannot be detected with high sensitivity because the voltage detected from the bridge circuit or the like is very small.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ガス濃度を感度
良く検知できるガスセンサを提供することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a gas sensor capable of detecting a gas concentration with high sensitivity.
上記課題を解決するために本発明は、ガスと触媒媒質による発熱を温度として検出する
ガスセンサであって、前記ガスの検出部分が温度により固有振動数が変化する機械振動子
より構成され、前記触媒媒質が前記機械振動子上に備えられ、前記ガスと前記触媒媒質に
よる触媒効果で発熱した熱が前記機械振動子に伝達され温度上昇が生じ、前記機械振動子
の固有振動数を変化させることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a gas sensor for detecting heat generated by a gas and a catalyst medium as a temperature, wherein the gas detection part is constituted by a mechanical vibrator whose natural frequency changes depending on the temperature, and the catalyst A medium is provided on the mechanical vibrator, and heat generated by the catalytic effect of the gas and the catalyst medium is transmitted to the mechanical vibrator to cause a temperature rise, thereby changing a natural frequency of the mechanical vibrator. Features.
この構成によれば、機械振動子上に備えられた触媒媒質とガスによって発熱した熱が機
械振動子に伝わり、機械振動子の温度が上昇する。この機械振動子は、温度により固有振
動数が変化する特性を有しているため、機械振動子の温度上昇に伴い固有振動数が変化す
る。この固有振動数の変化を検知することで、ガスの存在またはガスの濃度を検知するこ
とが可能となる。
このように、本発明のガスセンサは機械振動子の温度に起因する周波数信号を検出して
ガスを検知することができることから、従来の電圧を検出してガスを検知する方法に比べ
て、ガスを感度良く検知できるガスセンサを提供することができる。
ここで機械振動子に用いられる材料としては、単結晶圧電材料・多結晶圧電材料・磁歪
材料が採用される。単結晶圧電材料としては、α水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウムなどがあり、多結晶圧電材料としてはPZT、チタン酸バリウムなどがある。また
、磁歪材料としてはニッケル、アモルファス強磁性体などが挙げられる。
According to this configuration, the heat generated by the catalyst medium and the gas provided on the mechanical vibrator is transmitted to the mechanical vibrator, and the temperature of the mechanical vibrator rises. Since this mechanical vibrator has a characteristic that the natural frequency changes with temperature, the natural frequency changes as the temperature of the mechanical vibrator increases. By detecting the change in the natural frequency, it is possible to detect the presence of gas or the concentration of gas.
As described above, the gas sensor of the present invention can detect the gas by detecting the frequency signal caused by the temperature of the mechanical vibrator. Therefore, compared with the conventional method of detecting the gas by detecting the voltage, the gas is detected. A gas sensor capable of detecting with high sensitivity can be provided.
Here, as a material used for the mechanical vibrator, a single crystal piezoelectric material, a polycrystalline piezoelectric material, or a magnetostrictive material is employed. Examples of the single crystal piezoelectric material include α crystal, lithium niobate, and lithium tantalate, and examples of the polycrystalline piezoelectric material include PZT and barium titanate. Examples of the magnetostrictive material include nickel and amorphous ferromagnet.
また、本発明のガスセンサは、触媒効果を制御するために前記機械振動子と前記触媒媒
質の部分の温度を制御する温度制御手段を備えることが望ましい。
In addition, the gas sensor of the present invention preferably includes a temperature control means for controlling the temperature of the mechanical vibrator and the portion of the catalyst medium in order to control the catalytic effect.
この構成によれば、機械振動子と触媒媒質の部分の温度を制御する温度制御手段を備え
ることで、両者の温度をガス雰囲気温度よりも高い温度で、使用することができる。この
ようにすれば、触媒媒質の触媒効果が向上し、効率よく発熱の温度変化を検出でき、感度
に優れたガスセンサを提供することができる。
According to this configuration, by providing the temperature control means for controlling the temperature of the mechanical vibrator and the catalyst medium portion, both temperatures can be used at a temperature higher than the gas atmosphere temperature. In this way, the catalytic effect of the catalyst medium is improved, and a temperature change of heat generation can be detected efficiently, and a gas sensor with excellent sensitivity can be provided.
本発明のガスセンサは、前記温度制御手段として触媒媒質に電流を流し、その発熱効果
により温度制御を行うことが望ましい。
In the gas sensor of the present invention, it is desirable that current is passed through the catalyst medium as the temperature control means, and temperature control is performed by the heat generation effect.
このようにすれば、触媒媒質自体に電流を流すことにより、その抵抗作用により発熱し
て機械振動子の温度を上昇させることができ、適宜電流の大きさ、通電時間を制御するこ
とで機械振動子の温度制御をすることができる。このことから、雰囲気温度の変化、また
はガスと反応して触媒媒質が発熱の際に生じる水の影響を排除することができ、感度に優
れたガスセンサを提供することができる。
In this way, by passing an electric current through the catalyst medium itself, it is possible to generate heat due to its resistance and raise the temperature of the mechanical vibrator. By appropriately controlling the magnitude of the electric current and the energizing time, the mechanical vibration The child temperature can be controlled. From this, it is possible to eliminate the influence of the change in the atmospheric temperature or the water that reacts with the gas and generates heat when the catalyst medium generates heat, and it is possible to provide a gas sensor with excellent sensitivity.
