JP4863836B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関するものである。

近年、ＩＣパッケージは携帯機器や小型・高密度実装機器への採用が進み、従来のＩＣパッケージとその実装概念が大きく変わろうとしている。詳細は、下記非特許文献１で述べられている。

図１０は、フレキシブルシート５０をインターポーザー基板として採用するもので、このフレキシブルシート５０の上には、接着剤を介して銅箔パターン５１が貼り合わされ、更にＩＣチップ５２が固着されている。そして、この導電パターン５１として、このＩＣチップ５２の周囲に形成されたボンディング用パッド５３がある。またこのボンディング用パッド５３と一体で形成される配線５１Ｂを介して半田ボール接続用パッド５４が形成されている。

そして半田ボール接続用パッド５４の裏側は、フレキシブルシートが開口された開口部５６が設けられており、この開口部５６を介して半田ボール５５が形成されている。そしてフレキシブルシート５０を基板にして全体が絶縁性樹脂５８で封止されている。
電子材料（１９９８年９月号２２頁〜）の特集「ＣＳＰ技術とそれを支える実装材料・装置」

しかしながら、ＩＣチップ５２の裏面に設けられたフレキシブルシート５０は非常に高価であり、コスト上昇を来す問題、パッケージの厚みが厚くなる問題、重量増の問題があった。

また支持基板は、金属以外の材料から成るため、ＩＣチップ裏面からパッケージの裏面に渡る熱抵抗を大きくする問題があった。前記支持基板としては、フレキシブルシート、セラミック基板またはプリント基板である。また熱伝導良好な材料より成る熱伝導パスは、金属細線５７、銅箔パターン５１および半田ボール５５であり、駆動時に十分な放熱ができない構造であった。よって、駆動時、ＩＣチップが温度上昇し、駆動電流を十分流せない問題があった。

本発明は、前述した課題に鑑みて成され、第１に、前記半導体装置裏面の中央には、矩形の第１の電極と、前記第１の電極の周囲を囲み、前記第１の電極よりもサイズの小さい複数の第２の電極が設けられ、前記第１の電極および前記第２の電極に設けられるロウ材の高さを実質同一にした事で解決するものである。

第２に、前記半導体装置裏面には、絶縁被膜が設けられ、前記第１の電極の裏面および前記第２の電極の裏面の露出サイズが実質同じに成るように、前記絶縁被膜に開口部が設けられ、前記開口部にロウ材が設けられることで解決するものである。

第３に、前記半導体チップは、フェイスダウンで実装され、前記第１の電極裏面と前記第２の電極裏面の間には、アンダーフィル材が露出することで解決するものである。

第４に、前記第１の電極は、放熱電極として機能することで解決するものである。

第５に、前記開口部は、形状およびサイズが実質同一であることで解決するものである。

第６に、前記第２の電極の外側には、前記半導体チップの表面に設けられたボンディング電極と固着される第３の電極が設けられ、前記第３の電極と前記第２の電極とをつなぐ配線が一体で設けられることで解決するものである。

第７に、半導体チップが絶縁性樹脂で封止された半導体装置であり、前記半導体装置裏面の中央には、矩形の第１の電極と、前記第１の電極の周囲を囲み、前記第１の電極よりもサイズの小さい複数の第２の電極が設けられ、前記半導体チップ表面の周囲に設けられるボンディングパッドと前記第２の電極が電気的に固着され、前記半導体チップと前記第２の電極の間に設けられるアンダーフィル材は、前記半導体チップの側面まで覆い、前記第１の電極および前記第２の電極に設けられるロウ材の高さを実質同一にした事で解決するものである。

第８に、前記半導体装置裏面には、絶縁被膜が設けられ、前記第１の電極の裏面および前記第２の電極の裏面の露出サイズが実質同じに成るように、前記絶縁被膜に開口部が設けられ、前記開口部にロウ材が設けられることで解決するものである。

従来では、電極のサイズが異なることにより、ロウ材の厚みが変わり、実装不良の問題を誘発させる。しかし、本発明によれば、ロウ材の厚みを一定にする事により、この問題は解決される。例えば絶縁被膜の開口部を同一にすれば、ロウ材の厚みは、実質同じにできる。

