JP4888802B2 - Semiconductor component design method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路と、この半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品の設計方法及び半導体部品に関し、詳しくは、出力電圧の変更に対して即座に且つ低コストで対処することができる半導体部品の設計方法及び半導体部品に関する。 The present invention relates to a semiconductor component design method and a semiconductor component in which a semiconductor integrated circuit and a nonvolatile memory in which a setting value for determining an output voltage of the semiconductor integrated circuit is stored are formed monolithically. The present invention relates to a semiconductor component design method and a semiconductor component capable of coping with a change immediately and at low cost.
最近の多機能を要求される電子機器は、動作電圧が異なる様々な回路を搭載し、それぞれの動作電圧に応じた複数の電源回路を必要としている。また、低コスト化を図るなどの理由から、開発途中あるいは出荷後に、搭載する回路の変更が行われることも多く、これに伴って回路への供給電圧を変更できるようにする必要がある。電源回路の出力電圧は、例えば特許文献1に示すように、レギュレータ回路の可変抵抗の値を調整することによって変更できる。
一般に電源回路に関する仕様は製品開発の後期になってから決定あるいは変更されることが多く、抵抗を半導体ウェーハに作り込むマスクを作製した後に電源電圧を決定する設定値の変更の必要が生じる場合も多い。そのマスク作製後の設定値変更に対処するためにはマスクの変更が必要であり、新たにマスクを作り直さなければならず、時間がかかると共に、最近の半導体プロセスの微細化に伴ってマスク作製費用が高額化しているので費用もかさむ。近年、各種電子機器は多機能を要求されることに反して、開発期間の短縮と低コストが要求されており、急な仕様変更があっても即座に且つ低コストで対処することが望まれる。 In general, specifications related to power supply circuits are often determined or changed later in product development, and it may be necessary to change setting values that determine power supply voltage after manufacturing a mask that builds resistors into a semiconductor wafer. Many. In order to cope with the change in the set value after the mask fabrication, it is necessary to change the mask, and a new mask must be recreated, which takes time and costs for mask fabrication along with recent miniaturization of semiconductor processes. However, the cost is high because of the high price. In recent years, various electronic devices are required to have multiple functions, but the development period is shortened and the cost is low, and it is desirable to deal with a sudden specification change immediately and at a low cost. .
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、急な仕様変更の必要性が生じた場合でも、即座に且つ低コストで対処できる半導体部品の設計方法及び半導体部品を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor component design method and a semiconductor component that can be dealt with immediately and at a low cost even when a sudden specification change is required. There is.
本発明の半導体部品の設計方法は、半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品の設計方法であって、前記設定値が仮の値に調整された前記半導体部品を試作する第1の手順と、前記半導体部品の試作品に記憶されている前記設定値の調整および前記出力電圧の評価を、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行う第2の手順と、前記評価の結果に基づいて前記設定値を決定する第3の手順と、を有することを特徴としている。
Method for designing a semiconductor component of the present invention includes a semiconductor integrated circuit, a nonvolatile memory the set value is stored which determines the output voltage of the semiconductor integrated circuit is a method for designing a semiconductor component formed in a monolithic, the A first procedure for making a prototype of the semiconductor component in which a set value is adjusted to a provisional value, adjustment of the set value stored in a prototype of the semiconductor component, and evaluation of the output voltage are performed on the output voltage. It has the 2nd procedure performed in the state where the semiconductor part was connected to the load circuit which should be supplied, and the 3rd procedure which determines the set value based on the result of the evaluation .
また、本発明の半導体部品は、半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品であって、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行われる調整および評価の結果に基づいて前記設定値が決定されていることを特徴としている。
The semiconductor component of the present invention is a semiconductor component in which a semiconductor integrated circuit and a nonvolatile memory in which a setting value for determining an output voltage of the semiconductor integrated circuit is stored are formed monolithically, and the supply of the output voltage The set value is determined based on the result of adjustment and evaluation performed in a state in which the semiconductor component is connected to a load circuit to be subjected to power .
