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JP4852891B2 - Wafer holder, wafer stacking method, and stacked semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Wafer holder, wafer stacking method, and stacked semiconductor device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は積層型半導体装置の製造方法に関するもので、特には高精細な半導体装置が形成されたウェハを積層接続する工程等に用いられる、位置合わせされたウェハの搬送技術に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a stacked semiconductor device, and more particularly to a technique for transporting aligned wafers used in a step of stacking and connecting wafers on which high-definition semiconductor devices are formed.

近年携帯型の電子機器、例えば携帯電話やノートパソコン、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラの進歩が著しい。これに伴って、用いられる半導体装置に対してもチップ自体の性能向上に加え、チップの実装技術においても改良が求められ、特に、チップ実装面積の低減と半導体装置の高速駆動化の観点からの実装技術の改良が求められている。   In recent years, portable electronic devices such as mobile phones, notebook computers, portable audio devices, and digital cameras have made remarkable progress. Along with this, in addition to improving the performance of the chip itself as well as the performance of the chip itself, improvements in the chip mounting technology are also required, especially from the viewpoint of reducing the chip mounting area and driving the semiconductor device at high speed. There is a need for improved packaging technology.

チップ実装面積の低減のために、チップを積層することにより実装面積を増加させずに実装チップ量を増加させ、実効的な実装面積の低減をはかることが行われている。例えば、特開2001−257307、2002−050735号、特開2000−349228にはこのような技術が開示されている。第1のものは、チップとチップやチップと実装基板をワイヤによって接続するワイヤボンド方式によるものである。第2のものは、チップの裏面に設けられたマイクロバンプを介して、チップとチップやチップと実装基板を接続するフリップチップ方式によるものである。第3のものは、ワイヤボンド方式、フリップチップ方式の双方を用いて、チップとチップやチップと実装基板を接続するものである。   In order to reduce the chip mounting area, stacking chips is used to increase the amount of mounted chips without increasing the mounting area, thereby reducing the effective mounting area. For example, JP-A-2001-257307, 2002-050735, and JP-A-2000-349228 disclose such a technique. The first one is based on a wire bond system in which a chip and a chip or a chip and a mounting substrate are connected by a wire. The second one is based on a flip chip method in which a chip and a chip or a chip and a mounting substrate are connected via a micro bump provided on the back surface of the chip. In the third method, the chip and the chip or the chip and the mounting substrate are connected by using both the wire bond method and the flip chip method.

半導体装置の高速駆動化のためには、チップの厚さを薄くし、貫通電極を用いることにより実現する方法が有力である。例えば、厚さをミクロン単位にして実装する例が特開2000−208702に示されている。   In order to increase the driving speed of a semiconductor device, a method realized by reducing the thickness of the chip and using a through electrode is effective. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-208702 shows an example of mounting with a thickness of micron.

ワイヤボンド方式は半導体ベアチップの周囲にワイヤを張る。このため半導体ベアチップ自体の占有面積以上の大きな占有面積を必要とし、またワイヤは1本づつ張るので時間がかかる。これに対して、フリップチップ方式では半導体ベアチップの裏面に形成されたマイクロバンプにより接続するため、接続のための面積を特には必要とすることがなく、半導体ベアチップの実装に必要な面積は半導体ベアチップ自体の占有面積にほぼ等しく出来る。また接続面が接続に必要な全てのバンプを有するように出来るため、配線基板との接続は一括して行える。従ってフリップチップ方式は半導体ベアチップの実装に必要な占有面積を極小化して高密度実装化し、電子機器の小型化を図ると共に工期短縮ためには最も適する方法となっている。   In the wire bond method, a wire is stretched around the semiconductor bare chip. For this reason, a large occupied area larger than the occupied area of the semiconductor bare chip itself is required, and it takes time because the wires are stretched one by one. On the other hand, in the flip-chip method, since the connection is made by the micro bump formed on the back surface of the semiconductor bare chip, the area for connection is not particularly required, and the area necessary for mounting the semiconductor bare chip is the semiconductor bare chip. It can be almost equal to its own area. Further, since the connection surface can have all the bumps necessary for connection, connection to the wiring board can be performed in a lump. Therefore, the flip-chip method is the most suitable method for minimizing the occupation area necessary for mounting the semiconductor bare chip to achieve high-density mounting, reducing the size of the electronic device and shortening the construction period.

このようなチップと実装基板、及びチップとチップ間の接続方法の改良に加え、製造コスト面を低減する手段として、半導体チップが形成されたウェハを個々のチップに分離する前に再配線層や接続バンプの形成、場合によっては樹脂による封止が行われている。このウェハレベルでの処理が有効である半導体装置は、製造の歩留まりが高く、ピン数が少ない半導体装置であり、特にメモリーの生産に利点が多い。(NIKKEI MICRODEVICE 2000年2月号,56頁 及び NIKKEI ELECTRONICS 2003.9.1 P.127)。   In addition to the improvement of the chip-mounting substrate and the connection method between the chip and the chip, as a means of reducing the manufacturing cost, a rewiring layer or the like is formed before separating the wafer on which the semiconductor chip is formed into individual chips. Connection bumps are formed, and in some cases, sealing with resin is performed. A semiconductor device in which processing at the wafer level is effective is a semiconductor device having a high manufacturing yield and a small number of pins, and has many advantages particularly in the production of memory. (NIKKEI MICRODEVICE February 2000, page 56 and NIKKEI ELECTRONICS 2003.9.1 P.127).

一方、このような半導体装置を製造するための製造装置の開発も鋭意なされている。例えば、貼り合わせるべきウェハの位置あわせを行って接合するための装置が文献により紹介されている。(P.Lindner等:2002 Electronic Component and Technology Conference P.1439)。他に、特開平9−148207号にも同様な技術が開示されている。   On the other hand, development of a manufacturing apparatus for manufacturing such a semiconductor device has also been earnestly performed. For example, the literature introduces an apparatus for aligning and bonding wafers to be bonded. (P. Lindner et al .: 2002 Electronic Component and Technology Conference P.1439). In addition, a similar technique is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-148207.

