JP4854800B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子に関する。
有機電界発光素子を有する発光表示装置の実用化に向けた取り組みとして、耐久性が検討されている。特に、有機電界発光素子は、熱により劣化を受けやすく、温度が上がりやすい自動車などの室内、夏場、熱帯地域といった高温環境下での使用に課題を有し、熱耐久性の向上が望まれている。
有機電界発光素子の中でも、青色の呈色を示す青色発光素子は、熱耐久性が低く、青色発光材料として、熱耐久性のよいスチリルアミン化合物を用いることが提案されている（特許文献１〜５参照）。しかしながら、これらの提案においても、実用化に充分な熱耐久性が得られないという問題がある。
耐久性を向上させる技術としては、発光層に用いられるホスト材料からなるホスト材料層を発光層に隣接させて配する有機電界発光素子が提案されている（特許文献６、７参照）。
これらの提案によれば、素子の耐久性を一定程度改善させることができるが、耐熱性が向上することについては記載されておらず、耐熱性の向上を目的とした有機電界発光素子に適用することが困難であるという問題がある。
これらの提案によれば、素子の耐久性を一定程度改善させることができるが、耐熱性が向上することについては記載されておらず、耐熱性の向上を目的とした有機電界発光素子に適用することが困難であるという問題がある。
また、発光層内の濃度消光を抑えることにより、高輝度の素子を得ることを目的として、発光性ドーパントを含有する２つ以上のドープ部と、これを含有しないノンドープ部とで発光層を形成することが提案されている（特許文献８参照）。しかしながら、耐熱性が向上することについては記載されておらず、耐熱性の向上を目的とした有機電界発光素子に適用することが困難であるという問題がある。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高い耐熱性を有し、温度変化に対する耐久性に優れる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
前記課題を解決するため、本発明者が鋭意検討を行ったところ、以下の知見が得られた。即ち、発光材料としてスチリルアミン化合物を用い、これを含む発光層を、発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層とで形成し、更に、前記発光層に含まれるホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層を前記発光層に隣接して配すると、これらの相乗効果により、従来、熱耐久性が不十分であった青色発光素子において、高温環境下における駆動耐久性と温度変化に対する耐久性とが飛躍的に向上し、顕著に優れた耐熱性を得ることができることが見出された。
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含む発光材料ドープ層と、前記ホスト材料からなる発光材料非ドープ層とを有する発光層と、前記発光層の少なくともいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層と、を備える有機電界発光素子であって、前記スチリルアミン化合物が、青色発光材料であり、且つ、前記発光材料ドープ層内に１質量％以上２０質量％未満含まれることを特徴とする有機電界発光素子である。
＜２＞ スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含む２つ及び３つのいずれかの発光材料ドープ層と、前記ホスト材料からなり、前記発光材料ドープ層の間に配される１つ及び２つのいずれかの発光材料非ドープ層とを有する発光層と、前記発光層の少なくともいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層と、を備え、前記スチリルアミン化合物が、青色発光材料であることを特徴とする有機電界発光素子である。
＜３＞ 発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜４＞ 発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜５＞ ホスト材料層が、発光層の一の面と他の面とのそれぞれの面に隣接して配される前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜６＞ スチリルアミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
ただし、前記一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ５及びＡｒ６は、それぞれ水素原子、アリール基のいずれかを表し、前記アリール基は、直鎖又は分岐していてもよいアルキル基、置換又は無置換のアリール基及びアミノ基の少なくともいずれかで置換されていてもよく、Ａｒ４は、置換又は無置換のアリーレン基を表す。
＜７＞ ホスト材料が、アントラセン化合物、ピレン化合物、及びクリセン化合物の少なくともいずれかである前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜８＞ 少なくとも２つの発光材料ドープ層のうち、少なくとも１つの発光材料ドープ層に含まれるスチリルアミン化合物と、ホスト材料とが下記（１）〜（３）のいずれかである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
（１）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−１）である。
（２）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−２）である。
（３）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−３）である。
＜１＞ スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含む発光材料ドープ層と、前記ホスト材料からなる発光材料非ドープ層とを有する発光層と、前記発光層の少なくともいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層と、を備える有機電界発光素子であって、前記スチリルアミン化合物が、青色発光材料であり、且つ、前記発光材料ドープ層内に１質量％以上２０質量％未満含まれることを特徴とする有機電界発光素子である。
＜２＞ スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含む２つ及び３つのいずれかの発光材料ドープ層と、前記ホスト材料からなり、前記発光材料ドープ層の間に配される１つ及び２つのいずれかの発光材料非ドープ層とを有する発光層と、前記発光層の少なくともいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層と、を備え、前記スチリルアミン化合物が、青色発光材料であることを特徴とする有機電界発光素子である。
＜３＞ 発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜４＞ 発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜５＞ ホスト材料層が、発光層の一の面と他の面とのそれぞれの面に隣接して配される前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜６＞ スチリルアミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜７＞ ホスト材料が、アントラセン化合物、ピレン化合物、及びクリセン化合物の少なくともいずれかである前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜８＞ 少なくとも２つの発光材料ドープ層のうち、少なくとも１つの発光材料ドープ層に含まれるスチリルアミン化合物と、ホスト材料とが下記（１）〜（３）のいずれかである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
（１）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−１）である。
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決でき、前記目的を達成することができ、高い耐熱性を有し、温度変化に対する耐久性に優れる有機電界発光素子を提供することができる。
（有機電界発光素子）
本発明の有機電界発光素子は、発光層とホスト材料層とを備えることとしてなり、必要に応じたその他の構成を備えてなる。
本発明の有機電界発光素子は、発光層とホスト材料層とを備えることとしてなり、必要に応じたその他の構成を備えてなる。
＜発光層＞
前記発光層は、発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層とを有する。
このような発光層の構成において、陽極と陰極間に電圧を印加すると、発光層に電荷が注入される。すると、正孔と電子とが再結合し、励起エネルギーが生成され、該励起エネルギーが発光材料に移動して発光が得られる。
電荷の再結合は、発光材料ドープ層及び発光材料非ドープ層のそれぞれにおいても生じる。発光材料ドープ層の励起子はもちろん、発光材料非ドープ層の励起子も、発光材料ドープ層の発光材料にエネルギー移動し、発光に寄与する。
前記発光層は、発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層とを有する。
このような発光層の構成において、陽極と陰極間に電圧を印加すると、発光層に電荷が注入される。すると、正孔と電子とが再結合し、励起エネルギーが生成され、該励起エネルギーが発光材料に移動して発光が得られる。
電荷の再結合は、発光材料ドープ層及び発光材料非ドープ層のそれぞれにおいても生じる。発光材料ドープ層の励起子はもちろん、発光材料非ドープ層の励起子も、発光材料ドープ層の発光材料にエネルギー移動し、発光に寄与する。
前記発光層の全体の厚みとしては、特に制限はないが、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜６０ｎｍがより好ましく、３０ｎｍ〜４０ｎｍが特に好ましい。
前記厚みが、１０ｎｍ未満であると、発光効率の低下や素子がリークしやすくなることがあり、１００ｎｍを超えると、発光効率の低下や駆動電圧の上昇、駆動による色度変化が大きくなることがある。
前記厚みが、１０ｎｍ未満であると、発光効率の低下や素子がリークしやすくなることがあり、１００ｎｍを超えると、発光効率の低下や駆動電圧の上昇、駆動による色度変化が大きくなることがある。
−発光材料ドープ層−
前記発光材料ドープ層は、スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含むこととしてなる。
前記発光材料ドープ層の層数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２層でも、３層でもよい。
前記発光材料ドープ層は、スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含むこととしてなる。
前記発光材料ドープ層の層数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２層でも、３層でもよい。
１つの発光材料ドープ層における前記発光材料の含有量としては、特に制限はないが、１質量％〜３０質量％が好ましく、１質量％〜２０質量％がさらに好ましく、３質量％〜２０質量％がより好ましく、５質量％〜１０質量％が特に好ましい。
前記含有量が、１質量％未満であると、発光効率が低下することがあり、３０質量％を超えると、駆動耐久性が低下することがある。
なお、複数の発光材料ドープ層における前記含有率としては、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
前記含有量が、１質量％未満であると、発光効率が低下することがあり、３０質量％を超えると、駆動耐久性が低下することがある。
なお、複数の発光材料ドープ層における前記含有率としては、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
前記発光材料ドープ層の具体的な厚みとしては、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜６０ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍが特に好ましい。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、発光効率や駆動耐久性の低下を招くことがあり、１００ｎｍを超えると、駆動電圧の上昇を招くことがある。
特に、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する場合の前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同じ厚みを有することが好ましい。
また、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される場合の前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同程度の厚みを有することが好ましい。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、発光効率や駆動耐久性の低下を招くことがあり、１００ｎｍを超えると、駆動電圧の上昇を招くことがある。