また、本発明のガスセンサは、検出ガスとして水素ガスを主体とするガスセンサであっ
て、表裏に主面を有し厚みすべりの振動モードを励振する圧電振動片と、前記圧電振動片
の主面に形成された励振電極および接続電極と、少なくとも前記励振電極上に形成され水
素ガスに反応して発熱する水素反応触媒膜と、前記圧電振動片を励振させる発振回路と、
を備え、前記水素反応触媒膜の発熱による前記圧電振動片の温度変化を周波数信号として
検出することを特徴とする。
The gas sensor of the present invention is a gas sensor mainly composed of hydrogen gas as a detection gas. The piezoelectric vibration piece has a main surface on both sides and excites a vibration mode of thickness sliding, and the main surface of the piezoelectric vibration piece. Formed excitation electrode and connection electrode, at least a hydrogen reaction catalyst film formed on the excitation electrode and generating heat in response to hydrogen gas, an oscillation circuit for exciting the piezoelectric vibrating piece,
And a temperature change of the piezoelectric vibrating piece due to heat generation of the hydrogen reaction catalyst film is detected as a frequency signal.
厚みすべりの振動モードを励振する圧電振動片は、一般に、周波数温度特性を持ち、温
度に応じた周波数を発振する。また、水素反応触媒膜に水素を含む空気を接触させると触
媒燃焼が生じ発熱する性質があり、この発熱量は水素濃度に比例している。これらの特性
および性質を利用して、本発明のガスセンサが構成されている。
まず、水素反応触媒膜に水素を含む空気が接触して発熱し、その熱が圧電振動片に伝わ
り、圧電振動片の温度が上昇する。圧電振動片はこの温度に対応する周波数を発振する。
そして、この検出された周波数信号またはこの周波数信号から導きだされる温度を基に水
素濃度を検知することが可能となる。
このように、本発明のガスセンサは圧電振動片の温度に起因する周波数信号を検出して
水素ガスの濃度を検知することができることから、従来の電圧を検出して水素ガスの濃度
を検知する方法に比べて、水素濃度を感度良く検知できるガスセンサを提供することがで
きる。
A piezoelectric vibrating piece that excites a thickness-shear vibration mode generally has a frequency-temperature characteristic and oscillates at a frequency corresponding to the temperature. Further, when air containing hydrogen is brought into contact with the hydrogen reaction catalyst film, there is a property of generating catalytic combustion and generating heat. The gas sensor of the present invention is configured using these characteristics and properties.
First, air containing hydrogen comes into contact with the hydrogen reaction catalyst film to generate heat, the heat is transmitted to the piezoelectric vibrating piece, and the temperature of the piezoelectric vibrating piece rises. The piezoelectric vibrating piece oscillates at a frequency corresponding to this temperature.
The hydrogen concentration can be detected based on the detected frequency signal or the temperature derived from the frequency signal.
Thus, since the gas sensor of the present invention can detect the concentration of hydrogen gas by detecting the frequency signal resulting from the temperature of the piezoelectric vibrating piece, the conventional method of detecting the concentration of hydrogen gas by detecting the voltage Compared to the above, it is possible to provide a gas sensor that can detect the hydrogen concentration with high sensitivity.
本発明のガスセンサにおいて、前記水素反応触媒膜は白金またはパラジウムから選択さ
れる材料で形成されていることが望ましい。
In the gas sensor of the present invention, the hydrogen reaction catalyst film is preferably formed of a material selected from platinum or palladium.
この構成によれば、水素反応触媒膜として白金またはパラジウムを利用することで高い
水素選択性を持ち、他の可燃性ガスにほとんど応答しない水素反応触媒膜を構成すること
ができる。
According to this configuration, by using platinum or palladium as the hydrogen reaction catalyst membrane, a hydrogen reaction catalyst membrane having high hydrogen selectivity and hardly responding to other combustible gases can be configured.
また、本発明のガスセンサにおいて、前記圧電振動片が水晶振動片であることが望まし
い。
In the gas sensor of the present invention, it is preferable that the piezoelectric vibrating piece is a quartz vibrating piece.
この構成によれば、水晶は加工性が良く量産に適し、また、水晶の主面のカット角(切
断方位)を適宜選択することで水晶振動片の温度感度係数を調整できる利点がある。つま
り、水晶の主面のカット角を適宜選択することで、温度に対する良好な感度を得ることが
でき、ひいては、水素濃度を感度良く検知でき、かつ量産性に優れたガスセンサを提供す
ることができる。
According to this configuration, the crystal has good workability and is suitable for mass production, and has an advantage that the temperature sensitivity coefficient of the crystal vibrating piece can be adjusted by appropriately selecting the cut angle (cutting orientation) of the main surface of the crystal. That is, by appropriately selecting the cut angle of the main surface of the crystal, it is possible to obtain a good sensitivity to temperature, and thus to provide a gas sensor that can detect the hydrogen concentration with high sensitivity and is excellent in mass productivity. .