ところで、先に記したように、フリップチップによる電極接合には一般的にバンプを形成し、バンプとパッド、バンプとバンプ間の接合が行われる。この接合には、半田のような低融点の金属共昌結合による方法、非導電性樹脂の硬化時の収縮を利用した機械的な押圧による方法、導電性微粒子を分散させた非等方性導電性樹脂を介在させて導電性微粒子により接合を行う方法、バンプを加熱・加圧してバンプの金属分子を互いに拡散させた金属拡散接合による方法がある。   By the way, as described above, bumps are generally formed for electrode bonding by flip chip, and bonding between bumps and pads and between bumps and bumps is performed. For this joining, a low melting point metal sympathetic bonding method such as solder, a mechanical pressing method using shrinkage during curing of a nonconductive resin, an anisotropic conductive material in which conductive fine particles are dispersed. There are a method of bonding with conductive fine particles with a conductive resin interposed, and a method of metal diffusion bonding in which bump bumps are heated and pressed to diffuse the metal molecules of the bumps.

このようなバンプを用いて接合する場合の問題として、熱処理を伴うことが上げられる。熱処理を行う時の第1の問題点は、ウェハ間の位置あわせ装置と電極接合装置を同一装置で行うと装置の温度が上昇し、機械的な部材が熱膨張して所定の機械的な精度が保たれなくなることである。第2の問題は、熱処理は一般的に処理時間が長いことである。このことにより、積層接合装置の稼働時間の中で熱処理の時間の割合が長くなり、生産性が悪くなることである。この第2の問題点は加熱を伴わない電極接合方法にも生じる問題であり、生産性の改善が望まれている所である。   A problem in the case of bonding using such bumps is that heat treatment is involved. The first problem when performing the heat treatment is that if the alignment apparatus between the wafers and the electrode bonding apparatus are used in the same apparatus, the temperature of the apparatus rises and the mechanical members are thermally expanded to have a predetermined mechanical accuracy. Is no longer maintained. The second problem is that the heat treatment generally takes a long time. As a result, the ratio of the heat treatment time in the operation time of the laminated joining apparatus is increased, and the productivity is deteriorated. This second problem is also a problem that arises in electrode joining methods that do not involve heating, and is where improvement in productivity is desired.

この問題に対し、積層接合すべき2枚のウェハの位置あわせ工程及び重ね合わせ工程と、電極接続工程とを別装置で行うことが検討され、重ね合わせ工程後に位置ズレが生じないように仮接続とか仮固定という処理がなされている。この種の技術として、特許文献1(特許2932840号公報)には樹脂を用いた仮付け方式、特許文献2(特開平10−112476号公報)には低加圧での仮接続方式が提案され、特許文献3(特許3030201号公報)には、熱硬化性樹脂による仮固定と本固定への基板の移送工程が開示されている。また、特許文献4(特開平7−326641号公報)には磁石による仮固定と搬送工程が開示されている。
特許2932840号公報 特開平10−112476号公報 特許3030201号公報 特開平7−326641号公報 特開2004−103799号公報
To solve this problem, it is considered that the alignment process and superposition process of the two wafers to be laminated and the electrode connection process are performed by separate devices, and provisional connection is made so that positional displacement does not occur after the superposition process. The process of temporary fixing is made. As this kind of technology, a temporary attachment method using a resin is proposed in Patent Document 1 (Japanese Patent No. 2932840), and a temporary connection method using low pressure is proposed in Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-112476). Patent Document 3 (Japanese Patent No. 3030201) discloses a temporary fixing process using a thermosetting resin and a process of transferring the substrate to the main fixing process. Patent Document 4 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-326641) discloses a temporary fixing by a magnet and a transporting process.
Japanese Patent No. 2932840 JP-A-10-112476 Japanese Patent No. 3030201 Japanese Patent Laid-Open No. 7-326641 JP 2004-103799 A

しかしながら、上記特許文献1、2に開示された樹脂による仮接続や電極自体の仮留めでは仮接合の保持力を開放したときにやはり位置ズレが生じやすく、また樹脂の半硬化にも時間がかかる。特許文献4に開示された方法では、ホルダ間のギャップ間隔の制御により仮接合力の調整を行うために再現精度が低く、またギャップ間隔を保持して搬送することが機構的に困難である。さらに、位置合わせされた2枚のウェハを保持・搬送する工程を要する特許文献3,4の方法では移送中にウェハが互いに位置ズレをおこさないように固定力を与えなければならない。固定力として、特許文献5(特開2004−103799号公報)には基板を保持したプレートをベース部材に固定するために電磁石と永久磁石を併用する提案がなされているが、未だ仮接続に対して好適な結果は得られていない。   However, in the temporary connection by the resin disclosed in Patent Documents 1 and 2 and the temporary fixing of the electrode itself, when the holding force of the temporary bonding is released, the positional deviation is likely to occur, and it takes time for the resin to be semi-cured. . In the method disclosed in Patent Document 4, since the temporary joining force is adjusted by controlling the gap distance between the holders, the reproducibility is low, and it is mechanically difficult to carry while maintaining the gap distance. Furthermore, in the methods of Patent Documents 3 and 4 that require a process of holding and transporting two aligned wafers, a fixing force must be applied so that the wafers do not shift each other during transfer. As a fixing force, Patent Document 5 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-103799) has proposed that an electromagnet and a permanent magnet be used in combination to fix a plate holding a substrate to a base member. Therefore, a favorable result has not been obtained.

即ち、従来の仮接続法では、更に狭くなる半導体チップの最小線幅に対して、位置あわせ精度を維持することが不可能であることが明らかになってきた。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、2枚のウェハがサブミクロンの位置精度で重ね合わせされたウェハ積層体をその位置あわせ精度を維持したまま仮接続(仮固定とも記す)するウェハホルダ、そのウェハホルダを用いてウェハを積層する方法及び積層型半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
That is, it has become clear that the conventional temporary connection method cannot maintain the alignment accuracy with respect to the minimum line width of the semiconductor chip that is further narrowed.
The present invention has been made in order to solve such problems. A wafer laminate in which two wafers are superposed with submicron positional accuracy is temporarily connected (temporarily fixed) while maintaining the alignment accuracy. Another object of the present invention is to provide a wafer holder, a method of laminating wafers using the wafer holder, and a method of manufacturing a laminated semiconductor device.