特に、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する場合の前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同じ厚みを有することが好ましい。
また、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される場合の前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同程度の厚みを有することが好ましい。
−−発光材料−−
前記発光材料としては、スチリルアミン化合物であれば、特に制限はないが、例えば、スチリルアミン、アミン置換スチリル化合物等のスチリルアミン化合物が好ましく、例えば、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。これらのスチリルアミン化合物は、青色の蛍光発光を示す。
前記発光材料としては、スチリルアミン化合物であれば、特に制限はないが、例えば、スチリルアミン、アミン置換スチリル化合物等のスチリルアミン化合物が好ましく、例えば、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。これらのスチリルアミン化合物は、青色の蛍光発光を示す。
前記Ａｒ１からＡｒ３、Ａｒ５及びＡｒ６に関し、前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基が挙げられる。また、前記直鎖又は分岐していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。また、前記アミノ基は、更に、前記アリール基により置換されていてもよい。
前記Ａｒ４に関し、前記置換又は無置換のアリーレン基としては、置換又は無置換のフェニレン基、ナフタレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
以下に、スチリルアミン化合物の好ましい化合物の一例を示す。なお、前記少なくとも２つの発光材料ドープ層に用いられる、各層の発光材料としては、同一でも異なっていてもよい。
前記Ａｒ４に関し、前記置換又は無置換のアリーレン基としては、置換又は無置換のフェニレン基、ナフタレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
以下に、スチリルアミン化合物の好ましい化合物の一例を示す。なお、前記少なくとも２つの発光材料ドープ層に用いられる、各層の発光材料としては、同一でも異なっていてもよい。
−ホスト材料−
前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アントラセン化合物、ピレン化合物、クリセン化合物、非対称な構造を有するこれらの化合物等が挙げられる。中でも、アントラセン化合物、特に、非対称な構造を有するアントラセン系化合物が好ましい。
以下に好適に使用されるホスト材料の具体例を示す。
前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アントラセン化合物、ピレン化合物、クリセン化合物、非対称な構造を有するこれらの化合物等が挙げられる。中でも、アントラセン化合物、特に、非対称な構造を有するアントラセン系化合物が好ましい。
以下に好適に使用されるホスト材料の具体例を示す。
前記発光層において、少なくとも１つの発光材料ドープ層に含まれるスチリル化合物と、ホスト材料とが下記（１）〜（３）のいずれかであることが好ましく、全ての発光材料ドープ層の前記スチリル化合物と前記ホスト材料とが、下記（１）〜（３）のいずれかであることがより好ましい。
即ち、（１）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−１）である。
（２）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−２）である。
（３）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−３）である。
即ち、（１）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−１）である。
−発光材料非ドープ層−
前記発光材料非ドープ層は、前記発光材料ドープ層における前記ホスト材料と同一のホスト材料からなり、少なくとも１つの前記発光材料非ドープ層が、２つの前記発光材料ドープ層の間に配される。
前記発光材料非ドープ層は、前記発光材料ドープ層における前記ホスト材料と同一のホスト材料からなり、少なくとも１つの前記発光材料非ドープ層が、２つの前記発光材料ドープ層の間に配される。
前記発光材料非ドープ層の厚みとしては、特に制限はないが、前記発光材料ドープ層の厚みよりも厚いことが好ましい。この場合、発光材料ドープ層の発光材料濃度を高くした場合でも、発光層全体としての発光材料濃度を希釈する効果が高く、濃度消光を効果的に防止することができる。
前記発光材料非ドープ層の具体的な厚みとしては、１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２０ｎｍが特に好ましい。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがあり、５０ｎｍを超えると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがある。
特に、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する場合の前記発光材料非ドープ層の厚みとしては、前記観点から１５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
また、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される場合の前記各発光材料ドープ非層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料非ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同一の厚みを有することが好ましい。
前記発光材料非ドープ層の具体的な厚みとしては、１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２０ｎｍが特に好ましい。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがあり、５０ｎｍを超えると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがある。
特に、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層及び第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する場合の前記発光材料非ドープ層の厚みとしては、前記観点から１５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
また、前記発光層が、第１の発光材料ドープ層、第２の発光材料ドープ層及び第３の発光材料ドープ層とからなる３つの発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層及び第２の発光材料非ドープ層とからなる２つの発光材料非ドープ層とを有し、前記第１の発光材料ドープ層と前記第２の発光材料ドープ層との間に前記第１の発光材料非ドープ層が配され、前記第２の発光材料ドープ層と前記第３の発光材料ドープ層との間に前記第２の発光材料非ドープ層が配される場合の前記各発光材料ドープ非層の厚みとしては、前記観点から５ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。この場合、前記各発光材料非ドープ層の厚みとしては、それぞれ異なる厚みとしてもよいが、耐熱性向上の観点から、それぞれが同一の厚みを有することが好ましい。
＜ホスト材料層＞
前記ホスト材料層は、前記発光層のいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料から構成される。
前記ホスト材料層は、前記発光層のいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料から構成される。
前記ホスト材料としては、前記隣接する発光層に含まれるホスト材料であれば、制限はなく、例えば、前記青色発光層に用いられるホスト材料が挙げられる。
前記ホスト材料層の厚みとしては、特に制限はないが、１ｎｍ〜１５ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜１２ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜１０ｎｍが特に好ましい。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがあり、１５ｎｍを超えると、駆動電圧の上昇や、発光効率が低下することがある。
前記厚みが、１ｎｍ未満であると、駆動耐久性、耐熱性に関する相乗効果が得られないことがあり、１５ｎｍを超えると、駆動電圧の上昇や、発光効率が低下することがある。
前記ホスト材料層としては、前記発光層の一の面と他の面とのそれぞれの面に隣接して配されることが好ましい。
このように構成する場合、定かではないものの、駆動素子劣化要因の一つとして、発光材料と発光層に隣接する層のキャリア輸送材料との反応による材料の変質が考えられ、高温時にはその影響がより大きく出ると考えられる。
したがって、駆動中に発光材料が隣接層に拡散する、あるいは隣接層の材料が発光層内に拡散することにより、この反応が促進されると考えられ、前記ホスト材料層を発光層の両面に設けることによって、材料の拡散による正孔輸送層と発光層間、電子輸送層と発光層間の各材料の混合を防止することができ、素子耐久性、耐熱性の観点から、発光層両面に対してホスト材料層を設けることとする前記構成が好ましい。
このように構成する場合、定かではないものの、駆動素子劣化要因の一つとして、発光材料と発光層に隣接する層のキャリア輸送材料との反応による材料の変質が考えられ、高温時にはその影響がより大きく出ると考えられる。
したがって、駆動中に発光材料が隣接層に拡散する、あるいは隣接層の材料が発光層内に拡散することにより、この反応が促進されると考えられ、前記ホスト材料層を発光層の両面に設けることによって、材料の拡散による正孔輸送層と発光層間、電子輸送層と発光層間の各材料の混合を防止することができ、素子耐久性、耐熱性の観点から、発光層両面に対してホスト材料層を設けることとする前記構成が好ましい。
＜その他の構成＞
前記発光層及び前記ホスト材料層を備える有機電界発光素子の構成について説明する。
前記有機電界発光素子としては、一対の電極（陽極と陰極）間に少なくとも前記発光層を含む有機化合物層を有し、更に、陽極と発光層との間に正孔輸送層を、また陰極と発光層との間に電子輸送層を有する。
前記有機化合物層の構成としては、前記陽極側から、前記正孔輸送層、前記発光層、前記電子輸送層の順に積層されている態様が挙げられる。
また、前記陽極と前記正孔輸送層との間に前記正孔注入層を、同様に前記陰極と前記電子輸送層との間に電子注入層を設けたものが挙げられる。
有機電界発光素子は、以下の構成とすることができる。
（１）陽極／ホスト材料層／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／ホスト材料層／陰極
（３）陽極／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／陰極
（６）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／陰極
（７）陽極／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／陰極
（８）陽極／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（９）陽極／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１０）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／陰極
（１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１３）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１４）陽極／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１５）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
前記発光層及び前記ホスト材料層を備える有機電界発光素子の構成について説明する。
前記有機電界発光素子としては、一対の電極（陽極と陰極）間に少なくとも前記発光層を含む有機化合物層を有し、更に、陽極と発光層との間に正孔輸送層を、また陰極と発光層との間に電子輸送層を有する。
前記有機化合物層の構成としては、前記陽極側から、前記正孔輸送層、前記発光層、前記電子輸送層の順に積層されている態様が挙げられる。
