JP4879957B2 - Substrate processing apparatus having sensing unit - Google Patents
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Description
本発明は、センシングユニット及びこれを有する基板処理装置に関するもので、より詳細には、弾性部材を用いたセンシングユニット及びこれを有する基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a sensing unit and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly to a sensing unit using an elastic member and a substrate processing apparatus having the same.
半導体基盤のデバイス、例えば、集積回路または平板ディスプレイ製造において、各材料層は、交互に基板の表面上に蒸着されるか、基板の表面からエッチングされる。この製造工程中に、多様な材料層、例えば、ボロホスホシリケイトガラス(borophosphosilicate glass:BPSG)、ポリシリコン、金属などが基板上に蒸着される。蒸着された各層は、フォトレジスト処理などの周知技術によってパターン化されることもある。その後、蒸着された層の各部分は、多様なフィーチャー、例えば、相互接続線、ビア、トレンチなどを形成するようにエッチングされる。 In the manufacture of semiconductor-based devices, such as integrated circuits or flat panel displays, each material layer is alternately deposited or etched from the surface of the substrate. During this manufacturing process, various material layers, such as borophosphosilicate glass (BPSG), polysilicon, metal, etc. are deposited on the substrate. Each deposited layer may be patterned by well-known techniques such as photoresist processing. Thereafter, each portion of the deposited layer is etched to form various features, such as interconnect lines, vias, trenches, and the like.
通常の技術者が理解できるように、エッチング処理などの半導体工程において、処理チャンバー内の多数のパラメーターは、良質の結果を得るためにタイトに制御されるべきであり、このようなパラメーターの一つが温度である。プラズマ処理システムにおいて、エッチングの品質(及びその結果としての半導体基盤デバイスの性能)は、構成要素の温度変動に非常に敏感であるので、正確な制御が要求される。さらに、フィーチャーの大きさが継続的に小さくなることで、半導体デバイスの正確かつ一貫した製造を提供するために、一層良好な温度制御を有するプラズマ処理装置を提供する必要性が益々増加しつつある。 As can be understood by ordinary technicians, in semiconductor processes such as etching processes, a number of parameters in the processing chamber should be tightly controlled to obtain good results, and one such parameter is Temperature. In plasma processing systems, the quality of etching (and the resulting performance of the semiconductor substrate device) is very sensitive to component temperature variations and requires precise control. Furthermore, as feature sizes continue to decrease, there is an increasing need to provide plasma processing equipment with better temperature control in order to provide accurate and consistent manufacturing of semiconductor devices. .
プラズマ処理装置のチャンバー内には、基板が置かれる支持プレート及び支持プレートの上部にソースガスを供給するシャワーヘッドが提供される。シャワーヘッドは、支持プレートと対向する噴射板を有し、噴射板は、支持プレートの上部にソースガスを噴射する。 In the chamber of the plasma processing apparatus, a support plate on which a substrate is placed and a shower head for supplying a source gas to the top of the support plate are provided. The shower head has an injection plate facing the support plate, and the injection plate injects source gas onto the upper portion of the support plate.
噴射板が動作中にプラズマに露出され、プラズマが熱エネルギーを放出するので、噴射板の温度は上昇する。したがって、プラズマ処理装置の温度を制御するためには、噴射板の温度を制御する必要があり、このためには噴射板の温度を正確に測定する必要がある。
本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的は、噴射板の温度を正確に測定できるセンシングユニット及びこれを有する基板処理装置を提供することにある。 The present invention is to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a sensing unit that can accurately measure the temperature of a spray plate and a substrate processing apparatus having the sensing unit.
本発明の他の目的は、チャンバー内の温度を正確に制御できるセンシングユニット及びこれを有する基板処理装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a sensing unit capable of accurately controlling the temperature in the chamber and a substrate processing apparatus having the sensing unit.
本発明の更に他の目的は、下記の詳細な説明及び添付された図面を通して一層明確になるだろう。 Further objects of the present invention will become more apparent through the following detailed description and the accompanying drawings.