本発明のガスセンサにおいて、ガスと触媒媒質による発熱を温度として検出するガスセンサであって、前記ガスの検出部分が温度により固有振動数が変化する水晶振動片より構成され、前記触媒媒質が前記水晶振動片上に備えられ、前記ガスと前記触媒媒質による触媒効果で発熱した熱が前記水晶振動片に伝達され温度上昇が生じ、前記水晶振動片の固有振動数を変化させ、前記水晶振動片は、水晶の結晶の電気軸をX軸、機械軸をY軸、光学軸をZ軸として、前記X軸を前記Z軸の周りに時計方向に角度φ°回転させてX´軸とし、 かつ前記Z軸を前記X´軸の周りに時計方向に角度θ°回転させてZ´軸とし、前記X´軸および前記Z´軸を含む平面を前記水晶振動片の主面とし、且つ、 φ=7〜14 (°)、 θ=14±3(°)、であることが望ましい。
The gas sensor of the present invention is a gas sensor that detects heat generated by a gas and a catalyst medium as a temperature, wherein the gas detection portion includes a crystal vibrating piece whose natural frequency varies with temperature, and the catalyst medium includes the crystal vibration. The heat generated by the catalytic effect of the gas and the catalyst medium is transmitted to the quartz crystal vibrating piece and the temperature rises to change the natural frequency of the quartz crystal vibrating piece. The electrical axis of the crystal is the X-axis, the mechanical axis is the Y-axis, the optical axis is the Z-axis, the X-axis is rotated clockwise around the Z-axis by an angle φ °, and the Z-axis is Is rotated clockwise around the X ′ axis by an angle θ ° to be a Z ′ axis, a plane including the X ′ axis and the Z ′ axis is a main surface of the quartz crystal vibrating piece, and φ = 7˜ 14 (°), θ = 14 ± 3 (°) it is Desirable.
この構成によれば、温度感度係数が30〜60ppm/℃の水晶振動片を構成すること
ができ、水素濃度に対応する発熱を効率よく検出でき、水素濃度の検知感度に優れた水素
センサを提供することができる。特に、このカット角はθの変動に対して、温度に対する
感度の変動が少なく、量産性に優れたガスセンサを提供することができる。
According to this configuration, a quartz crystal vibrating piece with a temperature sensitivity coefficient of 30 to 60 ppm / ° C. can be configured, a heat sensor corresponding to the hydrogen concentration can be detected efficiently, and a hydrogen sensor excellent in hydrogen concentration detection sensitivity is provided. can do. In particular, this cut angle can provide a gas sensor that is less susceptible to changes in temperature with respect to θ and is excellent in mass productivity.
また、本発明のガスセンサにおいて、ガスと触媒媒質による発熱を温度として検出するガスセンサであって、前記ガスの検出部分が温度により固有振動数が変化する水晶振動片より構成され、前記触媒媒質が前記水晶振動片上に備えられ、前記ガスと前記触媒媒質による触媒効果で発熱した熱が前記水晶振動片に伝達され温度上昇が生じ、前記水晶振動片の固有振動数を変化させ、前記水晶振動片は、水晶の結晶の電気軸をX軸、機械軸をY軸、光学軸をZ軸として、前記X軸を前記Z軸の周りに時計方向に角度φ°回転させてX´軸とし、かつ前記Z軸を前記X´軸の周りに時計方向に角度θ°回転させてZ´軸とし、 前記X´軸および前記Z´軸を含む平面を前記水晶振動片の主面とし、且つ、φ=0(°)、 θ=28±2(°)、であることが望ましい。
Further, in the gas sensor of the present invention, the gas sensor detects heat generated by the gas and the catalyst medium as a temperature, and the gas detection part is constituted by a quartz crystal vibrating piece whose natural frequency changes with temperature, and the catalyst medium is The heat generated by the catalytic effect of the gas and the catalyst medium is transmitted to the crystal vibrating piece, the temperature rises, and the natural frequency of the crystal vibrating piece is changed. The electrical axis of the crystal of the crystal is the X axis, the mechanical axis is the Y axis, the optical axis is the Z axis, the X axis is rotated around the Z axis by an angle φ ° clockwise to be the X ′ axis, and The Z axis is rotated clockwise around the X ′ axis by an angle θ ° to form a Z ′ axis, a plane including the X ′ axis and the Z ′ axis is defined as a main surface of the quartz crystal vibrating piece, and φ = 0 (°), be θ = 28 ± 2 (°) , which is Masui.
この構成によれば、温度感度係数が30〜60ppm/℃の水晶振動片を構成すること
ができ、水素濃度に対応する発熱を効率よく検出でき、水素濃度の検知感度に優れた水素
センサを提供することができる。特にこのカット角は、水晶のエッチング加工性が良く、
量産性に優れたガスセンサを提供することができる。
According to this configuration, a quartz crystal vibrating piece with a temperature sensitivity coefficient of 30 to 60 ppm / ° C. can be configured, a heat sensor corresponding to the hydrogen concentration can be detected efficiently, and a hydrogen sensor excellent in hydrogen concentration detection sensitivity is provided. can do. This cut angle is particularly good for crystal etching.
A gas sensor excellent in mass productivity can be provided.
以下、本発明を具体化したガスセンサの実施形態について水素センサを例にとり、図面
に従って説明する。
(第1の実施形態)
Hereinafter, an embodiment of a gas sensor embodying the present invention will be described with reference to the drawings, taking a hydrogen sensor as an example.