半導体装置を説明する第１の実施の形態
まず本発明の半導体装置について図１を参照しながら説明する。尚、図１Ａは半導体装置の平面図であり、図１Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図である。

図１には、絶縁性樹脂１０に以下の構成要素が埋め込まれている。つまりパッド１１…と、このパッド１１Ａ…と一体の配線１１Ｂと、配線１１Ｂと一体で成り、この配線１１Ｂの他端に設けられた外部接続電極１１Ｃが埋め込まれている。更にはこの導電パターン１１Ａ〜１１Ｃに囲まれた一領域に設けられた放熱用の電極１１Ｄと、この放熱用の電極１１Ｄの上に設けられた半導体素子１２が埋め込まれている。尚、半導体素子１２は、アンダーフィル材ＡＦを介して前記放熱用の電極１１Ｄと固着され、図１Ａでは、点線で示されている。

また半導体素子１２のボンディング電極１３とパッド１１Ａは、半導体素子１２がフェイスダウンで実装されるため、半田等のロウ材ＳＤ、Ａｇペースト等の導電ペースト、異方性導電性樹脂を介して電気的に接続されている。

また前記導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの側面は、非異方性でエッチングされ、ここではウェットエッチンクで形成されるため湾曲構造を有し、この湾曲構造によりアンカー効果を発生している。

本構造は、半導体素子１２と、複数の導電パターン１１Ａ〜１１Ｃ、放熱用の電極１１Ｄと、アンダーフィル材ＡＦ、これらを埋め込む絶縁性樹脂１０の４つの材料で構成される。特に半導体素子１２の配置領域に於いて、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの上およびこれらの間の分離溝１４には、前記アンダーフィル材ＡＦが形成され、特に分離溝１４に充填されるアンダーフィル材ＡＦの裏面が露出された状態で絶縁性樹脂１０で封止されパッケージと成っている。そして絶縁性樹脂１０やアンダーフィル材ＡＦにより前記パッド１１Ａ…、半導体素子１２が支持されている。

アンダーフィル材ＡＦとしては、狭い隙間に浸透可能な絶縁材料から成り、図４に示すように半導体素子１２の側面にまで吹上がるような材料が好ましい。また半導体素子１２の裏面に薄くアンダーフィル材ＡＦが形成され、これを絶縁性樹脂１０で封止しても良い。

一方、後の製造方法（図７）により明らかになるが、半導体素子１２の裏面にもアンダーフィル材ＡＦが形成される様にし、絶縁性樹脂１０を省略して半導体装置としても良い。

また絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。

また導電パターン１１Ａ〜１１Ｄとしては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ−Ｃｕの積層体、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体等を用いることができる。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッチングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好ましい。またハーフエッチング性、メッキの形成性、熱応力を考慮すると圧延で形成されたＣｕを主材料とする導電材料が好ましい。

本発明に於いて、図１Ｂでは、絶縁性樹脂１０とアンダーフィル材ＡＦが前記分離溝１５にも充填され、図７では、アンダーフィル材ＡＦが前記分離溝１５にも充填されるため、導電パターンの抜けを防止できる特徴を有する。またエッチングとしてドライエッチング、あるいはウェットエッチングを採用して非異方性的なエッチングを施すことにより、パッド１１Ａ…の側面、配線１１Ｂ…の側面、外部接続電極１１Ｃ…の側面、放熱用の電極１１Ｄの側面を湾曲構造とし、アンカー効果を発生させることもできる。その結果、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄが絶縁性樹脂１０から抜けない構造を実現できる。

しかも導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの裏面は、絶縁性樹脂１０の裏面に露出している。図１Ｂでは、絶縁被膜１６が形成されているが、この絶縁被膜１６を省略して、放熱用の電極１１Ｄの裏面と、実装基板上の電極を直接固着しても良い。この構造により、半導体素子１２から発生する熱は、実装基板上の電極に放熱でき、半導体素子１２の温度上昇を防止でき、その分半導体素子１２の駆動電流を増大させることができる。また放熱用の電極１１Ｃと半導体素子１２が電気的に接続されても良い。