また、前記陽極と前記正孔輸送層との間に前記正孔注入層を、同様に前記陰極と前記電子輸送層との間に電子注入層を設けたものが挙げられる。
有機電界発光素子は、以下の構成とすることができる。
（１）陽極／ホスト材料層／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／ホスト材料層／陰極
（３）陽極／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／陰極
（６）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／陰極
（７）陽極／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／陰極
（８）陽極／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（９）陽極／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１０）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／陰極
（１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／陰極
（１３）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１４）陽極／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１５）陽極／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料層／発光層／ホスト材料層／電子輸送層／電子注入層／陰極
本発明の有機電界発光素子においては、更に前記構成において、前記発光層が少なくとも２つ発光材料ドープ層と、該発光材料ドープ層の間に配される少なくとも１つの発光材料非ドープ層を有することを特徴の一つとしている。
以下、その態様を図面を用いて説明する。
図１は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子１００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子１００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、ホスト材料層４、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図２は、第２の実施形態に係る有機電界発光素子２００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子２００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、ホスト材料層４、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図３は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子３００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子３００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１のホスト材料層４ａ、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２のホスト材料層４ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図４は、第４の実施形態に係る有機電界発光素子４００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子４００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、ホスト材料層４、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図５は、第５の実施形態に係る有機電界発光素子５００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子５００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、ホスト材料層４、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図６は、第６の実施形態に係る有機電界発光素子６００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子６００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１のホスト材料層４ａ、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、第２のホスト材料層４ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
なお、これらの図中、符号１０、１０’は、発光層を示す。
以下、その態様を図面を用いて説明する。
図１は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子１００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子１００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、ホスト材料層４、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図２は、第２の実施形態に係る有機電界発光素子２００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子２００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、ホスト材料層４、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図３は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子３００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子３００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１のホスト材料層４ａ、第１の発光材料ドープ層５ａ、発光材料非ドープ層６、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２のホスト材料層４ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図４は、第４の実施形態に係る有機電界発光素子４００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子４００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、ホスト材料層４、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図５は、第５の実施形態に係る有機電界発光素子５００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子５００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、ホスト材料層４、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
また、図６は、第６の実施形態に係る有機電界発光素子６００の層構成を示す概略断面図である。該有機電界発光素子６００は、陽極１側から正孔注入層２、正孔輸送層３、第１のホスト材料層４ａ、第１の発光材料ドープ層５ａ、第１の発光材料非ドープ層６ａ、第２の発光材料ドープ層５ｂ、第２の発光材料非ドープ層６ｂ、第３の発光材料ドープ層５ｃ、第２のホスト材料層４ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９の順で構成される。
なお、これらの図中、符号１０、１０’は、発光層を示す。
前記発光層、ホスト材料層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等の各有機層としては、蒸着法、スパッタ法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、スプレー法等のいずれによっても好適に形成することができる。
以下、前述の発光層、ホスト材料層以外のその他の構成について説明する。
以下、前述の発光層、ホスト材料層以外のその他の構成について説明する。
−陽極−
前記陽極としては、前記有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陽極としては、前記有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
前記陽極の形成方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
なお、前記陽極を形成する際のパターニング方法としては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
前記陽極の厚みとしては、１０ｎｍ〜５０μｍが好ましく、５０ｎｍ〜２０μｍがより好ましい。
また、前記陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
また、前記陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
−陰極−
前記陰極としては、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陰極としては、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
前記陰極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極を形成するに際してのパターニング方法としては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
前記陰極の厚みとしては、１０ｎｍ〜５μｍが好ましく、５０ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
また、前記陰極としては、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
また、前記陰極としては、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
前記正孔注入層、正孔輸送層の形成材料としては、特に制限はないが、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、有機シラン誘導体、カーボンが好ましい。
前記正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
前記正孔注入層、正孔輸送層の形成材料としては、特に制限はないが、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、有機シラン誘導体、カーボンが好ましい。
中でもピロール誘導体、カルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体、フタロシアニン系化合物が好ましく、カルバゾール誘導体、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体、フタロシアニン系化合物がより好ましく、正孔注入層材料としてはアリールアミン誘導体、チオフェン誘導体、フタロシアニン系化合物が特に好ましく、正孔輸送層材料としてはカルバゾール誘導体、アリールアミン誘導体が特に好ましい。
前記正孔注入層、前記正孔輸送層の厚みとしては、特に限定はないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、それぞれ１ｎｍ〜５μｍが好ましく、５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍが特に好ましい。
なお、前記正孔注入層、前記正孔輸送層は、ケミカルドーピング等によって駆動電圧を低減することができる。
前記正孔注入層、前記正孔輸送層としては、前記形成材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
なお、前記正孔注入層、前記正孔輸送層は、ケミカルドーピング等によって駆動電圧を低減することができる。
前記正孔注入層、前記正孔輸送層としては、前記形成材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子注入層、電子輸送層−
前記電子注入層、前記電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有している層である。