上記課題を解決する手段は、
互いに位置あわせされた2枚のウェハを挟み保持する一対のホルダ部材と、
該一対のホルダ部材どうしを互いに結合するための複数の結合部材と、
該結合部材が実質的に前記ホルダ部材のホルダ面に垂直な方向にのみ変位可能であるように前記結合部材を前記ホルダ部材の外周部に固定する固定部材と、
を有し、
前記結合部材は、前記一対のホルダ部材どうしを結合状態と解放状態とに制御可能となす結合力源を有するようになされていることである。
Means for solving the above problems are:
A pair of holder members sandwiching and holding two wafers aligned with each other ;
A plurality of coupling members for coupling the pair of holder members to each other;
A fixing member to which the coupling member is fixed to said coupling member so as to be displaceable only in the direction perpendicular to the holder surface of substantially the holder member to the outer peripheral portion of the holder member,
Have
The coupling member has a coupling force source that enables the pair of holder members to be controlled in a coupled state and a released state.

このように、ホルダ部材どうしをホルダ面に垂直な方向に変位する結合部材を用いて固定することにより、ホルダ部材に挟まれ保持されたウェハどうしには互いに接合面方向に変位する力が大きく低減され、位置合わせの精度が保持されることになる。また、ホルダ部材どうしを結合と解放状態とを制御可能な結合力源により結合するので、仮接合に必要な時間も必要なく、また仮接合力の制御も容易である。この固定部材の取りつけ位置に関しては、外周部に取りつけられた固定部材の3つが2等辺三角形を形成しているようにする。このような固定部材として平行板バネを用いると、簡単な構造で必要な特性が得られる。
また、結合力源として電磁石と永久磁石を組み合わせた電磁力源を用い、搬送時には電磁石を励起せずに永久磁石の磁力によりホルダ部材を互いに固定し、互いに固定されたホルダ部材を分離する時に電磁石を励起するように制御すれば、搬送時に電磁石への通電による発熱がなく、ホルダ部材の熱による変形が防止されると共に、搬送時に搬送機に電力を供給する必要がなくなり搬送装置の構成が格段に簡単になる。
Thus, by fixing with a binding member that displaces was how the holder member in a direction perpendicular to the holder surface, force is greatly reduced in the wafer each other which is sandwiched between the holder member held displaced in the junction plane directions As a result, the alignment accuracy is maintained. Further, since the holder members are coupled by a coupling force source that can control the coupling and release states, the time required for the temporary bonding is not required, and the temporary bonding force can be easily controlled. With respect to the mounting position of the fixing member, three fixing members mounted on the outer peripheral portion form an isosceles triangle. When a parallel leaf spring is used as such a fixing member, necessary characteristics can be obtained with a simple structure.
Further, the electromagnet when using the electromagnetic force source which combines an electromagnet and a permanent magnet as a coupling force source, together to secure the holder member by a magnetic force of the permanent magnet without exciting the electromagnet during transport, separating the holder member fixed to each other If the control is performed so that the electromagnet is not energized during conveyance, the holder member is prevented from being deformed by heat, and it is not necessary to supply power to the conveyance device during conveyance. To be easy.

また、本発明では、固定部材が、第1の平行板バネ、第2の平行板バネ及び中継部材を有し、第1の平行板バネはホルダ部材と前記中継部材とに固定され、第2の平行板バネは中継部材と結合部材とに固定されていてもよいIn the present invention, the fixing member includes a first parallel plate spring, a second parallel plate spring, and a relay member, and the first parallel plate spring is fixed to the holder member and the relay member, and the second These parallel leaf springs may be fixed to the relay member and the coupling member .

このような固定部材を使用することにより、結合力がホルダ部材に作用したときにホルダ部材が変形して互いに位置ズレを起こすことを防止し、一様に接合された状態を維持出来なくなることを完全に防止できる。 By using such a fixing member, it is possible to prevent the holder member from being deformed when the coupling force is applied to the holder member and causing a positional deviation from each other, and to maintain a uniformly joined state. Can be completely prevented.

更に、使用する2組の平行板の外形状として、2組の平行板の折り返し形状が結合部材を頂点とするトラス構造を形成するようにしておくと、ホルダ部材に力を加えたときにホルダの面内方向の力が発生せず、従ってウェハホルダの変形が完全に防止でき、安定した仮接合維持が可能になる。 Further, as the outer shape of the two sets of parallel plates to be used, if the folded shape of the two sets of parallel plates forms a truss structure with the coupling member as the apex, the holder is applied when force is applied to the holder member. Thus, no in-plane force is generated, so that the deformation of the wafer holder can be completely prevented, and stable temporary bonding can be maintained.

上記課題を解決するための、他の手段は、
ウェハ積層接合方法であって、
接合すべきウェハをそれぞれウェハホルダに保持するウェハ保持工程、
ウェハどうしを位置合わせするアライメント工程、
位置合わせされたウェハどうしを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わせされたウェハを保持するウェハホルダ搬送する搬送工程、
重ね合わせされたウェハを加圧して接合する接合工程
を有し、
該各工程において
上述のウェハホルダいずれかを使用する
ウェハ積層接合方法である。
Other means for solving the above problems are as follows:
A wafer lamination joining method,
Wafer holding step of holding to be bonded wafer wafer holder, respectively,
Alignment process for aligning wafers,
Wafer overlaying process for overlaying aligned wafers,
A transporting process for transporting a wafer holder for holding the superposed wafers;
Having a bonding step of pressing and bonding the stacked wafers;
In each step
A wafer lamination bonding method using any of the above-mentioned wafer holders .

本手段を用いてウェハを積層接合することにより、仮固定に時間を要さず、また仮工程に必要な力を制御しながら加圧出来るので位置あわせ精度を確実に維持でき、積層接合工程の生産性と歩留まりの向上を図ることが可能になる。   By laminating and bonding wafers using this means, time is not required for temporary fixing, and pressurization can be performed while controlling the force required for the temporary process. Productivity and yield can be improved.