本半導体装置は、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄを封止樹脂である絶縁性樹脂１０で支持しているため、支持基板が不要となる。この構成は、本発明の特徴である。従来の技術の欄でも説明したように、従来の半導体装置の導電路は、支持基板（フレキシブルシート、プリント基板またはセラミック基板）で支持されていたり、リードフレームで支持されているため、本来不要にしても良い構成が付加されている。しかし、本回路装置は、必要最小限の構成要素で構成され、支持基板を不要としているため、薄型・軽量となり、しかも材料費がかからないため安価となる特徴を有する。

また、パッケージの裏面は、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄが露出している。この領域に例えば半田等のロウ材を被覆すると、放熱用の電極１１Ｄの方が面積が広いため、ロウ材が厚く濡れる。そのため、実装基板上に固着させる場合、外部接続電極１１Ｃ裏面のロウ材が実装基板上の電極に濡れず、接続不良になってしまう場合が想定される。

これを解決するために、半導体装置１５の裏面に絶縁被膜１６を形成して解決している。図１Ａで示した点線の○は、絶縁被膜１６から露出した外部接続電極１１Ｃ…、放熱用の電極１１Ｄを示すものである。つまりこの○以外は絶縁被膜１６で覆われ、○の部分のサイズが実質同一サイズであるため、ここに形成されたロウ材の厚みは実質同一になる。これは、半田印刷後、リフロー後でも同様である。またＡｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ等の導電ペーストでも同様のことが言える。この構造により、電気的接続不良も抑制できる。また放熱用の電極１１Ｄの露出部１７は、半導体素子の放熱性が考慮され、外部接続電極１１Ｃの露出サイズよりも大きく形成されても良い。また外部接続電極１１Ｃ…は全てが実質同一サイズであるため、外部接続電極１１Ｃ…は全領域に渡り露出され、放熱用の電極１１Ｄの裏面の一部が実質同一サイズで絶縁被膜１１６から露出されても良い。

また絶縁被膜１６を設けることにより、実装基板に設けられる配線を本半導体装置の裏面に延在させることができる。一般に、実装基板側に設けられた配線は、前記半導体装置の固着領域を迂回して配置されるが、前記絶縁被膜１８の形成により迂回せずに配置できる。しかも絶縁性樹脂１０、アンダーフィル材ＡＦが導電パターンよりも飛び出しているため、実装基板側の配線と導電パターンとの間に隙間を形成でき、短絡を防止することができる。

半導体装置の製造方法を説明する第２の実施の形態
本製造方法は、図１の半導体装置１５の製造方法を示すものであり、図２から図６は、図１ＡのＡ−Ａ線に対応する断面図である。

まず図２の様に導電箔２０を用意する。厚さは、１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７０μｍの圧延銅箔を採用した。続いてこの導電箔２０の表面に、耐エッチングマスクとして導電被膜２１またはホトレジストを形成する。尚、このパターンは、図１Ａのパッド１１Ａ…、配線１１Ｂ…、外部接続電極１１Ｃ…、放熱用の電極１１Ｄ…と同一パターンである。また導電被膜２１の代わりにホトレジストを採用する場合、ホトレジストの下層には、少なくともパッドに対応する部分にＡｕ、Ａｇ、ＰｄまたはＮｉ等の導電被膜が形成される。これは、Ｃｕの酸化防止とロウ材の接続を可能にしている（以上図２を参照）。

続いて、前記導電被膜２１またはホトレジストを介して導電箔２０をハーフエッチングする。エッチング深さは、導電箔２０の厚みよりも浅ければよい。尚、エッチングの深さが浅ければ浅いほど、微細パターンの形成が可能である。

そしてハーフエッチングすることにより、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄが導電箔２０の表面に凸状に現れる。尚、導電箔２０は、前述したように、ここでは圧延で形成されたＣｕを主材料とするＣｕ箔を採用した。しかしＡｌから成る導電箔、Ｆｅ−Ｎｉ合金から成る導電箔、Ｃｕ−Ａｌの積層体、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体でも良い。特に、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体は、熱膨張係数の差により発生する反りを防止できる。また圧延の銅箔を用いると良い。圧延の銅箔は、Ｚ軸方向よりもＸ軸、ｙ軸方向の結晶の成長が大きく、耐屈曲性に強いからである。特に、配線１１Ｂが長く形成されると、この配線に加わる応力が大きくなるが、この圧延の銅箔を採用することで前記応力に対する耐性が向上する（以上図３を参照）。