本発明によると、基板処理装置は、基板に対する工程が行われる工程空間を提供するチャンバーと;前記チャンバーの内部に提供され、前記基板が置かれる支持プレートと;前記支持プレートの上部に提供され、下部が開放された本体と、前記本体の下部に連結されて前記支持プレートの上部にソースガスを供給する噴射板とを有するシャワーヘッドと;前記噴射板の上部面に一端が接触するセンサーと、前記センサーに対して前記噴射板に向かう方向に弾性力を提供する弾性部材とを有するセンシングユニットと;を含む。 According to the present invention, a substrate processing apparatus includes a chamber that provides a process space in which a process is performed on a substrate; a support plate that is provided in the chamber and on which the substrate is placed; and is provided on an upper portion of the support plate; A shower head having a main body whose lower part is opened, and an injection plate connected to the lower part of the main body and supplying source gas to the upper part of the support plate; a sensor having one end in contact with the upper surface of the injection plate; And a sensing unit having an elastic member that provides an elastic force in a direction toward the ejection plate with respect to the sensor.
前記シャワーヘッドは、前記本体の内部及び前記噴射板の上部に提供された固定板をさらに有し、前記センシングユニットは、前記センサーが実装されたハウジングと;前記ハウジングを前記固定板上に設置する締結具と;をさらに含み、前記弾性部材は、前記ハウジングに対して弾性力を提供することができる。 The shower head further includes a fixed plate provided inside the main body and on the upper portion of the injection plate, the sensing unit includes a housing on which the sensor is mounted; and the housing is installed on the fixed plate. The elastic member may provide an elastic force to the housing.
前記ハウジングは、前記締結具が貫通される締結ホールを有し、前記弾性部材の一端は前記締結ホールの加圧面と接触し、前記弾性部材の他端は、前記締結ホールより大きい直径を有する前記締結具のヘッドに連結される。 The housing has a fastening hole through which the fastener is penetrated, one end of the elastic member is in contact with a pressure surface of the fastening hole, and the other end of the elastic member has a larger diameter than the fastening hole. Connected to the head of the fastener.
前記ハウジングは、前記センサーの周りに配置され、前記締結具が貫通される締結ホールを有するフランジ部を有し、前記固定板は、前記フランジ部が定着される定着面を有し、前記センシングユニットは、前記フランジ部と前記定着面との間に提供されて気密を維持するシーリングパッドをさらに含むことができる。 The housing has a flange portion that is disposed around the sensor and has a fastening hole through which the fastener passes, the fixing plate has a fixing surface to which the flange portion is fixed, and the sensing unit May further include a sealing pad provided between the flange portion and the fixing surface to maintain airtightness.
前記固定板は、前記定着面の内側に前記定着面より低く位置するシーリング面をさらに有し、前記センシングユニットは、前記シーリングパッドと前記シーリング面との間に提供されて気密を維持するシーリング部材をさらに含むことができる。 The fixing plate further includes a sealing surface positioned below the fixing surface inside the fixing surface, and the sensing unit is provided between the sealing pad and the sealing surface to maintain a hermetic seal. Can further be included.
前記固定板は、前記支持プレートと一緒に前記シャワーヘッドから供給された前記ソースガスを用いてプラズマを生成する上部電極である。 The fixing plate is an upper electrode that generates plasma using the source gas supplied from the shower head together with the support plate.
前記シャワーヘッドは、前記固定板と前記噴射板との間に提供される拡散板と;前記拡散板と前記噴射板との間に提供されて前記噴射板の温度を調節する冷却板と;をさらに含むことができる。 The shower head includes: a diffusion plate provided between the fixed plate and the injection plate; and a cooling plate provided between the diffusion plate and the injection plate to adjust the temperature of the injection plate. Further can be included.
本発明によると、センシングユニットは、測定対象物の測定面に一端が接触するセンサーと;前記センサーに対して前記測定面に向かう方向に弾性力を提供する弾性部材と;を有する。 According to the present invention, the sensing unit includes: a sensor whose one end is in contact with the measurement surface of the measurement object; and an elastic member that provides an elastic force to the sensor in a direction toward the measurement surface.
前記センシングユニットは、前記センサーが実装されたハウジングと;前記ハウジングを前記測定面に隣接するように配置された固定部材上に設置する締結具と;をさらに含み、前記弾性部材は、前記ハウジングに対して弾性力を提供することができる。 The sensing unit further includes: a housing in which the sensor is mounted; and a fastener that installs the housing on a fixing member disposed adjacent to the measurement surface; and the elastic member is attached to the housing. In contrast, an elastic force can be provided.
本発明によると、センサーを測定対象物の測定面に密着させることができ、良好な接触状態を常に維持することができる。したがって、測定対象物の測定値の信頼度を高めることができ、これを通して正確な制御が可能である。 According to the present invention, the sensor can be brought into close contact with the measurement surface of the measurement object, and a good contact state can always be maintained. Therefore, the reliability of the measurement value of the measurement object can be increased, and accurate control is possible through this.
以下、本発明の好適な各実施例を添付された図1及び図2に基づいて一層詳細に説明する。本発明の各実施例は多様な形態に変形可能であり、本発明の範囲は、下記で説明する各実施例に限定されるものとして解析されてはならない。本実施例は、当該発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明を一層詳細に説明するために提供されるものである。したがって、図面には、より明確な説明を強調するために、各要素の形状が誇張されて図示される。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 2 . Each embodiment of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be analyzed as being limited to each embodiment described below. This embodiment is provided to explain the present invention in more detail to those who have ordinary knowledge in the technical field to which the invention pertains. Accordingly, the shape of each element is exaggerated in the drawings to emphasize a clearer description.
以下では、プラズマを用いる工程を例に挙げて説明するが、本発明の技術的思想及び範囲がこれに限定されることはなく、本発明は、チャンバー内の温度測定を要する多様な半導体製造装置に応用可能である。 In the following, a process using plasma will be described as an example, but the technical idea and scope of the present invention are not limited to this, and the present invention includes various semiconductor manufacturing apparatuses that require temperature measurement in the chamber. It can be applied to.
図1は、本発明に係る基板処理装置1を概略的に示した図である。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
基板処理装置1は、チャンバー10、支持プレート20、昇降部材30、シャワーヘッド50及び排気ユニット60を含む。チャンバー10は、基板12に対する工程が行われる工程空間を提供し、工程空間は外部から閉鎖される。排気ユニット60は、工程進行時にチャンバー10内部のガスを排出し、チャンバー10の内部を真空状態にする。支持プレート20はチャンバー10の下部に提供され、工程進行時に、基板12は、支持プレート20の上部に置かれ、プラズマによってエッチングされる。支持プレート20は、静電チャック(ESC)でもある。支持プレート20の縁部には複数の昇降部材30が配置され、各昇降部材30は、支持プレート20の上部に置かれた基板12の縁部を支持した状態で基板12を昇降する。 The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 10, a support plate 20, a lifting member 30, a shower head 50, and an exhaust unit 60. The chamber 10 provides a process space in which a process for the substrate 12 is performed, and the process space is closed from the outside. The exhaust unit 60 exhausts the gas inside the chamber 10 when the process proceeds, and makes the inside of the chamber 10 in a vacuum state. The support plate 20 is provided in the lower part of the chamber 10, and the substrate 12 is placed on the upper part of the support plate 20 and etched by plasma during the process. The support plate 20 is also an electrostatic chuck (ESC). A plurality of elevating members 30 are arranged on the edge portion of the support plate 20, and each elevating member 30 moves the substrate 12 up and down while supporting the edge portion of the substrate 12 placed on the upper portion of the support plate 20.
シャワーヘッド50は、支持プレート20の上部に配置され、支持プレート20の上部にソースガスを供給し、支持プレート20と一緒に供給されたソースガスからプラズマを生成する。シャワーヘッド50は、本体52及び本体52の下部に連結された噴射板54を含む。本体52は、下部が開放された形状を有し、噴射板54は、本体52の開放された下部に結合される。本体52は、支持軸52aによって支持プレート20の上部に設置される。 The shower head 50 is disposed on the support plate 20, supplies a source gas to the top of the support plate 20, and generates plasma from the source gas supplied together with the support plate 20. The shower head 50 includes a main body 52 and an injection plate 54 connected to the lower portion of the main body 52. The main body 52 has a shape in which the lower part is opened, and the injection plate 54 is coupled to the lower part in which the main body 52 is opened. The main body 52 is placed on the support plate 20 by a support shaft 52a.
シャワーヘッド50は、冷却板55、拡散板57及び上部電極59をさらに含む。冷却板55は、噴射板54の上部面に結合され、冷媒通路55bに流れる冷媒を用いて噴射板54の温度を調節する。拡散板57は、冷却板55の上部に提供され、外部から供給されたソースガスを噴射板54に向かって拡散させる。上部電極59は、拡散板57の上部に提供され、別途の高周波発生器に連結される。上部電極59は、接地された支持プレート20と一緒に支持プレート20の上部に電界を形成することができ、支持プレート20の上部に供給されたソースガスからプラズマを生成することができる。一方、ソースガスは、外部から本体52の内部に供給され、上部電極59の貫通ホール59a、拡散板57の拡散ホール57a、冷却板55の貫通ホール55a及び噴射板54の噴射ホール54aを通して支持プレート20の上部に供給される。一方、上部電極59上にはセンシングユニット70が設置される。 The shower head 50 further includes a cooling plate 55, a diffusion plate 57 and an upper electrode 59. The cooling plate 55 is coupled to the upper surface of the injection plate 54 and adjusts the temperature of the injection plate 54 using the refrigerant flowing through the refrigerant passage 55b. The diffusion plate 57 is provided above the cooling plate 55 and diffuses the source gas supplied from the outside toward the injection plate 54. The upper electrode 59 is provided on the diffusion plate 57 and is connected to a separate high frequency generator. The upper electrode 59 can form an electric field on the upper portion of the support plate 20 together with the grounded support plate 20, and can generate plasma from the source gas supplied to the upper portion of the support plate 20. On the other hand, the source gas is supplied to the inside of the main body 52 from the outside, and is supported through the through hole 59a of the upper electrode 59, the diffusion hole 57a of the diffusion plate 57, the through hole 55a of the cooling plate 55, and the injection hole 54a of the injection plate 54. 20 is supplied to the top. On the other hand, a sensing unit 70 is installed on the upper electrode 59.
図2は、図1のセンシングユニット70を示した拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view showing the sensing unit 70 of FIG .
センシングユニット70は、ハウジング72、センサー74及び締結具78を含む。センサー74は、ハウジング72の内部に実装され、下端は噴射板54の上部面に接触し、上端はワイヤー74aによって別途の制御器(図示せず)に連結される。センサー74は、噴射板54の温度を感知し、制御器は、センサー74の感知結果によって噴射板54の温度を制御する。センサー74は、広い温度範囲で安定的な出力を提供し、小幅の温度範囲で正確に温度を測定できる測温抵抗体(Resistance Temperature Detector:RTD)センサーを含む。測温抵抗体は、金属導体の電気抵抗が温度変化によって変わる現象を活用する。 The sensing unit 70 includes a housing 72, a sensor 74 and a fastener 78. The sensor 74 is mounted inside the housing 72, the lower end contacts the upper surface of the injection plate 54, and the upper end is connected to a separate controller (not shown) by a wire 74a. The sensor 74 senses the temperature of the ejection plate 54, and the controller controls the temperature of the ejection plate 54 according to the sensing result of the sensor 74. The sensor 74 includes a resistance temperature detector (RTD) sensor that provides a stable output over a wide temperature range and can accurately measure the temperature over a small temperature range. A resistance temperature detector utilizes a phenomenon in which the electrical resistance of a metal conductor changes with temperature changes.
ハウジング72は、センサー74の周りに配置されるフランジ部72aを含み、フランジ部72a上には複数の締結ホール72bが形成される。締結具78は、締結ホール72bを貫通して上部電極59に固定され、締結ホール72bより大きい直径を有する締結具78は、フランジ部72aの外側に突出される。締結具78は、フランジ部72aを上部電極59上に固定設置し、フランジ部72aは、締結具78に沿って昇降可能である。センサー74の下端と同様に、ハウジング74の下端は噴射板54の上部面に接触する。センサー74は、ハウジング72に実装された状態でハウジング72によって噴射板54の上部面に接触する。 The housing 72 includes a flange portion 72a disposed around the sensor 74, and a plurality of fastening holes 72b are formed on the flange portion 72a. The fastener 78 passes through the fastening hole 72b and is fixed to the upper electrode 59, and the fastener 78 having a larger diameter than the fastening hole 72b protrudes outside the flange portion 72a. The fastener 78 has the flange portion 72 a fixedly installed on the upper electrode 59, and the flange portion 72 a can be moved up and down along the fastener 78. Similar to the lower end of the sensor 74, the lower end of the housing 74 contacts the upper surface of the injection plate 54. The sensor 74 is in contact with the upper surface of the ejection plate 54 by the housing 72 while being mounted on the housing 72.
締結具78上には弾性部材79が設置される。弾性部材79の一端は上部電極59の上部面と平行な締結ホール72bの加圧面と接触し、弾性部材79の他端は締結具78のヘッドに接触する。弾性部材79は、圧縮スプリングであり、加圧面に対して下方に弾性力(F)を提供する。したがって、ハウジング72の下端は、噴射板54の上部面に接触した状態を常に維持することができ、これと同様に、センサー74の下端も、噴射板54の上部面に接触した状態を常に維持することができる。 An elastic member 79 is installed on the fastener 78. One end of the elastic member 79 is in contact with the pressure surface of the fastening hole 72 b parallel to the upper surface of the upper electrode 59, and the other end of the elastic member 79 is in contact with the head of the fastener 78. The elastic member 79 is a compression spring, to provide an elastic force (F) downwardly relative to the pressure surface. Therefore, the lower end of the housing 72 can always maintain the state in contact with the upper surface of the injection plate 54. Similarly, the lower end of the sensor 74 always maintains the state in contact with the upper surface of the injection plate 54. can do.
上部電極59は、フランジ部72aと対向する定着面59bを有し、定着面59bとフランジ部72aとの間には、気密維持のためのシーリングパッド76が提供される。定着面59bの内側には、定着面59bより低く位置したシーリング面59cが提供され、シーリング面59cとシーリングパッド76との間にも気密維持のためのOリング77が提供される。 The upper electrode 59 has a fixing surface 59b facing the flange portion 72a, and a sealing pad 76 for maintaining airtightness is provided between the fixing surface 59b and the flange portion 72a. A sealing surface 59c positioned lower than the fixing surface 59b is provided inside the fixing surface 59b, and an O-ring 77 for maintaining airtightness is also provided between the sealing surface 59c and the sealing pad 76.
上述したように、弾性部材79の弾性力を用いてセンサー74を測定しようとする噴射板54の上部面に密着させることができ、接触状態を常に維持することができる。したがって、噴射板54の温度を正確に測定することができ、チャンバー10内の温度を正確に制御することができる。 As described above, the sensor 74 can be brought into close contact with the upper surface of the ejection plate 54 to be measured using the elastic force of the elastic member 79, and the contact state can be always maintained. Therefore, the temperature of the injection plate 54 can be accurately measured, and the temperature in the chamber 10 can be accurately controlled.
本発明を好適な各実施例に基づいて詳細に説明したが、これと異なる形態の実施例も可能である。したがって、特許請求の範囲の技術的思想と範囲は、好適な各実施例に限定されるものでない。 Although the present invention has been described in detail on the basis of preferred embodiments, other embodiments may be possible. Therefore, the technical idea and scope of the claims are not limited to the preferred embodiments.
1 基板処理装置
10 チャンバー
20 支持プレート
30 昇降部材
50 シャワーヘッド
60 排気ユニット
70 センシングユニット
72 ハウジング
74 センサー
76 シーリングパッド
77 Oリング
78 締結具
79 弾性部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Chamber 20 Support plate 30 Lifting member 50 Shower head 60 Exhaust unit 70 Sensing unit 72 Housing 74 Sensor 76 Sealing pad 77 O-ring 78 Fastener 79 Elastic member
Claims (5)
前記チャンバーの内部に提供され、前記基板が置かれる支持プレートと;
前記支持プレートの上部に提供される下部が開放された本体と、前記本体の下部に連結されて前記支持プレートの上部にソースガスを供給する噴射板と、前記噴射板の上部に提供され前記支持プレートとともに前記シャワーヘッドから供給された前記ソースガスを用いてプラズマを生成する上部電極とを有するシャワーヘッドと;
前記噴射板の上部面に一端が接触するセンサーと、前記センサーが実装されたハウジングと、前記ハウジングを前記上部電極上に設置する締結具と、前記ハウジングに対して前記噴射板に向かう方向に弾性力を提供する弾性部材と、前記ハウジングと前記上部電極との間に提供されて気密を維持するシーリングパッドとを有するセンシングユニットと;
を含むことを特徴とする基板処理装置。 A chamber providing a process space in which a process is performed on the substrate;
A support plate provided within the chamber and on which the substrate is placed;
Wherein a main body lower portion is opened is provided in the upper portion of the support plate, wherein the injection plate supplying a source gas into the upper portion of the support plate is connected to the lower portion of the main body, is provided on top of the injection plate wherein the support A shower head having a plate and an upper electrode for generating plasma using the source gas supplied from the shower head;
A sensor whose one end is in contact with the upper surface of the injection plate, a housing in which the sensor is mounted, a fastener for installing the housing on the upper electrode, and an elasticity in a direction toward the injection plate with respect to the housing A sensing unit having an elastic member for providing a force, and a sealing pad provided between the housing and the upper electrode to maintain airtightness ;
A substrate processing apparatus comprising:
前記弾性部材の一端は前記締結ホールの加圧面と接触し、前記弾性部材の他端は、前記締結ホールより大きい直径を有する前記締結具のヘッドに連結されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The housing has a fastening hole through which the fastener is passed,
2. The elastic member according to claim 1 , wherein one end of the elastic member is in contact with a pressure surface of the fastening hole, and the other end of the elastic member is connected to a head of the fastener having a larger diameter than the fastening hole. The substrate processing apparatus as described.
前記上部電極は、前記フランジ部が定着される定着面を有し、
前記シーリングパッドは、前記フランジ部と前記定着面との間に提供されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 The housing has a flange portion disposed around the sensor and having a fastening hole through which the fastener is passed,
The upper electrode has a fixing surface to which the flange portion is fixed;
It said sealing pad, a substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2, characterized in that that will be provided between said flange portion and the fixing plane.
前記センシングユニットは、前記シーリングパッドと前記シーリング面との間に提供されて気密を維持するシーリング部材をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 The upper electrode further has a sealing surface positioned lower than the fixing surface inside the fixing surface;
The substrate processing apparatus of claim 3 , wherein the sensing unit further includes a sealing member provided between the sealing pad and the sealing surface to maintain airtightness.
前記上部電極と前記噴射板との間に提供される拡散板と;
前記拡散板と前記噴射板との間に提供されて前記噴射板の温度を調節する冷却板と;をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The shower head is
A diffusion plate provided between the upper electrode and the spray plate;
The substrate according to any one of claims 1 to 4, further comprising: a cooling plate provided between the diffusion plate and the spray plate to adjust a temperature of the spray plate. Processing equipment.
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