JP4876744B2

JP4876744B2 - 検査装置

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Publication number: JP4876744B2
Application number: JP2006193418A
Authority: JP
Inventors: 和彦深澤; 健雄大森
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2006-07-13
Filing date: 2006-07-13
Publication date: 2012-02-15
Anticipated expiration: 2026-07-13
Also published as: JP2008020371A

Description

本発明は、例えば半導体ウエハ、液晶ガラス基板などの被検査物の周縁部位における、レジストの残渣、ひび、欠け、パーティクルの付着などの欠陥を検査する検査装置に関する。

半導体チップを製造するリソグラフィ工程では、レジスト塗布工程、露光工程、洗浄工程、エッチング工程、レジスト除去工程などがあり、通常、これら工程毎に欠陥検査を行う。この欠陥検査中には、半導体ウエハの周縁部位に生じる各種の欠陥、例えばレジストの残渣、ひび、欠け、パーティクルの付着などの検査がある。この周縁部位の欠陥検査は欠陥がその付近にあるチップ領域に及んで、半導体チップの歩留まりに大きく影響するので、重要である。

半導体ウエハの周縁部位の欠陥を検査する装置として、例えば、半導体ウエハのエッジ部をＣＣＤカメラで撮影し、この撮影画像に画像処理を施し、エッジカット量を算出してエッジ部での欠陥を検出する装置が提案されている（特許文献１）。また、楕円鏡の第１焦点位置に半導体ウエハのエッジ部をおき、該エッジ部に平行光を照射し、発生した回折光のうち低次元の回折光を遮光して高次元の回折光を楕円鏡にて集光し、楕円鏡の第２焦点位置に配置したフォトダイオードにより該高次元の回折光を受光してエッジ部での欠陥を検出する装置が提案されている（特許文献２）。

ＷＯ０３／０２８０８９号公報特開平９−２６９２９８号公報

前者の検査装置ではＣＣＤを使用しており、信号出力に時間を要し、検査の効率化を図る上で障害になっていた。また、後者の検査装置ではフォトダイオードを使用しており、ＣＣＤに比して信号出力の時間は短いが、楕円鏡で高次元の回折光を集光し、これをフォトダイオードで受光して欠陥を検出するために、欠陥の内容、例えばエッジ部に付着したパーティクルなどのゴミとエッジ部に生じたひびなどとの判別が困難であった。

本発明は、検査の効率化を図ることが出来る上に、短時間で欠陥の内容が判別可能な検査装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成する本発明の請求項１に記載の検査装置は、被検査物の周縁部位に光を照射する照明部と、前記光が照射される前記周縁部位の照射領域よりも前記照明部が配置された側に進行する前記周縁領域からの散乱光を受光する第１受光部と、前記照射領域に対して、前記照明部とは反対側に進行する前記照射領域からの散乱光を受光する第２受光部と、前記第１受光部の出力と前記第２受光部の出力とから前記周縁部位の欠陥箇所の欠陥内容を判別する判別部と、前記判別部で判別された前記欠陥内容に応じて、前記欠陥箇所への照明方法を切り替えて該欠陥箇所の表面状態を検出する欠陥観察部を備えることを特徴とする。

前記被検査物としては、例えば、シリコンウエハなどの半導体ウエハや、液晶ガラス基板などが含まれる。

前記照明部としては、例えば、被検査物の周縁部位にスリット光を照射するものがあるが（図４参照）、これに限定されるものではない。

前記第１受光部、第２受光部としては、例えば、フォトダイオードが使用されるが、これに限定されるものではなく、散乱光を受光して信号を出力するものであればよい。

本発明の請求項２に記載の検査装置は、前記被検査物を支持して回転させる回転支持部を備えることを特徴とする。

本発明の請求項３に記載の検査装置は、前記判別部が、前記第１受光部の出力の大きさと前記第２受光部の出力の大きさとの少なくとも一方の出力の大きさと、所定の閾値とを比較した結果と、前記第１受光部の出力と前記第２受光部の出力との大きさを比較した結果とに基づいて、前記周縁部位の欠陥箇所の欠陥内容を判別することを特徴とする。

