JP4883991B2 - レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に形成された結晶層をレーザーで剥離させるレーザーリフトオフ法と、そのような方法に適したレーザーを具備するレーザーリフトオフ装置に関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体により形成される半導体発光素子の製造方法の製造プロセスにおいて、サファイア基板上に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を該サファイア基板の裏面からレーザー光を照射することにより剥離するレーザーリフトオフ技術が知られている。

例えば、サファイア基板上にＧａＮ層を形成し、該サファイア基板の裏面からレーザー光を照射することにより、ＧａＮ層を形成するＧａＮが分解され、該ＧａＮ層からサファイア基板を剥離する技術が開示されている（特許文献１）。しかし、特許文献１は、照射するレーザー光の照射密度及びＧａＮ層に吸収され易い波長のレーザー光を例示するに止まっている。また、サファイア基板からＧａＮ系化合物結晶層を効率よく剥離するために、レーザー光の１ショットあたりの面積を大きくし、順次サファイア基板とＧａＮ系化合物結晶層の界面にレーザー光を照射することにより、スループット良くＧａＮ系化合物結晶層を剥離することも行われている。

特開２０００−１０１１３９号公報

ところで、サファイア基板上に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を当該サファイア基板の裏面からレーザー光を照射することにより剥離するためには、ＧａＮ系化合物をＧａとＮ₂に分解するために必要な閾値以上の照射エネルギーを有するレーザー光を照射する必要がある。ここで、レーザー光を照射した際には、ＧａＮが分解することによりＮ₂ガスが発生することから、当該ＧａＮ層にせん断応力が加わり、当該レーザー光の照射領域の境界部において、クラックが生じる場合がある。例えば、図１に示すように、レーザー光の照射領域が点形状または円形状である場合、レーザー光の照射領域の境界が凹凸構造化し、その周辺にクラックが発生してしまう問題がある。特に、数μｍ以下の厚みのＧａＮ系化合物結晶層を用いて素子を形成する場合には、Ｇａ系化合物結晶層がＮ₂ガス発生によるせん断応力に耐えるための十分な強度を有しない場合もあり、剥離後の表面が凹凸化し、容易にクラックが発生してしまう。さらに、ＧａＮ系化合物結晶層のみならず、その上に形成された結晶層にクラックが伝播し、素子そのものが破壊されてしまう場合もあり、微小なサイズの素子を形成する際の問題となっている。クラックが発生した場合、素子が所要の性能を発揮できないことになり、アブレーションにより基板から剥離して形成される素子の歩留まりの低下に繋がる。

したがって、本発明は、上述の問題点を鑑み、基板上に形成された結晶層にクラックを生じさせることなく、該基板から、平坦な剥離面を有する結晶層を剥離することができる剥離方法と、そのような方法に適したレーザーを具備する剥離装置を提供することを目的とする。

本発明は、基板上に形成された結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該結晶層を剥離するレーザーリフトオフ法であって、該レーザー光を楕円形にして照射することを特徴とする方法を提供する。さらに本発明は、上記方法に適したレーザーリフトオフ装置であって、該レーザー光を楕円形にする手段を具備した装置を提供する。

本発明によると、基板上に形成された結晶層にレーザー光を楕円形にして照射することにより、レーザー光の光強度分布がなだらかになり、レーザー光が照射された領域の境界部における急激な結晶層の分解を抑制することができるため、剥離面を平坦化し、ひいてはクラックの発生を低減することが可能となる。

本発明によると、基板上に形成された結晶層にレーザー光を照射するに際し、該レーザー光を楕円形にして照射する。レーザー光を楕円形にする手段の一例として、シリンドリカルレンズを使用した場合を図２に示す。シリンドリカルレンズによりレーザー光を集光することにより、レーザー光が楕円形になり、その長軸（ｙ軸）方向における光強度分布が、当該短軸（ｘ軸）方向よりなだらかになる。したがって、このように楕円形レーザー光と基板とを、当該楕円の長軸（ｙ軸）方向と略直交する方向（ｘ軸方向）において相対移動させることにより、基板上のレーザー照射領域と非照射領域との境界付近における光強度分布がなだらかになる。このため該境界付近における結晶層の急激な分解が抑制され、よって剥離面を平坦化し、かつ、クラックの発生を低減することができる。

