JP4865998B2 - 光源、光ピックアップ装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子を備えた光源に関している。この短波長光源は、光ディスク装置、複写機、印刷機、照明機器、光通信用途、レーザディスプレイなどの各種電子機器に広く用いられている。

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料（Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である））から形成される半導体レーザは、光ディスク装置において超高密度記録を実現するためのキーデバイスである。現在、ＤＶＤよりも高密度のデータ記録に必要な光源としては、ＧａＮ系の青紫色半導体レーザが実用レベルに最も近い。青紫色半導体レーザの高出力化は、光ディスクの高速書き込みを可能にするのみならず、レーザディスプレイへの応用など、新たな技術分野の開拓に必須の技術である。

以下、図７（ａ）および（ｂ）を参照しながら、従来の青紫色半導体レーザを説明する。図示される半導体レーザは、基板７０１と、基板７０１上に形成された積層構造とを有している。この積層構造は、基板７０１の側から、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層７０２、量子井戸活性層７０３、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層７０４、ｐ−ＧａＮコンタクト層７０５とを有している。半導体積層構造の上部において、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層７０４と、ｐ−ＧａＮコンタクト層７０５の一部がストライプ状に加工されており、電流狭窄のためのリッジストライプ７０６を形成している。リッジストライブ７０６の両側は絶縁層７０７で覆われている。リッジストライブ７０６の上面にはｐ電極７０８が、基板７０１の裏面にはｎ電極７０９が形成されている。

動作時、ｐ電極７０８およびｎ電極７０９から注入される電流の増加にともなって、量子井戸活性層７０３内のキャリア密度が上昇し、その値が一定のしきい値キャリア密度に達するとレーザ発振が得られる。

録画再生型の光ディスク装置においては、高出力半導体レーザが望まれる。非特許文献１は、高出力化を実現するため、半導体レーザの共振器を形成する２つの端面の反射率を非対称とする技術を開示している。

光ディスク装置の書き込みに用いられる半導体レーザでは、共振器端面を誘電体多層膜でコーティングすることにより、端面反射率を非対称にすることが行なわれている。共振器端面のうち、レーザ光が出射する側の端面（出射端面）を低反射率に、また、その反対側の端面（後方端面）の反射率を高反射率とする。例えば、出射端面の反射率は１０％に、後方端面の反射率は９０％に設定される。なお、誘電体多層膜の反射率は、積層する誘電体層の屈折率、厚さ、および積層数によって制御することができる。

図７（ａ）に示される半導体レーザは、図８（ａ）に示すようなキャン・パッケージ（容器）に実装され、短波長光の光放射素子として使用される。このパッケージ（短波長光源）は、半導体レーザ８０１、および放熱体として機能するサブマウント８０２が実装されるベース８０３と、キャップ８０４とから構成されている。キャップ８０４は、光を取り出すための光透過窓として機能するガラスプレート８０６と、金属製の土台（缶）８０５とを備えている。半導体レーザ８０１は、サブマウント８０２を介してベース８０３上に搭載され、ベース８０３には、端子を通すための開口部が設けられ、端子が低融点ガラス８０７によって固着されている。

パッケージ内の気密性を保つため、ガラスプレート８０６と缶８０５との隙間は、図８（ｂ）に示されるように、低融点ガラス８０８（数百度で固着）により塞がれている。そして、ベース８０３とキャップ８０４とで囲まれる空間の内部には、窒素（Ｎ₂）ガス等が封入されている。
伊賀健一編著、「半導体レーザ」、第１版、株式会社オーム社、平成６年１０月２５日、ｐ．２３８

しかしながら、図８（ａ）に示す短波長光源によれば、光出力３０ｍＷ程度の高出力で半導体レーザ８０１を長期間動作させると、半導体レーザ８０１の光出射端面に楕円状に異物が析出するという問題が発生した。

この異物は、元素分析（ＥＤＸ等の質量分析）により、カーボン（Ｃ）またはシリコン（Ｓｉ）を主として含有する物質であることがわかった。また、この異物の析出は、半導体レーザ８０１の光出力増加に伴って顕著となることもわかっている。このため、上記の異物析出現象は、光源の出力を高め、録画再生型光ディスク装置の高速記録を実現する上で重大な問題となる。

発明者の実験によると、このような異物の析出は、図８（ａ）に示すパッケージの内部だけで生じる問題でないこともわかった。すなわち、発振波長が４５０ｎｍ以下の短波長半導体レーザを備える各種の電子機器（例えば光ピックアップ装置）において、レーザ光で照射される部分（特に光密度の高い部分）に上述した異物が析出することが観察された。一方、この異物析出現象は、他の半導体レーザ（赤色レーザや赤外レーザ）では観察されていないことから、発振波長が４５０ｎｍ以下の短波長半導体レーザで特に顕著に生じる現象と考えられる。また、このような現象は、波長が可視光の範囲でも、光出力が大きくなると生じえると考えられる。

図８（ａ）に示すようなパッケージ内で析出するＣやＳｉは、大気中に存在する種々の微量物質（ハイドロカーボンやシロキサン）に由来する可能性がある。このため、パッケージ内にＣやＳｉの析出原因物質が混入しない条件で組立工程を行なうことは極めて難しい。また、大気中に存在する原因物質が光ディスク装置内に進入することは、現実には防止することはできず、仮にパッケージ内部をＣフリーまたはＳｉフリーな状態に保持できたとしても、光源から放射された短波長レーザ光が照射されるレンズなどの光学部品上にＣやＳｉを含む物質が析出することを防止することはできない。

本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、短波長半導体レーザや高出力半導体レーザを長期的に安定して動作させることのできる光源、光ピックアップ、および電子機器を提供することにある。