前記判別部としては、例えば電圧比較器（コンパレータ）があるが、これに限定されるものではない。

本発明の請求項４に記載の検査装置は、前記被検査物に設けた指標部を検出する指標検出部と、前記指標部から前記第１受光部、前記第２受光部の出力に基づいて検出された前記被検査物の周縁部位の欠陥箇所までの位置情報を記憶する記憶部とを備えることを特徴とする。

前記指標部としては、例えば、前記被検査物の周縁部位を略Ｖ字状に切り欠いた切欠部（ノッチ）、周縁部位の一部を平坦となるように切除したオリエンテーションフラットなどがあるが、これに限定されるものではない。

前記位置情報は、例えば、前記回転支持部にエンコーダを装備し、前記指標部を検出した時点から前記第１受光部、第２受光部から検出信号が出力された時点まで前記回転支持部が回転するのに伴って該エンコーダから発せられるパルス信号の数をカウントすることにより得られるが、これに限定されるものではない。前記位置情報は、本発明の検査装置に使用される以外に、前記被検査物の検査後、別の検査装置に搬送されて検査する際などにも利用され得る。

本発明の請求項５に記載の検査装置は、前記第１受光部が、前記照射領域からの後方散乱光を受光し、前記第２受光部は、前記照射領域からの前方散乱光を受光することを特徴とする。

前記欠陥箇所への照明の仕方としては、例えば、明視野照明と暗視野照明があるが、これに限定されるものではない。

本発明の検査装置によれば、検査の効率化を図ることが可能である上に、短時間で欠陥の内容が判別可能となる。

以下本発明の表面検査装置の一実施形態について図１乃至図７を参照して説明する。図１は本発明の検査装置の一実施形態を示す概略平面図、図２は同概略正面図である。

検査装置１００は、図１に示すように、回転支持部としての回転テーブル２０上の被検査物（半導体ウエハ）１０の周辺に偏心状態検出部と指標検出部の機能を併せ持つ位置合わせ機構３０と、欠陥検出部４０と、欠陥観察部５０が、半導体ウエハ１０の回転方向に順に配置される。

リソグラフィ工程のレジスト塗布工程、露光工程、洗浄工程などの各工程終了後、未検査ウエハ収納カセット７０内に収納された、被検査物としての半導体ウエハ１０は、搬送アーム６０により取り出されて、回転テーブル２０上に移送される。そして、回転テーブルの回転に伴い、半導体ウエハ１０を、先ず位置合わせ機構３０に移動し、次いで欠陥検出部４０に移動し、この後欠陥観察部５０に移動する。観察終了後、回転テーブル２０を回転させて、半導体ウエハ１０を、搬出位置まで移動し、搬送アーム６０により回転テーブル１０から取り出して検査済みウエハ収納カセット７５内に収納する。この検査済みウエハ収納カセット７５は、リソグラフィ工程の別の工程に搬送されるか、あるいは別の検査装置に搬送される。

次に上述した位置合わせ機構３０と、欠陥検出部４０と、欠陥観察部５０について詳細に説明する。

位置合わせ機構３０は、上述したように偏心状態検出部と指標検出部の機能を併せ持つもので、図３、図５に示すように、半導体ウエハ１０を載置する載置台２１を昇降可能に構成した回転テーブル２０と、この回転テーブル２０を搭載したＸＹテーブル３１（回転ＸＹステージ）と、半導体ウエハ１０の周縁部位において該半導体ウエハ１０の裏面側から光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）などからなる発光部３２と、表面側で該発光部３２の光を受光するＣＣＤなどからなる受光部３３と、載置台２１を下降させた際に該載置台２１に代わって半導体ウエハ１０の周縁部位を一時的に支持する複数本（例えば３本）の支持ピン３４と、回転テーブル２０の回転に伴ってパルス信号を発するエンコーダ３５などを備える。