従来法により凸レンズを用いてレーザー光を集光した場合、図１に示したように、ｘ軸、ｙ軸のいずれの方向においても光強度分布が急峻となる。このため基板上のレーザー照射領域と非照射領域との境界付近において、結晶層が分解する際に大きな応力が発生し、剥離面が凹凸化し、クラックが発生しやすい。また、集光レンズを用いることなくデフォーカスしたレーザー光を照射した場合には、レーザー剥離可能な閾値は変化しないのに対して一度にレーザー照射される面積が増加するため、単位時間あたりの放熱が追いつかないことにより良好な剥離が損なわれ得る。本発明によりレーザー光を楕円形にして照射することにより、クラックのない平坦な剥離面を得ることが可能となる。

上述したように、本発明による効果は、レーザー光を楕円形にしたことにより得られるが、特に楕円形の長軸の短軸に対する比率が１０以上、好ましくは１００以上である場合に、これが顕著となる。

図３に、固定光学系を用いたレーザーリフトオフ装置の模式図を示す。図３に示した装置は、レーザー発振器１、ＬＥＤ２、ＸＹステージ３、ステージ駆動部４、ビームエキスパンダ５、柱状レンズ６、集光レンズ７、ＣＣＤカメラ８、ダイクロイックミラー９および反射鏡１０を含む。レーザー発振器１から放出されたレーザービーム１２は、ビームエキスパンダ５、柱状レンズ６、ダイクロイックミラー９および集光レンズ７を介して集光レーザービーム１３となり、ステージ駆動部４により移動するＸＹステージ３上のＬＥＤ２の全面を照射する。柱状レンズ６と集光レンズ７を組み合わせることにより、焦点距離をｘ方向とｙ方向とで異なるようにし、例えばｘ方向において強くフォーカスされ、ｙ方向にはデフォーカスされた楕円形レーザー光を形成することができる。

図４に、ビームスキャナを用いたレーザーリフトオフ装置の模式図を示す。図４に示した装置は、レーザー発振器１、ＬＥＤ２、ＸＹステージ３、ステージ駆動部４、ビームエキスパンダ５、柱状レンズ６、ＣＣＤカメラ８、反射鏡１０、ガルバノスキャナ１１およびｆθレンズ１４を含む。レーザー発振器１から放出されたレーザービーム１２は、ビームエキスパンダ５、柱状レンズ６、反射鏡１０、ガルバノスキャナ１１およびｆθレンズ１４を介して集光レーザービーム１３となり、ステージ駆動部４により移動するＸＹステージ３上のＬＥＤ２の全面を照射する。柱状レンズ６とｆθレンズ１４を組み合わせることにより、焦点距離をｘ方向とｙ方向とで異なるようにし、例えばｘ方向において強くフォーカスされ、ｙ方向にはデフォーカスされた楕円形レーザー光を形成することができる。

本発明に用いられるレーザー発振器としては、結晶層を分解することにより基板から剥離することができるものであれば、いずれのレーザー発振器を用いることができる。そのようなレーザー発振器の例として、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーおよびＹＶＯ４レーザーを挙げることができる。また、レーザー光はパルス光として照射することができ、その場合の周波数としては０．１〜１００ｋＨｚ程度（あるいはパルス長としては１〜１００ナノ秒程度）を使用することができる。

基板としては、結晶層が良好に形成でき、かつ、結晶層を分解するために適用な波長のレーザー光を透過するもの、例えばサファイア基板、窒化アルミニウム基板等、を用いることができる。本実施態様では、ＧａＮ系化合物の結晶層を良好に成長させることができるように主面がＣ面であるサファイア基板を用いている。また、本実施態様では、サファイア基板の表面にＧａＮ系化合物の結晶層が形成されている。この結晶層の成長方法は、種々の気相成長方法を挙げることができ、例えば、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）などの気相成長法や、ハイドライト気相成長法（ＨＶＰＥ法）等を用いることができる。その中でもＭＯＣＶＤ法によると、迅速に結晶性の良好なものを得ることができる。ＭＯＣＶＤ法では、ＧａソースとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）などのアルキル金属化合物が多く使用され、窒素源としては、アンモニア、ヒドラジンなどのガスが使用される。また、結晶層がｎ型或いはｐ型の導電性を有するようにＳｉ、Ｍｇがドープされていても良い。ここで、結晶層の厚みは、微小な素子を形成可能な程度の厚みを有しており、例えば３μｍの厚みとなるように結晶層が形成される。また、結晶層上に素子を構成する別の結晶層や電極層が形成されていても良く、結晶層上に形成される別の結晶層を複数層形成しておくこともできる。