具体的に、製造者は半導体製造装置で半導体部品を製造する。使用者は、製造者から半導体部品の供給を受け、その半導体部品を電子機器の一部品としてあるいは単品で使用する。そして、製造者は半導体部品の試作品を使用者に供給する。ここで、試作品においては、不揮発性メモリに記憶された設定値及びこの設定値によって決まる出力電圧は仮の値に調整され、必ずしもこの値に決定されて商品として出荷されるとは限らない。
Specifically, a manufacturer manufactures a semiconductor component with a semiconductor manufacturing apparatus. The user receives supply of semiconductor parts from the manufacturer, and uses the semiconductor parts as one part of the electronic device or as a single item. Then, the manufacturer supplies a prototype of the semiconductor component to the user. Here, in the prototype, the set value stored in the non-volatile memory and the output voltage determined by the set value are adjusted to a temporary value, and the value is not necessarily determined to be shipped as a product.
そして、半導体部品の出力電圧は不揮発性メモリに記憶される設定値を書き換えることで変更あるいは微調整可能であるので、使用者は、出力電圧の変更の必要が生じても製造者に作り直しを依頼することなく、使用者自らが設定値を調整して出力電圧を変更してその評価を行える。すなわち、使用者は、製造者に仕様変更を依頼したり、その仕様変更された試作品の供給を待つといった必要はなく、使用者自らが自由に仕様変更することができる。したがって、使用者は、設定値調整の必要が生じたら即座に行え、またその調整に基づく出力電圧の評価も使用者自らが即座に行え、開発期間の短縮が図れる。さらに、その調整は不揮発性メモリへの設定値の書き換えで実現するので、従来のようなマスクを変更しての半導体製造プロセスのやり直しが不要であり、コスト低減も図れる。 The output voltage of the semiconductor component can be changed or fine-tuned by rewriting the set value stored in the non-volatile memory. Therefore, the user requests the manufacturer to recreate the output voltage even if the output voltage needs to be changed. Without this, the user can adjust the set value and change the output voltage to evaluate it. That is, the user does not need to request the manufacturer to change the specification or wait for supply of the prototype whose specification has been changed, and the user can freely change the specification. Therefore, the user can immediately perform the adjustment of the set value, and the user can also immediately evaluate the output voltage based on the adjustment, thereby shortening the development period. Furthermore, since the adjustment is realized by rewriting the set value in the nonvolatile memory, it is not necessary to redo the semiconductor manufacturing process by changing the mask as in the prior art, and the cost can be reduced.
また、使用者による調整及び評価と並行して、製造者も設定値を調整して出力電圧の評価を行い、使用者による評価の結果及び製造者による評価の結果に基づいて設定値を決定するようにすれば、製造者側で使用者の希望設定値に対して許容誤差範囲内に出力電圧がなるように精度出しのための微調整を行え、製品品質を高めることができる。 In parallel with the adjustment and evaluation by the user, the manufacturer also adjusts the set value to evaluate the output voltage, and determines the set value based on the evaluation result by the user and the evaluation result by the manufacturer. In this way, the manufacturer can make fine adjustments for accuracy so that the output voltage is within the allowable error range with respect to the user's desired set value, and the product quality can be improved.
また、使用者は、半導体集積回路から出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に半導体部品を接続させた状態で評価を行うようにすれば、負荷回路の特性による必要出力電圧値のばらつきに対処する微調整を行え、製品品質をより向上できる。 In addition, if the evaluation is performed with the semiconductor component connected to the load circuit that is to receive the output voltage supplied from the semiconductor integrated circuit, the user can cope with the variation in the required output voltage value due to the characteristics of the load circuit. Fine adjustments can be made to improve product quality.