本発明の短波長光源は、光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、前記光を透過させる光透過窓を有し、前記半導体発光素子を収納する容器と、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なうゲッタリング部とを備え、前記ゲッタリング部は、前記容器内において、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置している。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子は、基板と、前記基板上に形成され、第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層を含む積層構造と、前記活性層の第１領域にキャリアを注入するためのメイン電流狭窄構造と、前記活性層の第２領域にキャリアを注入するためのサブ電流狭窄構造と、を有しており、前記光出射面のうち、前記活性層の第２領域で発生した光が出射される部分が前記ゲッタリング部として機能する。

好ましい実施形態において、前記容器は、前記半導体発光素子が載せられた支持部材と、前記光透過窓が固着され、かつ、前記半導体発光素子をカバーするキャップとを有しており、前記ゲッタリング部は前記支持部材上に位置している。

好ましい実施形態において、前記容器は、前記半導体発光素子が載せられた支持部材と、前記光透過窓が固着され、かつ、前記半導体発光素子をカバーするキャップとを有しており、前記ゲッタリング部は、前記光透過窓の内側面のうち、前記光で照射されない領域に位置している。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている。

好ましい実施形態において、前記容器内において前記光で照射される領域の一部にＴｉＯ₂層が形成されている。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子の発振波長をλ、前記ＴｉＯ₂層の屈折率をｎとするとき、前記ＴｉＯ₂層の厚さは略λ／（２ｎ）の整数倍である。

本発明の光源の製造方法は、光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子を用意する工程と、前記光を透過させる光透過窓を有し、前記半導体発光素子を収納する容器を用意する工程と、前記半導体発光素子を前記容器内に収納し、前記半導体発光素子を大気から遮断する工程と、前記容器の内部において、前記半導体発光素子の前記光出射面の前記一部以外に位置する領域を、波長４５０ｎｍ以下の光で照射することにより、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なう工程とを包含する。

好ましい実施形態において、前記ゲッタリングを行なう工程で照射する光の波長は４５０ｎｍ以下である。

好ましい実施形態において、Ｈｇランプ、青色ＬＥＤ、青色レーザ、紫外線ＬＥＤ、または紫外線レーザを使用して前記光を照射する。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている。

本発明の光学ユニットは、光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、受光素子と、前記光を透過させる光透過窓を有し、前記半導体発光素子および前記受光素子を収納する容器と、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なうゲッタリング部とを備え、前記ゲッタリング部は、前記容器内において、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置している。

好ましい実施形態において、前記光の波長は４５０ｎｍ以下である。

本発明の光ピックアップ装置は、光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から放射された光を記録媒体に集光する光学系と、前記記録媒体によって反射された光を検出する光検出器と、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なうゲッタリング部とを備えた光ピックアップ装置であって、前記ゲッタリング部は、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置している。

好ましい実施形態において、前記光の波長は４５０ｎｍ以下である。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子を支持する半導体基板を有し、前記光検出器は前記半導体基板に形成された複数のフォトダイオードを有している。

好ましい実施形態において、前記半導体基板は、シリコンから形成されており、前記半導体基板は、その主面に形成された凹部と、前記凹部の一側面に形成されたマイクロミラーとを有しており、前記半導体発光素子は、前記シリコン基板の前記凹部内に配置され、前記半導体発光素子から放射された光が前記マイクロミラーで前記主面にほぼ垂直な方向に進むように前記マイクロミラーと前記主面との角度が設定されている。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている。

本発明の電子機器は、光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なう装置とを備えている。

好ましい実施形態において、前記装置は、プラズマを発生する装置である。

好ましい実施形態において、前記装置は、波長４５０ｎｍ以下の光を放射する光源を有している。

好ましい実施形態において、前記光源から放射される光の少なくとも一部を受ける位置に設けられた光触媒効果材料膜を更に有しており、前記光触媒効果材料膜は、炭素またはＳｉの化合物を分解し、気化する機能を有している。

好ましい実施形態において、前記光源は、Ｈｇランプ、青色ＬＥＤ、青色レーザ、紫外線ＬＥＤ、または紫外線レーザである。

好ましい実施形態において、前記半導体発光素子が、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている。

本発明によれば、ゲッタリング部などの働きにより、カーボンやシリコンを主として含有する異物のゲッタリングまたは分解を行なうため、長期間安定して動作する光源、および光源を備えた各種の装置を提供することができる。

（実施形態１）
図１を参照しながら、本発明による光源の第１の実施形態を説明する。

本実施形態の光源は、不図示の容器に収納される窒化物半導体レーザ素子を備えている。容器は、例えば図８（ａ）に示される公知の構成を備えていれば良い。

本実施形態で特徴的な点は、半導体レーザ素子の一部が、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質のゲッタリングを行なうゲッタリング部として機能することにある。

本実施形態における半導体レーザは、図１に示されるように、ｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成された半導体積層構造を有している。この半導体積層構造は、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層（第１クラッド層）１０２、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造からなる量子井戸活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層（第２クラッド層）１０４、およびｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１０５を含んでいる。

この半導体レーザは、活性層１０３の第１領域１０３ａにキャリアを注入するためのメイン・ストライプ構造１０６ａと、活性層１０３の第２領域１０３ｂにキャリアを注入するためのサブ・ストライプ構造１０６ｂとを有している。半導体レーザのうち、メイン・ストライプ構造１０６ａが形成されている部分が、動作時にレーザ光を放射する第１の半導体レーザ２０１として機能する。一方、半導体レーザのうち、サブ・ストライプ構造１０６ｂが形成されている部分は、ゲッタリング時において、ゲッタリングに必要なレーザ放射を行なう第２の半導体レーザ２０２として機能する。すなわち、図示されている半導体レーザの光出射端面のうち、活性層１０３の第２領域１０３ｂで発生した光（例えば波長４５０ｎｍ以下の短波長光）が出射される部分がゲッタリング部２０３として機能し、この部分およびその周辺にカーボンやＳｉを含有する堆積物が形成されることになる。

本実施形態におけるメイン・ストライプ構造１０６ａおよびサブ・ストライプ構造１０６ｂは、いずれも、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型クラッド層（第２クラッド層）１０４をリッジストライブ状に加工することによって形成されている。半導体積層構造の上面のうち、リッジ部分にはｐ電極１０８が形成され、それ以外の部分には絶縁層１０７が形成されている。ｎ−ＧａＮ基板１の裏面にはｎ電極１０９が形成されている。