前記電子注入層、前記電子輸送層の形成材料としては、特に制限はなく、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾール、チアジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、シロール及びそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。
前記電子注入層、前記電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有している層である。
前記電子注入層、前記電子輸送層の形成材料としては、特に制限はなく、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾール、チアジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、シロール及びそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。
中でも、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、フッ素置換芳香族化合物、シロール誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（これらは他の環と縮合環を形成してもよい。）が好ましく、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（これらは他の環と縮合環を形成してもよい。）がより好ましく、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（これらは他の環と縮合環を形成してもよい。）が特に好ましい。
前記電子注入層、前記電子輸送層の厚みとしては、特に限定はないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、それぞれ１ｎｍ〜５μｍが好ましく、５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍが特に好ましい。
なお、前記電子注入層、前記電子輸送層は、ケミカルドーピング等によって駆動電圧を低減することができる。
前記電子注入層、前記電子輸送層としては、前記形成材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
なお、前記電子注入層、前記電子輸送層は、ケミカルドーピング等によって駆動電圧を低減することができる。
前記電子注入層、前記電子輸送層としては、前記形成材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−基板−
前記基板としては、特に制限はないが、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
前記基板としては、特に制限はないが、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
前記基板としては、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
−保護層−
前記有機電界発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
前記有機電界発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
前記保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
−封止−
更に、前記有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。 前記水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
前記不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
更に、前記有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。 前記水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
前記不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
前記有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法としては、例えば、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
前記有機電界発光素子としては、例えば、発光表示装置、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に利用でき、特に高温環境下に曝される自動車の車内ディスプレイ等に好適に利用することができる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を厚みが７０ｎｍとなるようにスパッタ法により設けた。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
次に、ＩＴＯ付きガラス基板上に、下記構造式で表される正孔輸送材料（ＨＴＭ−１）を、厚みが６０ｎｍとなるように蒸着して、第１の正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した。
厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を厚みが７０ｎｍとなるようにスパッタ法により設けた。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
次に、ＩＴＯ付きガラス基板上に、下記構造式で表される正孔輸送材料（ＨＴＭ−１）を、厚みが６０ｎｍとなるように蒸着して、第１の正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した。
次に、第１の正孔注入層上に、下記構造式で表される正孔輸送材料（ＨＴＭ−２）を、厚みが１５ｎｍとなるように蒸着して、第２の正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した。
次に、第２の正孔輸送層上に、下記構造式で表されるホスト材料（Ｈｏｓｔ−１）を、厚みが５ｎｍとなるように蒸着して、第１のホスト材料層を形成した。
次にホスト材料層上に、前記ホスト材料（Ｈｏｓｔ−１）と、下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）を発光材料とする発光層を形成した。
具体的には、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）とホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、双方のボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、第１の発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層と、第２の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、２つの発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍ、１つの発光材料非ドープ層の厚みは２０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度は、１０質量％とした。
具体的には、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）とホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、双方のボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、第１の発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層と、第２の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、２つの発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍ、１つの発光材料非ドープ層の厚みは２０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度は、１０質量％とした。
次に、発光層上に、前記第１のホスト材料層と同様にしてホスト材料（Ｈｏｓｔ−１）を厚みが５ｎｍとなるように蒸着して、第２のホスト材料層を形成した。
次に、第２のホスト材料層上に、下記構造式で表されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を、厚みが１５ｎｍとなるように蒸着して、電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上にＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層を形成した。
この電子注入層上にアルミニウム(Ａｌ)を、厚みが１００ｎｍとなるように蒸着して、陰極を形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、乾燥剤（ＨＤ−Ｓ−０７１２０５−４０、ダイニック株式会社製）及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止し、実施例１における有機電界発光素子を製造した。
この電子注入層上にアルミニウム(Ａｌ)を、厚みが１００ｎｍとなるように蒸着して、陰極を形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、乾燥剤（ＨＤ−Ｓ−０７１２０５−４０、ダイニック株式会社製）及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止し、実施例１における有機電界発光素子を製造した。
（実施例２）
実施例１において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２における有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２における有機電界発光素子を製造した。
（比較例Ａ）
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から０．５質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例Ａにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から０．５質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例Ａにおける有機電界発光素子を製造した。
（実施例Ａ）
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から５質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例Ａにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から５質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例Ａにおける有機電界発光素子を製造した。
（実施例Ｂ）
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から１８質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例Ｂにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から１８質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例Ｂにおける有機電界発光素子を製造した。
（比較例Ｂ）
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から２０質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例Ｂにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から２０質量％に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例Ｂにおける有機電界発光素子を製造した。
（比較例Ｃ）
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から０．５質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例Ｃにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から０．５質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例Ｃにおける有機電界発光素子を製造した。
（実施例Ｃ）
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から５質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例Ｃにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から５質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例Ｃにおける有機電界発光素子を製造した。