(First embodiment)
図1は、本実施形態の水素センサに係る水素反応検出素子の構成を示す模式平面図であ
る。図2は、図1におけるA−A断線に沿う模式断面図である。
水素反応検出素子5には、水晶を材料とする圧電振動片としての水晶振動片10を備え
、水晶振動片10は厚みすべりの振動モードを励振する。この水晶振動片10の表裏の主
面17にそれぞれ励振電極15および接続電極16が形成されている。励振電極15は水
晶振動片10の中央付近に設けられ、水晶振動片10の表裏で対向する位置に形成されて
いる。励振電極15には接続電極16が接続され、水晶振動片10の外周部に電極が引き
出されるように形成されている。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a hydrogen reaction detecting element according to the hydrogen sensor of the present embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
The hydrogen
励振電極15および接続電極16は、Crなどの下地膜11とAuなどの電極膜12か
ら構成され、真空蒸着あるいはスパッタなどの手法により形成されている。
さらに、水晶振動片10表裏の励振電極15上には白金(Pt)からなる水素反応触媒
膜13が300nm〜600nmの厚さで、真空蒸着あるいはスパッタなどの手法により
形成されている。
The
Further, a hydrogen
そして、支持体20にはリードが貫通し、支持体20の一方から伸びるインナーリード
21と水晶振動片10の接続電極16とが、導電性接着剤23を介して接着固定されてい
る。また、支持体20の他方から伸びるアウターリード22は、水晶振動片10を励振さ
せる発振回路(図示せず)に接続されている。
A lead penetrates the
ここで、水晶振動片10のカット角(切断方位)について詳細に説明する。水晶にはカ
ット角に依存する周波数温度特性があり、このカット角を適宜選択することで所望の温度
感度係数が得られる。本実施形態では厚みすべりの振動モードを励振する水晶振動片を用
いる。この理由は、水素反応検出素子5が常圧中に配置されるため、屈曲振動を励振する
水晶振動片では空気抵抗が振動に影響を及ぼし、抵抗値が高くなり良好な振動を保てない
ためである。
Here, the cut angle (cutting direction) of the
図3は、本実施形態に用いる水晶振動片10のカット角を説明する説明図である。
α水晶である水晶原石1のそれぞれ直交する3つの結晶軸において、電気軸をX軸、機
械軸をY軸、光学軸をZ軸とする。
まず、X軸をZ軸の周りに時計方向に所定の角度φ°回転させてX´軸とする。さらに
、Z軸をX´軸の周りに時計方向に角度θ°回転させてZ´軸とする。また、同時にY軸
も2回回転しており、図中、角度φ°回転でできる軸をY´軸、その後の角度θ°回転で
できる軸をY´´軸としている。この新たに回転してできたX´軸およびZ´軸を含む平
面を主面として水晶原石1から切り出すことで水晶板2が得られる。そして、この水晶板
2を用いて水晶振動片が形成される。
なお、本実施形態において結晶軸を中心とする時計回りとは、その結晶軸の正方向(+
側)から見た場合を基準とする。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the cut angle of the quartz
In three crystal axes orthogonal to each other of the
First, the X axis is rotated around the Z axis by a predetermined angle φ ° in the clockwise direction to obtain the X ′ axis. Further, the Z axis is rotated around the X ′ axis by an angle θ ° in the clockwise direction to obtain the Z ′ axis. At the same time, the Y axis is also rotated twice. In the figure, the axis that can be rotated by the angle φ ° is the Y ′ axis, and the axis that can be rotated by the subsequent angle θ ° is the Y ″ axis. The
In the present embodiment, the clockwise direction around the crystal axis means the positive direction of the crystal axis (+
Side).
本実施形態では、この回転した角度(回転角度)φ,θを、下記式(1)(2)を満足
するように設定した。
φ=7〜14 (°) ・・・(1)
θ=14±3 (°) ・・・(2)
In the present embodiment, the rotated angles (rotation angles) φ and θ are set so as to satisfy the following expressions (1) and (2).
φ = 7-14 (°) (1)
θ = 14 ± 3 (°) (2)
また、下記式(3)(4)を満足するカット角であっても良い。このカット角はATカ
ットに属するカット角である。
φ=0(°) ・・・(3)
θ=28±2(°) ・・・(4)
Further, the cut angle may satisfy the following formulas (3) and (4). This cut angle is a cut angle belonging to the AT cut.
φ = 0 (°) (3)
θ = 28 ± 2 (°) (4)
つぎに、上記式(1)、(2)を満足するように角度φ,θを設定した経緯について説
明する。
本発明の水素センサは接触燃焼式であることから、水素反応触媒膜に空気を含む水素ガ
スが接触した際に生ずる発熱を利用している。この発熱により発生する熱量は微量である
ため、温度変化を効率よく検出する必要があり、周波数における温度依存性の高い水晶振
動片が望まれる。
水晶振動片における固有周波数の温度依存性は、水晶振動片の形状の熱膨張による変化
、弾性定数の温度依存性、熱膨張による密度変化に関係し、これらを考慮して水晶のカッ
ト角を選択することにより決定した。
Next, how the angles φ and θ are set so as to satisfy the expressions (1) and (2) will be described.
Since the hydrogen sensor of the present invention is a contact combustion type, it uses heat generated when hydrogen gas containing air contacts the hydrogen reaction catalyst film. Since the amount of heat generated by this heat generation is very small, it is necessary to efficiently detect a temperature change, and a quartz crystal resonator element having a high temperature dependency in frequency is desired.
The temperature dependence of the natural frequency of the quartz crystal resonator piece is related to the change in the shape of the quartz crystal resonator piece due to thermal expansion, the temperature dependence of the elastic constant, and the density change due to thermal expansion. Was determined by
さらに、水晶のカット角を選定するにあたり以下の点について考慮した。まず、水素濃
度の検出感度を0.1%以下とした場合、水素濃度5%を検出する際の温度変化は2〜3
℃であり、水素濃度0.1%あたり0.04〜0.06℃の温度変化となる。ここで、周
波数の検出限界は1ppm程度であり、水晶振動片の温度感度(温度感度係数)が30p
pm/℃以上あれば、水素濃度0.1%あたり1.2ppm以上の周波数変化を得ること
ができる。ここで、1℃の温度変化における周波数変化を周波数偏差で表した値を温度感
度係数(ppm/℃)と呼ぶ。
また一方、この温度感度係数を大きくすることは、水素濃度の検出感度を向上させるが
、温度感度係数が大きいと周波数の変動も大きくなり、スプリアスとの結合が心配される
。一般に、主振動に対して±5000ppm程度の変動であればスプリアスを回避できる
設計が可能であり、水素センサの使用温度範囲を50〜220℃とすると、170℃の温
度変化で約10000ppmの周波数変動の得られる温度感度係数60ppm/℃が上限
であると考えられる。
このことから、温度感度係数が30〜60ppm/℃となる水晶のカット角を選ぶこと
が、水素センサに用いる水晶振動片に適しているといえる。
Furthermore, the following points were considered in selecting the crystal cut angle. First, when the detection sensitivity of the hydrogen concentration is 0.1% or less, the temperature change when detecting the hydrogen concentration of 5% is 2 to 3
The temperature change is 0.04 to 0.06 ° C. per hydrogen concentration of 0.1%. Here, the detection limit of the frequency is about 1 ppm, and the temperature sensitivity (temperature sensitivity coefficient) of the crystal vibrating piece is 30 p.