発光部３２と受光部３３は、偏心状態検出部と指標検出部として機能する。すなわち、半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａが発光部３２と受光部３３との間の光路を横切るようにして、半導体ウエハ１０は回転テーブル２０の載置台２１に載置され、この状態で回転テーブル２０を駆動して半導体ウエハ１０を回転させつつ、受光部３３の出力変化をモニターすることにより偏心状態を検出することが出来、またノッチ１１を検出することが出来る。

例えば、半導体ウエハ１０の中心と回転テーブル２０の回転中心とが一致せずにずれて（偏心して）いる場合には、半導体ウエハ１０の回転に伴い、半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａによって遮断される、発光部３２から受光部３３への光量が変化して、受光部３３の出力は、図６（ａ）の二点鎖線に示すように正弦波（余弦波）状に変化する。この受光部３３の出力の最高値と最低値との差が偏心量に比例する。これに対し、半導体ウエハ１０の中心部と回転テーブル２０の回転中心とが一致する（偏心しない）場合には、半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａにより遮断される、発光部３２から受光部３３への光量は一定で、受光部３３の出力は図６の実線に示すように一定で直線状になる。この偏心していない場合における受光部３３の出力を基準として、これを越えるか又は下回るかで偏心方向が検出される。

また、半導体ウエハ１０のノッチ１１の部分が発光部３２と受光部３３との間の光路に移動してくると、該ノッチ１１の部分で遮断される光量が他の部分に比して大きく変化するため、受光部３３の出力変化からノッチ１１を検出することができる（図６（ａ）の実線部分の出力変化があった部分を参照）。なお、偏心している場合の受光部３３の出力変化を示す、図６（ａ）の二点鎖線では図の複雑化を避けるためにノッチ１１部分での受光部３３の出力変化を省略してある。

受光部３３の出力は、偏心状態（偏心量、偏心方向）の情報とノッチ１１の検出情報とを含んでおり、不図示のＡＤ変換器、インターフェース８０を介して、検査装置１００全体の制御を行うＣＰＵ８２に入力される。ＣＰＵ８２では、受光部３３からの出力に基づいて、先ず載置台２１を所定量下降させ、次いでＸＹテーブル３１を所定方向に所定量駆動させ、この後載置台２１を所定量上昇させる、駆動信号を、位置合わせ機構３０に不図示のＤＡ変換器、インターフェース８０を介して出力する。また、ノッチ１１の検出情報は記憶部８４に記憶される。

位置合わせ機構３０では、ＣＰＵ８２から出力される駆動信号により、先ず駆動台２１を、半導体ウエハ１０が支持ピン３４上に支持されて載置台２１が半導体ウエハ１０から離れるまで下降させる。次いで、ＸＹテーブル３１を、偏心状態を無くす方向において回転テーブル２０の回転中心が半導体ウエハ１０の中心を通る垂直線上に位置するように駆動する。この後、載置台２１を、半導体ウエハ１０を支持ピン３４から外して持ち上げるように上昇させる。

半導体ウエハ１０が支持ピン３４から離れると、回転テーブル２０が駆動して半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａを欠陥検出部４０に移動させる。

欠陥検出部４０は、図４に示すように、半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａに該半導体ウエハ１０の径方向に延びるスリット光を照射する照明部としての照明光学系４１と、周縁部分１０ａからの散乱光を受光する第１受光部としての後方散乱光検出光学系４２と、同様に周縁部分１０ａからの散乱光を受光する第２受光部としての前方散乱光検出光学系４３と、これら後方散乱光検出光学系４２，前方散乱光検出光学系４３からの出力であって所定の閾値を越えた出力に基づいて欠陥の内容を判別する判別部４４とを備える。

照明光学系４１は、光源４１ａと、スリット４１ｂと、レンズ４１ｃとを備え、回転テーブル２０により半導体ウエハ１０が回転している間に、光源４１ａの光を、スリット４１ｂを通してレンズ４１ｃにより集光しスリット光として周縁部位１０ａに照射する。