前記課題を解決するための、更なる他の手段は、
積層型半導体装置の製造方法であって、
ウェハ準備工程、ウェハ積層接合工程、チップ分離工程を有する積層型半導体装置製造方法であって、
該ウェハ積層接合工程は、
接合すべきウェハをそれぞれウェハホルダに保持するウェハ保持工程、
ウェハどうしを位置合わせするアライメント工程、
位置合わせされたウェハどうしを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わせされたウェハを保持するウェハホルダ搬送する搬送工程、
重ね合わせされたウェハを加圧して接合するウェハ接合工程
を有し、
該搬送工程において
上述のウェハホルダいずれかを使用することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法である。
Still another means for solving the above problems is as follows:
A method for manufacturing a stacked semiconductor device, comprising:
A laminated semiconductor device manufacturing method comprising a wafer preparation step, a wafer lamination bonding step, and a chip separation step,
The wafer lamination joining process includes:
Wafer holding step of holding to be bonded wafer wafer holder, respectively,
Alignment process for aligning wafers,
Wafer overlaying process for overlaying aligned wafers,
A transporting process for transporting a wafer holder for holding the superposed wafers;
Having a wafer bonding step of pressing and bonding the superposed wafers;
One of the above-described wafer holders is used in the transporting process.

本願発明は、積層されたウェハの位置合わせを保ったまま、電極接合装置に搬送することが可能になり、積層型半導体装置の製造歩留まりの向上に大きく貢献するものである。   The present invention can be transferred to the electrode bonding apparatus while maintaining the alignment of the stacked wafers, and greatly contributes to the improvement of the manufacturing yield of the stacked semiconductor device.

先ず、本願発明のウェハホルダを図1(a)に示す。図中101はウェハホルダのホルダ部材であり、その周囲部に固定部材102によりホルダ部材に固定された結合部材103が取り付けられている。このウェハホルダのAA'における断面図を図1(b)に示した。固定部材102はホルダ部材のホルダ面内方向にはほとんど変形せず、ホルダ面に垂直な方向のみに変形可能であるようになされている。このため、固定部材102に取り付けられた結合部材103の変位方向もホルダ部材101に垂直な方向に限られることになる。このような特性を有する固定部材としては、図1(b)のような平行板バネ104である。このような平行板バネは材料として、SUS、Ti、燐青銅板で厚さが0.1〜0.5mmのもので形成される。なお、この平行板バネは上下とも各1枚の板バネにより形成されても良いし、上下各板バネが同一面内で分離された複数の板バネにより構成されていて良い。 First, a wafer holder of the present invention is shown in FIG. In the figure, reference numeral 101 denotes a holder member of the wafer holder , and a coupling member 103 fixed to the holder member by a fixing member 102 is attached to the periphery thereof. A cross-sectional view at AA ′ of this wafer holder is shown in FIG. The fixing member 102 is hardly deformed in the holder surface direction of the holder member, and can be deformed only in a direction perpendicular to the holder surface. For this reason, the displacement direction of the coupling member 103 attached to the fixing member 102 is also limited to the direction perpendicular to the holder member 101 . A fixing member having such characteristics is a parallel leaf spring 104 as shown in FIG. Such parallel leaf springs are made of SUS, Ti, phosphor bronze plates having a thickness of 0.1 to 0.5 mm. In addition, this parallel leaf | plate spring may be formed by one leaf | plate spring each on the upper and lower sides, and each upper and lower leaf | plate spring may be comprised by the some leaf | plate spring isolate | separated within the same surface.

このホルダ部材101に積層すべきウェハ100を例えば真空吸着や静電吸着(不図示)により固定し、互いに位置合わせを行い、その位置関係が保たれるように接続部材を動作させてウェハを挟み保持する。この状態を示したのが図2である。このように、実質的にホルダ面に垂直な方向のみに変位する接合部材を使用して挟み保持することにより、位置合わせを行った2枚のウェハの位置関係を保持する仮接合が得られる。 The wafer 100 to be laminated on the holder member 101 is fixed by, for example, vacuum chucking or electrostatic chucking (not shown), aligned with each other, and the connecting member is operated so as to maintain the positional relationship so as to sandwich the wafer. Hold. FIG. 2 shows this state. In this manner, by temporarily holding and using the bonding member that is displaced only in the direction perpendicular to the holder surface, provisional bonding that holds the positional relationship between the two aligned wafers is obtained.

結合部材の結合力源には、図3(a)のようにコイル301に通電して得られる電磁吸着力、図3(b)のような導管302を配置した真空吸着力、図3(c)のように静電電極303を配置した静電吸着力を使用することが可能である。これらの結合力源は電気的に吸着・解放の状態の制御が可能であり、好適な結合力源となる。尚、電磁力を用いる場合には、ウェハ100を挟み込む他方のホルダ部材に設けられた接合部材には電磁石を設ける代わりに磁性体を用いても良いし、永久磁石であってもよい。また、真空吸着力を使用する場合には、一方のホルダ部材に設けられた固定部材には真空排気用の導管を設け、他方のホルダ部材に設けられた接合部材には鏡面に近い非吸着面を設けることになる。静電吸着力の場合も他方のホルダ部材には静電用の電極を配置することは必要なく、単に比較的滑らかな面を設ければよい。 The coupling force source of the coupling member includes an electromagnetic adsorption force obtained by energizing the coil 301 as shown in FIG. 3A, a vacuum adsorption force in which a conduit 302 as shown in FIG. It is possible to use the electrostatic attraction force in which the electrostatic electrode 303 is arranged as in (1). These coupling force sources can electrically control the state of adsorption and release, and are suitable coupling force sources. When electromagnetic force is used, a magnetic material may be used instead of an electromagnet for the joining member provided on the other holder member that sandwiches the wafer 100, or a permanent magnet may be used. In addition, when using vacuum suction force, the fixing member provided on one holder member is provided with a vacuum exhaust conduit, and the joining member provided on the other holder member has a non-suction surface close to a mirror surface. Will be provided. In the case of electrostatic attraction force, it is not necessary to arrange an electrostatic electrode on the other holder member, and it is only necessary to provide a relatively smooth surface.