（実施例Ｄ）
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から１８質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例Ｄにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から１８質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例Ｄにおける有機電界発光素子を製造した。
（比較例Ｄ）
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から２０質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例Ｄにおける有機電界発光素子を製造した。
実施例２において、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度を１０質量％から２０質量％に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例Ｄにおける有機電界発光素子を製造した。
（実施例３）
実施例１において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３における有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３における有機電界発光素子を製造した。
（比較例１）
実施例１において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、また、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１における有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、また、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１における有機電界発光素子を製造した。
（比較例２）
実施例１において、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した発光層に代えて、以下のように発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２における有機電界発光素子を製造した。
即ち、第１のホスト材料層上にホスト材料（Ｈｏｓｔ−１）と発光材料（Ｄｏｐａｎｔ-１）とを、該発光材料の濃度が１０質量％であり、厚みが４０ｎｍとなるように蒸着して、発光層を形成した。
実施例１において、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した発光層に代えて、以下のように発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２における有機電界発光素子を製造した。
即ち、第１のホスト材料層上にホスト材料（Ｈｏｓｔ−１）と発光材料（Ｄｏｐａｎｔ-１）とを、該発光材料の濃度が１０質量％であり、厚みが４０ｎｍとなるように蒸着して、発光層を形成した。
（比較例３）
比較例２において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例３における有機電界発光素子を製造した。
比較例２において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例３における有機電界発光素子を製造した。
（比較例４）
比較例２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例４における有機電界発光素子を製造した。
比較例２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例４における有機電界発光素子を製造した。
（比較例５）
実施例１において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例５における有機電界発光素子を製造した。
実施例１において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例５における有機電界発光素子を製造した。
（比較例６）
実施例２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例６における有機電界発光素子を製造した。
実施例２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例６における有機電界発光素子を製造した。
（比較例７）
実施例３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、比較例７における有機電界発光素子を製造した。
実施例３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、比較例７における有機電界発光素子を製造した。
（比較例８）
比較例２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例８における有機電界発光素子を製造した。
比較例２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例８における有機電界発光素子を製造した。
以上の実施例１〜３、及び比較例１〜８における有機電界発光素子の主要な構成を下記表１にまとめて示し、実施例Ａ〜Ｄ及び比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子の主要な構成を表１−２にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例４）
実施例１において、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した発光層に代えて、以下のように発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）とホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、双方のボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層し、陽極側から、第１の発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層と、第２の発光材料ドープ層と、第２の発光材料非ドープ層と、第３の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、第１及び第３の発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ７ｎｍ、第２の発光材料ドープ層の厚みは６ｎｍ、２つの発光材料非ドープ層の厚みは１０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度は、１０質量％とした。
実施例１において、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した発光層に代えて、以下のように発光層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）とホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、双方のボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層し、陽極側から、第１の発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層と、第２の発光材料ドープ層と、第２の発光材料非ドープ層と、第３の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、第１及び第３の発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ７ｎｍ、第２の発光材料ドープ層の厚みは６ｎｍ、２つの発光材料非ドープ層の厚みは１０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）の濃度は、１０質量％とした。
（実施例５）
実施例４において、発光層上にホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例５における有機電界発光素子を製造した。
実施例４において、発光層上にホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例５における有機電界発光素子を製造した。
（実施例６）
実施例４において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例６における有機電界発光素子を製造した。
実施例４において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例６における有機電界発光素子を製造した。
（比較例９）
実施例４において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、また、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、比較例９における有機電界発光素子を製造した。
実施例４において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、また、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例４と同様にして、比較例９における有機電界発光素子を製造した。
（比較例１０）
実施例４において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、比較例１０における有機電界発光素子を製造した。
実施例４において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、比較例１０における有機電界発光素子を製造した。
（比較例１１）
実施例５において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例５と同様にして、比較例１１における有機電界発光素子を製造した。
実施例５において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例５と同様にして、比較例１１における有機電界発光素子を製造した。
（比較例１２）
実施例６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして、比較例１２における有機電界発光素子を製造した。
実施例６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして、比較例１２における有機電界発光素子を製造した。
以上の実施例４〜６、及び比較例９〜１２における有機電界発光素子の主要な構成を下記表２にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例７〜９）
実施例１〜３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、実施例１〜３と同様にして、実施例７〜９における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
実施例１〜３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、実施例１〜３と同様にして、実施例７〜９における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
（比較例１３〜１６、２０）
比較例１〜４、８において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例１〜４、８と同様にして、比較例１３〜１６、２０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
比較例１〜４、８において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例１〜４、８と同様にして、比較例１３〜１６、２０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
（比較例１７〜１９）
比較例５〜７において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-２）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例５〜７と同様にして、比較例１７〜１９における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