本実施形態では半導体レーザの共振器長、チップ幅、および厚さを、それぞれ、６００μｍ、４００μｍ、および８０μｍに設定されている。第１の半導体レーザ２０１のリッジストライプ幅は、約１．７μｍであり、第２の半導体レーザ２０２のリッジストライプ幅は１０μｍである。

このような構成を有する本実施形態の光源において、第２の半導体レーザ２０２は、容器内の雰囲気中に含まれるＣやＳｉを含有する物質を分解し、その出射端面に優先的に析出させる（ゲッタリング）ために用いられる。このため、第２の半導体レーザ２０２は、ゲッタリングが必要なときだけ、動作し、レーザ光を放射することになる。

上記の半導体レーザをパッケージ内に実装し、外部の大気から遮断する場合は、典型的には、第２の半導体レーザ２０２によるゲッタリングを行なった後に市販されることになる。市販された後は、光源として機能するために必要なレーザ光は第１の半導体レーザ２０１が放射するため、第２の半導体レーザ２０２を動作させる必要はない。このため、パッケージに設ける電極端子は、第１の半導体レーザ２０１のみに接続されていれば良い。ただし、市販され、種々の電子機器に取り付けられた後も、定期的または不定期的に第２の半導体レーザ２０２に電流を流し、ゲッタリングを行なう構成を採用しても良い。

本実施形態の光源を光ディスク装置などの電子機器に用いる場合、まず、第２の半導体レーザ２０２に対して所定の時間（例えば、２４時間）、バイアス電圧を印加して、レーザ発振を生じさせる。これにより、パッケージ内に存在する炭素やＳｉを含有する異物を第２の半導体レーザ２０２の出射端面に析出させる。好ましい実施形態において、このようなゲッタリングは、本実施形態の光源を光ディスク装置などに取り付ける前に行なわれる。

なお、第２の半導体レーザ２０２の光出力が高いほど、ゲッタリングの効果が高くなる。このため、第２の半導体レーザ２０２のストライプ幅を大きく設定し、それによって光出力を高めることが好ましい。このように第２の半導体レーザ２０２のストライプ幅は、ゲッタリング効果の観点から、第１の半導体レーザ２０１のストライプ幅とは無関係に設定され得る。

本実施形態では、半導体レーザの共振器を形成する２つの端面の内、レーザ光が出射される側の端面（光出射端面）には、ＳｉＯ₂層をコーティングし、さらにその上にはＴｉＯ₂層をコーティングしている。また、光出射端面と反対側の端面である後方端面には、ＳｉＯ₂およびＮｂ₂Ｏ₅の多層膜をコーティングしている。光出射端面および後方端面の反射率は、それぞれ、１０％および９０％に設定されている。なお、光出射端面のパワー反射率は、光出力を高くするため、１％から３０％の範囲内に調節されている。

ＴｉＯ₂の結晶構造を適切に選択すると、光出射端面に設けたＴｉＯ₂層が、光触媒効果を発揮し、炭素を含む物質を分解する。このため、ゲッタリングすべき物質が減少するため、好ましい。

ＴｉＯ₂の光触媒効果を高めるには、アナターゼ型結晶構造を有するＴｉＯ₂の層を半導体レーザの光出射端面に堆積することが好ましい。ただし、アナターゼ型結晶構造とルチル型結晶構造とが混在しても構わない。このようなＴｉＯ₂は、例えば、ＲＦスパッタやＥＣＲスパッタなどのスパッタリング法や、ＴｉＯ₂ゾルスプレーによる塗布法によって好適に形成され得る。

本実施形態では、半導体レーザの光出射端面の最表面に位置するＴｉＯ₂層がレーザ光で照射されると、強い光触媒作用が生じ、周辺に存在するハイドロカーボンをＣＯ₂やＨ₂Ｏ等に変化させる。これにより、半導体レーザの出射端面へのカーボンの析出が防止される。

レーザの発振波長をλ、ＴｉＯ₂層の屈折率をｎとするとき、半導体レーザの光出射端面に堆積するＴｉＯ₂層の厚さは、反射率を適切な範囲に設定するという観点から、略λ／（２ｎ）の整数倍であることが好ましい。

本実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板１０１を用いて半導体レーザを作製しているが、その基板はＧａＮから形成されている必要は無い。本発明に用いる半導体レーザの基板は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料がその上にエピタキシャル成長できる基板、例えば、サファイヤ基板やＳｉＣ基板であってもよい。

本実施形態の半導体レーザは、２つのリッジストライプ構造を有しているが、リッジストライプ構造の数は３つ以上であってもよい。リッジストライプ構造の数がＮ個（Ｎは２以上の整数）の場合、ゲッタリングのために使用される半導体レーザ部を規定するリッジストライプ構造の数（Ｍ個）は、１≦Ｍ≦Ｎ−１の関係を満足する。

なお、必ずしも基本横モードのみでのレーザ発振を必要としない大出力半導体レーザにおいても、本発明の構成を採用することにより、第１の半導体レーザ２０１の光出射端面への異物の析出が抑制される。

（実施形態２）
以下、図２（ａ）から図２（ｃ）を参照しながら、本発明による光源の第２の実施形態を説明する。本実施形態でも、半導体発光素子として、窒化物半導体レーザを用いる。

本実施形態の光源は、図２（ａ）に示すように、半導体レーザ３０１と、半導体レーザ３０１をマウントするためのベース３０３と、キャップ３０４とを備えている。本実施形態で使用される半導体レーザ３０１の基本的な構成は、図１に示される半導体レーザの構成と同様であるが、電流狭窄のためのリッジストライプ構造の数は１つでもよい。