本発明の半導体部品の設計方法によれば、開発途中で仕様変更の必要性が生じても、製造者に、半導体製造装置を用いた半導体製造プロセスにて半導体部品を作り直すことを行わせる必要なく、使用者自らが不揮発性メモリに書き込む設定値を変更することで容易に対処でき、半導体部品の開発期間の短縮と低コスト化が図れる。また、使用者自らが半導体部品の仕様変更を容易且つ迅速に行えるということは、製造者から既に供給を受け使用者の元にある半導体部品についても容易且つ迅速に仕様変更を行える。すなわち、在庫品を新たな仕様の製品として活用することができるので、無駄な在庫をなくせ、大幅なコスト低減を図れる。 According to the method for designing a semiconductor component of the present invention, even if the necessity for a specification change occurs during development, it is not necessary for the manufacturer to recreate the semiconductor component in the semiconductor manufacturing process using the semiconductor manufacturing apparatus. Thus, the user can easily cope with the problem by changing the set value written in the nonvolatile memory, and the development period and cost of the semiconductor component can be shortened. In addition, the fact that the user can easily and quickly change the specifications of the semiconductor parts can easily and quickly change the specifications of the semiconductor parts already supplied by the manufacturer. That is, since the inventory can be utilized as a product with a new specification, useless inventory can be eliminated, and the cost can be greatly reduced.
本発明の半導体部品によれば、出力電圧を決定するにあたって設定値調整を繰り返し行ってもそれほど開発期間及びコストの増大をきたさず、設計段階での試行錯誤を行いやすく、結果として製品品質の向上を図ることができる。 According to the semiconductor component of the present invention, even if the adjustment of the set value is repeated in determining the output voltage, the development period and the cost are not increased so much, and it is easy to perform trial and error in the design stage, and as a result, the product quality is improved. Can be achieved.
図3は本発明の実施形態に係る半導体部品1の回路図を示す。この半導体部品1は、半導体集積回路2と不揮発性メモリ7とを備え、これらは1つの半導体チップにモノリシックで形成されている。
FIG. 3 shows a circuit diagram of the
半導体集積回路2は、例えば電圧レギュレータ回路であり、負荷回路15aまたは負荷回路15bに一定電圧を供給する。半導体集積回路2は、基準電圧発生源3、差動増幅器4、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ5、可変抵抗9を備える。
The semiconductor integrated circuit 2 is a voltage regulator circuit, for example, and supplies a constant voltage to the
基準電圧発生源3は差動増幅器4の反転入力端子に接続され、基準電圧発生源3からの基準電圧Vrefは差動増幅器4の反転入力端子に入力される。差動増幅器4の出力端子はMOSトランジスタ5のゲートに接続されている。 The reference voltage generation source 3 is connected to the inverting input terminal of the differential amplifier 4, and the reference voltage Vref from the reference voltage generation source 3 is input to the inverting input terminal of the differential amplifier 4. The output terminal of the differential amplifier 4 is connected to the gate of the MOS transistor 5.
MOSトランジスタ5のソースは電源6に接続され、ドレインとグランドとの間には可変抵抗9が接続されている。また、MOSトランジスタ5のドレインは半導体部品1の出力端子10に接続されている。
The source of the MOS transistor 5 is connected to the
可変抵抗9は、複数(図示の例では2つ)の抵抗R1、R2を備え、その分割点は差動増幅器4の非反転入力端子に接続されている。基準電圧Vrefは差動増幅器4で増幅され、その出力によってMOSトランジスタ5のゲート電圧が制御される。可変抵抗9の抵抗値は差動増幅器4における増幅率を決定する。
The
不揮発性メモリ7は電源を切っても記憶内容が保持される半導体メモリであり、例えば、マスクROM(Read Only Memory)、PROM(Programmable ROM)、EPROM(Erasable PROM)、EEPROM(Electrically EPROM)、フラッシュメモリ、NVRAM(Nonvolatile Random Access Memory)、MRAM(Magnetic RAM)、MONOS(Metal Oxide Nitride Oxide Semiconductor)などを用いることができる。