比較例５〜７において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-２）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例５〜７と同様にして、比較例１７〜１９における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表３参照）。
以上の実施例７〜９、及び比較例１３〜２０における有機電界発光素子の主要な構成を下記表３にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例１０〜１２）
実施例４〜６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、実施例４〜６と同様にして、実施例１０〜１２における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表４参照）。
実施例４〜６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、実施例４〜６と同様にして、実施例１０〜１２における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表４参照）。
（比較例２１）
比較例９において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例９と同様にして、比較例２１における有機電界発光素子を製造した。
比較例９において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例９と同様にして、比較例２１における有機電界発光素子を製造した。
（比較例２２〜２４）
比較例１０〜１２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例１０〜１２と同様にして、比較例２２〜２４における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表４参照）。
比較例１０〜１２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例１０〜１２と同様にして、比較例２２〜２４における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表４参照）。
以上の実施例１０〜１２、及び比較例２１〜２４における有機電界発光素子の主要な構成を下記表４にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例１３〜１５）
実施例１〜３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、実施例１〜３と同様にして、実施例１３〜１５における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
実施例１〜３において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、実施例１〜３と同様にして、実施例１３〜１５における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
（比較例２５〜２８、３２）
比較例１〜４、８において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例１〜４、８と同様にして、比較例２５〜２８、３２における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
比較例１〜４、８において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例１〜４、８と同様にして、比較例２５〜２８、３２における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
（比較例２９〜３１）
比較例５〜７において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-２）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例５〜７と同様にして、比較例２９〜３１における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
比較例５〜７において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-２）に代えて下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−２）を用いたこと以外は、比較例５〜７と同様にして、比較例２９〜３１における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表５参照）。
以上の実施例１３〜１５、及び比較例２５〜３２における有機電界発光素子の主要な構成を下記表５にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例１６〜１８）
実施例４〜６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、実施例４〜６と同様にして、実施例１６〜１８における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表６参照）。
実施例４〜６において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、実施例４〜６と同様にして、実施例１６〜１８における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表６参照）。
（比較例３３）
比較例９において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例９と同様にして、比較例３３における有機電界発光素子を製造した。
比較例９において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ-１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例９と同様にして、比較例３３における有機電界発光素子を製造した。
（比較例３４〜３６）
比較例１０〜１２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例１０〜１２と同様にして、比較例３４〜３６における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表６参照）。
比較例１０〜１２において、発光材料として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用い、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−１）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−３）を用いたこと以外は、比較例１０〜１２と同様にして、比較例３４〜３６における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表６参照）。
以上の実施例１６〜１８、及び比較例３３〜３６における有機電界発光素子の主要な構成を下記表６にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（実施例１９）
実施例１において、２つの発光材料ドープ層と１つの発光材料非ドープ層とを以下のように形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１９における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）と、ホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、各ボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）又は化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）を含む第１の発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を含む第２の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、２つの発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍ、１つの発光材料非ドープ層の厚みは２０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、各発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）の濃度は、それぞれ１０質量％とした。
実施例１において、２つの発光材料ドープ層と１つの発光材料非ドープ層とを以下のように形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１９における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）と、ホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、各ボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）又は化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、２つの発光材料ドープ層及び１つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）を含む第１の発光材料ドープ層と、発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を含む第２の発光材料ドープ層とをこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、２つの発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍ、１つの発光材料非ドープ層の厚みは２０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、各発光材料ドープ層における発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）の濃度は、それぞれ１０質量％とした。
（実施例２０）
実施例１９において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、実施例２０における有機電界発光素子を製造した。
実施例１９において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、実施例２０における有機電界発光素子を製造した。
（実施例２１）
実施例１９において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、実施例２１における有機電界発光素子を製造した。
実施例１９において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、実施例２１における有機電界発光素子を製造した。
（実施例２２）
実施例４において、３つの発光材料ドープ層と２つの発光材料非ドープ層とを以下のように形成したこと以外は、実施例４と同様にして、実施例２２における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）と、ホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、各ボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）又は化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、３つの発光材料ドープ層及び２つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）を含む第１の発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を含む第２の発光材料ドープ層と、第２の発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を含む第３の発光材料ドープ層をこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、第１及び第３の発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ７ｎｍ、第２の発光材料ドープ層の厚みは６ｎｍ、２つの発光材料非ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、各発光材料ドープ層において発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）の濃度は、それぞれ１０質量％とした。
実施例４において、３つの発光材料ドープ層と２つの発光材料非ドープ層とを以下のように形成したこと以外は、実施例４と同様にして、実施例２２における有機電界発光素子を製造した。