この結合力源として更に好適な結合力源は永久磁石304と電磁石305を併置して用いることである。この結合源を用いる場合には、ウェハを挟み保持して搬送する時には電磁石の励起を止めて永久磁石を結合力源とし、搬送されたウェハをホルダ部材から取り出す場合には電磁石を励起して永久磁石の磁力を消磁することにより、互いのホルダ部材を解放状態にする。この永久磁石と電磁石の併置を結合力とした場合の結合部材の概念図を図3(d)に示す。 A more suitable coupling force source as this coupling force source is to use a permanent magnet 304 and an electromagnet 305 in parallel. When this coupling source is used, when the wafer is held and transported, the excitation of the electromagnet is stopped and the permanent magnet is used as the coupling force source. When the transported wafer is taken out from the holder member , the electromagnet is excited and permanently By demagnetizing the magnetic force of the magnets, the holder members are released. FIG. 3D shows a conceptual diagram of the coupling member when the permanent magnet and the electromagnet are arranged side by side as a coupling force.

接続部材の配置に関しては、ホルダ部材の周囲部を3n分割するように配置されることが押圧力の分配上好ましい。特に、図4のようにホルダ部材101の周辺部を均等3分割するように配置されることがさらに好ましい。この配置にすることにより、ホルダ部材どうしをホルダ面内で一様な保持力で保持できる。 With regard to the arrangement of the connecting members, it is preferable for the distribution of the pressing force to arrange the peripheral portion of the holder member so as to be divided into 3n. In particular, as shown in FIG. 4, it is more preferable to arrange the periphery of the holder member 101 to be equally divided into three. With this arrangement, the holder members can be held with a uniform holding force within the holder surface.

本願発明では、更に好適な保持部材を用いている。図5を用いてその構造を説明する。図5(a)は平面図であり、図5(b)は図5(a)のBB'での断面を示している。固定部材は第1の平行バネ501と第2の平行バネ502から構成され、第1の平行バネ501の一端はホルダ部材101に固定され、他端は中継部材503につながっている。一方第2の平行バネ502の一端は中継部材503に固定され、他端が接続部材103につながっている。この説明図では第1、第2の平行板バネともそれぞれ同じ大きさの2組の平行板から形成されているが、第1,第2の板バネともそれぞれ1組の平行板バネにより形成されていても良い。 In the present invention, a more preferable holding member is used. The structure will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B shows a cross-section at BB ′ in FIG. The fixing member includes a first parallel spring 501 and a second parallel spring 502, one end of the first parallel spring 501 is fixed to the holder member 101, and the other end is connected to the relay member 503. On the other hand, one end of the second parallel spring 502 is fixed to the relay member 503, and the other end is connected to the connection member 103. In this illustration, both the first and second parallel leaf springs are formed from two parallel plates of the same size, but both the first and second leaf springs are each formed by a pair of parallel leaf springs. May be.

ホルダ部材の周辺部に上述のような固定部材を用いてホルダ部材に結合力を加えると、積層すべきウェハの厚さや大きさによっては図6のようにホルダ部材が変形することがある。図6は重ね合わせたホルダ部材101に結合力を加えた場合に生じうるホルダ部材の変形現象をその断面として誇張して書いたものである。接続部材が互いに引き合ってホルダ面に垂直な力を加える場合、平行板バネはホルダ部材に垂直な方向に変形する。この時、変形によりホルダ部材に加わる力は完全にホルダ面に垂直では無く、若干ホルダ部材の面内方向の成分も生じることがある。このホルダ部材の面内方向に働く力は周辺部に取り付けられた他の接続部材からも生じ、それらは全て動径方向に向かう力である。この力の合力がホルダ部材の中央部を押し上げる結果となって、ホルダ部材が変形する。 When a bonding force is applied to the holder member using the above-described fixing member around the holder member , the holder member may be deformed as shown in FIG. 6 depending on the thickness and size of the wafers to be stacked. FIG. 6 is an exaggerated cross-sectional view of a holder member deformation phenomenon that may occur when a binding force is applied to the superimposed holder member 101. When the connecting members attract each other and apply a force perpendicular to the holder surface , the parallel leaf spring is deformed in a direction perpendicular to the holder member . At this time, the force applied to the holder member due to the deformation is not completely perpendicular to the holder surface , and a slight component in the in-plane direction of the holder member may be generated. The force acting in the in-plane direction of the holder member is also generated from other connecting members attached to the peripheral portion, and they are all forces in the radial direction. Resultant force of the force becomes the result of pushing up the central portion of the holder member, the holder member is deformed.

この点を図7により更に説明を加える。板バネ104はホルダ部材101に圧力を加える。この時、板バネ104は図7(a)に示したように変形する。板バネ102は自然長に戻るようにして、圧力を加えることになるので、接続部材の位置が固定されていると、板バネの変形の程度によってはホルダ部材101をホルダ面内方向に押す力が大きくなり、この力がホルダ部材101を変形させることがある。しかしながら、本願発明の2組の平行板を用いればこのような現象は生じない。第1の板バネ501はホルダ部材101に圧力を加える。この時、第1の板バネ501は図7(b)に示したように変形する。先の場合と同様に、第1の板バネ501は自然長に戻るようにしてホルダ部材に圧力を加えるが、図7(b)には中継部材503があり、第2の板バネ502から生じる力と合わせて、中継部材503の位置を変化させることになる。即ち、2組の平行板バネ501,502が変形した時、中継部材503の位置(図中の水平方向位置)が変化し、ホルダ部材を変形させる力は生じない。 This point will be further described with reference to FIG. The leaf spring 104 applies pressure to the holder member 101. At this time, the leaf spring 104 is deformed as shown in FIG. Since the leaf spring 102 returns to its natural length and pressure is applied, if the position of the connecting member is fixed, the force that pushes the holder member 101 in the holder in-plane direction depending on the degree of deformation of the leaf spring. And the force may cause the holder member 101 to be deformed. However, such a phenomenon does not occur if two sets of parallel plates of the present invention are used. The first leaf spring 501 applies pressure to the holder member 101. At this time, the first leaf spring 501 is deformed as shown in FIG. As in the previous case, the first leaf spring 501 applies pressure to the holder member so as to return to its natural length. In FIG. 7B, there is a relay member 503, which is generated from the second leaf spring 502. Together with the force, the position of the relay member 503 is changed. That is, when the two sets of parallel leaf springs 501 and 502 are deformed, the position of the relay member 503 (the horizontal position in the figure) changes, and no force for deforming the holder member is generated.