The
不揮発性メモリ7には、半導体集積回路2の出力電圧Voutを決める設定値である可変抵抗9の抵抗値が、ライタなどの外部機器を用いて設定値入力端子8を介して書き込まれ記憶される。上記出力電圧Voutは、この電圧供給を受けるべき負荷回路15aあるいは負荷回路15bによって決まってくる。
In the
不揮発性メモリ7に記憶された設定値に基づいて、可変抵抗9の抵抗値が設定される。具体的には、不揮発性メモリ7に記憶された設定値に基づいて、図示しない例えばMOSスイッチにより、可変抵抗9のどの抵抗分割点を差動増幅器4の非反転入力端子に接続させるかなどの選択がされる。
Based on the set value stored in the
上記設定値は、電源を切っても記憶内容が消えずに保持される不揮発性メモリ7に記憶されるので、電源投入ごとに設定値を新たに書き込む必要がない。そして、そのような電源投入ごとに設定値の書き込みを行う制御部を、この半導体部品1が搭載される電子機器に搭載する必要がなくコスト低減が図れる。また、その制御部として元々電子機器に半導体部品1と一緒に搭載されるCPUなどを流用する場合にはファームの書き換えが必要であるが、本実施形態ではその必要もなく、余計な手間やコストアップを抑えることができる。
The set value is stored in the
次に、上記半導体部品1の設計方法について図1のフローチャートを参照して説明する。
Next, a method for designing the
(ステップS1)
先ず、半導体部品1の製造者と、この半導体部品1の使用者とで半導体部品1の仕様(出力電圧を何Vにするかや、どれくらいの精度を必要とするかなど)を検討する。
(Step S1)
First, the manufacturer of the
ここで、製造者は、半導体部品1の製造設備を持ちその設備を用いて半導体部品1の製造を行う。使用者は、その半導体部品1を、例えば携帯電話機やオーディオ機器、映像機器などの電子機器の一部品として必要とする。例えば、半導体部品1は、電子機器に搭載される他の部品や回路用の電源部品として使用される。使用者は、製造者から半導体部品1の供給を受けると電子機器に搭載してその電子機器を商品として出荷する。
Here, the manufacturer has a manufacturing facility for the
(ステップS2a、S3)
上記ステップS1での検討において、例えば出力電圧Voutが1.5V±1%になるよう仕様が決定されると、製造者はその仕様を満足するべく不揮発性メモリ7に記憶させるべき設定値を調整して、半導体部品1を試作する。この試作品の不揮発性メモリ7には、ステップS2aで調整された設定値が記憶されている。
(Steps S2a, S3)
For example, when the specification is determined so that the output voltage Vout is 1.5 V ± 1% in the examination in step S1, the manufacturer adjusts the set value to be stored in the
(ステップS2b)
また、製造者は、不揮発性メモリ7に設定値を書き込んだり消去したりするためのライタを使用者に提供する。なお、このライタは、後述するステップS3にて半導体部品1の試作品を使用者に供給するときに一緒に供給してもよい。また、ライタが特別なものではなく汎用性のあるものを使用することができ、使用者が既に持っているあるいは使用者で簡単に用意できる場合には、必ずしも製造者側からライタを提供する必要はない。
(Step S2b)
The manufacturer also provides the user with a writer for writing or erasing the set value in the
(ステップS4b)
使用者は上記試作品の供給を製造者から受ける。そして、使用者は、その試作品の半導体部品1の出力電圧Voutの評価を行う。すなわち、使用者自らが不揮発性メモリ7に書き込む設定値を調整して、出力電圧Voutの評価を行う。
(Step S4b)
The user receives supply of the prototype from the manufacturer. Then, the user evaluates the output voltage Vout of the
従来は、半導体部品1の量産に入る前の開発途中で出力電圧Voutの変更の必要性が生じた場合には、半導体部品1を使用する使用者側からその要求を製造者に伝えて、製造者はこれを受けてその要求に合う出力電圧Voutとなるように半導体部品1を作り直していた。これは、半導体ウェーハに作り込む抵抗の変更を伴い、そのためのマスクの変更も伴い、手間と時間がかかると共にコストもかかっていた。
Conventionally, when the output voltage Vout needs to be changed during the development before mass production of the
これに対して、本実施形態では、出力電圧Voutの変更に対して不揮発性メモリ7に書き込む設定値を書き換えるだけで対応できる。製造者が半導体製造プロセスを行う必要はない。したがって、使用者は従来のように製造者からの新たな仕様で作り直した試作品を待つことなく、自らが容易に仕様変更(出力電圧変更)を行え、その評価も行える。これにより、開発期間が大幅に短縮できると共に、コストも大幅に低減できる。急な仕様変更に対して迅速に対応でき、また度重なる仕様変更に対しても容易に対応できる。
On the other hand, in the present embodiment, it is possible to cope with the change of the output voltage Vout only by rewriting the set value written in the
また、製造者側も、仕様変更がある度にマスクを変更して使用者の要求に合うように半導体部品を作り直さなくてよい。 Also, the manufacturer does not have to remake the semiconductor parts to meet the user's requirements by changing the mask each time there is a specification change.