If it is pm / ° C. or more, a frequency change of 1.2 ppm or more per hydrogen concentration of 0.1% can be obtained. Here, a value representing a frequency change by a frequency deviation at a temperature change of 1 ° C. is called a temperature sensitivity coefficient (ppm / ° C.).
On the other hand, increasing the temperature sensitivity coefficient improves the detection sensitivity of the hydrogen concentration. However, if the temperature sensitivity coefficient is large, the variation in frequency increases, and there is a concern about coupling with spurious. In general, if the fluctuation is about ± 5000 ppm with respect to the main vibration, a design that can avoid spurious is possible. If the operating temperature range of the hydrogen sensor is 50 to 220 ° C., the frequency fluctuation of about 10000 ppm with a temperature change of 170 ° C. The temperature sensitivity coefficient of 60 ppm / ° C. is considered to be the upper limit.
From this, it can be said that selecting a crystal cut angle with a temperature sensitivity coefficient of 30 to 60 ppm / ° C. is suitable for a crystal vibrating piece used in a hydrogen sensor.
図4は水晶振動片のカット角においてφ=9°とし、θを7〜18°まで変化させたと
きの温度特性を示すグラフである。
このグラフより、それぞれのカット角において温度特性は一次関数に近似され、θの値
が大きくなるに従って傾きが大きくなっているのがわかる。この傾きは前述の温度感度係
数に相当する。
FIG. 4 is a graph showing temperature characteristics when φ = 9 ° at the cut angle of the quartz crystal vibrating piece and θ is changed from 7 to 18 °.
From this graph, it can be seen that the temperature characteristic is approximated to a linear function at each cut angle, and the slope increases as the value of θ increases. This inclination corresponds to the temperature sensitivity coefficient described above.
また、水素センサの用途において、この温度特性が広い範囲で直線性に優れていること
が望ましい。図5は、水晶のカット角における温度特性の近似直線が標準偏差からどのく
らい乖離しているかを示すグラフである。
ここで、標準偏差が1に近いほど直線性に優れており、図5からθ=14°付近が最も
直線性が良いことがわかる。また、標準偏差0.9995以上を得ようとすれば、θ=1
4±3°の範囲で適用が可能である。
Further, in the application of the hydrogen sensor, it is desirable that this temperature characteristic is excellent in linearity in a wide range. FIG. 5 is a graph showing how much the approximate straight line of the temperature characteristic at the cut angle of the crystal deviates from the standard deviation.
Here, the closer the standard deviation is to 1, the better the linearity, and it can be seen from FIG. 5 that the linearity is best around θ = 14 °. If an attempt is made to obtain a standard deviation of 0.9995 or more, θ = 1
Application is possible within a range of 4 ± 3 °.
同様にして、水晶のカット角においてφ=0〜16°の範囲で、温度特性の直線性の良
いカット角を調査したところ、θ=14°付近が直線性に最も優れることが確認でき、θ
=14±3°の範囲で標準偏差0.9995以上を得ることができる。
下記、表1に選択した回転角度φ,θと温度感度係数を示す。ここでは、便宜上それぞ
れのカット角をCA−1〜CA−5と呼ぶ。
Similarly, when a cut angle with a linear temperature characteristic was investigated in the range of φ = 0 to 16 ° in the crystal cut angle, it was confirmed that the vicinity of θ = 14 ° had the most excellent linearity.
A standard deviation of 0.9995 or more can be obtained in the range of 14 ± 3 °.
Table 1 below shows the selected rotation angles φ and θ and the temperature sensitivity coefficient. Here, for convenience, the respective cut angles are referred to as CA-1 to CA-5.
この表1のカット角(CA−1〜CA−5)における、θと温度感度係数の関係を図6
に示す。
カット角(CA−1〜CA−4)は、φ=7〜14°、θ=14±3°において30〜
60ppm/℃の温度感度係数を持ち、水素反応触媒膜の発熱した熱による温度変化を検
出するのに適している。また、このカット角(CA−1〜CA−4)は、θのばらつきに
対して、温度感度係数の変化が少ないことから水晶原石からの水晶板の切り出しが容易で
、量産性に優れていると言える。
FIG. 6 shows the relationship between θ and the temperature sensitivity coefficient at the cut angles (CA-1 to CA-5) in Table 1.
Shown in
Cut angles (CA-1 to CA-4) are 30 to 30 when φ = 7 to 14 ° and θ = 14 ± 3 °.