即ち、発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）と、ホストとなる化合物（Ｈｏｓｔ−１）とを、蒸着装置の異なる蒸着源に設置した。そして、各ボートを加熱し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）又は化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を設置した側のシャッタの開閉を適宜切り替えて、３つの発光材料ドープ層及び２つの発光材料非ドープ層を積層した。即ち、陽極側から、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）を含む第１の発光材料ドープ層と、第１の発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）を含む第２の発光材料ドープ層と、第２の発光材料非ドープ層と、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）を含む第３の発光材料ドープ層をこの順に積層した。
このとき、シャッタの開放及び閉鎖の時間設定により、第１及び第３の発光材料ドープ層の厚みはそれぞれ７ｎｍ、第２の発光材料ドープ層の厚みは６ｎｍ、２つの発光材料非ドープ層の厚みはそれぞれ１０ｎｍとなるよう調整した。発光層全体の厚みは、４０ｎｍであった。また、各発光材料ドープ層において発光材料となる化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）及び化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）の濃度は、それぞれ１０質量％とした。
（実施例２３）
実施例２２において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、実施例２３における有機電界発光素子を製造した。
実施例２２において、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、実施例２３における有機電界発光素子を製造した。
（実施例２４）
実施例２２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、実施例２４における有機電界発光素子を製造した。
実施例２２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、実施例２４における有機電界発光素子を製造した。
（比較例３７）
実施例１９において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、比較例３７の有機電界発光素子を製造した。
実施例１９において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、比較例３７の有機電界発光素子を製造した。
（比較例３８〜４０）
実施例１９〜２１において、発光層として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いて第１の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用いて第２の発光材料ドープ層を形成したこと以外は、実施例１９〜２１と同様にして、比較例３８〜４０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
実施例１９〜２１において、発光層として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いて第１の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用いて第２の発光材料ドープ層を形成したこと以外は、実施例１９〜２１と同様にして、比較例３８〜４０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
（比較例４１）
実施例２２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、比較例４１の有機電界発光素子を製造した。
実施例２２において、第２の正孔輸送層上に第１のホスト材料層を形成せず、第２の正孔輸送層上に発光層を形成し、発光層上に第２のホスト材料層を形成せず、発光層上に電子輸送層を形成し、第２の正孔輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変え、電子輸送層の厚みを１５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、比較例４１の有機電界発光素子を製造した。
（比較例４２〜４４）
実施例２２〜２４において、発光層として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いて第１の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用いて第２の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用いたこと以外は、実施例２２〜２４と同様にして、比較例４２〜４４における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
実施例２２〜２４において、発光層として、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−２）を用いて第１の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−３）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−４）を用いて第２の発光材料ドープ層を形成し、化合物（Ｄｏｐａｎｔ−５）に代えて化合物（Ｄｏｐａｎｔ−６）を用いたこと以外は、実施例２２〜２４と同様にして、比較例４２〜４４における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
（比較例４５〜４７）
比較例１４〜１６において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−２）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例１４〜１６と同様にして、比較例４５〜４７における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
比較例１４〜１６において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−２）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例１４〜１６と同様にして、比較例４５〜４７における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
（比較例４８〜５０）
比較例２６〜２８において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−３）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例２６〜２８と同様にして、比較例４８〜５０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
比較例２６〜２８において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−３）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例２６〜２８と同様にして、比較例４８〜５０における、それぞれの有機電界発光素子を製造した（下記表７参照）。
（比較例５１）
比較例２０において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−２）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例２０と同様にして、比較例５１における有機電界発光素子を製造した。
比較例２０において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−２）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例２０と同様にして、比較例５１における有機電界発光素子を製造した。
（比較例５２）
比較例３２において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−３）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例３２と同様にして、比較例５２における有機電界発光素子を製造した。
比較例３２において、ホスト材料として、化合物（Ｈｏｓｔ−３）に代えて化合物（Ｈｏｓｔ−１）を用いてホスト材料層を形成したこと以外は、比較例３２と同様にして、比較例５２における有機電界発光素子を製造した。
以上の実施例１９〜２４、及び比較例３７〜５２における有機電界発光素子の主要な構成を下記表７にまとめて示す。なお、表中の（ ）内の数値は、厚み（ｎｍ）を示す。
（耐熱性の測定及び評価方法）
＜輝度半減時間（ｔ２／ｔ１、ｔ３／ｔ１）＞
有機電界発光素子を１０℃雰囲気下にて初期輝度２，０００ｃｄ／ｍ２から、測定開始時の電流密度で、輝度が１，８００ｃｄ／ｍ２となるまで駆動させた。
その後、駆動させた有機電界発光素子を１０℃、５５℃、７０℃のそれぞれの温度雰囲気下で、輝度１，８００ｃｄ／ｍ２から１，０００ｃｄ／ｍ２となるまで駆動させ、１０℃雰囲気の測定開始時からの輝度半減時間を測定した。
このとき、１０℃一定の雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ１とし、１０℃雰囲気下で駆動後、５５℃雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ２とし、１０℃雰囲気下で駆動後、７０℃雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ３とし、「ｔ２／ｔ１」と「ｔ３／ｔ１」のそれぞれの値により比較を行った。
なお、輝度の測定には、輝度測定装置（ＴＯＰＣＯＮ社製）を用い、ｔ１、ｔ２、ｔ３の測定には、耐久性評価装置（ＥＨＣ社製）を用いた。
＜輝度半減時間（ｔ２／ｔ１、ｔ３／ｔ１）＞
有機電界発光素子を１０℃雰囲気下にて初期輝度２，０００ｃｄ／ｍ２から、測定開始時の電流密度で、輝度が１，８００ｃｄ／ｍ２となるまで駆動させた。
その後、駆動させた有機電界発光素子を１０℃、５５℃、７０℃のそれぞれの温度雰囲気下で、輝度１，８００ｃｄ／ｍ２から１，０００ｃｄ／ｍ２となるまで駆動させ、１０℃雰囲気の測定開始時からの輝度半減時間を測定した。
このとき、１０℃一定の雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ１とし、１０℃雰囲気下で駆動後、５５℃雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ２とし、１０℃雰囲気下で駆動後、７０℃雰囲気下で駆動したときの輝度半減時間をｔ３とし、「ｔ２／ｔ１」と「ｔ３／ｔ１」のそれぞれの値により比較を行った。
なお、輝度の測定には、輝度測定装置（ＴＯＰＣＯＮ社製）を用い、ｔ１、ｔ２、ｔ３の測定には、耐久性評価装置（ＥＨＣ社製）を用いた。
＜電圧上昇値（△Ｖ）及び輝度減少値（△Ｌ）＞
有機電界発光素子を２０℃の温度雰囲気下にて、１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で３時間通電させた後、２０℃から７０℃まで１℃／ｍｉｎの勾配で温度を上昇させ、７０℃の温度雰囲気下で３時間保持し、１℃／ｍｉｎの勾配で温度を２０℃まで下降させることを１サイクルとして、これを１００サイクル繰り返し、初期の駆動電圧に対する１００サイクル後の駆動電圧の電圧上昇値（△Ｖ）と、初期の輝度に対する１００サイクル後の輝度減少値（△Ｌ）とを比較した。
なお、電圧値の測定には、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメジャーユニット２４００型を用い、輝度の測定には、輝度半減時間測定に用いた輝度測定装置を用いた。
有機電界発光素子を２０℃の温度雰囲気下にて、１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で３時間通電させた後、２０℃から７０℃まで１℃／ｍｉｎの勾配で温度を上昇させ、７０℃の温度雰囲気下で３時間保持し、１℃／ｍｉｎの勾配で温度を２０℃まで下降させることを１サイクルとして、これを１００サイクル繰り返し、初期の駆動電圧に対する１００サイクル後の駆動電圧の電圧上昇値（△Ｖ）と、初期の輝度に対する１００サイクル後の輝度減少値（△Ｌ）とを比較した。
なお、電圧値の測定には、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメジャーユニット２４００型を用い、輝度の測定には、輝度半減時間測定に用いた輝度測定装置を用いた。