後方散乱光検出光学系４２は、シリコンフォトダイオード（ＳＰＤ）４２ａと、レンズ４２ｂを備え、照明光学系４１による照射位置よりも該照明光学系４１が配置された側に位置し、照明光が照射されている周縁部位１０ａから後方（図４の左側）に進行する散乱光を受光、検出する。

前方散乱光検出光学系４３は、シリコンフォトダイオード（ＳＰＤ）４３ａと、レンズ４３ｂを備え、照明光学系４１による照射位置よりも該照明光学系４１と反対側に位置し、照明光が照射されている周縁部位１０ａから前方（図４の右側）に進行する散乱光を受光、検出する。

ＳＰＤ４２ａ、４３ａは周縁部位１０ａから散乱光を受光したときに図６（ｂ）に示すような瞬間的にピーク値となる信号を出力する。なお、同図では複数の箇所からの散乱光を受光した場合を示す。周縁部位１０ａが鏡面状態の場合、該周縁部分１０ａからは正反射光が発せられ、散乱光は発せられず、ＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力は略ゼロレベルのままである。周縁部位１０ａに鏡面状態ではない箇所（非鏡面箇所）例えばレジストの残渣、パーティクルなどのゴミの付着、あるいはひび、欠けなどが存在する箇所からは散乱光が発せられる。正反射光は法線に対する照明光の入射角と等しい反射角を有するので、この反射角以外の位置ならば、正反射光を受光せずに散乱光のみを受光することができる。

ＳＰＤ４２ａ、４３ａは、上述したように周縁部位１０ａの非鏡面箇所からの散乱光を受光することにより信号を出力する。この非鏡面箇所のなかには、レジストの残渣、パーティクルなどのゴミの付着、あるいはひび、欠けなどの欠陥の外に実際には問題とならない曇りが生じた箇所も含まれる。この曇りが生じた箇所からの散乱光を受光した際のＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力信号レベルはゴミが付着した箇所などからの散乱光を受光した際のＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力信号レベルに比して低い。そこで、不図示のフィルタがＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力のうち所定の閾値を越えた出力のみを欠陥の検出信号として抽出して、不図示のＡＤ変換器、インターフェース８０を介してＣＰＵ８２に送る。これによりＣＰＵ８２はＳＰＤ４２ａ、４３ａから欠陥の検出信号のみを入力することになる。

閾値を越えたＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力は上述したように判別部４４にも入力される。判別部４４は、電圧比較器（コンパレータ）を備え、ＳＰＤ４２ａからの出力とＳＰＤ４３ａからの出力とを比較し、ＳＰＤ４２ａの出力がＳＰＤ４３ａの出力よりも大きいとき（ＳＰＤ４２ａ＞ＳＰＤ４３ａ）、ローレベルの信号（Ｌ）を出力し、ＳＰＤ４２ａの出力がＳＰＤ４３ａの出力よりも小さいとき（ＳＰＤ４２ａ＜ＳＰＤ４３ａ）、ハイレベルの信号（Ｈ）を出力する。半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａにパーティクルなどのゴミが付着している場合、散乱光は後方（図４左側）に強く発するので、ＳＰＤ４２ａの出力がＳＰＤ４３ａの出力よりも大きく、ローレベルの信号（Ｌ）を出力する。また、周縁部位１０ａにひび、欠けがある場合、散乱光は前方（図４の右側）に強く発するので、ＳＰＤ４２ａの出力がＳＰＤ４３ａの出力よりも小さいく、ハイレベルの信号（Ｈ）を出力する。判別部４４のこれら出力はインターフェース８０を介してＣＰＵ８２に送られる。

ＣＰＵ８２では、ＳＰＤ４２ａ、４３ａからの出力、エンコーダ３５からの出力を入力しており、ＳＰＤ４２ａ、４３ａからの出力を入力したとき、ノッチ１１からの距離（図６（ｂ）の回転角度θ_１、θ_２、θ_３参照）、すなわちＳＰＤ４２ａ、４３ａで検出された欠陥箇所の位置情報を求める。例えば、ノッチ１１を検出した時点からＳＰＤ４２ａ、４３ａからの検出信号を入力した時点までの間にエンコーダ３５から発せられるパルス信号の数をカウントすることにより、その間の回転テーブル２０の回転角度を演算して欠陥箇所の位置情報を求める。この位置情報は記憶部８４に記憶される。

ＣＰＵ８２は記憶部８４に記憶された位置情報を読み出し、この位置情報に基づいて回転テーブル２０の駆動を制御し、欠陥箇所を欠陥観察部５０まで移動させて、回転テーブル２０を停止させる。

欠陥観察部５０は、図５に示すように、欠陥箇所を明視野照明あるいは暗視野照明する照明部５１と、照明された欠陥箇所を撮影するＣＣＤカメラ５２と、このＣＣＤカメラ５２の撮影信号を処理する画像処理部５３と、この画像処理部５３によって処理された撮影画像を表示するディスプレイ５４を備える。

ＣＰＵ８２は、判別部４４からのローレベル信号（Ｌ）、ハイレベル信号（Ｈ）に基づき、欠陥内容に応じて最適な照明方法により欠陥箇所が照明されるように照明部５１を暗視野照明あるいは明視野照明に切り替える。半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａのひび、欠けなどは例えば明視野照明により、またパーティクルなどゴミでは暗視野照明により照明することにより、欠陥箇所の鮮明な撮影画像を得ることが可能になる。

欠陥観察部５０では、欠陥箇所がＣＣＤカメラ５２の撮影領域（観察領域）内に位置したとき、暗視野照明あるいは明視野照明により照明しつつ、ＣＣＤカメラ５２により欠陥箇所を撮影する。欠陥箇所が複数ある場合には各箇所を撮影領域内に位置させ、欠陥の内容に応じて暗視野照明あるいは明視野照明に切り替えて順次撮影する。ＣＣＤカメラ５２の撮影信号は画像処理部５３で画像処理され、欠陥の程度などが精査される。画像処理された撮影画像はディスプレイ５４に表示される。また、欠陥の程度、種類、位置などの情報は記憶部８４に記憶される。

図７は本実施形態の検査装置１００の動作のフローチャートを示している。

ステップ１００でリソグラフィ工程のレジスト塗布工程、露光工程、洗浄工程などの各工程終了後、未検査ウエハ収納カセット７０（図１参照）内に収納された半導体ウエハ１０を、搬送アーム６０（図１参照）により取り出して、回転テーブル２０上に搬送する。

ステップＳ１０１で、回転テーブル２０を駆動し、半導体ウエハ１０を位置合わせ機構３０に移動する。ステップＳ１０２で、半導体ウエハ１０を回転させながら位置合わせ機構３０において半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａとノッチ１１を検出しつつ、半導体ウエハ１０の中心部と回転テーブル２０の回転中心との間の偏心状態を求め、この偏心状態に基づいてＸＹテーブル３１により回転ステージ２０を半導体ウエハ１０に対して移動調整して偏心状態がゼロになるように位置合わせ（芯合わせ）を行う。この回転テーブル２０の移動に際しては上述したように回転テーブル２０から半導体ウエハ１０を離しておく。ステップＳ１０３で位置合わせ操作が終了したか否かを判断し、終了していない場合には位置合わせ操作を続行し、終了した場合にはステップＳ１０４に移行する。

ステップＳ１０４で半導体ウエハ１０を欠陥検出部４０に移動し、照明光学系４１による照明で半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａから発せられる散乱光をＳＰＤ４２ａ、４３ａで受光、検出する。検出された欠陥箇所の位置情報は、記憶部８４に記憶され、この位置情報に基づいて回転テーブル２０を駆動して欠陥箇所を欠陥観察部５０に移動する。また、ＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力に基づいて判別部４４で欠陥内容がゴミの付着による欠陥か、ひび、欠けによる欠陥かが判別される。

ステップＳ１０５で欠陥箇所が欠陥観察部５０に到達したか否かが判断され、到達していない場合には回転テーブル２０の駆動を続行し、到達した場合にはステップＳ１０６に移行し、回転テーブル２０を停止させて欠陥箇所をＣＣＤカメラ５２による撮影領域内に位置させる。ステップＳ１０７で欠陥内容に応じて暗視野照明あるいは明視野照明に切り換え、ステップＳ１０８で欠陥内容に応じた最適な照明をしつつ欠陥箇所を撮影し、これを画像処理部５３で画像処理を施して観察し欠陥の程度を判断する。欠陥箇所が複数ある場合には、欠陥箇所毎にステップＳ１０５，Ｓ１０６，１０７，１０８を実行する。ステップＳ１０９で欠陥観察部５０での観察が終了したか否かが判断され、終了していない場合にはステップＳ１０５に戻り、ステップＳ１０６，１０７，１０８を繰り返す。終了した場合にはステップＳ１１０に移行する。なお、ステップＳ１０２で偏心量が小さい場合は、欠陥検出・判別と欠陥観察との一方又は両方をステップＳ１０２で行ってもよい。

ステップＳ１１０で回転テーブル２０を駆動し、半導体ウエハ１０を搬出位置まで移動する。ステップＳ１１１で搬送アーム６０により半導体ウエハ１０を回転テーブル２０から取り出して検査済ウエハ収納カセット７５内に収納する。

ステップＳ１１２で半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａの検査を続行するか否かを判断し、続行する場合にはステップＳ１００に戻り、上述した操作を繰り返す。続行しない場合には検査を終了する。検査を続行するか否かの判断は、例えば、予め未検査ウエハ収納カセット７０内に収容されている、検査すべき半導体ウエハ１０の枚数をＣＰＵ８２にインプットしておき、検査終了毎に検査数をカウントすることにより行い、インプットした枚数に達した時点で検査を終了する。

上述した本実施形態の検査装置１００によれば、後方に進行する散乱光を受光、検出するＳＰＤ４２ａと、前方に進行する散乱光を受光、検出するＳＰＤ４３ａにより欠陥を検出するので、短時間で欠陥を検出し且つ欠陥の内容を判別することが可能となる。

また、判別部４４で判別した欠陥内容に応じて欠陥観察部５０での照明の仕方を切り替えるようにしているので、最適な照明で欠陥箇所の撮影が行え、鮮明な撮影画像を得ることが可能となる。

さらに、回転テーブル２０上の半導体ウエハ１０の周辺に位置合わせ機構３０と、欠陥検出部４０と、欠陥観察部５０が、半導体ウエハ１０の回転方向に順に配置されて、位置合わせ機構３０で半導体ウエハ１０の中心と回転テーブル２０の回転中心とを位置合わせし、次いで欠陥検出部４０で欠陥箇所を特定し、この後欠陥箇所を欠陥観察部５０でＣＣＤカメラ５２により撮影し、画像処理部５３で画像処理して、半導体ウエハ１０の周縁部位１０ａにおける欠陥を検出、観察するようにしてあるので、検査時間を大幅に短縮することが出来る。

すなわち、未検査ウエハカセット７０から半導体ウエハ１０を搬送アーム６０で取り出して回転テーブル２０上に移送してから、位置合わせをするので、カセットから取り出した半導体ウエハを一旦位置合わせ機構に移送して位置合わせをしてから検査装置の回転テーブル上に移送する（半導体ウエハの移送を２回行う）場合に比して、半導体ウエハ１０の移送時間を短縮することができる。また、予め欠陥箇所を特定してから欠陥箇所を詳細に観察するので、欠陥の観察時間を短縮することができる。さらに、位置合わせ機構から検査装置の回転テーブル上に移送する過程で半導体ウエハに位置ずれが生じて、再度位置合わせが必要となる事態が生じるおそれがない。