It has a temperature sensitivity coefficient of 60 ppm / ° C. and is suitable for detecting temperature changes due to heat generated by the hydrogen reaction catalyst membrane. Further, since the cut angle (CA-1 to CA-4) has a small change in the temperature sensitivity coefficient with respect to the variation of θ, it is easy to cut out the quartz plate from the quartz crystal and is excellent in mass productivity. It can be said.
また、カット角(CA−5)のような切断方位をもつ水晶振動片であっても良い。この
カット角(CA−5)はATカットに属するカット角であり、温度感度係数が30〜60
ppm/℃の範囲内に入るようにθの値を設定した。
そして、カット角(CA−5)はθのばらつきに対して温度感度係数が大きく変動する
が、水晶のエッチング加工性が良く、エッチングを用いた水晶振動片の外形加工、周波数
調整などにおいて、有効なカット角である。
Further, it may be a crystal vibrating piece having a cutting orientation such as a cut angle (CA-5). This cut angle (CA-5) is a cut angle belonging to the AT cut, and the temperature sensitivity coefficient is 30 to 60.
The value of θ was set so as to fall within the range of ppm / ° C.
The cut angle (CA-5) has a large temperature sensitivity coefficient with respect to the variation of θ, but the crystal etching processability is good, and it is effective in the external shape processing of the crystal vibrating piece using etching and the frequency adjustment. The cut angle.
図1にもどり、以上のような構成の水素センサにおいて、水素反応触媒膜13に水素を
含む空気が接触して発熱し、その熱が水晶振動片10に伝わり、水晶振動片10の温度が
上昇する。発振回路により励振された水晶振動片10はこの温度に対応する周波数を発振
する。そして、例えば、この検出された周波数と水素が存在しない状態で励振された周波
数との差(周波数シフト)より水素濃度を検知することが可能となる。
図7は水晶振動片10の周波数シフトと水素濃度の相関を説明する説明図であり、図7
(a)は動作温度29℃の場合であり、図7(b)は動作温度100℃の場合である。こ
の図7では水晶振動片10の温度感度係数が40ppm/℃のときの一例を示す。
Returning to FIG. 1, in the hydrogen sensor configured as described above, air containing hydrogen contacts the hydrogen
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the correlation between the frequency shift of the
FIG. 7A shows the case where the operating temperature is 29 ° C., and FIG. 7B shows the case where the operating temperature is 100 ° C. FIG. 7 shows an example when the temperature sensitivity coefficient of the quartz
このように、周波数シフトは水素濃度にほぼ比例し、周波数シフトから水素濃度を検知
することができる。
また、他の方法として、この検出された周波数から導きだされる温度を基に水素濃度を
検知することも可能である。
Thus, the frequency shift is substantially proportional to the hydrogen concentration, and the hydrogen concentration can be detected from the frequency shift.
As another method, the hydrogen concentration can also be detected based on the temperature derived from the detected frequency.
このように、本発明の水素センサは水晶振動片10の温度に起因する周波数を検出して
水素ガスの濃度を検知することができることから、従来の電圧を検出して水素ガスの濃度
を検知する方法に比べて、水素濃度を感度良く検知できる水素センサを得ることができる
。
特に、本実施形態の水素センサは水晶振動片10のカット角を選択して、水晶振動片1
0の温度感度を30〜60ppm/℃の範囲に設定すれば、水晶振動片10のスプリアス
を回避でき、水素反応触媒膜13の発熱を感度よく検出できる。
As described above, since the hydrogen sensor of the present invention can detect the concentration of hydrogen gas by detecting the frequency caused by the temperature of the
In particular, the hydrogen sensor according to the present embodiment selects the cut angle of the quartz
If the temperature sensitivity of 0 is set in the range of 30 to 60 ppm / ° C., the spurious of the
また、水素反応触媒膜として白金(Pt)の他に、パラジウム(Pd)を用いることが
できる。パラジウムも白金と同様に高い水素選択性を持ち、他の可燃性ガスにほとんど応
答しないため、良好な水素反応触媒膜として構成でき、白金と同様な効果を得ることがで
きる。
In addition to platinum (Pt), palladium (Pd) can be used as the hydrogen reaction catalyst film. Palladium also has a high hydrogen selectivity like platinum and hardly responds to other combustible gases, so that it can be configured as a good hydrogen reaction catalyst membrane, and the same effect as platinum can be obtained.
つぎに、本実施形態の水素センサを用いた水素濃度検出システムの一例を説明する。
図8は水素センサを用いた水素濃度検出システムの構成を示す概略構成図である。
水素センサ31は水素反応検出素子5と発振回路30を備えている。水素反応検出素子
5には帰還抵抗6、インバータ7が並列に接続され、ゲート側にはゲート容量8、ドレイ
ン側にはドレイン容量9が接続され、水素反応検出素子5の水晶振動片を励振させる発振
回路30を構成している。
水素センサ31の発振回路30は整流器32に接続され、整流器32は周波数カウンタ
33に接続されている。さらに、周波数カウンタ33は演算器34に接続され、演算器3
4から所望の信号を出力する。
Next, an example of a hydrogen concentration detection system using the hydrogen sensor of this embodiment will be described.
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a hydrogen concentration detection system using a hydrogen sensor.
The
The
4 outputs a desired signal.