また、出力電圧Voutが希望値になったとしてもその電圧供給を受ける負荷回路15aまたは負荷回路15bの特性のばらつきによっては出力電圧Voutを若干変更する必要が生じることがある。すなわち、実際に半導体部品1を負荷回路15aまたは負荷回路15bに接続してみないと出力電圧Voutが適切かどうかわからないことがあるが、本実施形態では、半導体部品1と負荷回路15aまたは負荷回路15bとを電子機器に組み込む工程を行う電子機器メーカーである使用者側で、上記設定値の調整及び出力電圧Voutの評価を行うので、半導体部品1の実際の使用に即したきめ細かな設定値の調整及び出力電圧Voutの評価を迅速且つ容易に行える。
Even if the output voltage Vout becomes a desired value, the output voltage Vout may need to be slightly changed depending on variations in the characteristics of the
また、試作品では例えば負荷回路15a用の電源部品として作られた半導体部品1を、動作電圧がその負荷回路15aと異なる他の負荷回路15b用に変更するといった負荷回路の変更に対しても、製造者と何らやり取りすることなく使用者自らが迅速且つ容易に負荷回路15bに適した設定値の調整及び出力電圧Voutの評価を行える。
In addition, in the prototype, for example, the
(ステップS4a)
上述した使用者側での設定値調整及び出力電圧の評価と並行して、製造者側でも試作品の設定値調整及び出力電圧の評価を行ってもよい。使用者側が行うのは主に、負荷回路変更などに伴う出力電圧変更に対する調整及び評価であるのに対して、製造者側で行うのは、製造プロセスのばらつきにより、出力電圧が希望値からずれることがあるのでそのずれをある範囲内に収めるべく微調整を行う。例えば、使用者が行う調整は、可変抵抗9におけるどの抵抗分割点を差動増幅器4の非反転入力端子に接続させるかという調整であり、製造者が行う微調整は、可変抵抗9を構成する個々の抵抗R1、R2のボリュームの調整である。
(Step S4a)
In parallel with the above-described set value adjustment and output voltage evaluation on the user side, the manufacturer side may perform the set value adjustment and output voltage evaluation on the prototype. The user performs adjustments and evaluations mainly for output voltage changes accompanying load circuit changes, while the manufacturer performs the output voltage deviates from the desired value due to variations in the manufacturing process. In some cases, fine adjustment is made to keep the deviation within a certain range. For example, the adjustment performed by the user is an adjustment of which resistance dividing point in the
(ステップS5a、S5b)
使用者側及び製造者側それぞれで、上記調整された設定値によって決められる出力電圧Voutの評価結果を判定する。その評価結果に満足できない場合には、製造者はステップS2aに戻り、使用者はステップS4bに戻り、それぞれ上述したステップを繰り返す。
(Steps S5a and S5b)
On the user side and the manufacturer side, the evaluation result of the output voltage Vout determined by the adjusted setting value is determined. If the evaluation result is not satisfactory, the manufacturer returns to step S2a, and the user returns to step S4b, and repeats the steps described above.
(ステップS6)
上記ステップS5a及びS5bにおける評価結果が満足できるものであった場合には、使用者は半導体部品1を、この半導体部品1から電源電圧の供給を受ける実際の負荷回路に接続してその負荷回路を動作させてみて最終的な評価を行う。
(Step S6)
If the evaluation results in the above steps S5a and S5b are satisfactory, the user connects the
ステップS6での評価に満足できない場合には、使用者はステップS4bに戻り、あるいは製造者はステップS2aに戻り、それぞれ上述したステップを繰り返す。 If the evaluation in step S6 is not satisfactory, the user returns to step S4b, or the manufacturer returns to step S2a, and repeats the steps described above.