このようにＧａＮ系化合物の結晶層の上に発光素子（ＬＥＤ）を構成した積層構造体１００の例を図５に示す。サファイア基板１１０の上に、順に、剥離層としてのＧａＮ系化合物結晶層１２０、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３０、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層１４０、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５０、ｐ型ＧａＮ層１６０、ｐ電極層１７０、導電性接着剤層１８０および導電性支持体１９０が積層されている。ｎ型ＡｌＧａＮ層１３０から導電性接着剤層１８０までがＬＥＤ構造部２００を構成する。

剥離層としてのＧａＮ系化合物結晶層１２０は、レーザー照射により融解除去されることの他、サファイア基板１１０とＧａＮ系化合物結晶層１２０の上に成長させるｎ型ＡｌＧａＮ層１３０、及びそれに引き続いて成長させる各層との間の格子不整合を緩和してミスフィット転位を防止することを目的として設けられる。このＧａＮ系化合物結晶層１２０の厚さは１ｎｍ〜数百μｍといった広い範囲で設定することができる。

ｎ型ＡｌＧａＮ層１３０の材料としては、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層１４０の材料よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が使用される。ｎ型ＡｌＧａＮ層の材料の好適例として、Ａｌ組成が３０原子％（Ｇａ組成は７０原子％）程度のｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が挙げられる。このｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体にドープされるｎ型ドーパントとしては、例えばシラン、テトラエチルシリコン等のＳｉ源が挙げられる。ｎ型ドーパントは、ｎ型ＡｌＧａＮ層のキャリア濃度が２〜３×１０¹⁸ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｎ型ＡｌＧａＮ層の厚さは、一般に１〜２μｍの範囲内とすればよい。

ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層１４０の材料としては、例えば波長２００〜３５０ｎｍの深紫外発光が可能なＡｌＧａＮ系化合物半導体を使用することができる。また、量子井戸活性層の材料は、上記ｎ型ＡｌＧａＮ層１３０の材料および後述するｐ型ＡｌＧａＮ層１５０の材料よりもバンドギャップが小さくなるように設計される。量子井戸活性層は単一量子井戸（ＳＱＷ）構造であっても多重量子井戸（ＭＱＷ）構造であってもよい。量子井戸活性層の好適例として、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ／Ａｌ_yＧａ_1-yＮ系量子井戸活性層（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．２０）であって、膜厚がそれぞれ３ｎｍ／８ｎｍであるものを３〜５周期形成させたＭＱＷ構造が挙げられる。

ｐ型ＡｌＧａＮ層１５０の材料としては、上記ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層１４０の材料よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が使用される。ｐ型ＡｌＧａＮ層の材料の好適例として、Ａｌ組成が２４〜３０原子％（Ｇａ組成は７０〜７６原子％）程度のｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が挙げられる。このｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体にドープされるｐ型ドーパントとしては、例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム等のＭｇ源が挙げられる。ｐ型ドーパントは、ｐ型ＡｌＧａＮ層のキャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｐ型ＡｌＧａＮ層の厚さは、一般に１０〜１００ｎｍの範囲内とすればよい。

後述するｐ電極層１７０との接触抵抗を下げるため、ｐ型ＧａＮ層１６０が積層されている。ｐ型ＧａＮ層１６０の材料としては、上記ｐ型ＡｌＧａＮ層１５０よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｐ型ＧａＮ系化合物半導体が使用される。例えば、ｐ型ＧａＮの他、上記ｐ型ＡｌＧａＮ層を構成するｐ型ＡｌＧａＮとは組成が異なるｐ型ＡｌＧａＮを使用してもよい。ｐ型ＧａＮ系化合物半導体にドープされるｐ型ドーパントとしては、例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム等のＭｇ源が挙げられる。ｐ型ドーパントは、ｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｐ型ＧａＮ層１６０の厚さは、一般に１０〜２００ｎｍの範囲内とすればよい。

ｐ電極層１７０の材料としては、ｐ型ＧａＮ層１６０へ正孔を効率よく注入することができるものであれば特に制限はない。ｐ電極層１７０の材料の好適例として、Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩＴＯ、Ｐｄ／Ｒｅ、Ｎｉ／ＺｎＯ，Ｎｉ（Ｍｇ）／Ａｕ、Ｎｉ（Ｌａ）／Ａｕ等が挙げられる。ｐ電極層の厚さは、一般に２０〜３０００ｎｍの範囲内とすればよい。