本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、欠陥検出部４０では散乱光を受光することにより、欠陥箇所を検出し、これを欠陥観察部５０で精査して欠陥の程度を観察しているが、欠陥検出部４０の受光部であるＳＰＤ４２ａ、４３ａに替えてラインセンサを配置し、ラインセンサの出力に基づいて欠陥の検出と欠陥の内容、程度を観察するようにしてもよい。

また、照明の仕方は特に暗視野照明、明視野照明に限定されるものではなく、ＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力に基づいて欠陥内容に応じて最適な照明を選択して切り替えるようにすればよい。

また、欠陥観察部５０にＣＣＤカメラ５２の代わりに顕微鏡を設置し、この顕微鏡により得られた観察画像をディスプレイ５４で拡大表示するようにしてもよい。

本発明の検査装置の一実施形態を示す概略平面図である。概略正面図である。回転テーブルと位置合わせ機構の概略側面図である。欠陥検出部の概略側面図である。図１に示す検査装置のブロック図である。図６（ａ）は位置合わせ機構を構成する受光部の出力変化を示すグラフであり、図６（ｂ）は欠陥検出部を構成するＳＰＤ４２ａ、４３ａの出力変化を示すグラフである。図１に示す検査装置の動作を示すフローチャートである。

符号の説明

１０半導体ウエハ
１０ａ周縁部位
１１ノッチ（指標部）
２０回転テーブル
３２発光部（指標検出部）
３３受光部（指標検出部）
４０欠陥検出部
４１照明光学系（照明部）
４２後方散乱光検出光学系（第１受光部）
４３前方散乱光検出光学系（第２受光部）
４４判別部
５０欠陥観察部
５１照明部
８４記憶部

Claims

被検査物の周縁部位に光を照射する照明部と、
前記光が照射される前記周縁部位の照射領域よりも前記照明部が配置された側に進行する前記周縁領域からの散乱光を受光する第１受光部と、
前記照射領域に対して、前記照明部とは反対側に進行する前記照射領域からの散乱光を受光する第２受光部と、
前記第１受光部の出力と前記第２受光部の出力とから前記周縁部位の欠陥箇所の欠陥内容を判別する判別部と、
前記判別部で判別された前記欠陥内容に応じて、前記欠陥箇所への照明方法を切り替えて該欠陥箇所の表面状態を検出する欠陥観察部を備えることを特徴とする検査装置。
請求項１に記載の検査装置において、
前記被検査物を支持して回転させる回転支持部を備えることを特徴とする検査装置。
請求項１又は２に記載の検査装置において、
前記判別部は、前記第１受光部の出力の大きさと前記第２受光部の出力の大きさとの少なくとも一方の出力の大きさと、所定の閾値とを比較した結果と、前記第１受光部の出力と前記第２受光部の出力との大きさを比較した結果とに基づいて、前記周縁部位の欠陥箇所の欠陥内容を判別することを特徴とする検査装置。
請求項１乃至３の何れか一項に記載の検査装置において、
前記被検査物に設けた指標部を検出する指標検出部と、
前記指標部から前記第１受光部、前記第２受光部の出力に基づいて検出された前記被検査物の周縁部位の欠陥箇所までの位置情報を記憶する記憶部と、
を備えることを特徴とする検査装置。
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の検査装置において、
前記第１受光部は、前記照射領域からの後方散乱光を受光し、前記第２受光部は、前記照射領域からの前方散乱光を受光することを特徴とする検査装置。
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の検査装置において、
前記欠陥観察部は、前記欠陥箇所への照明方法を暗視野照明又は明視野照明に切り替えることを特徴とする検査装置。
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の検査装置において、
前記指標検出部と、前記第１、第２受光部を含む欠陥検出部と、前記欠陥観察部とが前記被検査物の回転方向に順に配置されていることを特徴とする検査装置。