別の表現を用いると、ホルダ部材が近接し、互いに吸着力を及ぼし合っても、結合部材の位置に変化は生じない。これにより、安定した一様な力によりウェハを仮接続し搬送する搬送工程が実現される。更に、このような2組の平行板バネとそれらをつなぐ中継部材を用いた固定部材の形状の好適な形状は、第2の平行板バネを中継部材に対して折り返した場合、第1、第2の平行板バネがトラス構造になる形状である。(図8(a)参照)この折り返し合成形状をトラス構造(図8(b)参照)にすることにより、平行板バネの各部に働く力及び変形の均一性が得られ、結合部材の力を効率よくホルダ部材に伝えることが出来る。 In other words , even if the holder members are close to each other and exert an attracting force on each other, the position of the coupling member does not change. As a result, a transfer step of temporarily connecting and transferring the wafer with a stable and uniform force is realized. Further, the preferred shape of the fixing member using the two parallel leaf springs and the relay member connecting them is the first and the second when the second parallel leaf spring is folded back with respect to the relay member. The two parallel leaf springs have a truss structure. (See FIG. 8A.) By making this folded composite shape into a truss structure (see FIG. 8B), the force acting on each part of the parallel leaf spring and the uniformity of deformation can be obtained, and the force of the coupling member can be obtained. It can be efficiently transmitted to the holder member .

尚、本願発明では、一方の平行板バネを中継部材を軸として折り返した形状を「折り返し合成形状」と記している。逆にいえば、本願発明の板バネの形状はトラス構造をしたものを中継部材により折り返した形状と言える。その際、トラス構造の好ましい形状は、取りつけ部でのウェハの接線方向に一辺を有し、結合部材を頂点とする正三角形である。   In the present invention, a shape in which one parallel plate spring is folded around the relay member is referred to as a “folded composite shape”. Conversely, the shape of the leaf spring of the present invention can be said to be a shape in which a truss structure is folded back by a relay member. At this time, a preferable shape of the truss structure is an equilateral triangle having one side in the tangential direction of the wafer at the mounting portion and having the coupling member as a vertex.

次に、本願発明のウェハ積層接合方法及び積層型半導体装置の製造方法を説明する。
本願発明の積層型半導体装置の製造方法は、Q1,Q2,Q3の工程からなっている。これらの工程を図9により説明する。
Q1:半導体装置をウェハ上に形成するウェハ準備工程
通常の半導体露光装置を用いてマスク上の回路パターンをレジストが塗布されたウェハ701上に縮小投影し、レジストを現像した後にエッチングや不純物の熱拡散処理を行って回路素子703が形成されたウェハ100を得る。得られたウェハの回路面とは反対側には他のウェハのチップと接続するための電極パッド又はバンプが形成されている。(例えば、特開昭60−235446号公報参照)
Q2:ウェハ積層接合工程
本願発明のウェハ積層接合はQ2−1,Q2−2,Q2−3,Q2−4工程からなっている。
Next, a method for laminating a wafer and a method for manufacturing a laminated semiconductor device according to the present invention will be described.
The method for manufacturing a stacked semiconductor device according to the present invention comprises steps Q1, Q2 and Q3. These steps will be described with reference to FIG.
Q1: Wafer preparation process for forming a semiconductor device on a wafer Using an ordinary semiconductor exposure device, a circuit pattern on a mask is reduced and projected onto a wafer 701 coated with a resist, and after developing the resist, etching or heat of impurities A wafer 100 on which the circuit element 703 is formed is obtained by performing a diffusion process. On the side opposite to the circuit surface of the obtained wafer, electrode pads or bumps for connecting to chips of other wafers are formed. (For example, see JP-A-60-235446)
Q2: Wafer Lamination Bonding Process The wafer lamination bonding of the present invention comprises Q2-1, Q2-2, Q2-3, and Q2-4 processes.

Q2−1:ウェハ保持工程
前処理されたウェハ100をウェハホルダに静電吸着(静電吸着用の電極等は不図示)により保持する。この時、吸着するウェハは既に積層されたウェハ(ウェハ積層体)であることもある。即ち、一方のウェハは、複数のウェハが重ね合わされて形成された、場合によっては研削等によって薄層化された、ウェハ積層形態であることもある。
Q2-1: Wafer Holding Step The preprocessed wafer 100 is held on a wafer holder by electrostatic chucking (electrostatic chucking electrodes and the like are not shown). At this time, the wafer to be adsorbed may be an already laminated wafer (wafer laminated body). That is, one of the wafers may be in the form of a wafer stack formed by superimposing a plurality of wafers, possibly thinned by grinding or the like.