キャップ３０４は、レーザ光を外部へ取り出すための透明なガラス３０６と、ガラス３０６を保持する缶３０５とを備えており、半導体レーザ３０１は、サブマウント３０２を介してベース３０３上に搭載され、ベース３０３、缶３０５、およびガラス３０６によって構成されるパッケージ内に密封されている。ベース３０３には、端子を通すための開口部が設けられ、端子が低融点ガラス３０７によって固着されている。端子は不図示のラインによって半導体レーザ３０１の電極に接続される。なお、ガラス３０６は、光を透過する窓（光透過窓）として機能する。

本実施形態では、気密性を向上させるため、図２（ｂ）に示すように、ガラス３０６と缶３０５との間の隙間を低融点ガラス３０８で接着している。ガラス３０６の両面の最表面には、ＴｉＯ₂層３０９、３１０が形成されている。

ガラス３０６の最表面にコーティングされたＴｉＯ₂層３０９およびＴｉＯ₂層３１０を波長４５０ｎｍ以下の光で照射すると、ＴｉＯ₂の光触媒作用により、周辺に存在するハイドロカーボンをＣＯ₂やＨ₂Ｏ等に変化させることができる。これにより、カーボンが安定な状態となるため、ガラス３０６の表面へのカーボンの析出が防止される。このとき、Ｓｉを含む物質も分解され、無害化される。

本実施形態では、ＴｉＯ₂層３０９、３１０をガラス３０６の全面に形成せず、ガラス３０６の中心部の外側に選択的に形成している。このため、ＴｉＯ₂層３０９、３１０上にカーボンやＳｉを含有する異物が堆積しても、半導体レーザ３０１から放射される必要なレーザ光の透過には影響を与えず、光強度の低下を引き起こすことはない。

なお、光触媒効果を高めるには、光照射時におけるＴｉＯ₂層３０９、３１０の温度を上昇させることが好ましい。このため、ＴｉＯ₂層３０９、３１０のうち、特に光触媒効果を発揮させたい領域に対して選択的に紫外線吸収物質をドープしてもよい。あるいは、ＴｉＯ₂層３０９、３１０の下層および／または上層として紫外線吸収材料を含む層を形成してもよい。このような紫外線吸収材料を含む層は、ガラス３０６の全面にではなく、ガラス３０６の中心部の外側に選択的に形成されることが好ましい。紫外線吸収材料を含む層は、たとえばＳｉやＧａＡｓから形成され得る。

光触媒反応を起すためにＴｉＯ₂層３０９、３１０を照射する光として、半導体レーザ３０１が発する光を用いてもよいが、密封容器の内部に半導体レーザ３０１とは別の光源を設け、それを用いても良い。あるいは、密封容器の外部の光源から光をＴｉＯ₂層に入射しても同様の効果が得られる。他の光源から放射された光でＴｉＯ₂層を照射する場合は、ＴｉＯ₂層を、ガラス３０６の表面に限らず、キャップ３０４および／またはベース３０３の表面に形成してもよい。

本実施形態のガラス３０６の表面には、レーザ光の取り出し効率を高めるため、無反射コート処理が施されている。ガラス３０６の表面にコーティングするＴｉＯ₂層の厚さは、レーザチップの発振波長をλ、ＴｉＯ₂層の屈折率をｎとするとき、略λ／（２ｎ）の整数倍であれば高出力レーザを得るための反射率の制御が容易であり、効果的である。

図２（ｃ）に示すように、ガラス３０６と缶３０５とを接着させる低融点ガラス３０８の上からＴｉＯ₂層３１１、３１２を堆積してもよい。こうすることにより、低融点ガラス３０８からの揮発成分の排出を抑制することができ、ゲッタリングされるべき物質の雰囲気ガス中濃度を低減できる。

本実施形態の半導体レーザは、２つ以上のリッジストライプ構造を有していてもよい。また、用いる半導体レーザは、必ずしも基本横モードのみでのレーザ発振を必要としない大出力半導体レーザであってもよい。

更に、本実施形態の光源は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成した半導体レーザを用いているが、本発明は、これに限るものではなく、発光ダイオード（波長は例えば４５０ｎｍ以下）などの発光素子を用いてもよい。また、このような発光素子の製造に用いる半導体材料も、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料に限定されず、ＢＡｌＧａＩｎＮや、砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）を含有した混晶化合物半導体や、他の化合物半導体であってもよい。

（実施形態３）
以下、図３（ａ）および図３（ｂ）を参照しながら、本発明による光源の第３の実施形態を説明する。本実施形態でも、半導体発光素子として、窒化物半導体レーザ素子を用いる。

本実施形態の光源は、図３（ａ）に示されるように、半導体レーザ３０１と、半導体レーザ３０１をマウントするためのベース３０３と、キャップ３０４とを備えており、キャップ３０４は、レーザ光を外部へ取り出すための透明のガラス３０６と、ガラス３０６を保持する缶３０５とを有している。本実施形態の主たる特徴点は、ベース３０３の一部に、空気中のハイドロカーボン等に起因して発生するカーボンを含有する物質や、Ｓｉを含有する物質を析出させるためのゲッタリング部４０１を設けていることにある。ゲッタリング部４０１は、半導体レーザを使用する際の妨げとならない位置に設けられる。

以下、本実施形態の光源の製造方法を説明する。

まず、半導体レーザ３０１をサブマウント３０２とともにベース３０３に実装した後、キャップ３０４をベース３０３上に融着し、半導体レーザ３０１をベース３０３およびキャップ３０４により密封する。その後、図３（ｂ）に示すように、密封された内部に存在するハイドロカーボンやＳｉ含有物質をゲッタリングするため、ゲッタリング部４０１に外部から光（好ましくは波長４５０ｎｍ以下）を集光し、カーボンやＳｉを含有する物質を堆積させる。図示される例では、Ｈｇランプ４０２が放射する紫外線を集光レンズ４０３でゲッタリング部４０１上に集光する。

このようなゲッタリング方法に好適に用いられる光源には、Ｈｇランプの他に、青色ＬＥＤ、青色レーザ、紫外線ＬＥＤ、および紫外線レーザなどが含まれる。

なお、本実施形態では、ゲッタリング部４０１としてベースの一部を利用しているが、ゲッタリング部４０１を形成する位置は、半導体レーザ３０１を使用する際に妨げにならない領域内であればよい。ゲッタリング部４０１は、例えば、半導体レーザの発光領域以外の領域、レーザチップを実装するサブマウント、および、キャップの一部（ガラスのエッジ部など）に設けられていもよい。

ゲッタリングの効果を更に高めるためには、ゲッタリング時におけるゲッタリング部４０１の温度を上昇させることが好ましい。紫外線を吸収して発熱する物質をゲッタリング部に設けると、特別な加熱手段を用いることなく、ゲッタリング部４０１の昇温が可能になる。

（実施形態４）
図４（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明による光ピックアップ装置の実施形態を説明する。

図４（ａ）は、本実施形態に用いる光学ユニットを示す斜視図である。この光学ユニットは、半導体レーザおよび光検出器が一体化された構成を有している。図４（ｂ）は、この光学ユニットを構成要素として備えた光ピックアップの構成を示している。

この光学ユニットは、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を放射する半導体レーザ５０１と、半導体レーザ５０１から放射されたレーザ光を記録媒体に集光する光学系と、記録媒体によって反射されたレーザ光を検出するフォトＩＣ（光検出器）５０２とを備えている。

図４（ａ）に示されるように、Ｓｉ基板５０３（７ｍｍｘ３．５ｍｍ）の主面の中央に凹部が形成されており、その凹部の底面に半導体レーザ５０１が配置されている。Ｓｉ基板５０３の主面に形成された凹部の一側面は傾斜しており、マイクロミラーとして機能する。

Ｓｉ基板５０３の主面が面方位（１００）面である場合、異方性エッチングによって（１１１）面を露出させ、（１１１）面をマイクロミラーとして利用することができる。（１１１）面は、（１００）面と約５４°の角度を成すので、主面が（１００）面から約９°だけ傾斜したオフ基板を用いれば、主面と４５°傾斜した（１１１）面が得られる。この（１１１）面に対向する位置に設けられた（１１１）面は主面に対して６３°の角度を成すことになるが、この面にはマイクロミラーが形成されず、光出力モニター用フォトダイオードが形成される。

異方性エッチングによって形成した（１１１）面は平滑なミラー面であるため、優れたマイクロミラーとして機能する。マイクロミラーの反射率を更に高めるためには、Ｓｉ基板５０３の傾斜面のうち、少なくともマイクロミラーとして機能する部分を金属膜で覆うことが好ましい。

Ｓｉ基板５０３上には、半導体レーザ５０１の光出力モニター用フォトダイオードの他に、フォトダイオードと信号処理回路からなる光信号検出用のフォトＩＣ５０２とが形成されている。

上記の光学ユニットは、図４（ｂ）に示すように、ガラスキャップ５０６によって樹脂リードフレームパッケージ５０４内に密封された状態で使用されることが好ましい。

以下、図４（ｂ）を参照しながら、本実施形態の光ピックアップ装置を説明する。

光学ユニット内の半導体レーザ５０１から放射されたレーザ光は、マイクロミラーで反射されて主面にほぼ垂直な方向に進む。ガラスキャップ５０６を通過したレーザ光は、偏光ホログラム素子５０７に形成されたグレーティングにより３本の光ビームに分離される。図４（ｂ）では、簡単のため、１本の光ビームのみを記載している。

偏光ホログラム素子５０７によって分離された光ビームは、その後、４分の１波長板（不図示）と対物レンズ５０８を透過し、光ディスク５０９上に集光される。

光ディスク５０９から反射されたレーザ光は、対物レンズ５０８と４分の１波長板（不図示）を透過した後、偏光ホログラム素子５０７の上面に形成されたグレーティングによって回折される。回折された光は、光学ユニット内のフォトＩＣ５０２に入射し、情報信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号が生成される。

このように、半導体レーザをフォトダイオードやフォトＩＣなどの光検出器と一体化したユニットを用いることにより、光ディスク装置などの電子機器を小型化することができる。

このような光学ユニットによれば、半導体レーザと光検出器との位置関係が適切な位置に予め固定されているので、光学的なアライメントが容易であり、組立精度が高く、製造工程が簡単になる。

本実施形態では、Ｓｉ基板５０３の一部に空気中のハイドロカーボン等に起因して発生するカーボンを含有する複合物を析出させるゲッタリング部５０５が設けられている。このゲッタリング部５０５は、前記実施形態におけるゲッタリング部４０１と同様の構成を備えている。ゲッタリング部５０５の形成位置は、光ディスク５０９に対するデータ書き込みや、光ディスク５０９からのデータ読み出しのための動作を妨害しないように決定される。具体的には、半導体レーザ５０１から出射されたレーザ光の光路や、光ディスク５０９で反射されて戻ってきたレーザ光の光路を横切られない領域内にゲッタリング部５０５が配置される。

次に、本実施形態の光学ユニットの製造方法を説明する。

まず、半導体レーザ５０１とフォトＩＣ５０２とが一体化された光学ユニットを樹脂リードフレームパッケージ５０４に実装する。この後、Ｎ₂ガス雰囲気下でガラスキャップ５０６を樹脂リードフレームパッケージ５０４に取り付け、パッケージ５０４内に光学ユニットを密封する。

本実施形態では、接着剤を介してガラスキャップ５０６を樹脂リードフレームパッケージ５０４に取り付ける。接着剤としては、例えばエポキシ系の樹脂等が用いられる。

パッケージ内はＮ₂ガスが封入されているため、清浄なガス雰囲気ではあるが、エポキシ系の樹脂から微量の有機物（カーボンを含有）が飛散することがある。本実施形態では、そのようなカーボンや、空気中に微量に含まれるＳｉ含有物質を捕捉するために、ゲッタリング部５０５に外部からの光を集光させ、Ｃおよび／またはＳｉを含む物質をゲッタリング部５０５に析出させる。

このようなゲッタリングに用いられる光源は、波長が４５０ｎｍ以下、好ましくは４００ｎｍ以下の光を出す光源である。好適に使用され得る光源には、Ｈｇランプ、青色ＬＥＤ、青色レーザ、紫外線ＬＥＤ、紫外線レーザなどが含まれる。このような光源のうち、小型化できるものは、パッケージの内部に設けてもよい。

なお、本実施形態では、半導体レーザ、光検出器、およびマイクロミラーが同一基板上に固定されているが、これらの素子が分離されていてもよい。

（実施形態５）
図５を参照しながら、本発明による光ディスク装置の実施形態を説明する。本実施形態の光ディスク装置は、図示される光ピックアップ装置を有しており、光ピックアップ装置以外の構成要素は、公知の光ディスク装置における構成要素と基本的に同一である。このため、以下においては、光ピックアップ装置の構成を説明する。

図示されている光ピックアップ装置は、波長４０８ｎｍのレーザ光を放射する光源６０１と、光源６０１から放射されたレーザ光を平行にするコリメートレンズ６０２と、その平行光を３本の光に分離する回折格子（図示せず）と、レーザ光の特定成分を透過・反射するハーフプリズム６０３と、ハーフプリズム６０３から出たレーザ光を光ディスク６０５上に集光する集光レンズ６０４とを備えている。光ディスク６０５上には、集光されたレーザスポットが形成され、光ディスク６０５に記録されている情報（データ）が読み出され、あるいは、光ディスク６０５にユーザデータが書き込まれる。

光ディスク６０５から反射されたレーザ光は、ハーフプリズム６０３で反射された後、受光レンズ６０６を透過し、フォトＩＣ６０７に入射する。フォトＩＣ６０７は、複数に分割されたフォトダイオードを有しており、光ディスク６０５から反射されたレーザ光に基づいて、情報再生信号、トラッキング信号およびフォーカスエラー信号を生成する。トラッキング信号およびフォーカスエラー信号により、アクチュエータなどの駆動系がレンズを含む光学系を動かすことにより、光ディスク６０５上のレーザスポットの位置が調整される。

このように、本実施形態の光ディスク装置は、光源６０１と、光源６０１から放射されたレーザ光を記録媒体に集光する集光光学系と、前記記録媒体によって反射されたレーザ光を検出する光検出器（フォトＩＣ６０７）とを有する光ピックアップ装置を備えるとともに、光ピックアップ装置に近接してプラズマを発生する装置（プラズマクリーニング装置６０８）を備えている。

プラズマクリーニング装置６０８は、空気中の酸素や水分からイオンやオゾンを発生させる。プラズマクリーニング装置６０８によって生成されたイオンやオゾンは、酸化作用により、ハイドロカーボンをＣＯ₂やＨ₂Ｏ等に変化させる。これにより、光ピックアップ部の構成要素（半導体レーザやレンズ、ミラー等）の表面へのカーボンの析出を予防する。また、構成要素に付着したカーボンもＣＯ₂等に分解して除去することができる。また、オゾンは、シロキサンなどのＳｉ含有物質を分解する効果も有している。

プラズマクリーニング装置６０８は、素子表面に付着しやすい異物のゲッタリング、分解、または気化を行なう装置として機能するものであるため、常時動作する必要ない。例えば、一定間隔毎に、あるいは、半導体レーザから放射される光の強度低下が観察されたときに動作させ、クリーニングを実行すればよい。

なお、光源６０１としては、前述した実施形態に係る光源を用いることが好ましい。

（実施形態６）
図６を参照しながら、本発明による光ディスク装置の他の実施形態を説明する。本実施形態の光ディスク装置も、図示される光ピックアップ装置を有しており、光ピックアップ装置以外の構成要素は、公知の光ディスク装置における構成要素と基本的に同一である。

本実施形態の光ディスク装置は、図５に示す光ピックアップ装置と同様の光ピックアップを備え、かつ、この光ピックアップ装置に近接して配置されたＴｉＯ₂プレート６０９とＨｇランプ６１０とを備えている。

ＴｉＯ₂プレート６０９は、前述したＴｉＯ₂層で表面がコーティングされた部材である。Ｈｇランプ６１０は、ＴｉＯ₂プレート６０９に向けて、波長４５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４００ｎｍ以下の光を放射する光源である。

Ｈｇランプ６１０の発する光でＴｉＯ₂プレート６０９を照射すると、ＴｉＯ₂の強い光触媒作用により、雰囲気ガス中のハイドロカーボンが分解されＣＯ₂やＨ₂Ｏなどに変化する。このため、光ピックアップ部の構成要素（半導体レーザ、レンズ、ミラー等）の表面へのカーボンの析出が抑制される。

なお、光触媒反応を発生させるための光源であるＨｇランプ６１０の点灯は常時行うものではなく、ある一定時間間隔毎に、あるいは、半導体レーザからの光量の低下が見られた時に行なえばよい。

なお、ＴｉＯ₂プレート６０９は、光ピックアップ部と近接して設けられているが、光ピックアップ部、または光ディスクシステムを、ＴｉＯ₂を付着させたプレートで覆ってもよい。

また、ＴｉＯ₂を付着させたプレート６０９を別途配置する代わりに、光ピックアップ部を構成するレンズ、プリズム等の最表面にＴｉＯ₂をコーティングし、その部分に光をあてる構成を採用しても良い。

ＴｉＯ₂が光ピックアップ部の構成要素の表面にコーティングされる場合、そのＴｉＯ₂層の厚さは、各要素の機能を損なわない値に設定される。レーザの発振波長をλ、ＴｉＯ₂の屈折率をｎとするとき、ＴｉＯ₂層の厚さは略λ／（２ｎ）の整数倍であることが好ましい。

なお、光源６０１として、本実施形態１〜６における半導体レーザを用いると、より長期に渡って安定して動作する信頼性の高い光ディスク装置を得ることができる。

上記の各実施形態では、ｎ型ＧａＮ基板を用いて半導体レーザを作製しているが、その基板はＧａＮから形成されている必要は無い。本発明に用いる半導体レーザの基板は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料がその上にエピタキシャル成長できる基板、例えば、サファイヤ基板やＳｉＣ基板であってもよい。

また、上記の各実施形態で使用される発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成された半導体レーザであるが、本発明は、これに限るものではなく、発光ダイオード（特に波長は４５０ｎｍ以下）などの発光素子であってもよい。また、このような発光素子の製造に用いる半導体材料も、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料に限定されず、光を発する半導体材料であれば、ＢＡｌＧａＩｎＮや、砒素（Ａｓ）およびリン（Ｐ）を含有する混晶化合物半導体であってもよい。

（実施形態７）
次に、図９を参照しながら、本発明の光源を備えた装置の実施形態として、レーザ投射型ディスプレイを説明する。

レーザ投射型ディスプレイは、青、緑、赤色のレーザ光源９００ａ、９００ｂ、９００ｃと、空間変調素子９０２と、投射型レンズ９０４とを備えており、スクリーン９０６に映像情報が投射される。青、緑、赤色のレーザ光源９００ａ、９００ｂ、９００ｃは、本発明のいずれかの実施形態に係る光源であり、例えば、図１に示す構成を有している。

レーザ光源９００ａ、９００ｂ、９００ｃから放射されるレーザ光は、コヒーレントであるため、スクリーン９０６上に形成される映像にスペックルノイズが発生する。スペックルノイズを除去するためには、不図示の拡散板などを光路上に挿入し、振動させることが好ましい。空間変調素子９０２を用いる代わりに、ミラーなど備える２次元走査光学系を用いてもよい。

このようなレーザ投射型ディスプレイを実用化するために最も重要な技術は、青、緑、赤色のレーザ９００ａ、９００ｂ、９００ｃの性能、寿命、および信頼性である。赤色のレーザ光は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料を用いて作製され、高出力でかつ信頼性の高い半導体レーザによって得られるが、青色や緑色のレーザ光を放射する高出力でかつ信頼性の高い半導体レーザは実現されていない。

青色や緑色の波長範囲のレーザ光を放射する半導体レーザとしては、窒化物系半導体レーザが有望である。例えば、青紫色レーザの発光層には、ＩｎＧａＮ半導体が用いられる。ＩｎＧａＮ半導体におけるＩｎのモル比を大きくすると、レーザ発振波長を長くすることができる。

青色や緑色領域の半導体レーザの場合、青紫色、紫色、紫外域の半導体レーザに比べて、その光出射端面への異物の付着が少ない。しかし、レーザディスプレイで用いられる可視光レーザは、光ディスクで用いられるレーザよりも高出力であるため、光出射端面などへの異物の付着が問題になる。

本実施形態では、カーボンやシリコンを含有する前述の物質をゲッタリングによって除去するか、プラズマによって分解するため、高輝度で大型のレーザ投射型ディスプレイを実現できる。

なお、レーザディスプレイは、高出力レーザを用いた電子機器であるため、そのような電子機器内の光学系に含まれる素子（レンズや空間変調素子など）についても、カーボンやシリコンを含む物質の付着が問題となる。しかし、前述の実施形態のように、素子表面に付着しやすい異物のゲッタリング、分解、または気化を行なう装置を設けることにより、光学系への付着を低減できるため、安定な動作を実現することができる。

本発明の光源は、光ディスク関連分野のデータ記録および再生用の光源として有用である。また、レーザプリンタや、レーザディスプレイ等の種々の電子機器にも応用される。

本発明による光源の第１の実施形態に用いる半導体レーザの斜視図である。 （ａ）は、本発明による光源の第２の実施形態の断面構成図であり、（ｂ）は、ガラスと缶との接着部近傍を示す部分拡大断面図であり、（ｃ）は、他の形態におけるガラスと缶との接着部近傍を示す部分拡大断面図である。 （ａ）は、本発明による光源の第３の実施形態の断面構成図であり、（ｂ）は、その製造方法を説明する図面である。 （ａ）は、本発明による光ピックアップ装置の実施形態に用いる光学ユニットを示す斜視図であり、（ｂ）は、その実施形態に係る光ピックアップの構成を示す図である。 本発明による電子機器（光ディスク装置）の実施形態を示す構成図である 本発明による電子機器（光ディスク装置）の他の実施形態を示す構成図である。 （ａ）は従来の半導体レーザの構成図であり、（ｂ）は、従来の半導体レーザにおける異物の析出場所を示す図である。 （ａ）は、従来の半導体レーザ素子の一例を示す構成図であり、（ｂ）は、ガラスと缶との接着部近傍を示す部分拡大断面図である。 レーザ投射型ディスプレイの実施形態を示す図である。

符号の説明

１０１ 基板
１０２ ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層
１０３ 量子井戸活性層
１０４ ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層
１０５ ｐ−ＧａＮコンタクト層
１０６ａ メイン・ストライプ構造
１０６ｂ サブ・ストライブ構造
１０７ 絶縁層
１０８ ｐ電極
１０９ ｎ電極
１１０ ＴｉＯ₂層
１１１ ＳｉＯ₂層
２０１、２０２ 半導体レーザ
２０３ ゲッタリング部
３０１、８０１ 半導体レーザ
３０２、８０２ サブマウント
３０３、８０３ ベース
３０４、８０４ キャップ
３０５、８０５ 缶
３０６、８０６ ガラス
３０７、３０８、８０７、８０８ 低融点ガラス
３０９、３１０、３１１、３１２ ＴｉＯ₂
４０１ ゲッタリング部
４０２ Ｈｇランプ
４０３ 集光レンズ
５０１ 半導体レーザ
５０２ フォトＩＣ
５０３ Ｓｉ基板
５０４ 樹脂パッケージ
５０５ ゲッタリング部
５０６ ガラスキャップ
５０７ 偏光ホログラム
５０８ レンズ
５０９ 光ディスク
６０１ 光源
６０２ コリメートレンズ
６０３ ハーフプリズム
６０４ 集光レンズ
６０５ 光ディスク
６０６ 受光レンズ
６０７ フォトＩＣ
６０８ プラズマクリーニング装置
６０９ ＴｉＯ₂付着プレート
６１０ Ｈｇランプ
７０１ 基板
７０２ ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層
７０３ 量子井戸活性層
７０４ ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層
７０５ ｐ−ＧａＮコンタクト層
７０６ リッジストライプ
７０７ 絶縁層
７０８ ｐ電極
７０９ ｎ電極
７１０ 異物（カーボンなど）

Claims (16)

1. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子を用意する工程と、
   前記光を透過させる光透過窓を有し、前記半導体発光素子を収納する容器を用意する工程と、
   前記半導体発光素子を前記容器内に収納し、前記半導体発光素子を大気から遮断する工程と、
   前記容器の外部に配置される光源を用いて、前記容器の内部において前記半導体発光素子の前記光出射面の前記一部以外に位置する領域に対して波長が４５０ｎｍ以下の光を照射することにより、前記容器内に含まれる炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質を前記波長が４５０ｎｍ以下の光で照射された領域に析出させるゲッタリングを行なう工程と、
   を包含する光源の製造方法。
2. Ｈｇランプ、青色ＬＥＤ、青色レーザ、紫外線ＬＥＤ、または紫外線レーザを使用して前記光を照射する請求項１に記載の製造方法。
3. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する第１、第２の半導体発光素子を用意する工程と、
   前記光を透過させる光透過窓を有し、前記第１、第２の半導体発光素子を収納する容器を用意する工程と、
   前記第１、第２の半導体発光素子を前記容器内に収納し、前記第１、第２の半導体発光素子を大気から遮断する工程と、
   前記第２の半導体発光素子を用いて、波長が４５０ｎｍ以下の光を出射することにより、容器内に含まれる炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質を、前記第２の半導体発光素子の光出射面に析出させるゲッタリングを行う工程とを包含する光源の製造方法。
4. 前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている請求項１または３に記載の半導体発光素子の製造方法。
5. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、
   前記光を透過させる光透過窓を有し、かつ前記半導体発光素子を収納する容器と、
   前記容器の外部に配置される光源を用いて波長が４５０ｎｍ以下の光が照射されることにより、前記容器内の炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質が表面に析出された領域であるゲッタリング部とを備え、
   前記ゲッタリング部は、前記容器内において、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置している、光源。
6. 前記容器は、
   前記半導体発光素子が載せられる支持部材と、
   前記光透過窓が固着され、かつ、前記半導体発光素子をカバーするキャップとを有しており、
   前記ゲッタリング部は前記支持部材上に位置している、請求項５に記載の光源。
7. 前記容器は、
   前記半導体発光素子が載せられた支持部材と、
   前記光透過窓が固着され、かつ、前記半導体発光素子をカバーするキャップと、
   を有しており、
   前記ゲッタリング部は、前記光透過窓の内側面のうち、前記光で照射されない領域に位置している、請求項５に記載の光源。
8. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する第１、第２の半導体発光素子と、
   前記光を透過させる光透過窓を有し、かつ前記第１、第２の半導体発光素子を収納する容器とを備え、
   前記第２の半導体発光素子の光出射面はゲッタリング部であり、
   前記第２の半導体発光素子から波長が４５０ｎｍ以下の光が出射されることにより、前記ゲッタリング部には、前記容器内の炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質が析出する、光源。
9. 前記第１、第２の半導体発光素子は、
   基板と、
   前記基板上に形成され、第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層を含む積層構造とを備え、
   前記第１の半導体発光素子は、前記活性層の第１領域にキャリアを注入するためのメイン電流狭窄構造をさらに備え、
   前記第２の半導体発光素子は、前記活性層の第２領域にキャリアを注入するためのサブ電流狭窄構造をさらに備える、請求項８に記載の光源。
10. 前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている請求項５から９のいずれかに記載の光源。
11. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、
    受光素子と、
    前記光を透過させる光透過窓を有し、前記半導体発光素子および前記受光素子を収納する容器と、
    光源を用いて、波長が４５０ｎｍ以下である光が照射されることにより、前記容器内の炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質が表面に析出された領域であるゲッタリング部とを備え、
    前記ゲッタリング部は、前記容器内において、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置している、光学ユニット。
12. 前記光源は、前記容器の内部または外部に設けられている、請求項１１に記載の光学ユニット。
13. 光出射面を有し、前記光出射面の一部から光を放射する半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子から放射された光を記録媒体に集光する光学系と、
    前記記録媒体によって反射された光を検出する光検出器と、
    光源を用いて、波長が４５０ｎｍ以下である光が照射されることにより、炭素およびシリコンの少なくとも一方を含む物質が表面に析出された領域であるゲッタリング部と、
    を備えた光ピックアップ装置であって、
    前記ゲッタリング部は、前記半導体発光素子における前記光出射面の前記一部以外の領域に位置する光ピックアップ装置。
14. 前記半導体発光素子を支持する半導体基板を有し、
    前記光検出器は前記半導体基板に形成された複数のフォトダイオードを有している、請求項１３に記載の光ピックアップ装置。
15. 前記半導体基板は、シリコンから形成されており、
    前記半導体基板は、その主面に形成された凹部と、前記凹部の一側面に形成されたマイクロミラーとを有しており、
    前記半導体発光素子は、前記シリコン基板の前記凹部内に配置され、前記半導体発光素子から放射された光が前記マイクロミラーで前記主面にほぼ垂直な方向に進むように前記マイクロミラーと前記主面との角度が設定されている請求項１４に記載の光ピックアップ装置。
16. 前記半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体材料から形成されている請求項１３から１５のいずれかに記載の光ピックアップ装置。