導電性接着剤１８０としては、例えばＡｕ／Ｇｅ系半田を厚さ０．５〜１００μｍ程度で使用することができる。次いで、この導電性接着剤１８０を介して導電性支持体１９０を接合させる。導電性支持体１９０は、サファイア基板除去後に発光素子を支持する役割を担うと共に、ｐ電極層１７０への電流注入機能をも有する。導電性支持体１９０の材料としては、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、ＣｕＷ、Ａｕ／Ｎｉ等が挙げられる。導電性支持体１９０の厚さは、一般に５０〜５０００μｍの範囲内とすればよい。

本発明によると、サファイア基板１１０側から所定の波長を有するレーザー光を楕円形にして照射することにより結晶層１２０を融解させる。レーザーとしては、例えばＮｄ−ＹＡＧレーザーの第３高調波（３５５ｎｍ）または第４高調波（２６６ｎｍ）を使用すればよい。このような楕円形レーザー光を、当該楕円の長軸（ｙ軸）方向と直交する方向（ｘ軸方向）において走査しながらサファイア基板側から照射することにより、結晶層１２０が融解し、これと共にサファイア基板１１０が容易に除去される。露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層１３０の表面は平坦化され、またクラックの発生も抑えられる。

例１（比較例）
以下のように本発明による方法によりＡｌＧａＮ系ＬＥＤを製造した。各層の結晶成長に際しては、有機金属気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）を使用した。また、キャリアガスには水素（Ｈ₂）を使用した。但し、ｐ層電極と導電性支持体との接合は、後のＩＴＯ電極の蒸着時の基板温度を高めるため、半田には金ゲルマニウム合金（金：１２％）を用いて行った。

所定の結晶成長装置にＣ面サファイア基板を装填した。Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、そして窒素源としてアンモニア（ＮＨ₃）を供給し、温度５５０℃において、サファイア基板上に厚さ２０ｎｍのＧａＮ層を結晶層として成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に上昇させ、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、窒素源としてＮＨ₃を、そしてｎ型ドーパント源としてテトラエチルシリコン（ＴＥＳｉ）を供給し、ＧａＮ層の上に厚さ１μｍのｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層を成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に維持したまま、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてＴＭＡを、そして窒素源としてＮＨ₃を供給するに際し、ＴＭＧとＴＭＡの流量を変更することにより、ｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に８ｎｍ厚のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ障壁層と３ｎｍ厚のＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ井戸層が５周期からなるＡｌＧａＮ系多重量子井戸活性層を成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に維持したまま、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてＴＭＡを、窒素源としてＮＨ₃を、そしてｐ型ドーパント源としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ₂Ｍｇ）を供給し、ＡｌＧａＮ系多重量子井戸活性層の上に厚さ４０ｎｍのｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層を成長させた。

続いて、温度を１０８０℃とし、Ｇａ源としてＴＭＧを、窒素源としてＮＨ₃を、そしてｐ型ドーパント源としてＣＰ₂Ｍｇを供給し、ｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に厚さ４０ｎｍのｐ型ＧａＮ層を成長させた。

続いて、結晶成長装置から上記結晶成長法で形成した半導体積層体を取り出し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、窒素雰囲気中３０分、８５０℃でｐ型化の活性化アニールを行った。次いで、活性化アニールを行った後、７０℃の王水で１０分間表面処理を行った積層体を蒸着装置（アネルバ株式会社製：型式ＶＩ−４３Ｎ）に装着し、ｐ型ＧａＮ層の上に厚さ２０ｎｍのＮｉと厚さ７００ｎｍの金を連続して蒸着した。蒸着後、積層体を蒸着装置から取り出し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、４５０℃５分間、窒素含有量８０％および酸素含有量２０％の混合ガス雰囲気中でアニールを行いｐ型電極を形成した。ｐ型電極を形成後、張り合わせ工程のために、積層体を適当なサイズに切断した。積層体をサポートする厚さ３５０μｍのＧａＡｓからなる導電性支持体を適当なサイズに切断した後、アセトン、メタノール、超純水で洗浄し、乾燥させた。乾燥後、支持体の上に厚さ４０μｍの金ゲルマニウム合金（金：１２％）を配置し、その後積層体のｐ型電極面を下にして配置し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、窒素雰囲気中、４５０℃で５分間加熱を行い積層体と支持体を接合させた。