Q2−2:アライメント工程及びウェハ重ね合わせ工程
ウェハホルダに保持された2枚のウェハの位置あわせ(アライメント)を行う。アライメントは顕微鏡704を用いて、ウェハ又はウェハホルダ上のマークを検出して行う。例えば特開平7−14982に開示されたような技術を用いる。ウェハホルダを使用して積層すべきウェハどうしの位置合わせが完了すると、位置合わせされたウェハどうしを近接させ、接触させる。接触後、重ね合わされた位置関係を維持するために本願ウェハホルダの接続部材を動作させてホルダ部材どうしを仮固定する。この仮工程を、他の方法、例えば樹脂による仮工程を行うと、樹脂の硬化時間が必要となって生産性の低下を伴う。また、接合力の制御が出来ず、アライメント状態を維持できないこともある。更に、2つのウェハ間の電極接合状態を外部より電極を通じて検知し、その結果、電極同士のアライメントに不具合が有った時、本願発明のウェハホルダを使用して仮固定を行っておれば簡単に仮固定したウェハを解放して再度アライメントをやり直せるが、他の方法では簡単には修正が行えず、歩留まりの低下を招く。
Q2-2: Alignment process and wafer overlay process
Two wafers held by the wafer holder are aligned (aligned). The alignment is performed by detecting a mark on the wafer or the wafer holder using the microscope 704. For example, a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-14982 is used. When the alignment of the wafers to be stacked is completed using the wafer holder, the aligned wafers are brought close to each other and brought into contact with each other. After the contact, in order to maintain the superimposed positional relationship, the connection member of the present wafer holder is operated to temporarily fix the holder members together. If this temporary process is performed by another method, for example, a temporary process using a resin, a curing time of the resin is required, which results in a decrease in productivity. In addition, the bonding force cannot be controlled and the alignment state may not be maintained. Furthermore, when the electrode bonding state between the two wafers is detected from the outside through the electrodes, and there is a problem in the alignment between the electrodes as a result, it is easy to temporarily fix using the wafer holder of the present invention. Although the temporarily fixed wafer can be released and alignment can be performed again, other methods cannot be easily corrected, resulting in a decrease in yield.

Q2−3:ウェハ搬送工程
仮固定されたウェハ(積層体)706はロボットアーム707により、次の工程に搬送される。この搬送工程のロボットには公知のロボット搬送装置を使用して行う。
Q2−4:ウェハ接合工程
発熱体を内蔵する加熱板719にウェハホルダ及びウェハホルダに保持されたウェハ積層体を吸着させ、加圧部材751、752とを用い、加圧シリンダにより加圧する。所定の圧力を所定の時間加えることによりウェハ上の電極(金属バンプとパッド、金属バンプと金属バンプ)が接合される。この時、場合によっては、ウェハ間に樹脂を封入して加熱することもある。また、加熱は伴わない方法でもよい。(例えば、特開2002−64266号公報)。
Q2-3: Wafer Transport Process The temporarily fixed wafer (laminated body) 706 is transported to the next process by the robot arm 707. A known robot transfer device is used for the robot in the transfer process.
Q2-4: The wafer stack held by the wafer holder and the wafer holder on the heating plate 719 incorporates a wafer bonding step heating element is adsorbed, with a pressure member 751 and 752, pressurized by the pressure cylinder. By applying a predetermined pressure for a predetermined time, the electrodes (metal bump and pad, metal bump and metal bump) on the wafer are bonded. At this time, in some cases, the resin may be sealed between the wafers and heated. Further, a method without heating may be used. (For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-64266).

Q3:ウェハ上のチップを個々のチップに分離する、分離工程
このウェハ積層接合工程は必要な積層数だけ繰り返し行われ、順次積層接合がなされる。
Q3: Separation process for separating the chips on the wafer into individual chips This wafer lamination joining process is repeated for the required number of laminations, and the lamination joining is performed sequentially.

ウェハレベルで積層接合されたウェハをダイシングラインに従って切断し、チップとして分離する。切断は通常、ダイシングブレードを用いて切断するダイシングソー方式、レーザ光線によりウェハ表面を溶融させて割る方式、ダイヤモンドカッタにより切断ラインを引いて割る方法が採られている。しかしながら、ウェハ積層体をチップに分離する方式としてはダイシングソー方式が好ましい。   Wafers laminated and bonded at the wafer level are cut along dicing lines and separated as chips. In general, a dicing saw method in which cutting is performed using a dicing blade, a method in which the wafer surface is melted and split by a laser beam, and a method in which a cutting line is drawn by a diamond cutter are used. However, a dicing saw method is preferable as a method for separating the wafer stack into chips.

このように積層型半導体装置を製造することにより、積層型半導体装置の製造歩留まりが向上し、製造コストの増加を抑えることが可能になる。   By manufacturing the stacked semiconductor device in this way, the manufacturing yield of the stacked semiconductor device is improved, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.

半導体装置の高密度化、高速駆動化は産業上必至の要請であり、そのための本願発明の利用は、従って、産業上必至である。   Increasing the density and driving speed of semiconductor devices is an inevitable demand in the industry, and the use of the present invention for that purpose is therefore inevitable in the industry.

本願発明のウェハホルダを示す。(a)は平面図である、(b)は断面図である。The wafer holder of this invention is shown. (A) is a top view, (b) is sectional drawing. 本願発明のウェハホルダに位置合わせされたウェハを挟み保持した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which pinched and hold | maintained the wafer aligned with the wafer holder of this invention. 本願発明のウェハホルダの結合部材の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the coupling member of the wafer holder of this invention. 本願発明の結合部材の取り付け位置の好適な例を示す図である。It is a figure which shows the suitable example of the attachment position of the coupling member of this invention. 本願発明の固定部材の好適な例を示す図である。It is a figure which shows the suitable example of the fixing member of this invention. ホルダ部材の変形を示す図である。It is a figure which shows a deformation | transformation of a holder member . 本願発明の2つの板バネの作用を示す図である。It is a figure which shows the effect | action of the two leaf | plate springs of this invention. 本願発明の2つの板バネの好適な形状を示す図である。It is a figure which shows the suitable shape of the two leaf | plate springs of this invention. 本願発明のウェハ積層接合工程及び積層型半導体製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the wafer lamination | stacking joining process and laminated semiconductor manufacturing method of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

101 ・・・・ ホルダ部材 102 ・・・・ 固定部材
103 ・・・・ 結合部材 301 ・・・・ コイル
302 ・・・・ 導管 303 ・・・・ 静電電極
304 ・・・・ 永久磁石 305 ・・・・ 電磁石
501 ・・・・ 平行バネ 502 ・・・・ 平行板バネ
503 ・・・・ 中継部材
101 ··· Holder member 102 ··· Fixing member 103 ··· Coupling member 301 · · · Coil 302 · · · Conduit 303 · · · Electrostatic electrode 304 · · · Permanent magnet 305 ·・ ・ ・ Electromagnet 501 ・ ・ ・ ・ Parallel spring 502 ・ ・ ・ ・ Parallel leaf spring 503 ・ ・ ・ ・ Relay member