そしてボンディング電極１３とパッド１１Ａが面対向配置されるように配置され、例えばロウ材ＳＤを介して固着される。

例えば、半田ボールが設けられた半導体素子１２を用意し、パッド１１Ａの上には、ロウ材から成るペーストが塗布される。このペーストは、焼成される前の粘性が、半導体素子１２の仮接着を可能とする。そしてこの仮接着の状態で炉に投入され、ロウ材が溶融されて半導体素子１２とパッドが電気的に接続される。

一方、ロウ材で一定の隙間を構成する部分には、アンダーフィル材ＡＦが形成される。このアンダーフィル材ＡＦは、半導体素子１２と導電パターンとの間の隙間に浸入しやすい材料であり、またその量をコントロールする事で、半導体素子１２の側面にまで、または半導体素子の裏面にまで形成される。このアンダーフィル材ＡＦは、絶縁性樹脂１０との接着性、導電パターンとの接着性が考慮されて選択される。

よって、アンダーフィル材ＡＦは、放熱用の電極１１Ｄと外部接続電極１１Ｃの分離溝１４、パッド１１Ａ〜外部接続電極１１Ｃで構成される導電パターンの間の分離溝１４、およびこれらの上に設けられる。以上支持基板を採用することなく半導体素子を実装でき、半導体素子１２の高さは、フェイスダウンで実装される分、低く配置される。よって後述するパッケージ外形の厚さを薄くすることが出来る（以上図４を参照）。

そしてハーフエッチングされて形成された導電パターン１１Ａ〜１１Ｄ…、半導体素子１２、および金属細線１４を覆うように絶縁性樹脂１０が形成される。絶縁性樹脂としては、熱可塑性、熱硬化性のどちらでも良い。

また、トランスファーモールド、インジェクションモールド、ディッピングまたは塗布により実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。

本実施の形態では、絶縁性樹脂の厚さは、金属細線１４の頂部から上に約１００μｍが被覆されるように調整されている。この厚みは、半導体装置の強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。

尚、樹脂注入に於いて、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄは、シート状の導電箔２０と一体で成るため、導電箔２０のずれが無い限り、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの位置ずれは全くない。

以上、絶縁性樹脂１０、アンダーフィル材ＡＦには、凸部として形成された導電パターン１１Ａ〜１１Ｄ、半導体素子１２が埋め込まれ、凸部よりも下方の導電箔２０が裏面に露出されている（以上図５を参照）。

続いて、前記絶縁性樹脂１０の裏面に露出している導電箔２０を取り除き、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄを個々に分離する。

ここの分離工程は、色々な方法が考えられ、裏面をエッチングにより取り除いて分離しても良いし、研磨や研削で削り込んでも分離しても良い。また、両方を採用しても良い。例えば、絶縁性樹脂１０が露出するまで削り込んでいくと、導電箔２０の削りカスや外側に薄くのばされたバリ状の金属が、絶縁性樹脂１０やアンダーフィル材ＡＦに食い込んでしまう問題がある。そのため、エッチングによりパッド１１…を分離すれば、導電パターン１１Ａ〜１１Ｄの間に位置する絶縁性樹脂１０やアンダーフィル材ＡＦの表面に、導電箔２０の金属が食い込むこと無く形成できる。これにより、微細間隔の導電パターン１１Ａ〜１１Ｄ同士の短絡を防止することができる。

また半導体装置１５と成る１ユニットが複数形成されている場合は、この分離の工程の後に、ダイシング工程が追加される。

ここではダイシング装置を採用して個々に分離しているが、チョコレートブレークでも、プレスやカットでも可能である。

ここでは、分離され裏面に露出した導電パターン１１Ａ〜１１Ｄに絶縁被膜１６を形成し、図１Ａの点線の丸で示した部分が露出されるように絶縁被膜１６がパターニングされる。そしてこの後、矢印で示す部分でダイシングされ半導体装置となる。