次いで、得られた積層体をサファイア基板を上向きにしてＸＹステージ上に配置した。ＸＹステージを３０ｍｍ／秒で移動させながら、サファイア基板側から、直径２０μｍのスポット状にフォーカスしたＱスイッチＬＤ励起Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（スペクトラフィジックス株式会社製：型式ＢＬ６Ｓ−２６６Ｑ）（波長２６６ｎｍ）を順次照射してＧａＮ層を融解させた。その後、半導体積層体を約５０℃に加熱してサファイア基板を除去した。

サファイア基板の除去により露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真を図６に示す。剥離表面には金属Ｇａ粒子以外に縁取りされた突起物が存在していた。

例２（発明例）
サファイア基板側から順次照射するＱスイッチＬＤ励起Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（波長２６６ｎｍ）を、シリンドリカルレンズで楕円形（長軸径６００μｍ：短軸径３．５μｍ）にフォーカスして照射したことを除き、例１と同様にしてサファイア基板を除去した。その際、積層体を載せたＸＹステージを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において移動させた。

サファイア基板の除去により露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真を図７に示す。剥離表面には金属Ｇａ粒子以外に何も認められず、表面が平坦であることが観測された。

例３（比較例）
サファイア基板側から照射するＱスイッチＬＤ励起Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（波長２６６ｎｍ）を、デフォーカスして円形（直径１００μｍ）で照射したことを除き、例１と同様にしてサファイア基板を除去した。

サファイア基板の除去により露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真を図８に示す。レーザーの多重照射により加熱されて剥離層の一部が浮き上がったことが観測された。

例４（発明例）
例２で得られた露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面をＣＭＰ法で研磨した。次いで、レーザー堆積装置（日本真空株式会社製）を用い、ＳｎＯ₂とＩｎ₂Ｏ₃をＳｎ含有量が１５質量％となるように混合した混合物から、温度８００℃において、ｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に厚さ３００ｎｍの高錫濃度ＩＴＯ電極からなるｎ層電極を蒸着した。

ＩＴＯ電極を堆積させて得られたＬＥＤに電流１０ｍＡを注入して発光スペクトルを測定したところ、図９に示したように、例２で得られたＬＥＤは深紫外光域の波長３２０ｎｍ付近にピークを有することがわかった。

従来の凸レンズにより集光されたレーザー光の模式図と光強度分布を示すグラフである。 シリンドリカルレンズにより集光されたレーザー光の模式図と光強度分布を示すグラフである。 固定光学系を用いたレーザーリフトオフ装置の模式図である。 ビームスキャナを用いたレーザーリフトオフ装置の模式図である。 結晶層の上にＬＥＤを構成した積層構造体の一例を示す略横断面図である。 例１で得られたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 例２で得られたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 例３で得られたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 例４で得られたＬＥＤの発光スペクトルを示すグラフである。

符号の説明

１ レーザー発振器
２ ＬＥＤ
３ ＸＹステージ
４ ステージ駆動部
５ ビームエキスパンダ
６ 柱状レンズ
７ 集光レンズ
８ ＣＣＤカメラ
９ ダイクロイックミラー
１０ 反射鏡
１１ ガルバノスキャナ
１２ レーザービーム
１３ 集光レーザービーム
１４ ｆθレンズ
１００ 積層構造体
１１０ サファイア基板
１２０ 剥離層としてのＧａＮ系化合物結晶層
１３０ ｎ型ＡｌＧａＮ層
１４０ ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層
１５０ ｐ型ＡｌＧａＮ層
１６０ ｐ型ＧａＮ層
１７０ ｐ電極層
１８０ 導電性接着剤層
１９０ 導電性支持体
２００ ＬＥＤ構造部

Claims (5)

1. 基板上に形成されたＧａＮ系化合物結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該ＧａＮ系化合物結晶層を剥離するレーザーリフトオフ法であって、該レーザー光を楕円形にして照射するに際し、該楕円形レーザー光と基板とを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において相対移動させながら照射することを特徴とする方法。
2. 該レーザー光を楕円形にするためにシリンドリカルレンズを用いる、請求項１に記載の方法。
3. 該楕円形の長軸の短軸に対する比率が１０以上である、請求項１又は２に記載の方法。
4. 基板上に形成されたＧａＮ系化合物結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該ＧａＮ系化合物結晶層を剥離するレーザーリフトオフ装置であって、該レーザー光を楕円形にする手段、及び該楕円形レーザー光と基板とを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において相対移動させながら照射する手段を具備した装置。
5. 該手段がシリンドリカルレンズである、請求項４に記載の装置。