このような構成の水素濃度検出システムにおいて、発振回路30により水素反応検出素
子5の周波数信号が整流器32に出力される。整流器32において周波数信号が整流され
、周波数カウンタ33に出力される。周波数カウンタ33にて周波数が計測され演算器3
4に出力される。演算器34では、例えば、計測された周波数と基準となる周波数とから
水素濃度を演算し、水素濃度の値、規格値を超えた場合のアラーム信号、電磁弁制御の信
号などを生成して出力する。
このように、水素濃度検出システムでは、水素センサ31から出力される周波数信号を
用いて水素濃度を検知することができ、この得られた水素濃度を基に様々な機器へ制御信
号などを出力することができる。
In the hydrogen concentration detection system having such a configuration, the frequency signal of the hydrogen
4 is output. The
Thus, in the hydrogen concentration detection system, the hydrogen concentration can be detected using the frequency signal output from the
なお、上記の回路のうち一部をIC化することも可能であり、周波数カウンタ33、演
算器34を1チップマイコンとして構成することもできる。また、信号処理をアナログ処
理、ディジタル処理のどちらを用いても実施は可能である。
A part of the above circuit can be integrated into an IC, and the frequency counter 33 and the
なお、本実施形態の水素センサにおいて、水晶振動片と水素反応触媒膜の温度を制御す
る温度制御手段を備えていても良い。例えば、水素反応触媒膜を水晶振動片の励振電極以
外の部分に設け、この水素反応触媒膜に通電することにより発熱が生じ水晶振動片の温度
が上昇する。このことから、適宜電流の大きさ、通電時間を制御することで水晶振動片の
温度をガス雰囲気温度よりも高い温度で制御することができる。
このようにすれば、ガス雰囲気温度の変化、またはガスと反応して触媒媒質が発熱の際
に生じる水の影響を排除することができ、感度に優れたガスセンサを提供することができ
る。
Note that the hydrogen sensor of this embodiment may include temperature control means for controlling the temperature of the quartz crystal vibrating piece and the hydrogen reaction catalyst film. For example, when a hydrogen reaction catalyst film is provided in a portion other than the excitation electrode of the crystal vibrating piece and the hydrogen reaction catalyst film is energized, heat is generated and the temperature of the crystal vibrating piece rises. From this, the temperature of the quartz crystal vibrating piece can be controlled at a temperature higher than the gas ambient temperature by appropriately controlling the magnitude of the current and the energization time.
In this way, it is possible to eliminate the influence of water generated when the gas medium temperature changes or the catalyst medium generates heat when it reacts with the gas, and a gas sensor with excellent sensitivity can be provided.
また、本実施形態の水素センサでは圧電振動片として水晶を用いたが、他にタンタル酸
リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を用いて圧電振動片を構成しても実施が可能
である。
Further, in the hydrogen sensor of the present embodiment, crystal is used as the piezoelectric vibrating piece. However, the piezoelectric vibrating piece may be configured using a piezoelectric material such as lithium tantalate or lithium niobate.
1…水晶原石、2…水晶板、5…水素反応検出素子、10…圧電振動片としての水晶振
動片、13…水素反応触媒膜、15…励振電極、16…接続電極、30…発振回路、31
…ガスセンサとしての水素センサ、32…整流器、33…周波数カウンタ、34…演算器
。
DESCRIPTION OF
... hydrogen sensor as gas sensor, 32 ... rectifier, 33 ... frequency counter, 34 ... calculator.
Claims (6)
前記ガスの検出部分が温度により固有振動数が変化する水晶振動片より構成され、前記触媒媒質が前記水晶振動片上に備えられ、前記ガスと前記触媒媒質による触媒効果で発熱した熱が前記水晶振動片に伝達され温度上昇が生じ、前記水晶振動片の固有振動数を変化させ、
前記水晶振動片は、水晶の結晶の電気軸をX軸、機械軸をY軸、光学軸をZ軸として、
前記X軸を前記Z軸の周りに時計方向に角度φ°回転させてX´軸とし、
かつ前記Z軸を前記X´軸の周りに時計方向に角度θ°回転させてZ´軸とし、
前記X´軸および前記Z´軸を含む平面を前記水晶振動片の主面とし、且つ、
φ=7〜14 (°)、
θ=14±3(°)、
であることを特徴とするガスセンサ。 A gas sensor for detecting heat generated by a gas and a catalyst medium as a temperature,
Natural frequency is composed of a crystal resonator element that changes the detection portion temperature of the gas, the catalyst medium is provided on the quartz crystal resonator element, heat generated by the catalytic effect of the catalyst medium and the gas is the crystal The temperature rise is transmitted to the resonator element , the natural frequency of the crystal resonator element is changed ,
The quartz crystal resonator element has an electric axis of crystal of crystal as an X axis, a mechanical axis as a Y axis, and an optical axis as a Z axis.
The X axis is rotated around the Z axis by an angle φ ° clockwise to form an X ′ axis,
And the Z axis is rotated around the X ′ axis by an angle θ ° clockwise to form the Z ′ axis,
A plane including the X ′ axis and the Z ′ axis is a main surface of the quartz crystal vibrating piece, and
φ = 7-14 (°),
θ = 14 ± 3 (°),
The gas sensor characterized by being.
前記ガスの検出部分が温度により固有振動数が変化する水晶振動片より構成され、前記触媒媒質が前記水晶振動片上に備えられ、前記ガスと前記触媒媒質による触媒効果で発熱した熱が前記水晶振動片に伝達され温度上昇が生じ、前記水晶振動片の固有振動数を変化させ、 The gas detection portion is composed of a quartz crystal vibrating piece whose natural frequency changes with temperature, the catalyst medium is provided on the quartz crystal vibrating piece, and the heat generated by the catalytic effect of the gas and the catalyst medium is generated by the quartz crystal vibration. The temperature rise is transmitted to the piece, the natural frequency of the crystal vibrating piece is changed,
前記水晶振動片は、水晶の結晶の電気軸をX軸、機械軸をY軸、光学軸をZ軸として、 The quartz crystal resonator element has an electric axis of crystal of crystal as an X axis, a mechanical axis as a Y axis, and an optical axis as a Z axis.