Claims (9)

互いに位置あわせされた2枚のウェハを挟み保持する一対のホルダ部材と、
該一対のホルダ部材どうしを互いに結合するための複数の結合部材と、
該結合部材が実質的に前記ホルダ部材のホルダ面に垂直な方向にのみ変位可能であるように前記結合部材を前記ホルダ部材の外周部に固定する固定部材と、
を有し、
前記結合部材は、前記一対のホルダ部材どうしを結合状態と解放状態とに制御可能となす結合力源を有する
ことを特徴とするウェハホルダ。
A pair of holder members sandwiching and holding two wafers aligned with each other ;
A plurality of coupling members for coupling the pair of holder members to each other;
A fixing member to which the coupling member is fixed to said coupling member so as to be displaceable only in the direction perpendicular to the holder surface of substantially the holder member to the outer peripheral portion of the holder member,
Have
The wafer holder , wherein the coupling member has a coupling force source that enables the pair of holder members to be controlled in a coupled state and a released state.
請求項1記載のウェハホルダであって、
前記固定部材が、平行な2枚の板バネを有する平行板バネであることを特徴とするウェハホルダ。
The wafer holder according to claim 1,
The wafer holder , wherein the fixing member is a parallel leaf spring having two leaf springs in parallel.
請求項1に記載のウェハホルダであって、The wafer holder according to claim 1,
前記固定部材が、第1の平行板バネ、第2の平行板バネ及び中継部材を有し、前記第1の平行板バネは前記ホルダ部材と前記中継部材とに固定され、前記第2の平行板バネは前記中継部材と前記結合部材とに固定されているThe fixing member includes a first parallel plate spring, a second parallel plate spring, and a relay member. The first parallel plate spring is fixed to the holder member and the relay member, and the second parallel plate spring is provided. A leaf spring is fixed to the relay member and the coupling member.
ことを特徴とするウェハホルダ。A wafer holder characterized by that.
請求項3に記載のウェハホルダであって、The wafer holder according to claim 3,
前記2組の平行板バネの形状は、その折り返し形状が構造力学的に前記結合部材を頂点とするトラス構造を構成する、The shape of the two sets of parallel leaf springs constitutes a truss structure whose folded shape has the coupling member as the apex in terms of structural mechanics.
ことを特徴とするウェハホルダ。A wafer holder characterized by that.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のウェハホルダであって
前記結合力源が電磁吸着力、静電吸着力、真空吸着力のいずれかである
ことを特徴とするウェハホルダ。
The wafer holder according to any one of claims 1 to 4, wherein the coupling force source is any one of an electromagnetic adsorption force, an electrostatic adsorption force, and a vacuum adsorption force.
請求項に記載のウェハホルダであって、
前記結合部材が、前記一対のホルダ部材どうしの結合状態を維持する永久磁石と、励起により永久磁石の磁場をうち消して前記一対のホルダ部材どうしを解放状態とする電磁石とを有する
ことを特徴とするウェハホルダ。
The wafer holder according to claim 5 , wherein
Said coupling member includes a permanent magnet for maintaining the coupling state of and how the pair of holder members, and characterized by having an electromagnet for the erase out the magnetic field of the permanent magnet and if the pair of the holder member and the released state by excitation Wafer holder.
請求項1乃至のいずれかに記載のウェハホルダであって、
前記結合部材を前記ホルダ部材前記外周部に固定する3つの前記固定部材が2等辺三角形を形成している
ことを特徴とするウェハホルダ。
The wafer holder according to any one of claims 1 to 6 ,
Wafer holder, characterized in that three of the fixing member for fixing the coupling member to the outer peripheral portion of the holder member forms a isosceles triangle.
ウェハ積層接合方法であって、
接合すべきウェハをそれぞれウェハホルダに保持するウェハ保持工程、
ウェハどうしを位置合わせするアライメント工程、
位置合わせされたウェハどうしを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わせされたウェハを保持する前記ウェハホルダ搬送する搬送工程、
重ね合わせされたウェハを加圧して接合する接合工程
を有し、
該各工程において
請求項1乃至7のいずれかに記載されたウェハホルダを使用する
ことを特徴とするウェハ積層接合方法である。
A wafer lamination joining method,
Wafer holding step of holding to be bonded wafer wafer holder, respectively,
Alignment process for aligning wafers,
Wafer overlaying process for overlaying aligned wafers,
Conveying step of conveying the wafer holder for holding the superimposed wafers,
Having a bonding step of pressing and bonding the stacked wafers;
A wafer lamination joining method using the wafer holder according to claim 1 in each of the steps.
積層型半導体装置の製造方法であって、
ウェハ準備工程、ウェハ積層接合工程、チップ分離工程を有する積層型半導体装置製造方法であって、
該ウェハ積層接合工程は、
接合すべきウェハをそれぞれウェハホルダに保持するウェハ保持工程、
ウェハどうしを位置合わせするアライメント工程、
位置合わせされたウェハどうしを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わせされたウェハを保持する前記ウェハホルダ搬送する搬送工程、
重ね合わせされたウェハを加圧して接合する接合工程
を有し、
該各工程において
請求項1乃至7のいずれかに記載されたウェハホルダを使用する
ことを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
A method for manufacturing a stacked semiconductor device, comprising:
A laminated semiconductor device manufacturing method comprising a wafer preparation step, a wafer lamination bonding step, and a chip separation step,
The wafer lamination joining process includes:
Wafer holding step of holding to be bonded wafer wafer holder, respectively,
Alignment process for aligning wafers,
Wafer overlaying process for overlaying aligned wafers,
Conveying step of conveying the wafer holder for holding the superimposed wafers,
Having a bonding step of pressing and bonding the stacked wafers;
A method for manufacturing a stacked semiconductor device, wherein the wafer holder according to claim 1 is used in each of the steps.
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