尚、半田２１は、ダイシングされる前、またはダイシングされた後に形成されても良い。

以上の製造方法により導電パターン、半導体素子が絶縁性樹脂に埋め込まれた軽薄短小のパッケージが実現できる。

図７は、図１の改良された半導体装置であり、絶縁性樹脂１０を省略したものである。図４の工程に於いて、半導体素子１２の裏面にまでアンダーフィル材ＡＦが形成されるように塗布し、固化した後に、絶縁性樹脂１０の形成を省略し、ダイシングしたものである。尚、図７に於いて、半導体素子１２の裏面を露出を露出させても良い。また平面図は、図１Ａと同じになるため、省略した。

本発明は、全実施例に於いて、ロウ材ＳＤが流れないように流れ防止膜を形成している。例えば、半田を例に取れば、図１Ｂに示すように導電パターン１１Ａ〜１１Ｃの少なくとも一部に流れ防止膜ＤＭを形成し、半田の流れを阻止している。流れ防止膜としては、半田との濡れ性が悪い膜、例えば高分子膜またはＮｉの膜の上に形成された酸化膜等である。

また流れ防止膜の平面形状を、図８に示した。尚、図面の都合で放熱用の電極を省略してある。

図８には、Ａ〜Ｅの５つのパターンが形成されているが、これらの一つが選択される。Ａに示すパターンは、パッド１１Ａと配線１１Ｂの境界に流れ防止膜ＤＭが設けられ、パッド１１Ａの実質全域に電気的接続手段が形成されるものである。また配線１１Ｂの全域または外部接続電極１１Ｃも含めて流れ防止膜ＤＭが形成されても良い。Ｂは、パッドに流れ防止膜ＤＭが形成され、電気的接続手段が設けられる部分が取り除かれているものである。Ｃは、タイプＢの形成領域に加え配線１１Ｂ、外部接続電極１１Ｃも流れ防止膜ＤＭが形成されているものである。Ｄは、タイプＣの開口部が矩形から円形になったものである。更にＥは、パッドの上に、リング状に流れ防止膜ＤＭが形成されたものである。尚、パッド１１Ａは、矩形で示されているが、円形でも良い。この流れ防止膜ＤＭは、半田等のロウ材、Ａｇペースト等の導電ペースト、導電性樹脂の流れを防止するものであり、これらの電気的接続手段に対して濡れ性が悪いものである。例えば、半田がタイプＤに設けられた場合、半田が溶けた際、流れ防止膜ＤＭで堰き止められ、表面張力によりきれいな半球が形成される。またこの半田が付く半導体素子のボンディング電極１３の周囲は、パシベーション膜が形成されるため、ボンディング電極にだけで濡れる。よって半導体素子とパッドを半田を介して接続すると、貝柱状に一定の高さを維持して固着できる。また半田の量でこの高さも調整可能なので、半導体素子と導電パターンの間に一定の隙間を設けることができ、この間に洗浄液を浸入させることも可能となる。またアンダーフィル材ＡＦの様な粘性の低い接着剤も浸入させることが可能となる。更に、接続領域以外を全て流れ防止膜ＤＭで被覆することにより、絶縁性樹脂１０との接着性を向上させることも可能となる。

次に、以上の製造方法により発生する効果を説明する。

まず第１に、導電パターンは、ハーフエッチングされ、導電箔と一体となって支持されているため、従来支持用に用いた基板を無くすことができる。

第２に、導電箔には、ハーフエッチングされて凸部となったパッドが形成されるため、パッドの微細化が可能となる。従って幅、間隔を狭くすることができ、より平面サイズの小さいパッケージが形成できる。

第３に、導電パターン、半導体素子、接続手段および封止材で構成されるため、必要最小限で構成でき、極力無駄な材料を無くすことができ、コストを大幅に抑えた薄型の半導体装置が実現できる。

第４に、パッドは、ハーフエッチングで凸部と成って形成され、個別分離は封止の後に行われるため、タイバー、吊りリードは不要となる。よって、タイバー（吊りリード）の形成、タイバー（吊りリード）のカットは、本発明では全く不要となる。