前記X軸を前記Z軸の周りに時計方向に角度φ°回転させてX´軸とし、 The X axis is rotated around the Z axis by an angle φ ° clockwise to form an X ′ axis,
かつ前記Z軸を前記X´軸の周りに時計方向に角度θ°回転させてZ´軸とし、 And the Z axis is rotated around the X ′ axis by an angle θ ° clockwise to form the Z ′ axis,
前記X´軸および前記Z´軸を含む平面を前記水晶振動片の主面とし、且つ、 A plane including the X ′ axis and the Z ′ axis is a main surface of the quartz crystal vibrating piece, and
φ=0(°)、 φ = 0 (°),
θ=28±2(°)、 θ = 28 ± 2 (°),
であることを特徴とするガスセンサ。The gas sensor characterized by being.
前記水晶振動片は、厚みすべりの振動モードを励振させ、
前記水晶振動片の前記主面に形成された励振電極および接続電極と、
少なくとも前記励振電極上に形成され水素ガスに反応して発熱する水素反応触媒膜と、 前記水晶振動片を励振させる発振回路と、を備え、
前記水素反応触媒膜の発熱による前記水晶振動片の温度変化を周波数信号として検出することを特徴とするガスセンサ。 The gas sensor according to any one of claims 1 to 4,
The quartz crystal vibrating piece excites a vibration mode of thickness sliding,
An excitation electrode and the connection electrode formed on the main surface of the quartz crystal resonator element,
A hydrogen reaction catalyst film that is formed on at least the excitation electrode and generates heat in response to hydrogen gas; and an oscillation circuit that excites the quartz crystal vibrating piece,
A gas sensor, wherein a temperature change of the quartz crystal vibrating piece due to heat generation of the hydrogen reaction catalyst film is detected as a frequency signal.
前記水素反応触媒膜は白金またはパラジウムから選択される材料で形成されていることを特徴とするガスセンサ。 The gas sensor according to claim 5 , wherein
The gas sensor, wherein the hydrogen reaction catalyst film is formed of a material selected from platinum or palladium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005253126A JP4852283B2 (en) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | Gas sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005253126A JP4852283B2 (en) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | Gas sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007064866A JP2007064866A (en) | 2007-03-15 |
| JP4852283B2 true JP4852283B2 (en) | 2012-01-11 |
Family
ID=37927218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005253126A Expired - Fee Related JP4852283B2 (en) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | Gas sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4852283B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5061287B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | Gas sensor and hydrogen concentration detection system |
| JP2008224581A (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | Gas sensor |
| KR101844787B1 (en) * | 2011-12-19 | 2018-05-21 | 한국전자통신연구원 | Method and Apparatus for Mutual Interaction between Contents and Olfactory Recognition Apparatus |
| CN116718641B (en) * | 2023-05-05 | 2026-02-10 | 西安电子科技大学 | A sandwich-structure quartz resonator and its optimization method, and a hydrogen sensor. |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2622991B2 (en) * | 1988-07-25 | 1997-06-25 | 三洋電機株式会社 | Hydrogen gas sensor |
| JP3124138B2 (en) * | 1992-12-16 | 2001-01-15 | 横河電機株式会社 | Thermometric biosensor |
| JP2005098742A (en) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Oizumi Seisakusho:Kk | Contact combustion type hydrogen sensor |
| JP2006317196A (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Akihisa Inoue | Hydrogen gas sensor |
-
2005
- 2005-09-01 JP JP2005253126A patent/JP4852283B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007064866A (en) | 2007-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101198865A (en) | Wireless Acoustic Oil Filter Sensor | |
| US20100186515A1 (en) | Pressure detection unit and pressure sensor | |
| Fritze et al. | High temperature bulk acoustic wave properties of langasite | |
| JP2010117184A (en) | Detection sensor | |
| US20100134209A1 (en) | Device comprising a piezoacoustic resonator element and integrated heating element, method for producing the same and method for outputting a signal depending on a resonant frequency | |
| US11510286B2 (en) | Heater temperature control circuit and sensor device using the same | |
| JP4852283B2 (en) | Gas sensor | |
| JP5061287B2 (en) | Gas sensor and hydrogen concentration detection system | |
| Hu et al. | SAW temperature and humidity assembled sensor based on AlScN piezoelectric thin film | |
| Peng et al. | Strain Characteristics of Surface Acoustic Wave Resonators on X-Cut LiTaO 3 | |
| JP2008224581A (en) | Gas sensor | |
| JP4864370B2 (en) | Temperature sensor | |
| JP2004534222A (en) | Piezoelectric resonant element of crystal point group 32 | |
| JP7821603B2 (en) | Gas Sensor | |
| JPH04148844A (en) | Oxygen gas sensor | |
| JP2008261635A (en) | Gas sensor | |
| JP4433484B2 (en) | Hydrogen sensor and ammonia sensor | |
| JP2006220508A (en) | Gas sensor | |
| JP2010048696A (en) | Surface elastic wave type gas sensor | |
| JP4535502B2 (en) | Substance detection element | |
| JP2004317449A (en) | Hydrogen gas sensor | |
| JPS60159632A (en) | Hydrogen sensor | |
| JPH055689A (en) | Oxygen gas sensor | |
| JP2006208028A (en) | Temperature sensor and measuring method of temperature | |
| JP5626502B2 (en) | Stress detector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070405 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080604 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111011 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4852283 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |