JP4866404B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置における基板を、例えば、水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬することが提案されている。１つ以上の他の液体も使用され得るが、液体は、望ましくは、蒸留水である。本発明の一実施形態は、液体に関して説明される。しかしながら、流体が適すこともあり得、特に、空気より高い屈折率、望ましくは、水より高い屈折率を有する流体が適する。その要点は、より微細なフィーチャを結像可能にすることである。というのは、露光放射が、液体中の方が短い波長を有するからである。（液体の効果は、システムの有効ＮＡを上げ、焦点深度も上げることと考えることもできる。）。固体粒子（例えば、クォーツ）が浮遊している水などの他の液浸液が提示されている。

[0004] しかしながら、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）は、スキャン露光中に加速すべき大量の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、かつ液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムＩＨが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所エリアおよび投影システムの最終要素と基板との間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するための１つの提示されている方法が国際公開公報ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、かつ低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。図２の図解では、液体は最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、そのとおりである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口および出口の様々な配向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的パターンで設けられている。

[0006] 局所液体供給システムを用いるさらなる液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬの各側にある２本の溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴がある板に配置されることができる。投影ビームは、穴を通って投影される。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、この構成によって投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは不活性である）。

[0007] 提案されている局所液体供給システムの解決法を備えた他の液浸リソグラフィの解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を備えた液体供給システムを提供することである。そのような解決法が図５に示されている。この液体閉じ込め構造ＩＨは、ＸＹ平面において投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対移動があり得る。一実施形態においては、液体閉じ込め構造と基板の表面との間にはシールが形成されており、ガスシールなどの非接触シールとすることもできる。

[0008] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に液体を少なくとも部分的に含む。基板への非接触シール１６は、液体が基板表面と投影システムの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができる。この空間は、投影システムＰＬの最終要素の下に同要素を取り囲んで位置決めされた液体閉じ込め構造１２により少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３により、投影システムの下方かつ液体閉じ込め構造１２の内部の空間に運ばれる。液体は、液体出口１３により除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上方に延在し、液面は、液体のバッファが提供されるように最終要素の上方に昇る。液体閉じ込め構造１２は内周部を有し、一実施形態において、この内周部は、上端において、投影システムまたは投影システムの最終要素の形状に厳密に従い、かつ、例えば丸くすることができる。底部において、この内周部は、イメージフィールドの形状、例えば長方形に厳密に従うが、必ずしもこのようにする必要はない。

[0009] 液体は、使用中に液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されている。ガスシールは、例えば、空気または合成空気のようなガスで形成されるが、一実施形態ではＮ₂または別の不活性ガスであり、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間のギャップに提供され、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４への真空のレベル、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速のガス流があるように構成される。その入口／出口は、空間１１を囲む環状溝とすることができ、ガス１６の流れは、液体を空間１１に収容させるのに効果的である。そのようなシステムは、参照によりその全容が本明細書中に援用される米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0010] それぞれの全容が参照により本明細書に援用されているヨーロッパ特許出願公報第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０１３６４９４号には、ツインまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の案が開示されている。そのような装置には、基板をサポートするために２つのテーブルが設けられている。液浸液を使用せずに、第１の位置におけるテーブルを用いてレベリング測定が行なわれ、液浸液が存在する第２の位置におけるテーブルを用いて露光が実行される。代案として、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0011] ヨーロッパ特許出願公報第ＥＰ１４９４０７９号においては、液体閉じ込めシステムは、バリア部材の単一底面に液体入口を含む。その半径方向外側には、ガスおよび液体のための抽出出口がある。その液体供給システムにおいては、バリア部材は、入口から出る液体の静圧および動圧を通じて基板テーブルに少なくとも部分的にサポートされていて、すなわち、液体入口が液体ベアリングを形成する。図５がそのような液体閉じ込めシステムを示している。

[0012] ヨーロッパ特許出願公報第ＥＰ１４２０２９９号は、例えば、基板交換中に、液体供給システムに取り付けられることができ、かつ液体をブロックすることができるシャッター部材の使用によって投影システムの最終要素を濡れたまま維持できる液浸リソグラフィ装置を開示している。このように、投影システムの最終要素を濡れたまま維持でき、かつ液体供給システムからの液体の漏れを防ぐことができるように、液体は液体供給システム内で維持することができる。

[0013] 改良された液浸リソグラフィ装置を提供することが望ましい。例えば、基板交換中に投影システムの最終要素を濡れたままに保つためにバリア部材をシャッター部材と組み合わせることができる装置を提供することが望ましい。

[0014] 本発明の一態様によれば、投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された流体入口を含む、流体閉じ込めシステムと、入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって流体入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムとを含む、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0015] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置であって、投影システムと基板との間に液体を閉じ込める液体閉じ込めシステムを含み、液体閉じ込めシステムは、コンポーネントを用いて流体の流れを基板および／または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導する液体供給入口と、液体供給入口からの液体および／または液体閉じ込めシステムの外からのガスを抽出する抽出出口であって、液体供給入口が配置されている第２の表面より、基板および／または基板テーブルから遠い液体閉じ込めシステムの第１の表面にある、抽出出口とを含む、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0016] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置であって、投影システムの最終要素と基板との間に流体を閉じ込めるための流体閉じ込めシステムを含み、流体閉じ込めシステムは、コンポーネントを用いて流体の流れを基板に向かって誘導するための流体供給出口と、流体供給出口からの流体および／または流体閉じ込めシステムの外からのガスを抽出する抽出入口であって、流体供給出口が配置されている第２の表面より、基板および／または基板をサポートするための基板テーブルから遠い流体閉じ込めシステムの第１の表面にある、抽出入口とを含む、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0017] 本発明の一態様によれば、投影システムと基板の局所エリアとの間の空間に液体を閉じ込める流体閉じ込めシステムと、流体が流体閉じ込めシステムによって閉じ込められるように、投影システムと反対側の流体閉じ込めシステムの下側に配置可能であるシャッター部材と、流体閉じ込めシステムに面しているシャッター部材の表面上の突出体であって、突出体の位置は、下側に隣接している場合、下側の流体供給出口に対応するが、下側の抽出入口には対応しない、突出体とを含む、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0018] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置であって、投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める、流体の流れのための導管を含む流体閉じ込めシステムを含み、流体閉じ込めシステムは、空間に流体を供給する導管における出口であって、導管の中間端である出口と、流体の流れの方向に、出口または出口の下流に配置されているフロー制限と、弁であって、弁が出口を通る流体の流量を制御するように動作可能であるように、かつ流体が導管を連続的に流れるように、導管に配置された弁とを有する、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0019] 本発明の一態様によれば、基板上に、流体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている流体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、流体閉じ込めシステムは、少なくとも部分的に流体供給入口から出て基板へ向かう流体の流れに支えられ、かつ流体供給入口への流体流量は、流体供給入口に接続されている入口ポートへの流量および流体供給入口にやはり接続されている出口ポートを介して流体供給入口から出る流量によって調節されている、デバイス製造方法が提供される。

[0020] 本発明の一態様によれば、基板上に、液体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている液体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、液体閉じ込めシステムは、液体供給入口であって、該流体供給入口を通して、液体の流れがコンポーネントを用いて基板および／または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導される、液体供給入口と、抽出出口であって、該抽出出口を通して、液体供給入口からの液体および／または液体閉じ込めシステムの外からのガスが抽出され、液体供給入口が配置されている第２の表面より、基板および／または基板テーブルから遠い液体閉じ込めシステムの第１の表面にある、抽出出口とを含む、デバイス製造方法が提供される。

[0021] 本発明の一態様によれば、流体閉じ込めシステムの下で基板を交換する方法であって、第１の基板を流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かし、かつシャッター部材上の突出体が少なくとも流体閉じ込めシステムの下面における流体供給入口の下の位置にあるが、流体閉じ込めシステムの下側における抽出出口の下にはないように、流体閉じ込めシステムの下のシャッター部材を動かすことと、シャッター部材を流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かすことと、第２の基板を流体閉じ込めシステムの下に動かすこととを含む、方法。
[0022] ここで、本発明の実施形態を、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す添付の概略図を参照して説明する。

[0030] 図１は、発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。

[0031] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0032] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0033] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0034] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0035] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0036] 本明細書に示されているとおり、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0037] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造、例えば、マスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／またはサポート構造は並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造を露光用に使うこともできる。

[0038] 図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0040] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１ａには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0041] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0042] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0043] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポートテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0044] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポートテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0045] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0046] 図５は、本発明の一実施形態の液体供給システムおよび／またはシャッター部材と共に使用され得る液体閉じ込めシステム４，ＩＨを示している。図５の液体閉じ込めシステム４は、本発明の一実施形態によって解消される問題の一部に対する理解を与えるために記載されている。

[0047] 液体が、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間２を充填する。液体閉じ込めシステム４（時々シール部材またはバリア部材と呼ばれる）は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの表面との間に配置されている。液体閉じ込めシステム４は、空間２を内側壁で規定する。シール部材４と基板Ｗの表面との間に液体シールが形成される。これは、空間２からの液体漏れを防ぐ。

[0048] 液体閉じ込め部材４は、液体供給入口６および液体出口８を有する。入口６および出口８は、基板に面する液体閉じ込め部材４の表面（以下、プライマリ表面と呼ぶ）にある。出口８は、投影システムＰＬの光軸に対して入口６の半径方向内側に配置されている。一実施形態においては、入口６は、出口８の半径方向内側に配置することもできる。液体シールは、入口６から出口８への液体の流れによって形成される。

[0049] 液体閉じ込めシステム４は、液体閉じ込めシステム４と基板Ｗとの間の液体によって規定される静圧／動圧ベアリングによって少なくとも部分的にサポートされることができる。この静圧／動圧ベアリングは、次いで、空間２からの液体の漏れを防ぐために液体シールを設けるとともに、液体閉じ込めシステム４を少なくとも部分的にサポートできる。あるいはまたはさらに、液体閉じ込めシステムは、１つ以上のバネまたはアクチュエータ４によってサポートされることもできる。

[0050] 抽出出口１０も、液体閉じ込めシステム４のプライマリ表面に形成される。抽出出口１０は、光軸に対して入口６から半径方向外側である。抽出出口１０は、シールから液体に液浸されていない基板Ｗのエリアに漏れ出し得る任意の液体を抽出するように構成されている。

[0051] 追加の液体供給入口１２が空間２に形成される。この追加の液体供給入口１２は、液体を空間２に供給するために使用される。

[0052] 図５は、液体閉じ込めシステムを断面図で示している。入口６および１２ならびに出口８および１０が液体で充填された空間２の周りを連続的に延びることができることが理解される。したがって、基板の表面から見た場合、入口６および１２ならびに出口８および１０は、溝を形成する。この溝は、環状、長方形または多角形とすることができる。あるいは、入口および出口は、溝内の別々の配置に設けられることができる。溝は、連続的または非連続的とすることができ、かつ任意選択で、空間の周りを連続的に延びないこともある。

[0053] 水平部材１６は、液体閉じ込めシステム４を基準フレームＲＦの側面に接続する。この部材は、液体ベアリングとともに液体閉じ込めシステム４に対するサポートを提供し、かつ正確な水平位置が維持されていることを保証する。これは、液体閉じ込めシステム４を水平のｘ，ｙ平面における投影システムＰＬに対して実質的に静止したまま保つ。部材１６は、垂直のｚ方向における相対移動および垂直平面における傾斜は可能とする。

[0054] 任意選択として、１つ以上の調節可能な受動的（または能動的）なバネまたはアクチュエータ１４が、基板Ｗの方向において、液体閉じ込めシステム４にバイアス力を加えるために用いられることができる。このバイアス力は、静圧／動圧ベアリングの作動圧力がベアリングの寸法を変える必要なく変えられることを可能にする。

[0055] 静圧／動圧ベアリングによって発揮される力（およびバネまたはアクチュエータによって加えられる任意の力）は、液体閉じ込めシステム４の重力によって下方に発揮される力と一致するべきである。力は、ベアリングが作用する有効な表面積に対して掛け算された圧力と等しい。

[0056] 図５の液体閉じ込めシステムをシャッター部材とともに用いることに対して、１つ以上の困難なことが関連し得る。シャッター部材は、空間２内の液体が液体閉じ込めシステムから流れ出ないように基板Ｗと同じ位置に配置された部材として見ることができる。シャッター部材２０は、基板テーブルＷＴに対して独立して移動可能とすることができ、または基板テーブルＷＴの一部とすることができる。

[0057] シャッター部材を取り付ける都合の良い方法は、液体閉じ込めシステム４とシャッター部材との間に引力を生成するために抽出出口１０を用いることである。シャッター部材は、液体閉じ込めシステム４のプライマリ表面と接触する。入口および出口６，８に入る／から出る液体の流れは、停止されるか、または減少される。その場合、シャッター部材は、液体閉じ込めシステム４のプライマリ表面と接触する。

[0058] このシステムの困難性は、液体閉じ込めシステム内にある液体がコンタミを収集し得ることである。さらにまたは付加的に、液体閉じ込めシステム４の温度は、その中における液体の流量の変化によって変化し得る。これらの１つ以上の問題は、図６〜図８を参照して次述される本発明の一実施形態の液体閉じ込めシステム、液体制御システムおよびシャッター部材によって対処されることができる。図６〜図８の実施形態は、共通の利点、つまり、結像されたプロダクトにおける欠点の減少を有する。これは、液体を液体閉じ込めシステム４の中に実質的に連続して流れさせることによって達成される。すなわち、液体閉じ込めシステム内の静止液体は、少なくとも大幅に回避される。

[0059] 図６は、本発明の一実施形態による液体閉じ込めシステム４の半分を断面図で示している。図６の液体閉じ込めシステムにおいては、投影システムＰＬは、図示されるように左側に位置される。液体閉じ込めシステム４の底または下面であるプライマリ表面上には、液体供給入口６が配置されている。液体供給入口６は、液体閉じ込めシステムの下面における半径方向に最も内側のコンポーネントである。液体供給入口６に入る液体は、気圧より大きく、通常約０．５棒ゲージである。

[0060] 液体供給入口６の半径方向外側にあるのは、抽出出口１０である。抽出出口１０は、液体閉じ込めシステム４の外から半径方向内側のガスの流れをもたらす（矢印１１によって示される）。ガスの流れは、液体供給入口６から半径方向外側に移動する液体をシールするために効果的であり、それによって全てではない場合、ほとんどのそのような液体が出口１０を通じて抽出される。

[0061] この実施形態においては、下側に液体出口が図示されていないが、そのようなコンポーネントは存在し得る。例えば、米国特許出願公報第２００６−００３８９６８号で開示されているように、単一位相液体抽出器が存在し得る。任意の数のコンポーネントが底面に存在し得る。抽出出口１０の半径方向外側にアクティブコンポーネントがない場合もある（例えば、抽出出口１０の半径方向外側にガスナイフがない場合があるか、または任意のそのようなガスナイフはオフされることができる）。

[0062] 図６ａに示されるように、シャッター部材２０は取付け位置にある。取付け位置では、シャッター部材２０は液体閉じ込めシステム４のプライマリ表面または下面と接触している。この位置では、入口６から液体は流れ出ないが、抽出出口１０を通るガスの流れは維持される。これは、シャッター部材２０が液体閉じ込めシステム４の底部に引き寄せられて、それによって取り付けられるように、液体閉じ込めシステム４とシャッター部材２０との間に下圧を生成する。図７を参照して後述されるように、液体閉じ込めシステム４を通る液体の流れは維持されることができる。

[0063] 基板テーブル、基板またはシャッター部材のようなオブジェクトの上方を越える液体閉じ込めシステム４の高さが非常に小さくなると、非常に高くなり得る毛細管力を予測することが困難である。一般に、毛細管力の強さは、高さに対して逆比例している。高さが低い場合（例えば、０〜１０μｍ）、大きな力の違いが生じ得る。設計の高さは、オブジェクトの上方を越える液体閉じ込めシステムの底部の平均距離である。例えば、基板のトポグラフィは、公称レベルから±５０μｍ変化し得る。設計の高さが１００μｍであった場合、距離が５０と１５０μｍとの間にあるため、力における違いはかなり低い。本発明の一実施形態が液体閉じ込めシステムの高さにおけるより良い制御という結果につながるため、予測不可能な毛細管力の生成は回避される。液体閉じ込めシステムの高さは、液体内の任意のコンタミ粒子がオブジェクトをひっかくことなく液体閉じ込めシステムとオブジェクト（例えば、基板、基板テーブルまたはシャッター部材）との間を通れるように、選ばれる。したがって、高さは、少なくとも任意の予測されたコンタミ粒子の最も大きい寸法になるように制御される。

[0064] さらに、液体閉じ込めシステム４の高さの改良された制御は、液体閉じ込めシステム４の下面にあるステップ３１によって達成される。これは、抽出出口１０が形成された第１の表面３２が、液体供給入口６を通る第２の表面３３より付与可能オブジェクト（例えば、基板テーブルおよび／またはシャッター部材２０）から遠いことを保証するために役立つ。高さの違いは、１ｍｍより小さく、望ましくは０．４ｍｍより小さい。高さの違いは、１０〜５０μｍとでき、望ましくは約２５〜３５μｍ、望ましくは約３０μｍである。この構成の利点は、以下に説明される。これは、液体供給入口６から出る液体の流れによって生成される反発力と下圧に接続されている抽出出口１０によって生成される引力とのバランスにつながる。一般的には、第１の表面３２と第２の表面３３との高さの違いは、比率で表される。例えば、第１の表面は、通常第２の表面より約１／１０〜３倍オブジェクトから遠い。

[0065] 静圧／動圧ベアリングは、液体閉じ込めシステムの重さの１０％（またはある状況ではそれ以上）もサポートできる。液体閉じ込めシステムの残りの重さは、１つ以上のバネまたはアクチュエータ１４によってとられる。シャッター部材が取り付けられている場合、液体閉じ込めシステムの全ての重さは、１つ以上のバネまたはアクチュエータ１４によってとられる。

[0066] 静圧／動圧ベアリングは、液体供給入口６からの液体が液体閉じ込めシステム４と、必要に応じて、基板Ｗ、基板テーブルＷＴまたはシャッター部材との間にあることによって実現される。液体供給入口６から出る液体の流れがそれら２つのオブジェクトの間に反発力を生成する一方、抽出出口１０への液体およびガスの流れは引力を生成する。ガスナイフが存在した場合、更なる反発力が提供される。これは、液体閉じ込めシステム４がシャッター部材２０、基板Ｗまたは基板テーブルＷＴに向かって引っ張られるおよび／またはその逆というクラッシュ事態を避けるために役立つ。この引っ張ることは、その２つのオブジェクトとの間に望ましくないおよび制御されていないクラッシュをもたらすこともあり、またはオブジェクト間のパーティクルが１つまたは両方のオブジェクトを引っかくようにオブジェクトを十分に近づけることもある。

[0067] しかしながら、ガスナイフが存在しないかまたはガスナイフが不活性な場合、液体閉じ込めシステム４が適用可能オブジェクトに近づいてくるにつれて（および／または適用可能オブジェクトが液体閉じ込めシステム４に近づいてきた場合）、反発力および引力の両方が増加する。第１の表面３２が第２の表面３３よりオブジェクトから遠いことを保証することによって、これは、反発力が引力より早く増加することを保証するために役立ち、液体閉じ込めシステム４とオブジェクトとの間の衝突を防ぐために役立つ。後述されるように、液体供給入口６から出る液体の流れを変化させることによって更なる制御が実現される。

[0068] 欧州特許出願公報第１４９４０７９号の第３の実施形態に関連して説明されるように、第１の表面３２における出口１０は、当然アーク形または任意の曲がった断面を有する丸いエッジを有することができる。出口１０が延びる表面が、入口６が延びる表面より、必要に応じて、基板Ｗ、基板テーブルＷＴまたはシャッター部材２０から遠いことが望ましい。

[0069] 図６ｂは、液体閉じ込めシステム４のプライマリ表面にステップが形成される代わりに、溝３５が形成されている以外は図６ａに示されているものと同じである更なる実施形態を示している。実質的にこれは、第１の表面３２が液体閉じ込めシステム４の下面における凹所の上側壁であることを意味する。この実施形態においては、出口１０によって生成される下圧は同じである。しかしながら、下圧は、出口１０が第２の表面３３と同じレベルにある表面にあった場合より大きな面積に加えられる。したがって、力はより大きく、かつオブジェクトはより高い力で押し付けられる。

[0070] 図６に示されるように、液体供給入口６および抽出出口１０はそれぞれチャンバ４０，５０を介して、液体供給および下圧源に接続されている。これらのチャンバは、圧力変動を均等にするために効果的である。様々な導管がただ単に一緒に接合されるようにチャンバ４０（または５０）は非常に小さく形成され得ることが理解される。

[0071] チャンバ４０には、液体供給入口６に接続されている導管を介してチャンバを去る液体チャンバ出口４２がある。チャンバ４０は、導管４５を介して液体供給へと去る入口ポート４４および導管４７を介してドレインまたは低圧源へと去る出口ポート４６をも有する。液体は、任意選択として、再利用される。そのような再利用は、コンタミ粒子の濾過を含むことができる。

[0072] 出口８，１０を通じる抽出を制御するためのコントローラが提供される。コントローラは１つ以上の弁を制御する。コントローラは入口６，１２を通る液体の流れも制御する。コントローラは、使用中に、液体閉じ込めシステムの下側のジオメトリと組み合わせて、液体閉じ込めシステムと適用可能オブジェクトとの間に反発力が生成されるようなレベルで、出口を通じる抽出を、および入口を通じる液体の流れを制御することができる。この反発力は、入口を通る液体の流れが出口を通る流れによって生成されるオブジェクトと液体閉じ込めシステムとの間の引力より大きい力を生成することを保証することによって生成される。これは、オブジェクトの上方を越える液体閉じ込めシステムの高さに関係なく、事実であるように構成されることができる。

[0073] 図７は、液体チャンバ出口４２から出る液体、かつそれによって液体供給入口６（フロー制限として作用する）から出る液体の流れを制御するための液体供給システムを示している。これは、出口ポート４６とドレインとの間に接続されている第１の弁６０によって実現される。通常動作において、例えば、スキャン中、液体閉じ込めシステム４が入口６から出ている液体に支えられている場合、第１の弁６０は部分的に閉じられている。液体が入口６から流れ出る必要がもうない場合、例えば、シャッター部材２０が液体閉じ込めシステム４の下側へ押し付けられている間、第１の弁６０は少なくとも部分的に開いたままである。したがって、入口６を通る流れがオフの間、液体閉じ込めシステム４を通る液体の流れは維持される。出口ポート４６は液体を空間に提供するための流体入口ではない。出口ポート４６は、液体閉じ込めシステム４から液体を除去するように構成されている。入口ポート４４は、液体供給に接続されるように構成されている。

[0074] これは、例えば、基板交換中、液体閉じ込めシステムにある液体が少なくなるという結果となり、それによって粒子が汚染されるリスクが可能な限り減少される。さらに、液体閉じ込めシステム４を通る液体の流れを有することは、実質的に一定の温度を維持していることを保証するのに役立つ（例えば、液体閉じ込めシステム４から液体への実質的一定のレートの熱伝達がある）。第１の弁６０は、連続的に可変であるか、あるいは２つまたは３つ以上の位置を有し得る。これは、入口６から出る液体の流量が変化することを可能にし、それによってベアリング力を変化させる。

[0075] 例えば、シャッター部材２０の取外しの間、リリース力を生成するために第１の弁６０も一時的に閉鎖される。第１の弁６０は、緊急時にも閉鎖されることができる。これは、液体閉じ込めシステム４と、その液体閉じ込めシステム４がサポートされているオブジェクト（または支えられているオブジェクト）との間の最大の抵抗力を保証する。これは、オブジェクトを液体閉じ込めシステムからはねのけるのに役立つ。これは、入口６から出る液体の最大の流量によって達成されることができる。その後、第１の弁６０は装置の洪水を防ぐために開けられる。

[0076] したがって、見られるように、液体閉じ込めシステム４および液体供給システムは、シャッター部材２０のより早くて安全な取付け／取外しという結果になる。

[0077] 液体供給と入口ポート４４との間に第２の弁７０を提供することも可能である。一般に、この弁は設置の時から開いたままである。さらに、第３の弁８０も入口ポート４４とドレインとの間に提供される。この弁は、一般に、第１の弁６０が閉じられた後に開けられる緊急時以外は閉じられたままである。したがって、液体閉じ込めシステム４とその下にあるオブジェクトが近づきすぎると、その間に反発力パルスが生成される。したがって、衝突とともに引っかきを回避でき、かつ装置の洪水を防ぐために液体はドレインへと流れることができる。システムを動作させる方法は当然ほかにもあり得、特に、第１のおよび第２の弁６０，７０の両方を有する必要はない。さらに、第３の弁８０は任意の特徴である。

[0078] ３つの弁６０，７０，８０の全てを上述の方法で制御するための制御システムを提供できる。

[0079] 理解されるように、この液体供給システムは、図６ａおよび図６ｂに示されるもの以外の液体閉じ込めシステムの他の構成と用いられ得る。液体供給システムは、特に、液体被支持閉じ込めシステムとの使用に適している。液体被支持閉じ込めシステムは、閉じ込めシステムの重さの少なくとも一部が液体の層にサポートされているものである。液体供給システムは、液体供給入口６あるいは液体閉じ込めシステムの全ての液体供給入口または一部の液体供給入口に対して使用されることができる。必要な場合、別の液体供給システムが空間２を液体で充填するために使用されることができる。

[0080] 図７ｂは、液体供給システムのさらなる実施形態を示している。この実施形態は、バイパス導管９０が第１の弁６０と並列に設けられていること以外は図７ａと同じである。バイパス９０はフロー制限を備えて設けられている。バイパス９０は常に開いている。したがって、第１の弁６０が閉じられている場合でも、バイパス９０を通る液体の流れは常にある。このように、システム内では、減少した量の静止した液体があるかまたはその液体が全くない。さらに、弁６０を開けるかまたは閉じることによる任意の圧力変動が減少される。

[0081] 第１のおよび第２の弁６０，７０は、当然出口ポート４６および入口ポート４４の下流および上流のそれぞれとして図示され、説明されている。しかしながら、第１の弁６０が出口ポート４６の上流に配置されることも可能である。さらに、第２の弁７０が入口ポート４４の下流に配置されることも可能である。実際には、入口ポートまたは出口ポートを識別するのは困難であり、システムを見る他の方法は以下のとおりである。導管が、流体の流れのために設けられる。導管は、例えば、チャンバ出口４２によって、空間に液体を供給するために入口に接続されている。チャンバ出口４２は、フロー制限を含むことができる。さらにまたはあるいは、導管において、入口への接続の下流にフロー制限があってもよい。少なくとも１つの弁が導管内に配置されている。弁は、入口６を通る液体の流量を制御するように動作可能である。弁は、流体が導管を連続的に通ることも保証し得る。弁は、入口６への接続の上流または下流に配置されてもよい。

[0082] したがって、一実施形態においては、弁が開いている場合、実質的に全ての液体の流れは弁を介して流れ、弁が閉じられている場合、全ての液体の流れは入口を介して流れ、かつチャンバ出口４２を介して流れる。有利には、液体閉じ込めシステムを通る液体の流れは連続的である。望ましくは、（入口６に接続されている）出口は、導管の端と端との中間にある。

[0083] 図８は、液体供給入口６および抽出出口１０が単一表面に形成され、それによって基板からの高さが同じである表面にあること以外は、図６のものと同様の液体閉じ込めシステム４を示している。液体閉じ込めシステム４はシャッター部材２０が取付けられて示されている。しかしながら、シャッター部材２０の上面に突出体７０を設けることによって、図６の液体閉じ込めシステムにおけるステップ３１によって提供されるような効果と同様な効果が達成される。突出体７０は、液体供給入口６の下の位置でのみ突出する必要があり、したがって、図８では円形として示されているが、環状とすることもできる。突出体はステッカーの形でシャッター部材２０上に設けることも可能であり、あるいはシャッター部材から形成される（例えば、機械加工される）かまたはそこに接着されることも可能である。突出体の効果は、抽出出口の下圧にさらされるシャッター部材２０のエリアを増加することである。図６の実施形態にあるように、これはより大きい引力という結果となる。

[0084] 図８のシャッター部材２０は、図５または図６の液体閉じ込めシステム４とも使用されることができる。

[0085] 本発明は液浸液の使用に関して説明されたが、実際には、液体は非液体流体とすることもできる。

[0086] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0087] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0088] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折型および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[0089] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含む１つ以上のコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

[0090] 本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が浴槽の形で、または、基板の局所表面のエリア上のみに供給されるか、あるいは、閉じ込められていないにかかわらず、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、しかし排他的ではなく、上述のタイプのものに適用可能である。非閉じ込め構成においては、実質的に基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面全体が濡れているように、液浸液が基板および／または基板テーブルの表面から流れ出ることもあり得る。そのような非閉じ込めシステムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めないことがあるか、または液浸液体閉じ込めの一部を提供することもあるが、実質的に液浸液の完全な閉じ込めを提供せず、すなわちリーキー(leaky)な閉じ込め液浸システムである。

[0091] 本明細書において考えられた液体供給システムは、広く解釈されなければならない。特定の実施形態において、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給するのは、１つの機構または構造の組合せとすることができる。これは、液体を空間に供給する１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または、１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができる。一実施形態において、空間の表面は基板および／または基板テーブルの一部としてよいか、または、空間の表面は基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆っていてよいか、または、空間は、基板および／または基板テーブルを包含していてよい。液体供給システムは、液体の位置、量、品質、形状、流量、または、他の特徴を制御するための１つ以上の要素を、任意でさらに含むことができる。

[0092] 装置で使用される液浸液は、所望の特性および使用される露光用放射の波長に従って様々な組成を有することができる。１９３ｎｍの露光波長のためには、超純水または水系の組成が使用可能であり、この理由のために、液浸液は、水と呼ばれることもあり、親水性、疎水性、湿度などの水関連の用語が使用可能である。しかしながら、そのような用語が、フッ素含有炭化水素のような、使用される可能性がある高い屈折率を有する他の液体も包含することが意図される。

[0093] 上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

[0023] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0024] リソグラフィ投影装置における使用のための液体供給システムを示す。 [0024] リソグラフィ投影装置における使用のための液体供給システムを示す。 [0025] リソグラフィ投影装置における使用のための更なる液体供給システムを示す。 [0026] 液体供給システムと基板の表面との間のシールおよびベアリングが液体の流れによって形成されている、更なる液体供給システムを示す。 [0027] 本発明の一実施形態による２つの液体閉じ込めシステムを断面図で示す。 [0027] 本発明の一実施形態による２つの液体閉じ込めシステムを断面図で示す。 [0028] 本発明の実施形態による２つの液体供給システムを示す。 [0028] 本発明の実施形態による２つの液体供給システムを示す。 [0029] 液体閉じ込めシステムと組み合わせて、本発明の一実施形態によるシャッター部材を示す。

Claims (24)

1. 投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、
   流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された入口を含む、流体閉じ込めシステムと、
   前記入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって前記入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムと
   を含む、液浸リソグラフィ装置。
2. 前記入口は、前記流体閉じ込めシステムの下側の流体供給入口へ通じる、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記流体供給システムは、前記出口ポートから導かれる導管または前記入口と出口ポートを流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 第１の弁と並行して、フロー制限器を含むバイパス導管をさらに含む、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記流体供給システムは、流体源と前記入口ポートとの間に接続された導管または前記入口と入口ポートを流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記流体供給システムは、前記入口ポートをドレインと流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 前記流体供給システムと関連する弁を制御するコントローラをさらに含み、前記コントローラは、前記入口および出口ポートを通る前記流体の流れを変化させて、前記入口を通る前記流体の流量を変化させる、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記コントローラは、前記流体の流量を実質的に一定に維持する、請求項７に記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 前記流体供給システムは、単一の弁を使用して、前記入口ポートに提供される前記流体の流量および前記出口ポートから除去される前記流体の流量を変化させる、請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 前記単一の弁は、前記入口ポートの上流もしくは下流または前記出口ポートの上流もしくは下流に配置されている、請求項９に記載の液浸リソグラフィ装置。
11. 投影システムと基板との間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、
    流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された入口と、
    コンポーネントを用いて流体の流れを前記基板および／または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導する流体供給入口と、
    前記流体供給入口からの流体および／または前記流体閉じ込めシステムの外からのガスを抽出する抽出出口であって、前記流体供給入口が配置されている第２の表面より、前記基板および／または基板テーブルから遠い前記流体閉じ込めシステムの第１の表面にある、抽出出口と
    を含む、流体閉じ込めシステムと、
    前記入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって前記入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムと
    を含む、
    液浸リソグラフィ装置。
12. 前記第１の表面および／または前記第２の表面が、実質的に平坦である、請求項１１に記載の液浸リソグラフィ装置。
13. 前記第１の表面および／または前記第２の表面が、前記基板および／または基板テーブルの上面に対して実質的に平行である、請求項１１または１２に記載の液浸リソグラフィ装置。
14. 使用の際に、前記第１の表面が、前記第２の表面より前記基板および／または基板テーブルから約１／１０から３倍遠い、請求項１１ないし１３のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
15. 前記抽出出口が、前記投影システムの光軸に対して前記流体閉じ込めシステムの下側の最も半径方向外側のアクティブコンポーネントである、請求項１１ないし１４のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
16. 前記第１の表面が、前記流体閉じ込めシステムの平面エッジへ延びる、請求項１１ないし１５のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
17. 前記第１の表面が、前記流体閉じ込めシステムの下面における凹所の上壁である、請求項１１ないし１５のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
18. 使用の際に、前記流体閉じ込めシステムの下側のジオメトリと組み合わせて、前記流体供給入口を通る液体の流れによって生成される前記流体閉じ込めシステムと前記基板および／または基板テーブルとの間の反発力が、前記流体閉じ込めシステムと前記基板および／または基板テーブルとの間のずれに関係なく、前記抽出出口を通る流れによって生成される前記流体閉じ込めシステムと前記基板および／または基板テーブルとの間の引力より大きくなるようなレベルで、前記抽出出口を通る抽出および前記流体供給入口を通る液体の流れを制御するコントローラをさらに含む、請求項１１ないし１７のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
19. 投影システムと基板の局所エリアとの間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された入口を含む、流体閉じ込めシステムと、
    前記入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって前記入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムと、
    前記流体が前記流体閉じ込めシステムによって閉じ込められるように、前記投影システムと反対側の前記流体閉じ込めシステムの下側に配置可能であるシャッター部材と、
    前記流体閉じ込めシステムに面している前記シャッター部材の表面上の突出体であって、前記突出体の位置は、下側に隣接している場合、前記下側の流体供給出口に対応するが、前記下側の抽出入口には対応しない、突出体と
    を含む、液浸リソグラフィ装置。
20. 前記シャッター部材がディスクの形を有し、かつ前記装置の残りから分離可能である、請求項１９に記載の液浸リソグラフィ装置。
21. 投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された入口を含む、流体閉じ込めシステムと、
    前記入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって前記入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムと、
    を含み、
    前記流体閉じ込めシステムは、流体の流れのための導管を含む流体閉じ込めシステムを含み、
    前記空間に流体を供給する前記導管における出口であって、前記導管の中間端である出口と、
    流体の流れの方向に、前記出口または前記出口の下流に配置されているフロー制限と、
    弁であって、前記弁が前記出口を通る流体の流量を制御するように動作可能であるように、かつ流体が前記導管を連続的に流れるように、前記導管に配置された弁と
    を有する、
    液浸リソグラフィ装置。
22. 基板上に、流体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている流体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記流体閉じ込めシステムは、少なくとも部分的に流体供給入口から出て前記基板へ向かう流体の流れに支えられ、かつ前記流体供給入口への流体流量は、前記流体供給入口に接続されている入口ポートへの前記流量および前記流体供給入口にやはり接続されている出口ポートを介して前記流体供給入口から出る前記流量によって調節されている、デバイス製造方法。
23. 基板上に、流体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている流体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記流体閉じ込めシステムは、
    流体供給入口であって、該流体供給入口を通して、流体の流れがコンポーネントを用いて前記基板および／または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導される、流体供給入口と、
    抽出出口であって、該抽出出口を通して、前記流体供給入口からの流体および／または前記流体閉じ込めシステムの外からのガスが抽出され、前記流体供給入口が配置されている第２の表面より、前記基板および／または基板テーブルから遠い前記流体閉じ込めシステムの第１の表面にある、抽出出口と
    を含み、
    前記流体閉じ込めシステムは、少なくとも部分的に前記流体供給入口から出て前記基板へ向かう流体の流れに支えられ、かつ前記流体供給入口への流体流量は、前記流体供給入口に接続されている入口ポートへの前記流量および前記流体供給入口にやはり接続されている出口ポートを介して前記流体供給入口から出る前記流量によって調節されている、デバイス製造方法。
24. 流体閉じ込めシステムの下で基板を交換する方法であって、
    第１の基板を前記流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かし、かつシャッター部材上の突出体が少なくとも前記流体閉じ込めシステムの下面における流体供給入口の下の位置にあるが、前記流体閉じ込めシステムの下側における抽出出口の下にはないように、前記流体閉じ込めシステムの下の前記シャッター部材を動かすことと、
    前記シャッター部材を前記流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かすことと、
    第２の基板を前記流体閉じ込めシステムの下に動かすことと
    を含み、
    前記流体閉じ込めシステムは、少なくとも部分的に流体供給入口から出て前記基板へ向かう流体の流れに支えられ、かつ前記流体供給入口への流体流量は、前記流体供給入口に接続されている入口ポートへの前記流量および前記流体供給入口にやはり接続されている出口ポートを介して前記流体供給入口から出る前記流量によって調節されている、方法。

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