第５に、凸部となった導電パターンが絶縁性樹脂に埋め込まれた後、絶縁性樹脂の裏面から導電箔を取り除いて、導電パターンを分離しているため、従来のリードフレームのように、リードとリードの間に発生する樹脂バリを無くすことができる。

第６に、半導体素子は、アンダーフィル材を介して放熱用の電極と固着され、この放熱用の電極が裏面から露出するので、本半導体装置から発生する熱を、本半導体装置の裏面から効率よく放出することができる。更には、絶縁性接着手段にＳｉ酸化膜や酸化アルミニウム等のフィラーが混入されることで更にその放熱性が向上される。またフィラーサイズを統一すれば、半導体素子１２と導電パターンとの隙間を一定に保つことが出来る。

半導体装置を説明する第３の実施の形態
図９に本半導体装置４０を示す。図９Ａは、その平面図であり、図９Ｂは、Ａ−Ａ線に於ける断面図である。

図１では、パッド１１Ａには、配線１１Ｂ、外部接続電極１１Ｃが一体で形成されていたが、ここではパッド１１Ａの裏面が外部接続電極と成っている。

またパッド１１Ａの裏面が矩形で成っているため、絶縁被膜１６から露出するパターンも前記矩形と同一パターンで形成されている。またアンダーフィル材ＡＦの固着性が考慮されて、放熱用の電極１１Ｄが複数に分割されるように溝４３が形成されている。

以上の説明から明らかなように、本発明では、支持基板を採用しなくても、アイランド状に形成された導電パターンが厚みを持った導電箔（または導電箔）で絶縁性接着手段および絶縁性樹脂に埋め込まれて構成される。また半導体素子の裏面に位置する放熱用の電極が露出しているため、半導体素子の放熱を改善することが出来る。しかも支持基板を採用しないため、薄型で軽量なパッケージが実現できる。

また導電パターン、半導体素子、アンダーフィル材および絶縁性樹脂の必要最小限で構成され、資源に無駄のない回路装置となる。よって完成するまで余分な構成要素が無く、コストを大幅に低減できる半導体装置を実現できる。

本発明の半導体装置を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。 本発明の半導体装置を説明する図である。 本発明の半導体装置に採用する導電パターンを説明する図である。 本発明の半導体装置を説明する図である。 従来の半導体装置を説明する図である。

符号の説明

１０ 絶縁性樹脂
１１Ａ パッド
１１Ｂ 配線
１１Ｃ 外部接続電極
１１Ｄ 放熱用の電極
１２ 半導体素子
１３ ボンディング電極
１４ 分離溝
１６ 絶縁被膜
１７ 露出部
ＡＦ アンダーフィル材

Claims (4)

1. 半導体チップがフェイスダウンで設けられ、前記半導体チップの裏面も含めて絶縁性樹脂に封止され、アイランド状の導電パターンが前記絶縁性樹脂に埋め込まれた半導体装置であり、
   前記絶縁性樹脂から成るパッケージの裏面の中央に露出して設けられ、前記導電パターンの一つである複数に分割された第１の電極と、前記第１の電極の周囲を囲み、前記半導体チップのボンディング電極と対応して設けられ、前記パッケージ裏面から露出し、前記第１の電極よりもサイズが小さく設けられた、外部接続電極と成る前記導電パターンの一つである複数の第２の電極とを有し、
   前記パッケージの裏面には絶縁被膜が設けられ、前記絶縁被膜から露出した前記第１の電極および前記第２の電極にはロウ材または導電ペーストが設けられ、
   前記絶縁被膜から露出する開口部を実質同一サイズとする事で、前記第１の電極および前記第２の電極に設けられるロウ材の高さを実質同一にした事を特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体チップと前記第１の電極との間にアンダーフィル材が設けられ、前記アンダーフィル材は、複数に分割された前記第１の電極と隣の前記第１の電極との間に充填される請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の電極は、放熱電極として機能する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２の電極の裏面形状は矩形で、前記絶縁被膜から露出する前記第１の電極および前記第２の電極は、前記矩形で且つ同一パターンで形成される請求項１に記載の半導体装置。

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