実施例１〜３及びＡ〜Ｄ、比較例１〜８及びＡ〜Ｄにおける各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表８及び表８−２に示す。ここで、各項目の比較は、実施例１における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表８に示すように、実施例１〜３における有機電界発光素子は、比較例１〜８における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例１〜３における有機電界発光素子は、比較例１〜８における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１〜３における有機電界発光素子は、比較例１〜８における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１〜３における有機電界発光素子は、比較例１〜８における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１〜３における有機電界発光素子は、比較例１〜８における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
上記表８−２に示すように、実施例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子は、比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子は、比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子は、比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子は、比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子は、比較例Ａ〜Ｄにおける有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例４〜６、比較例２〜４、８〜１２における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表９に示す。ここで、各項目の比較は、実施例４における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表９に示すように、実施例４〜６における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８〜１２における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例４〜６における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８〜１２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例４〜６における有機電界発光素子は、比較例８〜１２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例４〜６における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８〜１２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例４〜６における有機電界発光素子は、比較例８〜１２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例７〜９、比較例１３〜２０における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表１０に示す。ここで、各項目の比較は、実施例７における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表１０に示すように、実施例７〜９における有機電界発光素子は、比較例１３〜２０における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例７〜９における有機電界発光素子は、比較例１３〜２０における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例７〜９における有機電界発光素子は、比較例１３〜２０における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例７〜９における有機電界発光素子は、比較例１３〜２０における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例７〜９における有機電界発光素子は、比較例１３〜２０における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例１０〜１２、比較例１４〜１６、２０〜２４における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表１１に示す。ここで、各項目の比較は、実施例１０における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表１１に示すように、実施例１０〜１２における有機電界発光素子は、比較例１４〜１６、２０〜２４における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例１０〜１２における有機電界発光素子は、比較例１４〜１６、２０〜２４における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１０〜１２における有機電界発光素子は、比較例１４〜１６、２０〜２４における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１０〜１２における有機電界発光素子は、比較例１４〜１６、２０〜２４における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１０〜１２における有機電界発光素子は、比較例１４〜１６、２０〜２４における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例１３〜１５、比較例２５〜３２における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表１２に示す。ここで、各項目の比較は、実施例１３における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表１２に示すように、実施例１３〜１５における有機電界発光素子は、比較例２５〜３２における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例１３〜１５における有機電界発光素子は、比較例２５〜３２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１３〜１５における有機電界発光素子は、比較例２５〜３２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１３〜１５における有機電界発光素子は、比較例２５〜３２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１３〜１５における有機電界発光素子は、比較例２５〜３２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例１６〜１８、比較例２６〜２８、３２〜３６における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表１３に示す。ここで、各項目の比較は、実施例１６における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表１３に示すように、実施例１６〜１８における有機電界発光素子は、比較例２６〜２８、３２〜３６における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例１６〜１８における有機電界発光素子は、比較例２６〜２８、３２〜３６における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１６〜１８における有機電界発光素子は、比較例２６〜２８、３２〜３６における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１６〜１８における有機電界発光素子は、比較例２６〜２８、３２〜３６における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１６〜１８における有機電界発光素子は、比較例２６〜２８、３２〜３６における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
実施例１９〜２４、比較例２〜４、８、３７〜５２における各有機電界発光素子の輝度半減時間、電圧上昇値、及び輝度減少値を比較した結果を下記表１４に示す。ここで、各項目の比較は、実施例１９における有機電界発光素子を１００として規格化して行った。
上記表１４に示すように、実施例１９〜２４における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８、３７〜５２における有機電界発光素子よりも耐熱性を著しく向上させることができている。
また、実施例１９〜２４における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８、３７〜５２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１９〜２４における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８、３７〜５２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１９〜２４における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８、３７〜５２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の電圧上昇値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
また、実施例１９〜２４における有機電界発光素子は、比較例２〜４、８、３７〜５２における有機電界発光素子よりも熱サイクルにかけた後の輝度減少値を低く抑えることができており、温度変化に対する耐久性に優れている。
本発明の有機電界発光素子は、高い耐熱性を有し、温度変化に対する耐久性に優れるので、例えば表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに用いることができ、特に高温環境下に曝される自動車の車内ディスプレイ等に好適に利用することができる。
１ 陽極
２ 正孔注入層
３ 正孔輸送層
４ ホスト材料層
４ａ 第１のホスト材料層
４ｂ 第２のホスト材料層
５ａ 第１の発光材料ドープ層
５ｂ 第２の発光材料ドープ層
５ｃ 第３の発光材料ドープ層
６ 発光材料非ドープ層
６ａ 第１の発光材料非ドープ層
６ｂ 第２の発光材料非ドープ層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０、１０’ 発光層
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 有機電界発光素子
２ 正孔注入層
３ 正孔輸送層
４ ホスト材料層
４ａ 第１のホスト材料層
４ｂ 第２のホスト材料層
５ａ 第１の発光材料ドープ層
５ｂ 第２の発光材料ドープ層
５ｃ 第３の発光材料ドープ層
６ 発光材料非ドープ層
６ａ 第１の発光材料非ドープ層
６ｂ 第２の発光材料非ドープ層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０、１０’ 発光層
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 有機電界発光素子
Claims (5)
- スチリルアミン化合物からなる発光材料及びホスト材料を含む第１の発光材料ドープ層並びに第２の発光材料ドープ層からなる２つの発光材料ドープ層の間に、１つの発光材料非ドープ層を有する発光層と、
前記発光層の少なくともいずれかの面に隣接し、前記発光層に含まれる前記ホスト材料と同一のホスト材料からなるホスト材料層と、を備え、
前記スチリルアミン化合物が、青色発光材料であり、且つ、前記発光材料ドープ層内に５質量％以上１８質量％以下含まれることを特徴とする有機電界発光素子。 - ホスト材料層が、発光層の一の面と他の面とのそれぞれの面に隣接して配される請求項１に記載の有機電界発光素子。
- スチリルアミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物である請求項１から２のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- ホスト材料が、アントラセン化合物、ピレン化合物、及びクリセン化合物の少なくともいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- ２つの発光材料ドープ層のうち、少なくとも１つの発光材料ドープ層に含まれるスチリル化合物と、ホスト材料とが下記（１）〜（３）のいずれかである請求項１から４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（１）前記スチリルアミン化合物が下記構造式で表される化合物（Ｄｏｐａｎｔ−１）であり、前記ホスト材料が下記構造式で表される化合物（Ｈｏｓｔ−１）である。
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