(ステップS7)
上記ステップS6における最終判断に合格すれば、製造者は、その合格した最終仕様にて半導体部品1を量産する。最終仕様は不揮発性メモリ7に最終的な設定値を書き込んだライタのデータファイルで入手する。あるいは、不揮発性メモリ7から、最終仕様として設定された設定値を読み出して得てもよい。
(Step S7)
If the final judgment in step S6 is passed, the manufacturer mass-produces the
(ステップS8)
使用者は、製造者から量産された半導体部品1の供給を受けて、その半導体部品1を、負荷回路15aまたは15bも含めた他の部品と共に電子機器として組み立て、その電子機器を出荷する。
(Step S8)
The user receives the supply of the
次に、電子機器を出荷した後に仕様変更の必要性が生じた場合の設定値変更を行うフローについて図2を参照して説明する。 Next, a flow for changing the set value when the necessity of changing the specification occurs after the electronic device is shipped will be described with reference to FIG.
(ステップS101)
使用者が、電子機器の低コスト要求に対する搭載部品の変更を検討する。例えば、当初出荷した電子機器においては負荷回路(例えば半導体メモリ)15aを搭載していたが、これよりも安価な負荷回路(例えば半導体メモリ)15bに変更したいという要求が出てきたとする。しかし、負荷回路15aが例えば1.5Vの電圧で動作するものであり、負荷回路15bが例えば1.3Vで動作するものである場合には、半導体部品1の出力電圧Voutを変更しなければならない。
(Step S101)
The user considers changing the mounted parts to meet the low cost requirements of electronic equipment. For example, it is assumed that a load circuit (for example, a semiconductor memory) 15a is mounted on an electronic device initially shipped, but there is a demand for changing to a load circuit (for example, a semiconductor memory) 15b that is cheaper than this. However, when the
従来では、マスクなどを変更して半導体部品1を作り直すことで対処可能であったが、これでは新たな仕様の電子機器の市場投入まで時間がかかると共にコストアップもきたす。さらには、特に携帯電話機のような次々と新製品や新モデルが開発されライフサイクルが短い電子機器では、半導体部品1の生産を既に打ち切っている場合があり、作り直すことすらできない場合が多い。
Conventionally, it was possible to cope with the problem by changing the mask or the like and re-creating the
これに対して、本実施形態では、半導体部品1の不揮発性メモリ7の設定値を書き換えることで容易且つ迅速に出力電圧の変更を行えるので、電子機器出荷後の仕様変更に対する要望に簡単に応えることがきる。この結果、負荷回路としてより安価なものに切り替えることが可能になり、電子機器全体のコストダウンを図れる。
On the other hand, in the present embodiment, the output voltage can be changed easily and quickly by rewriting the set value of the
(ステップS102a、102b)
出荷後の設定値変更は、製造者側と、使用者側のそれぞれが行える。製造者側は、変更される負荷回路15bが必要とする出力電圧を決める設定値が書き込まれた半導体部品1を試作する。使用者側は、製造者側から既に供給を受けている半導体部品1の設定値を、変更される負荷回路15bが必要とする出力電圧を決定する設定値に書き換える。したがって、使用者は変更前の仕様で既に製造者から供給された半導体部品1を無駄にすることなく、新たな仕様の半導体部品1として活用できる。
(Steps S102a and 102b)
The set value can be changed after shipment from the manufacturer side and the user side. The manufacturer trial manufactures the
(ステップS103)
そして、使用者は、変更した負荷回路15bと、この負荷回路15b用に出力電圧が変更された半導体部品1とを接続させて、実際に負荷回路15bを動作させて評価を行う。
(Step S103)
The user connects the changed
(ステップS104)
上記ステップS103における評価結果に満足できれば、使用者は、半導体部品1の出力電圧を決定すると共に、この半導体部品1と共に電子機器に搭載する負荷回路の変更を決定する。そして最終的な評価を行いこれに合格すればステップS105a、S105bに進む。満足できない場合には、ステップS101に戻る。
(Step S104)
If the evaluation result in step S103 is satisfactory, the user determines the output voltage of the
(ステップS105a、105b)
上記ステップS104での最終判断を受け、製造者は変更した設定値を不揮発性メモリ7書き込んだ半導体部品1を量産し使用者に供給する。あるいは、使用者自らが、製造者から供給を受けた半導体部品1の不揮発性メモリ7に設定値の書き換えを行う。
(Steps S105a and 105b)
In response to the final determination in step S104, the manufacturer mass-produces the
(ステップS106)
そして、最終的に、使用者は、より安価なものに変更された負荷回路15b及びその負荷回路15bに合わせて出力電圧の変更がなされた半導体部品1を搭載した電子機器を出荷する。
(Step S106)
Finally, the user ships an electronic device equipped with the
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, of course, this invention is not limited to this, A various deformation | transformation is possible based on the technical idea of this invention.
本発明は、特に、開発期間が短く且つ低コストを要求される携帯電話機に搭載され、さらに急な仕様変更の要請が生じやすい電源部品の設計に好適であるが、これに限らず、その他の電子機器に搭載される電源部品、さらには電源部品に限らずその他の半導体部品の設計にも適用可能である。 The present invention is particularly suitable for the design of a power supply component that is mounted on a mobile phone that requires a short development period and requires low cost, and that is more likely to require a sudden specification change, but is not limited to this. The present invention can be applied to the design of power supply components mounted on electronic devices, and other semiconductor components as well as power supply components.
1…半導体部品、2…半導体集積回路、4…差動増幅器、5…MOSトランジスタ、7…不揮発性メモリ、9,R1,R2…可変抵抗、15a,15b…負荷回路。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記設定値が仮の値として前記不揮発性メモリに記憶された前記半導体部品を試作する第1の手順と、
前記半導体部品の試作品の前記不揮発性メモリに記憶されている前記仮の値の設定値の調整および前記出力電圧の評価を、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品の試作品を接続させた状態で行う第2の手順と、
前記第2の手順と平行して、前記半導体部品の製造ラインにおいて最終仕様にて量産されるべき前記半導体部品の前記出力電圧の誤差を抑えるために、前記半導体部品の試作品の前記可変抵抗器のボリュームの調整および出力電圧の評価を行う第3の手順と、
前記第3の手順における評価の結果に基づいて前記最終仕様にて量産されるべき前記半導体部品の前記可変抵抗器の前記ボリュームを決定し、前記第2の手順における評価の結果に基づいて前記最終仕様にて量産されるべき前記半導体部品の前記不揮発性メモリに最終仕様の値として記憶される前記設定値を決定する第4の手順と
を具備する半導体部品の設計方法。 A semiconductor integrated circuit having a plurality of variable resistors and having an output voltage set by selecting a predetermined combination of variable resistors from the plurality of variable resistors, and for setting an output voltage of the semiconductor integrated circuit A non-volatile memory in which a setting value that determines a combination of the variable resistors is stored is a monolithic semiconductor component design method,
A first procedure for prototyping the semiconductor component in which the set value is stored in the nonvolatile memory as a temporary value;
The adjustment of the setting value of the temporary value stored in the nonvolatile memory of the prototype of the semiconductor component and the evaluation of the output voltage are performed on the load circuit to be supplied with the output voltage. A second procedure to be performed in a connected state,
In parallel with the second procedure, the variable resistor of the prototype of the semiconductor component is used to suppress an error in the output voltage of the semiconductor component to be mass-produced with a final specification in the production line of the semiconductor component. A third procedure for adjusting the volume and evaluating the output voltage;
The volume of the variable resistor of the semiconductor component to be mass-produced in the final specification is determined based on the evaluation result in the third procedure, and the final is determined based on the evaluation result in the second procedure A fourth procedure for determining the set value stored as a final specification value in the nonvolatile memory of the semiconductor component to be mass-produced according to the specification.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004260971A JP4888802B2 (en) | 2004-09-08 | 2004-09-08 | Semiconductor component design method |
Applications Claiming Priority (1)
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